JP2008227142A - 不純物のドーピング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドーパント不純物を含む溶液に光酸発生剤を添加し、半導体素材を有する基体表面に、この溶液を付着させ光活性不純物スピンオングラス膜を形成し、その後紫外光などを光照射することで光酸発生剤から酸を発生させる。この酸の効果により、ドーパント不純物はイオン化され、熱処理により容易に半導体素材への不純物ドーピングを行うことができる。
【選択図】図1
Description
半導体装置の中でも薄膜トランジスタ(TFT、Thin Film Transistor)は、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ(AM-LCD)などにおいて通常ガラス基板上に形成されるが、ユビキタス社会の浸透と共に、フレキシブル・ディスプレイやRFIDチップ(Radio Frequency Identification)などの多様なアプリケーションのために、プラスチック、繊維、紙などのフレキシブルな基板への形成が必要となってきている。
したがって本発明はこの問題を克服し、より高効率にしかも低温で不純物スピンオングラス膜等の堆積被膜による半導体素材への不純物ドーピングを行うことを課題とする。
(1)ドーパント不純物を含む溶液と酸発生剤を混合させた溶液を用いて半導体素材上に堆積被膜を形成する工程、及び該ドーパント不純物を半導体素材に拡散させる工程を含む不純物のドーピング方法。
(2)上記酸発生剤は、光酸発生剤であることを特徴とする(1)に記載の不純物のドーピング方法。
(3)上記堆積被膜に光照射する工程を含むことを特徴とする(2)に記載の不純物のドーピング方法。
(4)上記堆積被膜にレーザー照射する工程を含むことを特徴とする(2)に記載の不純物のドーピング方法。
(5)上記堆積被膜は、スピンオン堆積膜であることを特徴とする(1)乃至(4)のいずれかに記載の不純物のドーピング方法。
(6)上記半導体素材は、半導体基体、絶縁基体上又は絶縁層上に形成した半導体膜あるいは有機半導体膜であることを特徴とする(1)乃至(4)のいずれかに記載の不純物のドーピング方法。
(7)上記ドーパント不純物を半導体素材に拡散させる工程は、熱処理を加える工程を含むことを特徴とする(1)乃至(6)のいずれかに記載の不純物のドーピング方法。
(8)上記熱処理は、エネルギービームを用いて行うことを特徴とする(7)に記載の不純物のドーピング方法。
(9)上記エネルギービームは、レーザービーム、電子線ビーム、マイクロ波照射、赤外線照射、可視光照射、紫外光照射であることを特徴とする(8)に記載の不純物のドーピング方法。
(10)(1)乃至(9)のいずれかに記載のドーピング方法を用いた半導体装置の製造方法。
図1を参照すると、まず半導体素材を有する基体上にドーパント不純物と光酸発生剤を含む光活性不純物スピンオングラス(SOG)膜を成膜する。次にこれに光照射を行うと光酸発生剤より酸(H+)が発生し、この効果によりドーパント不純物がイオン化する。これを熱処理することによりドーパント不純物イオンは半導体素材を有する基体に容易に拡散し、基体への不純物ドーピングを行うことができる。
次にドーパント不純物と光酸発生剤を含む光活性不純物SOG溶液を全面にスピンコートし、ポストベークして光活性不純物SOG膜を形成する。(B)
次に光活性不純物SOG膜に紫外光8を照射して、堆積被膜中の光酸発生剤から発生する酸(H+)によりドーパント不純物をイオン化する。(C)
次にエネルギービーム9を照射してドーパント不純物をシリコン膜3中に拡散させソース領域10、ドレイン領域11を形成する。(D)
最後に光活性不純物SOG膜を除去してシリコン薄膜トランジスタが完成する。(E)
ドーパント不純物がリンや砒素のときはNチャンネル薄膜トランジスタが得られ、ホウ素のときはPチャンネル薄膜トランジスタが得られる。
またドーパント不純物を半導体素材に拡散させるためにエネルギービームを使用したが、単に加熱手段による熱処理でもよい。
2 バッファ膜
3 シリコン膜
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6 光活性不純物SOG溶液
7 光活性不純物SOG膜
8 紫外光
9 エネルギービーム
10 ソース領域
11 ドレイン領域
Claims (10)
- ドーパント不純物を含む溶液と酸発生剤を混合させた溶液を用いて半導体素材上に堆積被膜を形成する工程、及び該ドーパント不純物を半導体素材に拡散させる工程を含む不純物のドーピング方法。
- 上記酸発生剤は、光酸発生剤であることを特徴とする請求項1に記載の不純物のドーピング方法。
- 上記堆積被膜に光照射する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の不純物のドーピング方法。
- 上記堆積被膜にレーザー照射する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の不純物のドーピング方法。
- 上記堆積被膜は、スピンオン堆積膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の不純物のドーピング方法。
- 上記半導体素材は、半導体基体、絶縁基体上又は絶縁層上に形成した半導体膜あるいは有機半導体膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の不純物のドーピング方法。
- 上記ドーパント不純物を半導体素材に拡散させる工程は、熱処理を加える工程を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の不純物のドーピング方法。
- 上記熱処理は、エネルギービームを用いて行うことを特徴とする請求項7に記載の不純物のドーピング方法。
- 上記エネルギービームは、レーザービーム、電子線ビーム、マイクロ波照射、赤外線照射、可視光照射、紫外光照射であることを特徴とする請求項8に記載の不純物のドーピング方法。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のドーピング方法を用いた半導体装置の製造方法。
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2007
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