JP5730423B2 - 熱プラズマ処理装置 - Google Patents

熱プラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5730423B2
JP5730423B2 JP2014050761A JP2014050761A JP5730423B2 JP 5730423 B2 JP5730423 B2 JP 5730423B2 JP 2014050761 A JP2014050761 A JP 2014050761A JP 2014050761 A JP2014050761 A JP 2014050761A JP 5730423 B2 JP5730423 B2 JP 5730423B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermal plasma
polysilicon
silicon
gas
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014050761A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014141409A (ja
Inventor
栄造 渡辺
栄造 渡辺
均 大瀧
均 大瀧
仁志 上地
仁志 上地
Original Assignee
株式会社 シリコンプラス
株式会社 シリコンプラス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社 シリコンプラス, 株式会社 シリコンプラス filed Critical 株式会社 シリコンプラス
Priority to JP2014050761A priority Critical patent/JP5730423B2/ja
Publication of JP2014141409A publication Critical patent/JP2014141409A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5730423B2 publication Critical patent/JP5730423B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

本発明は、熱プラズマ処理装置に関する。
近年、シリコン(Si)の多結晶体(ポリシリコン)を得る製造方法として、例えば、特許文献1に、CVD法(Chemical Vapour Deposition:化学気相成長法)によりポリシリコン膜を形成する方法が記載されている。また、特許文献2に、四塩化ケイ素と亜鉛(Zn)の気相合成反応による針状結晶性シリコンの製造方法が記載されている。さらに、特許文献3に、塩化亜鉛ガス中で四塩化ケイ素と金属亜鉛との気相反応を行う高純度シリコンの製造方法が記載されている。
特開平07−183529号公報 特開2006−290645号公報 特開2004−210594号公報
ところで、従来のCVD法は、通常、数十〜数百パスカルの減圧下で行われるため、原料ガスの濃度が極めて低く、ポリシリコンの結晶成長速度が遅いという問題がある。また、四塩化ケイ素の還元方法を利用する気相合成反応では、生成物の回収、副生成物の塩化亜鉛の分離が不十分であり、また、得られるポリシリコンの純度が不十分であるという問題がある。
本発明の目的は、高純度のポリシリコンを高速で得る方法を提供することにある。
本発明によれば、内部に高周波プラズマトーチを備えた反応容器と、前記高周波プラズマトーチ内にハロゲン化ケイ素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、前記原料ガスの熱プラズマ処理により生成した溶融ポリシリコンの液滴を冷却固化する冷却装置と、前記冷却装置により冷却され固化したポリシリコン粒子を回収するシリコン粒子回収装置と、を備えることを特徴とする熱プラズマ処理装置が提供される。
ここで、前記熱プラズマ処理装置は、さらに、前記原料ガスの熱プラズマ処理の際に副生するハロゲン化物を浄化する排気浄化装置を備えることが好ましい。
また、前記熱プラズマ処理装置は、前記高周波熱プラズマトーチと前記冷却装置との間に設けられ、当該高周波熱プラズマトーチにおける熱プラズマ処理により生成し落下する前記溶融ポリシリコンの液滴を受け、下方に流下させる溶融管を備えることが好ましい。
本発明によれば、高純度のポリシリコンを高速で得ることができる。
熱プラズマ処理装置の一例を説明する図である。 溶融管を説明する図である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。
(熱プラズマ処理装置)
図1は、熱プラズマ処理装置の一例を説明する図である。
図1に示すように、熱プラズマ処理装置Iは、内部に高周波プラズマトーチ10を備えた反応容器100と、反応容器100の底部と連結管60を介して連結され、後述する原料ガスの熱プラズマ処理により生成した溶融ポリシリコンの液滴を冷却する冷却装置70と、冷却装置70により冷却され固化したポリシリコン粒子を回収するシリコン粒回収装置80と、熱プラズマ処理の際に副生するハロゲン化物を浄化する排気浄化装置90と、から構成されている。さらに、熱プラズマ処理装置Iは、高周波プラズマトーチ10内にプラズマ用ガスを供給するガス供給装置40と、熱プラズマ状態の高周波プラズマトーチ10内に原料ガスを供給する原料ガス供給装置50とを備えている。尚、本実施の形態では、反応容器100の内部は、アルゴン等の不活性ガスによりシールされている。
高周波プラズマトーチ10は、内部に熱プラズマ(プラズマ焔)11を発生させるプラズマ室12を構成する内管13と、この内管13の外側に取り付けられる高周波発信用コイル14と、この高周波発信用コイル14の外側に設けられ、冷却水(W)によりプラズマ室12を冷却する冷却管15と、この冷却管15のさらに外側に設けられる外管16とを有している。また、プラズマ室12の上部には、プラズマ室12内に原料ガス等を供給するガス供給口17a,17bが設けられている。
尚、高周波プラズマトーチ10は、内管13と外管16との二重管で、その間に高周波発信用コイル14を配置する構成となっているが、これに限定されない。例えば、高周波発信用コイル14は外管16の外側に券回してもよい。その容量等の大きさも特に制限されない。また、ガス供給口17a,17bから供給される原料ガス等の噴出方向も限定されず、種々の方向に噴出させるようにしてもよい。
高周波プラズマトーチ10の内管13と外管16は、例えば、石英ガラス、窒化ケイ素等の耐熱性材料により構成されている。高周波発信用コイル14には、通常、4MHz程度の高周波電流が流れる。内管13と外管16との間に設けられる冷却管15には、冷却水(W)が流される。
高周波プラズマトーチ10の下部には、漏斗状部材20が設けられている。漏斗状部材20は、反応容器100外部に設けた冷却装置70と連結管60を介して連結している。プラズマ室12の熱プラズマ処理により生成した溶融ポリシリコン200の液滴は、漏斗状部材20により反応容器100の下部に誘導される。
漏斗状部材20及び反応容器100を構成する材料は、例えば、ステンレス等が挙げられる。本実施の形態では、原料ガスの熱プラズマ処理の際に発生するハロゲンガス等による腐食を考慮し、ニッケルを主成分とし、モリブデン、クロム、鉄等を加えた耐食性合金(例えば、ハステロイC(登録商標))を使用している。
また、漏斗状部材20の中間部分には、熱プラズマ処理により生成し落下する溶融ポリシリコン200の液滴を受け、下方に流下させる溶融管30が設けられている。溶融管30は、所定の保持具(図示せず)により漏斗状部材20の中間部分に保持されている。溶融管30は、所定の加熱装置(図示せず)により、ポリシリコンの融点より高い温度になるように加熱される。本実施の形態では、溶融管30は約1,700K(1,427℃)〜2000K(1,727℃)程度に加熱される。溶融管30上に落下した溶融ポリシリコン200は、溶融管30によりさらに加熱され、溶融状態を保持して下方に流下する。溶融管30を構成する材料は、ポリシリコンの融点より高い温度に保持することが可能であれば特に限定されず、本実施の形態では、高純度グラファイトを使用している。
図2は、溶融管30を説明する図である。図2に示すように、溶融管30は、円錐形の本体部分30aと管状部分30bからなる漏斗状の形状を有している。溶融管30の内部には、炭化ケイ素(SiC)から構成された複数本の電熱線30cが埋め込まれている。溶融管30は、複数本の電熱線30cに所定の電源(図示せず)を用いて通電することにより、ポリシリコンの融点(約1,687K(1,414℃))より高い温度(通常、約1,800K(1,527℃)以上)に保持される。ポリシリコンの融点(約1,687K(1,414℃))より高温の約1,800K(1,527℃)以上の温度に保持された溶融管30上に落下した溶融ポリシリコン200は、溶融状態を保持して本体部分30aと管状部分30bを経由して下方に流下する。
ガス供給装置40からは、プラズマ室12内で熱プラズマを発生させるプラズマ用ガスが供給される。プラズマ用ガスとしては、例えば、アルゴン、ヘリウム等の希ガス、水素、窒素等のガス及びこれらの混合ガスが挙げられる。
原料ガス供給装置50からは、ハロゲン化ケイ素とキャリアガスの混合ガスが高周波プラズマトーチ10中に供給される。本実施の形態で使用するハロゲン化ケイ素化合物としては、例えば、フッ化ケイ素、塩化ケイ素、臭化ケイ素、ヨウ化ケイ素が挙げられる。これらの中でも、塩化ケイ素、臭化ケイ素が好ましい。
塩化ケイ素としては、例えば、四塩化ケイ素(SiCl)、ヘキサクロルジシラン、オクタクロルトリシラン、デカクロルトリシラン、ドデカクロルペンタシラン等が挙げられる。また、クロルシラン(SiHCl)、ジクロルシラン(SiHCl)、トリクロルシラン(SiHCl)等のシラン誘導体が挙げられる。臭化ケイ素としては、四臭化ケイ素(SiBr)、六臭化二ケイ素、八臭化三ケイ素、十臭化四ケイ素等が挙げられる。さらに、臭化三塩化ケイ素、二臭化二塩化ケイ素、三臭化塩化ケイ素、ヨウ化三塩化ケイ素、塩化硫化水素ケイ素、ヘキサクロルジシロキサン等も挙げられる。
これらのなかでも、四塩化ケイ素(SiCl)が特に好ましい。
尚、本実施の形態において、原料として使用するハロゲン化ケイ素化合物が固体の場合、予め、原料を所定の溶媒に溶解させた溶液を調製し、この溶液をガス化した状態で反応容器100に供給することもできる。使用可能な溶媒は、ハロゲン化ケイ素化合物を溶解するものであれば特に限定されない。具体例としては、例えば、3フッ化メタン(フルオロホルム)、エタン、プロパン、ブタン、ベンゼン、メチルエーテル、クロロホルム等が挙げられる。
また、キャリアガスは、原料として使用するハロゲン化ケイ素化合物に対し不活性であるものが好ましく、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン等が挙げられる。本実施の形態では、キャリアガスとしてアルゴンを使用している。
(ポリシリコンの製造方法)
次に、上述した熱プラズマ処理装置Iを用いてポリシリコンを製造する方法について説明する。本実施の形態では、ハロゲン化ケイ素化合物として四塩化ケイ素(SiCl)を使用し、キャリアガスとしてアルゴンを使用し、ポリシリコンを製造する例について説明する。
先ず、プラズマ用ガスが、ガス供給装置40から供給管41を介し、ガス供給口17aから高周波プラズマトーチ10のプラズマ室12中に供給される。プラズマ室12中に供給されたプラズマ用ガスは、所定の高周波(RF)電源(図示せず)から高周波電圧が印加された高周波発信用コイル14によってプラズマ化され、高周波プラズマトーチ10のプラズマ室12内に熱プラズマ11を形成する。ガス供給口17から供給されるプラズマ用ガスの供給量は、プラズマ室12の容量、熱プラズマ11の性状、原料ガスの処理量等に応じて適宜選択され、特に限定されない。
高周波発信用コイル14に印加される高周波電圧の高周波(周波数)及び電圧(または電力)は、熱プラズマ11の温度等の性状に応じて適宜選択され、特に限定されない。本実施の形態では、高周波発信用コイル14に印加される高周波電圧の高周波(周波数)は4MHzであり、消費電力は35kWである。
プラズマ室12内で形成される熱プラズマ11の温度は、特に限定されないが、本実施の形態では、例えば、6,000℃〜10,000℃程度の範囲に達している。
次に、四塩化ケイ素(SiCl)とアルゴンからなる原料ガスが、原料ガス供給装置50から供給管51を介し、ガス供給口17bから高周波プラズマトーチ10のプラズマ室12中に供給される。四塩化ケイ素(SiCl)はキャリアガスのアルゴンと共に、プラズマ室12内に形成された熱プラズマ11中に導入される(原料ガス導入工程)。
熱プラズマ11中に導入された四塩化ケイ素(SiCl)は、熱プラズマ処理され、熱プラズマ11の熱によって加熱され、一瞬の内に分解し、溶融ポリシリコンが生成する(熱プラズマ工程)。
ガス供給口17bから供給される原料ガスの供給量、キャリアガスの供給量は、プラズマ室12の容量、熱プラズマ11の性状、原料ガスの処理量等に応じて適宜選択され、特に限定されない。また、本実施の形態では、四塩化ケイ素(SiCl)は、反応容器100に供給される前に、所定の温度に加熱されることが好ましい。加熱される四塩化ケイ素の温度は特に限定されないが、本実施の形態では、通常、300K(27℃)〜570K(297℃)、好ましくは、330(57℃)〜520K(247℃)の範囲である。
また、反応容器100に供給する原料ガス中の四塩化ケイ素(SiCl)とアルゴンとの割合は特に限定されないが、通常、アルゴン50mlに対し、四塩化ケイ素(SiCl)0.1ml〜100,000ml、好ましくは、10ml〜5,000ml、より好ましくは、10ml〜200mlである。アルゴンに対する四塩化ケイ素(SiCl)の割合が過度に小さいと、ポリシリコンの生成速度が遅くなる傾向がある。アルゴンに対する四塩化ケイ素(SiCl)の割合が過度に大きいと、熱プラズマ11の形成が不安定となる傾向がある。
本実施の形態では、高周波プラズマトーチ10のプラズマ室12中に、四塩化ケイ素(SiCl)を含む原料ガスを導入する際、同時に水素をプラズマ室12中に供給することが好ましい。プラズマ室12中に水素を供給することにより、熱プラズマ処理によって分解した四塩化ケイ素(SiCl)から発生する塩素を捕捉することが可能となる。プラズマ室12中に供給する水素の量は、四塩化ケイ素(SiCl)の供給量に応じ適宜選択され、特に限定されない。本実施の形態では、四塩化ケイ素(SiCl)1モルに対し、水素2モル以上、好ましくは、4モル以上、より好ましくは8モル以上がプラズマ室12中に供給される。
また、高周波プラズマトーチ10を含む反応容器100の圧力は適宜調整され、特に限定されないが、本実施の形態では、通常、3MPa〜20MPa、好ましくは、5MPa〜10MPaの範囲で調整する。
本実施の形態では、反応容器100の圧力を調整し、四塩化ケイ素(SiCl)とアルゴンとの混合ガスの超臨界流体状態において熱プラズマ処理を行うこともできる。ここで超臨界流体状態とは、物質固有の気液の臨界温度を超えた非凝縮性流体と定義される。即ち、密閉容器内に気体と液体とが存在すると、温度上昇とともに液体は熱膨張しその密度は低下する。一方、気体は、蒸気圧の増加によりその密度が増大する。そして最後に、両者の密度が等しくなり、気体とも液体とも区別の付かない均一な状態になる。物質の温度−圧力線図(図示せず)では、このような状態になる点を臨界点といい、臨界点の温度を臨界温度(Tc)、臨界点の圧力を臨界圧力(Pc)という。超臨界流体状態とは、物質の温度及び圧力が臨界点を超えた状態にあることをいう。
本実施の形態では、四塩化ケイ素の臨界温度(Tc)は506.75K(233.6℃)、臨界圧力(Pc)は3.73MPaである。また、アルゴンの臨界温度(Tc)は87.45K(−185.7℃)、臨界圧力(Pc)は4.86MPaである。
四塩化ケイ素とアルゴンとの混合物の場合、混合物の臨界温度(Tc)と臨界圧力(Pc)とは、四塩化ケイ素とアルゴンの組成により、それぞれの物質の臨界温度(Tc)と臨界圧力(Pc)との間で適宜調整することができる。
上述したように、四塩化ケイ素(SiCl)は熱プラズマ処理により分解し、生成した溶融ポリシリコン200は、液滴となって反応容器100の漏斗状部材20内に設けた溶融管30の表面に落下する。溶融管30は、前述したように、内部に埋め込んだ複数本の電熱線30c(図2参照)に通電することにより、ポリシリコンの融点(約1,687K(1,414℃))より高温の約1,800K以上の温度に保持されている。このため、溶融管30の表面に落下した溶融ポリシリコン200は、液体状態のまま溶融管30の上部の円錐形の本体部分30a(図2参照)と管状部分30b(図2参照)を経由して下方に流下する。
続いて、溶融管30の下方に流下した溶融ポリシリコン200の液滴は、漏斗状部材20と連結する連結管60を介し、反応容器100の外部に設けた冷却装置70において冷却固化する(冷却工程)。なお、冷却装置70は冷却水(W)により冷却されている。
冷却装置70により冷却されたポリシリコンは、本実施の形態では、通常、径0.5mm〜1mm程度の粒状となり、シリコン粒回収装置80中に回収される。
さらに、四塩化ケイ素(SiCl)の熱プラズマ処理により分解した塩素は、所定の排気浄化装置90により回収され、アルゴン等のキャリアガスは排気(B)される。さらに、未反応の四塩化ケイ素(SiCl)は、所定の回収装置(図示せず)により回収され、原料ガス供給装置40へリサイクルされる。
尚、シリコン粒回収装置80中に回収された粒状のポリシリコンは、例えば、坩堝等の所定の耐熱容器内に移され、ポリシリコンの融点(約1,687K(1,414℃))より高温の約1,800K以上の温度で融解され、例えば、インゴッドに成形される。
以上詳述したように、本実施の形態では、四塩化ケイ素(SiCl)を熱プラズマ処理することにより、高純度のポリシリコンが高速で形成される。
10…高周波プラズマトーチ、11…熱プラズマ、12…プラズマ室、13…内管、14…高周波発信用コイル、15…冷却管、16…外管、17a,17b…ガス供給口、20…漏斗状部材、30…溶融管、40…ガス供給装置、50…原料ガス供給装置、60…連結管、70…冷却装置、80…シリコン粒回収装置、90…排気浄化装置、100…反応容器、200…溶融ポリシリコン

Claims (3)

  1. 内部に高周波プラズマトーチを備えた反応容器と、
    前記高周波プラズマトーチ内にハロゲン化ケイ素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、
    前記原料ガスの熱プラズマ処理により生成した溶融ポリシリコンの液滴を冷却固化する冷却装置と、
    前記冷却装置により冷却され固化したポリシリコン粒子を回収するシリコン粒子回収装置と、
    を備えることを特徴とする熱プラズマ処理装置。
  2. さらに、前記原料ガスの熱プラズマ処理の際に副生するハロゲン化物を浄化する排気浄化装置を備えることを特徴とする請求項1に記載の熱プラズマ処理装置。
  3. 前記高周波熱プラズマトーチと前記冷却装置との間に設けられ、当該高周波熱プラズマトーチにおける熱プラズマ処理により生成し落下する前記溶融ポリシリコンの液滴を受け、下方に流下させる溶融管を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱プラズマ処理装置。
JP2014050761A 2014-03-13 2014-03-13 熱プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JP5730423B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014050761A JP5730423B2 (ja) 2014-03-13 2014-03-13 熱プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014050761A JP5730423B2 (ja) 2014-03-13 2014-03-13 熱プラズマ処理装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010180395A Division JP5502650B2 (ja) 2010-08-11 2010-08-11 ポリシリコンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014141409A JP2014141409A (ja) 2014-08-07
JP5730423B2 true JP5730423B2 (ja) 2015-06-10

Family

ID=51423054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014050761A Expired - Fee Related JP5730423B2 (ja) 2014-03-13 2014-03-13 熱プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5730423B2 (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5950014A (ja) * 1982-09-13 1984-03-22 Daido Steel Co Ltd 珪素粉末の製造方法
JP3566824B2 (ja) * 1996-12-27 2004-09-15 高周波熱錬株式会社 熱プラズマによる加熱処理装置
JP5128411B2 (ja) * 2008-08-07 2013-01-23 株式会社 シリコンプラス ポリシリコンの製造装置及びポリシリコンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014141409A (ja) 2014-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI555888B (zh) 流化床反應器和用於製備粒狀多晶矽的方法
JP4290647B2 (ja) シリコン製造用反応装置
TWI386526B (zh) 高純度多結晶矽的製造方法及製造裝置
JP4157281B2 (ja) シリコン生成用反応装置
JP4597863B2 (ja) シリコン製造装置
JP4692247B2 (ja) 高純度多結晶シリコンの製造方法
TW201221474A (en) Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of trichlorosilane in a fluidized bed reactor
JP2008260675A (ja) 高純度多結晶シリコンの製造装置および製造方法
JP5128411B2 (ja) ポリシリコンの製造装置及びポリシリコンの製造方法
TWI579419B (zh) 製備顆粒狀多晶矽的反應器和方法
JP4805155B2 (ja) シリコン製造装置
TWI429792B (zh) 製造固體產物的方法和設備
JP2008037735A (ja) シリコン製造装置
JP5730423B2 (ja) 熱プラズマ処理装置
JP5502650B2 (ja) ポリシリコンの製造方法
JP4639004B2 (ja) シリコン製造装置および製造方法
JP5712001B2 (ja) ポリシリコン製造装置及びポリシリコンの製造方法
JP6288626B2 (ja) トリクロロシランの製造方法
JP2007126342A (ja) シリコン製造装置
KR101821006B1 (ko) 수평형 반응기를 이용한 폴리실리콘 제조 장치 및 제조 방법
JP2011184243A (ja) クロロシランの製造装置
JP2003020216A (ja) シリコンの製造方法
JP4099322B2 (ja) シリコンの製造方法
JP2003002626A (ja) シリコン生成用反応装置
JP2008007395A (ja) 多結晶シリコンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150324

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150407

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5730423

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees