JP2006249566A - 膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 14族元素を含む化合物、及び超臨界状態とした物質の混合系でプラズマ放電を行うことにより基材上に膜を形成する膜の製造方法である。ここで、14族元素が炭素であり、形成される膜がダイヤモンドライクカーボン膜であることが好ましい。また、14族元素がケイ素であり、形成される膜がシリコン膜であることが好ましい。さらに、14族元素がゲルマニウム原子であり、形成される膜がゲルマニウム膜であることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
膜の製造装置として図1に示す装置を用いた。ポンプ、及び圧力調整弁には、日本分光製の二酸化炭素送液ポンプ、全自動圧力調整弁、全自動排圧調整弁を用いた。電極材質は10mm×20mmの白金を使用した。反応器はSUS316L製の通電可能な6穴式セルを使用した。高周波電源と整合器は東京ハイパワー社製PSG−1301(交流発生器)、PA−150(高周波発生器)、PS−330(直流変換器)、HC−2000(整合器)を用いた。流体源は純度99.99%の液化炭酸ガスを使用した。そして、プラズマ化学的気相成長法(プラズマCVD)を基に平行平板電極付耐圧セルを用いた装置を組み、電極間距離は0.5mmに設定した。
11、12 電極
21 恒温槽
22 ボンベ
23 冷却器
24 送液ポンプ
25 圧力調整弁
26 排圧調整弁
27 高周波電源
28 整合器
Claims (12)
- 14族元素を含む化合物、及び超臨界状態とした物質の混合系でプラズマ放電を行うことにより基材上に膜を形成する膜の製造方法。
- 14族元素を含む化合物、及び反応溶媒の混合系を超臨界状態とし、超臨界状態とした混合系でプラズマ放電を行うことにより基材上に膜を形成する膜の製造方法。
- 請求項1又は2記載の膜の製造方法において、14族元素が炭素であり、形成される膜がダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項3記載の膜の製造方法において、炭素元素を含む化合物が、飽和脂肪族炭化水素、不飽和脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコール、エーテルから選択される1種又は2種以上であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項3記載の膜の製造方法において、炭素元素を含む化合物が、飽和脂肪族炭化水素、不飽和脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項5記載の膜の製造方法において、飽和脂肪族炭化水素が、炭素数1〜20の化合物から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項5記載の膜の製造方法において、不飽和脂肪族炭化水素が、炭素数1〜20の化合物から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項1又は2記載の膜の製造方法において、14族元素がケイ素であり、形成される膜がシリコン膜であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項8記載の膜の製造方法において、ケイ素元素を含む化合物が、少なくともSiH4、Si2H6から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項1又は2記載の膜の製造方法において、14族元素がゲルマニウムであり、形成される膜がゲルマニウム膜であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項10記載の膜の製造方法において、ゲルマニウム元素を含む化合物が、少なくともGeH4、Ge2H6から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする膜の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか記載の膜の製造方法において、反応溶媒が二酸化炭素であることを特徴とする膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Country Status (1)
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