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Diese
Erfindung bezieht sich auf Verfahren zu Bildung von Pulver und einem
Dünnfilmüberzug aus
einer Reagenz, welches in einer Flüssigkeit oder in einer flüssigkeitsähnlichen
Lösung
eingeschlossen ist, wodurch die flüssige Lösung, unterhalb ihres überkritischen
Temperaturpunktes, in einer Zone niedrigen Drucks freigesetzt wird,
wodurch eine überragende,
sehr feine Zerstäubung
oder Verdampfung der Lösung
erreicht wird. Gase werden in die zerstäubte Lösung eingebracht oder eingespeist
und mit hoher Geschwindigkeit einer Flamme oder einer Plasmastützflamme
zugeführt.
Das Reagenz reagiert und bildet entweder: 1) Pulver, welches aufgefangen wird;
oder 2) einen Überzug
aus einer Verdampfungsphase abgelegt auf einem Substrat, welches
in das sich ergebende Gas und Dampf eingeführt wird. Die Freisetzung von
Flüssigkeiten
in der Nähe
ihres überkritischen
Temperaturpunktes verursacht die Zerstäubung und Expansion mit dem
Ergebnis, dass ein sehr feiner Nebel der Lösung entsteht, welcher eine
vorteilhafte Pulverqualität
oder vorteilhafte Überzugeigenschaften
aufweist, und so zu einer verbesserten Durchlassrate und damit zu
besseren Substratbeschichtungen beiträgt.
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Der
chemische Verdampfungsprozess wird überwiegend zur Produktion von
Pulver und Überzügen eingesetzt.
Chemische Gasphasenabscheidung ("CVD") ist die verwendete
Bezeichnung bei Beschichtung von einem Substrat. CVD-Produktion
von Beschichtungen ist weit verbreitet. Viele dieser Beschichtungen
sind nur wenige Nanometer dick und glatter als 5 % bezogen auf die
Beschichtungsdicke. Reaktion und Agglomeration des reagierten Dampfmaterials
in dem Gasstrom bildet Pulver, welches kommerziell eingesetzt werden
kann. Tatsächlich werden
Nanopulver zur Bildung von Nanomaterialien eingesetzt, welche als Überzug auf
Rohmaterialien unterschiedliche Eigenschaften aufweisen. Die Materialeigenschaften
können
durch die Steuerung der Teilchengröße des Nanopulvers angepasst
werden. Gleichermaßen
haben Beschichtungen mit weniger als 50 nm Dicke Eigenschaften,
welche sich von denen dickerer Beschichtungen unterscheiden und
diese Eigenschaften verändern
sich mit abnehmender Beschichtungsdicke.
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Es
ist wünschenswert,
solche Pulver und Beschichtungen zu niedrigen Produktionskosten
und Kapitalkosten in einem einfachen Produktionsprozess herzustellen.
Jedoch gibt es für
viele Materialien eine sehr beschränkte Auswahl von verfügbaren Materialien,
welche verdampft werden können
und traditionell im CVD eingesetzt werden. Wenn hingegen die Möglichkeit
bestünde,
Beschichtungen in offener Atmosphäre zu bilden, wird die Anwendung
des Substrats und des Flusses durch den Entwicklungsprozess erheblich
erleichtert. Neben der Bildung von dünnen Überzügen mit guter Qualität ist auch
die Bildung von dicken Überzügen mit
grobem Material erstrebenswert.
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Flammenpyrolyse
("CCVD") ist eine erst kürzlich erfundene
Art der CVD Technik, welche es erlaubt, die Gasphasenabscheidung
in offener Atmosphäre
durchzuführen.
Der CCVD Prozess bietet mehrere Vorteile gegenüber Dünnfilmtechnologien, einschließlich der
herkömmlichen
CVD. Der Hauptvorteil der CCVD ist, dass Überzugfilme in offener Atmosphäre ohne
kostenintensive Brennöfen,
Vakuum- oder Reaktionskammern hergestellt werden können.
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Daraus
folgend können
die anfänglichen Systemkosten
um bis zu 90 % reduziert werden, verglichen mit Vakuum basierten
Systemen. Im Gegensatz zu einer speziellen Atmosphäre, welche
durch andere Technologien erfordert wird, weist die Feuerpyrolyse
die notwendige Umgebung für
die elementare Trennung der Bestandteile einer Lösung zur Verdampfung und für die Gasquellen
bereits auf. Der Vorläuferprodukte
sind im Allgemeinen in einer Lösung
gelöst,
so dass sie als brennbaren Brennstoff dienen. Die Pyrolyse kann
unter Atmosphärendruck und
Normaltemperatur unterhalb einer Abzughaube, im Freiland oder in
einer zur Steuerung der Umgebungsgase und des Druckes eingesetzten
Kammer durchgeführt
werden.
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Da
CCVD im Allgemeinen Lösungen
einsetzt, ist es ein herausragender Vorteil dieser Technologie,
dass ein schneller und einfacher Wechsel der Dotiersubstanz und
der Stöchiometrie,
was die Pyrolyse von komplexen Überzügen erleichtert.
Im Gegensatz zur herkömmlichen
CVD, worin der Vorläuferdampfdruck
einen sehr teuren Hochdampfdruckvorläufer in Anspruch nimmt, ist
die CCVD Technik im Allgemeinen aufgrund der löslichen Vorläuferelemente
kostengünstig.
Zudem spielt der Vorläuferdampfdruck
keiner Rolle in CCVD, weil der Lösungsprozess
die Energie zum Bilden den notwendigen Ionenbestandteil aufweist.
Im Allgemeinen sind die Vorläufermaterialien,
welche für
die herkömmliche
CVD Abtrennung vorgesehen sind zwischen 10 bis 100-mal teurer als
jene, welche für
den CCVD Prozess vorgesehen sind. Durch die Einstellung der Lösungskonzentrationen
und Bestandteilen, kann ein großer
Bereich der Stöchiometrie
abgedeckt werden, so dass eine Abscheidung schnell und einfach möglich ist.
Zusätzlich
erlaubt es der CCVD Prozess sowohl chemische Zusammensetzungen als
auch physikalische Zusammensetzungen des Überzugfilms an die spezifischen
Erfordernisse anzupassen.
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Anders
als die CVD, ist der CCVD Prozess nicht teuer und unflexibel, und
nicht daran gebunden in einer Niederdruck-Reaktionskammer durchgeführt werden
zu müssen,
und dadurch kann die Pyrolyseflamme durch die Pyrolyseflammenbank
einfach über das
Substrat bewegt werden, um einfach große oder komplexe Oberflächenstrukturen
zu überziehen.
Weil der CCVD Prozess nicht auf spezielle Umweltbedingungen angewiesen
ist, kann der Benutzer kontinuierlich Speisematerial in die Überzugszone
einbringen, ohne dabei unterbrochen zu werden wodurch ein Stapelablaufprozess
initiiert werden kann. Zudem kann der Benutzer die Pyrolyse an vorbestimmten Zonen
des Substrats durch einfaches steuern der Schmelzzeit der Flamme
in diesen Zonen begrenzten. Schließlich benutzt die CCVD Technologie
im Allgemeinen halogenfreie Chemievorläufer, welches eine wesentliche
Verringerung der negativen Folgen auf die Umwelt mit sich bringt,
verglichen zu den herkömmlichen
CVD, welche ein deutlich mehr Nebenprodukte erzeugt.
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Zahlreiche
Materialien sind durch die CCVD Technologie bereits als Überzug mittels
der Verbrennung einer vorgemischten Vorläuferlösung als alleiniger Wärmequelle
eingesetzt worden. Dieses günstigere
und flexible Filmabscheidungsverfahren ermöglicht einen breiteren Einsatz
der Dünnfilm-Technologie.
Der CCVD Prozess weist die gleiche Flexibilität auf, wie durch das thermische
Aufsprühen
erzeugt jedoch Filme, welche von ähnlicher Qualität sind wie die
des CVD-Verfahrens. Beim herkömmlichen
CVD Verfahren sind oft Monate notwendig, um ein Material erfolgreich
aufzubringen. Im CCVD Verfahren an diese Phase einige Tage andauern,
und damit nur ein Bruchteil der Kosten des herkömmlichen CVD Verfahrens verursachen.
Weil diese Überzugeigenschaften
günstig
sind, erlaubt es der CCVD Prozess, Anwendung von Dünnfilmen
wesentlich zu erweitern, einschließlich des Einsatzes in der
Tribologie, des Wärmeschutzes,
des Verschleißschutz,
dem Einsatz in der Raumfahrt, der Optik, Elektronik, Konstruktion und
Anwendung zum Schutz vor chemischen Substanzen. Deshalb können Behörden und
kommerzielle Benutzer von den Vorteilen des Dünnfilm- und des Dickfilmüberzugs profitieren, einschließlich ihrer
hohen Lösbarkeit
auf dem Substrat, erzielt über
die Mikrostruktur, eine größere Flexibilität, Reduktion
des Rohstoffverbrauchs und Verminderung des Aufwandes für den Betrieb
und/oder die Abmessungen des Überzugsystems.
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Ichinose,
H., Shiwa, Y., und Nagano, M., Synthesis of BaTiO3/LaMiO3 and PbTiO3/LaMiO3 Thin Films by Spray Combustion Flame Technique,
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 33,1, 10 p. 5903-6 (1994) und Ichinose,
H., Shiwa, Y., und Nagano, M., Deposition of LaMO3 (M=Ni,
Co, Cr, Al) – Oriented
Film by Spray Combustion Flame Technique, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.
33, 1, 10 p. 5907-10 (1994) setzen den CCVD Prozess, welchen diese
als „spray
combustion flame technique" bezeichnen,
mittels Ultraschallzerstäubung
einer einen Vorläufer
enthaltenden Lösung
ein, und führen
die sich ergebende zerstäubte
Lösung
einem Argon Trägergas
in eine Propan Verbrennungsflamme zu. Jedoch kann dieses Zerstäubungsverfahren
nicht die besonders wünschenswerten
Submikron Eigenschaften aufweisen, welches für ein verbessertes Überzug-
und Pulverbildungssystem wichtig sind.
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US
Patentnummer 4,582,731 (hier als das 731 Patent bezeichnet) offenbart
den Einsatz eines überkritisch
gebildeten molekularen Nebels zum Erzeugen eines Überzugfilms.
Jedoch weist das 731 Patente ein physikalisches Gasabscheidungsverfahren
(PVD) auf, welches sich aufgrund der anderen Gegebenheiten von dem
CVD Verfahren unterscheidet, dadurch, dass es keine chemischen Reagenz einsetzt
und normalerweise in Hochvakuum betrieben wird. Zudem wird in diesen
Verfahren kein Schutzraum eingesetzt und es wird nur Bezug genommen
auf Flüssigkeitslösung. Chemische
Reagenzien wegen ihre physikalischen Eigenschaften besonders ihrer guten
Löslichkeit.
Die Stützflamme ermöglicht es, Überzüge in freier
Atmosphäre
ohne zusätzliche
Wärmequelle
zu erzeugen. Das 731 Patent bringt ein Material auf, welches jedoch
nicht als Reagenz in das Verfahren eintritt, und damit unter überkritischen
Bedingungen reagieren wird.
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Ein
weiteres Verfahren zur Bildung eines Films auf einem Substrat wird
in Sievers et al. in US-A-4,970,093 (hierin als das 093 Patent bezeichnet)
offenbart. In diesem Verfahren wird eine Reagenz in einer überkritischen
Flüssigkeit
mit mindestens einem Lösungsmittel
gelöst.
Irgendeine Reagenz ist zur Reaktion einsetzbar oder ist ein Vorläufer einer
Komponente, und befähigt
zur Reaktion mit dem Lösungsmittel
zum Bilden des gewünschten Produktes.
Der Vorgang, welche im 093 Patent beschrieben ist, ist niedergelegt
in B. M. Hybertson, B. N. Hansen, R. M. Barkley und R. E. Sievers,
Supercritical Fluid Transport-Chemical Deposition of Films, Chem.
Mater., 4, 1992, p. 749-752 und Hybertson et al und B. N. Hansen,
B. M Hybertson, R. M. Barkley und R. E. Sievers, Deposition of Palladium Films
by a Novel Supercritical Fluid Transport-Chemical Deposition Process produce.
Mat. Res. Bull., 26, 1991, p. 1127-33. Das 093 Patent ist für das herkömmliche
CVD Verfahren ohne Stützflamme
vorgesehen und weist nicht die Atmosphärenbedingungen, welche bei
der CCVD eingesetzt werden, und weist damit die oben beschriebenen
Nachteile auf. Zusätzlich
können
nur überkritische
flüssige
Lösungen
eingesetzt werden; flüssige
Lösungen
in der Nähe
ihres überkritischen
Punktes können
nicht angewendet werden. Alle Vorläuferprodukte des 093 Patent
werden durch überkritische
Lösungen
getragen, dieses begrenzt die Menge der verwendbaren Vorläuferstufen
aufgrund Reaktivität
und der Löslichkeit überkritischer
Flüssigkeiten.
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B.
M. Merkle, R N. Kniseley, F. A. Smith und I. E. Anderson, Superconducting
YBaCuO Particulate produced by Total Consumption Burner Process produce,
Mat. Sci. Eng., A124, p. 31-38 (1990), J. McHale et al., Preparation
of High-Tc Oxide Films via Flaming Solvent
Spray, J. Supercond. 5 (6), p. 511 (1992), und M. Koguchi et al.,
Preparation of YBa2Cu3Ox Thin Film by Flame Pyrolysis, Jpn. J. Appl.
Phys. 29 (1), p.L33 (1990) beschreibt den Einsatz einer Flamme zum
Abscheiden eines Films, welches als "spray pyrolysis" Verfahren bezeichnet wird. Sowohl Merkle
et al. und McHale et al. Scheiden YBa2Cu3Ox aus einer verbrannten,
zerstäubten
Lösung
auf ein Substrat ab, jedoch haben die Abscheidungsbedingungen eine
Pyrolyse zur Folgen von niedriger Qualität und einer grobkörnigen Beschichtung.
Koguchi et al. zerstäuben
mit 0,03 mol/l eine wässrige
Lösung
und befördern
den sich ergebenden Sprühnebel
in eine H2-O2 Flamme
und scheiden eine 10 µm
dicke Beschichtung in 10 Minuten auf ein Yttrium stabilisiertes
Zirkonium (YSZ) Substrat ab, welches durch eine Flamme erhitzt wird,
worin eine große
Menge des zerstäubten
Materials aufgrund dieses Verfahrens beim Transport verloren geht.
Die Temperatur, welche auf der Rückseite
des Substrats gemessen wird, erreicht maximal 940°C. Jedoch
wird auf der Flammenseite des Substrats im Wesentlichen eine Temperatur
von 100° bis
300° über der
Temperatur erwartet, welche auf der Rückseite auftritt, welche in
dem Schmelzbereich von YBa2Cu3Ox liegen würde. Der daraus erzeugte Koguchi-et-al.-Film weist
eine starke Präferenz
der C-Achsen-Orientierung auf und nach einem Sauerstoff Anlassen
bei 850° für acht Stunden
zeigt der Film bei 90° K
einen Nullwiderstand. Koguchi et al. benennt dieses Verfahren "flame pyrolysis" und Erreichen ein
Abscheiden bei einer Temperatur, welche nahe dem Schmelzpunkt von
YBa2Cu3Ox liegt. Die Lösungskonzentration und die
Abscheiderate waren höher
als die, welche in dem CCVD Prozess vorliegt. Deswegen besteht die
Notwendigkeit eines Überzugsverfahren,
welches exzellente Ergebnisse unterhalb des Schmelzpunkts des Überzugmaterials
liefert. Die vorliegende Erfindung erfüllt diese Eigenschaften zur feinen
Zerstäubung
der nahezu überkritischen
Flüssigkeit,
welches die Filmqualität
erhöht,
was so zu einer Bildung eines Dampfes des abscheidenden Films, bei
niedrigeren Abscheidetemperaturen führt.
