JPS58175829A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS58175829A JPS58175829A JP6006182A JP6006182A JPS58175829A JP S58175829 A JPS58175829 A JP S58175829A JP 6006182 A JP6006182 A JP 6006182A JP 6006182 A JP6006182 A JP 6006182A JP S58175829 A JPS58175829 A JP S58175829A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、多層に形成された電極を有する半導体装置
を製造するに際し、電極の上に形成される表面保麹膜を
除去する時、電極と色の異なる保饅膜除去用モニタ展が
除去されることによる色の変化を目視、即ち可視光線で
、あるいは可視光線以外の光で観察渕定することにより
上記表面保論膜の除去が容易に確認できるようにした半
導体装置の製造方法に関するものである。
を製造するに際し、電極の上に形成される表面保麹膜を
除去する時、電極と色の異なる保饅膜除去用モニタ展が
除去されることによる色の変化を目視、即ち可視光線で
、あるいは可視光線以外の光で観察渕定することにより
上記表面保論膜の除去が容易に確認できるようにした半
導体装置の製造方法に関するものである。
半導体装置は、通常、その半導体装置の動作を直接行な
う部分、例えばＰ−ｎＪｌ＆又はショットキＷ１台を持
ち、さらＫこの１ｉｋ台部分上に該接合部分の動作を制
御したり、信号を取り出すための外部取り出し電極を持
っている。
う部分、例えばＰ−ｎＪｌ＆又はショットキＷ１台を持
ち、さらＫこの１ｉｋ台部分上に該接合部分の動作を制
御したり、信号を取り出すための外部取り出し電極を持
っている。
通常この外部取シ出し電極としては、ボンディング性を
向上させるために金やアル＜＝ラムが用いられている。
向上させるために金やアル＜＝ラムが用いられている。
そして半導体装置の電極構造は、結局全体として、半導
体装置の動作を直接行なう部分と外部散り出し電極との
間の接着性を向上させる金属、及び半導体の動作部分と
外部取り出し電極や多層金Ｊ１躾の相互拡散防止のため
の金属膜、さらに半導体の動作部分を保麹するための絶
縁保鰻換勢、多層の金属膜や絶縁膜で形成されている。
体装置の動作を直接行なう部分と外部散り出し電極との
間の接着性を向上させる金属、及び半導体の動作部分と
外部取り出し電極や多層金Ｊ１躾の相互拡散防止のため
の金属膜、さらに半導体の動作部分を保麹するための絶
縁保鰻換勢、多層の金属膜や絶縁膜で形成されている。
代表的な半導体装置の多層に形成された電極の構造をシ
ョットキバリアダイオード（以下ＳＢＤと称す）を例に
第１図に示す。
ョットキバリアダイオード（以下ＳＢＤと称す）を例に
第１図に示す。
この構造の５ＢＤｔ−作るには、半導体基板（１）上に
ショットキバリアメタル膜に）を電解メッキ又は真空蒸
着法を用いて形成する。その後、外部取シ出し電極用と
して接着性向上用台１４ Ｍ ＋３） 、相互拡散防止
用金属ａ （４１、ボンディング用金属Ｊ［１５１を順
次真空蒸着法又はスパッターを用いて各々所定の膜厚に
形成１〜、電極αＧを形成する。次にショットキ接合部
分及び半導体基板（１）の表面を保論するために絶縁膜
護膜（６）をＣＶＤ法等によシ形成し、通常の写真製版
技術を用いてボンディング用金属膜（５）の所望の部分
だけ表面保−膜（６）をエツチングしてボンディング用
金属膜（５）を露出させることによシＳＢＤが完成する
。
ショットキバリアメタル膜に）を電解メッキ又は真空蒸
着法を用いて形成する。その後、外部取シ出し電極用と
して接着性向上用台１４ Ｍ ＋３） 、相互拡散防止
用金属ａ （４１、ボンディング用金属Ｊ［１５１を順
次真空蒸着法又はスパッターを用いて各々所定の膜厚に
形成１〜、電極αＧを形成する。次にショットキ接合部
分及び半導体基板（１）の表面を保論するために絶縁膜
護膜（６）をＣＶＤ法等によシ形成し、通常の写真製版
技術を用いてボンディング用金属膜（５）の所望の部分
だけ表面保−膜（６）をエツチングしてボンディング用
金属膜（５）を露出させることによシＳＢＤが完成する
。
こζで従来よシ接着性向上用金属Ｍ（３）としてはＣｒ
、Ｔｉ等が、相互拡散防止用命ａｇ Ｍ （４＋として
はＰｔ。
、Ｔｉ等が、相互拡散防止用命ａｇ Ｍ （４＋として
はＰｔ。
Ｍｏ、Ｔ＊勢が・、ボンディング用金属膜（５）として
はＡｕ ｔＡＪ等が、絶縁膜護膜（６）としてはＳｉｎ
、、 Ｓｉ、Ｎ、等がそれぞれ用いられているが、ボン
ディング用金属膜（５）上の絶縁保護膜（６）をエツチ
ングする時、絶縁膜護膜（６）の膜厚は数μｍ以下と非
常に薄く、色が透明であるためエツチングの終了点が確
認しに〈＜、そのためエツチング不足によるボンディン
グ不良やオーバーエツチングによる特性の劣化が生じ、
歩留シを低下させる原因の一つとなっていた。
はＡｕ ｔＡＪ等が、絶縁膜護膜（６）としてはＳｉｎ
、、 Ｓｉ、Ｎ、等がそれぞれ用いられているが、ボン
ディング用金属膜（５）上の絶縁保護膜（６）をエツチ
ングする時、絶縁膜護膜（６）の膜厚は数μｍ以下と非
常に薄く、色が透明であるためエツチングの終了点が確
認しに〈＜、そのためエツチング不足によるボンディン
グ不良やオーバーエツチングによる特性の劣化が生じ、
歩留シを低下させる原因の一つとなっていた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ボンディング用金属膜と絶縁保糎
膜との間に該絶縁保讃膜と同じエツチング液でエツチン
グされるエツチングモニター金属膜を形成することによ
り、絶縁保護膜のエツチングの際に上記エツチングモニ
ター金属膜が除去されることによる色の変化を目視であ
るいは可視光線以外の光で検知でき、絶縁膜！１Ｊ［の
除去を容易に確認できるようにした半導体装置とその製
造方法を提供することを目的としている。
めになされたもので、ボンディング用金属膜と絶縁保糎
膜との間に該絶縁保讃膜と同じエツチング液でエツチン
グされるエツチングモニター金属膜を形成することによ
り、絶縁保護膜のエツチングの際に上記エツチングモニ
ター金属膜が除去されることによる色の変化を目視であ
るいは可視光線以外の光で検知でき、絶縁膜！１Ｊ［の
除去を容易に確認できるようにした半導体装置とその製
造方法を提供することを目的としている。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第２図に本発明による半導体装置の製造工程を示す。ま
ず第２図（λ）のように従来と全く同じ技術を用いて半
導体基板（１）上にショットキバリアメタル膜（２）、
接着性向上金属膜（３）、相互拡散防止用金属膜（４）
、ボンディング用金属膜（５）を形成して電極（ＩＩを
形成し、そして９２図（ｂ）に示すように、この電極（
１００所定領域上に絶縁保＃！Ｉ膜（６）と同じエツチ
ング液でエツチングされるエツチングモニター金ｊｆ４
膜（７）を形成した後、従来と同じ方法で絶縁膜護膜（
６）を形成する。次に第２図（Ｃ）のように所望の開孔
部を有するフォトレジスト膜（８）を形成した後、第２
図（ｄ）のように絶縁保−膜（６）をエツチングする。
ず第２図（λ）のように従来と全く同じ技術を用いて半
導体基板（１）上にショットキバリアメタル膜（２）、
接着性向上金属膜（３）、相互拡散防止用金属膜（４）
、ボンディング用金属膜（５）を形成して電極（ＩＩを
形成し、そして９２図（ｂ）に示すように、この電極（
１００所定領域上に絶縁保＃！Ｉ膜（６）と同じエツチ
ング液でエツチングされるエツチングモニター金ｊｆ４
膜（７）を形成した後、従来と同じ方法で絶縁膜護膜（
６）を形成する。次に第２図（Ｃ）のように所望の開孔
部を有するフォトレジスト膜（８）を形成した後、第２
図（ｄ）のように絶縁保−膜（６）をエツチングする。
ここで従来の半導体素子であれば絶縁保′＠膜（６）の
色が透明であるためエツチングの終了点が判断しにくい
訳であるが、本発明では、エツチングモニター金属膜（
７）が形成されており、このエツチングモニター金属膜
（７）が絶縁膜護膜（６）と同じエツチング液でエツチ
ングされるために絶縁保護膜（６）のエツチングの終了
後に直ちにエツチングモニター金属膜（７）がエツチン
グされ、第２図（ｅ）のようにボンディング用金属膜（
５）が現われる。ここでボンディング用金属膜（５）と
して上記エツチング液にエツチングされない金属材料を
用いれば、エツチングの進行は止まる。そして最後にフ
ォトレジスト膜（８）を除去すれば半導体装置が完成す
る。
色が透明であるためエツチングの終了点が判断しにくい
訳であるが、本発明では、エツチングモニター金属膜（
７）が形成されており、このエツチングモニター金属膜
（７）が絶縁膜護膜（６）と同じエツチング液でエツチ
ングされるために絶縁保護膜（６）のエツチングの終了
後に直ちにエツチングモニター金属膜（７）がエツチン
グされ、第２図（ｅ）のようにボンディング用金属膜（
５）が現われる。ここでボンディング用金属膜（５）と
して上記エツチング液にエツチングされない金属材料を
用いれば、エツチングの進行は止まる。そして最後にフ
ォトレジスト膜（８）を除去すれば半導体装置が完成す
る。
このように本発明による半導体装置の製造方法を用いれ
ば、絶縁保腰ＪＩＨ６）、エツチングモニター金属膜（
７）の順にエツチングされてからボンディング用金属膜
（５）が現われるので、゛エツチングモニター金属膜（
７）とボンディング用金属Ｍ（５）の金属材料のちがい
による色の変化を観察測定することによりエツチングの
終了点が容易に確認できる。発明者の実験によると、ボ
