JPH11510855A - 超臨界付近および超臨界の流体溶液の溶射を用いた化学蒸着および粉体形成 - Google Patents

超臨界付近および超臨界の流体溶液の溶射を用いた化学蒸着および粉体形成

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Abstract

(57)【要約】 試薬を含有する液体(T)または液状流体(T)の超臨界温度近傍での超微細噴霧または気化を用いた化学蒸着方法であって、得られた噴霧化または気化溶液(N)がフレームまたはプラズマトーチ(170)中に入れられることにより、粉体が形成されあるいは基材上にコーティング(190)が蒸着される。燃焼フレーム(170)は、10torrから数気圧の間で安定であり得、流体(T)中に含有される試薬が反応して所望の粉末まはた基材上のコーティング材料(190)を形成することができるようなエネルギー環境を提供する。プラズマトーチも同様に必要なエネルギー環境を生成するが、フレームと異なり、酸化剤(oxidizer)が不要であり、非常に低い酸素分圧下のみで安定な材料を形成することができる。プラズマトーチまたは燃焼フレーム(170)を用いることにより、反応チャンバの必要なしに開雰囲気(open atmosphere)において、コーティングを蒸着あるいは粉体を形成することができるが、環境からのプロセスの分離や圧力調節を含む様々な理由からチャンバを用いてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】 超臨界付近および超臨界の流体溶液の溶射を用いた 化学蒸着および粉体形成 発明の背景 I.発明の分野 本発明は、液体または液状流体溶液に含まれる試薬からの粉体形成および薄膜 蒸着の方法であって、超臨界点付近の温度の流体溶液をより低い圧力の領域に放 出して、その溶液の優れた非常に細かい微粒化または気化を引き起こす方法に関 する。ガスが散布された溶液に流し込まれあるいは送り込まれ、フレームあるい はプラズマトーチに達する。これらの試薬は、反応して、1)粉体を形成し、こ れらの粉体を収集するか、または2)結果として得られたガスおよび蒸気中に配 置した基材上に、気相からコーティングを形成する。超臨界点付近の温度の流体 の放出により分散および膨張が起こり、その結果、溶液が非常に細かく噴霧され 、これにより、粉体および膜の品質の向上ならびに蒸着速度の向上がもたらされ 、可能な使用できる前駆体の数が増加する。 II.発明の背景 化学蒸着は、粉体およびコーティングの生成に幅広く用いられている。化学蒸 着(「CVD」)は、基材上にコーティングを形成する場合に用いる用語である 。CVDによるコーティングの生成は広く普及している。これらのコーティング の多くは、数ナノメータの厚さしかなく、コーティング厚さの5%未満までの平 滑さしかない。ガス流中の反応蒸気材料の反応および凝集により、商業的に有用 となり得る粉体が形成される。実際には、ナノ粉体は、バルク材料の特性とは異 なる特性を有するナノ材料の形成に必要である。これらの材料の特性は、ナノ粉 体のクラスターの大きさを制御することによって調整できる。同様に、50nm 未満のコーティングは、より厚い膜とは異なる特性を有し得、これらの特性は、 コーティングが薄くなるに従ってさらに変わる。 単純な生産プロセスを用いて、低生産コストおよび低資本コストで、そのよう な粉体およびコーティングを形成することが望ましい。しかし、多くの材料に関 して、気化して慣用されているCVDに用いることができる利用可能な前駆体の 選択は、非常に限られている。開放雰囲気でコーティングを形成することができ れば、コーティングプロセス中の基材の取り扱いおよび流れがかなり簡単になる 。薄膜の他に、低コストで高品質な厚いコーティングおよびバルク材料も望まし い。 最近発明されたCVD技術である燃焼化学蒸着(「CCVD」)は、開放雰囲 気での薄膜の蒸着を可能にする。CCVDプロセスは、慣用されているCVDを 含む他の薄膜技術に対して幾つかの利点を与える。CCVDのキーとなる利点は 、費用のかかる炉、真空チャンバ、または反応チャンバを用いずに開放雰囲気中 で膜を蒸着させることができることである。その結果、最初のシステムにおける 資本の要求を、真空ベースのシステムと比較して90%までに削減することがで きる。他の技術で必要とされる特殊な環境の代わりに、燃焼フレームは、溶液源 、蒸気源またはガス源からの元素成分の蒸着に必要な環境を与える。前駆体は一 般に、可燃性燃料としての役割も果たす溶媒に溶解する。蒸着は、排気フード内 、戸外、または周りのガスもしくは圧力の制御のためのチャンバ内で、大気圧お よび大気温度で行われる。 CCVDは一般に溶液を用いるため、この技術の重要な利点は、ドーパントお よび化学量論的組成(stoichiometry)を素早く簡単に変えることができるよう になり、これにより複合膜の蒸着が容易になることである。前駆体蒸気圧が問題 となるため高価な高蒸気圧前駆体を使用しなければならない従来のCVDとは異 なり、CCVD技術は一般に、安価な可溶性の前駆体を用いる。さらに、溶解プ ロセスが、必要なイオン成分の作製のためのエネルギーを与えるため、前駆体蒸 気圧は、CCVDでは役割を果たさない。一般に、慣用されているCVDによる 蒸着に用いられる前駆体材料は、CCVD処理で用いることができる前駆体材料 の10倍から1000倍も高価である。溶液の濃度および成分を調節することに よって、幅広い化学量論的組成を素早く簡単に蒸着することができる。さらに、 CCVDプロセスでは、蒸着膜の化学的組成および物理的構造を、特定の応用の 要件に合わせることが可能となる。 CVDとは異なり、CCVDプロセスは、高価で柔軟性のない低圧力反応チャ ンバに制限されない。従って、反応フレームまたはフレームのバンクを、基材を 横切るように動かし、大きいおよび/または複合表面領域を容易にコーティング することができる。CCVDプロセスは特殊な環境に限定されないため、ユーザ は途切れずに連続的に材料をコーティング領域に供給することができ、これによ りバッチ処理が可能となる。さらに、ユーザは、基材の特定の領域にフレームを あてる時間を制御するだけで、蒸着を、その領域に限定することができる。最後 に、CCVD技術は一般に、従来のCVDと比較して環境に対する良くない影響 が大幅に少ない、ハロゲンを含まない化学的前駆体を用いており、その結果、副 作用はより良性となる。 予め混合した前駆体溶液の燃焼を唯一の熱源として用いるCCVD技術により 、多くの材料が蒸着されている。この安価で柔軟性のある膜蒸着技術により、薄 膜技術をより幅広い範囲で用いることが可能となる。CCVDプロセスは、溶射 と同じ柔軟性の多くを有しているが、CVDに関連する膜と同様に高品質なコン フォーマル膜を作製する。慣用されているCVDではしばしば、材料を首尾よく 蒸着させるのに数カ月の努力が必要である。CCVD処理を用いれば、所望の相 を伝統的なCVDの数分の1のコストで数日で蒸着させることができる。 これらのコーティング能力を安価に提供させることによって、CCVDプロセ スは、摩擦学、熱保護、磨耗、空間環境保護、光学、電子、耐構造性および耐化 学性の応用での使用を含む、薄膜の産業上利用する機会を広げることができる。 これにより、政府および産業界のユーザは、基材に対する高接着性、制御された 微細構造、より高い柔軟性、原材料消費量の低減、ならびにコーティングされた システムの動作特性および/または寸法に対する影響の低減を含む、厚い膜に対 する薄膜の利点によって利益を得ることができる。 Ichinose,H.、Shiwa,Y.、およびNagano,M、「スプレー燃焼フレーム技術に よるBaTiO3/LaNiO3およびPbTiO3/LaNiO3薄膜の合成」、Jpn.J.Appl.Phys. 、Vol.33、1、10 p.5903-6(1994)、ならびにIchinose,H.、Shiwa,Y.、およ びNagano,M、「スプレー燃焼フレーム技術によるLaMo3(M=Ni、Co、Cr、Al)− 配向膜の蒸着」、Jpn.J.Appl.Phys.、Vol.33、1、10 p.5907-10(1994)で は、 前駆体を含む溶液を超音波的に微粒化し、その後、結果として得られた、アルゴ ンキャリヤガス中に浮遊した噴霧溶液をプロパン燃焼フレームに供給することに よって、CCVD処理を用いている。このCCVD処理は、これらの文献中では スプレー燃焼フレーム技術と呼ばれている。しかし、これらの微粒化技術では、 改善されたコーティングおよび粉体形成を得るために重要な、非常に望ましいサ ブミクロン能力に達することはできない。 米国特許第4,582,731号(「'731特許」)は、膜蒸着のために超臨界流体分子 スプレーの使用を開示している。しかし、'731特許は物理蒸着(PVD)のため のものであり、化学試薬を持たず、通常は高真空で動作するという点で、独自に 認識されているCVD分野とは異なる。さらに、この方法では、フレームまたは プラズマトーチを用いず、超臨界流体溶液のみが考慮される。化学試薬は、より 高い溶解度などのその物理特性のため、有益である。フレームおよびプラズマト ーチは、別の熱源を用いずに開放雰囲気中でのコーティングを可能にする。しか し、'731特許の蒸着材料は試薬によるものでなく、従って、超臨界条件では反応 しない。 米国特許第4,970,093号(「'093特許」)は、膜蒸着のための超臨界流体およ びCVDの使用を開示している。'083特許に関連する研究は、B.M.Hybertson 、B.N.Hansen、R.M.Barkley、およびR.E.Sievers、「膜の超臨界流体輸送 −化学的蒸着」、Chem.Mater.、4、1992、p.749-752、ならびにHybertsonら、 およびB.N.Hansen、B.M.Hybertson、R.M.Barkley、およびR.E.Sievers 、「新規な超臨界流体輸送−化学的蒸着プロセスによるパラジウム膜蒸着」、Ma t.Res.Bull.、26、1991、p.1127-33に記載されている。'093特許は、フレー ムまたはプラズマトーチを用いない慣用されているCVDのためのものであり、 上述の関連する利点を有するCCVDなどの開放雰囲気中で可能な技術について は考慮していない。そのうえ、超臨界流体溶液しか考慮しておらず、超臨界点に 近い液体溶液については取り組んでいない。'093特許の前駆体はすべて、超臨界 流体中での反応性および溶解度のため使用できる前駆体を制限し得る超臨界溶液 で保有される。 B.M.Merkle、R.N.Kniseley、F.A.Smith、およびI.E.Anderson、「全 消費バーナープロセスによって生成される超伝導性YBaCuO微粒子」、Mat.Sci. Eng.、A124、p.31-38(1990)、J.McHaleら、「溶媒スプレー燃焼による高Tc 酸化膜の調製」、J.Supercond.5(6)、p.511(1992)、ならびにM.Koguchiら 、「フレーム熱分解によるYBa2CU3Ox薄膜の調製」、Jpn.J.Appl.Phys.29(1) 、p.L33(1990)は、フレームを用いて膜を蒸着させることを記載しており、こ れは文献中では「噴霧熱分解」技術と呼ばれている。MerkleらおよびMcHaleらは 、燃焼した噴霧溶液から基材上にYBa2CU3Oxを蒸着したが、この蒸着条件で得ら れるのは、低品質の熱分解および微粒子タイプのコーティングである。Koguchi らは、0.03mol/lの水溶液を微粒化し、得られたミストをH2-O2フレーム中に 輸送し、厚さ10μmのコーティングを、イットリアで安定化した酸化ジルコニ ウム(YSZ)からなる、フレームで加熱した基材上に10分で蒸着した。この とき、用いた方法のため、噴霧した材料のうちの多くが輸送中に失われている。 基材の裏で測定された温度は、最大940℃に達した。しかし、基材のフレーム 側の温度は一般にその裏側よりも100℃から300℃高いと予測され、これは YBa2CU3Oxの融解範囲である。結果として得られるKoguchiらの膜は強いc軸を好 む配向を有しており、850℃で8時間酸素アニールした後、この膜は90°K でゼロの抵抗率を示した。Koguchiらは、その方法を「フレーム熱分解」と呼び 、おそらく、YBa2Cu3Oxの融点付近の温度で蒸着していた。溶液濃度および蒸着 速度は、CCVD処理で有用な溶液濃度および蒸着速度よりも高かった。従って 、コーティング材料の融点よりも低い温度で優れた結果を達成するコーティング 法が要求されている。本発明は、この要求を満たす。なぜなら、超臨界に近い流 体のより細かい微粒化の結果、より低い蒸着温度で蒸着膜の形成を可能にするこ とによって膜品質が向上するからである。 McHaleらは、N2Oガス流中で、液体アンモニア中に溶解した硝酸塩溶液をスプ レーして燃焼させ、酸素ガス流中で、エタノールまたはエチレングリコール中に 溶解した硝酸塩を燃焼させることにより、YBa2Cu3OxおよびBi1.7Pb0.3Ca2Sr2Cu3 O10からなる厚さ75μmから100μmの膜を生成することに成功した。この 結果は、膜が粒子状であって相が純粋でなかったことを示唆している。YBa2CU3Ox コーティングは、940℃で24時間アニールしなければならず、Bi1.7Pb0.3C a2Sr2Cu3O10コ ーティングは、800℃で10時間熱処理し、その後に860℃で10時間熱処 理して、所望の材料を生成しなければならなかった。酸素アニールの後でも、7 6°Kを上回る温度でゼロの抵抗率を得ることはできないであろう。用いられた 溶液濃度は報告されなかったが、蒸着速度は高すぎる。Koguchiの方法とMcHale の方法とでは、報告された溶液および結果として得られた膜の化学量論的組成は 同一であった。逆に、CVDおよび本発明では、溶液の化学量論的組成は所望の 膜の化学量論的組成とは異なり得る。さらに、効果的な蒸着には、溶液をスプレ ーして得られた小滴は大きすぎ、蒸気圧は低すぎる。 前駆体の噴霧溶液は、「スプレー誘導結合プラズマ(spray inductively coup led plasma)」(「スプレーICP」または「ICP」)と呼ばれるプロセスで 、プラズマトーチとともに用いられる。M.Kagawa、M.Kikuchi、R.Ohno、およ びT.Nagae、J.Amer.Ceram.Soc.、64、1981、C7を参照されたい。スプレーI CPでは、溶液を含む反応物を微粒化して直径1mmから2mmの微小な小滴に し、その後これらの小滴をICPチャンバに運ぶ。これは、プラズマCVDプロセ スとみなすことができ、フレーム熱分解とは異なるものである。M.Suzuki、M. Kagawa、Y.Syono、T.Hirai、およびK.Watanabe、J.Materials Sci.、26、19 91、p.5929-5932を参照されたい。Ce,La、Y、Pr、Nd、Sm、Cr、Ni、Ti.Zr, La-Sr-Cu、Sr-Ti,Zn-Cr、La-Cr、およびBi-Pb-Sr-Ca-Cuの酸化物の薄膜は、こ の技術を用いて蒸着することに成功している。M.Suzuki、M.Kagawa、Y.Syono 、およびT.Hirai、「スプレーICP技術によって形成される酸化クロム化合物 の薄膜」、J.Crystal Growth、99、1990、p.611-615、ならびにM.Suzuki、M .Kagawa、Y.Shono、およびT.Hirai、「スプレーICP技術によって形成され る希土(Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm)酸化物の薄膜」、J.Crystal Growth,112、 1991、p.621-627を参照されたい。高密度の膜を合成するためには、基材をプラ ズマから適切な距離だけ離して保持することが非常に重要であった。ガスの急激 な温度低下のため、プラズマ源からの所望の蒸着距離の範囲は小さかった。CV Dタイプのコーティングは、水中の0.5Mから1.0Mの金属−硝酸塩の溶液 を超音波で微粒化したものを用い、これを1.3から1.4 l/min.で流 れるArを用いてICPに6から20ml/hで供給して達成された。酸化物の みが蒸 着され、超臨界付近の温度の液体または液状溶液は用いなかった。このようにI CP噴霧技術を幅広く検討したが、ICPとともに超臨界付近の微粒化を用いる ことは考慮されていない。T.R.SmithおよびM.B.Denton、「現在の噴霧器の 評価および噴霧器特徴付け技術」、Appl.Spectroscopy、44、1990、p.21-4を 参照されたい。 従って、ナノ粉体およびコーティングを、簡単な生産プロセスを用いて低生産 コストおよび低資本コストで形成できることが非常に望ましい。費用のかかる炉 、真空チャンバ、または反応チャンバを用いずに開放雰囲気でコーティングを形 成できることも望ましい。さらに、基材に対する高接着性、制御された微細構造 、柔軟性、原材料消費量の低減、ならびにコーティングされたシステムの動作特 性および/または寸法に対する影響の低減をもたらし、なおかつ改良されたコー ティングおよび粉体の形成を得るために重要な非常に望ましいサブミクロン能力 を維持できるコーティングプロセスを提供することが望ましい。さらに、超臨界 点付近の溶液を用い、従ってコーティング材料の融点未満の温度で優れた結果を 達成するプロセスを提供することも非常に望ましい。 発明の概要 本発明はこれらの要求を満たし、超臨界付近および超臨界の流体からプラズマ トーチおよびCCVDを用いて生成された蒸気により形成された膜、粉体、およ びナノ相のコーティングを規定する。好ましくは、化学的前駆体を含む液体また は液状溶液流体が形成される。溶液流体は、臨界圧力付近または臨界圧力よりも 高い圧力に調節され、その後、制限またはノズルを通して放出される直前に超臨 界温度付近まで加熱され、制限またはノズルを通って放出され、非常に細かく微 粒化または気化された溶液流体を運ぶガスとなる。溶液流体の蒸気は燃焼されて フレームを形成するか、または、フレームまたは電気トーチプラズマ中に入れら れ、前駆体はフレームまたはプラズマ中でまたは基材表面上で反応して所望の相 になる。プラズマの高温のため、前駆体の多くは基材表面よりも前で反応する。 基材は、フレームまたは電気プラズマの付近またはその中に配置され、コーティ ングが蒸着される。あるいは、形成された材料をナノ相粉体として収集すること ができる。 本発明の方法は、臨界圧力付近またはそれを上回る圧力および臨界温度付近の 温度の溶液流体を用いて、非常に細かい微粒化、噴霧、気化、またはガス化を与 える。溶解した化学的前駆体は高蒸気圧を有する必要はないが、高蒸気圧の前駆 体は、うまく作用し、またはより低い蒸気圧よりもよく作用する。ノズルまたは 制限チューブ(微粒化装置)の端部の直前または該端部で溶液流体を加熱するこ とにより、微粒化前の前駆体の化学反応または溶解に利用できる時間は最小にさ れる。この方法を用いて、種々の金属有機物(metalorganics)または無機前駆 体からコーティングを蒸着することができる。流体溶液の溶媒は、前駆体が溶液 を形成できる任意の液体または超臨界流体から選択することができる。液体また は流体溶媒は、単独で、異なる化合物の混合物からなり得る。 試薬を含む流体の超臨界温度の低減により、優れたコーティングが得られるこ とが立証された。これらの流体の多くは、STPで液体として安定しておらず、 圧力シリンダ中でまたは低温で混合しなければならない。周囲よりも高い圧力で しか存在できない液体または流体溶液の形成を容易にするために、オプションと して、最初に、化学的前駆体を、周囲圧力で安定している一次溶媒に溶解する。 この溶液を、加圧可能容器に入れ、その後、(一次溶液が混和する)二次(また は主要な)液体または流体を添加する。主要な液体または流体はより低い超臨界 温度を有し、その結果、所望の程度の噴霧に必要な最大温度が低下する。高濃度 の一次溶液を形成することにより、結果として得られるより低い濃度の溶液の多 くは、二次の、得られる添加溶液化合物からなる。一般に、所定の溶液中の所定 の化合物の比が大きいほど、溶液特性はその化合物の溶液のように作用する。こ れらの添加液体および流体は、化学的前駆体を含む溶液の非常に細かい微粒化、 気化またはガス化を助けるように選択される。加えて超臨界温度が低い最終溶液 混合物を選択することにより、粒子化装置の内部での化学的前駆体の反応の発生 を最小にでき、且つ、放出領域で溶液を加熱する必要が少なくなるまたはなくな る。幾つかの例では、溶解度および流体安定性を維持するよう、溶液を放出領域 よりも前で冷却してもよい。超臨界流体溶液の当業者であれば、過度な実験を行 わずに種々の可能な溶液混合物を判断することができるであろう。オプションと して、ガラス窓を備える、または光ファイバおよびモニタを備える圧力容器を用 いると、混和性および溶質−溶媒の融和性の視覚的な判断が可能になる。逆に、 インライン形フィルタが詰まるかまたは沈殿物が主容器中に残っていることが分 かれば、それらの条件下では非融和性が起こっている可能性がある。 本発明の方法および装置で生成した結果得られる粉体の大きさは小さくするこ とができ、従って、1)最初の溶液の濃度を低下させる、2)熱いガス中に置く 時間を減らす、3)形成する小滴の大きさを小さくする、および/または4)用 いる試薬の蒸気圧を増加することによって該粉体の大きさを改善することができ る。各々の変形では、他の点が考慮される。例えば、経済的には、形成速度を増 加させるためには最初の溶液の濃度を最大にするべきであり、多くのより高い蒸 気圧の試薬を用いた場合にかかる高いコストを防ぐためにはより低い蒸気圧の試 薬を用いるべきである。熱いガス中に置く時間を少なくすることは、所望の相の 形成に必要とされる最低時間が得られなくなる。形成する小滴の大きさを小さく すると必然的に流体温度の上昇を伴う可能性があり、これは流体反応および溶解 の得られる効果が得られなくなる。同様に、コーティングの形成には、同時に起 こる効果および関係がある。 別の利点は、流体をその超臨界点付近またはそれを上回る点で放出すると、急 速に膨張が起こり、高速なガス−蒸気流を形成することである。高速ガス流は、 蒸着表面の前にあるガス拡散境界層を効果的に低減し、これにより、膜質および 膜蒸着効率が向上する。流れの速度がフレームの速度を上回る場合、パイロット ライトまたは他の点火手段を用いて、定常状態のフレームを形成しなければなら ない。幾つかの例では、確実に完全燃焼させるために、2つ以上のパイロットが 必要な場合もある。プラズマトーチを用いるとパイロットランプは不要であり、 当業者に知られている動作条件に従うことにより、容易に高速を達成することが できる。 溶質を含む流体は、燃焼のための燃料でなくてもよい。水もしくはCO2のよう な不燃性流体、またはアンモニアのような燃焼しにくい流体を用いて前駆体を溶 解することもできる。または、これらの流体は、二次溶液化合物としての役割を 果たすことができる。これらはその後膨張し、前駆体が反応する環境を与えるフ レームまたはプラズマトーチに達する。蒸着は、周囲圧力よりも上の圧力、下の 圧力、または周囲圧力で行うことができる。プラズマトーチは、低減された圧力 で十分に作用する。フレームは、10torrまでは安定し得、高圧で十分に作 用し得る。500℃未満の温度の冷たいフレームでも、より低い圧力で形成する ことができる。これらのフレームはともに開放雰囲気中で作用し得るため、制御 された雰囲気下の反応チャンバで本発明の方法を実行し、結果として得られるコ ーティング内に、空気伝達する不純物が運ばれないようにすることが有利である 。多くの電気的および光学的コーティングの応用では、そのような不純物がコー ティング内に存在しないようにすることが必要である。これらの応用では通常薄 膜が必要であるが、熱バリア、腐食、および磨耗の応用のためのより熱い膜を蒸 着することも可能である。 蒸着時間をさらに延長することによって、単結晶を含むさらなるバルク材料を 成長させることができる。単結晶の厚い膜またはバルク材料の蒸着には、拡散速 度がより高いためにより高い蒸着温度によって得られるより高いエピタキシャル 蒸着速度が必要とされる場合がある。 本発明のさらなる利点は、一部は以下の説明に示され、一部はその説明から明 らかになるか、または本発明を実施することによって分かるであろう。本発明の 利点は、添付の請求の範囲に特に示されている要素および組合せによって実現さ れ、達成される。言うまでもなく、上述の一般的な説明および以下の詳細な説明 は例示的なもので、説明するためだけのものであり、請求している本発明を限定 するものではない。 図面の簡単な説明 図1は、本発明の装置の概略図を示す。 図2は、超臨界近傍および超臨界噴霧を用いた、膜および粉末を堆積するため の装置の概略図を示す。 図3は、本発明に用いる噴霧器の詳細な概略図を示す。 好適な実施態様の説明 本発明は、以下の本発明の好適な実施態様の詳細な説明および図面を参照する ことによってより容易に理解されるであろう。 本発明の方法および装置を開示および説明する前に、本明細書において用いる 用語は特定の実施態様を説明するためのみのものであり、限定を加えることを意 図するものではないことが理解されなければならない。明細書および付属の請求 項において用いられる単数形「a」、「an」および「the」は、文脈に明示され ている場合を除き、複数の言及を含むことに注意されたい。 本明細書を通じて、出版物に言及するときは、それらの出版物全体の開示を、 本発明が属する技術水準をよりよく説明する目的で、本願において援用するもの とする。 本発明は、基材を選択された材料でコートする方法を提供する。該方法は、第 1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液を形成する ために、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ以上の試薬を適 切なキャリヤ中に溶解させることを包含する(本明細書において、単一の前駆体 試薬については、溶液から試薬が沈殿することが「反応」であると見なす)。実 際の蒸着よりある時間前に、第2の選択された圧力を有する領域に基材を位置さ せる。第2の選択された圧力は周囲圧力であり得、一般に20torrより大きい。次 に、輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力を越える第3の 選択された圧力まで加圧する。当業者は、多くの適切な圧力調節手段が存在する (これに限定されないがコンプレッサなどを含む)ことを認識するであろう。次 に、加圧された該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有し、該出力端に は該出力端における該溶液の温度を調節する温度調節手段が設けられた流体導路 (fluid conduit)に導く(direct)。該導路の該出力端は、該導路中の該流体を該 領域中および該基材の方向に導くように方向付けられた(oriented)流出ポート(o utlet port)を更に有する。流出ポートは、他のスプレーアプリケーションおよ びCVDアプリケーションに用いられるようなノズルまたは絞り(restrictor)と同 様の形状を有していてもよい。その後、該溶液を、該温度調節手段を用いて該溶 液の臨界温度Tcの約50℃上または下以内の第2の選択された温度に加熱する一 方、該第3の圧力を、該圧力調節手段を用いて、該第2の選択された圧力より上 でありかつ該第2の選択された温度における該溶液の対応する液相線または臨界 圧力Pcより上に維持する。次いで、加圧および加熱された該溶液を該導路の該 流出ポートを通って該領域中に導くことにより、噴霧溶液スプレーを該基材の方 向に生成する。溶液を領域中に導く際、1つ以上の選択されたガスを該噴霧溶液 スプレー中に混和することにより反応可能なスプレーを形成する。その後、この 反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイントにおいてエネルギー 源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応可能なスプレー(輸送溶液の 前記1つ以上の試薬を含有する)を反応させて該材料を形成し該基材を該材料で コートするために十分なエネルギーを提供する。 本発明の方法の更なる実施態様において、前記エネルギー源はフレーム源を含 み、前記選択されたエネルギー供給ポイントは点火ポイントを含む。別の実施態 様において、前記エネルギー源はプラズマトーチ(plasma torch)を含む。 更なる実施態様において、前記領域の前記第2の選択された圧力は周囲圧力で ある。 更に別の実施態様において、噴霧化溶液スプレーは、最大液滴サイズ(droplet size)が2μm未満の蒸気またはエアゾールである。 更なる実施態様において、前記領域の前記第2の選択された圧力が、1000℃未 満の温度を有する燃焼フレームを生成するように減少される。 更に別の実施態様において、前記キャリヤはプロパンであり、前記輸送溶液は 少なくとも50%体積のプロパンを有している。更なる実施態様において、前記輸 送溶液は更にブタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエンまたはその 組み合わせを有している。更に別の実施態様において、標準条件下において本方 法を実施するために十分な時間の間に輸送溶液が実質的に自由に沈殿するように 、キャリヤが選択される。 本発明の方法の別の実施態様において、加圧された容器を用い、加圧工程の前 、工程中、あるいは工程後において、液体または超臨界流体を形成するのに十分 な選択された圧力下(温度に依存する)において、標準状態のガスを更に前記輸 送溶液に接触させる。好適な実施態様において、標準状態のガスを含有する輸送 溶液は、本方法を実施するために十分な時間の間、前記選択された圧力下におい て 実質的に自由に沈殿する。更に別の実施態様において、前記輸送溶液の試薬濃度 は0.0005Mから0.05Mの間である。 更なる実施態様において、前記導路の出力端は流体導入ポートを更に有してお り、加圧および加熱された該溶液を該導路の該流出ポートを通って導く前に、流 体を該流体導入ポートを介して加圧および加熱された該溶液に加える。このよう に導入を行うことにより、超臨界温度が減少した組み合わせ溶液(combined solu tion)が作成される。 更に別の実施態様において、前記1つ以上の試薬の各々は、前記キャリヤの蒸 気圧の約25%以上の蒸気圧を有する。 更なる実施態様において、前記導路の前記流出端は、2から1000μmより好ま しくは10から250μmの内径を有する管体を有する。より好ましい実施態様にお いて、前記導路の前記流出端は、25から125μmの内径を有する管体を有する。 更に別の好ましい実施態様において、前記導路の前記流出端は、50から100μm の内径を有する管体を有する。 別の実施態様において、前記温度調節手段は、電流源からの選択された電圧で の電流を印加することにより前記導路を抵抗的に加熱する手段を有する。好適な 実施態様において、電圧は115ボルト未満である。更に別の好適な実施態様にお いて、前記導路を抵抗的に加熱する前記手段は、前記流出ポートの4mm以内に位 置された接触部を有している。 本発明はまた、前記キャリヤおよび1つ以上の試薬が、前記第2の選択された 温度が周囲温度であるように選択された前記方法を提供する。 上記方法は、前記基材をコートする前記材料が、金属を含むように実施されて もよい。または、前記基材をコートする前記材料は、1つ以上の金属酸化物を含 む。更に別の実施態様において、前記基材をコートする前記材料は、カーボネー ト、スルフェート、またはホスフェートを含む。更なる実施態様において、前記 基材をコートする前記材料は、少なくとも90%純度のシリカ(at least 90% Sill ca)を含む。 更なる実施態様において、前記反応可能なスプレーは可燃性スプレー速度を有 する可燃性スプレーを含んでおり、該可燃性スプレー速度は前記点火ポイントに おける前記フレーム源のフレーム速度よりも大きく、該可燃性スプレーに点火す るための1つ以上の点火支援手段を更に有する。好適な実施態様において、前記 1つ以上の点火支援手段の各々は、パイロットライト(pilotlight)を含む。更に 別の実施態様において、前記可燃性スプレー速度はマッハ1より大きい、 更なる実施態様において、点火ポイントあるいはフレーム前部(frame front) は流出ポートの2cm以内に維持される。 本発明はまた、前記曝露する工程において、基材冷却手段を用いて前記基材を 冷却することを更に包含する上記方法を提供する。好適な実施態様において、基 材冷却手段は、前記基材上に水を導く手段を包含する。しかし、他の適切な冷却 手段を用い得ることが当業者には認識されるであろう。 更なる実施態様において、前記基材をコートする前記材料は、炭素質材料(car bonaceous material)を含む。別の実施態様において、前記基材をコートする前 記材料は、ダイヤモンドを含む。別の実施態様において、前記基材をコートする 前記材料は、(1)ダイヤモンドおよび(2)金属酸化物または金属を含む。更なる実 施態様において、前記基材をコートする前記材料は100 nm未満の厚さを有する。 更に別の実施態様において、前記基材をコートする前記材料は、等級化組成物(g raded composition)を含む。別の実施態様において、前記基材をコートする前記 材料は非晶質材料を含む。更なる実施態様において、前記基材をコートする前記 材料は、窒化物、炭化物、ホウ化物、金属、またはその他の非酸素含有材料を含 む。 本発明はまた、前記反応可能なスプレーの周囲に選択されたシースガス(sheat h gas)を流すことにより、流入不純物(entrained impurities)を減少させて良好 な蒸着環境を維持する工程を更に包含する上記方法を提供する。 好適な実施態様において、前記第2の選択された圧力は20torrより大きい。 上述の方法に加えて、本発明はまた、基材を選択された材料でコートする装置 を提供する。図1を参照して、装置100は、輸送溶液槽(transport solution res ervoir)112中の輸送溶液T(「前駆体溶液とも呼ぶ」)を第1の選択された圧力 に加圧する圧力調節手段110(ポンプなど)であって、該輸送溶液Tは、反応し て該選択された材料を形成することのできる1つ以上の試薬が溶解した適切なキ ャリヤを含んでおり、加圧手段110は、該第1の選択された圧力を該輸送溶液T の温度における該輸送溶液Tの対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持 する能力を有する圧力調節手段110と、該輸送溶液槽112と流体連通した入力端12 2および対向する出力端124を有する流体導路120であって、該出力端124は、該導 路120中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の選択された圧力を有する 領域130中および該基材140の方向に導くように方向付けられた流出ポート126を 更に有し、該流出ポート126は溶液を噴霧することによって噴霧溶液スプレーN を形成する手段128(図2および3の噴霧器4を参照)を更に有する、流体導路 と、前記流体導路120の該出力端124に対して熱的結合状態にあるように位置され た、該出力端124における該溶液の温度を該溶液の臨界温度Tcの約50℃上または 下以内に調節する温度調節手段150と、1つ以上のガス(例えば酸素)(図示せ ず)を該噴霧溶液スプレーN中に混和することにより反応可能なスプレーを形成 するガス供給手段160と、該反応可能なスプレーを選択されたエネルギー供給ポ イント172において反応させるエネルギー源170であって、該第2の選択された圧 力を有する該領域130において該反応可能なスプレーを反応させることにより該 基材140をコートするために十分なエネルギーを提供するエネルギー源170と、を 有する。 上記装置の更なる実施態様において、前記エネルギー源170はフレーム源を含 み、前記選択されたエネルギー供給ポイント172は点火ポイントを含む。別の実 施態様において、前記エネルギー源170はプラズマトーチを含む。更に別の実施 態様において、流出ポート126は、圧力制限(図3の絞り7を参照)を更に含む 。 更なる実施態様において、前記領域の前記第2の選択された圧力は周囲圧力で ある。 更に別の実施態様において、噴霧化溶液スプレーNは、最大液滴サイズが2μ m未満の蒸気またはエアゾールである。 更なる実施態様において、前記領域の前記第2の選択された圧力が、1000℃未 満の温度を有する燃焼フレームを生成するように減少される。 更に別の実施態様において、前記キャリヤはプロパンであり、前記輸送溶液は 少なくとも50%体積のプロパンを有している。更なる実施態様において、前記輸 送溶液は更にブタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエンまたはその 組み合わせを有している。更に別の実施態様において、標準条件下において本方 法を実施するために十分な時間の間に輸送溶液が実質的に自由に沈殿するように 、キャリヤが選択される。 本発明の装置の別の実施態様において、加圧された容器(図示せず)を設け、 液体または超臨界流体を形成するのに十分な選択された圧力下において、標準状 態のガスを更に前記輸送溶液に接触させる。好適な実施態様において、標準状態 のガスを含有する輸送溶液は、本方法を実施するために十分な時間の間、前記選 択された圧力下において実質的に自由に沈殿する。更に別の実施態様において、 前記輸送溶液の試薬濃度は0.0005Mから0.05Mの間である。 更なる実施態様において、前記導路120の出力端124は流体導入ポート(図2供 給ライン17または19を参照)を更に有しており、加圧および加熱された該溶液を 該導路120の該流出ポート126を通って導く前に、流体を該流体導入ポートを介し て加圧および加熱された該溶液に加える。このように導入を行うことにより、超 臨界温度が減少した組み合わせ溶液が作成される。 更に別の実施態様において、前記1つ以上の試薬の各々は、前記キャリヤの蒸 気圧の約25%以上の蒸気圧を有する。 更なる実施態様において、前記導路の前記流出端は、2から1000μmより好ま しくは10から250μmの内径を有する管体を有する。より好ましい実施態様にお いて、前記導路の前記流出端は、25から125μmの内径を有する管体を有する。 更に別の好ましい実施態様において、前記導路の前記流出端は、50から100μm の内径を有する管体を有する。 別の実施態様において、前記温度調節手段150は、電流源からの選択された電 圧での電流を印加することにより前記導路を抵抗的に加熱する手段を有する。好 適な実施態様において、電圧は115ボルト未満である。更に別の好適な実施態様 において、前記導路を抵抗的に加熱する前記手段は、前記流出ポート126の4mm 以内に位置された接触部152を有している。 本発明はまた、前記キャリヤおよび1つ以上の試薬が、前記第2の選択された 温度が周囲温度であるように選択された前記装置を提供する。 上記装置は、前記基材140をコートする前記材料が、金属を含むように実施さ れてもよい。または、前記基材140をコートする前記材料は、1つ以上の金属酸 化物を含む。更に別の実施態様において、前記基材140をコートする前記材料は 、カーボネート、スルフェート、またはホスフェートを含む。更なる実施態様に おいて、前記基材140をコートする前記材料は、少なくとも90%純度のシリカ(at least 90% silica)を含む。 更なる実施態様において、前記反応可能なスプレーは可燃性スプレー速度を有 する可燃性スプレーを含んでおり、該可燃性スプレー速度は前記点火ポイント17 2における前記フレーム源のフレーム速度よりも大きく、該可燃性スプレーに点 火するための1つ以上の点火支援手段180を更に有する。好適な実施態様におい て、前記1つ以上の点火支援手段180の各々は、パイロットライトを含む。更に 別の実施態様において、前記可燃性スプレー速度はマッハ1より大きい。 更なる実施態様において、点火ポイント172あるいはフレーム前部は流出ポー トの2cm以内に維持される。 本発明はまた、前記基材140を冷却する基材冷却手段190を更に提供する。好適 な実施態様において、基材冷却手段190は、前記基材140上に水を導く手段を包含 する。しかし、他の適切な冷却手段を用い得ることが当業者には認識されるであ ろう。 更なる実施態様において、前記基材140をコートする前記材料は、炭素質材料 を含む。別の実施態様において、前記基材140をコートする前記材料は、ダイヤ モンドを含む。別の実施態様において、前記基材140をコートする前記材料は、( 1)ダイヤモンドおよび(2)金属酸化物または金属を含む。更なる実施態様におい て、前記基材140をコートする前記材料は100 nm未満の厚さを有する。更に別の 実施態様において、前記基材140をコートする前記材料は、等級化組成物を含む 。別の実施態様において、前記基材140をコートする前記材料は非晶質材料を含 む。更なる実施態様において、前記基材140をコートする前記材料は、窒化物、 炭化物、ホウ化物、金属、またはその他の非酸素含有材料を含む。 本発明はまた、前記反応可能なスプレーの周囲に選択されたシースガスを流す ことにより、流入不純物を減少させて良好な蒸着環境を維持する手段(図2およ び3、供給ライン17または19を参照)を更に包含する上記装置を提供する。 好適な実施態様において、前記第2の選択された圧力は20torrより大きい。 本発明はまた、粉体状材料ある領域に作成する方法を提供する。この粉体作成 方法は、第1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液 を形成するために、反応して該領域中に該粉体状材料を形成することのできる1 つ以上の試薬を適切なキャリヤ中に溶解させる工程であって、該領域は該第1の 選択された圧力より低い第2の選択された圧力を有する工程を包含する。本粉体 形成方法は次に、該輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力 を越える第3の選択された圧力まで加圧する工程を包含する。その後、加圧され た該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有し、該出力端には該出力端に おける該溶液の温度を調節する温度調節手段が設けられた流体導路に導く。該出 力端は、該導路中の流体を該領域中に導くように方向付けられた流出ポートを更 に有する。該溶液を、該温度調節手段を用いて、該溶液の臨界温度Tcの約50℃ 上または下以内の第2の選択された温度に加熱する一方、該第3の圧力を、該圧 力調節手段を用いて、該第2の選択された圧力より上でありかつ該第2の選択さ れた温度における該溶液の対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持する 。次に、加圧および加熱された該溶液を該導路の該流出ポートを通って該領域中 に導くことにより、噴霧溶液スプレーを生成する。1つ以上の選択されたガスを 該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反応可能なスプレーを形成する。最 後に、該反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイントにおいてエ ネルギー源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応可能なスプレーを反 応させて該粉体状材料を該領域内に形成するために十分なエネルギーを提供する 。 更なる実施態様において、前記エネルギー源はフレーム源を含み、前記選択さ れたエネルギー供給ポイントは点火ポイントを含む。別の実施態様において、前 記エネルギー源はプラズマトーチを含む。 更なる実施態様において、本粉体形成方法は、特定の基材をコーティングする ために用い得る。この方法において、上記方法を、選択された基材材料を前記輸 送溶液に混和する工程を更に包含するように改変する。 更なる好適な実施態様において、前記輸送溶液濃度は0.005Mから5Mの間であ る。 別の実施態様において、本発明は、領域内に粉体状材料を作成する装置であっ て、輸送溶液槽中の輸送溶液を第1の選択された圧力に加圧する圧力調節手段で あって、該輸送溶液は、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ 以上の試薬が溶解した適切なキャリヤを含んでおり、加圧手段は、該第1の選択 された圧力を該輸送溶液の温度における該輸送溶液の対応する液相線または臨界 圧力Pcより上に維持する能力を有する、圧力調節手段と、該輸送溶液槽と流体 連通した入力端および対向する出力端を有する流体導路であって、該出力端は、 該導路中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の選択された圧力を有する 領域の方向に導くように方向付けられた流出ポートを更に有し、該流出ポートは 溶液を噴霧することによって噴霧溶液スプレーを形成する手段を更に有する、流 体導路と、該流体導路の該出力端に設けられた、該出力端における該溶液の温度 を調節する温度調節手段と、1つ以上のガスを該噴霧溶液スプレー中に混和する ことにより反応可能なスプレーを形成するガス供給手段と、該反応可能なスプレ ーを選択されたエネルギー供給ポイントにおいて反応させるエネルギー源であっ て、該第2の選択された圧力を有する該領域において該反応可能なスプレーを反 応させることにより該粉体状材料を形成するために十分なエネルギーを提供する エネルギー源とを有する装置を、提供する。この装置は、領域中に基材を載置せ ずそのかわりに粉体を回収する点において、前記コーティング装置と同様である 。 また本発明は、上述のプロセスによって生成された基材上のコーティングを提 供する。また本発明は、上述のプロセスによって生成された粉体を提供する。 フレームは、いくらかのオキシダントが存在することを必要とする。従って、 オキシダントの存在下で安定でない材料は、フレームを用いて形成し得ない。C. H.P.Lupis、"Chemical Thermodynamics of Materials"、Elsevier Science Pub lishing、1993を参照されたい。これらの材料は、代わりに、プラズマトーチを 用いて蒸着される。プラズマトーチを用いる場合、空気およびオキシダントのな い環境を維持するために、シースガス、プラズマ封入管、および/または反応チ ャンバが必要である。オキシダント存在下での不安定さのために、用いられる流 体および気体は酸化剤要素を含むべきではない。さらに、炭化水素化合物の使用 は、炭素の広範囲の蒸着という結果を引き起こし得る。炭化物の生成にはいくら かの炭素が必要であるが、過剰量の炭素は、高いCコーティングという結果を引 き起こし得、元素状態で存在する炭素となる可能性がある。このような場合、溶 液濃度を上昇させるか、または炭素濃度の低い又は炭素を含まない流体を用いる べきである。燃焼技術の当業者は、通常の実験のみによって、元素状態で存在す る炭素の蒸着または組み込みを最小にする調整を決定し得る。この蒸着はまた、 バーナおよびエンジンへの適用において、「ファウリング」または「炭素ビルド アップ」と呼ばれる。窒化物の蒸着のために、プラズマトーチが用いられるべき であり、アンモニアは適切な溶媒の1つである。金属膜は、熱力学的に安定な相 からのアニオンがない状態で又はアニオン濃度が低い状態で、化学系から蒸着さ れ得る。簡単な例において、Ti金属が所望である場合、C、NおよびBの濃度 は好適には低く、Cl、FまたはOを含有する化合物はほとんど存在しない。プ ラズマトーチを用いる場合、酸素安定材料を蒸着することがより容易である。な ぜなら、シースガスまたは封入管を用いる必要がないからである。しかし、フレ ーム蒸着および形成された材料の方がコストが低く、従って、フレームを維持す るために十分な酸素を含む環境において熱力学的に安定な材料にとっては好適で ある。 元素状態で存在する炭素から完全に又は部分的になるコーティングを形成する ことが望ましい。その場合、炭素膜の温度が、炭素の酸化が元素状態で存在する 炭素の存在よりも熱力学的に好まれるような温度である限り、元素状態で存在す る酸素および反応酸素を含む化合物はすべて、炭素膜から分離しておかなければ ならない。微量の酸素が存在する場合、元素状態で存在する水素を供給すること により反応雰囲気をより還元的にし得る。ダイヤモンドおよびダイヤモンド様炭 素コーティングは、酸素含有フレームから蒸着され得、必要な蒸着条件は当業者 に公知である。炭素コーティングに対するドーパントまたは第2の相の追加は、 本発明を用いてフレームまたはプラズマに試薬を添加することにより達成され得 る。 動作を簡略化するために、前駆体/溶媒溶液を室温で噴霧装置に汲み上げるこ とが役に立つ。溶液の加熱は、溶液をより低圧の領域に放出する直前に最終工程 として起こるべきである。このような後の段階での加熱は、より高温で起こる反 応および非混和性(immiscibility)を最小にする。噴霧まで溶液を超臨界的温度 より低く保持することは、通常の可溶性を有する領域内の前駆体の溶解量を維持 し、溶液中において有意な溶媒−前駆体濃度グラジエントを上昇させる可能性を 減少させる。これらの可溶性グラジエントは、超臨界的溶媒の溶液強度の、圧力 に対する感度の結果である。小さい圧力グラジエント(前駆体−溶媒系伝達に沿 って上昇し得る)は、観察してきたように可溶性の有意な変化につながり得る。 例えば、308°Kにおける二酸化炭素中のアクリジンの可溶性は、圧力を75 atmから85atmまで上昇させることにより1000倍に上昇され得る。1 984年11月25日〜30日にサンフランシスコで開かれたAIChE Meetingで 発表された、V.Krukonis、"Supercritical Fluid Nucleation of Difficult to Comminute Solids"を参照されたい。このような可溶性の変化は、前駆体を溶液 から追い出し、沈澱するか又は時期尚早に反応して、ラインまたはフィルタを詰 まらせ得るため、潜在的に有害である。 圧力の急速な低下およびノズルにおける高速度は、溶液を膨張および噴霧させ る。本発明の近超臨界的な噴霧系の動作にとって好適である、通常の可溶性範囲 内の溶質濃度のために、前駆体は低圧領域に注入された後、溶液中にまだ有効に 存在する。「溶液中にまだ有効に存在する」という表現は、通常の溶媒強度より も高い溶質濃度を有する溶液が低圧領域に注入されるときに起こるプロセスと関 連づけて理解されなければならない。この場合、突然の圧力低下は、カタストロ フィックな(catastrophic)溶質核形成条件の原因となる高超飽和率を引き起こ す。カタストロフィックな核形成がすべての溶解した前駆体から急速に溶媒を奪 うと、小さい前駆体粒子の増殖が進む。D.W.Matson、J.L.Fulton,R.C.Pete rsenおよびR.D.Smith、"Rapid Expansion of Supercritical Fluid Solutions: Solute Formation of Powders,Thin Films,and Fibers"、Ind.Eng.Chem.R es.、26、2298(1987)、H.Anderson、T.T.KodasおよびD.M.Smith、"VaporPhas e Processing of Powders: Plasma Synthesis and Aerosol Decomposition"、Am .Ceram.Soc.Bull.、68、996(1989)、C.J.ChangおよびA.D.Randolph、"Prec ipitation of Microsize Organic Particles from Supercritical Fluids"、 AIChE Journal、35、1876(1989)、T.T.Kodas、"Generation of Complex Metal Oxides by aerosol Processes: Superconducting Ceramic Particles and Films "、Adv.Mater、6、180(1989)、E.Matijevic、"Fine Particles: Sciencead Te chnology"、MRS Bulletin、14、18(1989)、E.Matijevic、"Fine Partlicles Pa rt II: Formation Mechanisms and Applications"、MRS Bulletin、15、16(1990 )、R.S.Mohamed、D.S.Haverson、P.G.DebenedettiおよびR.K.Prud'homme、" Solid Formation After Expansion of Supercritical Mixtures"、Supercritica l Fluid Science and Technology、K.P.JohnstonおよびJ.M.L.Penniger編、35 5頁、American Chemical Society、Washington D.C.(1989)、R.S.Mohamed、P. G.DebenedettiおよびR.K.Prud'homme、"Effects of Process Conditions on C rystals Obtained from Supercritical Mixtures"、AIChE J.、35、325(1989)、 ならびにJ.W.TomおよびP.G.Debenedetti、"Formation of Bioerodible Polyme ric Microspheres and Microparticles by Rapid Expansion of Supercritical Solutions"、Biotechnol.Prog.、7、403頁(1991)を参照されたい。 粒子は薄いコーティングの形成には望ましくないが、粉体の形成中には有益であ り得る。 従って、本発明の加熱された噴霧器は、排他的に超臨界温度より高い溶媒の急 速な膨張に作用する非加熱装置に比べて、(1)温度が、良好に制御された、前 駆体−溶媒混合物の噴霧の度合を可能にする、および(2)超臨界的噴霧という 利点を保持しながら前駆体のカタストロフィックな核形成は回避され得るという 更なる利点を有する。超音波速度が生成され得て、さらに噴霧に利点を与えるマ ッハディスクを形成する。 噴霧装置への熱入力を調整することにより、溶液(liquid solution)は様々な 度合いで気化し得る。噴霧装置への熱入力がない場合、STPで液体である、よ り高い超臨界温度の液体の溶液(liquid solution)は、超臨界的状態からは明ら かに遠い液流という形態で存在し得る。このことは、不十分に形成されたフレー ムという結果になり、所望でない基材との液体の接触が起こる可能性がある。溶 液(liquid solution)とノズルにおける超臨界温度との温度差を減少させること により、溶液(liquid solution)が破壊されてミストを形成する小滴になり、ミ ストは噴霧装置から放出される。小滴は気化し、そのため近距離から後は可視で なくなる。噴霧装置における超臨界温度が近づくにつれ、溶液(liquid solution )小滴のサイズは減少し、溶液気化までの隔たりが減少する。この噴霧器を用い て、蒸気小滴のサイズが、エアゾール気化テスタを用いて決定され、得られた小 滴サイズは、計器の1.8mmの検出限度より下であった。 熱入力をさらに増加させると、先端部にミストがない状態、すなわち完全気化 という結果になる。理論に拘束されることは意図しないが、溶液のこの挙動は、 試薬および溶媒の超臨界特性の組み合わせに起因すると考えられ得る。より低い 超臨界温度溶媒中の前駆体の溶液は、STPで気体であり、同様に挙動するが、 先端部(「ノズル」または「リストリクタ」とも呼ぶ)から現れる溶液は、熱入 力がない状態でも液流を形成しない。溶液の最適な気化を得るために必要な熱の 量は、溶液の熱容量と、溶媒の超臨界温度とノズルのまわりの周囲温度との差に ほとんど依存する。 システムの圧力および温度(気化前の)を溶液の沸点および超臨界点より上に 維持することが望ましい。温度が沸点より上であると同時に圧力が液相線または 臨界圧力より下まで下がると、溶媒の気化は、先端部より前に管内で起こる。こ のことは、蓄積されて噴霧装置を詰まらせ得る溶質を残す。同様に、圧力は好適 には、流体がより液体様であるように超臨界的領域において十分高い。液体様超 臨界的流体は、より気体様の超臨界的流体よりも良好な溶媒であり、溶質が噴霧 装置を詰まらせる可能性をさらに減少させる。前駆体−前駆体相互反応が溶媒と 前駆体との間の強度よりも高い場合、溶媒−前駆体結合は、破壊されて有効に前 駆体を溶液から追い出し得る。その場合、前駆体分子は、噴霧装置に付着してリ ストリクタを詰まらせるクラスタを形成する。ほとんどの場合、気化点を先端部 内部から先端部の端部にシフトすることにより問題は解決され得る。上記シフト は、噴霧装置への熱入力を減少させることにより達成される。別の解決は、前駆 体とのより強力な結合を形成する溶媒を用いて、より安定な溶液が形成されるよ うにすることである。先端部の少量のミストは、通常、最高質の薄膜を形成する 結果となる。溶液の温度が高すぎる又は低すぎる場合、材料のナノまたはミクロ 球が形成される。これらの球は、高密度のコーティングが望まれる場合、有害で ある。 ミストがない状態に達すると、蒸着は、臨界温度より上で行われている。フレ ームの熱および外部気体との混合は、STP液体溶媒が凝集して小滴を形成する ことを妨げる。ミストがない場合、噴霧および相互混合は、非常に良好であるが 、流れの安定性は低下し、その結果、フレームが先端部の方向に対して横方向に 飛翔し得る。このようなフレームの挙動があると、蒸着は依然可能であるが、厳 密に均一な厚みを要する膜を蒸着することは困難であり得る。さらに、溶液の温 度を、放出前に、溶質が沈澱するか又は反応して沈澱するかのいずれかの温度よ り低く維持することが必要である。溶媒混合物を用いる場合、加熱中に尖点状( spinoidal)非混和性への線を横切ることが可能であり得る。このことは、溶質 の異なる可溶性による、2つの相における濃度差の可能性により2つの別々の相 の形成を引き起こす。このことは、高噴霧温度における前駆体の形成と生成物球 とに影響を与える。これらの要因のすべては、加熱に対する溶液の露出を、必要 であれば、先端部まで最小にして、可能性のある望まれない物質の平衡状態が、 蒸散するに十分な時間を有しないようにすることが好適であることを示す。従っ て蒸着された膜の構成は、厳密に制御され得る。 この制御により、多くの膜のマイクロストラクチャが可能である。溶液濃度を 上昇させることにより、蒸着速度を上昇させることが可能であり、高濃度から多 孔、鏡面的から鈍い、平滑から粗い、円柱状からヒロック状、薄から厚というマ イクロストラクチャの変更は、溶液濃度を上昇させる結果起こる。