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McHale
et al. schieden erfolgreich 75 bis 100 µm dicke Filme aus YBa2Cu3Ox und Bi1.7Pb0.3Ca2Sr2Cu3O10 durch Verbrennung einer zerstäubte Lösung von
Nitraten ab, welches sich in flüssigem
Ammonium in einem N2O-Gasstrom löst sich und
durch Verbrennung von gelösten
Nitrat in irgendein Methanol oder Ethylenglykol oder einem Sauerstoffgasstrom
ab. Das Ergebnis lässt
vermuten, dass die Filme teilchenförmig waren und nicht phasenrein.
Die YBa2Cu3Ox Überzüge wurden
bei 940°C
für 24
Stunden angelassen und die Bi1.7Pb0.3Ca2Sr2Cu3O10 Überzüge wurden
bei 800°C für 10 Stunden
wärmebehandelt
und dann bei 860°C für 10 Stunden,
um die gewünschten
Materialeigenschaften zu erhalten. Nachdem Sauerstoffanlassen konnte
kein Nullwiderstand bei einer Temperatur von oberhalb von 76°K erreicht
werden. Die Lösungskonzentration
wurden nicht dargelegt aber die Ausschussrate war überdurchschnittlich
hoch, in sowohl Koguchi als auch McHales Methode waren die dargelegten
Lösungen
und die daraus resultierende Filmstöchiometrie identisch. Anders
als in der CVD und in der vorliegenden Erfindung können die
Lösungsstöchiometrien
von der gewünschten
Filmstöchiometrie abweichen.
Zusätzlich
war die resultierende Tröpfchengröße der versprühten Lösung übermäßig groß und der
Dampfdruck war zu niedrig für
eine wirkungsvolle Dampfabscheidung.
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Eine
zerstäubte
Lösung
der Vorläufer
wurde mit einer Plasmastützflamme
in einem Prozess, welche als "Spray
inductively coupled plasma" ("Spray-ICP" oder "ICP") benannt, eingesetzt.
Siehe M. Kagawa, M. Kikuchi, R. Ohno and T. Nagae, J. Amer. Ceram.
Soc., 64, 1981, C7. Im Spray-ICP wird eine Reaktionsmittel enthaltende
Lösung
in feine Tröpfchen
von 1 bis 2 µm
Durchmesser zerstäubt, welche
dann in die ICP Kammer eingeführt
werden. Dieses kann als ein Plasma CVD Verfahren angesehen werden,
welches sich von der Flammenpyrolyse unterscheidet. Siehe M. Suzuki,
M. Kagawa, Y. Syono, T. Hirai and K. Watanabe, J. Materials Sci.,
26, 1991, p. 5929-5932. Dünnfilme
aus den Oxide von Ce, La, Y, Pr, Nd, Sm, Cr, Ni, Ti, Zr, La-Sr-Cu,
Sr-Ti, Zn-Cr, La-Cr,
und Bi-Pb-Sr-Ca-Cu wurden durch dieses Verfahren erfolgreich abgetrennt.
Siehe M. Suzuki, M. Kagawa, Y. Syono und T. Hirai, Thin films of Chromium
Oxide Compounds Formed by the Spray-ICP Technique, J. Crystal Growth,
99, 1990, p.611-615
und M. Suzuki, M. Kagawa, Y. Syono und T. Hirai, Thin films of Rare-Earth
(Y, La, Ce. Pr, Nd, Sm) Oxides Formed by the Spray-ICP Technique,
J. Crystal Growth, 112, 1991, p.621-627. Das Halten des Substrats
in einem angemessenen Abstand von dem Plasma ist entscheidend für das Synthetisieren von
Dickfilmen. Der Bereich der gewünschten
Abscheidedistanz von der Plasmaquelle aufgrund des schnellen Temperaturabfalls
des Gases sehr klein. CVD artige Überzüge werden durch Ultraschall
zerstäubte
0,5 bis 1,0M Lösungen
von Metallnitraten in Wasser erzielt, welche in ein ICP mit 6 ml/h
unter Einsatz von Ar mit einer Fließgeschwindigkeit von 1,3 l/min
eingespeist wurde. Andere Oxide werden abgeschieden und Flüssigkeiten
oder flüssigkeitsähnliche Lösungen in
der Nähe
der überkritischen
Temperaturpunktes nicht eingesetzt. Der Einsatz der nahezu überkritischen
Zerstäubung
mit ICP wurde nicht in Betracht gezogen bei dieser weiten Übersicht über die
ICP Zerstäubungsverfahren.
Siehe T. R. Smith und M. B. Demon. Evaluation of Current Nebulizers and
Nebulizer Characterization Techniques, Appl. Spectroscopy, 44, 1990,
p. 21-4.
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Ein
chemisches Dampfabscheidungsverfahren und -Vorrichtung mit Mitteln
zur Pulverisierung von flüssigen
Rohmaterialien in feine Partikel wird durch Tetsuo Asaba in EP-0548990
veröffentlicht
am 30. Juni 1993 dargestellt. Die feinen Partikel sind zur Herstellung
eines Films gebildet aus Rohmaterialgas vergast und werden in eine
Reaktionskammern gespeist, wo sie einen Film auf einem Substrat
bilden.
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Folglich
ist es im höchsten
Grade wünschenswert,
Nanopulver und Schichten mit niedrigen Produktionskosten und Kapitaleinsatzkosten
in einem einfachen Produktionsprozess zu bilden. Es ist ebenso wünschenswert,
in der Lage zu sein Überzüge in offener
Atmosphäre
herzustellen, ohne einen kostenträchtigen Brennofen, Vakuum oder
eine Reaktionskammer. Ferner ist es wünschenswert einen Beschichtungsprozess
vorzusehen, welcher eine hohe Adhäsion auf dem Substrat, gesteuerter
Mikrostrukturen, Flexibilität
und Reduktion des Rohmaterialverbrauchs vorsieht und dabei bei einem
reduzierten Betriebsaufwand und/oder einer reduzierten Größe eines Überzugsystems
in der Lage ist, gleichzeitig hoch wünschenswerte Submikronfähigkeiten
zur Verfügung
zu stellen, welches wichtig ist; um einen verbesserten Überzug und
Pulverbildung zu erhalten. Daneben ist es wünschenswert einen Produktionsprozess
vorzusehen, indem die Lösung
in der Nähe
des überkritischen
Punktes ist und deswegen exzellente Resultate im Bereich unterhalb
des Schmelzpunktes des Überzugmaterials
liefert.
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Die
WO 94/21841 offenbart CCVD Verfahren und Vorrichtung, welche zu
dem Oberbegriff der Ansprüche
1 und 14 korrespondiert. Die vorliegende Erfindung besteht aus einer
Vorrichtung zum Bilden eines ausgewählten Materials in einer Reaktionszone, bestehend
aus Folgendem:
- a) eine Fluidleitung (120)
mit einem Einlassende (122) und einem gegenüberliegenden
Auslassende (124), das eine Auslassöffnung (126) aufweist, die
so ausgerichtet ist, dass sie Transportflüssigkeit (T) in der Leitung
in eine Reaktionszone leitet, wobei die Auslassöffnung des Weiteren ein Mittel (4, 128)
für das
Zerstäuben
der Transportflüssigkeit
umfasst, das ein zerstäubtes
Fluidspray bildet,
- b) eine Umgebung, in der das zerstäubte Spray zur Reaktion gebracht
wird und die Bedingungen bietet, die dafür ausreichen, dass das zerstäubte Spray
in der Reaktionszone zur Reaktion gebracht wird, wodurch das ausgewählte Material gebildet
wird, dadurch gekennzeichnet, dass:
das Mittel für das Zerstäuben des
Weiteren ein Temperaturreguliermittel umfasst, das in thermischer
Verbindung um das Auslassende der Flüssigkeitsleitung angeordnet
ist und die Temperatur der Transportflüssigkeit in der Leitung regelt.
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Die
Erfindung unterbreitet ein Verfahren zum Bilden eines ausgewählten Materials
in einer Reaktionszone der Vorrichtung wie sie oben beschrieben wurde
bestehend aus den folgenden Schritten:
Verfahren für das Bilden
eines ausgewählten
Materials in einer Reaktionszone (130) der Vorrichtung nach
einem der vorhergehenden Ansprüche,
das folgende Schritte umfasst:
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- a) Bereitstellen eines geeigneten Trägers, der
ein oder mehrere Reagenzien enthält,
um dadurch eine Transportlösung
zu bilden, die reaktionsfähig ist
und das ausgewählte
Material bilden kann, wobei die Transportlösung (T) eine erste ausgewählte Temperatur
und einen ersten ausgewählten Druck
aufweist,
- b) Leiten der Transportlösung
zu einer Fluidleitung (120) an deren Einlassende (122),
wobei die Auslassöffnung
(126) am Auslassende (124) so ausgerichtet ist,
dass sie das Fluid in der Leitung in die Reaktionszone (130)
leitet,
- c) Leiten der Transportlösung
durch die Auslassöffnung
der Leitung in die Reaktionszone (130), um ein zerstäubtes Spray
zu erzeugen,
- d) Mischen eines oder mehrerer ausgewählter Gase in das zerstäubte Spray,
um ein reaktionsfähiges
Spray zu bilden, und
- e) das reaktionsfähige
Spray einer Umgebung aussetzen, deren Bedingungen dafür ausreichen, dass
das reaktionsfähige
Spray zur Reaktion gebracht wird, wodurch das ausgewählte Material gebildet
wird,
dadurch gekennzeichnet,
dass:
die Reaktionszone
einen zweiten ausgewählten Druck
und die Transportlösung
in
der Leitung eine zweite ausgewählte Temperatur und einen dritten
ausgewählten
Druck
aufweist, und dass die zweite ausgewählte Temperatur unter der kritischen
Temperatur
Tc der Transportlösung und der dritte ausgewählte Druck über dem
zweiten ausgewählten
Druck und über
oder bei dem entsprechenden Liquidus- oder kritischen Druck Pc der Transportlösung bei der zweiten ausgewählten Temperatur liegt.
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Die
vorliegende Erfindung ermöglicht
eine sehr feine Zerstäubung,
Vernebelung, Verdampfung oder Vergasung durch Einsatz von flüssigen Lösungsmitteln
oberhalb des kritischen Druckes und unter der kritischen Temperatur.
Die gelösten
chemischen Vorläufer
benötigen
keinen hohen Dampfdruck, aber Vorläufer mit hohem Dampfdruck können besser
verarbeitet werden oder besser als Vorläufer mit niedrigen Dampfdruck.
Durch Erwärmung
der flüssigen
Lösung
kurz vor dem oder an dem Ende der Krise oder Auslassröhre (Verdampfungsvorrichtung), kann
die zur Verfügung
stehende Zeit für
die chemische Reaktion der Vorläuferprodukte
oder Ablösung vor
der Zerstäubung
minimiert werden. Das Verfahren kann zum Auftragen von Überzügen auf
vielfältige Metallorganisch
und anorganische Vorläufer
angewendet werden. Der Solvent der flüssigen Lösung kann aus jeder Flüssigkeit
bestehen, indem sie Vorläufer
einer Lösung
bildet. Die Flüssigkeit
oder flüssige
Lösungsmittel
selbst kann aus einer Mischung von verschiedenen Komponenten bestehen.
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Eine
Verringerung in die überkritischen
Temperaturen der Reagenz enthaltenden Flüssigkeit wies überlegene Überzüge auf.
Viele dieser Flüssigkeiten
sind nicht stabil, die Flüssigkeiten
bei STP müssen
in einem Druckbehälter
oder bei niedriger Temperatur zusammengestellt werden. Um diese
Bildung einer Flüssigkeit
oder flüssigen
Lösung
zu vereinfachen, welche ausschließlich bei Drücken größer als
dem Umgebungsdruck gearbeitet werden können, werden die chemischen
Vorläufer
optional zuerst in primären
Lösungen
gelöst,
welche bei Umgebungsdruck stabil sind. Diese Lösung wird in einen druckfesten
Behälter
eingeführt
und dann der zweiten (oder Haupt) Flüssigkeit oder Flüssigkeit
(in welche die erste Lösung
gemischt wird) wird zugefügt. Die
Hauptflüssigkeit
oder Flüssigkeit
hat eine niedrigere überkritische
Temperatur, und dieses hat eine Erniedrigung der Maximaltemperatur,
zur Erreichung des gewünschten
Grads der Zerstäubung
benötigt wird
zur Folge. Wenn eine hochkonzentrierte Primärlösung eingesetzt wird, besteht
die sich ergebende Lösung,
mit niedrigerer Konzentration vor allem aus sekundären oder
möglicherweise
zusätzlichem
Lösungskomponenten.
Gewöhnlicherweise
ist die Komponente mit dem höheren
Anteil in einer vorgegebenen Lösung
maßgeblich
für die
Eigenschaften der Gesamtlösung.
Diese zusätzlichen
Flüssigkeiten werden
zur Unterstützung
in der sehr feinen Zerstäubung,
Verdampfung oder Vergasung der chemischen Vorläufer beinhalten Lösung eingesetzt.
Die Auswahl einer endgültigen
Lösungsmischung
mit einer niedrigen überkritischen
Temperatur, trägt
zur Verringerung des Auftretens von Reaktion chemischer Vorläufer, bei
welche in der Zerstäubungsvorrichtung
reagieren, als auch das Herabsetzen oder Eliminieren der Notwendigkeit
die Lösung
in der Freigabezone zu erhitzen. In einigen Fällen kann die Lösung vor
dem Eintritt in die Freigabezone gekühlt werden, so dass die Löslichkeit
und die Flüssigkeitsstabilität gewährleistet
ist. Ein Fachmann auf dem Gebiet der überkritischen flüssigen Lösungen kann
verschiedene mögliche
Lösungsgemische
ohne eine übermäßige Anzahl
von Experimente ermitteln. Delicti kann dann ein Druckgefäß mit einem
Glasfenster oder mit einer optischen Faser und einem Monitor zur
visuellen Bestimmung der Mischbarkeit und der Löslichkeitskompatibilität angewendet
werden. Umgekehrt gilt, wenn ein Filter verstopft oder ein Ausfall
in dem Hauptbehälter
gefunden wird, kann eine Inkompatibilität unter den Konditionen aufgetreten
sein.
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Die
sich ergebende Pulvergröße, welche durch
die Verfahren und Apparaturen der vorliegenden Erfindung hergestellt
wird, kann wie folgt verringert werden, und dadurch verbessert werden:
1) durch Verringern der Konzentration der Eingangslösungen;
2) durch Verringern der Zeit in dem heißen Gases; 3) durch Verringern
der sich bildenden Tröpfchengröße; und/oder
4) Erhöhen
des Dampfdrucks des eingesetzten Reagenzien. Jeder Wahl der Variablen
liegen andere Annahmen zu Grunde. Zum Beispiel sollte nach ökonomischen
Gesichtspunkten die Konzentration der Eingangslösung maximiert werden, zur
Erhöhung
der Erkennungsrate, und niedriger Dampfdruckreagenz sollte eingesetzt
werden, zum Vermeiden hoher Kosten, welche verbunden sind mit höheren Dampfdruckreagenz.
Bei Verringerung der Aufenthaltszeit in dem heißen Gas wird die Zeit der Herstellung
der gewünschten
Phase verkürzt.
Bei Verringerung der Tröpfchengröße wird
die Fluidtemperatur erhöht,
welche bei möglichen
Fluidreaktionen und Lösungseffekten
eine Rolle spielt. Der Beschichtungsvorgang weist ähnliche,
parallele Beziehungen auf.
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Ein
weiterer Vorteil ist es, durch die Freigabe der Flüssigkeit
in der Nähe
oder oberhalb ihres überkritischen
Punktes in einem schnellen Expansionsprozess, einen sehr schnellen
Gasdampfstrom zu erzeugt. Sehr schnelle Gasströme reduzieren die Gasdiffusionsgrenzschichten
vor der Ablagerungsoberfläche
effektiv, was wiederum zu einer verbesserte Filmqualität und Ablagerungseffizienz
für. Wenn
die Stromgeschwindigkeit oberhalb der Flammen-Geschwindigkeit ist,
muss eine Zündflamme
oder zu oder andere Entzündungsmittel
eingesetzt werden, um eine stabile Flamme zu erhalten. Unter einigen Umständen müssen zwei
oder mehr Zündflammen eingesetzt
werden, um eine vollständige
Verbrennung zu ermöglichen.
Bei der Plasmastützflamme werden
keine Zündflammen
benutzt und eine hoher Geschwindigkeit kann einfach durch die folgenden Betriebsbedingungen,
wie sie dem Fachmann bekannt sind, erzielt werden.
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Die
Lösungsträgerflüssigkeit
braucht kein Brennstoff für
die Verbrennung zu sein. Nicht brennbare Flüssigkeiten wie Wasser oder
CO2 oder schwer zu verbrennende Flüssigkeiten
wie Ammoniak können
eingesetzt werden, um den Vorläufer
zu lösen oder
können
als sekundäre
Lösungskomponenten eingesetzt
werden. Diese werden bei einer Flamme oder einer Plasmastützflamme
expandiert, welche eine Reaktionsumgebung für die Vorläufer ergibt. Die Ablagerung
kann oberhalb, unterhalb oder bei einem Umgebungsdruck durchgeführt werden.
Plasmastützflammen
dienen zum Verringern des Druckes, Flammen können bis zu einem Druck von
1333 Pa (10 Torr) stabil sein und auch bei hohen Drücken einsetzbar
sein. Kalte Flammen oder welche mit einer Temperatur von weniger
als 500°C
können
beide niedrigem Druck gebildet werden. Während beide Verfahren in der
offenen Atmosphäre
angewandt werden können,
ist es vorteilhaft die Verfahren der Erfindung in einer Reaktionskammer
unter Anwendung von kontrollierter Atmosphäre zu praktizieren, um sicherzustellen,
dass keine luftgetragene Verunreinigung in dem resultierenden Überzug eingeschlossen
sind. Viele elektrische und optische Überzugsanwendungen erfordern,
dass keine Einschlüsse
in dem Überzug
vorliegen. Diese Applikationen dient dem Aufbringen von Dünnfilme
oder Dickfilme für
thermische Trennschichten, es können
aber auch Schichten gegen Korrosion und Abnutzung auf gleiche Weise
aufgebracht werden.
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Ferner
kann grobes Material, einschließlich einzelner
Kristalle durch Verlängerung über die
Ablagerungszeit hinaus, gezüchtet
werden. Höhere
Ablagerungsraten können
durch höhere
Ablagerungszeit erreicht werden, worin die notwendigen höheren Ablagerungsraten
für die
Ablagerung eines einfachen Atoms eines einzelnen Kristallitfilms
oder Steingutmaterials vorgesehen sind.
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Die
vorliegende Erfindung wird nun im Bezug auf die Bezugszeichen der
folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Ausführungsform
der Erfindung vorgesehen, im Bezug auf diese beigefügten Zeichnungen
ist folgendes dargestellt:
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1 stellt
eine schematische Darstellung der vorliegende Erfindung dar.
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2 stellt
ein zeichnerisches Schaubild einer Vorrichtung für Ablagerung des Films und
des Pulver bei Einsatz überkritischer
und dazu überkritischer
Zerstäubung
dar.
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3 stellt
eine schematischen detaillierten Ablauf des Zerstäubers eingesetzt
in der vorliegende Erfindung dar.
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Die
vorliegende Erfindung weist ein Verfahren zum Überzug eines Substrats mit
ausgewählten Materialien
auf. Das Verfahren weist eine erste ausgewählte Temperatur und einen ersten
ausgewählten Druck
auf, Auflösung
in einen geeigneten Träger,
wodurch eine Transportlösung
mit ein oder mehrere Reagenzien gebildet wird, wodurch diese reaktionsfähig sind,
(worin für
eine einzelne Vorläuferreagenzien
die Ablagerung der Reagenzien aus der Lösung hierin als "Reaktion" bezeichnet wird)
zur Bildung eines ausgewählten
Materials. Eine gewisse Zeit vor der tatsächlichen Ablagerung, wird ein
Substrat in einer Zone mit einem zweiten ausgewählten Druck positioniert. Der
zweite ausgewählte
Druck kann der Umgebungsdruck sein und ist im Wesentlichen über 2666 Pa
(20 Torr). Die Transportlösung
wird dann auf einen dritten ausgewählten Druck unter Einsatz von
Druckregulierungsmitteln komprimiert, welcher höher ist als der zweite ausgewählte Druck.
Ein Fachmann wird erkennen, dass es unterschiedliche geeignete Druckregulierungsmittel
gibt, insbesondere Kompressoren, etc. Als Nächstes wird die komprimierte Transportlösung in
eine Fluidleitung eingeführt,
welche ein Eingangsende und ein gegenüber liegendes Ausgangsende
aufweist und Temperaturregelmittel aufweist, welche daran zur Steuerung
der Temperatur der Lösung
an dem Ausgangsende angeordnet sind. Das Ausgangsende der Leitung
weist ferner einen Auslassport auf, welcher geeignet ist, die Flüssigkeit
in der Leitung in die Zone und die Richtung des Substrats zu leiten.
Der Auslassport kann eine Form, ähnlich
einer Düse
aufweisen, wie diese in Vernebelungs- und CVD Anwendung eingesetzt
wird. Danach wird die Lösung
unter Einsatz einer Temperaturregelung auf eine zweite ausgewählte Temperatur
erhitzt, welche vorzugsweise 50° unterhalb
der kritischen Temperatur TC dieser Lösung liegt,
während
der dritte ausgewählte
Druck, welcher höher
ist als der zweite ausgewählte
Druck mittels des Einsatzes von Druck regulierenden Mitteln beibehalten wird,
und welcher oberhalb des korrespondierenden Liquidus oder kritischen
Drucks PC der Lösung bei der zweiten ausgewählten Temperatur.
-
Anschließend wird
die komprimierte, erhitzte Lösung
durch den Auslassport der Leitung in die Zone, zur Herstellung eines
zerstäubten
Lösungsmittelnebels
in Richtung des Substrats eingeführt.
Wenn die Lösung
in die Zone eingeführt
wird, werden ein oder mehrere ausgewählte Gase zu einer zerstäubbaren
Sprühlösung vermischt,
zur Bildung eines reaktionsfähigen
Nebels und danach zur Exposition des reaktionsfähigen Nebels zu einer Energiequelle mit
einem ausgewählten
Energiepunkt. Die Energiequelle weist genügend Energie zur Reaktion mit
dem reaktionsfähigen
Sprühnebel
auf, (welche ein oder mehrere Reagenzien der Transportlösung enthält), wodurch
Material gebildet wird und das Substrat damit überzogen wird. In einer weiteren
Ausführungsform
weist dieses Verfahrens eine Energiequelle einer Flammequelle auf
und die der ausgewählte
Energiepunkt weist den Zündpunkt
auf. In einer weiteren Ausführungsform
weist die Energiequelle eines Plasmastützflamme auf.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
des Verfahrens ist der zweite ausgewählte Druck der Zone der Umgebungsdruck.
In Flamme einer weiteren Ausführungsform
ist der zerstäubte
Lösungsnebel ein
Dampf oder ein Aerosol mit einer maximalen Tröpfchengröße von weniger als 2 µm.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
ist der zweite ausgewählte
Druck in der Zone reduziert zu Erzeugung einer Verbrennungsflamme
mit einer Temperatur von weniger als 1000°C.
-
In
einer anderen Ausführungsformen
ist der Träger
Propan und die Transportlösung
weist mindestens 50 Vol.-% Propan auf. In einer weiteren Ausführungsform
ist die Transportlösung
ferner Methanol, Ethanol, Isopropanol, Toluol oder eine Kombination
dieser Stoffe. In einer weiteren Ausführungsform ist der Träger derart
ausgewählt,
das die Transportlösung
im Wesentlichen bei Standardtemperatur und einem Druck der zum Ausführen des
Verfahrens für Zeitperiode
ausreicht, frei ausfällt.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
des Verfahrens, wird ein unter Druck stehender Behälter eingesetzt.
Vor, während
und nach dem Komprimierungsschritt ist eine Standardtemperatur liegt
die Transportlösung
bei Standardtemperatur bei einem ausgewählten Druck vor, welcher zur
Bildung eines Liquids oder überkritischen
Fluids (abhängig
von der Temperatur) ausreicht. In einer bevorzugten Ausführungsform
weist die Transportlösung
eine Standardtemperatur auf und ein Druckgas, welches im Wesentlichen
frei bei einem ausgewählten
Druck in einer Zeitperiode abscheidet, welcher ausreichend ist,
um das Verfahren durchzuführen.
In einer weiteren Ausführungsform
liegt die Reagenzkonzentration der Transportlösung zwischen 0,0005 M und
0,05M.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist das Auslassende der Leitung ferner einen Flüssigkeitseinführungsport
auf und wird vor dem Ausrichten der komprimierten erhitzten Lösung durch
den Auslassport der Leitung ausgerichtet. Die Flüssigkeit wird zugefügt und komprimiert
und die erhitzte Lösung
wird durch den Flüssigkeitseinführungsport
geleitet. Eine solche Einführung
bildet eine komprimierte Lösung,
welche eine reduzierte überkritische
Temperatur aufweist. In einer weiteren Ausführungsform weist jede der ein
oder mehr Reagenzien einen Dampfdruck von nicht weniger als 25 %
des Dampfdrucks des Trägers
auf.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist das Auslassende der Leitung eine Röhre auf, welche einen Innendurchmesser
von 2 bis 1000 µm
aufweist, bevorzugt zwischen 10 und 250 µm. In einer sehr bevorzugten
Ausführungsformen
weißt
das Auslassende der Leitung eine Röhre auf, welche einen Innendurchmesser
von 25 bis 125 µm
aufweist. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsformen das Auslassende
der Röhre
mit einer Röhre
ausgestattet, welche einen Innendurchmesser von 50 bis 100 µm aufweist.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
umfassen die Temperatureinstellmittel Mittel, welche die Röhren mittels
Widerstandserwärmung
erhitzt durch Anordnung einer elektrischen Stromquelle. In einer
bevorzugten Ausführungsform
ist die Spannung weniger als 115 Volt. In nun einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
weisen die Mittel zum Widerstandsheizen der Leitung einen Kontakt
auf, welcher 4 mm vor dem Auslassende positioniert ist.
-
Zudem
weist die vorliegende Erfindung ein vorher beschriebenes Verfahren
auf, worin der Träger
und ein oder mehrere Reagenzien derart ausgewählt werden, dass die zweiten
ausgewählten
Temperaturen die Umgebungstemperatur sind.
-
Das
oben beschriebene Verfahren kann innerhalb von Materialien, welche
das Substrat überziehen,
ein Metall enthalten. Alternativ kann das Material, welches das
Substrat überzieht
ein oder mehrere Metalloxide aufweisen. Ferner weist die vorliegende
Erfindung ebenso ein Verfahren auf worin der Träger und ein oder mehrere Reagenzien
so ausgewählt
sind, dass die zweiten selektierten Temperaturen Umgebungstemperaturen
sind.
-
Das
oben beschriebene Verfahren keinen hierin praktiziert werden, worin
das Material, welches den Überzug
des Substrats aufweist, ein Metall ist. Alternativ kann das Material
zum Überziehen
des Substrats ferner ein oder mehrere Metalloxide aufweisen. In
einer weiteren Ausführungsform
weist das Material, welches als Überzug
mit dem Substrat zusammenwirkt ein Karbonat, ein Sulfat, oder Phosphor
auf. In einer weiteren Ausführungsform
ist das Material, welches überzieht
im Wesentlichen weniger als 90 % Quarz.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist der reaktionsfähige
Sprühnebel
einen brennbaren Sprühnebel
mit einer brennbaren Sprühnebelgeschwindigkeit
auf und darin ist die brennbare Sprühnebelgeschwindigkeit größer als
die Flammengeschwindigkeit der Flammenquelle an dem Zündpunkt,
und ferner umfasst diese ein oder mehrere Zündhilfsmittel zum Zünden des
brennbaren Sprühnebels.
In einer bevorzugten Ausführungsform
umfasst jede der ein oder mehrere Zündhilfsmittel eine Zündflamme.
In einer weiteren Ausführungsform
ist die Geschwindigkeit des brennbaren Sprühnebel des größer als
ein Mach.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
ist gewährleistet,
dass der Zündpunkt
oder die Flammenfront innerhalb von 2 cm vor dem aus das Port liegt.
-
Die
vorliegende Erfindung weist ein Verfahren auf, worin während des
Freigabeschrittes das Substrat durch Substratkühlungsmittel gekühlt wird. In
einer weiteren Ausführungsform
schließen
die Substratkühlungsmittel
ein Mittel zum Abgeben von Wasser auf das Substrat ein. Jedoch wird
der Fachmann erkennen, dass viele andere Kühlungsmittel eingesetzt werden
können.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist das Material, welches das Substrat überzieht Kohlenstoffmaterial
auf. In einer weiteren Ausführungsform
weist das Material, welches das Substrat überzieht Diamant auf. In einer
alternativen Ausführungsform
kann das Überzugsmaterial
folgendes einschließen:
(1) Diamant und (2) ein Metalloxid oder ein Metall. In einer weiteren
Ausführungsform
kann das Material zum Überziehen
des Substrats eine Dicke von weniger als 100 nm aufweisen. In einer
weiteren Ausführungsform
weist das Material, welches das Substrat überzieht eine nacheinander
gestaffelte Zusammensetzung auf. In einer weiteren Ausführungsform
kann das Material, welches das Substrat überzieht ein amorphes Material
sein. In einer weiteren Ausführungsform,
kann das Material, welches das Substrat überzieht Nitrid, Carbid, Borid,
Metall oder andere Nicht-Sauerstoff enthaltenden Materialien aufweisen.
-
Die
vorliegende Erfindung sieht ebenso ein Verfahren vor, welches ferner
das Umfließen
des sauerstoffreagierenden Sprühnebels
mit einem Scheidegas vorsieht, wodurch die Wahrscheinlichkeit von
eingelagerten Verunreinigungen verringert wird und für die Aufrechterhaltung
einer vorteilhaften Ablagerungsumgebung gesorgt wird.
-
In
einer bevorzugten Ausführungsform
ist der zweite ausgewählte
Druck oberhalb von 2660 Pa (20 Torr).
-
Zusätzlich zu
dem oberhalb beschriebenen Verfahren, gibt die vorliegende Erfindung
eine Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit einem ausgewählten Material
vor. Nun wird auf 1 verwiesen, die Vorrichtung 100 weist
Druckregulierungsmittel 110 auf, wie z.B. eine Pumpe zum
Komprimieren der Transportlösung
T auf einen ersten ausgewählten
Druck (auch als "Vorläuferlösung" bezeichnet) in einem
Transportlösungsreservoir 112,
worin die Transportlösung
T ferner einen geeigneten Träger
aufweist, indem ein oder mehrere Reagenzien gelöst sind, fähig zum Zusammenwirken zum
Bilden eines ausgewählten
Materials und worin das Material 110 auf einen ersten ausgewählten Druck
oberhalb des korrespondierenden Liquidus komprimiert wird (wenn
die Temperatur unterhalb von TC ist) oder
des kritischen Druckes, PC, der Transportlösung T bei
einer Temperatur der Transportlösung
T einzunehmen. Eine Flüssigkeitsleitung 120 weist
ein Eingangsende 122, in Flüssigkeit führender Verbindung mit dem Transportlösungsreservoir 112 und
einen gegenüberliegenden
Auslassende 124 auf, welches einem Auslassport 126 aufweist,
welcher zur Lenkung der Flüssigkeit
in der Rohrleitung 120 in eine Region 130 eines
zweiten ausgewählten
Druckes unterhalb des ersten ausgewählten Druckes vorgesehen ist
und auf das Substrat 140 gerichtet ist, worin der Auslassport 126 ferner
Mittel 128 aufweist (siehe 2 und 3,
Zerstäuber 4)
zum Zerstäuben
einer Lösung zu
Bildung eines vernebelten Lösungssprays
N. Ein Temperatureinstellmittel 150 ist in thermischer
Verbindung mit dem Auslassende 124 der flüssigkeitsführenden
Rohrleitung 120 zum Einstellen der Temperatur der Lösung an
dem Auslassende 124 im Bereich von 50° ober- oder unterhalb der überkritischen Temperatur,
PC, der Lösung vorgesehen. Ein Gaszuführungsmittel 160 zum
Zumischen von einem oder mehreren Gasen (z.B. Sauerstoff) (nicht
dargestellt) in das zerstäubte
Lösungsspray
N ist vorgesehen, zum Bilden eines reaktionsfähigen Sprays. Eine Energiequelle 170 wird
in einem ausgewählten
energieverleihenden Punkt 127 bereitgehalten, zum Einleiten
der Reaktion des reaktionsfähigen
Sprays, worin die Energiequelle 170 ferner genügend Energie
zum Zusammenwirken mit dem reaktionsfähigen Spray in der Region 130 des
zweiten ausgewählten
Druckes aufweist, worin das Substrat 140 überzogen
wird.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
der Vorrichtung umfasst die Energiequelle 170 eine Flammenquelle
und der ausgewählte
energieverleihende Punkt 172 weist einen Zündpunkt
auf. In einer alternativen Ausführungsform
weist die Energiequelle 170 eine Plasmastützflamme
auf. In einer weiteren Ausführungsform
weist der Auslassport 126 ferner eine Druckbegrenzung auf
(siehe 3, Begrenzung 7).
-
In
einer weiteren Ausführungsform
der Vorrichtung, ist der zweite ausgewählte Druck der Zone der Umgebungsdruck.
-
In
einer weiteren Ausführungsform,
ist das zerstäubte
Lösungsspray
N ein Dampf oder ein Aerosol mit einer maximalen Tröpfchengröße von weniger als
2μm.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
ist der zweite ausgewählte
Druck der Zone herabgesetzt, um eine Verbrennungsflamme mit einer
Temperatur weniger als 1000°C
zu erzielen.
-
In
ferner einer weiteren Ausführungsform
ist der Träger
Propan und die Transportlösung
weist mindestens 50 Vol.-% Propan auf. In einer weiteren Ausführungsform
ist die Transportlösung
aus Butanol, Methanol, Isopropanol, Toluol oder eine Kombination
aus dem Vorigen. In ferner einer weiteren Ausführungsform ist der Träger derart
ausgewählt,
dass die Transportlösung
im Wesentlichen bei einer Standardtemperatur abgelagert wird und
der Druck für
die vorgesehene Zeitperiode ausreichend ist, um das Verfahren durchzuführen.
-
In
einer alternativen Ausführungsform
der Vorrichtung ist ein Druckbehälter
(nicht dargestellt) mit einer Standardtemperatur und einem Druckgas vorgesehen,
welches bei Kontakt mit der Transportlösung bei einem ausgewählten Druck
hinreichend ist, um ein Liquid oder eine überkritischen Flüssigkeit
zu bilden. In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Transportlösung eine
Standardtemperatur und einem Gasdruck auf, welche im wesentlichen
dazu führt,
dass bei dem ausgewählten
Druck für
eine Zeitperiode, welche geeignetes zum Ausführen des Verfahrens das Gas
frei niederschlägt.
In nun einer weiteren Ausführungsform
ist die Reagenzkonzentration der Transportlösung zwischen 0,0005M und 0,05M.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist das Auslassende 124 der Rohrleitung 120 ferner
einen Fluid-Einführungsport
auf (siehe 2, Speiseleitung 17 oder 19)
und vor dem Einführen
des Drucks, wird die erwärmte
Lösung
durch den Auslassport 126 der Rohrleitung 120 geführt Fluid
wird zu der komprimierten, erwärmten
Lösung
durch den Fluid-Einführungsport
zugefügt.
Eine solche Einführung
bildet eine kombinierte Lösung
mit einer reduzierten überkritischen
Temperatur.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist jede der ein oder mehreren Reagenzien einen Dampfdruck von
nicht weniger als 25 % des Dampfdruckes des Trägers auf.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist das Auslassende der Rohrleitung eine Leitung auf, welche einen
inneren Durchmesser von 2 bis 1000 µm aufweist, vorzugsweise zwischen
10 und 250 µm.
In einer stärker
bevorzugten Ausführungsform
als das Auslassende der Rohrleitung eine Röhre auf, welche einen inneren
Durchmesser von 25 bis 125 µm
aufweist. In nun einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist das Auslassende
der Rohrleitung mit einer Röhre
ausgestattet, welche einen Innendurchmesser zwischen 50 und 100 µm aufweist.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
umfassen die Temperatureinstellmittel 150 Mittel zum Widerstandsheizen
der Rohrleitung durch Zufügen
eines elektrischen Stromes einer bestimmten Spannung aus einer elektrischen
Stromquelle. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Spannung
weniger als 115 Volt. In nun einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
weisen die Mittel zum Widerstandsheizen der Leitung einen Kontakt 152 auf,
welcher 4 mm vor dem Auslassende 126 positioniert ist.
-
Des
Weiteren sieht die vorliegende Erfindung ferner einer Vorrichtung
vor, worin der Träger und
ein oder mehrere Reagenzien derart ausgewählt sind, dass die zweite ausgewählte Temperatur
die Umgebungstemperatur ist.
-
Die
oben beschriebene Vorrichtung kann eingesetzt werden, worin das überziehende
Material, welches das Substrat 140 überzieht, ferner ein Metall ist.
-
Alternativ
weist das Material, welches das Substrat 140 überzieht
ein oder mehrere Metalloxide auf. In einer weiteren alternativen
Ausführungsform als
das Material, welches das Substrat 140 überzieht einen Kohlenstoff,
eine Schwefelverbindungen, ein Phosphat auf. In nun einer weiteren
Ausführungsform
weist das Material, welches das Substrat 140 bezieht mindestens
90 % Quarz auf.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
weist der reaktionsfähige
Sprühnebel
einen brennbaren Sprühnebel
mit einer brennbaren Sprühnebelgeschwindigkeit
auf und darin ist die brennbaren Sprühnebelgeschwindigkeit größer als
die Flammengeschwindigkeit der Flammenquelle an dem Zündpunkt 172 und
ferner weist dieses ein oder mehrere Zündhilfsmittel 180 zum
Zünden
des brennbaren Sprühnebel
ist auf. In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst jede der
ein oder mehreren Zündhilfsmittel 180 eine
Zündflamme.
In einer weiteren Ausführungsform
ist die Geschwindigkeit des brennbaren Sprühnebels größer als ein Mach. In einer
weiteren Ausführungsform
ist gewährleistet,
dass der Zündpunkt 172 oder
die Flammenfront 1 cm oder innerhalb von 2 cm vor dem Auslassport
liegt. Die vorliegende Erfindung weist ein Substratkühlmittel 190 auf zum
Kühlen
des Substrats 140. In einer bevorzugten Ausführungsform
umfassen die Substratkühlungsmittel 190 Mittel
zum Lenken von Wasser auf das Substrat 140. Jedoch wird
ein Fachmann erkennen, dass viele andere geeignete Kühlungsmittel
eingesetzt werden können.
In einer weiteren Ausführungsform
umfasst das Material, welches das Substrat 140 überzieht
einen Kohlenstoff. In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Material
zum Überziehen des
Substrats 140 Diamant. In einer weiteren alternativen Ausführungsform
umfasst das Material zum Überziehen
des Substrats 140 (1) Diamant und (2) ein Metalloxid oder
Metall. In einer weiteren Ausführungsform
hat das Material, welches das Substrat 140 überzieht
eine Dicke von weniger als 100 nm. Und einer weiteren Ausführungsform
weist das Material, welches das Substrat 140 überzieht
eine abgestufte Zusammensetzung auf. In einer weiteren Ausführungsform
weist das Material welches das Substrat 140 überzieht
ein amorphes Material auf. In einer weiteren Ausführungsform
weist das Material welches das Substrat 140 überzieht
ein Nitrid, ein Carbid, Borid, Metall oder Nichtsauerstoff enthaltenden Materialien
auf.
-
Die
vorliegende Erfindung sieht eine Vorrichtung vor welche Mittel waren
einschließt
(siehe 2 und 3) Speiseleitung 17 oder 19)
zum Einfügen eines
Scheidegases oben das reaktionsfähige
Spray, wodurch ein gelagerter Verunreinigungen verringert werden
und dadurch eine vorteilhafte Ablagerungsumgebung gewährleistet
ist.
-
In
einer bevorzugten Ausführungsform
ist der zweite ausgewählte
Druck oberhalb von 2666 Pa (20 Torr).
-
Zusätzlich weist
die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines pulverisierten Materials
in einer Zone auf. Dieses Pulverbildungsverfahren umfasst folgendes,
bei einer ersten ausgewählten
Temperatur zu einem ersten ausgewählten Druck löst sich
eine oder mehr Reagenzien, fähig
zur Reaktion zum Bilden eines pulverisierten Materials in einer
Zone in einem geeigneten Träger
auf, wodurch eine Transportlösung
gebildet wird, worin die Zone einen zweiten ausgewählten Druck
aufweist, welche niedriger ist als erste ausgewählte Druck. Das Pulverbildungsverfahren
erfordert die Komprimierung der Transportlösung auf einen dritten ausgewählten Druck
oberhalb des zweiten ausgewählten
Druck und der Einsetzung von Druckeinstellmitteln. Danach wird die
komprimierte Transportlösung
in einer Flüssigkeitsrohrleitung
geführt
mit einem Eingangsende und einem gegenüberliegenden Ausgangsende mit Temperatureinstellmitteln,
welche zur Einstellung der Temperatur der Lösung angeordnet sind an dem
Auslassende, worin das Auslassende ferner einen Auslassport aufweist,
welche zum Lenken der in der Röhre
befindlichen Flüssigkeit
in die Zone geeignet ist. Die Lösung
wird dann durch die Temperatureinstellmitteln erhitzt bis auf eine
zweite ausgewählte
Temperatur in einem Bereich 50°C
oberhalb oder unterhalb der kritischen Temperatur, TC,
der Lösung
während
der dritte ausgewählte
Druck oberhalb des zweiten ausgewählten Drucks gewährleistet
wird, und oberhalb des korrespondierenden Liquidus- oder des kritischen
Druckes PC, der Lösung und zu einer zweiten ausgewählten Temperaturen
unter Einsatz der Druckeinstellmittel. Die komprimierte erwärmte Lösung wird
dann durch den Auslassport der Rohrleitung in die Zone geführt zur
Bildung eines zerstäubten
Lösungssprays.
Ein oder mehr ausgewählter Gase
werden in das zerstäubte
Lösungsspray
beigefügt
zum Bilden eines reaktionsfähigen
Sprays. Schließlich
wird das reaktionsfähige
Spray einer Energiequelle ausgesetzt an einem ausgewählten energieverleihenden
Punkt. Wodurch die Energiequelle genügt Energie zur Reaktion des
reaktionsfähigen Sprays
zur Verfügung
stellt, wodurch das pulverisierte Material in der Zone entsteht.
-
In
einer weiteren Verkörperung
des Verfahrens weist die Energiequelle eine Flammenquelle und einen
ausgewählten
energieverleihenden Punkt auf, welche einen Zündpunkt einschließt. In einer
alternativen Ausführungsform
weist die Energiequelle eine Plasmastützflamme auf.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
kann das pulverbildende Verfahren zum Überziehen eines ausgeprägten Substrats
eingesetzt werden. Für
dieses Verfahren wird das oben beschriebene Verfahren solchermaßen modifiziert,
dass das Verfahren ferner das Beimischen eines ausgewählten der
Substratmaterials in der Transportlösung vorsieht.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
des Pulverbildungsverfahrens weist die Transportlösung eine
Konzentration zwischen 0,005 M und 5 M auf.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
sieht die vorliegende Erfindung einer Vorrichtung zur Bildung eines
pulverisierten Materials vor, welche Druckeinstellmittel zum Komprimieren
einer auf einen ersten ausgewählten
Druck einer Transportlösung
in einem Transportlösungsreservoir
vorsieht, worin die Transportlösung
einen geeigneten Träger
aufweist, um darin einen oder mehrerer Reagenzien aufzulösen, welche
reaktionsfähig
Siedens zur Bildung eines ausgewählten
Materials und worin die Mittel zum Komprimieren in der Lage sind,
einen ersten ausgewählten Druck
oberhalb des korrespondierenden Liquidus oder überkritischen Druckes PC vorzusehen, der Transportlösung bei
einer Temperatur der Transportlösung
vorzusehen, einer Flüssigkeitsrohrleitungen weist
einer Eingangsende in flüssigkeitsführender Verbindung
mit dem Transportlösungsreservoir
auf und einen gegenüberliegendes
Auslassende, welches einen Auslassport aufweist, der zum Lenken
der Flüssigkeit
in der Rohrleitung in Richtung einer Zone eines zweiten ausgewählten Druckes
ausgerichtet ist, welcher geringer ist als der erste ausgewählte Druck,
worin der Auslassport ferner Mittel zur Zerstäubung der Lösung aufweist zur Bildung eines
zerstäubten
Lösungssprays.
