JP2003337200A - 極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法とその装置 - Google Patents
極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法とその装置Info
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- JP2003337200A JP2003337200A JP2002143821A JP2002143821A JP2003337200A JP 2003337200 A JP2003337200 A JP 2003337200A JP 2002143821 A JP2002143821 A JP 2002143821A JP 2002143821 A JP2002143821 A JP 2002143821A JP 2003337200 A JP2003337200 A JP 2003337200A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 卓上レーザシステムより、フェムト秒レーザ
ビームをターゲットに打ち込み、プラズマカソードによ
り誘起されるフェムト秒電子の効率的発生と、若しくは
前記レーザビームの打ち込みにより発生するＤ＋Ｄ核融
合反応を介してのフェムト秒中性子の効率的発生を可能
とする、極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの
製造方法とその装置を提供する。 【構成】 本発明の極低温クラスタ／スラッシュガスタ
ーゲットの製造装置は、超臨界生成室を内蔵する上部構
造物１０と、スラッシュガス生成用の減圧室２０と、前
記上部構造物１０とスラッシュガス生成用の減圧室２０
との間に設けられた熱絶縁手段１６と、レーザビーム照
射口２１とより構成する。
ビームをターゲットに打ち込み、プラズマカソードによ
り誘起されるフェムト秒電子の効率的発生と、若しくは
前記レーザビームの打ち込みにより発生するＤ＋Ｄ核融
合反応を介してのフェムト秒中性子の効率的発生を可能
とする、極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの
製造方法とその装置を提供する。 【構成】 本発明の極低温クラスタ／スラッシュガスタ
ーゲットの製造装置は、超臨界生成室を内蔵する上部構
造物１０と、スラッシュガス生成用の減圧室２０と、前
記上部構造物１０とスラッシュガス生成用の減圧室２０
との間に設けられた熱絶縁手段１６と、レーザビーム照
射口２１とより構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、卓上ｆｓレーザビ
ームシステムにより、出力１２ＴＷ（１２×１０ １２ワ
ット）、パルス巾５０ｆｓ（５０×１０−１５秒）のレ
ーザをターゲットに打ち込んで、該ターゲットより極短
ビームを発生させるようにして、密度を上げた固液二相
のスラリ状ターゲット部材に関し、特にレーザプラズマ
カソード方式によるフェムト秒電子ビームとフェムト秒
中性子ビームの効率的発生を可能とした極低温スラッシ
ュガスよりなるガスターゲットの製造方法とその装置に
関する。
ームシステムにより、出力１２ＴＷ（１２×１０ １２ワ
ット）、パルス巾５０ｆｓ（５０×１０−１５秒）のレ
ーザをターゲットに打ち込んで、該ターゲットより極短
ビームを発生させるようにして、密度を上げた固液二相
のスラリ状ターゲット部材に関し、特にレーザプラズマ
カソード方式によるフェムト秒電子ビームとフェムト秒
中性子ビームの効率的発生を可能とした極低温スラッシ
ュガスよりなるガスターゲットの製造方法とその装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】前記卓上ｆｓレーザビームシステムは、
パルス巾５０ｆｓ〜２００ｆｓの超短パルスレーザを発
生する装置で、この装置により従来は観測が困難であっ
た室温でのピコ秒領域の現象を調べることが可能であっ
て、その特徴は、パルス幅が短いため超高速光化学の観
測研究に向き、パルス強度が強いため強電場の物性の観
測研究に向いており、そのレーザ照射によりレーザプラ
ズマを作り、電子、Ｘ線、イオン、中性子等の極短ビー
ムを生成する機能を持っている。
パルス巾５０ｆｓ〜２００ｆｓの超短パルスレーザを発
生する装置で、この装置により従来は観測が困難であっ
た室温でのピコ秒領域の現象を調べることが可能であっ
て、その特徴は、パルス幅が短いため超高速光化学の観
