JPS63133673A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63133673A JPS63133673A JP28154886A JP28154886A JPS63133673A JP S63133673 A JPS63133673 A JP S63133673A JP 28154886 A JP28154886 A JP 28154886A JP 28154886 A JP28154886 A JP 28154886A JP S63133673 A JPS63133673 A JP S63133673A
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- oxygen
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置、特に５ｏｌ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上に形成する？ＩＯ５Ｉ−ラ
ンジスタの製造方法に関する。
ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上に形成する？ＩＯ５Ｉ−ラ
ンジスタの製造方法に関する。
本発明は、ＳＯＩ基板に形成するＭＯＳ トランジスタ
の製造方法であり、トランジスタのゲート電極形成後に
酸素雰囲気中で熱処理することにより、ゲート酸化膜の
絶縁破壊を修復することができるようにしたものである
。
の製造方法であり、トランジスタのゲート電極形成後に
酸素雰囲気中で熱処理することにより、ゲート酸化膜の
絶縁破壊を修復することができるようにしたものである
。
例えば石英より成る絶縁基板上に形成された単結晶Ｓｉ
層（又は多結晶Ｓｉ層）に薄膜ＭＯ５ｌ−ランジスクを
作製することが提案されている。
層（又は多結晶Ｓｉ層）に薄膜ＭＯ５ｌ−ランジスクを
作製することが提案されている。
上述した薄膜ＭＯ５）ランジスクを作製する工程におい
て、ゲート電極のパターニング時、イオン注入時、レジ
スｌ−［を剥離するための０□７５．シャの際などでゲ
ート酸化膜の中及びその側面にピンホールのような欠陥
が生じ、ゲートとソース、ドレイン間にリークが生じる
場合があった。このようなゲート酸化膜の絶縁破壊を防
ぐために、例えばイオン注入時に帯電防止を行うなどの
対策が採られているが、充分な効果が得られないことも
あった。
て、ゲート電極のパターニング時、イオン注入時、レジ
スｌ−［を剥離するための０□７５．シャの際などでゲ
ート酸化膜の中及びその側面にピンホールのような欠陥
が生じ、ゲートとソース、ドレイン間にリークが生じる
場合があった。このようなゲート酸化膜の絶縁破壊を防
ぐために、例えばイオン注入時に帯電防止を行うなどの
対策が採られているが、充分な効果が得られないことも
あった。
本発明は、上記問題点を解決することができる半導体装
置の製造方法を提供するものである。
置の製造方法を提供するものである。
本発明は、絶縁基板（１）上に形成された半導体層（２
）にＭＯＳ トランジスタ（７）が形成されて成る半導
体装置の製造方法において、ＭＯＳ ｌ−ランジスタ
（７）のゲート電極（４）形成後に少くともゲート酸化
膜（３）を酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする
。
）にＭＯＳ トランジスタ（７）が形成されて成る半導
体装置の製造方法において、ＭＯＳ ｌ−ランジスタ
（７）のゲート電極（４）形成後に少くともゲート酸化
膜（３）を酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする
。
上記熱処理は、ゲート電極（４）形成後、ゲート酸化膜
（３）に絶縁破壊が生じ易い複数の工程の中、最後の工
程で行うのが好ましい。
（３）に絶縁破壊が生じ易い複数の工程の中、最後の工
程で行うのが好ましい。
本発明によれば、ゲート酸化膜（３）に対して酸素雰囲
気中で熱処理を施すことにより、酸素が絶縁破壊された
ゲート酸化膜（３）を再び酸化してゲート酸化膜（３）
を元通りに修復することが可能になる。
気中で熱処理を施すことにより、酸素が絶縁破壊された
ゲート酸化膜（３）を再び酸化してゲート酸化膜（３）
を元通りに修復することが可能になる。
第１図〜第３図を参照して本発明の詳細な説明する。
本実施例においては、石英基板ｆｌＪ上に多結晶Ｓｉ（
又は単結晶Ｓｉ） 層（２１を形成し、ゲート酸化膜（
３）と多結晶Ｓｉのゲート電極（４）を形成した後、リ
ンＰのイオン注入によってソース領域（５）とドレイン
領域（６）を形成して薄膜ＭＯ３！−ランジスタ（７）
を作製する。そして、この後基板（１）を乾燥した酸素
雰囲気中に置き、９００℃の温度で約２０分間熱処理を
施す。
又は単結晶Ｓｉ） 層（２１を形成し、ゲート酸化膜（
３）と多結晶Ｓｉのゲート電極（４）を形成した後、リ
ンＰのイオン注入によってソース領域（５）とドレイン
領域（６）を形成して薄膜ＭＯ３！−ランジスタ（７）
を作製する。そして、この後基板（１）を乾燥した酸素
雰囲気中に置き、９００℃の温度で約２０分間熱処理を
施す。
この後、窒素雰囲気中で１０００“Ｃ１約１０分間の条
件でアニールを廁す゛。
件でアニールを廁す゛。
上記工程において、酸素雰囲気中で熱処理を施すことに
よって、酸素はゲート酸化膜（３）の側面を再酸化する
だけではなく、矢印で示すようにゲート酸化膜（３）中
に直接入って拡散することにより、また石英基板（１）
を通ってゲート酸化膜（３）中に拡散して入ることによ
り、ゲート酸化膜（３）を再酸化する。なお、絶縁基板
（１）としては、このように０□が拡散し易い石英等を
使用するのが好ましい。このため、イオン注入も含めて
ゲートのパターニング、レジストの剥離等の工程におい
てゲート酸化膜（３）に絶縁破壊が生じている場合であ
っても、その破壊部分が修復されて、破壊前の特性を回
復することができる。
よって、酸素はゲート酸化膜（３）の側面を再酸化する
だけではなく、矢印で示すようにゲート酸化膜（３）中
に直接入って拡散することにより、また石英基板（１）
を通ってゲート酸化膜（３）中に拡散して入ることによ
り、ゲート酸化膜（３）を再酸化する。なお、絶縁基板
（１）としては、このように０□が拡散し易い石英等を
使用するのが好ましい。このため、イオン注入も含めて
ゲートのパターニング、レジストの剥離等の工程におい
てゲート酸化膜（３）に絶縁破壊が生じている場合であ
っても、その破壊部分が修復されて、破壊前の特性を回
復することができる。
本発明に係る工程によって、ソース領域とドレイン領域
を形成するためのイオン注入等の工程を行った後、ゲー
ト酸化膜に絶縁破壊が生じている場合であっても破壊部
分が再酸化されて修復されるため、ＭＯＳ ｌ−ラン
ジスタに絶縁破壊が起きるのを防止することができる。
を形成するためのイオン注入等の工程を行った後、ゲー
ト酸化膜に絶縁破壊が生じている場合であっても破壊部
分が再酸化されて修復されるため、ＭＯＳ ｌ−ラン
ジスタに絶縁破壊が起きるのを防止することができる。
第１図は実施例の平面図、第２図は第１図のＸ−ｘ’線
断面図、第３図は第１図のＹ−Ｙ ’線断面図である。 （１）は絶縁基板、（２）は多結晶Ｓｉ層、（３）はゲ
ート酸化膜、（４）はゲート電極、（５）はソース領域
、（６）はドレイン領域、（７）はＭＯＳ ｌ−ラン
ジスタである。
断面図、第３図は第１図のＹ−Ｙ ’線断面図である。 （１）は絶縁基板、（２）は多結晶Ｓｉ層、（３）はゲ
ート酸化膜、（４）はゲート電極、（５）はソース領域
、（６）はドレイン領域、（７）はＭＯＳ ｌ−ラン
ジスタである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁基板上に形成された半導体層にＭＯＳトランジス
タが形成されて成る半導体装置の製造方法において、 上記ＭＯＳトランジスタのゲート電極形成後に少くとも
ゲート酸化膜を酸素雰囲気中で熱処理することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28154886A JPS63133673A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28154886A JPS63133673A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133673A true JPS63133673A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17640714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28154886A Pending JPS63133673A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5758688A (en) * | 1993-12-20 | 1998-06-02 | Toto Ltd. | Automatic faucet |
| US6210997B1 (en) | 1993-07-27 | 2001-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP28154886A patent/JPS63133673A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210997B1 (en) | 1993-07-27 | 2001-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6465284B2 (en) | 1993-07-27 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US5758688A (en) * | 1993-12-20 | 1998-06-02 | Toto Ltd. | Automatic faucet |
| US5918855A (en) * | 1993-12-20 | 1999-07-06 | Toto Ltd. | Automatic faucet |
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