JPS582048A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPS582048A JPS582048A JP9959781A JP9959781A JPS582048A JP S582048 A JPS582048 A JP S582048A JP 9959781 A JP9959781 A JP 9959781A JP 9959781 A JP9959781 A JP 9959781A JP S582048 A JPS582048 A JP S582048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- semiconductor device
- sealed semiconductor
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止半導体装置に関し、より詳しくは外
部リードの曲げ加工の際に樹脂に間隙を生じ々い樹脂封
止半導体装置に関する。
部リードの曲げ加工の際に樹脂に間隙を生じ々い樹脂封
止半導体装置に関する。
樹脂封止半導体装置は、使用者側の要求による実装の高
密度化、及び電子機器の小形化のために、その外形寸法
がさらに小さくなる傾向にある。また外部リードの曲げ
方もＤＩＰタイプからＦＰタイプに変ってきている。こ
れら半導体装置の外部リードは、その樹脂部の隣接部位
で曲げられるが、従来の樹脂半導体装置では封止樹脂部
に接して外部リードを曲げ加工した場合に金属リードに
より封止樹脂の一部が変形し、リードとその上方樹脂部
との間に間隙が生じ、生じた間隙が外気中の湿分、リー
ドのめっきに用いた種々の処理液及びはんだめっきの２
シツクスの浸入を許し、半導体装置の信頼性低下の要因
となっている。！！た曲げ加工の際の上記間隙の発生を
防ぐため、リードの曲げ加工部位を封止樹脂部から離隔
しリードに平担部を残すようにスペーサを用い半導体装
置を上下で押えて曲げ加工する方法が行なわれているが
、寸法上の制約から前記平担部を長くすることができな
いので、スペーサを非常に薄くする必要があり、曲げ作
業中に折損が生じて設備稼働率が低下するなどの問題が
ある。
密度化、及び電子機器の小形化のために、その外形寸法
がさらに小さくなる傾向にある。また外部リードの曲げ
方もＤＩＰタイプからＦＰタイプに変ってきている。こ
れら半導体装置の外部リードは、その樹脂部の隣接部位
で曲げられるが、従来の樹脂半導体装置では封止樹脂部
に接して外部リードを曲げ加工した場合に金属リードに
より封止樹脂の一部が変形し、リードとその上方樹脂部
との間に間隙が生じ、生じた間隙が外気中の湿分、リー
ドのめっきに用いた種々の処理液及びはんだめっきの２
シツクスの浸入を許し、半導体装置の信頼性低下の要因
となっている。！！た曲げ加工の際の上記間隙の発生を
防ぐため、リードの曲げ加工部位を封止樹脂部から離隔
しリードに平担部を残すようにスペーサを用い半導体装
置を上下で押えて曲げ加工する方法が行なわれているが
、寸法上の制約から前記平担部を長くすることができな
いので、スペーサを非常に薄くする必要があり、曲げ作
業中に折損が生じて設備稼働率が低下するなどの問題が
ある。
本発明は、上記問題点を解消できる樹脂封止半導体装置
の提供を目的とする。
の提供を目的とする。
本発明の半導体装置は、外部リードの曲げ加工の際にリ
ードの曲げ支点となる樹脂段差部を封止樹脂部の型合せ
′線上に設けてなる樹脂封止半導体装置で“ある。
ードの曲げ支点となる樹脂段差部を封止樹脂部の型合せ
′線上に設けてなる樹脂封止半導体装置で“ある。
以下図面に従って本発明の半導体装置を説明する。本発
明の半導体装置は、従来ＤＩＰタイプ（第１図）、ＦＰ
タイプ（第２図）と称される封止樹脂部１と外部リード
２をもつ樹脂封止半導体装置であるが、本発明の樹脂封
止半導体装置は１、第６図に例示するように封止樹脂部
１の型合せ線−ヒに樹脂段差部３が設けられている。樹
脂段差部６は、上型、下型のキャビティの一方を他方よ
り大きくした成形金型を用いることにより容易に形成す
ることができる。樹脂段差部３の大きさは、金型精度の
観点をら少くとも約０．２朋で、あり、樹脂、リードの
材質、形状などを考慮して通常約０．８朋以内に形成さ
れる。
明の半導体装置は、従来ＤＩＰタイプ（第１図）、ＦＰ
タイプ（第２図）と称される封止樹脂部１と外部リード
２をもつ樹脂封止半導体装置であるが、本発明の樹脂封
止半導体装置は１、第６図に例示するように封止樹脂部
１の型合せ線−ヒに樹脂段差部３が設けられている。樹
脂段差部６は、上型、下型のキャビティの一方を他方よ
り大きくした成形金型を用いることにより容易に形成す
ることができる。樹脂段差部３の大きさは、金型精度の
観点をら少くとも約０．２朋で、あり、樹脂、リードの
材質、形状などを考慮して通常約０．８朋以内に形成さ
れる。
封止樹脂部１の段差部３はリードの曲げ加工の際にリー
ドの曲げ支点となシζ段差部６に若干の変形が生じても
支点部から離隔したリードとその上方の封止樹脂との間
に間隙が生じない。
ドの曲げ支点となシζ段差部６に若干の変形が生じても
支点部から離隔したリードとその上方の封止樹脂との間
に間隙が生じない。
