JP2010037174A - ポリシリコンの製造装置及びポリシリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部に導入されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成するための反応容器本体10と、反応容器本体10の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極11,12と、反応容器本体10の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンをシリコンの融点より高い温度に保持された表面上で析出させ、且つ、析出したシリコンを融解させる析出用部材30と、析出用部材30上で融解したシリコンを回収する回収部材と32、を備えるポリシリコンの製造装置I。
【選択図】図1
Description
また、最近では、四塩化ケイ素(SiCl4)の還元方法が見直されている。例えば、特許文献2には、四塩化ケイ素と亜鉛(Zn)の気相合成反応による針状結晶性シリコンの製造方法が記載されている。さらに、特許文献3には、塩化亜鉛ガス中で四塩化ケイ素と金属亜鉛との気相反応を行う高純度シリコンの製造方法が記載されている。
しかし、従来のCVD法は、通常、数十〜数百パスカルの減圧下で行われるため、原料ガスの濃度が極めて低く、結晶成長速度が遅いという問題がある。また、四塩化ケイ素の還元方法を利用する気相合成反応では、生成物の回収や副生成物である塩化亜鉛の分離において問題があり、得られるポリシリコンの純度が不十分であるという問題がある。
本発明の目的は、高純度のポリシリコンを高速で得ることが可能な製造装置及びポリシリコンの製造方法を提供することにある。
ここで、本発明が適用されるポリシリコンの製造装置において、析出用部材は、漏斗状の形状を有し、円錐形の本体部分と、本体部分の表面上で析出し且つ融解したシリコンを本体部分の下方に流下させるように形成された管状部分と、を有することが好ましい。
また、析出用部材は、グラファイトから構成されることが好ましい。
ここで、本発明が適用されるポリシリコンの製造方法において、反応容器中の圧力が3MPa以上、反応容器中の温度が80K以上に保持されることが好ましい。
また、本発明が適用されるポリシリコンの製造方法の超臨界流体状態形成工程において、反応容器中に不活性ガスを導入することが好ましい。
この場合、周期表14族元素のハロゲン化ケイ素化合物0.1ml〜100,000mlに対し不活性ガス50mlを導入することが好ましい。
さらに、冷却工程において、析出用部材の下方に流下し冷却固化したシリコンを坩堝中に回収することが好ましい。
また、本発明が適用されるポリシリコンの製造方法において使用するハロゲン化ケイ素化合物が四塩化ケイ素であることが好ましい。
図1は、本実施の形態が適用されるポリシリコンの製造装置の一例を説明する図である。
図1に示すように、製造装置Iは、後述するハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を保つことが可能な耐圧を有する反応容器(反応容器本体)10と、反応容器10内で形成される超臨界流体状態においてプラズマ放電を発生させるために平行に配置された1対の電極11,12と、反応容器10内に供給されるハロゲン化ケイ素化合物を貯蔵する原料貯槽21と、反応容器10内に供給されるキャリアガス(不活性ガス)を貯蔵するキャリアガス貯槽22と、を有している。
尚、図示しないが、反応容器10を所定の温度に加熱するための加熱装置が設けられている。加熱装置としては、所定の熱媒を使用するジャケット式加熱器、カートリッジ式ヒータ等が挙げられる。また、反応容器10を恒温槽内に設置してもよい。
また、電極11,12の電極間距離は、反応容器10内の温度、圧力又は放電条件によって適宜選択され、特に限定されないが、通常、0.002mm〜5mmの範囲内で設定される。尚、本実施の形態では、電極11,12の先端部分が取り外し可能になっている。電極11,12の先端部分は、例えば、炭素鋼を用いて構成されている。
坩堝32を構成する材料は特に限定されず、例えば、石英、グラファイト、ハステロイ合金等が挙げられる。また、坩堝32堝壁面にはシリコン板等を貼り、コンタミを防ぐことが好ましい。尚、本実施の形態では、坩堝32を構成する材料として、グラファイトまたは石英を使用している。
キャリアガスは、原料として使用するハロゲン化ケイ素化合物に対し不活性であるものが好ましく、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン等が挙げられる。本実施の形態では、キャリアガスとしてアルゴンを使用している。
次に、析出用部材30の構造について説明する。
図2は、析出用部材30を説明する図である。図2に示すように、析出用部材30は、円錐形の本体部分30aと管状部分30bからなる漏斗状の形状を有している。
析出用部材30の内部には、炭化ケイ素(SiC)から構成された複数本の電熱線30cが埋め込まれている。
析出用部材30は、複数本の電熱線30cに所定の電源(図示せず)を用いて通電することにより、ポリシリコンの融点(約1,687K(1,414℃))より高い温度(通常、約1,800K(1,527℃)以上)に保持される。
後述するように、ポリシリコンの融点(約1,687K(1,414℃))より高温の約1,800K(1,527℃)以上の温度に保持された析出用部材30の表面に析出したポリシリコンは、液体状態のまま本体部分30aと管状部分30bを経由して下方に流下する。
本実施の形態で使用するハロゲン化ケイ素化合物としては、フッ化ケイ素、塩化ケイ素、臭化ケイ素、ヨウ化ケイ素が挙げられる。これらの中でも、塩化ケイ素、臭化ケイ素が好ましい。
塩化ケイ素としては、例えば、四塩化ケイ素(SiCl4)、ヘキサクロルジシラン、オクタクロルトリシラン、デカクロルトリシラン、ドデカクロルペンタシラン等が挙げられる。また、クロルシラン(SiH3Cl)、ジクロルシラン(SiH2Cl2)、トリクロルシラン(SiHCl3)等のシラン誘導体が挙げられる。
臭化ケイ素としては、四臭化ケイ素(SiBr4)、六臭化二ケイ素、八臭化三ケイ素、十臭化四ケイ素等が挙げられる。
さらに、臭化三塩化ケイ素、二臭化二塩化ケイ素、三臭化塩化ケイ素、ヨウ化三塩化ケイ素、塩化硫化水素ケイ素、ヘキサクロルジシロキサン等も挙げられる。
これらのなかでも、四塩化ケイ素(SiCl4)が特に好ましい。
次に、上述した製造装置Iを用いてポリシリコンを製造する方法について説明する。本実施の形態では、ハロゲン化ケイ素化合物として四塩化ケイ素(SiCl4)を使用し、キャリアガスとしてアルゴンを使用し、多結晶シリコンを製造する例について説明する。
ここで超臨界流体状態とは、物質固有の気液の臨界温度を超えた非凝縮性流体と定義される。即ち、密閉容器内に気体と液体とが存在すると、温度上昇とともに液体は熱膨張しその密度は低下する。一方、気体は、蒸気圧の増加によりその密度が増大する。そして最後に、両者の密度が等しくなり、気体とも液体とも区別の付かない均一な状態になる。物質の温度−圧力線図(図示せず)では、このような状態になる点を臨界点といい、臨界点の温度を臨界温度(Tc)、臨界点の圧力を臨界圧力(Pc)という。超臨界流体状態とは、物質の温度及び圧力が臨界点を超えた状態にあることをいう。
四塩化ケイ素とアルゴンとの混合物の場合、混合物の臨界温度(Tc)と臨界圧力(Pc)とは、四塩化ケイ素とアルゴンの組成により、それぞれの物質の臨界温度(Tc)と臨界圧力(Pc)との間で適宜調整することができる。
析出用部材30は、前述したように、内部に埋め込んだ複数本の電熱線30c(図2参照)に通電することにより、ポリシリコンの融点(約1,687K(1,414℃))より高温の約1,800K以上の温度に保持されている。このため、析出用部材30の表面に析出したポリシリコンは、液体状態のまま析出用部材30の上部の円錐形の本体部分30a(図2参照)と管状部分30b(図2参照)を経由して下方に流下する(シリコン析出融解工程)。
また、超臨界流体状態の四塩化ケイ素は、高い拡散性を有するため、析出用部材30等の表面にケイ素ラジカルを効率よく供給することが可能となる。さらに、四塩化ケイ素とアルゴンとの混合物の超臨界流体状態を形成することにより、反応系内が均一濃度に保たれ、生成する多結晶シリコンの緻密性が向上する。
また、超臨界流体状態におけるプラズマ放電により分解した塩素は、所定の塩素ガス回収装置(図示せず)により回収される。さらに、未反応の四塩化ケイ素回収装置(図示せず)により回収され、原料貯槽21へリサイクルされる。
Claims (10)
- ポリシリコンの製造装置であって、
内部に導入されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成するための反応容器本体と、
前記反応容器本体の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極と、
前記反応容器本体の内部に設けられ前記プラズマ放電で分解したシリコンを当該シリコンの融点より高い温度に保持された表面上で析出させ、且つ、析出した当該シリコンを融解させる析出用部材と、
前記析出用部材上で融解した前記シリコンを回収する回収部材と、を備える
ことを特徴とするポリシリコンの製造装置。 - 前記析出用部材は、漏斗状の形状を有し、円錐形の本体部分と、当該本体部分の表面上で析出し且つ融解した前記シリコンを当該本体部分の下方に流下させるように形成された管状部分と、を有することを特徴とする請求項1に記載のポリシリコンの製造装置。
- 前記析出用部材は、グラファイトから構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のポリシリコンの製造装置。
- ポリシリコンの製造方法であって、
内部に電極と析出用部材とを備える反応容器中においてハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、
形成された前記超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、シリコンを当該シリコンの融点より高い温度に保持された前記析出用部材上に析出させ、且つ、析出した当該シリコンを融解させるシリコン析出融解工程と、
融解した前記シリコンを前記析出用部材の下方に流下させ冷却固化する冷却工程と、を有する
ことを特徴とするポリシリコンの製造方法。 - 前記反応容器中の圧力が3MPa以上、当該反応容器中の温度が80K以上に保持されることを特徴とする請求項4に記載のポリシリコンの製造方法。
- 前記超臨界流体状態形成工程において、前記反応容器中に不活性ガスを導入することを特徴とする請求項4又は5に記載のポリシリコンの製造方法。
- 周期表14族元素のハロゲン化ケイ素化合物0.1ml〜100,000mlに対し不活性ガス50mlを導入することを特徴とする請求項6に記載のポリシリコンの製造方法。
- 前記シリコン析出融解工程において、前記析出用部材の温度を1,800K以上に保持することを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載のポリシリコンの製造方法。
- 前記冷却工程において、前記析出用部材の下方に流下し冷却固化した前記シリコンを坩堝中に回収することを特徴とする請求項4乃至8のいずれか1項に記載のポリシリコンの製造方法。
- 前記ハロゲン化ケイ素化合物が四塩化ケイ素であることを特徴とする請求項4乃至9のいずれか1項に記載のポリシリコンの製造方法。
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