JPH118172A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH118172A JPH118172A JP15685597A JP15685597A JPH118172A JP H118172 A JPH118172 A JP H118172A JP 15685597 A JP15685597 A JP 15685597A JP 15685597 A JP15685597 A JP 15685597A JP H118172 A JPH118172 A JP H118172A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストのパターン形成技術を用いた一連の
工程で、不純物の選択的拡散や選択的保護膜の形成を行
う。 【解決手段】 不純物拡散工程では、(a)シリコン基板
１の一主面にレジスト成分液に不純物成分が混合された
混合レジスト液11を塗布し、(b)この塗布液を乾燥した
混合レジスト膜11aを、ホトリソグラフィー技術を用い
て露光、現像し、拡散領域上のみ選択的に残す。次に、
(c)酸化性雰囲気中、300℃以上で熱処理し、レジスト成
分を除去した不純物成分膜12を形成する。さらに、(d)6
00℃以上で熱処理し、不純物を半導体基板中に拡散し、
拡散領域13を形成する。
工程で、不純物の選択的拡散や選択的保護膜の形成を行
う。 【解決手段】 不純物拡散工程では、(a)シリコン基板
１の一主面にレジスト成分液に不純物成分が混合された
混合レジスト液11を塗布し、(b)この塗布液を乾燥した
混合レジスト膜11aを、ホトリソグラフィー技術を用い
て露光、現像し、拡散領域上のみ選択的に残す。次に、
(c)酸化性雰囲気中、300℃以上で熱処理し、レジスト成
分を除去した不純物成分膜12を形成する。さらに、(d)6
00℃以上で熱処理し、不純物を半導体基板中に拡散し、
拡散領域13を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、レジストのパターン形成技術を用い
て不純物の拡散や保護膜の形成を行う半導体装置の製造
方法に関するものである。
方法に関し、特に、レジストのパターン形成技術を用い
て不純物の拡散や保護膜の形成を行う半導体装置の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の製造工程、特に不純
物拡散工程等では、まず、ホトリソグラフィー技術を用
いて保護膜のパターン形成工程があり、しかる後、その
保護膜をマスクとして、目的とする不純物の選択的拡散
を行う工程があるという複数の工程が組み合わされてい
た。
物拡散工程等では、まず、ホトリソグラフィー技術を用
いて保護膜のパターン形成工程があり、しかる後、その
保護膜をマスクとして、目的とする不純物の選択的拡散
を行う工程があるという複数の工程が組み合わされてい
た。
【０００３】図３は、従来の不純物拡散工程を示したも
のである。まず、(a)例えば、予めコレクタ領域２を設
け、全面を二酸化珪素膜３で覆ったシリコン基板１を用
意し、(b)その表面にレジスト４を塗布する。次に、(c)
ホトリソグラフィー技術を用いてレジスト膜４aを露
光，現像し、レジスト膜４aを選択的に除去して窓をあ
ける。(d)その窓を通して二酸化珪素膜３をエッチング
し、シリコン基板１を露出させる。(e)残りのレジスト
膜４aを除去した後、(f)拡散する不純物５をシリコン基
板１の全面に蒸着等で供給し、(g)不純物膜５aを堆積さ
せる。(h)基板を熱処理し、二酸化珪素膜３をマスクと
して不純物の拡散を行う。６は選択的に形成した拡散層
である。
のである。まず、(a)例えば、予めコレクタ領域２を設
け、全面を二酸化珪素膜３で覆ったシリコン基板１を用
意し、(b)その表面にレジスト４を塗布する。次に、(c)
ホトリソグラフィー技術を用いてレジスト膜４aを露
光，現像し、レジスト膜４aを選択的に除去して窓をあ
ける。(d)その窓を通して二酸化珪素膜３をエッチング
し、シリコン基板１を露出させる。(e)残りのレジスト
膜４aを除去した後、(f)拡散する不純物５をシリコン基
板１の全面に蒸着等で供給し、(g)不純物膜５aを堆積さ
せる。(h)基板を熱処理し、二酸化珪素膜３をマスクと
して不純物の拡散を行う。６は選択的に形成した拡散層
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の拡
散工程は、ホトリソグラフィーによる保護膜パターンの
形成工程と、不純物拡散工程の２工程が必要であった。
また、選択的拡散でも、不純物は基板全面に堆積して拡
散させるので、マスクにピンホールがあれば、非拡散領
域にも不純物が拡散されるという問題もあった。
散工程は、ホトリソグラフィーによる保護膜パターンの
形成工程と、不純物拡散工程の２工程が必要であった。