第１図及び第２図に示すような従来の樹脂封止半導体装
置では封止樹脂部１に接して外部リード２を曲げると第
４図に示すように外部リード２とその上方の封止樹脂と
の間に間隙４が生じ、また第５図のように封止樹脂部１
と外部リード２の曲げ部との間に平担部５を設けるため
にスペーサを用いるときはその折損を生じ、前記半導体
装置の１、信頼性や稼働率低下々どの問題が生ずる。そ
れに対して、′本発明の樹脂封止半導体装置は、前記構
成を有し、樹脂段差部３を支点として外部リード２を曲
げてもリード２１．と封止樹脂との間に間隙を生じない
ので、信頼性の確保、設備稼働率の維持に有利である。
置では封止樹脂部１に接して外部リード２を曲げると第
４図に示すように外部リード２とその上方の封止樹脂と
の間に間隙４が生じ、また第５図のように封止樹脂部１
と外部リード２の曲げ部との間に平担部５を設けるため
にスペーサを用いるときはその折損を生じ、前記半導体
装置の１、信頼性や稼働率低下々どの問題が生ずる。そ
れに対して、′本発明の樹脂封止半導体装置は、前記構
成を有し、樹脂段差部３を支点として外部リード２を曲
げてもリード２１．と封止樹脂との間に間隙を生じない
ので、信頼性の確保、設備稼働率の維持に有利である。
第１図は従来のＤＩＰタイプ樹脂封止半導体装置例の正
面図、第２図は従来のＦＰタイプ樹脂封止半導体装置例
の正１面図、第３図は本発明の樹脂封止半導体装置例の
部分断面図、第４、第５図は従来の樹脂封止半導体装置
例の部分断面図である。 １・・・封止°樹脂部、２・・・リード、３・・・樹脂
段差部、４・・・間隙、５・・・リード平担部。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社
面図、第２図は従来のＦＰタイプ樹脂封止半導体装置例
の正１面図、第３図は本発明の樹脂封止半導体装置例の
部分断面図、第４、第５図は従来の樹脂封止半導体装置
例の部分断面図である。 １・・・封止°樹脂部、２・・・リード、３・・・樹脂
段差部、４・・・間隙、５・・・リード平担部。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社
Claims (1)
- １ 外部リードの曲げ加工の際にリードの曲げ支点とな
る樹脂段差部を封止樹脂部の型合せ線上に設けてなる樹
脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9959781A JPS582048A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9959781A JPS582048A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582048A true JPS582048A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14251500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9959781A Pending JPS582048A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582048A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174453U (ja) * | 1986-05-30 | 1988-11-11 | ||
| JPH01181452A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置のエージング方法 |
| JPH01312859A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Murata Mfg Co Ltd | Ｄｉｐ型電子部品の製造方法 |
| JPH056931U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 株式会社村田製作所 | 表面実装型圧電部品 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP9959781A patent/JPS582048A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174453U (ja) * | 1986-05-30 | 1988-11-11 | ||
| JPH01181452A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置のエージング方法 |
| JPH01312859A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Murata Mfg Co Ltd | Ｄｉｐ型電子部品の製造方法 |
| JPH056931U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 株式会社村田製作所 | 表面実装型圧電部品 |
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