JPS58107194A - 発酵法によるｌ−トリプトフアンの製造法 - Google Patents
発酵法によるｌ−トリプトフアンの製造法Info
- Publication number
- JPS58107194A JPS58107194A JP20778481A JP20778481A JPS58107194A JP S58107194 A JPS58107194 A JP S58107194A JP 20778481 A JP20778481 A JP 20778481A JP 20778481 A JP20778481 A JP 20778481A JP S58107194 A JPS58107194 A JP S58107194A
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- tryptophan
- producing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発酵法によるＬ −１−’Ｊブトファン（以
下、トリプトファンと記す）の製造法に関する。
下、トリプトファンと記す）の製造法に関する。
従来トリプトファンの製造法としては、トリプトファン
の前駆物質であるアントラニル酸、インドール或は３−
インドールピルビン酸よりトリプトファンを製造する方
法が知られている。
の前駆物質であるアントラニル酸、インドール或は３−
インドールピルビン酸よりトリプトファンを製造する方
法が知られている。
これら前駆物質を使用する方法に対し、前駆物質を使用
しないで、糖類等を炭素源とし、バチルス属に属しトリ
プトファンアナログに耐性を有する変異株を使用して直
接発酵法によりトリプトファンを生産する方法（特公昭
４８−１８８２８、特公昭５３−３９５１７）が開発さ
れている。
しないで、糖類等を炭素源とし、バチルス属に属しトリ
プトファンアナログに耐性を有する変異株を使用して直
接発酵法によりトリプトファンを生産する方法（特公昭
４８−１８８２８、特公昭５３−３９５１７）が開発さ
れている。
そこで、本発明者らはバチルス属の微生物を用いて更に
糖類等の炭素源からトリプトファンを直接発酵法により
安価に製造する方法を開発すべく研究を行った結果、バ
チルス属の上記のようなトリプトファンアナログ耐性の
他に更に２−デオキシリボースに耐性を有する微生物の
中に、従来知られているものより更に大量のトリプトフ
ァンを生産する能力を有する菌株があることを見い出し
た。この発明はこの知見に基づいて更に研究の結果完成
されたものである。
糖類等の炭素源からトリプトファンを直接発酵法により
安価に製造する方法を開発すべく研究を行った結果、バ
チルス属の上記のようなトリプトファンアナログ耐性の
他に更に２−デオキシリボースに耐性を有する微生物の
中に、従来知られているものより更に大量のトリプトフ
ァンを生産する能力を有する菌株があることを見い出し
た。この発明はこの知見に基づいて更に研究の結果完成
されたものである。
シリボースに耐性を有し、かつトリプトファンを生産す
る能力を有する微生物であり、例えば、次のような変異
株が使用される。
る能力を有する微生物であり、例えば、次のような変異
株が使用される。
バチ／ｌ／７．−ズブチリス’ＡＪ １ｔｙｒｌ）
ＦＥＲＭ−Ｐ ６２６７（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ、２Ｄ
Ｒｒ） バチルス・ズブチリス ＡＪ／／７タ／ ＦＥＲＭ−
Ｐ Ａｘ〆２（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ、Ｌｅｕ−，２ＤＲｒ
）バチルス・ズブチリス ＡＪ／／７タλ ＦＥＲＭ−
Ｐ ｌｘｔ？（５−Ｆ−ＴｒｐｒｊＭｒ、２ＤＲｒ）
５−Ｆ−Ｔｒｐｒ： ５−フロオロトリプトファン耐性
２ＤＲｒ ：２−デオキシリポース耐性Ｌｅｕ−・Ｌ
−ロイシン要求性 ＩＭｒ ・インドールマイシン耐性これら本発明で
使用される変異株は、バチルス属のトリプトファンアナ
ログ耐性のトリプトファン生産菌を親株とし、これに通
常の変異誘導操作、例えば、紫外線照射或はＮ−メチル
−Ｎｌ−ニトロ−Ｎ−二ｌ−ｑソグアニジン（以下、Ｎ
Ｇと略す。）亜硝酸等の化学薬剤処理を施し、変異処理
した菌株を親株が生育できないような量の２−デオキシ
リポースを含有する平板寒天培地で培養し、該平板培地
上に生育するコロニーを分離することによって得られる
。
ＦＥＲＭ−Ｐ ６２６７（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ、２Ｄ
Ｒｒ） バチルス・ズブチリス ＡＪ／／７タ／ ＦＥＲＭ−
Ｐ Ａｘ〆２（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ、Ｌｅｕ−，２ＤＲｒ
）バチルス・ズブチリス ＡＪ／／７タλ ＦＥＲＭ−
Ｐ ｌｘｔ？（５−Ｆ−ＴｒｐｒｊＭｒ、２ＤＲｒ）
５−Ｆ−Ｔｒｐｒ： ５−フロオロトリプトファン耐性
２ＤＲｒ ：２−デオキシリポース耐性Ｌｅｕ−・Ｌ
−ロイシン要求性 ＩＭｒ ・インドールマイシン耐性これら本発明で
使用される変異株は、バチルス属のトリプトファンアナ
ログ耐性のトリプトファン生産菌を親株とし、これに通
常の変異誘導操作、例えば、紫外線照射或はＮ−メチル
−Ｎｌ−ニトロ−Ｎ−二ｌ−ｑソグアニジン（以下、Ｎ
Ｇと略す。）亜硝酸等の化学薬剤処理を施し、変異処理
した菌株を親株が生育できないような量の２−デオキシ
リポースを含有する平板寒天培地で培養し、該平板培地
上に生育するコロニーを分離することによって得られる
。
上記の親株としては、トリプトファンアナログ耐性の他
に１〜リブＩ・ファン生産に有用な性質を有するトリプ
トファン生産菌、例えば、Ｌ−アルギニン、Ｌ−リジン
、Ｌ−ロイシンもしくはＬ−フェニルアラニン要求性の
トリプトファン（特公昭５ ３−３ ９ ５ １ ７号
公報）、更にはトリプトファンアナログ耐性でかつイン
ドールマイシン耐性の１− ’）ブトファン生産菌（特
開昭５６−９２７９６号公報）等が使用される。具体例
としては次のようなトリプトファンアナログ耐性のトリ
プトファン生産菌が使用される。
に１〜リブＩ・ファン生産に有用な性質を有するトリプ
トファン生産菌、例えば、Ｌ−アルギニン、Ｌ−リジン
、Ｌ−ロイシンもしくはＬ−フェニルアラニン要求性の
トリプトファン（特公昭５ ３−３ ９ ５ １ ７号
公報）、更にはトリプトファンアナログ耐性でかつイン
ドールマイシン耐性の１− ’）ブトファン生産菌（特
開昭５６−９２７９６号公報）等が使用される。具体例
としては次のようなトリプトファンアナログ耐性のトリ
プトファン生産菌が使用される。
バチルス・ズブチリス ＦＴ−１４５ ＦＥＲＭ−Ｐ
１７８３（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ） バチルス・ズブチリス ＦＦＬ−５ ＦＥＲＭ−Ｐ
１７８６（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ＋Ｌｅｕ− ） バチルス豊ズブチリス ＡＪ１］４８３ ＦＥＲＭ−
Ｐ５２］６（５−Ｆ−Ｔｒｐ’＋ＩＭ） その他、本発明の変異株はバチルス属の野性株を親株と
し、これに２−デオキシリボース耐性を付与した後）・
リプトファンアナログ耐性を付与することによっても誘
導することができる。この場合にも更にトリプトファン
生産に有用な性質、例えば、Ｌ−フェニルアラニン、Ｌ
−チロシン、Ｌ−ロイシン、Ｌ−ヒスチジン等のアミノ
酸に対スる栄養要求性、或はフェニルアラニンアナログ
耐性等を付与することが望ましい。
１７８３（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ） バチルス・ズブチリス ＦＦＬ−５ ＦＥＲＭ−Ｐ
１７８６（５−Ｆ−Ｔｒｐｒ＋Ｌｅｕ− ） バチルス豊ズブチリス ＡＪ１］４８３ ＦＥＲＭ−
Ｐ５２］６（５−Ｆ−Ｔｒｐ’＋ＩＭ） その他、本発明の変異株はバチルス属の野性株を親株と
し、これに２−デオキシリボース耐性を付与した後）・
リプトファンアナログ耐性を付与することによっても誘
導することができる。この場合にも更にトリプトファン
生産に有用な性質、例えば、Ｌ−フェニルアラニン、Ｌ
−チロシン、Ｌ−ロイシン、Ｌ−ヒスチジン等のアミノ
酸に対スる栄養要求性、或はフェニルアラニンアナログ
耐性等を付与することが望ましい。
以下の実験例にて、本発明の２−デオキシリポース耐性
トリプトファン生産菌の２−デオキシリポースに対する
耐性度を示す。
トリプトファン生産菌の２−デオキシリポースに対する
耐性度を示す。
実験例
第１表に示す組成の最少培地を直径１． ６． ５ ｍ
ｎの試験管ニ４．Ｏｒｎｅ宛分注し、１’ １ ０ ℃
で１ｏ分間加熱した。これに別途フィルターで濾過（除
菌）した２−デオキシリポース溶液を、第２表に示す濃
度となるように加えて調体培地を調製した。
ｎの試験管ニ４．Ｏｒｎｅ宛分注し、１’ １ ０ ℃
で１ｏ分間加熱した。これに別途フィルターで濾過（除
菌）した２−デオキシリポース溶液を、第２表に示す濃
度となるように加えて調体培地を調製した。
」−記培地に２−デオキシリポースを含まない最−
５ − 少培地で２４時間培養して得られたバチルス・ズブチリ
ス ＡＪ／／’１ダ０、ＡＪｉｔ７りｌ １及びＡＪｔ
ｔ７りλの培養液を夫々各０．１ｍｅ宛接種し、３０℃
で４８時間振盪培養を行い、培養液の５７０ｎｍ の吸
光度を測定した。その結果を第２表に示す。
５ − 少培地で２４時間培養して得られたバチルス・ズブチリ
ス ＡＪ／／’１ダ０、ＡＪｉｔ７りｌ １及びＡＪｔ
ｔ７りλの培養液を夫々各０．１ｍｅ宛接種し、３０℃
で４８時間振盪培養を行い、培養液の５７０ｎｍ の吸
光度を測定した。その結果を第２表に示す。
第１表 最少培地の組成 （ ｐＨ ７．０ ）成
分 濃 度グルコース
５．０ ｆ／（１硫酸アンモニウム
１．０〃ＫＨ２Ｐ０４Ｂ．６ ５ ／Ｉ ＭｇＳｏ４＠７Ｈ２００．２〃 ＦｅＳＯ４・７Ｈ，Ｏ ’ １ ０
ｍＷ／／ＩＭｎＳＯ， −４Ｈ，、０
１ ０クエン酸ナトリウム ０．５
ｆ／１３※Ｌ−ロイシン ］０ 〃りｉ
／ｄｅ− ６ − 第２表 耐性株の生育度（相対生育度で示す）２−デ
オキシリボース濃度 （μｑ／ｍｅ）本発明で使用する
培地は炭素源、窒素源、無機塩類、その他必要ンこ応じ
てアミノ酸、ビタミン等の有機微量栄養素を含有する通
常の栄養培地が使用される。炭素源としてはグルコース
、シュークロース、マルトース−澱粉水解物、糖蜜等が
使用され、その他エタノール、酢酸、クエン酸等も単独
或は−１−配信の炭素源と併用して用いられる。窒素源
としては硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、リン酸
アンモニウム等のアンモニウム塩、硝酸塩、尿素、ペプ
トン等有機或は無機の窒素源が使用される。有機微量栄
養素としてはアミノ酸、ビタミン、脂肪酸、核酸、更に
これらのものを含有するペプトン、カザミノ酸、酵母エ
キス、大豆蛋白分解物等が使用され、生育にアミノ酸等
を要求する栄養要求性変異株を使用する場合には要求さ
れる栄養素を補添することが必要である。無機塩類とし
てはリン酸塩、マグネ／ラム塩、カルシウム塩、鉄塩、
マンガン塩等が使用される。
分 濃 度グルコース
５．０ ｆ／（１硫酸アンモニウム
１．０〃ＫＨ２Ｐ０４Ｂ．６ ５ ／Ｉ ＭｇＳｏ４＠７Ｈ２００．２〃 ＦｅＳＯ４・７Ｈ，Ｏ ’ １ ０
ｍＷ／／ＩＭｎＳＯ， −４Ｈ，、０
１ ０クエン酸ナトリウム ０．５
ｆ／１３※Ｌ−ロイシン ］０ 〃りｉ
／ｄｅ− ６ − 第２表 耐性株の生育度（相対生育度で示す）２−デ
オキシリボース濃度 （μｑ／ｍｅ）本発明で使用する
培地は炭素源、窒素源、無機塩類、その他必要ンこ応じ
てアミノ酸、ビタミン等の有機微量栄養素を含有する通
常の栄養培地が使用される。炭素源としてはグルコース
、シュークロース、マルトース−澱粉水解物、糖蜜等が
使用され、その他エタノール、酢酸、クエン酸等も単独
或は−１−配信の炭素源と併用して用いられる。窒素源
としては硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、リン酸
アンモニウム等のアンモニウム塩、硝酸塩、尿素、ペプ
トン等有機或は無機の窒素源が使用される。有機微量栄
養素としてはアミノ酸、ビタミン、脂肪酸、核酸、更に
これらのものを含有するペプトン、カザミノ酸、酵母エ
キス、大豆蛋白分解物等が使用され、生育にアミノ酸等
を要求する栄養要求性変異株を使用する場合には要求さ
れる栄養素を補添することが必要である。無機塩類とし
てはリン酸塩、マグネ／ラム塩、カルシウム塩、鉄塩、
マンガン塩等が使用される。
培養は通常の培養条件下で行えば良く、ｐＨを５ないし
９、温度を２０ないし４０℃に制御しつつ１〜４日間振
盪培養又は通気攪拌培養することにより培養液中に著量
のトリプトファンが蓄積される。培養中にｐＨが下がる
場合には、炭酸カルシウムを別殺菌して加えるか又はア
ンモニア水、アンモニアガス等のアルカリで中和する。
９、温度を２０ないし４０℃に制御しつつ１〜４日間振
盪培養又は通気攪拌培養することにより培養液中に著量
のトリプトファンが蓄積される。培養中にｐＨが下がる
場合には、炭酸カルシウムを別殺菌して加えるか又はア
ンモニア水、アンモニアガス等のアルカリで中和する。
又、有機酸を炭素源とする場合はｐＨの上昇を鉱酸又は
有機酸で中和する。
有機酸で中和する。
培養液からトリプトファンを採取する方法は、公知のト
リプトファン回収方法に従って行えば良く、培養液から
菌体を除去した後濃縮晶析する方法或はイオン交換りｐ