また、選択的拡散でも、不純物は基板全面に堆積して拡
散させるので、マスクにピンホールがあれば、非拡散領
域にも不純物が拡散されるという問題もあった。
【０００５】また、選択的な保護膜形成においても、ま
ず、基板全面に保護膜を堆積し、次に、ホトリソグラフ
ィー技術を用いて、不要な部分の保護膜を除去するとい
う２つの工程が必要であり、製造工程が複雑になるとと
もに、個々の工程で欠陥が生じる可能性も増えるという
問題があった。
ず、基板全面に保護膜を堆積し、次に、ホトリソグラフ
ィー技術を用いて、不要な部分の保護膜を除去するとい
う２つの工程が必要であり、製造工程が複雑になるとと
もに、個々の工程で欠陥が生じる可能性も増えるという
問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るもので、レジストのパターン形成技術を用いた一連の
工程で、不純物の選択的拡散や選択的保護膜の形成を行
うようにした半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
るもので、レジストのパターン形成技術を用いた一連の
工程で、不純物の選択的拡散や選択的保護膜の形成を行
うようにした半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト成分液
に他の成分が混合された混合レジスト液を半導体基板に
塗布しパターニングする工程と、パターニングされた混
合レジスト膜を酸化性雰囲気中、300℃以上で熱処理
し、レジスト成分を除去する工程とを有することを特徴
とするものである。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト成分液
に他の成分が混合された混合レジスト液を半導体基板に
塗布しパターニングする工程と、パターニングされた混
合レジスト膜を酸化性雰囲気中、300℃以上で熱処理
し、レジスト成分を除去する工程とを有することを特徴
とするものである。
【０００８】レジスト成分液としては、光を照射するこ
とにより重合または分解する炭素を主成分とする樹脂を
含むものであり、他の成分としては、半導体基板拡散用
の不純物成分または保護膜形成用成分を含むものであ
る。
とにより重合または分解する炭素を主成分とする樹脂を
含むものであり、他の成分としては、半導体基板拡散用
の不純物成分または保護膜形成用成分を含むものであ
る。
【０００９】酸化性雰囲気中、300℃以上の熱処理でレ
ジスト成分を除去した後、600℃以上の熱処理で拡散ま
たは保護膜を形成する工程を有するものである。
ジスト成分を除去した後、600℃以上の熱処理で拡散ま
たは保護膜を形成する工程を有するものである。
【００１０】上記製造方法によれば、基本的構成は図１
に示したようになる。なお、Ａは不純部拡散工程、Ｂは
保護膜形成工程である。
に示したようになる。なお、Ａは不純部拡散工程、Ｂは
保護膜形成工程である。
【００１１】即ち、不純物拡散工程では、(a)予めコレ
クタ領域２を設けたシリコン基板１を用意して、その全
面にレジスト成分液に不純物成分が混合された混合レジ
スト液11を塗布し、(b)この塗布液を乾燥した混合レジ
スト膜11aを、ホトリソグラフィー技術を用いて露光，
現像し、拡散領域上のみ選択的に残す。次に、(c)酸化
性雰囲気中、300℃以上で熱処理し、レジスト成分を除
去した不純物源となる膜(以下不純物成分膜という)12を
形成する。さらに、(d)600℃以上で熱処理し、不純物を
半導体基板中に拡散する。13はその拡散領域である。
クタ領域２を設けたシリコン基板１を用意して、その全
面にレジスト成分液に不純物成分が混合された混合レジ
スト液11を塗布し、(b)この塗布液を乾燥した混合レジ
スト膜11aを、ホトリソグラフィー技術を用いて露光，
現像し、拡散領域上のみ選択的に残す。次に、(c)酸化
性雰囲気中、300℃以上で熱処理し、レジスト成分を除
去した不純物源となる膜(以下不純物成分膜という)12を
形成する。さらに、(d)600℃以上で熱処理し、不純物を
半導体基板中に拡散する。13はその拡散領域である。
【００１２】また、保護膜形成工程では、(a)予めコレ
クタ領域２を設けたシリコン基板１を用意して、その全
面にレジスト成分液に保護膜成分が混合された混合レジ
スト液14を塗布し、(b)この塗布液を乾燥した混合レジ
スト膜14aをホトリソグラフィー技術を用いて露光，現
像し、保護膜形成領域上のみ選択的に残す。次に、(c)
酸化性雰囲気中、300℃以上で熱処理し、レジスト成分
を除去した保護膜成分のみの膜(以下保護成分膜という)
15を形成する。さらに、(d)600℃以上で熱処理し、保護
膜16を形成する。
クタ領域２を設けたシリコン基板１を用意して、その全
面にレジスト成分液に保護膜成分が混合された混合レジ
スト液14を塗布し、(b)この塗布液を乾燥した混合レジ
スト膜14aをホトリソグラフィー技術を用いて露光，現
像し、保護膜形成領域上のみ選択的に残す。次に、(c)
酸化性雰囲気中、300℃以上で熱処理し、レジスト成分
を除去した保護膜成分のみの膜(以下保護成分膜という)
15を形成する。さらに、(d)600℃以上で熱処理し、保護
膜16を形成する。
【００１３】このように、本発明は、混合レジストパタ
ーンを形成した後は、熱処理を行うという一連の工程で
不純物の選択的拡散や選択的保護膜の形成を行うことが
でき、製造歩留の向上および製造工程の簡略化が達成で
きるものである。
ーンを形成した後は、熱処理を行うという一連の工程で
不純物の選択的拡散や選択的保護膜の形成を行うことが
でき、製造歩留の向上および製造工程の簡略化が達成で
きるものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。図２は本発明の一
実施の形態における製造方法を示したもので、プレーナ
形トランジスタ素子の製造工程フロー図により説明す
る。
図面を参照しながら詳細に説明する。図２は本発明の一
実施の形態における製造方法を示したもので、プレーナ
形トランジスタ素子の製造工程フロー図により説明す
る。
【００１５】まず、(a)比抵抗10Ωcm、厚さ300μmのＮ
型シリコン基板１の片側よりリンを拡散して拡散深さ13
0μm、表面濃度２×1020cm~3のコレクタ領域２を形成す
る。その後、(b)シリコン基板１のコレクタ領域２とは
反対側の面に、光を照射することにより重合または分解
する炭素を主成分とする樹脂を含むレジスト成分液50重
量％に、表面濃度１×1019cm~3のボロンパウダー50重量
％を混合した混合レジスト液をシリコン基板１の表面に
塗布した後、現像，露光して、選択的に拡散領域上のみ
残し、しかる後、レジスト成分を除去するために、シリ
コン基板１を酸化性雰囲気で、400℃、30分の熱処理を
行い、ボロンの不純物成分膜21を形成する。次に、(c)
シリコン基板１表面にボロンを拡散させるため、1200
℃、８時間の熱処理を行い、拡散深さ15μm、表面濃度
１×1019cm~3のベ−ス領域22を形成する。
型シリコン基板１の片側よりリンを拡散して拡散深さ13
0μm、表面濃度２×1020cm~3のコレクタ領域２を形成す
る。その後、(b)シリコン基板１のコレクタ領域２とは
反対側の面に、光を照射することにより重合または分解
する炭素を主成分とする樹脂を含むレジスト成分液50重
量％に、表面濃度１×1019cm~3のボロンパウダー50重量
％を混合した混合レジスト液をシリコン基板１の表面に
塗布した後、現像，露光して、選択的に拡散領域上のみ
残し、しかる後、レジスト成分を除去するために、シリ
コン基板１を酸化性雰囲気で、400℃、30分の熱処理を
行い、ボロンの不純物成分膜21を形成する。次に、(c)
シリコン基板１表面にボロンを拡散させるため、1200
℃、８時間の熱処理を行い、拡散深さ15μm、表面濃度
１×1019cm~3のベ−ス領域22を形成する。
【００１６】次いで、(d)光を照射することにより重合
または分解する炭素を主成分とする樹脂を含むレジスト
成分液50重量％に、表面濃度１×1020cm~3のリンパウダ
ー50重量％を混合した混合レジスト液をシリコン基板１
の表面に塗布した後、現像，露光して、選択的にベース
領域22の一部の拡散領域上のみ残し、しかる後、レジス
ト成分を除去するために、シリコン基板１を酸化性雰囲
気で、400℃、30分の熱処理を行い、リンの不純物成分
膜23を形成する。次に、(e)リンを拡散させるため、115
0℃、４時間の熱処理を行い、拡散深さ10μm、表面濃度
１×1020cm~3のエミッタ領域24を形成する。
または分解する炭素を主成分とする樹脂を含むレジスト
成分液50重量％に、表面濃度１×1020cm~3のリンパウダ
ー50重量％を混合した混合レジスト液をシリコン基板１
の表面に塗布した後、現像，露光して、選択的にベース
領域22の一部の拡散領域上のみ残し、しかる後、レジス
ト成分を除去するために、シリコン基板１を酸化性雰囲
気で、400℃、30分の熱処理を行い、リンの不純物成分
膜23を形成する。次に、(e)リンを拡散させるため、115
0℃、４時間の熱処理を行い、拡散深さ10μm、表面濃度
１×1020cm~3のエミッタ領域24を形成する。
【００１７】さらに、(f)シリコン基板１の所望の位置
に保護膜を選択的に形成するため、光を照射することに
より重合または分解する炭素を主成分とする樹脂を含む
レジスト成分液50重量％に、二酸化珪素を溶かした溶剤
50重量％を混合した混合レジスト液をシリコン基板１の
表面に塗布した後、現像，露光して、選択的に保護成分
膜25を残し、しかる後、レジスト成分を除去するため
に、シリコン基板１を酸化性雰囲気で、400℃、30分の
熱処理を行い、保護成分膜25を形成する。次に、(g)保
護膜形成のため、1000℃、30分の熱処理を行い、厚さ1.
0μmの二酸化珪素膜26を形成する。
に保護膜を選択的に形成するため、光を照射することに
より重合または分解する炭素を主成分とする樹脂を含む
レジスト成分液50重量％に、二酸化珪素を溶かした溶剤
50重量％を混合した混合レジスト液をシリコン基板１の
表面に塗布した後、現像，露光して、選択的に保護成分
膜25を残し、しかる後、レジスト成分を除去するため
に、シリコン基板１を酸化性雰囲気で、400℃、30分の
熱処理を行い、保護成分膜25を形成する。次に、(g)保
護膜形成のため、1000℃、30分の熱処理を行い、厚さ1.
0μmの二酸化珪素膜26を形成する。
【００１８】最後に、(h)電極用金属を蒸着して、エミ
ッタ電極27，ベース電極28およびコレクタ電極29を形成
し、高耐圧プレ−ナ形トランジスタを得る。
ッタ電極27，ベース電極28およびコレクタ電極29を形成
し、高耐圧プレ−ナ形トランジスタを得る。
【００１９】図４は、このようにして得られた本発明の
プレーナ形トランジスタについて、コレクタ逆方向耐圧
特性(a)およびエミッタ−ベース間逆方向耐圧特性(b)を
従来製品と比較して示したものである。また、製造歩留
については(表１)に示している。
プレーナ形トランジスタについて、コレクタ逆方向耐圧
特性(a)およびエミッタ−ベース間逆方向耐圧特性(b)を
従来製品と比較して示したものである。また、製造歩留
については(表１)に示している。
【００２０】
【表１】
【００２１】図４からわかるように、混合レジスト液を
用いてホトリソグラフィー技術によりパターンを形成し
た後、熱処理を行う一連の工程で不純物の選択的拡散や
保護膜の選択的形成を行う本発明方法によれば、従来の
マスクにおいて発生するピンホール等の影響をなくすこ
とができ、コレクタ逆方向耐圧特性およびエミッタ−ベ
ース間逆方向耐圧特性の耐圧レベルを改善することがで
きる。
用いてホトリソグラフィー技術によりパターンを形成し
た後、熱処理を行う一連の工程で不純物の選択的拡散や
保護膜の選択的形成を行う本発明方法によれば、従来の
マスクにおいて発生するピンホール等の影響をなくすこ
とができ、コレクタ逆方向耐圧特性およびエミッタ−ベ
ース間逆方向耐圧特性の耐圧レベルを改善することがで
きる。
【００２２】また、本発明方法によれば、従来方法に比
べて製造工程が大幅に短縮されるのみでなく、製造歩留
を著しく向上することができる。
べて製造工程が大幅に短縮されるのみでなく、製造歩留
を著しく向上することができる。
【００２３】なお、上記実施の形態では、拡散不純物源
としてボロン及び燐、保護膜としては二酸化珪素膜につ
いて述べたが、他の不純物源(砒素，アンチモン，金，
白金，アルミニウム，アルミニウム化合物，金属，金属
化合物等)や他の保護膜(ポリイミド系膜，鉛系ガラス
膜，亜鉛系ガラス膜等)についても同様の結果を得るこ
とができた。
としてボロン及び燐、保護膜としては二酸化珪素膜につ
いて述べたが、他の不純物源(砒素，アンチモン，金，
白金，アルミニウム，アルミニウム化合物，金属，金属
化合物等)や他の保護膜(ポリイミド系膜，鉛系ガラス
膜，亜鉛系ガラス膜等)についても同様の結果を得るこ
とができた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
混合レジスト液を用いてホトリソグラフィー技術により
パターンを形成し、これを熱処理するという一連の工程
で不純物の選択的拡散や保護膜の選択的形成を行うこと
ができ、従来方法のマスクにより生じる欠陥を防止して
耐圧を改善することができ、また、製造歩留を上げてコ
ストの低減を図ることができる。
混合レジスト液を用いてホトリソグラフィー技術により
パターンを形成し、これを熱処理するという一連の工程
で不純物の選択的拡散や保護膜の選択的形成を行うこと
ができ、従来方法のマスクにより生じる欠陥を防止して
耐圧を改善することができ、また、製造歩留を上げてコ
ストの低減を図ることができる。
【図１】本発明の製造方法の基本的構成を示す工程図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施の形態におけるプレーナ形トラ
ンジスタの製造方法の工程フロー図である。
ンジスタの製造方法の工程フロー図である。
【図３】従来の不純物拡散工程のフロー図である。
【図４】本発明品と従来品との耐圧特性比較図である。
１…シリコン基板、 ２…コレクタ領域、 11,14…混
合レジスト液、 11a,14a…混合レジスト膜、 12,21,2
3…不純物成分膜、 13…拡散領域、 15,25…保護成分
膜、 16…保護膜、 22…ベース領域、 24…エミッタ
領域、 26…二酸化珪素膜、 27…エミッタ電極、 28
…ベ−ス電極、 29…コレクタ電極。
合レジスト液、 11a,14a…混合レジスト膜、 12,21,2
3…不純物成分膜、 13…拡散領域、 15,25…保護成分
膜、 16…保護膜、 22…ベース領域、 24…エミッタ
領域、 26…二酸化珪素膜、 27…エミッタ電極、 28
…ベ−ス電極、 29…コレクタ電極。
Claims (11)
- 【請求項１】 レジスト成分液に他の成分が混合された
混合レジスト液を半導体基板に塗布しパターニングする
工程と、パターニングされた混合レジスト膜を酸化性雰
囲気中、300℃以上で熱処理し、レジスト成分を除去す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 混合レジスト液は、他の成分として、半
導体基板拡散用の不純物成分または保護膜形成用成分が
含まれていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 混合レジスト液は、光を照射することに
より重合または分解する炭素を主成分とする樹脂を含む
レジスト成分液に、リン，ボロン，ヒ素等の半導体基板
拡散用の不純物パウダーを混合したものからなることを
特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 混合レジスト液は、光を照射することに
より重合または分解する炭素を主成分とする樹脂を含む
レジスト成分液に、ガラスのパウダーを混合したものか
らなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項５】 酸化性雰囲気中、300℃以上の熱処理
後、600℃以上の熱処理工程を有することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 酸化性雰囲気中、300℃以上の熱処理前
に、還元性雰囲気中、300℃以上で熱処理することを特
徴とする請求項１または５記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】 半導体基板へ不純物を拡散する方法であ
って、 光を照射することにより重合または分解する炭素を主成
分とする樹脂を含むレジスト成分液にリン，ボロン，ヒ
素等の半導体基板拡散用の不純物成分を混合した混合レ
ジスト液を半導体基板上に塗布し、ホトリソグラフィ技
術により露光，現像して不純物拡散領域上のみ混合レジ
スト膜を選択的に形成する第１工程と、 混合レジスト膜を形成した半導体基板を300℃以上で熱
処理し、レジスト成分を除去する第２工程と、 半導体基板を600℃以上で熱処理し、不純物を半導体基
板中に拡散する第３工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 レジスト成分液に混合する不純物が液状
または粒子状であることを特徴とする請求項７記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 300℃以上の熱処理を酸化性雰囲気中で
行うことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項１０】 300℃以上の熱処理を、還元性雰囲気
で行った後、酸化性雰囲気で行うことを特徴とする請求
項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 半導体素子表面へ二酸化珪素膜，ポリ
イミド系膜，鉛系ガラス膜，亜鉛系ガラス膜等の保護膜
を形成する方法であって、 光を照射することにより重合または分解する炭素を主成
分とする樹脂を含むレジスト成分液に、保護膜成分を混
合した混合レジスト液を半導体基板上に塗布し、ホトリ
ソグラフィー技術により露光，現像して保護膜形成領域
上のみ混合レジスト膜を選択的に形成する第１工程と、 混合レジスト膜を形成した半導体基板を300℃以上で熱
処理し、レジスト成分を除去する第２工程と、 半導体基板を600℃以上で熱処理し、保護膜を形成する
第３工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15685597A JP3217732B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15685597A JP3217732B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118172A true JPH118172A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3217732B2 JP3217732B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=15636861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15685597A Expired - Fee Related JP3217732B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3217732B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006035893A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2008-05-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | シリコン基板加工方法 |
| JP2008205048A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
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