測研究に向き、パルス強度が強いため強電場の物性の観
測研究に向いており、そのレーザ照射によりレーザプラ
ズマを作り、電子、Ｘ線、イオン、中性子等の極短ビー
ムを生成する機能を持っている。
【０００３】前記レーザ照射については、まず、レーザ
のターゲット照射により、レーザプラズマが作られ、上
記レーザプラズマによって、電子、Ｘ線、イオン、中性
子等のパルス巾５０ｆｓの極短ビームを生成する。つい
で、航跡場砕破方式よりなる加速機構により１０ｆｓの
電子ビームを作っている。なお、上記レーザプラズマＸ
線を使用した原子の動画像化に関する時間分解Ｘ線回折
研究があり、レーザプラズマＸ線の高品質化が望まれて
いる。
のターゲット照射により、レーザプラズマが作られ、上
記レーザプラズマによって、電子、Ｘ線、イオン、中性
子等のパルス巾５０ｆｓの極短ビームを生成する。つい
で、航跡場砕破方式よりなる加速機構により１０ｆｓの
電子ビームを作っている。なお、上記レーザプラズマＸ
線を使用した原子の動画像化に関する時間分解Ｘ線回折
研究があり、レーザプラズマＸ線の高品質化が望まれて
いる。
【０００４】一方、米ローレンス・リバモア国立研究所
のグループが、温度１００Ｋに冷却した高圧６５ａｔｍ
の重水素ガスＤ２を真空中の容器に噴射してクラスタを
生成し、そこへ卓上型レーザ（１２０ｍＪ、３５ｆｓ、８
２０ｎｍ）を照射してＤＤ核融合を起こさせ、中性子の
発生に成功している。
のグループが、温度１００Ｋに冷却した高圧６５ａｔｍ
の重水素ガスＤ２を真空中の容器に噴射してクラスタを
生成し、そこへ卓上型レーザ（１２０ｍＪ、３５ｆｓ、８
２０ｎｍ）を照射してＤＤ核融合を起こさせ、中性子の
発生に成功している。
【０００５】そして、従来は、１２ＴＷ５０ｆｓレーザ
を常温ガスジェット（Ｈｅ、Ｎ２などを使用、１〜２０
気圧）にフォーカス照射をして、プラズマ航跡場（電子
密度波）を誘起するとともに、前記航跡場の砕破現象に
よってプラズマ波からこぼれた電子は航跡場によって加
速され、プラズマカソードにより１ＭｅＶを越える高エ
ネルギ電子が生成されている。この高エネルギ電子を低
温ターゲットに使用すると、電界も１０ＧＶ／ｍ以上に
なり、電子はレーザ直後の航跡場にピークにトラップさ
れ、最高エネルギも１０ＭｅＶを越え、エネルギ巾も１
０％以下となり、１０ｆｓ程度の極短バンチになり、電
子ライナック（加速器）で加速されると同等な高エネル
ギ電子ビームを形成する結果が得られているが、上記プ
ラズマカソードによる電子ビームに対しても一層の高品
質化が望まれている。
を常温ガスジェット（Ｈｅ、Ｎ２などを使用、１〜２０
気圧）にフォーカス照射をして、プラズマ航跡場（電子
密度波）を誘起するとともに、前記航跡場の砕破現象に
よってプラズマ波からこぼれた電子は航跡場によって加
速され、プラズマカソードにより１ＭｅＶを越える高エ
ネルギ電子が生成されている。この高エネルギ電子を低
温ターゲットに使用すると、電界も１０ＧＶ／ｍ以上に
なり、電子はレーザ直後の航跡場にピークにトラップさ
れ、最高エネルギも１０ＭｅＶを越え、エネルギ巾も１
０％以下となり、１０ｆｓ程度の極短バンチになり、電
子ライナック（加速器）で加速されると同等な高エネル
ギ電子ビームを形成する結果が得られているが、上記プ
ラズマカソードによる電子ビームに対しても一層の高品
質化が望まれている。
【０００６】なお、高速に加速された荷電粒子（イオン
・ビーム）やＸ線・γ線などの高エネルギ光子等の量子
ビームについては、電子顕微鏡、シンクロン放射光、中
性子ビームにより、物質の静止ミクロ構造が可視化され
ている現状にあるが、この画像化については、二つのフ
ェムト秒量子ビーム例えばレーザとＸ線技術の組合せに
より原子ダイナミックス則ちエネルギの可視化が期待さ
れている。
・ビーム）やＸ線・γ線などの高エネルギ光子等の量子
ビームについては、電子顕微鏡、シンクロン放射光、中
性子ビームにより、物質の静止ミクロ構造が可視化され
ている現状にあるが、この画像化については、二つのフ
ェムト秒量子ビーム例えばレーザとＸ線技術の組合せに
より原子ダイナミックス則ちエネルギの可視化が期待さ
れている。
【０００７】上記したように、従来は常温ガスジェット
（Ｈｅ、Ｎ２などを使用、１〜２０気圧）が使用されて
いるが、最近の米国の例に見るように温度１００Ｋに冷
却した高圧６５ａｔｍの重水素ガスＤ２を真空中の容器
に噴射してレーザ照射用ターゲットを得ている。しか
し、レーザビームをフォーカス照射して、上記フェムト
秒電子ビームや中性子ビームの高品質化するには、レー
ザ照射における照射対象となるターゲット部材に対し
て、レーザビームの吸収効率の向上が必要で、該部材の