Ein Temperatureinstellmittel positioniert an dem Auslassende der
Flüssigkeit führenden
Leitung zur dritter Einstellung der Temperatur der Lösung an
dem Auslassende, ein Gaszufügungsmittel
zur Beimischung von einem oder mehreren Gasen in das zerstäubte Lösungsspray
zum Bilden eines reaktionsfähig
Gases, und eine Energiequelle an einer ausgewählten energieverleihenden Punkt
zum Zusammenwirken des reaktionsfähig Sprays, wobei die Energiequelle
genügend
Energie zur Reaktion des reaktionsfähige Sprays in der Zone des
zweiten ausgewählten
Druckes vorsieht, wodurch das pulverisierte Material gebildet wird.
Die Vorrichtung es ähnlich
zu der Überzugvorrichtung, mit
der Ausnahme dass kein Substrat in der Zone positioniert wird und
das stattdessen Pulver aufgefangen wird.
-
Zusätzlich liefert
die vorliegende Erfindung einen Überzug
auf einem Substrat, welcher durch den oben beschriebenen Prozess
hergestellt wird. Zusätzlich
liefert die vorliegende Erfindung ein Pulver, welches durch den
oben beschriebenen Prozess produziert wird. Eine Flamme erfordert
das ein Oxidant anwesend ist. Deshalb können Materialien, welche nicht
in der Anwesenheit von Oxidantien stabil sind mittels einer Flamme
umgeformt werden. Siehe auch C.H.P. Lupis, "Chemical Thermodynamics of Materials", Elsevier Science
Publishing, 1993. Alternativ werden diese Materialien einer Plasmastützflamme
ausgesetzt. Bei Einsatz einer Plasmastützflamme ist ein Scheidegas,
Plasma einschließende Röhre und/oder
eine Reaktionskammer notwendig, um zu gewährleisten das eine Luft oder
oxidantfreie Umgebung geschaffen ist. Wegen der Instabilität in der
Anwesenheit von Oxidanten, sollte die Flüssigkeit und Gase keine oxidationstreibenden
Elemente aufweisen. Zusätzlich
kann der Einsatz von Kohlenwasserstoffkomponenten dazu führen, dass
sich überschüssiger Kohlenstoff
bei der Ablagerung ergibt. Obwohl einiger Kohlenstoff zur Bildung
von Karbiden benutzt wird, führt
zu viel Kohlenstoff zu einem Hochkohlenstoffhaltigen Überzug und
möglicherweise
zu elementaren Kohlenstoff. In diesem Fall sollte die Lösungskonzentration
erhöht
werden oder ein geringerer Karbonanteil oder eine karbonfreie Flüssigkeit
eingesetzt werden. Ein Fachmann im Bereich der Verbrennung kann
ohne Routineexperimente eine solche darlegen, welche die Ablagerung
oder den Einschluß von
elementarem Karbon minimiert. Die Ablagerung wird kann als unsauberer
oder Karbonablagerung in Brenner- oder Motoranwendungen bezeichnet.
-
Für die Ablagerung
von Nitrit sollte einer Plasmastützflamme
eingesetzt werden, worin Ammoniak ein geeignetes Lösungsmittel
ist. Metallfilme können
durch ein chemisches System mit keiner oder geringer Konzentration
von Anionen von einer thermisch stabilen Phase aufgebracht werden.
In einem kurzen Beispiel soll dies erläutert werden, wenn Tl Metall
gewünscht
wird, sollte Konzentration von C, N, und Be vorzugsweise niedrig
sein und es sollten fast kein Cl, F oder O enthaltende Komponenten
anwesend sein. Durch den Einsatz der Plasmastützflamme ist es einfach, sauerstoffstabile
Materialien abzulegen, weil das Scheidegas oder die abschließende Röhre nicht
gebraucht wird. Jedoch sind die Kosten des Flammeablegens und der
damit hergestellten Materialien geringer und dadurch bevorzugt für thermodynamisch
stabile Materialien in einer Umgebung, welche genügend Sauerstoff
zum vorhalten einer Flamme aufweist.
-
Es
mag gewünscht
sein eine Beschichtung zu bilden, welche vollständig oder teilweise aus elementaren
Kohlenstoff besteht, in diesem Fall müssen alle elementaren Sauerstoff-
oder reaktiven Sauerstoffanteile getrennt werden vor dem Karbonfilm,
so lange die Filmtemperatur dermaßen ist, das eine Oxidation
des Kohlenstoffs thermodynamisch durch die Anwesenheit von elementaren
Karbon begünstigt wird.
Wenn Spuren von Sauerstoff anwesend sind kann die Reaktionsatmosphäre durch
Zuführen
von elementarem Wasserstoff reduziert werden und diamantähnliche
Kohlenstoffüberzüge können von
einer Kohlenstoff enthaltenden Flamme aufgebracht werden, die dazu
notwendigen Ablagerungsumstände sind
dem Fachmann bekannt. Zusätzlich
können
Dotiersubstanzen oder eine zweite Phase eines Kohlenstoffüberzugs
durch die Zufügung
von Reagenzien zu einer Flamme oder ein Plasma durch den Einsatz der
vorliegenden Erfindung vervollständigt
werden.
-
Um
den Betrieb zu vereinfachen ist es hilfreich Vorläuferlösung in
die Zerstäubungsvorrichtung bei
Raumtemperatur einzuführen.
Die Erwärmung der
Lösung
sollte als letzter Schritt, kurz vor der Freigabe der Lösung in
die Niederdruckzone erfolgen. Solch ein Erhitzen in der letzten
Phase minimiert Reaktion und Unmischbarkeit, welche bei höheren Temperaturen
auftreten können.
Durch das Verwahren der Lösung
unterhalb der überkritischen
Temperatur bis zur Zerstäubung,
gewährleistet
dieses die Anwesenheit von ungelösten
Mengen des Vorläufers
in der Region die normale Lösbarkeit
und reduziert die Entwicklung von bedeutsamen Lösungsmittelvorläuferkonzentrationgradienten
in der Lösung.
Diese Lösbarkeitsgradierten
sind ein Resultat der Empfindlichkeit der Lösungskraft auf die überkritische
Lösung unter
Druck. Geringe Druckgradienten (wie sie sich entlang der Vorläuferlösungssystemszulieferung
entwickeln können)
können
zu signifikanten beobachten Änderungen
in der Lösbarkeit
führen.
Zum Beispiel kann die Lösbarkeit
von Akridin in den Kohlendioxidpartei 108° Kelvin sich um das 1000 fache
erhöhen bei
der Erhöhung
des Druckes und 74 Atm auf 85 Atm siehe V. Krukonis, "Supercritical Fluid
Nucleation of Difficult to Comminute Solids", Presented at AlChE Meeting, San Francisco,
November 25-30, 1984. durch die Löslichkeit Änderungen sind potentiell schädlich weil
sie dazu führen,
dass die Vorläufer
aus der Lösung
gedrängt
werden und vorzeitig sich absetzen oder reagieren und damit Röhren und
Filter verstopft.
-
Der
schneller Abfall des Druckes und die hohe Geschwindigkeit an der
Düse sorgen
dafür, dass
die Lösung
sich ausdehnt und zerstäubt.
Für Lösungskonzentration
in den normalen Lösung
des Bereich, welcher sehr den Betrieb in dem nahezu überkritischen
Zerstäubungssystem
der vorliegende Erfindung bevorzugt wird sind die Vorläufer vorzugsweise
wirksam in Lösung,
nachdem sie in dem Bereich niedrigen Drucks eingebracht wurden.
Der Ausdruck "wirksam
in Lösung" soll verstanden
sein in Verbindung mit den Prozessen, welche stattfinden, wenn eine
Lösung
mit einer Lösungskonzentration oberhalb
der normalen Lösungskonzentration
oberhalb der normalen Lösungsstärke in eine
Zone niedrigen Drucks eingeführt
wird. In diesem Fall führt
der rasche Druckabfall dazu, dass ein hohes Übersättigungsverhältnis für eine katastrophale
Lösungskeimbindungsbedingungen
verantwortlich ist. Wenn die katastrophale Keimbindung die Lösung von
den ungelösten
Vorläufer
herausnimmt, wird die Verabreichung das Ausfällen von kleinen Vorläuferpartikeln beschleunigt.
Siehe D.W. Matson, J.L. Fulton, R.C. Petersen and R.D. Smith, "Rapid Expansion of
Supercritical Fluid Solutions: Solute Formation of Powders, Thin
Films, and Fibers",
Ind. Eng. Chem. Res., 26, 2298 (1987); H. Anderson, T.T. Kodas and
D.M. Smith, "Vapor
Phase Processing of Powders: Plasma Synthesis and Aerosol Decomposition", Am. Ceram. Soc.
Bull., 68, 996 (1989); C.J Chang and A.D Randolph, " Precipitation of
Microsize Organic Particles from Supercritical Fluids", AlChE Journal,
35, 1876 (1989); T.T. Kodas, "Generation
of Complex Metal Oxides by aerosol Processes: Superconducting Ceramic
Particles and Films",
Adv. Mater., 6, 180 (1989); E. Matijevic, "Fine Particles: Science ad Technology", MRS Bulletin, 14,
18 (1989); E. Matijevic, "Fine
Particles Part II: Formation Mechanisms and Applications", MRS Bulletin, 15,
16 (1990); R.S. Mohamed, D.S. Haverson, P.G. Debenedetti and R.K.
Prud'homme, "Solid Formation After
Expansion of Supercritical Mixtures," in Supercritical Fluid Science and
Technology, edited by K.P. Johnston and J.M.L. Penniger, p.355,
American Chemical Society, Washington, DC (1989); R.S. Mohamed,
P.G. Debenedetti and R.K. Prud'homme, "Effects of Process Conditions
on Crystals Obtained from Supercritical Mixtures", AlChE J., 35, 325 (1989); J.W. Tom
and P.G. Debenedetti, "Formation
of Bioerodible Polymeric Microspheres and Microparticles by Rapid
Expansion of Supercritical Solutions", Biotechnol. Prog., 7, 403 (1991).
Partikel sind in der Bildung von dünnen Überzügen um gewünscht, können aber bei der Bildung von
Pulver nützlich
sein.
-
Deshalb
sieht der erwärmte
Zerstäuber
der vorliegenden Erfindung ferner überragende Vorteile verglichen
mit einer unbeheizten Vorrichtung vor, welche einer rasche Ausdehnung
eines Lösungsmittel
ausschließlich
oberhalb der überkritischen
Temperatur vorsieht, welche (erstens) eine Temperatur ermöglicht für einen
gut beherrschbaren Grad der Zerstäubung der Vorläuferlösungsmittelmischung
zu sorgen und (2) katastrophale Keimbildungen der Vorläufer zu
unterdrücken,
während
gleichzeitig die Vorteile der überkritischen
Zerstäubung
in Anspruch genommen werden können. Überschallgeschwindigkeiten
können
durch Einsatz einer Machscheibe erzeugt werden, welches zu einer
zusätzlich
Zerstäubung führt.
-
Durch
Anpassung des Wärmeeingangs
in der Zerstäubungsvorrichtung
kann die Lösung
in verschiedenen Graden verdampft werden. Ohne Hitzeeinfluss auf
die Zerstäubung
Vorrichtung, können
liquide Lösungen
oder höhere überkritischer
Temperaturliquide welche Liquide bei dem STP sind, in Form eines
Liquidstroms ausfallen, welcher deutlich entfernt von überkritischen
Bedingungen ist. Dieses ergibt eine schlecht gebildete Flamme und
unter Umständen
einen nicht wünschenswerten
Flüssigkeitskontakt
mit dem Substrat. Verringern der Temperaturdifferenz der Liquidlösung auf
ihre überkritischer Temperatur
an der Düse
führt dazu,
dass die Liquidlösung
in einzelne Tröpfchen
aufbricht, welche dann einen Nebel erzeugen der dann von der Zerstäubungsvorrichtung
freigelassen wird. Die Tröpfchen verdunsten
und werden nach einem kurzen Abstand folglich unsichtbar. Wenn die überkritische
Temperatur in der Zerstörungsvorrichtung
angenährt
wird, führt
das zu einer Verkleinerung der Tröpfchen der flüssigen Lösung und
damit nimmt der Abstand, der zur Verdampfung der Lösung gebraucht
wird ab. Unter Einsatz dieser Zerstäuber wird bei Gebrauch eines
Aerosolsverdampfungsprüfers
eine Dampftröpfchengröße bestimmt
welche unter der 1,8 nm Nachweisgrenze des Instrumentes liegen.
Ferner ergibt die Erhöhung
der Wärmeeinfuhr
einen Zustand ohne Nebel an der Spitze oder eine komplette Verdampfung.
Ohne durch die Theorie eingeschränkt
zu werden, kann dieses Verhalten einer Lösung als kombinierte überkritische
Eigenschaften der Reagenzien und des Lösungsmittels bezeichnet werden.
Bei Lösungen
der Vorläufer
bei Temperaturen unter der kritischen Lösungsmitteltemperatur, welcher
als Gase wie STP auftreten, verhalten sich ähnlich jedoch sind die auftretenden
Lösung
an der Spitze (ebenso als "Düse" oder als "Begrenzter" bezeichnet) nicht
dazu geeignet einen Flüssigkeitsstrom
zu bilden, auch ohne Hitzeeinfluss. Die Menge der Wärme, welcher zum
optimalen Erreichen der Verdampfung der Lösung eingebracht werden müssen hängt meistens von
der Wärmekapazität der Lösung und
der Differenz zwischen der überkritischen
Temperatur der Lösung
Umgebungstemperatur an der Düse
ab. Es ist wünschenswert
den Druck und die Temperatur des Systems (vor der Verdampfung) oberhalb
des Siedens und des überkritischen
Punktes der Lösung
beizubehalten. Wenn der Druck unterhalb der Liquidus oder die kritischen
Druckes zusammentreffen mit einer Temperatur oberhalb des Liquiduspunktes,
wird die Verdampfung des Lösungsmittel
bereits in der Rohrleitung vor dem Erreichen der Spitze auftreten. Dadurch
verlässt
ein Lösungsmittel
die Vorrichtung, welche sich absetzen kann und die Zerstäubungsvorrichtung
verstopfen kann. Entsprechend ist der Druck vorzugsweise hoch genug
in der überkritischen
Zone, so dass die Flüssigkeit
liquidähnlich
ist. Liquidähnliche überkritische
Flüssigkeiten
sind bessere Lösungsmittel
als gasförmige überkritischer
Flüssigkeiten,
ferner reduziert das die Wahrscheinlichkeit, dass Lösungsmittel
die Zerstäubungsvorrichtung
verstopfen. Wenn die Vorläufer
zu Vorläufer
Wechselwirkung höher
ist, als die Kraft zwischen Lösungsmittel und
Vorläufer,
können
die Lösungsmittelvorläuferbindungen
unterbrochen werden und wirksam den Vorläufer aus der Lösung drängen. Vorläufermoleküle bilden
dann Klumpen, welche an der Zerstäubungsvorrichtung hängen bleiben
und den Begrenzter verstopfen. Das Problem kann in den meisten Fällen gelöst werden,
durch Verschieben des Dampfpunktes von der Innenseite der Spitze
auf das Ende der Spitze, worin dieses durch Reduktion der Wärmezufuhr an
der Zerstäubungsvorrichtung
ausgeführt
wird. Ein weiterer Lösungsansatz
ist es, ein Lösungsmittel
zu benutzen, welches stärkere
Bindungen mit dem Vorläufer
bildet, so dass eine stabilere Lösung
gebildet wird. Eine geringe Menge von Nebel an der Spitze ergibt
gewöhnlicher
Weise die höchste
Filmqualität. Nano-
und Mikrokugeln des Materials werden gebildet, wenn die Temperaturen
des Lösungsmittels hoch
genug oder tief genug ist. Diese Kugeln sind schädlich, wenn dichte Überzüge gewünscht werden.
-
Wenn
der nebelfreie Zustand erreicht wird, wird Ablagerung oberhalb der
kritischen Temperatur durchgeführt.
Die Hitze der Flamme und das Mischen mit externem Gasen hält das STP
flüssige
Lösungsmittel
vom Kondensieren von dem Bilden der Tröpfchen ab. Wenn die nebelfreie
Instanz, die Zerstäubung
und das Vermischen sehr gut ist, jedoch die Fluidstabilität reduziert
ist, führt
das zu einer Flamme, die in Bezug auf die Richtung der Spitze von
einer Seite zur anderen springen kann. Mit einem solchen Verhalten
der Flamme ist eine Ablagerung möglich aber
es kann schwierig sein einen Film mit der erforderlichen Gleichförmigkeit
und Schichtdicke abzulagern. Zusätzlich
ist es notwendig, die Temperatur der Lösung beizubehalten, bevor sie
freigelassen wird unterhalb einer Temperatur, bei der entweder das
Lösungsmittel
ausfällt
oder reagiert und ausfällt.
Bei Einsatz eines Lösungsmittelgemisches
kann es möglich
sein, dass während
der Erwärmung
die Grenze zur spinodalen Unmischbarkeit erreicht wird. Dieses führt dazu,
dass die Bildung von zwei separaten Phasen eingeleitet wird mit
der Möglichkeit
den Konzentrationsunterschied in den beiden Phasen aufgrund der
unterschiedlichen Lösbarkeiten
der Lösungsmittel
konzentriert. Dieses kann die Bildung des Vorläufers und der Produktsphäre bei hoher
Zersträubungstemperatur
beeinflussen. Alle diese Faktoren demonstrieren, dass bevorzugt
die Minimierung der Ablagerung der Lösung angestrebt wird, wenn
notwendig bis zur Spitze, so dass möglicherweise ungewünschte Gleichgewichtskonditionen
von Materie nicht genügend
Zeit haben, um sich aufzulösen.
Die Struktur des Films kann deshalb genau gesteuert werden. In dieser
Regelung ist eine Anzahl von Filmmikrostrukturen möglich. Durch Erhöhung der
Lösungsmittelkonzentration
und der folgenden Mikrostrukturänderungen
ist es möglich
eine Konzentration frei zu wählen,
die einen dicht gefügten
oder dünnen,
porösen;
einen glatten oder rauen; einen reihenförmigen oder einen glatten Film,
einen dicken oder einen dünnen
Film aufträgt,
abgestufte oder vielschichtige Überzüge können ebenso
hergestellt werden, siehe auch Beispiele VI. Vielschichtige Überzüge können durch
die Zufügung
von unterschiedlichen Vorläufer
tragenden Lösungen
mit einer einzelnen Flamme hergestellt werden. Sequenzielle, vielfache Ablagerungsflammen
können
zum Erhöhen
des Durchsatzes der Produktionsanordnung eingesetzt werden. Einige
zusätzliche
Faktoren steuern die Ablagerungsparameter einschließlich der
Substratsoberflächentemperatur,
welche die Oberflächendiffusion
und die Oberflächenandruck
kontrolliert, welches die Randbedingungen der Schichtdicke steuert
und schließlich
Ablagerungsrate, die Lösungskomposition
und das Gasmischungsverhältnis
des aufzubringenden Materials, und damit auch die Wachstumseigenschaften
des Überzugs,
der Flamme und des Plasmaenergiepegels bei einer auftretenden Reaktion
ein und die Dampfstabilität
und die Entfernung von dem Substrat beeinflusst die Zeit von der
Versteuerung bis zur Reaktion der Ablagerung, welche zu einer Partikelbildung
führen
oder zu einem Abnehmen der Ablagerungszeit für größere Anhäufung führen kann. Zusätzlich können elektrische
und magnetische Felder die Wachstumseigenschaften einiger Materialien
verändern,
so dass eine erhöhte
Ablagerungseffizienz erreicht wird. Ein Fachmann wird erkennen,
dass solche elektrischen und magnetischen Felder einen Einfluss
auf das Größenwachstumsverhalten
einiger Dampfablagerungsmaterialien hat, als auch die jeweilige
Ablagerungsrate und -effizienz. Weil die erforderliche Energieaufnahme
für die
Lösungsmittelheizung
am Zerstäuber
bei unterschiedlichen Vorläuferprimärlösungsmitteln
schwankt, und auch bei Vorläufersekundärlösungsmitteln,
ist es bevorzugt, einen Vielschichtdünnfilm aufzubringen aus Lösungen mit
konstantem ersten und zweiten Lösungsmittelverhältnis. Dadurch
ist es nicht notwendig die Energie an dem Zerstäuber zu ändern, wenn von einer Lösung auf
einer anderen umgeschaltet wird. Die sich ergebende Vereinfachung
der Einstellungsprozedur erhöht
die Leistungsfähigkeit
und die Zuverlässigkeit,
während
es die Kosten reduziert. Alternativ kann das Substrat durch Flammen,
welche in unterschiedlichen Marsreagenzien enthalten sind, zum Bilden
der gewünschten
Vielschichtigkeit eingesetzt werden. Ein Hauptunterschied zwischen
dem Gebrauch einer Flammenflüssigkeit
oder einer Plasmastützflammenflüssigkeit
ist es, das die Flammenlösungskonzentration
in Relation zu der gewünschten
Flammenenergie steht. Lösung
mit hohen Konzentrationen können
in der Zuleitungsröhren
zu Ablagerung und Verstopfung führen.
Schwächere
Lösungen,
Vorläufer
mit höherem
Dampfdruck, höhere
Ablagerungstemperaturen und/oder eine höhere Mobilität und Diffusionskomponenten
benötigen
weniger Lösungfluidheizung
zum Erzielen eines dichten Überzugs,
Vorläufer
mit niedrigem Dampfdruck kann einen hoch qualitativen Überzug bilden,
aber die Zerstäubung
und die Ablagerungsparameter sind weniger variabel als bei Vorläufer mit
hohem Dampfdruck, jedoch sind sehr niedrige Lösungsmittelkonzentration ungeeignet
bei niedrigen Ablagerungsraten.
-
Wenn
die Lösung
den Treibstoff der Verbrennungen zur Verfügung stellt, ergeben sich Konzentration
abhängig
vom Material bis zu 0,10 M in dichten Überzügen. Die meisten Materialien
weisen bevorzugt Konzentration von bis zu 0,01 M auf. Materialien mit
niedriger Diffusion und Beweglichkeit benötigen Lösungskonzentration von weniger
als 0,002. Lösungskonzentration
von weniger als 0,0001 M ergeben sehr langsamen Ablagerungsquoten
für die meisten
Materialien. Plasmastützflamme
und Flammenablagerungen mit zugefügten brennbaren Materialien
können
höhere
Konzentrationen aufweisen, sogar mehr als 1 M, jedoch nicht ist
für die
bevorzugte Dampfbildung der Vorläufer
eine hohe Konzentration weniger wünschenswert, außer wenn
der Vorläufer
einen hohen Dampfdruck aufweist. Niedrigdampfdruckvorläufer Lösungskonzentration
sind vorzugsweise geringer als 0,002 M.
-
Ohne
Beschränkung
der Theorie, wird bei der Entdeckung angenommen, dass das Prinzip
der CVD-Ablagerung nicht auf Reaktionen der Oberfläche begrenzt
ist. Siehe Hunt, A.T., "Combustion
Chemical Vapor Deposition, a Novel Thin Film Deposition Technique", Ph.D. Thesis Georgia
Inst. of Tech, Atlanta, GA., (1993); Hunt, A.T., "Presubstrate Reaction CVD,
and a Definition for Vapor",
vorgestellt auf der 13ten Int. Conf. zu CVD, Los Angles, CA (1996).
Der vorangegangene Inhalt hierin ist als Hinweis enthalten. Reaktion
können
vornehmlich in dem Gasstrom vorkommen, jedoch muss das sich ergebenden
Material welches abgelegt wird, unter kritisch in der Größe sein,
um einen Überzug
mit Dampf abgeschiedenen Mikrostrukturen vorzubringen. Diese Beobachtungen
zeigen, dass ein Dampf aus einzelnen Atomen, Molekülen oder
Nanobündeln
besteht, welche auf ein Substrat absorbiert werden können und
vielleicht in einen niedrigeren Energiezustand oder -Konfiguration
sich zerstäuben.
Deshalb verringert sich die maximale Bündelgröße mit niedriger Substratstemperatur,
ebenso wie die kritische Keimgröße. Der Fachmann
weiß,
dass Reagenzbündel
nach der Verdampfung des Lösungsmittels übrig bleiben,
und dass die Bündelgröße von dem
Reagenzdampfdruck, der anfänglichen
Tröpfchengröße und der
Lösungskonzentration.
Deshalb muss die Zerstäubung von
Niedrigdampfdruckreagenzien, welche nicht in einer Flamme verdampft
werden sehr fein sein.
-
Bevorzugte
flüssigen
Lösungsmitteln
sind günstige
Lösungsmitteln,
welche nicht begrenzend einschließt Methanol, Ethanol, Wasser,
Isopropanol und Toluol. Wasserlösungen
müssen
in einer zuvor existierenden Flamme eingespeist werden, während brennbare
Lösungsmittel
ihrerseits in einer Flamme eingesetzt werden können. Es ist bevorzugt aber nicht
notwendig, den Hauptteil der Flamme unter Einsatz der Lösung zu
erzeugen, mittels Einspeisung der Lösung in die Flamme. Niedrigere
Reagenzkonzentration ergeben sich daraus, welches die Bildung von
superkritischen Nukleusgrößenmaterialien
erleichtert.
-
Eine
bevorzugte Lösungsmittel-
und sekundärer
Lösungsflüssigkeit
ist Propan, welches ein Gas bei dem STP ist. Allerdings muss man
anmerken, dass viele andere Lösungsmittelsysteme
einsetzbar sind. Siehe auch z.B. CRC Handbook of Chemistry and Physics,
CRC Press, Boca Raton, Florida. Propan wird wegen seiner niedrigen
Kosten bevorzugt, und wegen seiner kommerziellen Verfügbarkeit
und Sicherheit. Viele kostengünstige
Organometalle können
in einer vorherrschenden Propanlösung
eingesetzt werden. Um die Handhabung zu erleichtern, werden die
anfänglichen
Vorläufer
in Methanol, Isopropanol, Toluol oder anderen Lösungsmitteln, welche kompatibel
mit Propan sind, gelöst.
Diese anfängliche
Lösung
wird dann in einem Behälter
eingeführt, dem
flüssiges
Propan zugeführt
wird. Propan ist eine Flüssigkeit
beim Druck von über
100 psi bei Raumtemperatur. Die sich ergebende Lösung als einen niedrigeren überkritischen
Punkt auf als die Eingangslösung,
welches die Zerstäubung
durch Herabsetzen der benötigten
Energieeinfuhr in den zur Steuerungsprozess vereinfacht. Zusätzlich dient
das primäre
Lösungsmittel
zum Erhöhen
der polaren Löslichkeit
des Propans, wodurch eine höhere
Lösungskonzentration
für viele
Reagenzien ermöglicht
wird, als andererseits durch einen Propan allein erreicht würde. Als
eine grundsätzliche
Regel sollte die Polarität
des primäre
Lösungsmittel
mit ansteigender Polarität
des Lösungsvorläufers (Vorläufer) sich
erhöhen.
Isopropanol kann bei der Löslichkeit
einer polaren Lösung
helfen, und ist dabei besser als Toluol. In einigen Fällen dient
primäre
Lösungsmittel
als ein Schild zwischen den sekundären Lösungsmitteln und einer Liganten
der Lösung.
Ein Beispiel dieser Lösung
von [Pt(CH3COHCOCH3)2] in Propan, worin die Gewichtsverhältnisse
zwischen der Vorläufer/primärem Lösungsmittel
und primären
Lösungsmittel/sekundären Lösungsmittel
höher sein
können,
als diese in anderen Systemen erforderlich sind.
-
Ammoniak
wurde als ein sekundäres
Lösungsmittel
für die
Abschaltung von Überzügen und Pulver
berücksichtigt
und geprüft.
Während
Ammoniak ein billiges Lösungsmittel
ist, welches kompatibel mit Nitrid basierten Vorläufer ist,
ist es nicht einfach mit anderen sekundären Lösungsmitteln nutzbar und Probleme
ergeben sich aufgrund der allgemeinen Aggressivität puren
Ammoniaks. Die Zerstäubungseigenschaften
von Ammoniak wurden ohne zusätzlichen
Vorläufer
getestet und der eingesetzte Druckkessel wurde merklich angegriffen
nach dem Experiment, auch wenn ein so genannter Typ 316 rostfreier Stahlkessel
eingesetzt wurde. Im Gegensatz zu Kohlenwasserstoff-basierten Lösungsmitteln,
greift Ammoniak auch Buna-N und Viton Dichtungen bereits nach einigen
Minuten an. Auch ohne eine geeignete Dichtungsmaterial ist dies
ein Problem, weil die gewünschten Überzügen und
Pulver normalerweise Spuren von Eisen ausgewaschen aus dem Druckkesselwänden enthält.
-
Andere
Gase ähnliche
sekundären
Lösungsmittel
wurden geprüft
und können
genutzt werden wie zum Beispiel Ethan, Ethylen, Ethan/Ethylengemisch, Propan/Ethylengemisch,
Propan/Ethylengemisch. Ethan und Ethylen als sekundären Lösungsmittel wurden
zum Beschlichten von Saphirmonokristall Substraten benutzt mit YSZ
und YSZ-Aluminiumdünnfilmen,
welche Dichtefilme ergaben. Platindünnfilme wurden aus einem überkritischen
Gemisch von Ethan und einer Platinmetallorganverbindung abgeschieden.
LCS and PLZT Dünnfilme
wurden aus überkritischen
Ethanmischungen ausgeschieden. Für
diese Abscheidungen wird eine unbeheizte Düse eingesetzt, so dass sie
Vorläuferlösung ausschließlich eine
schnelle Expansionszerstäubung
durchlief. Eine Düse
mit großem
ID ("inneren Durchmesser") Düse (verglichen
zur Öffnung)
mit schmaler Öffnung wurde
eingesetzt. Weil die Öffnung
nur 0,1 mm lang ist (in Richtung der Vorläuferflussrichtung) bildet sich ein
Druckgradienten über
die Düse
und nährt
sich einem nicht kontinuierlichen Übergang an. Dieser plötzliche
Druckabfall ermöglicht
eine adiabatische Expansion von Lösungsmittel. Die Prozesse,
welche beim Eintreten einer solchen raschen Erweiterung ein System
aufweisen, welches nicht im Gleichgewicht ist, wurde für verschiedene überkritische
Systeme beobachtet. Siehe z.B. C.R. Yonker, S.L. Frey, D.R. Kalkwarf
und R.D. Smith, "Characterization
of Supercritical Fluid Solvents Using Solvatochromatic Shifts, " J. Phys. Chem.,
90, 3022 (1986); P.G. Debenedetti, Homogeneous Nucleation in Supercritical Fluids", AlChE J., 36, 1289
(1990); J.W. Tom and P.G. Debenedetti, "Particle formation with Supercritical Fluids – A Review", J. Aerosol. Sci.,
22, 555 (1991).
-
Andere
geprüfte
Lösungsmittel
und Lösungsmittelmischungen
ergab eine ähnliche
Qualität, auch
wenn sie komplexer in der Bearbeitung waren, da ihr Siedepunkt merklich
niedriger ist, welches dazu führt,
dass die Lösung
gekühlt
werden muss. Um die Handhabung zu vereinfachten, Propan, das bevorzugte
Lösungsmittel
aber andere überkritischen
Lösungsmittel
können
als Alternative zu Propan eingesetzt werden in Fällen in den Propan nicht eingesetzt
werden kann wie zum Beispiel wenn ein Vorläufer nicht in Propan gelöst werden
kann. Andere Flüssigkeiten,
wenn dies gewünscht
wird können
eingesetzt werden, um die überkritische
Temperatur zu verringern. Das Propan Brennstoff/Lösungsmittelsystem
mit hohen Ablagerungseffizienz und Ablagerungsraten genutzt. Die
Ablagerungseffizienz von 17 % wurde für die Ablagerung von völlig dichtem
SiO2 wurden beobachtet, und Ablagerungsraten
von 1 μm/min
SiO2 wurden gefunden.
-
In
der Entwicklungsphase wurde als eine mögliches Erwärmungsverfahren die Anwendung von
elektrischem Strom an dem Auslassdüsenende eingeführt, an
dem die Vorläuferlösung sind
die Zone niedrigen Drucks eingeführt
wird, und an der Rückseite
der Begrenzungsröhre.
Diese direkt erhitzte Begrenzungsröhre erlaubt in dem Verfahren eine schnelle Änderung
der Zerstäubung
aufgrund einer kurzen Antwortzeit. Der Ort der höchsten Erwärmung kann auch bis an die
Spitze verlagert werden, durch Erhöhung der Erhöhung des
Verbindungswiderstandes mittels der elektrischen Leiterverbindung,
welche mit der Spitze verbunden ist. Röhren mit dünnem Begrenzungswänden weisen
einen höheren
Widerstand auf als dickwandige Röhren
auf, und dadurch verringert sich die Antwortzeit. Andere Erwärmungsverfahren
können
angewendet werden und einige wurden zudem neu entdeckt, wie insbesondere
Widerstandsfernbeheizung, Zündflammenbeheizung, induktive
Beheizung und Lasererhitzung. Ein Normalfachmann kann sicherlich
weitere geeignete Erwärmungsmethoden
zur Einstellung der Temperatur an dem Auslassport des Zerstäubers benennen.
Widerstandsfernbeheizung setzt eine nicht leitende Widerstandsröhre ein,
welche auf der Innenseite in ein leitfähiges Rohr eingepasst wird.
Die nicht leitende Röhre
wird eng anliegend in die leitende Röhre eingeführt. Die Applikation von elektrischem
Strom in den Leiter erwärmte
die Röhre
und es wird Energie in die innere nicht leitende Begrenzungsröhre geführt. Dieses
Verfahren erfordert größere Heizströme verglichen
zu der direkt beheizenden Widerstandsröhrenmethode, und weist längere Antwortzeiten,
welches unter gewissen Bedingungen ein Vorteil sein kann, weil eine
erhöhte
Antwortzeit zu einem größeren Grad
thermischer Stabilität
führt.
Auf der anderen Seite benutzen Zündflamme
und Lasererhitzung die Energie der Zündflamme oder des Laserlichts
zur Erhitzung der Begrenzungsröhre.
Eine solche Anordnung als Direktbeheizung aufgebaut werden, worin die
Spitze durch die Zündflamme
oder durch das Laserlicht oder eine indirekt erhitzte Konfiguration,
in der eine größere äußere Röhre erhitzt
wird, eingesetzt wird. Weil die Menge an Energie, welche in die Lösung übertragen
werden muss groß ist,
wird die erwärmte
Röhre vorzugsweise
eine dicke Wand aufweisen als dieses bei dem direkten elektrischen
Erwärmen
oder bei dem Fernerwärmungsverfahren
der Fall ist. Das Anwenden der Zündflamme
oder des Laserlichts auf eine äußere Röhre erlaubt
den Einsatz einer dünnwandigen
Begrenzungsröhre.
-
Nun
wird auf 2 und 3 Bezug
genommen, hierin wird einen Vorrichtung 200 für das Abscheiden
von Filmen oder Pulver unter Einsatz einer überkritischen Zerstäubung dargestellt.
Die Vorrichtung 200 besteht aus einer festen oder variabel
einstellbaren Förderpumpe,
welche die Reagenztransportlösung 2 (Vorläuferlösung) genannt
von dem Lösungsbehälter 3 in
den Zerstäuber 4 (auch
als "Zerstäuber" oder "Verdampfer" bezeichnet) zuführt. 3 ist
ein vergrößerte Ansicht
einer detaillierten zeichnerischen Darstellung des Zerstäubers 4.
Die Vorläuferlösung 2 wird
von dem Vorläuferlösungsbehälter 3 durch
die Röhre 5 in
den Filter 6 und den Zerstäuber 4 gepumpt. Die
Vorläuferlösung 2 wird
dann in einen Bereich temperaturgesteuerterter konstanter oder variabler
Widerstandsbeheizung 7 gepumpt. Die Erwärmung kann in unterschiedlichen
Arten erreicht werden, dieses kann insbesondere sein: elektrische
Widerstandsbeheizung, Laserlicht, induktive Heizungen oder Flammenheizung.
Für die
elektrischer Widerstandbeheizung wird entweder Wechsel- oder Gleichstrom
eingesetzt. Einer der elektrischen Verbinder auf dem Widerstand 7 ist
bevorzugt sehr nah an der Spitze des Widerstandes 7 platziert.
Für den
Fall der Erhitzung mit einer Gleichstromquelle, kann diese Verbindung
oder Pol 8 positiv oder negativ sein. Der andere Pol 9 kann
mit jedem der anderen Punkte entlang des Widerstandes 7 verbunden sein,
auf der Innenseite oder Außenseite
des Gehäuses 10.
Für spezielle
Anwendungen, wie zum Beispiel dem Bilden eines Filmüberzugs
der Innenseite einer Röhre
wird einer geringere Zerstäuberbaugröße vorteilhaft
sein, es wird bevorzugt den Widerstand 7 an den Rande der
Gehäuserückseite 10 oder
innerhalb des Gehäuses 10 anzuschließen. Gasanschlüsse an der
Geräuscherückseite 10 werden
in einer Linienanordnung dargestellt können aber auch in anderen Anordnungen
platziert werden, so dass sie nicht die Funktion der Vorrichtung 200 beeinträchtigen.
-
Eine
dünne Gas
A Zuführungsröhre 11,
mit einem inneren Durchmesser von 1,7 mm (1/16'')
(ID) wird in den meisten Fällen
zum Einführen
eines brennbaren Gasgemischs in einen kleinen Auslassöffnung eingesetzt,
worin dieses zur Bereitstellung einer stabilen Zündflamme dient, vorzugsweise
mit 2,5 cm Entfernung von dem Widerstand 7, zum eingesetzt
zu verbrennen der Vorläuferlösung, welche über den
Widerstand 7 zugeführt
wird. Die Gaszuführung
wird über
einen Flussregler 13 gesteuert, zur Steuerung des Zuflusses
der Mischungskomponenten des Gases A, 14 und 15.
Die Gas A Brennstoffkomponente 14 wird mit dem oxidierenden
Komponenten 15 in einem der Mischung-"T" Ventile 16 gemischt,
welches nahe der oder innerhalb des Zerstäubers 4 angeordnet
ist. Dieses späte
Zusammenmischen wird vor allem aus Sicherheitsgründen gemacht, weil geeignet
ist, potenziell den Verbrennung vor einzudämmen. In dem Gehäuse 10 ist
die Gaszuführung 10 mit
der Gaszuführung 17 verbunden.
Eine Gas B Zuführungslinie 18 wird
eingesetzt, um Gas B von der Speisung 19 in inniger Mischung
zu transportieren, so dass eine innige Mischung mit dem zerstäubten Lösungsspray
durchgeführt
werden kann. In den meisten Fällen
wird ein Hochgeschwindigkeitsgasstrom eingesetzt. Eine Anzahl von
Gas B Zuführungslöchern 20 (4
in den meisten Fällen,
mehr oder weniger Löcher
können
in Abhängigkeit
von der jeweiligen Anwendung eingesetzt werden) werden um den Widerstand 7 platziert,
zur Zuführung
von Gas B, so dass ein geeignetes Flussmuster eingehalten wird.
Die Flusseigenschaften des Gas B Stroms werden durch Faktoren, wie
z. B. dem Gas B Druck, in dem Gas B Lagerbehälter 21, Durchflussrate,
wie sie durch den Durchflussregler 13 bestimmt wird, Röhrendurchmesser 5,
und die Anzahl der Zuführungslöcher 20 beeinträchtig. Alternativ
kann das Gas B durch eine große
koaxiale Röhre
und einen umgebenden Begrenzer 7 zugeführt werden. Wenn die Vorläuferlösung 2 in
die Vorläuferzuführung 22 eingepumpt
wurde, durch welchen die Temperatur bei dem Durchfluss (in dem Fall
elektrischer Heizung) über
den Widerstand 7 durch die Stromversorgung 23 bestimmt
ist, eingestellt wurde. Der Heizstrom kann so eingestellt werden,
dass die richtige Zerstäubungsmenge
eingestellt werden kann. Die stabile Zündflamme ist dann dazu geeignet,
das zerstäubte reaktionsfähige Spray
zu zünden
und ein Pulver oder ein Film auf dem Substrat 24 zu bilden.
-
Viele
verschiedene Überzüge wurden
durch Verfahren und Vorrichtung der vorliegende Erfindung abgelegt.
In den meisten Fällen
wurde Propan als zweites überkritisches
sekundäres
Lösungsmittels eingesetzt,
(d.h. ein Teil von hoher Vorläuferkonzentration
von Primärlösungsmittel
wurde mit einer großen
Menge des Sekundärlösungsmittels
gemischt), es wurden aber auch andere Lösungsmittel eingesetzt. Als
Andere mögliche
sekundäre
Lösungsmittel wurden
insbesondere Ethylen, Ethan, Ammoniak eingesetzt. Das Folgende ist
eine Liste der Materialien und Daten bezüglich der Vorrichtung nach 2 und diese
repräsentiert
nur einige wenige der vielen möglichen
Materialien, welche abgelegt werden können und unter Einsatz der
vorliegenden Erfindung. Diese Liste ist nicht dazu gedacht den Rahmen
der vorliegende Erfindung zu begrenzen, wie er in den Ansprüchen dargelegt
ist:
METALLE: Ag, Au, Cu, Ni, Pt and Rh;
OXIDE: Al2O3, 3Al2O3-2SiO2, BaCeO3, BaTiO3,
BST, Cr2O3, Cu2O, DLC, In2O3, (K)-SiO2,
LaPO4, LSC,
LSM, MgO, MnO-Pt, NiO,
PbSO4, PdO,
PLZT, PZT, RuO2, SiO2,
SnO2, SrLaAlO4, SrTiO3, TiO2,
YBa2Cu3Ox, YIG, YSZ,
YSZ-Aluminum
(ZTA), Y2O3 and
ZrO2;
SONSTIGES: BaCO3,
LaPO4 und PbSO4
-
Ein
Fachmann wird erkennen, dass beinah jedes Substrat durch das Verfahren
und die Vorrichtung der vorliegende Erfindung mit einem Überzug versehen
werden kann. Ein Substrat kann man dann beschichten, wenn es Temperatur
beständig
ist und insbesondere gegenüber
den sich während
des Versuchs sich ergebenden heißen Gase. Substrate können unter
Einsatz von Kühlmitteln
gekühlt
werden (wie bereits hierein beschrieben wurde) wie z.B. einem Wasserstrahl,
aber bei einem Substrat mit niedriger Oberflächentemperatur können dicht
oder kristalline Überzüge vielerlei
Materialien gemacht werden, es sei denn, dass die damit verbundenen
niedrigen Diffusionraten nicht ausreichen. Zusätzlich kommt dazu die Stabilität gegenüber heißen Gasen, welches
ferner den Einsatz der niedrigen Temperaturen, einer Flamme mit
niedrigem Gasspeisedruck oder ohne zusätzliche Substratskühlungsmittel
einschließt.
-
YSZ
und PT sind als Pulver abgelegt worden. Andere Materialien können mit
dieser Technologie als ein Film oder Pulver abgelegt werden. Es muss
betont werden, dass die vorliegende Erfindung eine breite Anwendbarkeit
aufweist und so Materialien und Substrate durch die vorliegende
Erfindung verarbeitet werden können,
welche nicht auf die oben aufgelisteten Materialien begrenzt sind.
-
Unter
diesem Gesichtspunkt werden Beispiele unter Benutzung der bevorzugten
Ausführungsformen
der oben beschriebenen Verfahren und Vorrichtung an hierin weiter
fortgesetzt. Weitere Merkmale der Erfindung werden durch die folgenden Beispiele
verdeutlicht, welche nur zu dem Zweck der Veranschaulichung gegeben
sind und nicht dazu beabsichtigt sind, Beschränkungen der vorliegende Erfindung
vorzugeben.
-
Beispiel I
-
Um
die Abscheidungsmöglichkeiten
für Überzüge nach
dem Verfahren der vorliegenden Erfindung zu verdeutlichen, werden
einfache Oxidüberzüge auf Metallsubstrate
aufgebracht, SiO2 wurde auf eine Wasser
gekühlt
Aluminiumsfolien aus einer Lösung
von Tetraethoxysilan [Si(OC2H5)4] gelöst
in Isopropanol 2,1 Gew.-% Si, zusätzlich Isopropanol auf 2,3
ml) und Propan (51 ml) wurde einer umfassenden Siliziumskonzentration
von 0,06 M zugefügt. Die
Gastemperatur beim Abscheiden war 1190°C. Die Nadel zur Zerstäubung des
Vorläufers,
wie in 3, dargestellt war 304 Rostfreier Stahl mit äußeren Durchmesser
OD = 304.8 μm
(0,012 Zoll) und innen Durchmesser ID = 101,6 µm (0,004 Zoll). Der Widerstand über die
elektrische Durchflusslänge
der Nadel war ungefähr
1,6 W. Es wurde eine kleine Zündflammen
aus verbrannten Methan und Sauerstoff gebildet, und wurde während der
Ablagerung eingesetzt, um die Zündflamme
aufrechtzuerhalten. Die Lösung
wurde mit einer Rate von 3 ml/min gepumpt und mittels der Steuerung
der Strommenge durch die Nadel zerstäubt. In diesem Beispiel war
die Strommenge 2,65A. Der Lösungspumpendruck
während
der Abscheidung wurde von zwischen den Durchläufen geändert und ist nicht wichtig,
solange wie ein Minimaldruck vorhanden ist, um die Eigenschaften
der Flüssigkeit
zu bewahren. In diesem Fall war der sich ergebende Druck 3,447 MPa
(500 psi). Sauerstoff, welcher an der Außenseite der Lösungsflamme
zugefügt
wurde, wurde über
das Flussmeter mit einem Druck von 206,8 KPa (30 psi) bemessen mit
einer Flussraten von 4750 mm/min.
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Die
Aluminiumfolie wurde während
der Abscheidung von 551,6 KPa (80 psi) Luft/Wasser-Nebel an der
der Ablagerung gegenüberliegende
Seite des Substrats gekühlt.
Die Abscheidungsrate für
den aufgebrachten Überzug
lag bei 1190°C
für 78
s bei ungefähr
1 μm/min
und die Abscheidungseffizienz war 16,6 % (errechnet nach dem Gewichtzuwachs
der insgesamt verfügbaren
zu Quarz reagierenden Vorläufermaterialien).
Der amorphe Überzug
war Dicht und haftete auf dem Substrat. Obwohl die Oberfläche des Überzugs
nicht so glatt war, wie sie bei niedrigeren Abscheidungsraten erzielt
wird, wurden im gute Dünnfilminterferenzfarben
beobachtet. Es trat keine Substratoxidation auf.
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Beispiel II
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Zusätzlich zu
den gebildeten Überzügen auf Metallsubstraten
wie z. B. dem Oxid, welches im Beispiel 1 auf Aluminium aufgetragen
wurde, wurden ebenfalls Überzüge auf Kunststoffsubstraten
durchgeführt.
Platin wurde auf Teflon bei einer Gastemperatur von 200 bis 260°C mit einer
0,005 M Lösung von
Platinumacetylacetonat [Pt(CH3COCHCOCH3)2], Toluol und
Methanol gebildet. Die benutzte Abscheidungsvorrichtung war ähnlich zu
dem im Beispiel 1, mit der Ausnahme, dass zwei getrennte sind Zündflammen
eingesetzt wurden und der Sauerstoff über eine koaxiale Röhre, welche
die Reagenzlösung
umgab, eingeführt
wurde. Die Lösungsflussraten
lag bei 2 ml/min mit einem Druck von 16,34 MPa (1500 psi) und einem
Nadelstrom von ungefähr
3,3 A. Der Sauerstoff floss mit einem Druck von 137,9 kPa (20 psi) und
einer Rate von 4750 ml/min. Der sich ergebende haftende Film war
glatt, dicht und einheitlich. Röntgenstrahlungsbeugung
("XRD") bestätigte die
Bildung von Platin (mit einer (111) bevorzugten Wachstumsrichtung).
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Dieses
Beispiel veranschaulicht das die Überzüge, welche beim Verfahren der
vorliegende Erfindung erzeugt werden können nicht ausschließlich Oxide
sind, das Platin wurde als reines Element abgelegt.
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Beispiel III
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Die
von der vorliegende Erfindung entwickelten Überzüge sind nicht nur beschränkt planare
Substrate. Filme können
auf keramischen Fasern unter Einsatz der Vorrichtung der vorliegende
Erfindung abgelegt werden. LaPO4 wurde abgelehnt
auf einer Aluminiumoxidfaser mit einer Lösung Triethylphosphat [C2H5O)3PO4] gelösten
in Toluol 1,7 Gew.-% P, Lanthanum 2-ethylhexanoat [La(OOCCH(C2H5)C4H9)3], zusätzlichem
Tutorien (16 ml) und Propan (237 ml). Die sich ergebende Lösung wies
eine Konzentration von 0,0010M P und 0,0013M La auf. Die Lösung floss
mit einer Rate von 3 ml/min mit einem Druck von 2,827 MPa (410 psi)
während der
Abscheidung und wurde durch einen Nadelstrom von 2,36 A zerstäubt. Durchlassrate
des Sauerstoffs zu Lösungsflamme
war 4750 ml/min an mit einem Druck von 206,8 MPa (30 psi). Die 400
Fasern in dem Werg wurden gleichzeitig beschichtet. Jede Faser war
ungefähr
12 mm im Durchmesser. Das Werg wurde langsam zweimal durch die Abscheidungszonen
der Flammen bewegt. Es wurden nur zwei Durchgänge durch die Flamme benötigt (wobei
das Werg um 180° um
seine Längsachse
in den zweiten Durchlauf in Bezug auf dem ersten Durchlauf gedreht wurde)
es wurden nur zwei Einsätze
benötigt,
um einer uniformen Überzug über die
einzelnen Fasern in dem Werg zu bilden. Die dichtesten Überzüge wurden
einer Temperatur von 900°C
das Temperaturen Bereich von 300 bis 500 nm Dicke mit mehr als 50
% Fasern in dem Werg gebildet. Es wurde keine übermäßige Faserdegradation als Folge
des Flammeneinsatzes festgestellt. Das XRD bestätigte, das der Überzug auf
den Aluminiumsfasern Monzanit LaPO4 war.
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Dieses
Beispiel veranschaulicht auch, dass die in dem CCVD Verfahren erzeugten
Oxidüberzüge nicht
auf die binäre
Oxide begrenzt ist. Das in dem Beispiel eingeschlossene LaPO4 wurde aus zwei Kationen beinhaltenden Vorläufer gebildet,
welche in einem bestimmten Verhältnis
zusammengefügt
wurde, um eine bestimmte Filmstöchiometrie
zu erhalten. Die EX Kompositionsanalyse zeigte, dass bei jedem der
Temperaturen 900°C
und 1000°C
die gewünschte
atomarer Prozentzahl von Kationen abgesetzt war.
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Beispiel IV
-
Beispiel
III erläuterte
die Fähigkeit
der vorliegenden Erfindung Überzüge bestehend
aus mehr als einem Kation aufzutragen. Überzüge mit einer Lösung von
mit bis zu fünf
unterschiedlichen Kations-Vorläufer
wurden abgelegt, wie in einem Beispiel in einer ähnlichen Vorrichtung benutzt
wurden. Die Nickel, Aluminium und Strontium dotierter LaCrO3 Abzüge
wurden auf einer Lantan enthaltenden Lösung erzeugt. Nitrate [La(NO3)3] gelöst in Ethanol
mit 32.077 Gew.-% La, Chromium Nitrat [Cr(NO3)3] gelöst
in Ethanol mit 13 Gew.-% Cr, Strontium Nitrat [Sr(NO3)2] gelösten
in Ethanol mit 2 Gew.-% Sr, Nickel Nitrat [Ni(NO3)2] gelöst
in Ethanol mit 2 Gew.-% Ni, Aluminum Nitrat [Al(NO3)3] gelöst
in Ethanol mit 0.1 Gew.-% Al, Ethanol (12 ml), Isopropanol (25 ml) und
Wasser (5 ml). Die sich ergebende Lösung wies folgende Konzentrationen
auf: 0.045M La, 0.040M Cr 0.005M Sr, 0.005M Ni und 0.005M Al. Die
Lösung floss
mit 2 ml/min mit einem Druck von 35,85 MPa (5200 psi) während der
Sauerstofffluss durch die Lösung
in die Lösungsflamme
mit einer Rate von 1600 ml/min stattfand und einem Druck von 241,3
MPa (35 psi). Die Überzüge wurden
bei zwei 1150°C
bis 1250°C
für 16
Minuten auf verschmolzen Kieselerdesubstrat abgelagert. Die EDX
Analyse des Überzugsschicht
deckte jeweils folgende Kationenverhältnisse auf: 1:26:5:5:63 für Al, Cr,
Ni, Sr und La. Die erfolgreiche Überzugsabscheidung
von Vorläufer
mit niedrigen Dampfdrucknitraten illustriert, dass die vorliegende
Erfindung nicht auf die Abscheidung von Metallorganische Reagenzien
begrenzt ist.
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Beispiel V
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Die
Fähigkeit
unterschiedliche Substrate durch das Verfahren der vorliegenden
Erfindung zu beschichten, wurde in dem vorliegenden Beispiel dargestellt.
Strukturelle Beziehungen der abgelegten Filme mit einem Substrat
wurden auch unter Einsatz eines ähnlichen
Prozesses wie er in Beispiel 1 dargestellt ist demonstriert. PLZT
(Pb, La, Zr, Ti) oder auf einem einzelnen Kristall (100) MgO aus
einer Lösung bestehend
aus Pb 2-Ethylhexanoate [Pb(OOCCH(C2H5)C4h9)2] gelöst
in Toluol mit 4 Gew.-% Pb, Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)
Lanthanum [La(C11H9O2)3] gelöst
in Toluol mit 0.28 Gew.-% La, Zr 2-ethylhexanoate [Zr(OOCCHC2H5)C4H9)4] gelöst Toluol
mit 6 Gew.-% Zr, Ti (IV) i-propoxid Ti[OCH(CH3)2]4 gelöstem Toluol mit
0,82 Gew.-% Ti und alles zusammengeführt in Toluol (95.8 ml). Die
sich ergebende Lösung
hatte folgende Konzentrationen: 0.0023M La, 0.0012M Zr, 0.0010M
Pb und 0.0003M La. Die Lösung
floss während
der Ablagerung mit einer Rate von 1.5 ml/min mit einem Druck von
16.55 MPa (2400 psi), worin die Sauerstoffflussrate 1600 ml/min
mit einem Druck von 206.8 kPa (30 psi) betrug. Ein XRD Liniendiagrammmuster
der (101) Spitze für
PLZT aufgetragen auf MgO bei 700 °C
für 16
Minuten, zeigt einen hohen Anteil von Epitaxie des PLZT auf dem Substrat.
Es gab keine Intensitäten
von mehr als 50 mit der Ausnahme von vier 44 Grad Psi stellen, orientierte
bei 90°Phi
zueinander lag. Mehr als drei kleinere Spitzen, welche 0.005 % des
Maximums betrogen lagen vor, es wurden keine zusätzlichen höheren Spitzen als 0.002 % des
Maximums beobachtet. Es waren keine zusätzlichen Epitaxial Spitzen
in dem PLZT erkennbar.
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Beispiel VI
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Durch
den Prozess der Erfindung und den Einsatz des in Beispiel 1 beschriebenen
Apparat wurden Multischichtüberzüge hergestellt.
Einer 22-lagen Schlicht aus alternierend Al5YSZ-16YSZ wurde aus zwei unterschiedlichen Lösungen hergestellt.
Das YSZ wurde aus einer Lösung
von 0.51 g von Zr 2-Ethylhexanoat [Zr(OOCCH(C2H5)C4H9)4] gelöst
in Toluol mit 6 Gew.-% Zr und 0.80g von Y 2-Ethylhexanoat [Y(OOCCH(C2H5)C4H9)3] gelösten
Toluol mit 0,69 Gew.-% alles zusammengefasst in Toluol, gebildet.
Die resultierende Konzentration betrug 0.0022 M Zr und 0.0004 M
Y. Die YSZ-Al bestand aus zwei Vorläufer wie sie oben beschrieben
sind, mit jeweils 0.38g und 0.18g und 0.08g von Aluminum Acetylacetonat
[Al(CHCOCHCOCH3)3]
gelöst
in Toluol mit 0,1 Gew.-% Al und zusammengefasst in 150 ml Toluol. Überzug wurde
mit einer einzigen Flamme produziert, wobei die Lösung für die Flamme
alle 3 Minuten gewechselt wurde mit einer Rohrspülungsphase mit Toluol zwischen
jedem Lösungswechsel
von 1 Minute. Die Lösungsflussrate
wurde konstant bei 3 ml/min für
beide Lösungen
gehalten und der Strom durch die Nadel betrug konstant 3.3 A. Der
Leistungsdruck betrug 11.72 bis 13.79 MPa (700 to 2000 psi). Die
Sauerstoffspeisung der Flamme wurde mit einer Rate von 4750 ml/min
und einem Druck von 137.9 KPa (20 psi) durchgeführt. Das Auftragen des Überzug dauerte
90 Minuten und wurde bei einer Gastemperatur zwischen 1100 und 1150 °C durchgeführt. Der
sich ergebende Multischichtüberzug
war glatt, dicht und 1 mm ohne erkennbare Brüche. Jede Schicht war ungefähr 40 nm
dick.
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Beispiel VII
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Das
CCVD Verfahren erlaubt auch der Herstellung von Pulver. Um die Herstellung
von Pulver zu vereinfachen wird die Herstellung von YSZ Pulver. Gemäß dem ersten
Anlauf zum Bilden von Pulver erzeugt. Die Lösung dazu bestand aus Zr 2-Ethylhexanoat
gelösten
Toluol mit 6 Gew.-%, Y 2-Ethylhexanoat gelösten Toluol mit 0,69 Gew.-%,
Toluol (6.9 ml) und Propan (136.7ml). Die Konzentrationen von Zirkonium
and Yttrium betrogen jeweils 0.005M und 0.0003M. Der Strom durch
die Nadel betrug während die
Abscheidung 2.66 A. Die Temperatur, zu der das Pulver abgeschieden
wurde, betrug 700°C
und die Ablagerungszeit betrug 32 Minuten. Pulver wurde auf Aluminiumfolienbehälter, welche
mit Eiswasser gefüllt
waren, abgeschieden. Das Wasser hat dabei die Kühlung der Abscheidungsoberfläche zu kühlen, fangen
Temperaturen wesentlich geringer war als die der Flamme. Die Oberfläche war
trotzdem warm genug, so dass keine Bildung überschüssiger Flüssigkeitskondensation in der
Abscheidezone festgestellt werden konnte.
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Nachdem
die Abscheidung beendet war, wurde einige von dem Pulver, das sich
auf dem Behälter
sammelte, von der Folie entnommen, und in einem Transfusion Elektronenmikroskop
(TEM) analysiert. Einzelner gebildete Pulverkörner konnten sich außerdem ein
Bündel
des Substrats, welches bei dem Abscheidungsprozess Zr und Y nachzuweisen. Die
Pulverkorngröße bewegte
sich zwischen ungefähr
2 nm und 10 nm, wobei die meisten, zwischen 4 nm und 6 nm groß waren.
Das Elektronenbeugungsmuster, welches auf einem Film aufgezeichnet
wurde, zeigte ringförmige
Muster, welches anzeigt, dass das Pulver kristallin ist. Die Ringe
auf dem Muster waren glatt und kontinuierlich, wie es für eine geringe Korngröße erwartet
wird. Die in die Abstände
der Materialien wurden aus den Ringen berechnet, und die Werte entsprachen
den d-Abständen
die sie für
YSZ erwartet wurden. Jedoch war eine begrenzte Anzahl von Ringen
zum Indexieren vorhanden und die Ähnlichkeit zwischen den d-Abstandswerten
für unterschiedliche
Typen von Zirkonium mit oder ohne Yttrium, die spezifische Struktur
(Hexagonal, Pentagonal, etc.) des Pulvers konnte nicht aus der Elektronendefraktion
bestimmt werden. Eine Röntgendefraktion des
Pulvers erzielt ähnliche
Ergebnisse, obwohl eine ähnliche Übereinstimmung
mit einem Yttrium-Zirkonium
Oxid erzielt werden konnte.