JPS58169976A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58169976A JPS58169976A JP57052770A JP5277082A JPS58169976A JP S58169976 A JPS58169976 A JP S58169976A JP 57052770 A JP57052770 A JP 57052770A JP 5277082 A JP5277082 A JP 5277082A JP S58169976 A JPS58169976 A JP S58169976A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- silicon
- forming
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052770A JPS58169976A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052770A JPS58169976A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169976A true JPS58169976A (ja) | 1983-10-06 |
| JPH0578193B2 JPH0578193B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-10-28 |
Family
ID=12924094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57052770A Granted JPS58169976A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169976A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625641A (ja) * | 1985-04-09 | 1987-01-12 | フエアチヤイルド セミコンダクタ コ−ポレ−シヨン | 低温プラズマ窒化方法及びその際に形成される窒化膜の適用 |
| CN102487050A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 比亚迪股份有限公司 | 功率半导体器件及其制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676536A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Anodization of silicon nitride film |
| JPS56135936A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS56135937A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57052770A patent/JPS58169976A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676536A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Anodization of silicon nitride film |
| JPS56135936A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS56135937A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625641A (ja) * | 1985-04-09 | 1987-01-12 | フエアチヤイルド セミコンダクタ コ−ポレ−シヨン | 低温プラズマ窒化方法及びその際に形成される窒化膜の適用 |
| CN102487050A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 比亚迪股份有限公司 | 功率半导体器件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578193B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-10-28 |
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