JPS58133788A - 電解質溶液 - Google Patents
電解質溶液Info
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- JPS58133788A JPS58133788A JP57014585A JP1458582A JPS58133788A JP S58133788 A JPS58133788 A JP S58133788A JP 57014585 A JP57014585 A JP 57014585A JP 1458582 A JP1458582 A JP 1458582A JP S58133788 A JPS58133788 A JP S58133788A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- redox
- metal complex
- making
- complex salt
- electrolyte solution
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
- H01M10/0564—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of organic materials only
- H01M10/0566—Liquid materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非水溶液中に金属錯煙を０，５モルチ以・上
の濃度またはｌ×１０ＣｆＬｃｍ）″以上の電気伝導度
を有する如くに溶解せしめる電解質溶液に関する。
の濃度またはｌ×１０ＣｆＬｃｍ）″以上の電気伝導度
を有する如くに溶解せしめる電解質溶液に関する。
本発明はレドックスフロー電池にかかる電解質、溶液を
用いることによシ、イオン交換膜を膨潤せしめることな
く、すなわち長期間使用に耐え得るようにせしめたこと
を特徴としている。
用いることによシ、イオン交換膜を膨潤せしめることな
く、すなわち長期間使用に耐え得るようにせしめたこと
を特徴としている。
従来電解質溶液としては水溶液、例えば硫酸０．５モル
（Ｍ）が添加された溶質中に、溶媒として硫酸鉄（Ｆ
ｅ Ｓ ％・’７ Ｈ，Ｏ）等を溶解せしめることによ
りレドックス溶液等を作る方法が知られている。
（Ｍ）が添加された溶質中に、溶媒として硫酸鉄（Ｆ
ｅ Ｓ ％・’７ Ｈ，Ｏ）等を溶解せしめることによ
りレドックス溶液等を作る方法が知られている。
さらにかかる硫酸等の酸性水溶質中にその他の鉄のリー
ガント（配位子を以下単にＬという）溶解せしめると、 ＦｅＬｘ ： ＦｅＬｘ＋ｅ の反応は容易におこすことができる。しかしＦ ｅ Ｌ
ｘ＋ ｅ−ｌＦ ｅ Ｌ ｘ”の反応をおこすことは
理論上では可能とされているが、実際上は何らの報告も
なされていない。
ガント（配位子を以下単にＬという）溶解せしめると、 ＦｅＬｘ ： ＦｅＬｘ＋ｅ の反応は容易におこすことができる。しかしＦ ｅ Ｌ
ｘ＋ ｅ−ｌＦ ｅ Ｌ ｘ”の反応をおこすことは
理論上では可能とされているが、実際上は何らの報告も
なされていない。
本発明は、かかる反応を非水溶液を用いるならば萱能で
あることを初め宅判明したものである。加えて非水溶液
とする時、特に鉄、ルテニウム、オスミウムの金属錯塩
はきわめてその溶解度が高く、ひいては電気伝導度も大
きくすることができた。
あることを初め宅判明したものである。加えて非水溶液
とする時、特に鉄、ルテニウム、オスミウムの金属錯塩
はきわめてその溶解度が高く、ひいては電気伝導度も大
きくすることができた。
すなわち従来はレドックスフロー電池に必要な電気伝導
度はｌＸｌ０ （立ｃｍ）′以上が求められてい−ｌり たが、これまでは１×１０〜１×１０（ロ）ａｍ）まで
しか得ることができなかった。これは溶媒中への金属錯
塩の溶解度が室温で０．１＋９以上有せしめることがで
きなかったことに帰因する。
度はｌＸｌ０ （立ｃｍ）′以上が求められてい−ｌり たが、これまでは１×１０〜１×１０（ロ）ａｍ）まで
しか得ることができなかった。これは溶媒中への金属錯
塩の溶解度が室温で０．１＋９以上有せしめることがで
きなかったことに帰因する。
さらに従来溶媒が硫酸または塩酸水溶液であった場合、
かく膜またはイオン交換膜として例えばデュポン社のナ
フィオン膜を用いる場合、このナフィオン膜は長期間の
うちに膨潤してしまったシして膜中のイオン交換機能を
有するスルフォン基が実質的に消滅し、イオン交換機能
を有さないように劣化してしまった。
かく膜またはイオン交換膜として例えばデュポン社のナ
フィオン膜を用いる場合、このナフィオン膜は長期間の
うちに膨潤してしまったシして膜中のイオン交換機能を
有するスルフォン基が実質的に消滅し、イオン交換機能
を有さないように劣化してしまった。
本発明はかかる強酸性水溶液ではなく、プロピレンカー
ボネイトまたはアセトニトリル等の非水溶媒を用い、こ
こに金属錯塩を溶解せしめることによシ、その溶解度が
０．５モルチ以上、室温では１〜１０モルチも溶解せし
めることができるという事実を実験的に見出したことに
ある。
ボネイトまたはアセトニトリル等の非水溶媒を用い、こ
こに金属錯塩を溶解せしめることによシ、その溶解度が
０．５モルチ以上、室温では１〜１０モルチも溶解せし
めることができるという事実を実験的に見出したことに
ある。
そのためレドツクツ１他を作製しようとする場合に、そ
の充放電にきわめて重要な特性のひとつ、ある電え伝導
度もＩ Ｘ １６”ｔＦ；’ｍ） ＪＪよ、５ｘ□ｏ’
〜１０（Ωｃｍ）もの商い値が室温において得られたこ
とを特徴としている。
の充放電にきわめて重要な特性のひとつ、ある電え伝導
度もＩ Ｘ １６”ｔＦ；’ｍ） ＪＪよ、５ｘ□ｏ’
〜１０（Ωｃｍ）もの商い値が室温において得られたこ
とを特徴としている。
加えて非水溶液中に溶解させたため、その標準水素電極
に対する還元電流もリーガントがビピリジン（一般にｂ
ｉｐｙｒｉｄｉｎｅはｂｐｙと略記されるが、ここでは
ｂｐム４．４’−（ｃＨ，）□ｂｐｙｓ （Ｎ鴨ｂｐｙ
。
に対する還元電流もリーガントがビピリジン（一般にｂ
ｉｐｙｒｉｄｉｎｅはｂｐｙと略記されるが、ここでは
ｂｐム４．４’−（ｃＨ，）□ｂｐｙｓ （Ｎ鴨ｂｐｙ
。
５、５’（ＯＨρ、ｂｐｙ等のｂｐｙを有する錯体を特
にことわらない場合は単にビピリジンまたはｂｐｙとい
う）またはフェナントロリン（一般には、ｐｈｅｎａｎ
ｔｈｒｏｌｉｎｅはｐｈｅｎと略記されるが、ここでは
ｐｈｅｎ、１．１０ｐｈｅｎ、４，７−（ＱＣ８Φ、
ｐｈｅｎ、４．ツー（（３Ｈ，）、ｐｈｅｒ４５、６−
（ＯＨ入ｐｈｅｎ等のｐｈｅｎを有する錯体を単にフェ
ナントロリンまたはｐｈｅｎとめう）においては、以下
のような値を得ることができた。
にことわらない場合は単にビピリジンまたはｂｐｙとい
う）またはフェナントロリン（一般には、ｐｈｅｎａｎ
ｔｈｒｏｌｉｎｅはｐｈｅｎと略記されるが、ここでは
ｐｈｅｎ、１．１０ｐｈｅｎ、４，７−（ＱＣ８Φ、
ｐｈｅｎ、４．ツー（（３Ｈ，）、ｐｈｅｒ４５、６−
（ＯＨ入ｐｈｅｎ等のｐｈｅｎを有する錯体を単にフェ
ナントロリンまたはｐｈｅｎとめう）においては、以下
のような値を得ることができた。
カップ／Ｌ／ Ｍ：Ｆｅ Ｍ＝Ｒｕ
Ｍ−ＯｓＭ （ｂｐｙＪ＋ｅ＝Ｍ（ｂｐｙ、ｌ、＋
１．０−斗ｌ、 １−１−１．２−斗１．３ 十〇、
お斗０．８５上弾位はＥ（Ｖ ｖｓ ５ｏＥ）である。
Ｍ−ＯｓＭ （ｂｐｙＪ＋ｅ＝Ｍ（ｂｐｙ、ｌ、＋
１．０−斗ｌ、 １−１−１．２−斗１．３ 十〇、
お斗０．８５上弾位はＥ（Ｖ ｖｓ ５ｏＥ）である。
このため上記において特に鉄はその原料価格も安価であ
シ、加えてこれらの材料は無公害であるという面におい
てきわめてすぐれたものである。
シ、加えてこれらの材料は無公害であるという面におい
てきわめてすぐれたものである。
またこれら金属がＦｅ（鉄）Ｒｕ（ルテニウム）０８（
オスミウム）は同一金属ｉ４ 体にて、Ｍ（ｂｐｙ）７
１Ｍ （ｂｐｙ）、” ＋ ６− ７ ／ −）”
Ｍ （’ｂｐ坑＋ ｅ−ｄ Ｍ （ｂｐｙ）、’
カソードただし→充電 ト放電 をくりかえし行なうことができるため、充電したレドッ
クスをそれぞれのタンクに移し、また放電においては共
通したひとつのタンクに移すことができるため、タンク
を従来よシ知られた４つではなく、３つのタンクでしＹ
ツクスフロー電池を構成させることができるようになっ
た。
オスミウム）は同一金属ｉ４ 体にて、Ｍ（ｂｐｙ）７
１Ｍ （ｂｐｙ）、” ＋ ６− ７ ／ −）”
Ｍ （’ｂｐ坑＋ ｅ−ｄ Ｍ （ｂｐｙ）、’
カソードただし→充電 ト放電 をくりかえし行なうことができるため、充電したレドッ
クスをそれぞれのタンクに移し、また放電においては共
通したひとつのタンクに移すことができるため、タンク
を従来よシ知られた４つではなく、３つのタンクでしＹ
ツクスフロー電池を構成させることができるようになっ
た。
このため例えば光電変換装置例えば太陽電池と一体化し
て、その裏面にこのレドックスフロー電池を構成せしめ
る場合、特にその特徴を出すことができる。すなわち従
来光電変換装置特に太陽電池においては、光照射によっ
て光起電力を発生することができる。しかし太陽電池は
太陽光の照射されている時のみ、鯖、＜もシ等で出力の
変動が大きい。照射強度に比例して出力が出るためであ
る。一般家庭の屋根に設けた場合、夜間照明を行なう際
に光起電力が出ない等の欠点があり、民生用の実用化に
は大きな問題であった。
て、その裏面にこのレドックスフロー電池を構成せしめ
る場合、特にその特徴を出すことができる。すなわち従
来光電変換装置特に太陽電池においては、光照射によっ
て光起電力を発生することができる。しかし太陽電池は
太陽光の照射されている時のみ、鯖、＜もシ等で出力の
変動が大きい。照射強度に比例して出力が出るためであ
る。一般家庭の屋根に設けた場合、夜間照明を行なう際
に光起電力が出ない等の欠点があり、民生用の実用化に
は大きな問題であった。
このため光照射により電子およびホールを発生する光電
変換装置とレドックス（還元−酸化反応用溶液）とを一
体化せしめることにより、出力の平坦化と電力の貯蔵、
さらに夜間の電力使用等をくりかえし行なうことができ
るため、一般家庭の屋根にもとりつけが可能となった。
変換装置とレドックス（還元−酸化反応用溶液）とを一
体化せしめることにより、出力の平坦化と電力の貯蔵、
さらに夜間の電力使用等をくりかえし行なうことができ
るため、一般家庭の屋根にもとりつけが可能となった。
以下にその実施例を記す。
実施例１
この実施例は、
Ｆθ（７エナンスロリン）、、（ａｌ兜Ｒｕ（ビピリジ
ン）：、（０１雫： （単Ｋ ＲＢＰという）Ｒｕ（フ
ェナンスロリン鳥（ＯＩＣ；−を金属錯塩として用いた
。特に物性的にはＲＢＰがすぐれているが、低価格であ
シ無毒性のＦＢＰが実用上好ましいものであった。
ン）：、（０１雫： （単Ｋ ＲＢＰという）Ｒｕ（フ
ェナンスロリン鳥（ＯＩＣ；−を金属錯塩として用いた
。特に物性的にはＲＢＰがすぐれているが、低価格であ
シ無毒性のＦＢＰが実用上好ましいものであった。
またこのレドックスの非水溶媒として、プ堂＋１
ＰＰＫという）またはアセトニトリル（ＯＨＪ−ｃＮ）
が無水物すなわち電極反応が少なく安定な無毒な溶媒と
して用いた。
が無水物すなわち電極反応が少なく安定な無毒な溶媒と
して用いた。
色を呈し、０．５モル係以上代表的には２モル係も沈殿
物をきわめてわずかに１Ｌψしながらも溶解せしめるこ
とができた。さらに液温を５０’ｃ。
物をきわめてわずかに１Ｌψしながらも溶解せしめるこ
とができた。さらに液温を５０’ｃ。
７０°Ｃとすると、４，８モル係も溶解させること−Ｌ
−１ ができ、その電気伝導にも１×１０に）ａｍ）以上、至
温にて５ＸＩＯ（Ａｃｍ）、５００３〜’７Ｘ１０’（
Ａｃｍ）、７♂Ｃ１〜５（ｆＬ−ｃｍ）にまで＾めるこ
とかできた。
−１ ができ、その電気伝導にも１×１０に）ａｍ）以上、至
温にて５ＸＩＯ（Ａｃｍ）、５００３〜’７Ｘ１０’（
Ａｃｍ）、７♂Ｃ１〜５（ｆＬ−ｃｍ）にまで＾めるこ
とかできた。
これは太陽電池の裏面に一体化してレドックスフロー電
池を構成させんとする時、その温度が７０°Ｃにまで尚
まることがあるため、かかる高い温度でも使用が可能で
あり、さらに電気伝導居、−も向上するという点よりき
わめて好ましいもＩＪ′コであった。
池を構成させんとする時、その温度が７０°Ｃにまで尚
まることがあるため、かかる高い温度でも使用が可能で
あり、さらに電気伝導居、−も向上するという点よりき
わめて好ましいもＩＪ′コであった。
実施例２
この実施例は第１図にその図面を示すが、アモルファス
構造を有する非単組品珪素または窒化几索を用いた半導
体によりＰ工Ｎ接合を有する光電変換装置を相補にＰＩ
Ｎ接合、Ｎ工Ｐ接合として設け、その裏面に半導体−飯
のＰおよびＮ型の導電型を有する半導体特に炭化珪素を
アノードおよびカソードとして用いた光電変換装置に関
する。
構造を有する非単組品珪素または窒化几索を用いた半導
体によりＰ工Ｎ接合を有する光電変換装置を相補にＰＩ
Ｎ接合、Ｎ工Ｐ接合として設け、その裏面に半導体−飯
のＰおよびＮ型の導電型を有する半導体特に炭化珪素を
アノードおよびカソードとして用いた光電変換装置に関
する。
図面においては半導体電極をカソード側αＱおよびアノ
ード側０７） Ｋ用いた相補構造を有している。すなわ
ち一方の半導体α望においてＰ層α→、１層０う、Ｎ層
αＱよりなっている。また他方の半畳体檜はＮ層（１つ
、１層０→、Ｐ層αηよりなっている。そのためかく膜
またはイオン交換膜（７）により分離されたレドックス
（１）はそれぞれカソード側のレドックス（２）、アノ
ード側のレドックス（３）よ多構成し、アノード側では ＦＢＰ 、；！ ＦＢＰ＋ｅ− カソード側へは ＦＢＰ！！Ｆ−θＩ’ ＦＢＰ” の反応（→充電、←放電）を行なわしめた。特に光照射
（１０）により得た電気エネルギをスイッチ（ハ）をオ
ンせしめることによる充電反応を成就させることができ
、また放電反応は負荷（ハ）をへてスイッチ（ロ）にて
成就させることができた。
ード側０７） Ｋ用いた相補構造を有している。すなわ
ち一方の半導体α望においてＰ層α→、１層０う、Ｎ層
αＱよりなっている。また他方の半畳体檜はＮ層（１つ
、１層０→、Ｐ層αηよりなっている。そのためかく膜
またはイオン交換膜（７）により分離されたレドックス
（１）はそれぞれカソード側のレドックス（２）、アノ
ード側のレドックス（３）よ多構成し、アノード側では ＦＢＰ 、；！ ＦＢＰ＋ｅ− カソード側へは ＦＢＰ！！Ｆ−θＩ’ ＦＢＰ” の反応（→充電、←放電）を行なわしめた。特に光照射
（１０）により得た電気エネルギをスイッチ（ハ）をオ
ンせしめることによる充電反応を成就させることができ
、また放電反応は負荷（ハ）をへてスイッチ（ロ）にて
成就させることができた。
放電用の電荷鴨（ハ）は、例えば金属基板に酸化スズを
レドックス溶液に接して電極として設けた０ またレドックス用の半導体電極はＰまたはＮ型を示す炭
化珪素とした。するとＰ型炭化珪素はアノードとして用
い、そのフェルミレベルが−１，０〜−１゜５ｅＶ（＋
１゜Ｏ〜１．５Ｖ）を有し、前記した還元ポテンシャル
÷１゜０〜１．１ （Ｖｖｓ ５ＯＥ）にきわめて近い
値を得ることができる。またＮ型炭化珪素はカソードと
して用い、そのフェルミレベルは＋１．５〜１． Ｏｅ
Ｖ （−１，５〜−１゜ｏｖ）を有するため前記した還
元ポテンシャルの−１６２〜−１，３（Ｖｖｓｓａｇ）
Ｋきわめて近ずけることができる。このポテンシャルが
アノード、カソードともきわめてそれぞれのフェルミレ
ベルに近いため、そこでの出力電力の低下が少なく、理
想的なものであった。
レドックス溶液に接して電極として設けた０ またレドックス用の半導体電極はＰまたはＮ型を示す炭
化珪素とした。するとＰ型炭化珪素はアノードとして用
い、そのフェルミレベルが−１，０〜−１゜５ｅＶ（＋
１゜Ｏ〜１．５Ｖ）を有し、前記した還元ポテンシャル
÷１゜０〜１．１ （Ｖｖｓ ５ＯＥ）にきわめて近い
値を得ることができる。またＮ型炭化珪素はカソードと
して用い、そのフェルミレベルは＋１．５〜１． Ｏｅ
Ｖ （−１，５〜−１゜ｏｖ）を有するため前記した還
元ポテンシャルの−１６２〜−１，３（Ｖｖｓｓａｇ）
Ｋきわめて近ずけることができる。このポテンシャルが
アノード、カソードともきわめてそれぞれのフェルミレ
ベルに近いため、そこでの出力電力の低下が少なく、理
想的なものであった。
加えてレドックス溶液が非水溶液であるため電極と酸化
反応等もおきず、電極で水素等が発生して出力が低下す
る等の劣化が全くなかった。
反応等もおきず、電極で水素等が発生して出力が低下す
る等の劣化が全くなかった。
このため太陽電池としての効率がＡＭＩ （１００ｍＷ
／ｃ ｒＡ）の照射光に７〜１２チであったものが、レ
ドックスフローそれのみでは７０〜８０％、また全系に
おいては入射光エネルギに対し５〜１０％の出力効率を
負荷（イ）に得ることができた。またその電圧のヰ墳性
もきわめてすぐれたものであった。
／ｃ ｒＡ）の照射光に７〜１２チであったものが、レ
ドックスフローそれのみでは７０〜８０％、また全系に
おいては入射光エネルギに対し５〜１０％の出力効率を
負荷（イ）に得ることができた。またその電圧のヰ墳性
もきわめてすぐれたものであった。
この実施例においては、本田−腰高効果にみられる如き
Ｅｇ３．ＯｅＶのＴモｘを用いず、照射光を有効利用す
るためアモルファス（非晶質）。
Ｅｇ３．ＯｅＶのＴモｘを用いず、照射光を有効利用す
るためアモルファス（非晶質）。
５〜１００Ａの大きさの結晶性を有するセミアモルファ
ス、または３０〜３０００Ａの大きさの微結晶体である
マイクログリクリスタルよシなるシランまたはフッ化珪
素を用いたプラズマＣＶＤ法にて１００〜３００°ＣＫ
て作製する。単結晶半導体を主成分とし、さらにこれら
の非単結晶半導体に再結合中心中和用に水素またはフッ
素、塩素の如きハロゲン元素を０．１〜３０モルチモル
した材料を用いることを特徴としている。
ス、または３０〜３０００Ａの大きさの微結晶体である
マイクログリクリスタルよシなるシランまたはフッ化珪
素を用いたプラズマＣＶＤ法にて１００〜３００°ＣＫ
て作製する。単結晶半導体を主成分とし、さらにこれら
の非単結晶半導体に再結合中心中和用に水素またはフッ
素、塩素の如きハロゲン元素を０．１〜３０モルチモル
した材料を用いることを特徴としている。
さらにレドックス表面と接する炭化珪素半導体Ｓ ｉＸ
ｃ＋−４（０＜ Ｘ＜ １） （以下単に炭化珪素とい
う）をプラズマＣＶＤ法でシランとメタンとの反応また
はＴＭＳ （テトラメチルシラン）の分解反応により作
って用いたことを他の特徴としている。加えてこの半導
体材料によりＰ工Ｎ接合を設けせしめＰ層α乃およびＮ
ｉ （Ｉｆ）は５０〜５００Ａの厚さの２゜０〜３．
ＯｅＶの広いＥｇを有せしめ、また真性または実質的に
真性の導電型を有する珪素またはゲルマニュー ムまた
は５ｉＸ（）ｅＩ、ｊ（０−＝ｘ＜ １）を１層００）
αυに用いたことを他の特徴としている。
ｃ＋−４（０＜ Ｘ＜ １） （以下単に炭化珪素とい
う）をプラズマＣＶＤ法でシランとメタンとの反応また
はＴＭＳ （テトラメチルシラン）の分解反応により作
って用いたことを他の特徴としている。加えてこの半導
体材料によりＰ工Ｎ接合を設けせしめＰ層α乃およびＮ
ｉ （Ｉｆ）は５０〜５００Ａの厚さの２゜０〜３．
ＯｅＶの広いＥｇを有せしめ、また真性または実質的に
真性の導電型を有する珪素またはゲルマニュー ムまた
は５ｉＸ（）ｅＩ、ｊ（０−＝ｘ＜ １）を１層００）
αυに用いたことを他の特徴としている。
かかるＰＩＮ接合を有する半導体は非単結晶構造を有す
るため、光吸収係数が単結晶構造に比べ１０〜３０倍も
大きく、さらに照射光で電子・ホール対を発生させるの
に最適の１゜５〜１．８ｅＶを用いるため、半導体の厚
さを０．３〜１μの厚さにて７０ｑ６以上の太陽光を吸
収することができた。
るため、光吸収係数が単結晶構造に比べ１０〜３０倍も
大きく、さらに照射光で電子・ホール対を発生させるの
に最適の１゜５〜１．８ｅＶを用いるため、半導体の厚
さを０．３〜１μの厚さにて７０ｑ６以上の太陽光を吸
収することができた。
このため照射光によりレドックス系にエネルギを蓄積さ
せることが前記した如（１０％もの高い効率で可能にな
った点がきわめて大きな特徴である。
せることが前記した如（１０％もの高い効率で可能にな
った点がきわめて大きな特徴である。
第１図において基板ホルダー（３０）にはＰ工Ｎ半導体
０り、ＮＩＰ接合を有する半導体α１の光照射面での電
極−Ｑυが透明導電膜によシ設けている。
０り、ＮＩＰ接合を有する半導体α１の光照射面での電
極−Ｑυが透明導電膜によシ設けている。
以上の説明より明らかな如く、本発明はかくの如き非水
溶液中に金属錯塩を多量に溶解せしめることが可能とな
るため、光電変換装置と一体となったレドックスフロー
電池を作ることができた。
溶液中に金属錯塩を多量に溶解せしめることが可能とな
るため、光電変換装置と一体となったレドックスフロー
電池を作ることができた。
本発明において金属錯塩は鉄、ルミニウム、オスミウム
のｂｐｙ、ｐｈｅｎを主として示した。しかシチタン、
ハナシューム、クロム、マンガン、コバルト、ニラクル
、銅のｂｌ）７またはｐｈｅｎを用いてもよく、またこ
れらと鉄のｂｐ７ｓ ｐｈｅｎをそれぞれカソードまた
はアノードとして用いてもよいことはいうまでもない。
のｂｐｙ、ｐｈｅｎを主として示した。しかシチタン、
ハナシューム、クロム、マンガン、コバルト、ニラクル
、銅のｂｌ）７またはｐｈｅｎを用いてもよく、またこ
れらと鉄のｂｐ７ｓ ｐｈｅｎをそれぞれカソードまた
はアノードとして用いてもよいことはいうまでもない。
第１図は本発明のレドックスを用いた光電変換装置のた
て断面図を示す。
て断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、非水溶液中に金属錯塩を０．５モルチ以上の濃度ま
たはｌＸｌ０ （ユＣｍ）′以上の電気伝導度を有する
如くに溶解せしめたことを特徴とする電解質溶液。 ２、特許請求の範囲第１項において、レドックスフロー
電池に用いられたことを特徴とする電）ｆイ質溶液０ ３、特許ａｆ４求の範囲第１項において、鉄、ルテニウ
ム、オスミニウム、チタン、バナジュー ム、クロム、
マンガン、コバルト、ニッケルまたは銅がビピリジンま
たはフェナントロリンを有して金属錯塩を構成したこと
を特徴とする電解質溶液。 ４、特許請求の範囲第１項において、非水溶液がプロピ
レンカーボネイトまたはアセトニトリルを有することを
特徴とした電解質溶液。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014585A JPS58133788A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 電解質溶液 |
| US06/647,792 US4591453A (en) | 1982-02-01 | 1984-09-06 | Electrolytic solution for a redox system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014585A JPS58133788A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 電解質溶液 |
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| JPS58133788A true JPS58133788A (ja) | 1983-08-09 |
Family
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