JPS6151913A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6151913A JPS6151913A JP17463884A JP17463884A JPS6151913A JP S6151913 A JPS6151913 A JP S6151913A JP 17463884 A JP17463884 A JP 17463884A JP 17463884 A JP17463884 A JP 17463884A JP S6151913 A JPS6151913 A JP S6151913A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
- H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に係り、均一な不純物拡
散方法に関する。
散方法に関する。
（従来の技術）
半導体装置の製造方法において、拡散すべき不純物を含
有させたガラス膜を酸化物拡散マスク上に形成して選択
拡散するプロセスが多用されている。この拡散方法は、
第３図に示した断面図に見られる様にシリコン基板ｌ上
にシリコン酸化物による拡散マスク２を介して、拡散さ
せる不純物を含有する液体状の７リケートガラス膜３を
スピンコード法等により均一に塗布した後、加熱してシ
リケートガラス膜３中の不純物をシリコン基板１に拡散
する方法がとられていた。
有させたガラス膜を酸化物拡散マスク上に形成して選択
拡散するプロセスが多用されている。この拡散方法は、
第３図に示した断面図に見られる様にシリコン基板ｌ上
にシリコン酸化物による拡散マスク２を介して、拡散さ
せる不純物を含有する液体状の７リケートガラス膜３を
スピンコード法等により均一に塗布した後、加熱してシ
リケートガラス膜３中の不純物をシリコン基板１に拡散
する方法がとられていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、上述した方法では第４図に示す様にシリケート
ガラス膜３の厚さがシリコン酸化膜２のバターニングて
れた側面近くでは厚く、パターニングされた側面より離
れた位置では薄くなり、この様に不均一な厚さで塗布さ
れたシリケートガラス膜３を熱処理すると第４図に示す
様に不純物が拡散された拡散層の深さはシリコン酸化膜
２０ノくター二／グ窟れた側面近くでは深く、バターニ
ングされた側面より離れた位置では浅くなシ、形成され
る拡散層の深さが一定にならない不都合を生じる。
ガラス膜３の厚さがシリコン酸化膜２のバターニングて
れた側面近くでは厚く、パターニングされた側面より離
れた位置では薄くなり、この様に不均一な厚さで塗布さ
れたシリケートガラス膜３を熱処理すると第４図に示す
様に不純物が拡散された拡散層の深さはシリコン酸化膜
２０ノくター二／グ窟れた側面近くでは深く、バターニ
ングされた側面より離れた位置では浅くなシ、形成され
る拡散層の深さが一定にならない不都合を生じる。
本発明の目的は、上述した様な欠点を除去し、所望拡散
領域に均一に不純物を拡散する方法を提供することにあ
る。
領域に均一に不純物を拡散する方法を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、半導体基板上に所望の不純物を含有す
る７リケートガラス膜を被着し、このシリケートガラス
膜をパターニングした後に不純物を含まないシリケート
ガラス膜をスピンオンコート法によシ全面に被着し、そ
の後熱処理することによって不純物を半導体基板に導入
する半導体装置の製造方法を得る。
る７リケートガラス膜を被着し、このシリケートガラス
膜をパターニングした後に不純物を含まないシリケート
ガラス膜をスピンオンコート法によシ全面に被着し、そ
の後熱処理することによって不純物を半導体基板に導入
する半導体装置の製造方法を得る。
（実施例）
以下、図面を参照し本発明をより詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の一工程を示す断面図で、第２図は本発明の一実施例に
よって製造した半導体装置を示す断面図である。
の一工程を示す断面図で、第２図は本発明の一実施例に
よって製造した半導体装置を示す断面図である。
第１図に示す様に、比抵抗が１０から２０Ωｃｍ程度の
ｐ型シリコン奔板１の表面に不純物を含有するシリケー
トガラス膜をスピンオンコート法ニより付着し、次に写
真触刻を用いて所定パターンの不純物含有シリケートガ
ラス膜３を得る。不純物としては砒素を用いた。その後
第２図に示す様に不純物を含有しないシリケートガラス
膜５をスピンオンコート法により基板１上及びパターニ
ングされたシリケートガラス膜３上に全面に形成する。
ｐ型シリコン奔板１の表面に不純物を含有するシリケー
トガラス膜をスピンオンコート法ニより付着し、次に写
真触刻を用いて所定パターンの不純物含有シリケートガ
ラス膜３を得る。不純物としては砒素を用いた。その後
第２図に示す様に不純物を含有しないシリケートガラス
膜５をスピンオンコート法により基板１上及びパターニ
ングされたシリケートガラス膜３上に全面に形成する。
この様にして２層の７リケートガラス膜３゜５を形成し
た後、全体を熱処理するとシリコン基板１中に均一に不
純物が拡散される。不純物を含有するシリケートガラス
膜３を不純物を含有しないシリケートガラス膜５で被す
しているので、熱処理により不純物原子が蒸発し、他の
部分オートドープすることが防がれ、得られた不純物濃
度は所定の値に近いものとなり、拡散深さも高精度にで
きる。
た後、全体を熱処理するとシリコン基板１中に均一に不
純物が拡散される。不純物を含有するシリケートガラス
膜３を不純物を含有しないシリケートガラス膜５で被す
しているので、熱処理により不純物原子が蒸発し、他の
部分オートドープすることが防がれ、得られた不純物濃
度は所定の値に近いものとなり、拡散深さも高精度にで
きる。
（発明の効果）
以上述べた様に、本発明の方法によれば拡散層が精度良
く所定の寸法に形成されるので、半導体装置の特性が向
上し高信頼度の半導体装置を得られる利点がある。
く所定の寸法に形成されるので、半導体装置の特性が向
上し高信頼度の半導体装置を得られる利点がある。
また本実施例の他にシリケートガラス膜に含有する不純
物は、アンチモン、ボ冒ン、リンの化合物でもよい。
物は、アンチモン、ボ冒ン、リンの化合物でもよい。
第１図及び第２図は本発明の一実施例による半導体装置
の製造方法の工程を示す断面図、第３図及び第４図は従
来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。 １・・・・・°シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・不純物を含有したシリケートガ
ラス膜、４・・・・・・拡散層、５・・・・・・不純物
を含肩しないシリケートガラス膜。
の製造方法の工程を示す断面図、第３図及び第４図は従
来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。 １・・・・・°シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・不純物を含有したシリケートガ
ラス膜、４・・・・・・拡散層、５・・・・・・不純物
を含肩しないシリケートガラス膜。
Claims (1)
- 半導体基板に所定パターンの半導体素子形成用不純物を
導入する工程を有する半導体装置の製造方法において、
あらかじめ半導体基板上に所定パターンの半導体素子形
成用不純物を含有するシリケートガラス膜を被着した後
、該半導体基板上及び前記不純物含有シリケートガラス
膜上に不純物を含有しないシリケートガラス膜を被着し
、その後全体を熱処理する工程を含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463884A JPS6151913A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463884A JPS6151913A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151913A true JPS6151913A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15982086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17463884A Pending JPS6151913A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151913A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271476U (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-31 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17463884A patent/JPS6151913A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271476U (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-31 |
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