JPS58139118A - 光学セルの製造法 - Google Patents
光学セルの製造法Info
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- JPS58139118A JPS58139118A JP2174682A JP2174682A JPS58139118A JP S58139118 A JPS58139118 A JP S58139118A JP 2174682 A JP2174682 A JP 2174682A JP 2174682 A JP2174682 A JP 2174682A JP S58139118 A JPS58139118 A JP S58139118A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/07—Cutting armoured, multi-layered, coated or laminated, glass products
- C03B33/076—Laminated glass comprising interlayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
重置明祉、光学セル、特に液晶セルの親造法に関し、絆
しく祉マルチセルから個々の光学セルを取り出すための
切断方法に関する。
しく祉マルチセルから個々の光学セルを取り出すための
切断方法に関する。
一般に、液晶セルを作成する際、大判のガラス＆に多数
個のセルを同時に作成□する様に予め所定の電極パター
ンやシールスペーサ４形成しておき、これに対向電極パ
ターンを個々のセルを形成する如く設けた他方の大判の
ガラス板と重ね合ぜることによって、マルチセルを作成
している。仁のマルチセルから個★のセルに分割してか
ら、その分割セルの所定の注入口から液晶を注入し、封
口するか、あるい祉！ルチセルのそれぞれのセルに液晶
を注入し、封口してから、個々のセルに分割される。
個のセルを同時に作成□する様に予め所定の電極パター
ンやシールスペーサ４形成しておき、これに対向電極パ
ターンを個々のセルを形成する如く設けた他方の大判の
ガラス板と重ね合ぜることによって、マルチセルを作成
している。仁のマルチセルから個★のセルに分割してか
ら、その分割セルの所定の注入口から液晶を注入し、封
口するか、あるい祉！ルチセルのそれぞれのセルに液晶
を注入し、封口してから、個々のセルに分割される。
従来１前述したマルチセルから個＾のセルに分割する方
法として社、例えばマルチセルに切断予定−に沿ってダ
イヤモンドカッターや超−チップ（例えば、タングステ
ンカーバイド）のスクライプによる切溝を設けてから、
手で切溝に沿って折ることによって個★のセルに分割す
る方法が採用さノしている。
法として社、例えばマルチセルに切断予定−に沿ってダ
イヤモンドカッターや超−チップ（例えば、タングステ
ンカーバイド）のスクライプによる切溝を設けてから、
手で切溝に沿って折ることによって個★のセルに分割す
る方法が採用さノしている。
しかしながら、この様な方法で個々のセルに分割する時
に、不安の応力がガラス板にかかや切断予定１１以外の
個所での切断が生じ、勘合によってはセルを破壊してし
まうことがある。
に、不安の応力がガラス板にかかや切断予定１１以外の
個所での切断が生じ、勘合によってはセルを破壊してし
まうことがある。
重置町の目的祉、マルチセルから個々のセルに分割する
ｌｉｍｍＫ切断予定−に設けえ切溝に１つて切断する方
法を提供することにある。
ｌｉｍｍＫ切断予定−に設けえ切溝に１つて切断する方
法を提供することにある。
本発明のかかる目的は、凹状又は凸状面を有し、且つ線
面に設けた透孔を有するステージの前記凹状又は凸状面
に切溝な有するマルチセルを配置し先後、前記透孔を通
して前記マルチセルと凹状又祉凸状面の間管真空吸引す
ることによって、圓紀切溝に沿ってマルチセルを切断す
る工程を有する光学セルの製造法によって達成される。
面に設けた透孔を有するステージの前記凹状又は凸状面
に切溝な有するマルチセルを配置し先後、前記透孔を通
して前記マルチセルと凹状又祉凸状面の間管真空吸引す
ることによって、圓紀切溝に沿ってマルチセルを切断す
る工程を有する光学セルの製造法によって達成される。
