JPH08316167A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH08316167A JPH08316167A JP7148197A JP14819795A JPH08316167A JP H08316167 A JPH08316167 A JP H08316167A JP 7148197 A JP7148197 A JP 7148197A JP 14819795 A JP14819795 A JP 14819795A JP H08316167 A JPH08316167 A JP H08316167A
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- JP
- Japan
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- wafer
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- furnace
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高濃度イオン注入を行ったＳｉウェハーの高温
熱処理において、イオンの結晶欠陥を生じない半導体装
置の製造方法を提供する。 【構成】半導体基板の表面に高濃度のイオン注入を行っ
たウェハーを、高温処理する前に、まず、より低い温度
で一定時間熱処理するようにしたものである。
熱処理において、イオンの結晶欠陥を生じない半導体装
置の製造方法を提供する。 【構成】半導体基板の表面に高濃度のイオン注入を行っ
たウェハーを、高温処理する前に、まず、より低い温度
で一定時間熱処理するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に半導体基板へイオン注入、及び拡散する工
程を含む半導体装置の製造方法に関するものである。
に係り、特に半導体基板へイオン注入、及び拡散する工
程を含む半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の製造方法に
おける拡散工程では、図２に示される熱処理が行われて
いる。
おける拡散工程では、図２に示される熱処理が行われて
いる。
【０００３】先ず、半導体基板であるＳｉ（シリコン）
の表面に４〜５×１０15／ｃｍ2を超える高ドーズ量で
Ｂ（ボロン）のイオン注入を行った後、図中ａに示すよ
うに９００℃に温度設定がされた熱処理炉内のＮ2（窒
素）ガス雰囲気中にイオン注入したウェハーを挿入す
る。
の表面に４〜５×１０15／ｃｍ2を超える高ドーズ量で
Ｂ（ボロン）のイオン注入を行った後、図中ａに示すよ
うに９００℃に温度設定がされた熱処理炉内のＮ2（窒
素）ガス雰囲気中にイオン注入したウェハーを挿入す
る。
【０００４】炉内は、図中ｂに示されるように＋８℃／
ｍｉｎで昇温され、１１５０℃に達したら、ウェハー
は、例えばＯ2（酸素）ガス雰囲中に７０分間放置され
ることにより（図中ｃ）、Ｓｉ基板の表面に注入された
Ｂが深く拡散せしめられると共に、酸化膜が生成され
る。
ｍｉｎで昇温され、１１５０℃に達したら、ウェハー
は、例えばＯ2（酸素）ガス雰囲中に７０分間放置され
ることにより（図中ｃ）、Ｓｉ基板の表面に注入された
Ｂが深く拡散せしめられると共に、酸化膜が生成され
る。
【０００５】この後、図中ｄでは炉内は−３℃／ｍｉｎ
で降温され、図中ｅに示されるように炉内が再び９００
℃に下がると、ウェハーは炉から引き出される。
で降温され、図中ｅに示されるように炉内が再び９００
℃に下がると、ウェハーは炉から引き出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のように、４〜５×１０15／ｃｍ2を超える高ドー
ズ量でＢのイオン注入を行ったＳｉウェハーを１１２０
〜１１３０℃を超える高温で熱処理すると、Ｂの高濃度
欠陥という結晶欠陥が生じてしまい、良好な半導体装置
としての電気的特性を得ることができない、という問題
があった。
来例のように、４〜５×１０15／ｃｍ2を超える高ドー
ズ量でＢのイオン注入を行ったＳｉウェハーを１１２０
〜１１３０℃を超える高温で熱処理すると、Ｂの高濃度
欠陥という結晶欠陥が生じてしまい、良好な半導体装置
としての電気的特性を得ることができない、という問題
があった。
【０００７】また、上記のような結晶欠陥は熱処理に酸
化処理が含まれていない場合にも同様に生じてしまう。
化処理が含まれていない場合にも同様に生じてしまう。
【０００８】本発明の目的は、上記課題に鑑み、高濃度
イオンの注入を行ったＳｉウェハーの高温熱処理におい
て、イオンの結晶欠陥を生じない半導体装置の製造方法
を提供するにある。
イオンの注入を行ったＳｉウェハーの高温熱処理におい
て、イオンの結晶欠陥を生じない半導体装置の製造方法
を提供するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板の表面に
高濃度のＢイオン注入を行った後、高温処理する前に、
まず、より低い温度で一定時間熱処理するようにしたこ
とにより、達成される。
る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板の表面に
