JPH01194416A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01194416A JPH01194416A JP2010588A JP2010588A JPH01194416A JP H01194416 A JPH01194416 A JP H01194416A JP 2010588 A JP2010588 A JP 2010588A JP 2010588 A JP2010588 A JP 2010588A JP H01194416 A JPH01194416 A JP H01194416A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明:ま半導体装置の製造方法に関し、特に回転塗
布法(SPIN−ON法)を用いてウェハ表面に拡散源
を形成する半導体装置の製造方法に関するものである。
布法(SPIN−ON法)を用いてウェハ表面に拡散源
を形成する半導体装置の製造方法に関するものである。
(ロ)従来の技術
一般に、この種の方法は、例えばP型Si基板上に回転
塗布させた塗布液をベークしてなる、いわゆる5PIN
−ON−GLASS (以下、SOGと称す)を用いて
N0拡散領域を形成し、バイポーラICを作成するのに
採用されている。
塗布させた塗布液をベークしてなる、いわゆる5PIN
−ON−GLASS (以下、SOGと称す)を用いて
N0拡散領域を形成し、バイポーラICを作成するのに
採用されている。
すなわち、第2図に示す半導体装置の断面図において、
P型Si基板lは、その上に所定の温度、時間にて酸化
して拡散マスクとなる5ift膜(酸化膜)2を形成し
、その後所定のパターンによりSin、膜2のホトエツ
チングをおこなってN゛拡教領域となる部分が露出され
、これらの全面にドープ用のアンチモン(sb)とシラ
ノール(Siなどからなる)を含有したアルコール液(
塗布液)を回転塗布した後ベーク等の処理をおこなって
S。
P型Si基板lは、その上に所定の温度、時間にて酸化
して拡散マスクとなる5ift膜(酸化膜)2を形成し
、その後所定のパターンによりSin、膜2のホトエツ
チングをおこなってN゛拡教領域となる部分が露出され
、これらの全面にドープ用のアンチモン(sb)とシラ
ノール(Siなどからなる)を含有したアルコール液(
塗布液)を回転塗布した後ベーク等の処理をおこなって
S。
G3が形成され、さらに所定の温度、時間にてドライブ
インをおこないSi基板(1)の表面にN′拡散領域(
図示せず)が形成されている。
インをおこないSi基板(1)の表面にN′拡散領域(
図示せず)が形成されている。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかるに、上記のような拡散工程においては、Si基1
ffl上の5ift膜パターンの段差部4のエッヂ2a
では液溜りが発生して池の領域における塗布厚よりも厚
くなり、St基板l上に5OG3が均一に塗布されない
から、5OG3の膜厚にバラツキが生じて均一な深さお
よび濃度を有する拡散領域を形成することが難しい。ま
た段差部4ではsbが異状に拡散してパターンエツジ2
aに結晶欠陥を招くおそれがある。
ffl上の5ift膜パターンの段差部4のエッヂ2a
では液溜りが発生して池の領域における塗布厚よりも厚
くなり、St基板l上に5OG3が均一に塗布されない
から、5OG3の膜厚にバラツキが生じて均一な深さお
よび濃度を有する拡散領域を形成することが難しい。ま
た段差部4ではsbが異状に拡散してパターンエツジ2
aに結晶欠陥を招くおそれがある。
この発明は、塗布膜厚のバラツキを抑えて半導体基板上
に均一な膜厚のSOGを形成できる半導体装置の製造方
法を提供することを目的の一つとするものである。
に均一な膜厚のSOGを形成できる半導体装置の製造方
法を提供することを目的の一つとするものである。
(ニ)課題を解決するための手段
この発明は上記課題を解決すべくなされたもので、第1
導電型の半導体基板上の全面に酸化膜を形成し、この酸
化膜を所定のパターンによりエツチングした後、上記酸
化、膜およびエツチング部分を含めた全面に第1塗布液
を回転塗布し、熱処理することなく拡散層形成に必要な
添加物を含有する第2塗布液を回転塗布し、次いで所定
の温度と時間でベーク・ドライブインの熱処理をそれぞ
れ段階的におこない、それによって上記添加物を第1導
電型の半導体基板に選択拡散して第2導電型の拡散領域
を形成さす半導体装置の製造方法を構成したものである
。
導電型の半導体基板上の全面に酸化膜を形成し、この酸
化膜を所定のパターンによりエツチングした後、上記酸
化、膜およびエツチング部分を含めた全面に第1塗布液
を回転塗布し、熱処理することなく拡散層形成に必要な
添加物を含有する第2塗布液を回転塗布し、次いで所定
の温度と時間でベーク・ドライブインの熱処理をそれぞ
れ段階的におこない、それによって上記添加物を第1導
電型の半導体基板に選択拡散して第2導電型の拡散領域
を形成さす半導体装置の製造方法を構成したものである
。
すなわち、この発明は、第1導電型の半導体基板上に、
酸化膜を形成するとともに、第2導電型の拡散領域とな
る部分を露出させ、その後、回転塗布法によりノンドー
プの第1塗布液を回転塗布し、熱処理なしで続いて上記
添加物を含有した第2塗布液を回転塗布して所定の熱処
理をおこなうようにしたものである。
酸化膜を形成するとともに、第2導電型の拡散領域とな
る部分を露出させ、その後、回転塗布法によりノンドー
プの第1塗布液を回転塗布し、熱処理なしで続いて上記
添加物を含有した第2塗布液を回転塗布して所定の熱処
理をおこなうようにしたものである。
この発明における第1塗布液としては、アルコールとシ
ラノールからなる混合液が好ましいものとして挙げられ
る。そして、この混合液はシラノール濃度のうすい(粘
度の低い)ものを用いるほど酸化膜のエツジにて形成さ
れる段差部と段差部以外の平面部での塗布厚差が大きく
なり、これにより第2塗布液の塗布厚の均一性を向上で
きる。
ラノールからなる混合液が好ましいものとして挙げられ
る。そして、この混合液はシラノール濃度のうすい(粘
度の低い)ものを用いるほど酸化膜のエツジにて形成さ
れる段差部と段差部以外の平面部での塗布厚差が大きく
なり、これにより第2塗布液の塗布厚の均一性を向上で
きる。
具体的には、粘度の低い混合液は混合されるシラノール
の重量パーセントが0.5〜3%、好ましくは1%以下
に設定されるものであり、これにより段差部において5
00〜2000人の膜厚を有する塗布液が形成され、好
ましくは、1000Å以上のものが形成され、また段差
部以外の平面部においては100〜200人の膜厚のも
のが形成され、この際、第2塗布液の塗布厚は400〜
500人に形成され、好ましくは450人に形成されう
る。
の重量パーセントが0.5〜3%、好ましくは1%以下
に設定されるものであり、これにより段差部において5
00〜2000人の膜厚を有する塗布液が形成され、好
ましくは、1000Å以上のものが形成され、また段差
部以外の平面部においては100〜200人の膜厚のも
のが形成され、この際、第2塗布液の塗布厚は400〜
500人に形成され、好ましくは450人に形成されう
る。
この発明のおける第2塗布液としては、添加物を有する
アルコールとシラノールからなる混合液が挙げられ、混
合されるシラノールは重量パーセントで2〜4%が好ま
しく、3%がより好ましい。
アルコールとシラノールからなる混合液が挙げられ、混
合されるシラノールは重量パーセントで2〜4%が好ま
しく、3%がより好ましい。
拡散層形成に必要な添加物(不純物)としては、アンチ
モン(Sb)、ひ素(As)などの5価の金属やガリウ
ム(Ga)、はう素(B)、インジウム(In)、A1
2な、どの■価の金属が好ましいものとして挙げられる
。
モン(Sb)、ひ素(As)などの5価の金属やガリウ
ム(Ga)、はう素(B)、インジウム(In)、A1
2な、どの■価の金属が好ましいものとして挙げられる
。
この発明の熱処理は、所定の温度と時間を設定して段階
的におこなわれる。たとえば、当初は比較的低温(15
0〜250℃が好ましく、約2(10℃がより好ましい
)下で約30分程度おこない、次いで中程度の加熱(5
00〜700℃が好ましく、約600°Cがより好まし
い)下で約30分、最後に高温(ltoo〜1300°
Cが好ましく、約1200℃がより好ましい)下で約5
00分おこなわれる。これによって第1および第2塗布
液の焼成(ベーク)がおこなわれそれぞれ第1および第
2SOGが形成されるとともに、第2塗布液中の添加物
の第1導電型の半導体基板へのドライブインがおこわれ
、第2導電型の拡散領域の形成が行われる。
的におこなわれる。たとえば、当初は比較的低温(15
0〜250℃が好ましく、約2(10℃がより好ましい
)下で約30分程度おこない、次いで中程度の加熱(5
00〜700℃が好ましく、約600°Cがより好まし
い)下で約30分、最後に高温(ltoo〜1300°
Cが好ましく、約1200℃がより好ましい)下で約5
00分おこなわれる。これによって第1および第2塗布
液の焼成(ベーク)がおこなわれそれぞれ第1および第
2SOGが形成されるとともに、第2塗布液中の添加物
の第1導電型の半導体基板へのドライブインがおこわれ
、第2導電型の拡散領域の形成が行われる。
そして、拡散領域としては、上記添加物、例えばsbの
ドープ量として1×10+9〜LX 10”am−’を
有するものが好ましく 、5x 10”cm−’がより
好ましいものが形成される。
ドープ量として1×10+9〜LX 10”am−’を
有するものが好ましく 、5x 10”cm−’がより
好ましいものが形成される。
(ホ)作用
第1導電型の半導体基板上に、酸化膜を形成するととも
に、第2導電型の拡散領域となる部分を露出し、その後
、ノンドープの第1塗布液を回転塗布し、熱処理なしで
続いて、添加物を含有した第2塗布液を回転塗布して所
定の熱処理およびドライブインをおこなうようにしたこ
とから、酸化膜のエツジと露出された上記半導体基板と
の界面における段差部では第1塗布液の塗布厚がこの段
差部以外の平面部より厚く形成される。従って、第2塗
布液を回転塗布しても上記段差部には第1塗布液が厚く
形成されて傾斜が緩かになっており、第2塗布液の液溜
りは発生しない。しかも第2塗布液は均一な塗布厚を有
するよう形成される。そして、第2塗布液の塗布後熱処
理によって第1および第2塗布液それぞれに対応する第
1および第2SOGが形成され、さらにドライブインに
より添加物が上記半導体基板上に移動されて均一な深さ
および濃度の拡散領域か形成される。
に、第2導電型の拡散領域となる部分を露出し、その後
、ノンドープの第1塗布液を回転塗布し、熱処理なしで
続いて、添加物を含有した第2塗布液を回転塗布して所
定の熱処理およびドライブインをおこなうようにしたこ
とから、酸化膜のエツジと露出された上記半導体基板と
の界面における段差部では第1塗布液の塗布厚がこの段
差部以外の平面部より厚く形成される。従って、第2塗
布液を回転塗布しても上記段差部には第1塗布液が厚く
形成されて傾斜が緩かになっており、第2塗布液の液溜
りは発生しない。しかも第2塗布液は均一な塗布厚を有
するよう形成される。そして、第2塗布液の塗布後熱処
理によって第1および第2塗布液それぞれに対応する第
1および第2SOGが形成され、さらにドライブインに
より添加物が上記半導体基板上に移動されて均一な深さ
および濃度の拡散領域か形成される。
(へ)実施例
以下図に示す実施例にもとづいてこめ発明を詳述する。
なお、これによってこの発明は限定を受けるものではな
い。
い。
第1図において、P型St基板11上に5ift膜12
を設け、これを所定のパターンによって公知の技術によ
るホトエツチングを行い、N゛拡散領域16となる部分
のSj基板l】を露出させる[第1図(a)参照コ。次
に、Si基板ll上の全面にシラノールを混合したアル
コール液からなる塗布液13を回転塗布する[第1図(
b)参照]。この際、塗布液13はシラノール含有率の
低い、例えば1%のものを用い、平面部で薄< (20
0人)、酸化膜12のエツジ12aにて形成される段差
部17で厚い(1000,入)塗布厚を有する。次にベ
ーク等の処理を行なわず続いてドープ用のsbとシラノ
ールを含有した、シラノールの重量%が3%のアルコー
ル液(第2塗布液)を回転塗布する。
を設け、これを所定のパターンによって公知の技術によ
るホトエツチングを行い、N゛拡散領域16となる部分
のSj基板l】を露出させる[第1図(a)参照コ。次
に、Si基板ll上の全面にシラノールを混合したアル
コール液からなる塗布液13を回転塗布する[第1図(
b)参照]。この際、塗布液13はシラノール含有率の
低い、例えば1%のものを用い、平面部で薄< (20
0人)、酸化膜12のエツジ12aにて形成される段差
部17で厚い(1000,入)塗布厚を有する。次にベ
ーク等の処理を行なわず続いてドープ用のsbとシラノ
ールを含有した、シラノールの重量%が3%のアルコー
ル液(第2塗布液)を回転塗布する。
その後、ベークおよびドライブインを段階的におこなう
。すなわち、(1)P型St基板11を、まずオーブン
等にて比較的低温度にベータする。
。すなわち、(1)P型St基板11を、まずオーブン
等にて比較的低温度にベータする。
その温度は約200℃で、ベーク時間は約30分である
。次に、(ii)拡散炉等にて比較的高温度にベークす
る。その温度は約600℃で、またベーク時間は30分
てあ、る。これにより、第1および第2塗布液それぞれ
に対応する第1および第2SOGI4および15が形成
される[第1図(C)参照コ。その後、(iii)拡散
炉の中で約900℃から徐々にヒーティングアップして
1200℃にてsbを拡散させる。
。次に、(ii)拡散炉等にて比較的高温度にベークす
る。その温度は約600℃で、またベーク時間は30分
てあ、る。これにより、第1および第2塗布液それぞれ
に対応する第1および第2SOGI4および15が形成
される[第1図(C)参照コ。その後、(iii)拡散
炉の中で約900℃から徐々にヒーティングアップして
1200℃にてsbを拡散させる。
これにより、sbをSi基板Itに拡散して均一なドー
プ量5x 1G”am−’、深さ5ura人を有するN
0拡散領域16を形成[第1図(d)参照コできる。
プ量5x 1G”am−’、深さ5ura人を有するN
0拡散領域16を形成[第1図(d)参照コできる。
このように本実施例によれば、第1および第2SOG1
4および15の二重塗布法を用いたので、パターンエツ
ジ12aでの第2塗布液の液溜り現象を防止でき、第2
塗布液の塗布厚をバラツキなく均一にできる。
4および15の二重塗布法を用いたので、パターンエツ
ジ12aでの第2塗布液の液溜り現象を防止でき、第2
塗布液の塗布厚をバラツキなく均一にできる。
また、sbも均一に拡散してパターンエツジ12aの結
品欠陥を防止できる。
品欠陥を防止できる。
なお、本、実施例では、Si基板をP型に、かつ拡散層
をN゛型にしたものを示したが、Si基板および拡散層
をそれぞれ逆導電型にしhものでも良い。さらに、本方
法はバイポーラICの作成工程に限らずMO5ICの作
成工程にも適用でき、一般にモノリシックICの作成に
おける拡散工程に適用できるものである。
をN゛型にしたものを示したが、Si基板および拡散層
をそれぞれ逆導電型にしhものでも良い。さらに、本方
法はバイポーラICの作成工程に限らずMO5ICの作
成工程にも適用でき、一般にモノリシックICの作成に
おける拡散工程に適用できるものである。
(ト)発明の効果
この発明によれば、第1導電型の半導体基板上に、酸化
膜を形成するとともに、第2導電型の拡散領域となる部
分を露出し、その後、ノンドープの第1塗布液を回転塗
布し、熱処理なしで続いて、添加物を含有した第2塗布
液を回転塗布して所定のベークおよびドライブインをお
こなうようにし −たので、酸化膜のパターンエツジに
おける、添加物を含有する第2塗布液の液溜りを防止で
きるとともに、第2塗布液の塗布厚をバラツキなく均一
にでき、これにより均一な深さおよび濃度を有し、かつ
欠陥のない拡散領域を形成できる効果がある。
膜を形成するとともに、第2導電型の拡散領域となる部
分を露出し、その後、ノンドープの第1塗布液を回転塗
布し、熱処理なしで続いて、添加物を含有した第2塗布
液を回転塗布して所定のベークおよびドライブインをお
こなうようにし −たので、酸化膜のパターンエツジに
おける、添加物を含有する第2塗布液の液溜りを防止で
きるとともに、第2塗布液の塗布厚をバラツキなく均一
にでき、これにより均一な深さおよび濃度を有し、かつ
欠陥のない拡散領域を形成できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を説明するための製造工程
説明図、第2図は従来例の製造工程を説明するための構
成説明図である。 11・・・・・・P型S+基板、 12・・・・・・5in2膜、 121・・・・・
・エツジ、13・・・・・・ノンドープの第1塗布液、
14・・・・・・第1SOG115・・・・・・第2S
OG。 l6・・・・・・N゛拡散領域。 m−11 〜11 一−1
説明図、第2図は従来例の製造工程を説明するための構
成説明図である。 11・・・・・・P型S+基板、 12・・・・・・5in2膜、 121・・・・・
・エツジ、13・・・・・・ノンドープの第1塗布液、
14・・・・・・第1SOG115・・・・・・第2S
OG。 l6・・・・・・N゛拡散領域。 m−11 〜11 一−1
Claims (1)
- 1、第1導電型の半導体基板上の全面に酸化膜を形成し
、この酸化膜を所定のパターンによりエッチングした後
、上記酸化膜およびエッチング部分を含めた全面に第1
塗布液を回転塗布し、熱処理することなく拡散層形成に
必要な添加物を含有する第2塗布液を回転塗布し、次い
で所定の温度と時間でベーク・ドライブインの熱処理を
それぞれ段階的におこない、それによって上記添加物を
第1導電型の半導体基板に選択拡散して第2導電型の拡
散領域を形成さす半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010588A JPH01194416A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010588A JPH01194416A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01194416A true JPH01194416A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=12017831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010588A Pending JPH01194416A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01194416A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5308790A (en) * | 1992-10-16 | 1994-05-03 | Ncr Corporation | Selective sidewall diffusion process using doped SOG |
US5312512A (en) * | 1992-10-23 | 1994-05-17 | Ncr Corporation | Global planarization using SOG and CMP |
US5322805A (en) * | 1992-10-16 | 1994-06-21 | Ncr Corporation | Method for forming a bipolar emitter using doped SOG |
US5340770A (en) * | 1992-10-23 | 1994-08-23 | Ncr Corporation | Method of making a shallow junction by using first and second SOG layers |
JP2008114195A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 平坦化塗布方法 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP2010588A patent/JPH01194416A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5308790A (en) * | 1992-10-16 | 1994-05-03 | Ncr Corporation | Selective sidewall diffusion process using doped SOG |
US5322805A (en) * | 1992-10-16 | 1994-06-21 | Ncr Corporation | Method for forming a bipolar emitter using doped SOG |
US5312512A (en) * | 1992-10-23 | 1994-05-17 | Ncr Corporation | Global planarization using SOG and CMP |
US5340770A (en) * | 1992-10-23 | 1994-08-23 | Ncr Corporation | Method of making a shallow junction by using first and second SOG layers |
JP2008114195A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 平坦化塗布方法 |
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