以下、本発明を一面に従りて説明する。
本発明の方法で用いるマルチセルは、例えば第１図（１
）および（ｋｌ）に示すことができる・第１図にお−て
、マルチセルｌはｍ＊のセル２Ｖｔ包合しており、個々
のセル２に分割するための切溝４および５がダイヤモン
ドカッターや超硬チップのスクライプによって形成され
て−る。
）および（ｋｌ）に示すことができる・第１図にお−て
、マルチセルｌはｍ＊のセル２Ｖｔ包合しており、個々
のセル２に分割するための切溝４および５がダイヤモン
ドカッターや超硬チップのスクライプによって形成され
て−る。
切溝４れ水平方向に、また切＠５は垂直方向に杉威され
て−る。また、！１ルチセル１の裏−にも同様の切溝４
′および５′（図示せず）がそれぞれ水平方向と垂直方
向に形成されて−る。マルチセルｌは、第１の大判ガラ
ス＆６の一面Ｋｆｌえ＃１個々のセル２を形成する如く
８０字セグメント形状の電極パターン（図示せず）を形
威し、次−で第２の大判ガラス板フの一面に個々のセル
２を形成する如く対向電極パターン（図示せず）を形成
してから１それぞれの配向方向が９０°で交差する様に
ラビング処理し、次ψでｉｌｌの大判ガラス板６の電極
パターンを有する側に個々のセル２のシールｘべ−ｖ−
３を形成する如くアリットガラスやエポキシ系接着剤を
スクリーン印ｊ＆！ｌ法により論布してから１前記第２
の大判ガラス板フを８０字セグメント電極パターンと対
向電極パターンが正ａＫ相対向する様に重ね合せ先後、
アリットガラスやエポキシ系接着剤の硬化◆・件に従っ
太細熱処理を施り、テシールスベ−？−３を形成するこ
とＫよって作成することができる。
て−る。また、！１ルチセル１の裏−にも同様の切溝４
′および５′（図示せず）がそれぞれ水平方向と垂直方
向に形成されて−る。マルチセルｌは、第１の大判ガラ
ス＆６の一面Ｋｆｌえ＃１個々のセル２を形成する如く
８０字セグメント形状の電極パターン（図示せず）を形
威し、次−で第２の大判ガラス板フの一面に個々のセル
２を形成する如く対向電極パターン（図示せず）を形成
してから１それぞれの配向方向が９０°で交差する様に
ラビング処理し、次ψでｉｌｌの大判ガラス板６の電極
パターンを有する側に個々のセル２のシールｘべ−ｖ−
３を形成する如くアリットガラスやエポキシ系接着剤を
スクリーン印ｊ＆！ｌ法により論布してから１前記第２
の大判ガラス板フを８０字セグメント電極パターンと対
向電極パターンが正ａＫ相対向する様に重ね合せ先後、
アリットガラスやエポキシ系接着剤の硬化◆・件に従っ
太細熱処理を施り、テシールスベ−？−３を形成するこ
とＫよって作成することができる。
本発明の方法におψては、！ルチセル１４ＤＩＩ々のセ
ル２にそれぞれ液晶などＯ電気光学物質を注入してから
、個々のセル２に切断してもよいし、 １ある一祉個
青のセル２ Ｋｆｌｌｉ した俵に電気光学物質を注入
してもよい。
ル２にそれぞれ液晶などＯ電気光学物質を注入してから
、個々のセル２に切断してもよいし、 １ある一祉個
青のセル２ Ｋｆｌｌｉ した俵に電気光学物質を注入
してもよい。
また、本発明の方法でれ！ルチセルｌＯ基板として前述
のガラス板の他に適当なプラスチックを用−ることがて
きる。用−うるプラスチックとしては、例えけアクリル
樹脂、メタクリル樹脂、ポリエチレンプレ７タレート、
１９塩化ビニル、ポリエチレン、フェノール樹脂、ウレ
タン樹脂、ナイロン、ポリエチレンなどを挙けることが
できる。
のガラス板の他に適当なプラスチックを用−ることがて
きる。用−うるプラスチックとしては、例えけアクリル
樹脂、メタクリル樹脂、ポリエチレンプレ７タレート、
１９塩化ビニル、ポリエチレン、フェノール樹脂、ウレ
タン樹脂、ナイロン、ポリエチレンなどを挙けることが
できる。
餉２図および第３図は、本発明の方法で用−る吸引ステ
ージを示している。＃Ｉ２図Ｆｉ凹状面９を有し且つ線
面９に設けた透孔１０と真空装置（図示せず）Ｋｉ！！
結された管１１が導通している吸収スたジ ８の斜視図
で、第３図は凸状面１２を有し且つｍ面１２に設けた透
孔１０と管１１が導通している吸引ステージ１３の斜視
図である。
ージを示している。＃Ｉ２図Ｆｉ凹状面９を有し且つ線
面９に設けた透孔１０と真空装置（図示せず）Ｋｉ！！
結された管１１が導通している吸収スたジ ８の斜視図