高濃度のＢイオン注入を行った後、高温処理する前に、
まず、より低い温度で一定時間熱処理するようにしたこ
とにより、達成される。
【００１０】
【作用】上記製造方法によれば、Ｂイオンの高濃度欠陥
という結晶欠陥を生じることがないので、良好な半導体
装置としての電気的特性を得ることができる。
という結晶欠陥を生じることがないので、良好な半導体
装置としての電気的特性を得ることができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明に係る半導体装置の製造方法に
ついて、図１に基づいて説明する。図中、図２と対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細な説明を省略す
る。
ついて、図１に基づいて説明する。図中、図２と対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細な説明を省略す
る。
【００１２】本実施例において、Ｓｉ基板の表面に４〜
５×１０5／ｃｍ2を超える高ドーズ量で予めＢが注入さ
れたウェハーを、図中ａで熱処理炉内の９００℃のＮ2
ガス雰囲気中に挿入し、図中ｂで示すように＋８℃／ｍ
ｉｎで昇温される。
５×１０5／ｃｍ2を超える高ドーズ量で予めＢが注入さ
れたウェハーを、図中ａで熱処理炉内の９００℃のＮ2
ガス雰囲気中に挿入し、図中ｂで示すように＋８℃／ｍ
ｉｎで昇温される。
【００１３】ここで炉内の温度が図中ｆに示すように１
１００℃に達したら、ウェハーは３０分放置される。
１００℃に達したら、ウェハーは３０分放置される。
【００１４】その後、再び炉内は＋８℃／ｍｉｎ で昇
温され、１１５０℃に達したら、例えばＯ２ ガス雰囲
気中にウェハーが７０分放置されることにより、Ｓｉ基
板中にＢが深く拡散せしめられると共に酸化膜が生成さ
れる。
温され、１１５０℃に達したら、例えばＯ２ ガス雰囲
気中にウェハーが７０分放置されることにより、Ｓｉ基
板中にＢが深く拡散せしめられると共に酸化膜が生成さ
れる。
【００１５】この後、従来と同様に図中ｄで炉内は降温
され、図中ｅでウェハーは炉から引き出される。
され、図中ｅでウェハーは炉から引き出される。
【００１６】尚、図１、２共に図中ｃでは１１５０℃と
したが、１１２０〜１１３０℃を超える温度ならば同様
の現象が生じ、本発明に係る実施例を示す図１中ｆでは
１１００℃としたが、１０００〜１１００℃の間ならば
同様の効果を得ることができる。
したが、１１２０〜１１３０℃を超える温度ならば同様
の現象が生じ、本発明に係る実施例を示す図１中ｆでは
１１００℃としたが、１０００〜１１００℃の間ならば
同様の効果を得ることができる。
【００１７】また、本発明に係る実施例では図１中ｃに
おいてＯ2ガス雰囲気中にて酸化処理を行ったが、酸化
処理をしない場合にも本発明が適用され、同様の効果を
得ることができる。
おいてＯ2ガス雰囲気中にて酸化処理を行ったが、酸化
処理をしない場合にも本発明が適用され、同様の効果を
得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、高温処理する前に、それより低
い温度で一定時間熱処理するだけでイオンの結晶欠陥が
生じず、良好な半導体装置としての電気的特性を得るこ
とができる。
置の製造方法によれば、高温処理する前に、それより低
い温度で一定時間熱処理するだけでイオンの結晶欠陥が
生じず、良好な半導体装置としての電気的特性を得るこ
とができる。
【図１】本発明に係る半導体製造における熱処理工程の
説明図である。
説明図である。
【図２】従来の半導体製造における熱処理工程の説明図
である。
である。
ａ 熱処理炉内挿入部 ｂ１，ｂ２ 昇温部 ｃ，ｆ 放置部 ｄ 降温部 ｅ 搬出部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に高濃度のボロンイオ
ン注入を行った後、高温処理する半導体装置の製造方法
において、 前記高温処理する前に、まず、前記高温より低い温度で
一定時間熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148197A JPH08316167A (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148197A JPH08316167A (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316167A true JPH08316167A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=15447436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7148197A Pending JPH08316167A (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316167A (ja) |
-
1995
- 1995-05-23 JP JP7148197A patent/JPH08316167A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |