JPH1167768A - 抵抗率が低いｎ型又はｐ型金属シリコンの製造方法 - Google Patents
抵抗率が低いｎ型又はｐ型金属シリコンの製造方法Info
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- JPH1167768A JPH1167768A JP9223304A JP22330497A JPH1167768A JP H1167768 A JPH1167768 A JP H1167768A JP 9223304 A JP9223304 A JP 9223304A JP 22330497 A JP22330497 A JP 22330497A JP H1167768 A JPH1167768 A JP H1167768A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０20〜１０22ｃｍ-3の高濃度にドーピング
したシリコン結晶を得る。 【解決手段】 シリコンに比較してイオン半径の大きい
元素Ｘ及びイオン半径の小さい元素ＹをＸ：Ｙ＝（１＋
α）又はＸ：Ｙ＝（１＋α）：１（１≦α≦５）の原子
割合でシリコン単結晶の成長雰囲気に添加し、シリコン
を１０20〜１０22ｃｍ-3の高濃度にドーピングする。こ
の方法は、引上げ成長法，エピタキシャル成長法又は選
択拡散法で実施される。 【効果】 同時ドーピングによりキャリア濃度を大幅に
高めることができ、配線として使用可能な低抵抗率をも
つ金属シリコンが得られる。
したシリコン結晶を得る。 【解決手段】 シリコンに比較してイオン半径の大きい
元素Ｘ及びイオン半径の小さい元素ＹをＸ：Ｙ＝（１＋
α）又はＸ：Ｙ＝（１＋α）：１（１≦α≦５）の原子
割合でシリコン単結晶の成長雰囲気に添加し、シリコン
を１０20〜１０22ｃｍ-3の高濃度にドーピングする。こ
の方法は、引上げ成長法，エピタキシャル成長法又は選
択拡散法で実施される。 【効果】 同時ドーピングによりキャリア濃度を大幅に
高めることができ、配線として使用可能な低抵抗率をも
つ金属シリコンが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ，超ＬＳＩ半導
体デバイス等の基板材料として使用される抵抗率が低い
金属シリコン単結晶を製造する方法に関する。
体デバイス等の基板材料として使用される抵抗率が低い
金属シリコン単結晶を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンは、ＬＳＩ，超ＬＳＩ半導体デ
バイス等の基板材料として使用されている。シリコンに
ｎ型ドーパントを添加するとキャリアが電子のｎ型半導
体が得られ、ｐ型ドーパントを添加するとキャリアがホ
ールのｐ型半導体が得られる。それぞれの物性を利用し
て、種々の機能をもつ半導体デバイスが作製される。作
製された半導体デバイス間に回路を構成する際、ｎ型又
はｐ型になったシリコンであっても依然として大きな抵
抗率を示すため、シリコン自体を配線に使用することが
できない。そこで、シリコン表面にＡｕやＡｌ等の金属
薄膜を蒸着等の手段によって形成し、この金属薄膜を配
線に使用している。
バイス等の基板材料として使用されている。シリコンに
ｎ型ドーパントを添加するとキャリアが電子のｎ型半導
体が得られ、ｐ型ドーパントを添加するとキャリアがホ
ールのｐ型半導体が得られる。それぞれの物性を利用し
て、種々の機能をもつ半導体デバイスが作製される。作
製された半導体デバイス間に回路を構成する際、ｎ型又
はｐ型になったシリコンであっても依然として大きな抵
抗率を示すため、シリコン自体を配線に使用することが
できない。そこで、シリコン表面にＡｕやＡｌ等の金属
薄膜を蒸着等の手段によって形成し、この金属薄膜を配
線に使用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】金属薄膜を配線に使用
する場合、超微細な配線ができず、半導体領域に拡散す
る金属原子が深い不純物電位を作りキャリアを不活性化
する等の制約が加わる。そのため、半導体デバイスの高
密度集積化には限度があり、高性能化，小型化に対する
要求が苛酷になって来ている最近の傾向に十分対応でき
ない。本発明は、このような要求に応えるべく案出され
たものであり、ｎ型及びｐ型の特性を与える元素でシリ
コンを同時にドーピングすることにより、従来よりも一
段と高い高濃度でドーピングされ、配線としても使用可
能な金属シリコン単結晶を得ることを目的とする。
する場合、超微細な配線ができず、半導体領域に拡散す
る金属原子が深い不純物電位を作りキャリアを不活性化
する等の制約が加わる。そのため、半導体デバイスの高
密度集積化には限度があり、高性能化，小型化に対する
要求が苛酷になって来ている最近の傾向に十分対応でき
ない。本発明は、このような要求に応えるべく案出され
たものであり、ｎ型及びｐ型の特性を与える元素でシリ
コンを同時にドーピングすることにより、従来よりも一
段と高い高濃度でドーピングされ、配線としても使用可
能な金属シリコン単結晶を得ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に従ったｎ型又は
ｐ型シリコンの製造方法は、その目的を達成するため、
シリコンに比較してイオン半径の大きい元素Ｘ及びイオ
ン半径の小さい元素ＹをＸ：Ｙ＝１：（１＋α）又は
Ｘ：Ｙ＝（１＋α）：１の原子割合でシリコン単結晶の
成長雰囲気に添加し、シリコンを１０20〜１０22ｃｍ-3
の高濃度にドーピングすることを特徴とする。この方法
は、引上げ成長法，エピタキシャル成長法，選択拡散法
の何れの方法でも実施可能である。引き上げ成長法で
は、Ｘ：Ｙ＝（１＋α）又はＸ：Ｙ＝（１＋α）：１の
原子割合でＸ及びＹを添加した融液を使用する。
ｐ型シリコンの製造方法は、その目的を達成するため、
シリコンに比較してイオン半径の大きい元素Ｘ及びイオ
ン半径の小さい元素ＹをＸ：Ｙ＝１：（１＋α）又は
Ｘ：Ｙ＝（１＋α）：１の原子割合でシリコン単結晶の
成長雰囲気に添加し、シリコンを１０20〜１０22ｃｍ-3
の高濃度にドーピングすることを特徴とする。この方法
は、引上げ成長法，エピタキシャル成長法，選択拡散法
の何れの方法でも実施可能である。引き上げ成長法で
は、Ｘ：Ｙ＝（１＋α）又はＸ：Ｙ＝（１＋α）：１の
原子割合でＸ及びＹを添加した融液を使用する。
【０００５】エピタキシャル成長法では、ＭＢＥ法，Ｍ
ＯＣＶＤ法等においてＸの分子状ビーム及びＹの分子状
ビームとＳｉの原子状ビームを同時に飛ばして成長させ
る。選択拡散法では、基板上に蒸着した元素Ｘ及びＹを
アニールにより拡散させ、元素Ｘ及びＹで同時ドーピン
グされた領域を形成する。イオン半径の大きい元素Ｘに
は、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂの１種又は２種以上が使用される。
イオン半径の小さい元素Ｙには、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ
の１種又は２種以上が使用される。以下の説明では、イ
オン半径の大きい元素ＸをＰで、イオン半径の小さい元
素ＹをＢで代表させて説明するが、他の元素を用いた場
合にも同様に高濃度ドーピングが可能である。
ＯＣＶＤ法等においてＸの分子状ビーム及びＹの分子状
ビームとＳｉの原子状ビームを同時に飛ばして成長させ
る。選択拡散法では、基板上に蒸着した元素Ｘ及びＹを
アニールにより拡散させ、元素Ｘ及びＹで同時ドーピン
グされた領域を形成する。イオン半径の大きい元素Ｘに
は、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂの１種又は２種以上が使用される。
イオン半径の小さい元素Ｙには、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ
の１種又は２種以上が使用される。以下の説明では、イ
オン半径の大きい元素ＸをＰで、イオン半径の小さい元
素ＹをＢで代表させて説明するが、他の元素を用いた場
合にも同様に高濃度ドーピングが可能である。
【０００６】
【作用】シリコンをＰ又はＢで単独ドーピングする従来
の方法では、１０19ｃｍ-3程度にしかドーピングできな
い。これ以上にＰ又はＢでドーピングしても、補償機構
によりキャリア濃度を増やすことができない。これは、
本来のＳｉ原子位置をＰ又はＢが置換しないためＳｉの
原子空孔やドープした原子が格子間位置に入ったドナー
が出現してキャリアの捕獲中心や補償が生じることによ
り、抵抗がそれ以上下がらなくなることに原因がある。
これに対し、Ｐ及びＢで同時ドーピングすると、１０20
ｃｍ-3を超える高濃度までドーピングすることが可能に
なることを見い出した。同時ドーピングによってキャリ
ア濃度が高くなる理由を本発明者等は次のように推察し
た。単独ドーピングでは、ドーパントの単独の電荷によ
る１／ｒ（ｒ：距離）に比例する長距離クーロン斥力に
よりキャリアが散乱する。これに対し、Ｐ及びＢの同時
ドーピングでは、アクセプタ（＋）及びドナー（−）の
電荷が同時に存在することによりキャリアが短距離の双
極子散乱（１／ｒ3 ）で散乱されるようになる。そのた
め、キャリアの移動度（モビリティ）が同時ドーピング