で、第３図は凸状面１２を有し且つｍ面１２に設けた透
孔１０と管１１が導通している吸引ステージ１３の斜視
図である。
第４図（亀１図および簡２図と同一符号のものれ同一部
材である。）は、第２図に示す吸引ステージ８を用−た
切断装置Ｏ断ｒＩｉＪ図である。
材である。）は、第２図に示す吸引ステージ８を用−た
切断装置Ｏ断ｒＩｉＪ図である。
嬉４図において、凹状面９の上にマルチセルｌを配置し
た態様を示して−る。この際、！ルチセルＩＫ設けた切
溝番が凹状面９と対向する様になす。また、！ルチセル
ＩＫａ予め両ｌ１ｉＫ切構を設けておくこと亀できる。
た態様を示して−る。この際、！ルチセルＩＫ設けた切
溝番が凹状面９と対向する様になす。また、！ルチセル
ＩＫａ予め両ｌ１ｉＫ切構を設けておくこと亀できる。
凹状面９には透孔ｌＯが図示の如く真空装置１に連結し
た管１１と導通されてψるため、真空装置を作動すると
、マルチセルｌが凹状ＩＴＧＩ真空装置吸着され、この
時マルチセル４１が予め設けてお≠た切溝に沿りて切断
される＠凹状面９の形状は、湾曲面状又は球面状をなす
ことがてきる。また、真空装置による吸引力を高める目
的でマルチセル１と徽引ステージ８をサラン略の薄いプ
ラスチックでカバーすることもできる。
た管１１と導通されてψるため、真空装置を作動すると
、マルチセルｌが凹状ＩＴＧＩ真空装置吸着され、この
時マルチセル４１が予め設けてお≠た切溝に沿りて切断
される＠凹状面９の形状は、湾曲面状又は球面状をなす
ことがてきる。また、真空装置による吸引力を高める目
的でマルチセル１と徽引ステージ８をサラン略の薄いプ
ラスチックでカバーすることもできる。
第５図（第１図および艶３図と同一符号の４の祉、同一
部材である）は、第３図に示す吸引ステージ１３を用−
た切断装置の断面図である０１１１５１１にお−て、凸
状１１ｉ１２の上にマルチセルｌを配置した態様を示し
て−る。このマルチセル位置する様にマルチセルｌを配
置する。また、仁ノ際マルチセル１Ｋｔｊ両面に切溝を
有して−て１よ−。凸状面１２には透孔１０が図示の如
く真空装置に連結した管１１と導通しているため、真空
装置を作動すると、マルチセル１が凸状面１２に真空吸
着され、この時マルチセル１が予め設けてお−た切溝に
沿って切断される。凸状面１２の形状は、湾曲面状又は
球面状をなすことができる。
部材である）は、第３図に示す吸引ステージ１３を用−
た切断装置の断面図である０１１１５１１にお−て、凸
状１１ｉ１２の上にマルチセルｌを配置した態様を示し
て−る。このマルチセル位置する様にマルチセルｌを配
置する。また、仁ノ際マルチセル１Ｋｔｊ両面に切溝を
有して−て１よ−。凸状面１２には透孔１０が図示の如
く真空装置に連結した管１１と導通しているため、真空
装置を作動すると、マルチセル１が凸状面１２に真空吸
着され、この時マルチセル１が予め設けてお−た切溝に
沿って切断される。凸状面１２の形状は、湾曲面状又は
球面状をなすことができる。
ｔた、真空装置による吸引効果を高める目的でマルチセ
ルｌと吸引ステージ１３をサランなどの薄いプラスチッ
クでカバーすることもできるＯ凹状向又は凸状面を有す
るステージは、ステンレス１アルミニウム、鉄、銅など
の金ｊ４類又はアクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリエ
チレン、ビニ４４ｍ脂、エポキシ樹脂などのプラスチッ
ク類で成形できる。
ルｌと吸引ステージ１３をサランなどの薄いプラスチッ
クでカバーすることもできるＯ凹状向又は凸状面を有す
るステージは、ステンレス１アルミニウム、鉄、銅など
の金ｊ４類又はアクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリエ
チレン、ビニ４４ｍ脂、エポキシ樹脂などのプラスチッ
ク類で成形できる。
本発明の方法によれば、マルチセル全体に均一な力が纏
わるので、切断精度が高いこと、作業性が良好であるこ
と、歩留向上などの利点を有してψる。
・・ 以下、本発明を実施例に従って説明する。
わるので、切断精度が高いこと、作業性が良好であるこ
と、歩留向上などの利点を有してψる。
・・ 以下、本発明を実施例に従って説明する。
第１図に示す如き個々のセルを９個有するガラス親！ル
チセルの１方の面に切断予定！１ｉｌＫ沿って深さ０．
５ ａｓを有する水平方向の切溝と垂直方向の切溝を超
硬チップのスクライプにより形成した。
チセルの１方の面に切断予定！１ｉｌＫ沿って深さ０．
５ ａｓを有する水平方向の切溝と垂直方向の切溝を超
硬チップのスクライプにより形成した。
次−で、こうして形成した切溝を有する面を下軸にして
マルチセルをｊＩ４図に示す如き凹状面を有するステー
ジにセットした後、真空装置を作動させて、マルチセル
を吸引ステージに真空吸着させたところ、水平方向に設
けた切溝に沿りてマルチセルが切断された。次いで、垂
直方向の切溝に沿って切断される様に、マルチセルを９
０°の角度だ砂方向変換して再セットし、再び前述と同
様の操作を繰り返したところ、垂直方向に設けた切溝に
沿ってマルチセルが切断された。
マルチセルをｊＩ４図に示す如き凹状面を有するステー
ジにセットした後、真空装置を作動させて、マルチセル
を吸引ステージに真空吸着させたところ、水平方向に設
けた切溝に沿りてマルチセルが切断された。次いで、垂
直方向の切溝に沿って切断される様に、マルチセルを９
０°の角度だ砂方向変換して再セットし、再び前述と同
様の操作を繰り返したところ、垂直方向に設けた切溝に
沿ってマルチセルが切断された。
さらに、切Ｗｋされてψない側のマルチセルｔＷ述と同
様の方法で切ｍ形成および真空切断を繰り返したところ
、マ、ルチセルかも個々に分割された−
（光学セルを得ることができた。この際、個々の光学
セルに紘切断！Ｉ＋ＩＫ何ら破損を生じることがなく、
またセルが破壊される様なことは全くな−ことが判明し
た。
様の方法で切ｍ形成および真空切断を繰り返したところ
、マ、ルチセルかも個々に分割された−
（光学セルを得ることができた。この際、個々の光学
セルに紘切断！Ｉ＋ＩＫ何ら破損を生じることがなく、
またセルが破壊される様なことは全くな−ことが判明し
た。
実施例２
実施例１で用いた一方の面に切溝な有するマル′チセル
と同様のものを第す図に示す如き凸状面を有するステー
ジにセットした。この際、切溝が上■ニ向く様にマルチ
セルをセットした。しかる後、真空装置を作動させて、
マルチセルをスＴ−ジに真空吸着させたところ、水平方
向に設けた切溝に沿ってマルチセルが切断された。次い
で、垂直方向の切溝に沿りて切断される様に、マルチセ
ルを９０°の角度だけ方向羨換して再セットし、再び真
空吸引を行なったところ、垂直方向に沿ってマルチセル
が切断された。
と同様のものを第す図に示す如き凸状面を有するステー
ジにセットした。この際、切溝が上■ニ向く様にマルチ
セルをセットした。しかる後、真空装置を作動させて、
マルチセルをスＴ−ジに真空吸着させたところ、水平方
向に設けた切溝に沿ってマルチセルが切断された。次い
で、垂直方向の切溝に沿りて切断される様に、マルチセ
ルを９０°の角度だけ方向羨換して再セットし、再び真
空吸引を行なったところ、垂直方向に沿ってマルチセル
が切断された。
さらに、切断されていカー側のマルチセルを前述と同様
の方法で切溝形成および真空切断を繰り返したところ、
マルチセルから個々に分割された光学セルを得る仁とが
できた。この際、個々の光学セルには切断線に何も破損
を生じることがまく、またセルが破壊される様なこと唸
全く′＆ψことが判明した。
の方法で切溝形成および真空切断を繰り返したところ、
マルチセルから個々に分割された光学セルを得る仁とが
できた。この際、個々の光学セルには切断線に何も破損
を生じることがまく、またセルが破壊される様なこと唸
全く′＆ψことが判明した。
第１図（＆）は、本発明で用いるマルチセルの平面図、
第１図（ｂ）はそのムーム′断面図である０第２図およ
び第３図は１本発明の方法に用−る吸引ステージの斜視
図である。第４図および餉５図は、本発明の方法で用−
る装置の断面図である。 １−−一−マルチセル、２−−一・セル、３−−−−−
シールスペー賃−１４，５，４’−切溝、６・−第１ガ
ラス板、７−−−第２ガラス板、８ 、１３−−−一吸
引ステージ、９− 凹状面、１０・−透孔、１１−−一
管、ｌ ２−−−−６状ｌ１ｉｉ。 特許出鵬人 キャノン株式会社 第３Ｍ １２
第１図（ｂ）はそのムーム′断面図である０第２図およ
び第３図は１本発明の方法に用−る吸引ステージの斜視
図である。第４図および餉５図は、本発明の方法で用−
る装置の断面図である。 １−−一−マルチセル、２−−一・セル、３−−−−−
シールスペー賃−１４，５，４’−切溝、６・−第１ガ
ラス板、７−−−第２ガラス板、８ 、１３−−−一吸
引ステージ、９− 凹状面、１０・−透孔、１１−−一
管、ｌ ２−−−−６状ｌ１ｉｉ。 特許出鵬人 キャノン株式会社 第３Ｍ １２
Claims (1)
- 凹状又は凸状面を有し、且つ＃面に設けた透孔を有する
ステージの前記凹状又は凸状面に切溝を有するマルチセ
ルを配置した後、前記通孔を通して前記マルチセルと凹
状又゛は凸状面の間を真空吸引することによって前記切
溝に沿りてマルチセルを切断する工程を有することを特
徴とする光学セルのＩｌｉ″Ｉｋ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174682A JPS58139118A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 光学セルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174682A JPS58139118A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 光学セルの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139118A true JPS58139118A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12063635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2174682A Pending JPS58139118A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 光学セルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921535A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-03 | Hirayama Setsubi Kk | 超薄板ガラス原板のカツテイング方法 |
| JPH04238827A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-26 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶セル用ガラス基板の分割形成装置 |
| JP2001002437A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-01-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | ブレイク装置 |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP2174682A patent/JPS58139118A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921535A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-03 | Hirayama Setsubi Kk | 超薄板ガラス原板のカツテイング方法 |
| JPH04238827A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-26 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶セル用ガラス基板の分割形成装置 |
| JP2001002437A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-01-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | ブレイク装置 |
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