ンディング用命１４ Ｍ ｆ５）にＡｕ。
ば、絶縁保腰ＪＩＨ６）、エツチングモニター金属膜（
７）の順にエツチングされてからボンディング用金属膜
（５）が現われるので、゛エツチングモニター金属膜（
７）とボンディング用金属Ｍ（５）の金属材料のちがい
による色の変化を観察測定することによりエツチングの
終了点が容易に確認できる。発明者の実験によると、ボ
ンディング用命１４ Ｍ ｆ５）にＡｕ。
エツチングモニター金属膜（７）にＴｉ、絶縁膜ｍ 膜
ｆｉｌに５ｉ１Ｎ４を用いてフッ酸系のエツチング液を
用いると、絶縁膜Ｓ膜（６）のＳ ｉ ３Ｎ、のエツチ
ング完了と同時にＴｉ 膜が現われ、次にボンディング
用命楓のＡｕが埃われることにより、Ｔｉ の色の次に
Ａｕ０色が現われる。そしてＡｕの色が確認された時点
をエツチングの終了時点としたところ、エツチング不足
によるボンディング不良やオーバーエツチングによる特
性の劣化は全く無くなった。
ｆｉｌに５ｉ１Ｎ４を用いてフッ酸系のエツチング液を
用いると、絶縁膜Ｓ膜（６）のＳ ｉ ３Ｎ、のエツチ
ング完了と同時にＴｉ 膜が現われ、次にボンディング
用命楓のＡｕが埃われることにより、Ｔｉ の色の次に
Ａｕ０色が現われる。そしてＡｕの色が確認された時点
をエツチングの終了時点としたところ、エツチング不足
によるボンディング不良やオーバーエツチングによる特
性の劣化は全く無くなった。
なお、上記実施例では絶縁保挿膜として５ｉｓＮ４ 。
エツチングモニター金属として１゛ｉ、ポンディング用
命楓としてＡｕを用いたが、本発明は他の材料による組
合せにも応用できるということはいうまでもなく、又エ
ツチングモニター用金属膜を形成する位置についても上
記実施例以外の場所に形成してもよい。
命楓としてＡｕを用いたが、本発明は他の材料による組
合せにも応用できるということはいうまでもなく、又エ
ツチングモニター用金属膜を形成する位置についても上
記実施例以外の場所に形成してもよい。
また半導体基板（１）及び電極αｅをおおう表面保護膜
は金属の膜であってもよく、例えば電極αｅの表向をメ
ッキする場合には基板（１）及び電極αα上に金属の保
護膜を形成したのちこれに穴あけを行表いメッキを行な
うが、本発明はこのような場合にも適用できる。
は金属の膜であってもよく、例えば電極αｅの表向をメ
ッキする場合には基板（１）及び電極αα上に金属の保
護膜を形成したのちこれに穴あけを行表いメッキを行な
うが、本発明はこのような場合にも適用できる。
さらに上記電極はすべての層が金属膜からなるものでな
くて４よく、容量性の電極のように金属膜間に絶縁膜を
有するものであって屯よい。
くて４よく、容量性の電極のように金属膜間に絶縁膜を
有するものであって屯よい。
以上のように本発明に係る半導体装置及びその製造方法
によれば、透明である絶縁膜護膜の下にこれと同じエツ
チング液でエツチングされるエツチングモニター用金属
膜を設けたので、このエツチングモニター用金属膜が除
去されて色が変わることから上記絶縁保−膜のエツチン
グの終了点を容易に確認でき、エツチングを正確にでき
る効果がある。
によれば、透明である絶縁膜護膜の下にこれと同じエツ
チング液でエツチングされるエツチングモニター用金属
膜を設けたので、このエツチングモニター用金属膜が除
去されて色が変わることから上記絶縁保−膜のエツチン
グの終了点を容易に確認でき、エツチングを正確にでき
る効果がある。
第１図は従来の半導体装置の構造を示す図、第２図は本
発明の一実施例による半導体装置の製造工程を示す図で
ある。 図中、（１）は半導体基板、（２）はショットキバリア
メタル膜、（３）は接着性向上用金属膜、（４）は相互
拡散防止用台）ｒ４膜、（５）はボンディング用金属膜
、（６）は絶縁膜８１１！（表面保護膜）、（７）はエ
ツチングモニター金ＪｌｓＭ（保１ｉ４［除去用モ＝り
膜）、＋８１ｕ７オトレジスト、ａυは電極である。 なお、図中四−符号は同−又は相幽部分を示す。 代理人 葛 野 信 −第１図
（。） （Ｃ） 第２図 第２図 庁長官殿 の表示 特願昭 ５７−６００６１ 号の名称
半導体装置及びその製造方法をする者 ５、補正の対象 図面（第１図） ６、補正の内容 （１）第１図を別紙の通り訂正する。 以 上 第１図
発明の一実施例による半導体装置の製造工程を示す図で
ある。 図中、（１）は半導体基板、（２）はショットキバリア
メタル膜、（３）は接着性向上用金属膜、（４）は相互
拡散防止用台）ｒ４膜、（５）はボンディング用金属膜
、（６）は絶縁膜８１１！（表面保護膜）、（７）はエ
ツチングモニター金ＪｌｓＭ（保１ｉ４［除去用モ＝り
膜）、＋８１ｕ７オトレジスト、ａυは電極である。 なお、図中四−符号は同−又は相幽部分を示す。 代理人 葛 野 信 −第１図
（。） （Ｃ） 第２図 第２図 庁長官殿 の表示 特願昭 ５７−６００６１ 号の名称
半導体装置及びその製造方法をする者 ５、補正の対象 図面（第１図） ６、補正の内容 （１）第１図を別紙の通り訂正する。 以 上 第１図
Claims (9)
- （１）半導体基板と、この半導体基板の所定部分の表面
上に多層の金属膜、又は金属膜及び絶縁膜で形成された
電極と、上記半導体基板及び上記電極をおおって形成さ
れ該電極の所定領域上に位置する部分は該領域上に形成
された該電極の表面と色の異なる保護膜除去用モニタ膜
とともに同時に除去されてなる透明の表面保護膜とを備
えたことを特徴とする半導体装置。 - （２）上記表面保護膜及び保護膜除去用モニタ膜が異な
る金１４ｊｌ［であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 - （３）上記表面保護膜が絶縁膜で、上記保護膜除去用モ
ニタ展が金属膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 - （４）上記表面保護膜がシリコンチッ化膜又はシリコン
酸化膜であり、上記保護膜除去用モニタ膜がチタン膜で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 - （５）半導体基板の所定部分の表面上に多層の金属＊、
又は金属膜及び絶縁膜からなる電極を形成する工程と、
上記電極の所定領域上に該電極の表面と色の異なる保護
膜除去用モニタ膜を形成する工程と、上記半導体基板及
び上記保護膜除去用モニタ膜の形成された電極をおおっ
て透明の表面保護膜を形成する工程と、上記電極上の保
護膜除去用モニタ展及び表面保勝膜を同時に除去する工
程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （６）上記表面保護膜及び保護膜除去用モニタ膜が異な
る金属膜であることを特徴とする特許請求の範囲第５項
記載の半導体装置の製造方法。 - （７） 上記表面保ＩＩＩ！Ｍが絶縁膜で、上記保護
膜除去用モニタ膜が金属膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第５項記載の半導体装置の製造方法。 - （８）上記表面保ＷＩＩｊｉＩがシリコンチッ化膜又は
シリコン酸化膜であシ、上記保膜膜除去用モニタ換がチ
タン膜であることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
載の半導体装置の製造方法。 - （９）上記保護膜除去用モニタ膜及び表面保膜膜をエツ
チング液又はエツチングガスによシ同時に除去すること
を特徴とする特許請求の範囲第５項ないし！半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006182A JPS58175829A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006182A JPS58175829A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175829A true JPS58175829A (ja) | 1983-10-15 |
Family
ID=13131188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6006182A Pending JPS58175829A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303725A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Copal Co Ltd | ウエットエッチング方法 |
| JPH02249230A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | 金属電極の形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5026019A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-18 | ||
| JPS51117885A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device manufacturing method |
| JPS51122386A (en) * | 1975-04-18 | 1976-10-26 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP6006182A patent/JPS58175829A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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