の場合には一桁以上大きくなることにより、低抵抗が実
現する。
の方法では、１０19ｃｍ-3程度にしかドーピングできな
い。これ以上にＰ又はＢでドーピングしても、補償機構
によりキャリア濃度を増やすことができない。これは、
本来のＳｉ原子位置をＰ又はＢが置換しないためＳｉの
原子空孔やドープした原子が格子間位置に入ったドナー
が出現してキャリアの捕獲中心や補償が生じることによ
り、抵抗がそれ以上下がらなくなることに原因がある。
これに対し、Ｐ及びＢで同時ドーピングすると、１０20
ｃｍ-3を超える高濃度までドーピングすることが可能に
なることを見い出した。同時ドーピングによってキャリ
ア濃度が高くなる理由を本発明者等は次のように推察し
た。単独ドーピングでは、ドーパントの単独の電荷によ
る１／ｒ（ｒ：距離）に比例する長距離クーロン斥力に
よりキャリアが散乱する。これに対し、Ｐ及びＢの同時
ドーピングでは、アクセプタ（＋）及びドナー（−）の
電荷が同時に存在することによりキャリアが短距離の双
極子散乱（１／ｒ3 ）で散乱されるようになる。そのた
め、キャリアの移動度（モビリティ）が同時ドーピング
の場合には一桁以上大きくなることにより、低抵抗が実
現する。
【０００７】また、シリコンよりイオン半径の大きいＰ
及びイオン半径の小さいＢの同時ドーピングにより、図
１と図２に模式的に対比して示すように、シリコン結晶
の歪みエネルギが緩和され、高濃度まで歪みが溜らずに
ドーピングすることができる。また、ドナーとなるＸ及
びアクセプタとなるＹがそれぞれ（−）及び（＋）に帯
電し、ｎ型（−）及びｐ型（＋）のドーパントが同時に
存在することになるので、（−）と（＋）の間のクーロ
ン力により静電エネルギが低下して結晶が安定化するた
め、補償効果が生じることなく高濃度までドーピングす
ることができる。この状態でＰ：Ｂ＝（１＋α）：１の
原子割合で同時ドーピングすると、キャリアが電子の低
抵抗ｎ型シリコンが得られる。また、Ｐ：Ｂ＝１：（１
＋α）の原子割合で同時ドーピングすると、キャリアが
ホールの低抵抗ｐ型シリコンが得られる。そして、Ｐ，
Ｂ単独では１０19ｃｍ-3程度しかドーピングできなかっ
たシリコンに対し、キャリアが１０20ｃｍ-3を超える高
濃度までドーピングできる。このように高濃度にドーピ
ングされたシリコンは、絶縁体から金属に転移すること
により、１０-2〜１０-5Ω・ｃｍと十分に低い抵抗率を
もつ金属物性を示す。したがって、高濃度にドーピング
されたシリコンは、従来のようにＡｕ，Ａｌ等の金属薄
膜を設ける必要なく、各種デバイスを接続する配線とし
て使用することができる。
及びイオン半径の小さいＢの同時ドーピングにより、図
１と図２に模式的に対比して示すように、シリコン結晶
の歪みエネルギが緩和され、高濃度まで歪みが溜らずに
ドーピングすることができる。また、ドナーとなるＸ及
びアクセプタとなるＹがそれぞれ（−）及び（＋）に帯
電し、ｎ型（−）及びｐ型（＋）のドーパントが同時に
存在することになるので、（−）と（＋）の間のクーロ
ン力により静電エネルギが低下して結晶が安定化するた
め、補償効果が生じることなく高濃度までドーピングす
ることができる。この状態でＰ：Ｂ＝（１＋α）：１の
原子割合で同時ドーピングすると、キャリアが電子の低
抵抗ｎ型シリコンが得られる。また、Ｐ：Ｂ＝１：（１
＋α）の原子割合で同時ドーピングすると、キャリアが
ホールの低抵抗ｐ型シリコンが得られる。そして、Ｐ，
Ｂ単独では１０19ｃｍ-3程度しかドーピングできなかっ
たシリコンに対し、キャリアが１０20ｃｍ-3を超える高
濃度までドーピングできる。このように高濃度にドーピ
ングされたシリコンは、絶縁体から金属に転移すること
により、１０-2〜１０-5Ω・ｃｍと十分に低い抵抗率を
もつ金属物性を示す。したがって、高濃度にドーピング
されたシリコンは、従来のようにＡｕ，Ａｌ等の金属薄
膜を設ける必要なく、各種デバイスを接続する配線とし
て使用することができる。
【０００８】
実施例１：真空チャンバ１の内部に配置したルツボ２に
入れたシリコン原料を高周波加熱コイル３で１５５０℃
で加熱溶融し、シリコン融液４を調製した。Ｐの混合量
を６×１０20ｃｍ-3，１×１０22ｃｍ-3，２×１０22ｃ
ｍ-3，６×１０22ｃｍ-3と変え、その１／２に当る量の
Ｂを同時にシリコン融液４に混合溶解した。シリコン融
液４が均質になった時点で、シリコン融液４に種結晶５
を接触させてなじませ、回転させながら１ｃｍ／時の速
度で徐々にシリコン単結晶６を引き上げた。得られたシ
リコン単結晶についてキャリア濃度を測定した結果を表
１に示す。表１から明らかなように、Ｐ及びＢの同時ド
ーピングで得られた単結晶は、ＢをドーピングしないＰ
単独ドーピングに比較してキャリア濃度が１００倍以上
に高くなっていた。このことから、Ｐ及びＢの同時ドー
ピングにより高濃度ドーピングが可能となり、低抵抗の
ｎ型金属シリコンが得られることが判る。
入れたシリコン原料を高周波加熱コイル３で１５５０℃
で加熱溶融し、シリコン融液４を調製した。Ｐの混合量
を６×１０20ｃｍ-3，１×１０22ｃｍ-3，２×１０22ｃ
ｍ-3，６×１０22ｃｍ-3と変え、その１／２に当る量の
Ｂを同時にシリコン融液４に混合溶解した。シリコン融
液４が均質になった時点で、シリコン融液４に種結晶５
を接触させてなじませ、回転させながら１ｃｍ／時の速
度で徐々にシリコン単結晶６を引き上げた。得られたシ
リコン単結晶についてキャリア濃度を測定した結果を表
１に示す。表１から明らかなように、Ｐ及びＢの同時ド
ーピングで得られた単結晶は、ＢをドーピングしないＰ
単独ドーピングに比較してキャリア濃度が１００倍以上
に高くなっていた。このことから、Ｐ及びＢの同時ドー
ピングにより高濃度ドーピングが可能となり、低抵抗の
ｎ型金属シリコンが得られることが判る。
【０００９】
【００１０】実施例２：分子ビーム蒸着結晶成長装置を
用い、気相成長法で得られるシリコンのエピタキシャル
層にＰ及びＢを同時ドーピングした。この場合、真空度
１０-10 トールに維持した真空チャンバ１１内にシリコ
ン基板１２を配置し、高周波加熱コイル１３で原子ビー
ム状にしたＳｉビームを流量１０-6トールで送り込み、
シリコン基板１２上にシリコン結晶１４をエピタキシャ
ル成長させると同時に、加熱コイル１５，１６でビーム
化されたＢビーム１７，Ｐビーム１８を供給する。Ｐの
混合量を１０21ｃｍ-3，１．５×１０22ｃｍ-3，１．５
×１０23ｃｍ-3に変え、その１／３に当る量のＢを同時
ドーピングした。得られたシリコン結晶１４についてキ
ャリア濃度を測定した結果を表２に示す。表２から明ら
かなように、Ｐ及びＢの同時ドーピングで得られたシリ
コン結晶は、ＢをドーピングしないＰ単独ドーピングに
比較してキャリア濃度が１００〜５００倍と高くなって
いた。このことから、Ｐ及びＢの同時ドーピングにより
高濃度ドーピングが可能となり、低抵抗のｎ型金属シリ
コンが得られることが判る。
用い、気相成長法で得られるシリコンのエピタキシャル
層にＰ及びＢを同時ドーピングした。この場合、真空度
１０-10 トールに維持した真空チャンバ１１内にシリコ
ン基板１２を配置し、高周波加熱コイル１３で原子ビー
ム状にしたＳｉビームを流量１０-6トールで送り込み、
シリコン基板１２上にシリコン結晶１４をエピタキシャ
ル成長させると同時に、加熱コイル１５，１６でビーム
化されたＢビーム１７，Ｐビーム１８を供給する。Ｐの
混合量を１０21ｃｍ-3，１．５×１０22ｃｍ-3，１．５
×１０23ｃｍ-3に変え、その１／３に当る量のＢを同時
ドーピングした。得られたシリコン結晶１４についてキ
ャリア濃度を測定した結果を表２に示す。表２から明ら
かなように、Ｐ及びＢの同時ドーピングで得られたシリ
コン結晶は、ＢをドーピングしないＰ単独ドーピングに
比較してキャリア濃度が１００〜５００倍と高くなって
いた。このことから、Ｐ及びＢの同時ドーピングにより
高濃度ドーピングが可能となり、低抵抗のｎ型金属シリ
コンが得られることが判る。
【００１１】
【００１２】実施例３：シリコン単結晶基板２１に、ド
ナー２２となるＰ及びアクセプタ２３となるＢを図４に
示すように蒸着した後、１２００℃で炉中アニーリング
することにより、Ｐ及びＢをシリコン単結晶中に拡散さ
せた。シリコン単結晶基板２１には、図５に示すように
Ｐ及びＢの拡散によって同時ドーピングされた領域２４
が生じた。アニール時間を変えてＰ及びＢのドーピング
量を変えた結果を、Ｂの蒸着なしでＰ単独ドーピングし
た場合と比較して表３に示す。表３にみられるように、
Ｐ及びＢの同時ドーピングで得られたシリコン結晶は、
ＢをドーピングしないＰ単独ドーピングに比較してキャ
リア濃度が１００〜３５０倍と高くなっていた。このこ
とから、Ｐ及びＢの同時ドーピングにより高濃度ドーピ
ングが可能となり、低抵抗のｎ型金属シリコンが得られ
ることが判る。
ナー２２となるＰ及びアクセプタ２３となるＢを図４に
示すように蒸着した後、１２００℃で炉中アニーリング
することにより、Ｐ及びＢをシリコン単結晶中に拡散さ
せた。シリコン単結晶基板２１には、図５に示すように
Ｐ及びＢの拡散によって同時ドーピングされた領域２４
が生じた。アニール時間を変えてＰ及びＢのドーピング
量を変えた結果を、Ｂの蒸着なしでＰ単独ドーピングし
た場合と比較して表３に示す。表３にみられるように、
Ｐ及びＢの同時ドーピングで得られたシリコン結晶は、
ＢをドーピングしないＰ単独ドーピングに比較してキャ
リア濃度が１００〜３５０倍と高くなっていた。このこ
とから、Ｐ及びＢの同時ドーピングにより高濃度ドーピ
ングが可能となり、低抵抗のｎ型金属シリコンが得られ
ることが判る。
【００１３】
【００１４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、シリコンに比較してイオン半径の大きい元素Ｘ及び
イオン半径の小さい元素ＹをＸ：Ｙ＝１：（１＋α）又
はＸ：Ｙ＝（１＋α）：１（１≦α≦５）の原子割合で
同時ドーピングすることにより、従来では１０19ｃｍ-3
程度までしかドーピングできなかったシリコンを１０20
〜１０22ｃｍ-3の高いキャリア濃度でドーピングするこ
とが可能となる。このように高濃度でドーピングされた
シリコンは、従来のｎ型又はｐ型シリコンに比較して抵
抗率が大幅に低く、配線としても使用可能である。した
がって、金属薄膜を配線として使用する必要がないた
め、半導体デバイスの大幅な高密度集積が可能となる。
は、シリコンに比較してイオン半径の大きい元素Ｘ及び
イオン半径の小さい元素ＹをＸ：Ｙ＝１：（１＋α）又
はＸ：Ｙ＝（１＋α）：１（１≦α≦５）の原子割合で
同時ドーピングすることにより、従来では１０19ｃｍ-3
程度までしかドーピングできなかったシリコンを１０20
〜１０22ｃｍ-3の高いキャリア濃度でドーピングするこ
とが可能となる。このように高濃度でドーピングされた
シリコンは、従来のｎ型又はｐ型シリコンに比較して抵
抗率が大幅に低く、配線としても使用可能である。した
がって、金属薄膜を配線として使用する必要がないた
め、半導体デバイスの大幅な高密度集積が可能となる。
【図１】 Ｐ単独ドーピングしたシリコン結晶の模式図
【図２】 Ｐ，Ｂ同時ドーピングしたシリコン結晶の模
式図
式図
【図３】 Ｐ，Ｂ同時ドーピングする引上げ法の説明図
【図４】 Ｐ，Ｂ同時ドーピングする気相成長法の説明
図
図
【図５】 Ｐ，Ｂ同時ドーピングする選択拡散法の説明
図
図
【図６】 Ｐ，Ｂの拡散によって同時ドーピングされた
領域をもつシリコン単結晶基板の断面図
領域をもつシリコン単結晶基板の断面図
１：真空チャンバ ２：ルツボ ３：高周波加熱コ
イル ４：シリコン融液 ５：種結晶 ６：シリ
コン単結晶 １１：真空チャンバ １２：シリコン基板 １３：
高周波加熱コイル １４：シリコン結晶 １５，１６：加熱コイル １
７：Ｂビーム １８：Ｐビーム ２１：シリコン単結晶基板 ２２：ドナー ２３：
アクセプタ ２４：同時ドーピングされた領域
イル ４：シリコン融液 ５：種結晶 ６：シリ
コン単結晶 １１：真空チャンバ １２：シリコン基板 １３：
高周波加熱コイル １４：シリコン結晶 １５，１６：加熱コイル １
７：Ｂビーム １８：Ｐビーム ２１：シリコン単結晶基板 ２２：ドナー ２３：
アクセプタ ２４：同時ドーピングされた領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｍ 21/208 21/208 Ｐ 21/28 ３０１ 21/28 ３０１Ａ
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコンに比較してイオン半径の大きい
元素Ｘ及びイオン半径の小さい元素ＹをＸ：Ｙ＝１：
（１＋α）又はＸ：Ｙ＝（１＋α）：１の原子割合（た
だし、１≦α≦５）でシリコン単結晶の成長雰囲気に添
加し、シリコンを１０20〜１０22ｃｍ-3の高濃度にドー
ピングすることを特徴とする抵抗率が低いｎ型又はｐ型
金属シリコンの製造方法。 - 【請求項２】 Ｘ：Ｙ＝１：（１＋α）又はＸ：Ｙ＝
（１＋α）：１の原子割合でＸ及びＹを添加した融液を
使用してシリコン単結晶を引き上げる請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】 気相から金属Ｓｉをエピタキシャル成長
させる際、Ｓｉビームに加えてイオン半径の大きい元素
Ｘ及びイオン半径の小さい元素Ｙの分子状ビームを同時
に供給し、エピタキシャル成長したシリコン結晶を同時
ドーピングする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 シリコン単結晶基板にイオン半径の大き
い元素Ｘ及びイオン半径の小さい元素Ｙをそれぞれ蒸着
し、アニールして元素Ｘ及びＹを拡散させ、元素Ｘ及び
Ｙが同時ドーピングされた領域を形成する請求項１記載
の方法。 - 【請求項５】 イオン半径の大きい元素ＸがＰ，Ａｓ，
Ｓｂの１種又は２種以上である請求項１〜４の何れかに
記載の抵抗率が低いｎ型又はｐ型金属シリコンの製造方
法。 - 【請求項６】 イオン半径の小さい元素ＹがＢ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｉｎの１種又は２種以上である請求項１〜４の何
れかに記載の抵抗率が低いｎ型又はｐ型金属シリコンの
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP22330497A JP3525141B2 (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | 抵抗率が低いｎ型又はｐ型金属シリコンの製造方法 |
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| DE69820940T DE69820940T2 (de) | 1997-08-20 | 1998-08-20 | Verfahren zur Herstellung von hochdotiertem Silicium |
| EP98115709A EP0903429B1 (en) | 1997-08-20 | 1998-08-20 | Process for producing heavily doped silicon |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP22330497A JP3525141B2 (ja) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | 抵抗率が低いｎ型又はｐ型金属シリコンの製造方法 |
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| JP3525141B2 JP3525141B2 (ja) | 2004-05-10 |
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| JP7151096B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 圧電膜、その製造方法、圧電膜積層体、その製造方法 |
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| JPH0717477B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1995-03-01 | シャープ株式会社 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
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| US5169798A (en) * | 1990-06-28 | 1992-12-08 | At&T Bell Laboratories | Forming a semiconductor layer using molecular beam epitaxy |
| US5553566A (en) * | 1995-06-22 | 1996-09-10 | Motorola Inc. | Method of eliminating dislocations and lowering lattice strain for highly doped N+ substrates |
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1997
- 1997-08-20 JP JP22330497A patent/JP3525141B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-19 US US09/136,554 patent/US6013129A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-20 EP EP98115709A patent/EP0903429B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-20 DE DE69820940T patent/DE69820940T2/de not_active Expired - Lifetime
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