段階的かつ多 層コーティングもまた製造され得る。実施例VIを参照されたい。多層は、異な る前駆体を含む溶液を個々のフレームに供給することにより形成され得る。連続 的な複数の蒸着フレームは、製造に適用された場合のスループットを上昇させる ために用いられ得る。蒸着パラメータを制御するいくつかの更なる要因は、表面 拡散および核形成を制御する基材表面温度、境界層厚みを制御し従って蒸着速度 を制御する圧力、蒸着される材料を変化させ従ってコーティングの成長癖(grow th habit)を変化させる溶液化合物および混合ガス、反応が起こり得る場所と蒸 気安定性に影響を与えるフレームおよびプラズマエネルギレベル、およびより多 いクラスタの粒子形成または増加した拡散時間につながり得る、噴霧化から蒸着 への反応までの時間に影響を与える基材への距離を含む。さらに、電界および磁 界は、いくつかの材料の成長癖に影響を与えるか、または蒸着効率を上昇させる 。当業者は、このような電界および磁界はいくつかの蒸着された材料の成長癖に 影響を与え、特定の蒸着速度および効率を変化させることを認識する。 溶液加熱噴霧器に対する必要なエネルギ入力は異なる前駆体/一次溶媒/二次 溶媒溶液について変化するため、二次溶媒に対する一次溶媒の割合が一定である 溶液から多層薄膜を蒸着することが好適である。このとき、1つの溶液から別の 溶液に切り換える際に噴霧器へのエネルギ入力を変更する必要はない。これによ り得られる設定の簡略化は、コストを減少する一方、向上した性能および信頼性 を生み出す。また、基材は所望の多層を構築するために異なる試薬を含むフレー ムにより通過され得る。 フレーム流体の使用とプラズマ流体の使用との主要な差は、フレームの溶液濃 度はしばしば、所望のフレームエネルギレベルに関係しなければならないという ことである。高溶液濃度は、多孔性コーティングまたは管の詰まりにつながり得 る。更なる希釈溶液、より高い蒸気圧前駆体、より高い蒸着温度および/または より高い易動度、ならびに拡散蒸着化合物は、高濃度のコーティングを達成する ために必要とする溶液流体加熱がより少ない。低蒸気圧前駆体は、高品質コーテ ィングを形成し得るが、噴霧および蒸着パラメータは、高蒸気圧試薬の場合に可 能であるよりも変化性が少ない。しかし、非常に低い溶液濃度は、受容不能なほ ど低い蒸着速度を生み出す。 溶液が燃焼用の燃料を供給するとき、0.1モルまでの濃度は、材料によって は、高密度コーティングという結果になる。ほとんどの材料は、0.01モルま での好適な濃度を有する。より低い拡散および易動度を有する材料は、0.00 2未満の溶液濃度を要する。0.0001モル未満の溶液濃度は、ほとんどの材 料の場合非常に低い蒸着速度という結果になる。追加の可燃材料によるプラズマ トーチおよびフレーム蒸着は、1Mを越えても、より高い濃度を有し得るが、前 駆体の好適な蒸気形成にとっては、前駆体が高蒸気圧を有していない限り、高濃 度は望ましくない。低蒸気圧前駆体溶液濃度は、好適には0.002モル未満で ある。 理論に拘束されることは意図しないが、本発明の蒸着技術の原理は、CVDは 表面での反応に限られないという発見を含むことを理解することは役に立つ。Hu nt,A.T.、"Combustion Chemical Vapor Deposition,a Novel Thin Film Depos ition Technique"、Ph.D.Thesis Georgia Inst.of Tech、Atlanta,GA.,(199 3)、および13th Int.Conf.on CVD,Los Angeles,CA(1996)において発表され たHunt A.T.、"Presubstrate Reaction CVD,and a Definition for Vapor"を参 照されたい。上記文献の内容は参考のため、ここに援用される。反応は、主に気 流中で起こり得るが、蒸着される得られた材料のサイズは、蒸着されたマイクロ ストラクチャを有するコーティングを生み出すために臨界未満でなければならな い。これらの所見は、蒸気が、基材に吸収されてより低いエネルギの位置または 構造体に容易に拡散し得る、個々の原子、分子またはナノクラスタから構成され ることを示す。従って、最大クラスタサイズは、臨界核サイズ同様、基材温度の 低下に伴って減少しなければならない。溶媒の気化の後試薬クラスタが残り、ク ラスタサイズは試薬蒸気圧、初期の小滴サイズおよび溶液濃度に関連することは 、当業者に公知である。そのため、低蒸気圧試薬の噴霧は、フレーム状では気化 せず、非常に細かくなければならない。 好適な液体溶媒は、低コストの溶媒であり、エタノール、メタノール、水、イ ソプロパノールおよびトルエンを含むが、これらに限定されない。水溶液は予め 存在するフレームに供給されなければならず、他方、可燃溶媒はそれ自体フレー ムを形成するために用いられ得る。溶液をフレームに供給するよりも溶液を用い てかさ高いフレームを形成することが好適であるが、必要ではない。より低い試 薬濃度は、このようにして生成され、これにより臨界未満の核サイズを有する材 料の形成が容易になる。 1つの好適な溶媒および二次溶液はプロパンであり、プロパンはSTPにおい て気体である。しかし、多くの他の溶媒系が動作可能であることに留意しなけれ ばならない。例えば、CRC Handbook of Chemistry and Physics、CRS Press,Bo ca Raton、Floridaを参照されたい。プロパンは、低コスト、市場での入手可能 性、および安全性のために好適である。主にプロパンである溶液中では多くの低 コスト有機金属が用いられ得る。扱いを容易にするために、初期の前駆体はメタ ノール、イソプロパノール、トルエン、またはプロパンと相溶な(compatible)他 の溶媒中で溶解し得る。この初期溶液は次いで、容器に入れられ、容器内に液体 プロパンが追加される。プロパンは、室温で僅か約100psiより上で液体で ある。得られた溶液は、初期溶液よりもはるかに低い超臨界点を有し、このこと は、噴霧器への必要なエネルギ入力を低下させることにより噴霧を容易にする。 さらに、一次溶媒は、プロパンの極可溶性を上昇させ、それにより、そうでなけ ればプロパンのみにより達成されるはずのより高い溶液濃度を多くの試薬に対し て可能にする。概して、一次溶媒の極性は、溶質(前駆体)の極性が増加するに つれて増加するべきである。従ってイソプロパノールは、トルエンよりも良好な 極性溶質の可溶性において補助し得る。いくつかの場合、一次溶媒は、二次溶媒 と溶質上のリガンドとの間のシールドとして作用する。1つの例は、プロパン中 のプラチナ−アセチルアセトネート[Pt(CH3COCHCOCH3)2]であり、これにおいて 、前駆体/一次溶媒および一次溶媒/二次溶媒間の重量比が他の系において必要 とされるよりも高くなり得る。 アンモニアがコーティングおよび粉体の蒸着用の二次溶媒として考慮されテス トされている。アンモニアは亜硝酸塩ベースの前駆体と相溶な低価格の溶媒であ るが、他の二次溶媒と用いることが容易ではない。問題は、純粋なアンモニアが 概して侵食性がある(aggressive)であることに起因する。アンモニアの噴霧特 性は、前駆体を添加することなくテストされ、用いられた圧力容器は、不活性な タイプ316ステンレス鋼容器が用いられたときでさえも、実験の後有意に侵食 された(attacked)。炭化水素ベースの溶媒とは対照的に、アンモニアはまた、 僅か2〜3分後にBuna-NおよびVitonガスケットを役に立たなくする。適切なガ スケット材料の場合でも、これは問題である。なぜなら、所望のコーティングま たは粉体は通常圧力容器壁から洗い落とされる微量の鉄を含んではならないから である。 テストされ用いられ得る他の気体様二次溶媒は、エタン、エチレン、エタン/ エチレン混合物、プロパン/エチレン混合物、およびプロパン/エタン混合物を 含む。エタンおよびエチレン二次溶媒は、サファイア単結晶基材をYSZおよび YSZ−アルミナ薄膜でコーティングするために用いられ、良質の高密度な膜と なった。プラチナ薄膜は、エタンとプラチナ有機金属との超臨界混合物から蒸着 された。LCSおよびPLZT薄膜は超臨界エタン混合物から蒸着された。これ らの蒸着のために、前駆体溶液が急速な膨張噴霧のみを経るように非加熱ノズル が用いられた。小さい開口部を有する大ID(「内径」)ノズル(開口部に比べ て)が用いられた。開口部は長さ僅か約0.1mm(流れる前駆体溶液の方向に )であるため、リストリションを横切る圧力グラジエントは、不連続遷移に近似 する。この突然の圧力低下は、溶媒の断熱的な膨張を可能にする。このような急 速に膨張する非平衡系で起こるプロセスは、様々な超臨界系について研究されて きた。例えば、C.R.Yonker、S.L.Frey、D.R.KalkwarfおよびR.D.Smith、"Ch aracterization of Supercritical Fluid Solvents Using Solvatochromatic Sh ifts"、J.Phys.Chem.90、3022(1986)、P.G.Debenedetti、Homogeneous Nucl eation in Supercritical Fluids"、AIChE J.、36,1289(1990)、J.W.Tomおよ びP.G.Debenedetti、"Particle formation with Supercritical Fluids--A Rev iew"、J.Aerosol.Sci.、22、555(1991)を参照されたい。 他の試験された溶媒および溶媒混合物も同様の品質であったが、これらの沸点 は有意に低いため取り扱いはもっと複雑で、溶液の冷却が必要であった。取り扱 いが容易であるためプロパンは好適な溶媒であるが、プロパンに対して可溶の前 駆体を見つけることができないときなどプロパンを使用できない場合には、他の 超臨界溶媒がプロパンに代わるものとして考慮される。もし所望されれば、超臨 界温度をさらに低くするために他の流体が用いられ得る。 プロパン燃料/溶媒システムを使用して蒸着効率および蒸着速度の研究を行っ た。十分に高密度のSiO2の蒸着に対しては17%の蒸着効率が示された。高密度のS iO2に対しては1μm/分の蒸着速度が得られた。 開発実験の間に、前駆体溶液を低圧領域に注入する位置であるノズル端部と絞 り管の背部との間に電流を印加することが1つの加熱方法として確立された。こ の絞り管直接加熱方法により、応答時間が短いため噴霧化を急速に変更すること ができる。先端部と先端部に接続した電気リード線との間の接続抵抗を大きくす ることによって、最大加熱位置を先端部の方へ移動させることができる。薄壁の 絞り管の方が厚壁の絞り管より抵抗が大きいため、応答時間が短くなる。他の加 熱方法も適用することができ、いくつかの方法について調査を行った。これらの 方法としては、遠隔抵抗加熱、パイロットフレーム加熱、誘導加熱、およびレー ザ加熱を含むがこれらに限定されない。当業者であれば、噴霧器の流出ポートの 温度を調節する他の適切な加熱手段を容易に決定し得る。 遠隔抵抗加熱は、電気加熱された管の内部に位置する非導電性の絞り管を使用 する。非導電性の管は導電性の管にぴったりと嵌合する。導電性の管に電流を印 加するとこの管は加熱され、エネルギーが内部の非導電性の絞り管に伝導される 。この方法では、絞り管直接加熱方法に比べて大きな加熱電流を必要とし、応答 時間が長い。応答時間が長いと熱安定度が高くなるため、所定の条件の下では有 利であり得る。一方、パイロットフレームおよびレーザ加熱はそれぞれ、絞り管 を加熱するためにパイロットフレームまたはレーザ光を使用する。これは、絞り 管の先端部がパイロットフレームまたはレーザ光に曝される直接加熱構成、また はサイズの大きな外部管を加熱する間接加熱構成で行われ得る。溶液に伝導する 必要のあるエネルギー量は極めて大きいため、加熱される管は、直接電気加熱ま たは遠隔電気加熱の場合より厚い壁であるのが好ましい。外部管をパイロットフ レームまたはレーザ光に曝すことにより、薄壁の絞り管の使用が可能となる。 次に図2および図3を参照して、超臨界噴霧を用いて膜および粉体の蒸着を行 う装置200を示す。装置200は、試薬輸送溶液2(「前駆体溶液」とも呼ぶ)を溶 液容器3から噴霧器(「ネブライザー」または「気化器」とも呼ぶ)4へ吸引す る固定速度または可変速度のポンプ1よりなる。図3は、噴霧器4のより詳細な 概略図を示す挿入図である。前駆体溶液2は、前駆体溶液容器3からライン5お よびフィルタ6を介して噴霧器4に吸引される。次に前駆体溶液2は、一定また は可変温度制御絞り7に吸引される。加熱は多くの方法で実現され得る。これら の方法には、抵抗電気加熱、レーザ加熱、誘導加熱、またはフレーム加熱が含ま れるが、これらに限定されない。抵抗電気加熱では、ACまたはDC電流のいずれか が使用され得る。絞り7への電気接続部8のうちの1つは、好ましくは、絞り7 の先端に非常に近い位置に配置される。DC電源による加熱の場合は、この接続部 8すなわち極は正極または負極のいずれかであり得る。他方の極9は、ハウジン グ10の内部または外部の絞り7に沿った他のいずれの点に接続してもよい。全体 のサイズが小さい噴霧器の場合に有利である管の内部のコーティングなどの特別 な適用に対しては、ハウジング10の背部で絞り7に接続するか、またはハウジン グ10の内部で接続するのが好ましい。ハウジング10の背部のガス接続部はオンラ イン配置で示されているが、装置200の機能を妨害しない限りいかなる他の配置 で配設してもよい。 絞り7を介して供給される前駆体溶液を燃焼させるために、ほとんどの場合内 径1/16"である狭いガスA供給ライン11が、可燃性ガス混合物を小径の流出口12 に搬送する。この流出口は好ましくは絞り7から2.5cm以内に位置し、ここでガ ス混合物は安定したパイロットフレームとして働き得る。ガスAの供給は、ガス A混合物成分14および15それぞれの流れを制御するフローコントローラ13によっ て監視される。ガスA燃料成分14は、噴霧器4の近くまたは内部に位置する混合 「T」16内の酸化成分15と混合される。この後の方の混合は、潜在的なフラッシ ュバックを低減させるため、好ましくは安全のために行われる。ハウジング10内 の配送チャネルにより、ガス供給ライン11はガスA供給部17に接続される。噴霧 化された溶液スプレーとの良好な混合が実現されるようにガスBを供給部19から 送達するためには、ガスB供給ライン18が用いられる。ほとんどの場合、高速ガ ス流が利用される。多数のガスB供給穴20(ほとんどの場合4個、特定の適用に よってはこれより多くのまたは少ない穴が使用され得る)が絞り7の周りに配置 され、これにより所望のフローパターンが得られるようにガスBが供給される。 ガスBの流れのフロー特性は、ガスB保存コンテナ21内のガスBの圧力、フロー コントローラ13によって決定される流速、ライン直径5、および供給穴20の数な どの要因に影響される。もしくは、ガスBは、絞り7と同軸でありこれを取り囲 むもっと大きな管を通して供給され得る。前駆体溶液2が前駆体供給部22に吸入 されると、溶液の温度は、電源23によって決定される絞り7を流れる電流(電気 加熱の場合)によって制御される。次にこの加熱電流を、適切な量の噴霧化(霧 化、気化)が起こり得るように調整し得る。次に、安定したパイロットフレーム により、噴霧化された反応性スプレーを発火させ基材24上に粉体または膜を蒸着 させることができる。 本発明の方法および装置を用いて多くの異なるコーティングを蒸着させた。多 くの場合にプロパンを超臨界二次溶媒として用いた(すなわち、前駆体濃度の高 い少量の一次溶媒を多量の二次溶媒と混合させた)が、他の溶媒も用いられた。 他の可能な二次溶媒としては、エチレン、エタン、およびアンモニアを含むがこ れらに限定されない。以下に図2の装置を使用して現時点で蒸着が行われた材料 のリストを示す。これらは、本発明を用いて蒸着され得る多くの可能な材料のう ちのほんのわずかなものを表しているに過ぎない。このリストは請求の範囲にお いて後述される本発明の範囲を限定することを意図するものではない。 金属 Ag、Au、Cu、Ni、Pt、およびRh 酸化物 Al2O3、3Al2O3-2SiO2、BaCeO3、BaTiO3、BST、Cr2O3、Cu2O、DLC、In2 O3、(K)-SiO2、LaPO4、LSC、LSM、MgO、MnO-Pt、NiO、PbSO4、PdO、PLZT、PZT 、RuO2、SiO2、Sn2、SrLaAlO4、SrTiO3、TiO2、YBa2Cu3Ox、YIG、YSZ、YSZ-アル ミナ(ZTA)、Y2O3、およびZrO2 その他 BaCO3、LaPO4、およびPbSO4 基材のほとんどは本発明の方法および装置によってコーティングされ得ること は当業者であれば認識され得る。基材は、プロセス中に生成される得られる高温 ガスの温度および条件に耐え得る場合にコーティングされ得る。基材は、水流な どの(本明細書に記載された)冷却手段を用いて冷却され得るが、基材表面温度 が低い場合は、関連する拡散速度が低いため多くの材料の高密度または結晶性コ ーティングは不可能である。さらに、基材をさらに冷却してもしなくても、低温 低圧のフレームを用いることによって、高温ガス内での基材の安定性がさらに実 現される。 YSZおよびPtは粉体として蒸着された。他の材料はこの技術により膜としてま たは粉体として蒸着され得る。従って、本発明の適用可能範囲は広いこと、およ び本発明によって包含される材料および基材は上記に提示した材料に制約されな いことを強調する。 上記の点を留意して、上述の方法および装置の好適な実施態様を以下に述べる 。本発明の他の特徴は以下の実施例から明らかとなり得る。以下の実施例は単に 例示のためであり、本発明を制約するようには意図されない。 実施例I 本発明のプロセスのコーティング蒸着能力を示すために、金属基材上に単純な 酸化物コーティングを形成した。2.1重量%のSiが得られるようにイソプロパノ ールに溶解させたテトラエトキシシラン[Si(OC2H5)4]に追加のイソプロパノール (3.2ml)およびプロパン(51ml)を加えて全シリコン濃度を0.06Mとした溶液からSi O2を水冷却アルミニウム箔上に蒸着させた。蒸着のためのガス温度は1190°Cで あった。図3に示すように、前駆体を噴霧化するために使用される針は、外径0. 012インチおよび内径0.004インチの304ステンレススチールとした。針の電気の 流れる長さにわたる抵抗は約1.6Wであった。燃焼するエタンおよび酸素から形成 される小さなパイロットフレームを蒸着中ずっと用いてフレームを維持した。溶 液を3ml/分で針に吸引し、針を流れる電流量を制御することによって噴霧化し た。本実施例では、電流は2.65Aであった。蒸着中の吸引による溶液の圧力は、 運転により変動し得、適切な流体特性が確実に得られる最小圧力が維持される限 り重要ではない。この場合では、得られる圧力は500psiであった。溶液フレーム の外側を巡って流れる酸素を、30psiの圧力および4750ml/分の流速で流量計に より測定した。 基材の蒸着が行われる側とは反対の側に向けて生成される80psiの空気−水ミ ストによって、蒸着中にアルミニウム箔の基材を冷却した。1190°Cで48秒間加 えられたコーティングの蒸着速度は約1μm/分、蒸着効率は16.6%であった(重 さの増加分を、反応シリカとしての利用可能な前駆体材料全体で割ることによっ て計算した)。アモルファスコーティングは高密度で基材への接着性を有する。 コーティングの表面は、もっと低い蒸着速度で実現される場合ほど滑らかではな いが、良好な薄膜干渉色が観察された。基材の酸化は起こらなかった。 実施例II 実施例Iのアルミニウム上に蒸着された酸化物などの金属基材上に形成される コーティングに加えて、プラスチック基材上にもコーティングを形成した。プラ チナ−アセチルアセトネート[Pt(CH3COCHCOCH3)2]、トルエン、およびメタノー ル の0.005M溶液から、200〜260°Cのガス温度でテフロン上にプラチナを蒸着させ た。2つの個別のパイロット光を用い、また試薬溶液を取り囲む同軸管を介して 酸素を供給した点を除いては、実施例Iで使用した蒸着装置と同様の装置を用い た。溶液の流速は、圧力が1500psi、針電流が約3.3Aのとき2ml/分であった。酸 素は圧力20psiおよび速度4750ml/分で流れた。得られる接着膜は滑らかで高密 度であり、また均一であった。X線回折(「XRD」)により、(111)の好適な成長 方向を有するプラチナの形成が確認された。 本実施例はまた、本発明のプロセスによって生成されるコーティングは酸化物 に限らないことを示す。純粋元素としてプラチナが蒸着された。 実施例III 本発明によって開発されたコーティングは平坦な基材上への形成に限定されな い。本発明の装置を用いて膜をセラミックファイバートウ上に蒸着させた。1.7 重量%のPが得られるようにトルエンに溶解させたトリエチルホスフェート[(C2 H5O)3PO4]、1重量%のLaが得られるようにトルエンに溶解させたランタン2-エ チルヘキサノエート[La(OOCCH(C2H5)C4H9)3]、追加のトルエン(16ml)、およびプ ロパン(273ml)の溶液からLaPO4をアルミナファイバートウ上に蒸着させた。得ら れる溶液は、0.0010MのPおよび0.0013MのLaの濃度であった。溶液は、蒸着中41 0psiの圧力で3ml/分の速度で流れ、2.36Aの針電流で噴霧された。溶液フレー ムへ流れる酸素の流速は、30psiの圧力で4750ml/分であった。 トウ内の400本のファイバーが同時にコーティングされた。各ファイバーは直 径約12mmであった。トウはフレームの蒸着ゾーンをゆっくりと2度通過した。フ レームを2度通過させただけで(2回目の通過ではトウを1回目の通過に対して 長軸回りに180度回転させた)トウ内の個々のファイバーを覆って均一のコーテ ィングを生成することができた。900°Cのガス温度で生成された高密度の円柱状 のコーティングの厚さは、トウ内の50%を超えるファイバーに対して、300〜500n mの範囲であった。フレームへの露出により過度のファイバー劣化は生じなかっ た。XRDにより、アルミナファイバー上に形成されたコーティングはモンゾナイ トLaPO4であることが確認された。 本実施例はまた、CCVDプロセスによって生成される酸化物コーティングは2成 分からなる酸化物に限定されないことを示す。本実施例に含まれるLaPO4は、特 定の膜の化学式通りの化合物を得るために所定の割合で添加される2つのカチオ ン含有前駆体を含有する溶液から形成された。EDX組成分析により、蒸着された 各カチオンの原子パーセントは900および1000°Cの両方で所望通りであることが 示された。 実施例IV 実施例IIIは、1つより多いカチオンにより構成されるコーティングを蒸着す る本発明の能力について示した。5個までの異なるカチオンを提供する前駆体を 有する溶液から得られるコーティングもまた、実施例Iで示した装置と同様の装 置を用いて蒸着させた。32.077重量%のLaが得られるようにエタノールに溶解さ せた硝酸ランタン[La(NO3)3]、13重量%のCrが得られるようにエタノールに溶解 させた硝酸クロム[Cr(NO3)3]、2重量%のSrが得られるようにエタノールに溶解 させた硝酸ストロンチウム[Sr(NO3)2]、2重量%のNiが得られるようにエタノー ルに溶解させた硝酸ニッケル[Ni(NO3)2]、0.1重量%のAlが得られるようにエタ ノールに溶解させた硝酸アルミニウム[Al(NO3)3]、エタノール(12ml)、イソプロ パノール(25ml)、および水(5ml)を含有する溶液から、ニッケル、アルミニウム およびストロンチウムをドープしたLaCrO3コーティングを生成した。得られる溶 液は、0.045MのLa、0.040MのCr、0.005MのSr、0.005MのNi、および0.005MのAlの 濃度であった。溶液は、5200psiの圧力で2ml/分の速度で流れ、酸素は、1600m l/分の速度および35psiの圧力で溶液フレームの方向へ流れた。コーティングは 溶融シリカ基材に1150〜1250°Cで16分間蒸着された。コーティングのEDX分析に より、Al、Cr、Ni,Sr、およびLaのカチオン比率は約1:26:5:5:63であることが分 かった。蒸気圧の低い硝酸塩などの前駆体からのコーティングの蒸着が成功裏に 得られたことにより、本発明は金属有機体試薬からの蒸着に限定されないことが 示される。 実施例V 上記の各実施例では、本発明のプロセスによって異なる基材をコーティングす る能力を示した。蒸着される膜と基材との構造的な関係についても、実施例Iで 述べたプロセスと同様のプロセスを用いて示す。4重量%のPbが得られるように トルエンに溶解させたPb2-エチルヘキサノエート[Pb(OOCCH(C2H5)C4H9)2]、0.28 重量%のLaが得られるようにトルエンに溶解させたトリ(2,2,6,6-テトラメチル- 3,5-ヘプタンジオネート)ランタン[La(C11H19O2)3]、6重量%のZrが得られるよ うにトルエンに溶解させたZr2-エチルヘキサノエート[Zr(OOCCH(C2H5)C4H9)4]、 0.82重量%のTiが得られるようにトルエンに溶解させたTi(IV)i-プロポキシドTi [OCH(CH3)2]4を含有しすべてをトルエン(95.8ml)内で結合させた溶液から、PLZT (Pb、La、Zr、Ti)を単結晶(100)MgO上に蒸着させた。得られる溶液は、0.0023M のLa、0.0012MのZr、0.0010MのPb、および0.0003MのLaの濃度であった。溶液は 、蒸着中2400psiの圧力で1.5ml/分の速度で流れ、酸素は、1600ml/分の速度お よび30psiの圧力で流れた。 700°Cで16分間MgO上に蒸着されたPLZTの(101)ピークのXRDポール図パターン により、この基材上のPLZTのエピタキシが高程度であることが示された。それぞ れが互いに90°Phiである4箇所の44度Psi位置以外には強度が50を超えるところ はなかった。最大値の0.005%である3つのマイナーピーク以外には、最大値の0. 002%より高い別のピークはなかった。PLZTでは別のエピタキシャルピークはなか った。 実施例VI 実施例Iで述べた装置を用いて本発明のプロセスによって多層コーティングも また生成された。2つの異なる溶液からA15YSZ-16YSZが交互に形成される22層の コーティングを生成した。6重量%のZrが得られるようにトルエンに溶解させた Zr 2-エチルヘキサノエート[Zr(OOCCH(C2H5)C4H9)4]0.51gと、0.69重量%のYが 得られるようにトルエンに溶解させたY 2-エチルヘキサノエート[Y(OOCCH(C2H5 )C4H9)3]0.80gとをすべてトルエン150ml中で結合させた溶液からYSZを蒸着させ た。得られる濃度は0.0022MのZrおよび0.0004MのYであった。YSZ-Al溶液は、そ れぞれ0.38gと0.18gの上記に示した2つの前駆体と、0.1重量%のAlが得られる よう にトルエンに溶解させたアルミニウムアセチルアセトネート[Al(CH3COCHCOCH3)3 ]0.08gとからなり、トルエン150ml中で結合させた。 コーティングは単一のフレームから生成された。フレームに供給される溶液を 3分毎に交替させ、各溶液間に1分間のライン洗浄トルエン流を挟んだ。溶液の 流速は両方の溶液に対して3ml/分で一定に保ち、針を流れる電流は3.3Aに一定 させた。溶液の圧力は1700〜2000psiであった。フレームに供給される酸素は、 速度4750ml/分および圧力20psiで流した。コーティングの蒸着には90分を要し 、1100〜1150°Cのガス温度で行った。得られる多層コーティングは滑らかで高 密度であり、厚さは1mmでクラッキングは観察されなかった。各層は約40nmの厚 さであった。 実施例VII CCVDプロセスではまた粉体の生成も可能である。粉体の生成が如何に容易であ るかを、YSZを粉体として蒸着するという最初の試みにおいてYSZ粉体を形成する ことによって示す。使用する溶液は、6重量%となるようにトルエンに溶解させ たZr 2-エチルヘキサノエート、0.69重量%となるようにトルエンに溶解させた Y 2-エチルヘキサノエート、トルエン(6.9ml)、およびプロパン(136.7ml)によ り構成した。ジルコニウムおよびイッテリウムの濃度は、それぞれ0.005Mおよび 0.0003Mであった。蒸着中に針を流れる電流は2.66Aであった。粉体が蒸着される ときの温度は700°Cであり、蒸着時間は32分間であった。粉体は氷水で満たされ たアルミ箔容器上に蒸着させた。水により、蒸着表面がフレームの温度よりはる かに低い温度に冷却された。しかし、表面は、蒸着領域に過度の水分凝縮が形成 されないほどの温度とされた。 蒸着が完了すると、容器上に集積された粉体を箔からこすり取って、透過型電 子顕微鏡(TEM)により分析した。形成された個々の粉体粒子は、こすり取る過程 で得られた基材の粒子の大きなクラスターから区別することができた。EDXを用 いて、ZrおよびYの存在を確認した。粉体粒子サイズは約2〜10nmの範囲で、粒 子のほとんどは4〜6nmであった。さらに、膜から得られる電子回折パターンは 環パターンの形態であり、これは、粉体が結晶であることを示した。パターンの 環は、粒子サイズが小さいことから予想されるように滑らかで連続していた。材 料のd間隔を環から計算し、得られた値はYSZに対して予想されたd間隔と整合 した。しかし、インデックス化のために利用し得る環の数には限度があり、また 、イットリアを含むかまたは含まない異なるタイプのジルコニアのd間隔値は類 似しているため、粉体の特定の構造(六角形、四角形など)は電子回折から決定 することはできなかった。平坦な粉体のX線回折から同様の結果が得られた。も っとも、イットリウムが安定した酸化ジルコニウムとは緊密な整合が得られた。 本発明においては、本発明の範囲および精神から離れることなく様々な改変お よび変形がなされ得ることは当業者には明らかである。上記に開示した本発明の 明細書および実施例を考慮すれば、本発明の他の実施態様も当業者には明らかで ある。明細書および実施例は単なる例示として考慮されるものであり、本発明の 真の範囲および精神は以下の請求の範囲によって示される。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.基材を選択された材料でコートする方法であって、 a)第1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液を形 成するために、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ以上の試 薬を適切なキャリヤ中に溶解させる工程と、 b)第2の選択された圧力を有する領域に基材を位置させる工程と、 c)該輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力を越える第3 の選択された圧力まで加圧する工程と、 d)加圧された該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有する流体導路(f luid conduit)に導く(direct)工程であって、該出力端は、該導路中の該流体を 該領域中および該基材の方向に導くように方向付けられた(oriented)流出ポート (outlet port)を更に有する工程と、 e)該溶液を該溶液の臨界温度Tcの約50℃下から該溶液のTcの間の第2の選択 された温度に維持し、該第3の圧力を、該圧力調節手段を用いて、該第2の選択 された圧力より上でありかつ該第2の選択された温度における該溶液の対応する 液相線または臨界圧力Pcより上に維持する工程と、 f)加圧された該溶液を該導路の該流出ポートを通って該領域中に導くことによ り、噴霧溶液スプレー(nebulized solution spray)を該基材の方向に生成する工 程と、 g)1つ以上の選択されたガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反 応可能なスプレーを形成する工程と、 h)該反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイント(energizatio n point)においてエネルギー源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応 可能なスプレーを反応させて該材料を形成し該基材を該材料でコートするために 十分なエネルギーを提供する工程と、 を包含する方法。 2.基材を選択された材料でコートする方法であって、 a)第1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液を形 成するために、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ以上の試 薬を適切なキャリヤ中に溶解させる工程と、 b)第2の選択された圧力を有する領域に基材を位置させる工程と、 c)該輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力を越える第3 の選択された圧力まで加圧する工程と、 d)加圧された該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有し、該出力端に は該出力端における該溶液の温度を調節する温度調節手段が設けられた流体導路 に導く工程であって、該出力端は、該導路中の流体を該領域中および該基材の方 向に導くように方向付けられた流出ポートを更に有しており、該温度調節手段は 、電流源からの選択された電圧での電流を印加することにより該導路を抵抗的に 加熱する手段を有する工程と、 e)該溶液を、該温度調節手段を用いて該溶液の臨界温度Tcの約50℃上または 下以内の第2の選択された温度に加熱する一方、該第3の圧力を、該圧力調節手 段を用いて、該第2の選択された圧力より上でありかつ該第2の選択された温度 における該溶液の対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持する工程と、 f)加圧および加熱された該溶液を該導路の該流出ポートを通って該領域中に導 くことにより、噴霧溶液スプレーを該基材の方向に生成する工程と、 g)1つ以上の選択されたガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反 応可能なスプレーを形成する工程と、 h)該反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイントにおいてエネ ルギー源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応可能なスプレーを反応 させて該材料を形成し該基材を該材料でコートするために十分なエネルギーを提 供する工程と、 を包含する方法。 3.基材を選択された材料でコートする方法であって、 a)第1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液を形 成するために、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ以上の試 薬を適切なキャリヤ中に溶解させる工程と、 b)第2の選択された圧力を有する領域に基材を位置させる工程と、 c)該輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力を越える第3 の選択された圧力まで加圧する工程と、 d)加圧された該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有し、該出力端に は該出力端における該溶液の温度を調節する温度調節手段が設けられた流体導路 に導く工程であって、該出力端は、該導路中の流体を該領域中および該基材の方 向に導くように方向付けられた流出ポートを更に有する工程と、 e)該溶液を、該温度調節手段を用いて該溶液の臨界温度Tcの約50℃上または 下以内の第2の選択された温度に加熱する一方、該第3の圧力を、該圧力調節手 段を用いて、該第2の選択された圧力より上でありかつ該第2の選択された温度 における該溶液の対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持する工程と、 f)加圧および加熱された該溶液を該導路の該流出ポートを通って該領域中に導 くことにより、噴霧溶液スプレーを該基材の方向に生成する工程と、 g)1つ以上の選択されたガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反 応可能なスプレーを形成する工程と、 h)該反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイントにおいてエネ ルギー源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応可能なスプレーを反応 させて該材料を形成し該基材を該材料でコートするために十分なエネルギーを提 供する工程であって、該エネルギー源はフレーム源(flame source)を含み、該選 択されたエネルギー供給ポイントは点火ポイント(ignition point)を含み、該反 応可能なスプレーは可燃性スプレー速度(combustible spray velocity)を有する 可燃性スプレーを含み、該可燃性スプレー速度は該点火ポイントにおける該フレ ーム源のフレーム速度よりも大きく、該可燃性スプレーに点火するための1つ以 上の点火支援手段を更に有する工程と、 を包含する方法。 4.前記エネルギー源はフレーム源を含み、前記選択されたエネルギー供給ポイ ントは点火ポイントを含む、請求項1または2に記載の方法。 5.前記エネルギー源はプラズマトーチ(plasma torch)を有する、請求項1また は2に記載の方法。 6.前記領域の前記第2の選択された圧力は周囲圧力(ambient pressure)である 、請求項1、2または3に記載の方法。 7.前記領域の前記第2の選択された圧力が、1000℃未満の温度を有する燃焼フ レームを生成するように減少される、請求項1、2または3に記載の方法。 8.前記キャリヤはプロパンであり、前記輸送溶液は少なくとも50%体積のプロ パンを有している、請求項1、2または3に記載の方法。 9.前記輸送溶液は更にブタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエン またはその組み合わせを有している、請求項8に記載の方法。 10.前記工程 c)において、加圧された容器中液体または超臨界流体を形成す るのに十分な選択された圧力下において、標準状態のガスを前記輸送溶液に接触 させることを更に包含する、請求項1、2または3に記載の方法。 11.前記輸送溶液の試薬濃度は0.0005Mから0.05Mの間である、請求項10に記 載の方法。 12.前記導路の出力端は流体導入ポートを更に有しており、加圧および加熱さ れた該溶液を該導路の該流出ポートを通って導く前に、流体を該流体導入ポート を介して加圧および加熱された該溶液に加えることによって臨界温度が減少した 組み合わせ溶液(combined solution)を作成する工程を更に有する、請求項1、 2または3に記載の方法。 13.前記1つ以上の試薬の各々は、前記キャリヤの蒸気圧の約25%以上の蒸気 圧を有する、請求項1、2または3に記載の方法。 14.前記導路の前記流出端は、25から125μmの内径を有する管体を有する、 請求項1、2または3に記載の方法。 15.前記温度調節手段は、電流源からの選択された電圧での電流を印加するこ とにより前記導路を抵抗的に加熱する手段を有する、請求項3に記載の方法。 16.前記導路を抵抗的に加熱する前記手段は、前記流出ポートの4mm以内に位 置された接触部を有している、請求項2または15に記載の方法。 17.前記キャリヤおよび1つ以上の試薬は、前記第2の選択された温度が周囲 温度であるように選択される、請求項1、2または3に記載の方法。 18.前記基材をコートする前記材料は、金属、金属酸化物、カーボネート、ス ルフェート、ホスフェート、窒化物、炭化物、ホウ化物、金属、非酸素含有材料 少なくとも90%純度のシリカ(at least 90% silica)、またはその組み合わせを 含んでいる、請求項1、2または3に記載の方法。 19.前記反応可能なスプレーは可燃性スプレー速度を有する可燃性スプレーを 含み、該可燃性スプレー速度は前記点火ポイントにおける前記フレーム源のフレ ーム速度よりも大きく、該可燃性スプレーに点火するための1つ以上の点火支援 手段を更に有する、請求項4に記載の方法。 20.前記可燃性スプレー速度はマッハ1より大きい、請求項19に記載の方法 。 21.前記曝露する工程において、基材冷却手段を用いて前記基材を冷却するこ とを更に包含する、請求項1、2または3に記載の方法。 22.前記基材をコートする前記材料は、炭素質材料(carbonaceous material) 、ダイヤモンド、または(1)ダイヤモンドおよび(2)金属酸化物または金属炭化物 または金属を含む、請求項1、2または3に記載の方法。 23.前記基材をコートする前記材料は、等級化組成物(graded composition)を 含む、請求項1、2または3に記載の方法。 24.前記基材をコートする前記材料は非晶質材料を含む、請求項1、2または 3に記載の方法。 25.前記反応可能なスプレーの周囲に選択されたシースガス(sheath gas)を流 すことにより、流入不純物(entrained impurities)を減少させて良好な蒸着環境 を維持する工程を更に包含する、請求項1、2または3に記載の方法。 26.前記第2の選択された圧力は20torrより大きい、請求項1、2または3に 記載の方法。 27.基材を選択された材料でコートする装置であって、 a)輸送溶液槽(transport solution reservoir)中の輸送溶液を第1の選択され た圧力に加圧する圧力調節手段であって、該輸送溶液は、反応して該選択された 材料を形成することのできる1つ以上の試薬が溶解した適切なキャリヤを含んで おり、加圧手段は、該第1の選択された圧力を該輸送溶液の温度における該輸送 溶液の対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持する能力を有する、圧力 調節手段と、 b)該輸送溶液槽と流体連通した入力端および対向する出力端を有する流体導路 であって、該出力端は、該導路中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の 選択された圧力を有する領域中および該基材の方向に導くように方向付けられた 流出ポートを更に有し、該流出ポートは溶液を噴霧することによって噴霧溶液ス プレーを形成する手段を更に有する、流体導路と、 c)1つ以上のガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反応可能なス プレーを形成するガス供給手段と、 d)該反応可能なスプレーを選択されたエネルギー供給ポイントにおいて反応さ せるエネルギー源であって、該第2の選択された圧力を有する該領域において該 反応可能なスプレーを反応させることにより該基材をコートするために十分なエ ネルギーを提供するエネルギー源と、 を有する装置。 28.基材を選択された材料でコートする装置であって、 a)輸送溶液槽中の輸送溶液を第1の選択された圧力に加圧する圧力調節手段で あって、該輸送溶液は、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ 以上の試薬が溶解した適切なキャリヤを含んでおり、加圧手段は、該第1の選択 された圧力を該輸送溶液の温度における該輸送溶液の対応する液相線または臨界 圧力Pcより上に維持する能力を有する、圧力調節手段と、 b)該輸送溶液槽と流体連通した入力端および対向する出力端を有する流体導路 であって、該出力端は、該導路中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の 選択された圧力を有する領域中および該基材の方向に導くように方向付けられた 流出ポートを更に有し、該流出ポートは溶液を噴霧することによって噴霧溶液ス プレーを形成する手段を更に有する、流体導路と、 c)前記流体導路の該出力端に対して熱的結合状態にあるように位置された、該 出力端における該溶液の温度を該溶液の臨界温度Tcの約50℃上または下以内に 調節する温度調節手段であって、電流源からの選択された電圧での電流を印加す ることにより前記導路を抵抗的に加熱する手段を有する、温度調節手段と、 d)1つ以上のガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反応可能なス プレーを形成するガス供給手段と、 e)該反応可能なスプレーを選択されたエネルギー供給ポイントにおいて反応さ せるエネルギー源であって、該第2の選択された圧力を有する該領域において該 反応可能なスプレーを反応させることにより該基材をコートするために十分なエ ネルギーを提供するエネルギー源と、 を有する装置。 29.基材を選択された材料でコートする装置であって、 a)輸送溶液槽中の輸送溶液を第1の選択された圧力に加圧する圧力調節手段で あって、該輸送溶液は、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ 以上の試薬が溶解した適切なキャリヤを含んでおり、加圧手段は、該第1の選択 された圧力を該輸送溶液の温度における該輸送溶液の対応する液相線または臨界 圧力Pcより上に維持する能力を有する、圧力調節手段と、 b)該輸送溶液槽と流体連通した入力端および対向する出力端を有する流体導路 であって、該出力端は、該導路中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の 選択された圧力を有する領域中および該基材の方向に導くように方向付けられた 流出ポートを更に有し、該流出ポートは溶液を噴霧することによって噴霧溶液ス プレーを形成する手段を更に有する、流体導路と、 c)前記流体導路の該出力端に対して熱的結合状態にあるように位置された、該 出力端における該溶液の温度を該溶液の臨界温度Tcの約50℃上または下以内に 調節する温度調節手段と、 d)1つ以上のガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反応可能なス プレーを形成するガス供給手段と、 e)該反応可能なスプレーを選択されたエネルギー供給ポイントにおいて反応さ せるエネルギー源であって、該エネルギー源は該第2の選択された圧力を有する 該領域において該反応可能なスプレーを反応させることにより該基材をコートす るために十分なエネルギーを提供し、該エネルギー源はフレーム源を含み、該選 択されたエネルギー供給ポイントは点火ポイントを含み、該反応可能なスプレー は可燃性スプレー速度を有する可燃性スプレーを含み、該可燃性スプレー速度は 該点火ポイントにおける該フレーム源のフレーム速度よりも大きく、該可燃性ス プレーに点火するための1つ以上の点火支援手段を更に有するエネルギー源と、 を有する装置。 30.前記エネルギー源はフレーム源を含み、前記選択されたエネルギー供給ポ イントは点火ポイントを含む、請求項27または28に記載の装置。 31.前記エネルギー源はプラズマトーチを有する、請求項27または28に記 載の装置。 32.前記領域の前記第2の選択された圧力は周囲圧力である、請求項27、2 8または29に記載の装置。 33.前記領域の前記第2の選択された圧力が、1000℃未満の温度を有する燃焼 フレームを生成するように減少される、請求項27、28または29に記載の装 置。 34.前記導路の流出端は流体導入ポートを更に有している、請求項27、28 または29に記載の装置。 35.前記導路の前記流出端は、10から250μmの内径を有する管体を有する、 請求項27、28または29に記載の装置に記載の装置。 36.前記温度調節手段は、電流源からの選択された電圧での電流を印加するこ とにより前記導路を抵抗的に加熱する手段を有する、請求項29に記載の装置。 37.前記導路を抵抗的に加熱する前記手段は、前記流出ポートの4mm以内に位 置された接触部を有している、請求項28または36に記載の装置。 38.前記反応可能なスプレーは可燃性スプレー速度を有する可燃性スプレーを 有し、該可燃性スプレー速度は前記点火ポイントにおける前記フレーム源のフレ ーム速度よりも大きく、該可燃性スプレーに点火するための1つ以上の点火支援 手段を更に有する、請求項27または28に記載の装置。 39.前記可燃性スプレー速度はマッハ1より大きい、請求項38に記載の装置 。 40.前記基材を冷却する基材冷却手段を更に有する、請求項27、28または 29に記載の装置。 41.前記反応可能なスプレーの周囲に選択されたシースガスを流すことにより 、流入した不純物を減少させて良好な蒸着環境を維持する手段を更に包含する、 請求項27、28または29に記載の装置。 42.前記第2の選択された圧力は20torrより大きい、請求項27、28または 29に記載の装置。 43.領域内に粉体状材料を作成する方法であって、 a)第1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液を形 成するために、反応して該領域内に該粉体状材料を形成することのできる1つ以 上の試薬を適切なキャリヤ中に溶解させる工程であって、該領域は該第1の選択 された圧力より低い第2の選択された圧力を有する工程と、 b)該輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力を越える第3 の選択された圧力まで加圧する工程と、 c)加圧された該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有し、該出力端に は該出力端における該溶液の温度を調節する温度調節手段が設けられた流体導路 に導く工程であって、該出力端は、該導路中の流体を該領域中に導くように方向 付けられた流出ポートを更に有する工程と、 d)該溶液を、該温度調節手段を用いて、該溶液の臨界温度Tcの約50℃下から 該溶液のTcの間の第2の選択された温度に加熱する一方、該第3の圧力を、該 圧力調節手段を用いて、該第2の選択された圧力より上でありかつ該第2の選択 された温度における該溶液の対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持す る工程と、 e)加圧および加熱された該溶液を該導路の該流出ポートを通って該領域中に導 くことにより、噴霧溶液スプレーを生成する工程と、 f)1つ以上の選択されたガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反 応可能なスプレーを形成する工程と、 g)該反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイントにおいてエネ ルギー源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応可能なスプレーを反応 させて該粉体状材料を該領域内に形成するために十分なエネルギーを提供する工 程と、 を包含する方法。 44.領域内に粉体状材料を作成する方法であって、 a)第1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液を形 成するために、反応して該領域内に該粉体状材料を形成することのできる1つ以 上の試薬を適切なキャリヤ中に溶解させる工程であって、該領域は該第1の選択 された圧力より低い第2の選択された圧力を有する工程と、 b)該輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力を越える第3 の選択された圧力まで加圧する工程と、 c)加圧された該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有し、該出力端に は該出力端における該溶液の温度を調節する温度調節手段が設けられた流体導路 に導く工程であって、該出力端は、該導路中の流体を該領域中に導くように方向 付けられた流出ポートを更に有しており、該温度調節手段は、電流源からの選択 された電圧での電流を印加することにより該導路を抵抗的に加熱する手段を有す る工程と、 d)該溶液を、該温度調節手段を用いて、該溶液の臨界温度Tcの約50℃上また は下以内の第2の選択された温度に加熱する一方、該第3の圧力を、該圧力調節 手段を用いて、該第2の選択された圧力より上でありかつ該第2の選択された温 度における該溶液の対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持する工程と 、 e)加圧および加熱された該溶液を該導路の該流出ポートを通って該領域中に導 くことにより、噴霧溶液スプレーを生成する工程と、 f)1つ以上の選択されたガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反 応可能なスプレーを形成する工程と、 g)該反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイントにおいてエネ ルギー源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応可能なスプレーを反応 させて該粉体状材料を該領域内に形成するために十分なエネルギーを提供する工 程と、 を包含する方法。 45.領域内に粉体状材料を作成する方法であって、 a)第1の選択された温度および第1の選択された圧力において、輸送溶液を形 成するために、反応して該領域内に該粉体状材料を形成することのできる1つ以 上の試薬を適切なキャリヤ中に溶解させる工程であって、該領域は該第1の選択 された圧力より低い第2の選択された圧力を有する工程と、 b)該輸送溶液を、圧力調節手段を用いて該第2の選択された圧力を越える第3 の選択された圧力まで加圧する工程と、 c)加圧された該輸送溶液を、入力端および対向する出力端を有し、該出力端に は該出力端における該溶液の温度を調節する温度調節手段が設けられた流体導路 に導く工程であって、該出力端は、該導路中の流体を該領域中に導くように方向 付けられた流出ポートを更に有する工程と、 d)該溶液を、該温度調節手段を用いて、該溶液の臨界温度Tcの約50℃上また は下以内の第2の選択された温度に加熱する一方、該第3の圧力を、該圧力調節 手段を用いて、該第2の選択された圧力より上でありかつ該第2の選択された温 度における該溶液の対応する液相線または臨界圧力Pcより上に維持する工程と 、 e)加圧および加熱された該溶液を該導路の該流出ポートを通って該領域中に導 くことにより、噴霧溶液スプレーを生成する工程と、 f)1つ以上の選択されたガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反 応可能なスプレーを形成する工程と、 g)該反応可能なスプレーを、選択されたエネルギー供給ポイントにおいてエネ ルギー源に曝露することにより、該エネルギー源が該反応可能なスプレーを反応 させて該粉体状材料を該領域内に形成するために十分なエネルギーを提供する工 程であって、該エネルギー源はフレーム源を含み、該選択されたエネルギー供給 ポイントは点火ポイントを含み、該反応可能なスプレーは可燃性スプレー速度を 有する可燃性スプレーを含み、該可燃性スプレー速度は該点火ポイントにおける 該フレーム源のフレーム速度よりも大きく、該可燃性スプレーに点火するための 1つ以上の点火支援手段を更に有する工程と、 を包含する方法。 46.選択された基材材料を前記輸送溶液に混和する工程を更に包含する、請求 項43、44または45に記載の方法。 47.前記輸送溶液濃度は0.005Mから5Mの間である、請求項43、44または 45に記載の方法。 48.領域内に粉体状材料を作成する装置であって、 a)輸送溶液槽中の輸送溶液を第1の選択された圧力に加圧する圧力調節手段で あって、該輸送溶液は、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ 以上の試薬が溶解した適切なキャリヤを含んでおり、加圧手段は、該第1の選択 された圧力を該輸送溶液の温度における該輸送溶液の対応する液相線または臨界 圧力Pcより上に維持する能力を有する、圧力調節手段と、 b)該輸送溶液槽と流体連通した入力端および対向する出力端を有する流体導路 であって、該出力端は、該導路中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の 選択された圧力を有する領域の方向に導くように方向付けられた流出ポートを更 に有し、該流出ポートは溶液を噴霧することによって噴霧溶液スプレーを形成す る手段を更に有する、流体導路と、 c)該流体導路の該出力端に設けられた、該出力端における該溶液の温度を調節 する温度調節手段と、 d)1つ以上のガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反応可能なス プレーを形成するガス供給手段と、 e)該反応可能なスプレーを選択されたエネルギー供給ポイントにおいて反応さ せるエネルギー源であって、該第2の選択された圧力を有する該領域において該 反応可能なスプレーを反応させることにより該粉体状材料を形成するために十分 なエネルギーを提供するエネルギー源と、 を有する装置。 49.領域内に粉体状材料を作成する装置であって、 a)輸送溶液槽中の輸送溶液を第1の選択された圧力に加圧する圧力調節手段で あって、該輸送溶液は、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ 以上の試薬が溶解した適切なキャリヤを含んでおり、加圧手段は、該第1の選択 された圧力を該輸送溶液の温度における該輸送溶液の対応する液相線または臨界 圧力Pcより上に維持する能力を有する、圧力調節手段と、 b)該輸送溶液槽と流体連通した入力端および対向する出力端を有する流体導路 であって、該出力端は、該導路中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の 選択された圧力を有する領域の方向に導くように方向付けられた流出ポートを更 に有し、該流出ポートは溶液を噴霧することによって噴霧溶液スプレーを形成す る手段を更に有する、流体導路と、 c)該流体導路の該出力端に設けられた、該出力端における該溶液の温度を調節 する温度調節手段であって、電流源からの選択された電圧での電流を印加するこ とにより該導路を抵抗的に加熱する手段を有する温度調節手段と、 d)1つ以上のガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反応可能なス プレーを形成するガス供給手段と、 e)該反応可能なスプレーを選択されたエネルギー供給ポイントにおいて反応さ せるエネルギー源であって、該第2の選択された圧力を有する該領域において該 反応可能なスプレーを反応させることにより該粉体状材料を形成するために十分 なエネルギーを提供するエネルギー源と、 を有する装置。 50.領域内に粉体状材料を作成する装置であって、 a)輸送溶液槽中の輸送溶液を第1の選択された圧力に加圧する圧力調節手段で あって、該輸送溶液は、反応して該選択された材料を形成することのできる1つ 以上の試薬が溶解した適切なキャリヤを含んでおり、加圧手段は、該第1の選択 された圧力を該輸送溶液の温度における該輸送溶液の対応する液相線または臨界 圧力Pcより上に維持する能力を有する、圧力調節手段と、 b)該輸送溶液槽と流体連通した入力端および対向する出力端を有する流体導路 であって、該出力端は、該導路中の流体を該第1の選択された圧力未満の第2の 選択された圧力を有する領域の方向に導くように方向付けられた流出ポートを更 に有し、該流出ポートは溶液を噴霧することによって噴霧溶液スプレーを形成す る手段を更に有する、流体導路と、 c)該流体導路の該出力端に設けられた、該出力端における該溶液の温度を調節 する温度調節手段と、 d)1つ以上のガスを該噴霧溶液スプレー中に混和することにより反応可能なス プレーを形成するガス供給手段と、 e)該反応可能なスプレーを選択されたエネルギー供給ポイントにおいて反応さ せるエネルギー源であって、該第2の選択された圧力を有する該領域において該 反応可能なスプレーを反応させることにより該粉体状材料を形成するために十分 なエネルギーを提供し、該エネルギー源はフレーム源を含み、該選択されたエネ ルギー供給ポイントは点火ポイントを含み、該反応可能なスプレーは可燃性スプ レー速度を有する可燃性スプレーを含み、該可燃性スプレー速度は該点火ポイン トにおける該フレーム源のフレーム速度よりも大きく、該可燃性スプレーに点火 するための1つ以上の点火支援手段を更に有するエネルギー源と、 を有する装置。 51.請求項1、2または3のプロセスによって生成された基材上のコーティン グ。 52.請求項43、44または45のプロセスによって生成された粉体。 53.前記流体導路の前記出力端は、該出力端における前記溶液の温度を調節す る温度調節手段を更に有する、請求項1に記載の方法。 54.前記温度調節手段は、電流源からの選択された電圧での電流を印加するこ とにより該導路を抵抗的に加熱する手段を有する、請求項53に記載の方法。 55.前記流体導路の前記出力端に、該出力端における前記溶液の温度を、該溶 液の臨界温度Tcの約50℃下から該溶液のTcの間に調節する温度調節手段が更に 設けられている、請求項27に記載の装置。 56.前記温度調節手段は、電流源からの選択された電圧での電流を印加するこ とにより該導路を抵抗的に加熱する手段を有する、請求項55に記載の装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003337200A (ja) * 2002-05-17 2003-11-28 Natl Inst Of Radiological Sciences 極低温クラスタ/スラッシュガスターゲットの製造方法とその装置
JP2006249566A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Tokyo Univ Of Agriculture & Technology 膜の製造方法
JP2008306209A (ja) * 2008-08-14 2008-12-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微小なラインを備えた基板
JP2009046766A (ja) * 2008-08-14 2009-03-05 National Institute Of Advanced Industrial & Technology マイクロプラズマによる堆積方法及び装置
JP2010526650A (ja) * 2007-05-02 2010-08-05 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 基板上に多層コーティングを作成するための方法及び装置
JP2010206152A (ja) * 2008-05-28 2010-09-16 Mitsubishi Materials Corp 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜
JP2010532819A (ja) * 2007-07-06 2010-10-14 ピルキントン グループ リミテッド 蒸着法
JP2011519813A (ja) * 2008-05-08 2011-07-14 ピルキントン グループ リミテッド 被覆ガラスの製造
JP2012107318A (ja) * 2010-10-25 2012-06-07 Koba Technology:Kk 基材の表面改質方法及びその装置
US8859051B2 (en) 2008-05-28 2014-10-14 Mitsubishi Materials Corporation Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film and ferroelectric thin film formed by the method thereof

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5783716A (en) * 1996-06-28 1998-07-21 Advanced Technology Materials, Inc. Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum
BR9610069A (pt) * 1995-08-04 2000-05-09 Microcoating Technologies Disposição de vapor quìmico e formação de pó usando-se pulverização térmica com soluções de fluido quase super-crìticas e super-crìticas
US6952504B2 (en) * 2001-12-21 2005-10-04 Neophotonics Corporation Three dimensional engineering of planar optical structures
US7575784B1 (en) 2000-10-17 2009-08-18 Nanogram Corporation Coating formation by reactive deposition
US6788866B2 (en) 2001-08-17 2004-09-07 Nanogram Corporation Layer materials and planar optical devices
US6919054B2 (en) * 2002-04-10 2005-07-19 Neophotonics Corporation Reactant nozzles within flowing reactors
US6368665B1 (en) * 1998-04-29 2002-04-09 Microcoating Technologies, Inc. Apparatus and process for controlled atmosphere chemical vapor deposition
US6329899B1 (en) 1998-04-29 2001-12-11 Microcoating Technologies, Inc. Formation of thin film resistors
US6210592B1 (en) * 1998-04-29 2001-04-03 Morton International, Inc. Deposition of resistor materials directly on insulating substrates
US7294366B2 (en) * 1998-09-30 2007-11-13 Optomec Design Company Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition
US8110247B2 (en) 1998-09-30 2012-02-07 Optomec Design Company Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition of oxygen-sensitive materials
US7938079B2 (en) 1998-09-30 2011-05-10 Optomec Design Company Annular aerosol jet deposition using an extended nozzle
US20050156991A1 (en) * 1998-09-30 2005-07-21 Optomec Design Company Maskless direct write of copper using an annular aerosol jet
US7108894B2 (en) 1998-09-30 2006-09-19 Optomec Design Company Direct Write™ System
US7045015B2 (en) 1998-09-30 2006-05-16 Optomec Design Company Apparatuses and method for maskless mesoscale material deposition
US20040197493A1 (en) * 1998-09-30 2004-10-07 Optomec Design Company Apparatus, methods and precision spray processes for direct write and maskless mesoscale material deposition
IL132834A (en) * 1998-11-23 2006-06-11 Micro Coating Technologies Production of capacitors with a thin layer
US6235351B1 (en) * 1999-01-22 2001-05-22 Northrop Grumman Corporation Method for producing a self decontaminating surface
US6372364B1 (en) * 1999-08-18 2002-04-16 Microcoating Technologies, Inc. Nanostructure coatings
US6472632B1 (en) * 1999-09-15 2002-10-29 Nanoscale Engineering And Technology Corporation Method and apparatus for direct electrothermal-physical conversion of ceramic into nanopowder
AU777249B2 (en) 1999-09-22 2004-10-07 Microcoating Technologies, Inc. Liquid atomization methods and devices
IL135550A0 (en) * 2000-04-09 2001-05-20 Acktar Ltd Method and apparatus for temperature controlled vapor deposition on a substrate
ES2269428T3 (es) * 2000-06-30 2007-04-01 Ngimat Co. Revestimientos de polimeros.
AU2001280543A1 (en) * 2000-07-14 2002-02-05 Microcoating Technologies, Inc. Reduced grain boundary crystalline thin films
WO2002011980A1 (en) * 2000-08-03 2002-02-14 Microcoating Technologies, Inc. Electronic and optical materials
US6652654B1 (en) * 2000-09-27 2003-11-25 Bechtel Bwxt Idaho, Llc System configured for applying multiple modifying agents to a substrate
US6623686B1 (en) * 2000-09-28 2003-09-23 Bechtel Bwxt Idaho, Llc System configured for applying a modifying agent to a non-equidimensional substrate
KR100934679B1 (ko) * 2000-10-17 2009-12-31 네오포토닉스 코포레이션 반응성 증착에 의한 코팅 형성
DK1335829T3 (da) * 2000-10-26 2011-12-05 Neophotonics Corp Optiske strukturer med flere lag
WO2002102903A2 (en) * 2000-11-27 2002-12-27 The Research Foundation Of State University Of New York Direct synthesis and deposition of luminescent films
US6472014B1 (en) 2001-04-17 2002-10-29 Novellus Systems, Inc. Uniform surface texturing for PVD/CVD hardware
US6994837B2 (en) * 2001-04-24 2006-02-07 Tekna Plasma Systems, Inc. Plasma synthesis of metal oxide nanopowder and apparatus therefor
TW586963B (en) * 2001-07-20 2004-05-11 Nektar Therapeutics Uk Ltd Method and apparatus for preparing target substance in particulate form and fluid inlet assembly for said apparatus
US6917511B1 (en) 2001-08-14 2005-07-12 Neophotonics Corporation Reactive deposition for the formation of chip capacitors
US7279137B2 (en) * 2001-08-30 2007-10-09 Tda Research, Inc. Burners and combustion apparatus for carbon nanomaterial production
US7442227B2 (en) * 2001-10-09 2008-10-28 Washington Unniversity Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same
US20040101617A1 (en) * 2001-11-27 2004-05-27 Devi P Sujatha Direct synthesis and deposition of luminescent films
US7157066B2 (en) * 2001-12-05 2007-01-02 Tda Research, Inc. Combustion process for synthesis of carbon nanomaterials from liquid hydrocarbon
AU2003216459A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-16 Microcoating Technologies, Inc. Fuel cell membranes and catalytic layers
TW200308187A (en) * 2002-04-10 2003-12-16 Dow Corning Ireland Ltd An atmospheric pressure plasma assembly
TW200409669A (en) * 2002-04-10 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Protective coating composition
GB0208261D0 (en) * 2002-04-10 2002-05-22 Dow Corning An atmospheric pressure plasma assembly
US8294025B2 (en) * 2002-06-08 2012-10-23 Solarity, Llc Lateral collection photovoltaics
US6884737B1 (en) * 2002-08-30 2005-04-26 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for precursor delivery utilizing the melting point depression of solid deposition precursors in the presence of supercritical fluids
WO2004043855A2 (en) * 2002-11-12 2004-05-27 Microcoating Technologies, Inc. Process for producing carbonaceous materials
WO2004066975A1 (en) * 2002-12-18 2004-08-12 Hough Ear Institute Otologic nanotechnology
US7563503B2 (en) 2003-01-10 2009-07-21 The University Of Connecticut Coatings, materials, articles, and methods of making thereof
WO2004063416A2 (en) 2003-01-10 2004-07-29 Inframat Corporation Apparatus and method for solution plasma spraying
FR2852973B1 (fr) * 2003-03-28 2006-05-26 Atofina Procede de formation d'un revetement d'oxydes metalliques sur un substrat electroconducteur; cathode activee en resultant et son utilisation pour l'electrolyse de solutions acqueuses de chorures de meteaux alcalins.
KR20040098740A (ko) * 2003-05-15 2004-11-26 엘지전자 주식회사 저융점 유리 미분말 제조방법
US7521097B2 (en) * 2003-06-06 2009-04-21 Nanogram Corporation Reactive deposition for electrochemical cell production
US8865271B2 (en) * 2003-06-06 2014-10-21 Neophotonics Corporation High rate deposition for the formation of high quality optical coatings
FR2856079B1 (fr) * 2003-06-11 2006-07-14 Pechiney Rhenalu Procede de traitement de surface pour toles et bandes en alliage d'aluminium
US7344491B1 (en) 2003-11-26 2008-03-18 Nanobiomagnetics, Inc. Method and apparatus for improving hearing
US8651113B2 (en) 2003-06-18 2014-02-18 Swr&D Inc. Magnetically responsive nanoparticle therapeutic constructs and methods of making and using
US7723311B2 (en) * 2003-06-18 2010-05-25 Nanobiomagnetics, Inc. Delivery of bioactive substances to target cells
US20050025695A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-03 Bhabendra Pradhan Catalyst and process to produce nanocarbon materials in high yield and at high selectivity at reduced reaction temperatures
GB0323295D0 (en) * 2003-10-04 2003-11-05 Dow Corning Deposition of thin films
WO2005045913A1 (ja) * 2003-11-05 2005-05-19 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
US7187396B2 (en) 2003-11-07 2007-03-06 Engelhard Corporation Low visibility laser marking additive
US7223445B2 (en) * 2004-03-31 2007-05-29 Eastman Kodak Company Process for the deposition of uniform layer of particulate material
US7220456B2 (en) 2004-03-31 2007-05-22 Eastman Kodak Company Process for the selective deposition of particulate material
US20050218076A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Eastman Kodak Company Process for the formation of particulate material
WO2005106350A2 (en) 2004-04-23 2005-11-10 Philip Morris Usa Inc. Aerosol generators and methods for producing aerosols
DE102004026636B3 (de) * 2004-06-01 2005-07-21 Daimlerchrysler Ag Vorrichtung und Verfahren zum Umschmelzen von metallischen Oberflächen
WO2005118910A1 (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Yamanashi University 超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置
US7909263B2 (en) * 2004-07-08 2011-03-22 Cube Technology, Inc. Method of dispersing fine particles in a spray
EP1805347B1 (en) * 2004-09-27 2013-06-26 Technion Research And Development Foundation, Ltd. Spray method for producing semiconductor nanoparticles
US20060280866A1 (en) * 2004-10-13 2006-12-14 Optomec Design Company Method and apparatus for mesoscale deposition of biological materials and biomaterials
EP1808057A1 (en) * 2004-11-05 2007-07-18 Dow Corning Ireland Limited Plasma system
US7597938B2 (en) * 2004-11-29 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Method of making coated article with color suppression coating including flame pyrolysis deposited layer(s)
JP4949668B2 (ja) * 2004-12-09 2012-06-13 富士フイルム株式会社 セラミックス膜の製造方法及びセラミックス膜を含む構造物
WO2006061785A2 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Combustion chemical vapor deposition on temperature-sensitive substrates
WO2006061784A2 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Substrate temperature control for combustion chemical vapor deposition
US7674671B2 (en) 2004-12-13 2010-03-09 Optomec Design Company Aerodynamic jetting of aerosolized fluids for fabrication of passive structures
US7938341B2 (en) 2004-12-13 2011-05-10 Optomec Design Company Miniature aerosol jet and aerosol jet array
US7491431B2 (en) * 2004-12-20 2009-02-17 Nanogram Corporation Dense coating formation by reactive deposition
AU2006200043B2 (en) * 2005-01-07 2011-11-17 Inframat Corporation Coated medical devices and methods of making and using
WO2006078828A2 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Cabot Corporation Method of making nanoparticulates and use of the nanoparticulates to make products using a flame reactor
WO2006083725A2 (en) * 2005-02-01 2006-08-10 Carlotto John A Vacuum deposition of coating materials on powders
JP4727355B2 (ja) * 2005-09-13 2011-07-20 株式会社フジクラ 成膜方法
GB0509648D0 (en) * 2005-05-12 2005-06-15 Dow Corning Ireland Ltd Plasma system to deposit adhesion primer layers
US20060275542A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Deposition of uniform layer of desired material
US8328982B1 (en) * 2005-09-16 2012-12-11 Surfx Technologies Llc Low-temperature, converging, reactive gas source and method of use
US9399234B2 (en) * 2005-10-17 2016-07-26 National Research Council Of Canada Reactive spray formation of coatings and powders
CH697933B1 (de) * 2005-11-03 2009-03-31 Tetra Laval Holdings & Finance Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Kunststofffolien mit einer Oxidschicht.
US7923281B2 (en) * 2006-04-13 2011-04-12 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
US7585547B2 (en) 2006-04-13 2009-09-08 Solopower, Inc. Method and apparatus to form thin layers of materials on a base
US7541067B2 (en) * 2006-04-13 2009-06-02 Solopower, Inc. Method and apparatus for continuous processing of buffer layers for group IBIIIAVIA solar cells
US7625482B1 (en) 2006-06-23 2009-12-01 Ngimat Co. Nanoparticulate-catalyzed oxygen transfer processes
US8632651B1 (en) 2006-06-28 2014-01-21 Surfx Technologies Llc Plasma surface treatment of composites for bonding
DE102006033037A1 (de) * 2006-07-14 2008-01-24 Universität Bielefeld Einstufiges Verfahren zur Aufbringung einer Metallschicht auf ein Substrat
CN101588826A (zh) * 2006-08-02 2009-11-25 英孚拉玛特公司 腔支撑装置及其制造及使用方法
US20080069854A1 (en) * 2006-08-02 2008-03-20 Inframat Corporation Medical devices and methods of making and using
US8609060B1 (en) * 2006-08-15 2013-12-17 U.S. Department Of Energy Method of producing carbon coated nano- and micron-scale particles
JP2010530032A (ja) * 2007-06-15 2010-09-02 ナノグラム・コーポレイション 反応流による無機箔体の析出および合成法
TWI482662B (zh) 2007-08-30 2015-05-01 Optomec Inc 機械上一體式及緊密式耦合之列印頭以及噴霧源
EP2198133B1 (en) * 2007-08-30 2011-03-16 Energy Conversion Technology As Particle filter assembly and method for cleaning a particle filter
TWI538737B (zh) 2007-08-31 2016-06-21 阿普托麥克股份有限公司 材料沉積總成
WO2009029954A2 (en) * 2007-09-01 2009-03-05 Yann Roussillon Improved solution deposition assembly
US8887658B2 (en) 2007-10-09 2014-11-18 Optomec, Inc. Multiple sheath multiple capillary aerosol jet
JP2011518942A (ja) * 2007-10-17 2011-06-30 ルション、ヤン 改善された溶液蒸着用組み立て品
US8593145B2 (en) * 2007-12-11 2013-11-26 Koninklijke Philips N.V. Magnetic resonance system with cooling system and monitoring of helium pressure
US20110003084A1 (en) * 2008-02-25 2011-01-06 National Research Council Of Canada Process of Making Ceria-Based Electrolyte Coating
GB2466805B (en) * 2009-01-08 2014-06-11 Cvd Technologies Ltd Method for depositing an antibacterial coating on a substrate
US20100203287A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-12 Ngimat Co. Hypertransparent Nanostructured Superhydrophobic and Surface Modification Coatings
US8317894B2 (en) * 2009-04-15 2012-11-27 Korea Institute Of Science And Technology Method of producing metal nanoparticles continuously and metal nanoparticles produced thereby
US20100276827A1 (en) * 2009-04-29 2010-11-04 Kevin Smith Method for Producing Nanoparticles
US8497152B2 (en) 2009-05-12 2013-07-30 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
WO2011008778A2 (en) * 2009-07-14 2011-01-20 University Of Massachusetts Metal and metal oxide structures and preparation thereof
US8118973B2 (en) 2010-02-17 2012-02-21 Johns Manville Method of applying de-dusting agents to fibrous products and products
DE102010055042B4 (de) * 2010-12-17 2013-06-06 Eads Deutschland Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bildung eines Elektrolytfilmes auf einer Elektrodenoberfläche
US20130034689A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Andrew Tye Hunt Inorganic Nanocoating Primed Organic Film
TWI473903B (zh) * 2013-02-23 2015-02-21 Hermes Epitek Corp 應用於半導體設備的噴射器與上蓋板總成
US10800092B1 (en) 2013-12-18 2020-10-13 Surfx Technologies Llc Low temperature atmospheric pressure plasma for cleaning and activating metals
US9406485B1 (en) 2013-12-18 2016-08-02 Surfx Technologies Llc Argon and helium plasma apparatus and methods
US10032609B1 (en) 2013-12-18 2018-07-24 Surfx Technologies Llc Low temperature atmospheric pressure plasma applications
JP6945120B2 (ja) * 2014-08-29 2021-10-06 株式会社Flosfia 金属膜形成方法
WO2016130709A1 (en) 2015-02-10 2016-08-18 Optomec, Inc. Fabrication of three-dimensional structures by in-flight curing of aerosols
GB201602090D0 (en) * 2016-02-05 2016-03-23 Isis Innovation Powder
US10827601B1 (en) 2016-05-03 2020-11-03 Surfx Technologies Llc Handheld plasma device
WO2019094979A1 (en) 2017-11-13 2019-05-16 Optomec, Inc. Shuttering of aerosol streams
KR20230102606A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 이창훈 플라즈마 서스펜션 코팅 시스템 및 방법

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4117179A (en) * 1976-11-04 1978-09-26 General Electric Company Oxidation corrosion resistant superalloys and coatings
US4239827A (en) * 1979-01-15 1980-12-16 Union Carbide Corporation Flame-sprayed thermoplastic substrate is coated with an adhesive layer which bonds particles of an adsorbent like carbon to the substrate
US4734451A (en) * 1983-09-01 1988-03-29 Battelle Memorial Institute Supercritical fluid molecular spray thin films and fine powders
US4734227A (en) * 1983-09-01 1988-03-29 Battelle Memorial Institute Method of making supercritical fluid molecular spray films, powder and fibers
US4582731A (en) * 1983-09-01 1986-04-15 Battelle Memorial Institute Supercritical fluid molecular spray film deposition and powder formation
DE69002564T2 (de) * 1989-03-10 1994-03-10 Idemitsu Petrochemical Co Mit diamanten bedecktes glied und verfahren zur herstellung.
US5032568A (en) * 1989-09-01 1991-07-16 Regents Of The University Of Minnesota Deposition of superconducting thick films by spray inductively coupled plasma method
US5106659A (en) * 1989-10-04 1992-04-21 Nordson Corporation Method and apparatus for spraying a liquid coating containing supercritical fluid or liquified gas
US4970093A (en) * 1990-04-12 1990-11-13 University Of Colorado Foundation Chemical deposition methods using supercritical fluid solutions
US5100868A (en) * 1990-04-17 1992-03-31 Alfred University Inc. Process for preparing superconducting films by radio-frequency-generated aerosol plasma deposition
US5213851A (en) * 1990-04-17 1993-05-25 Alfred University Process for preparing ferrite films by radio-frequency generated aerosol plasma deposition in atmosphere
US5171613A (en) * 1990-09-21 1992-12-15 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Apparatus and methods for application of coatings with supercritical fluids as diluents by spraying from an orifice
US5109844A (en) * 1990-10-11 1992-05-05 Duke University Retinal microstimulation
US5840774A (en) * 1991-02-28 1998-11-24 Research Foundation Of State University Of New York Low density microporous polymers and process
DE69218152T2 (de) * 1991-12-26 1997-08-28 Canon Kk Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung
JP3121102B2 (ja) * 1992-03-26 2000-12-25 キヤノン株式会社 平板ダイヤモンド結晶、及びその形成方法
AU6415294A (en) * 1993-03-24 1994-10-11 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings
US5318801A (en) * 1993-05-18 1994-06-07 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Substrate temperature control apparatus and technique for CVD reactors
US5433977A (en) * 1993-05-21 1995-07-18 Trustees Of Boston University Enhanced adherence of diamond coatings by combustion flame CVD
US5716558A (en) * 1994-11-14 1998-02-10 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Method for producing coating powders catalysts and drier water-borne coatings by spraying compositions with compressed fluids
BR9610069A (pt) * 1995-08-04 2000-05-09 Microcoating Technologies Disposição de vapor quìmico e formação de pó usando-se pulverização térmica com soluções de fluido quase super-crìticas e super-crìticas
JP3484025B2 (ja) * 1996-01-10 2004-01-06 仲道 山崎 連続水熱合成方法および装置
US5833891A (en) * 1996-10-09 1998-11-10 The University Of Kansas Methods for a particle precipitation and coating using near-critical and supercritical antisolvents
US6505078B1 (en) * 1996-04-04 2003-01-07 Medtronic, Inc. Technique for adjusting the locus of excitation of electrically excitable tissue
DE19707046A1 (de) * 1997-02-21 1998-08-27 Rolf Prof Dr Ing Eckmiller Lernfähiger "Active Vision" Implant Encoder
USH1839H (en) * 1997-04-17 2000-02-01 Xerox Corporation Supercritical fluid processes
US6458157B1 (en) * 1997-08-04 2002-10-01 Suaning Gregg Joergen Retinal stimulator
US5935155A (en) * 1998-03-13 1999-08-10 John Hopkins University, School Of Medicine Visual prosthesis and method of using same
US6368665B1 (en) * 1998-04-29 2002-04-09 Microcoating Technologies, Inc. Apparatus and process for controlled atmosphere chemical vapor deposition
US6421566B1 (en) * 1998-04-30 2002-07-16 Medtronic, Inc. Selective dorsal column stimulation in SCS, using conditioning pulses
US6882881B1 (en) * 1999-10-19 2005-04-19 The Johns Hopkins University Techniques using heat flow management, stimulation, and signal analysis to treat medical disorders
US7571004B2 (en) * 2005-01-26 2009-08-04 Second Sight Medical Products, Inc. Neural stimulation for increased persistence

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003337200A (ja) * 2002-05-17 2003-11-28 Natl Inst Of Radiological Sciences 極低温クラスタ/スラッシュガスターゲットの製造方法とその装置
JP2006249566A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Tokyo Univ Of Agriculture & Technology 膜の製造方法
JP4710002B2 (ja) * 2005-03-14 2011-06-29 国立大学法人東京農工大学 膜の製造方法
JP2010526650A (ja) * 2007-05-02 2010-08-05 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 基板上に多層コーティングを作成するための方法及び装置
JP2010532819A (ja) * 2007-07-06 2010-10-14 ピルキントン グループ リミテッド 蒸着法
JP2011519813A (ja) * 2008-05-08 2011-07-14 ピルキントン グループ リミテッド 被覆ガラスの製造
JP2010206152A (ja) * 2008-05-28 2010-09-16 Mitsubishi Materials Corp 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜
US8859051B2 (en) 2008-05-28 2014-10-14 Mitsubishi Materials Corporation Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film and ferroelectric thin film formed by the method thereof
US9005358B2 (en) 2008-05-28 2015-04-14 Mitsubishi Materials Corporation Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof
US9502636B2 (en) 2008-05-28 2016-11-22 Mitsubishi Materials Corporation Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof
JP2009046766A (ja) * 2008-08-14 2009-03-05 National Institute Of Advanced Industrial & Technology マイクロプラズマによる堆積方法及び装置
JP4565244B2 (ja) * 2008-08-14 2010-10-20 独立行政法人産業技術総合研究所 マイクロプラズマによる堆積方法及び装置
JP4617480B2 (ja) * 2008-08-14 2011-01-26 独立行政法人産業技術総合研究所 微小なラインを備えた基板
JP2008306209A (ja) * 2008-08-14 2008-12-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微小なラインを備えた基板
JP2012107318A (ja) * 2010-10-25 2012-06-07 Koba Technology:Kk 基材の表面改質方法及びその装置

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