マドグラフィー等によって採取される。
リプトファン回収方法に従って行えば良く、培養液から
菌体を除去した後濃縮晶析する方法或はイオン交換りｐ
マドグラフィー等によって採取される。
以下、実施例にて説明する。
実施例１
下記第３表に示した組成のトリプトファン生産用培地２
０ｍｅを５００ ｍｌ容フラスコに分注し、１１０℃で
１０分間加熱した後、第４表に示す微生物をそれぞれ１
／３スラント量植えつけ３０℃で９６時間振盪培養した
。それぞれの培養液中のトリプトファン生成量は第４表
の如くであった。
０ｍｅを５００ ｍｌ容フラスコに分注し、１１０℃で
１０分間加熱した後、第４表に示す微生物をそれぞれ１
／３スラント量植えつけ３０℃で９６時間振盪培養した
。それぞれの培養液中のトリプトファン生成量は第４表
の如くであった。
−９−
第３表 トリプトファン生産用培地組成（ｐＨ７，０）
成 分 濃 度グルコ
ース ８０ ？／ＩＩ塩化アンモ
ニウム １０ 〃ＫＨ２Ｐ ０４
１ ｔｔＫＣｌ
２ 〃Ｍｎ Ｓ ０４１１７ Ｉ（２０１
０ｍ７／ １１Ｆ ｅ Ｓ ０４ ・４ Ｈ２Ｏ１０ｔ
ｔカザミノ酸 ４ ｑ／ｌ！Ｍ
ｇＳＯ４・７Ｈｓ００．４ ｔｔＣａＣＯ２’４０
ｔｔ ※Ｌ −ｃ＋ イ’／ ７ ２０ ｍ
９／ｄｅ−］ 〇 − 第４表 トリプトファン生成量 菌 株 （〜／ ｍｅ ）ＦＴ−
１４５１，９０ ＡＪノ／’７ｒ０２．５ ＦＦＬ−ぢ ４．２ ＡＪ ／／’７タ１５．２ ＡＪ ／／ダ２３６．２ ＡＪ／／クタ：Ｌ７．４ −１１− ５４４−
成 分 濃 度グルコ
ース ８０ ？／ＩＩ塩化アンモ
ニウム １０ 〃ＫＨ２Ｐ ０４
１ ｔｔＫＣｌ
２ 〃Ｍｎ Ｓ ０４１１７ Ｉ（２０１
０ｍ７／ １１Ｆ ｅ Ｓ ０４ ・４ Ｈ２Ｏ１０ｔ
ｔカザミノ酸 ４ ｑ／ｌ！Ｍ
ｇＳＯ４・７Ｈｓ００．４ ｔｔＣａＣＯ２’４０
ｔｔ ※Ｌ −ｃ＋ イ’／ ７ ２０ ｍ
９／ｄｅ−］ 〇 − 第４表 トリプトファン生成量 菌 株 （〜／ ｍｅ ）ＦＴ−
１４５１，９０ ＡＪノ／’７ｒ０２．５ ＦＦＬ−ぢ ４．２ ＡＪ ／／’７タ１５．２ ＡＪ ／／ダ２３６．２ ＡＪ／／クタ：Ｌ７．４ −１１− ５４４−
Claims (1)
- バチルス属に属し、トリプトファンアナログ及び２−デ
オキシリボースに耐性を有し、かつＬ−トリプトファノ
生産能を有する微生物を液体培地中に好気的に培養し、
培養液中にＬ−）！ｌブトファンを生成蓄積せしめ、こ
れを採取することを特徴とするＬ −１−リプトファン
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20778481A JPS58107194A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 発酵法によるｌ−トリプトフアンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20778481A JPS58107194A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 発酵法によるｌ−トリプトフアンの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107194A true JPS58107194A (ja) | 1983-06-25 |
| JPH028718B2 JPH028718B2 (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16545443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20778481A Granted JPS58107194A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 発酵法によるｌ−トリプトフアンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107194A (ja) |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP20778481A patent/JPS58107194A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028718B2 (ja) | 1990-02-26 |
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