実現が強く望まれてきた。
（Ｈｅ、Ｎ２などを使用、１〜２０気圧）が使用されて
いるが、最近の米国の例に見るように温度１００Ｋに冷
却した高圧６５ａｔｍの重水素ガスＤ２を真空中の容器
に噴射してレーザ照射用ターゲットを得ている。しか
し、レーザビームをフォーカス照射して、上記フェムト
秒電子ビームや中性子ビームの高品質化するには、レー
ザ照射における照射対象となるターゲット部材に対し
て、レーザビームの吸収効率の向上が必要で、該部材の
実現が強く望まれてきた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みなされたもので、１２ＴＷ、５０ｆｓ卓上レーザ
システムより、フェムト秒レーザビーム（１２ＴＷ、５
０ｆｓ）をターゲットに打ち込み、上記航跡場砕破に誘
起されるフェムト秒電子ビームの効率的発生と、または
前記レーザビームの打ち込みにより発生したＤ＋Ｄ核融
合反応を介してのフェムト秒中性子ビームの効率的発生
を可能とすべく、ターゲット部材の密度向上を図った、
極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法
とその装置の提供を目的とするものである。
に鑑みなされたもので、１２ＴＷ、５０ｆｓ卓上レーザ
システムより、フェムト秒レーザビーム（１２ＴＷ、５
０ｆｓ）をターゲットに打ち込み、上記航跡場砕破に誘
起されるフェムト秒電子ビームの効率的発生と、または
前記レーザビームの打ち込みにより発生したＤ＋Ｄ核融
合反応を介してのフェムト秒中性子ビームの効率的発生
を可能とすべく、ターゲット部材の密度向上を図った、
極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法
とその装置の提供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の第１の
発明である極低温クラスタ／スラッシュガスターゲット
の製造方法は、レーザプラズマカソード方式によるフェ
ムト秒電子ビームの効率的発生を可能とするスラッシュ
ガスターゲットの生成方法であって、超臨界生成室に充
填したガスを超臨界状態に加圧冷却し、ついで前記超臨
界ガスを導出弁を介して前記ガスの三重点圧力以下の減
圧室へ放出させ、極低温の固液二相スラリ状流体よりな
るターゲットで、好ましくは数ｎｍから数μｍまでのタ
ーゲットを形成したことを特徴とする。
発明である極低温クラスタ／スラッシュガスターゲット
の製造方法は、レーザプラズマカソード方式によるフェ
ムト秒電子ビームの効率的発生を可能とするスラッシュ
ガスターゲットの生成方法であって、超臨界生成室に充
填したガスを超臨界状態に加圧冷却し、ついで前記超臨
界ガスを導出弁を介して前記ガスの三重点圧力以下の減
圧室へ放出させ、極低温の固液二相スラリ状流体よりな
るターゲットで、好ましくは数ｎｍから数μｍまでのタ
ーゲットを形成したことを特徴とする。
【００１０】上記発明は、１２ＴＷ、５０ｆｓレーザビ
ームを常温ガスジェット（Ｈｅ、Ｎ ２など、１〜２０気
圧）にフォーカス照射することにより得られたレーザプ
ラズマ中に引き起こされる航跡場の砕破を利用したプラ
ズマカソードと呼ばれる加速手段により高エネルギ電子
が得られているが、この電子エネルギの強度をさらに上
げるため、前記常温ガスジェットに代わる極低温スラッ
シュガスを使用して全体密度を上げ、レーザビームの吸
収効率を上げて、高品質電子ビームを効率的に得るよう
にしたものである。
ームを常温ガスジェット（Ｈｅ、Ｎ ２など、１〜２０気
圧）にフォーカス照射することにより得られたレーザプ
ラズマ中に引き起こされる航跡場の砕破を利用したプラ
ズマカソードと呼ばれる加速手段により高エネルギ電子
が得られているが、この電子エネルギの強度をさらに上
げるため、前記常温ガスジェットに代わる極低温スラッ
シュガスを使用して全体密度を上げ、レーザビームの吸
収効率を上げて、高品質電子ビームを効率的に得るよう
にしたものである。
【００１１】また、前記レーザのターゲット照射によ
り、レーザプラズマが作られ、上記レーザプラズマによ
り、電子、Ｘ線、イオン、中性子等のパルス巾フェムト
秒オーダーのの高品質極短ビームを生成することが出来
る。前記して生成されたレーザプラズマＸ線の使用によ
り、これまで速すぎて可視化出来なかった原子・分子・
電子の動画像化、カスケード照射による損傷をリアルタ
イムに観察できる。
り、レーザプラズマが作られ、上記レーザプラズマによ
り、電子、Ｘ線、イオン、中性子等のパルス巾フェムト
秒オーダーのの高品質極短ビームを生成することが出来
る。前記して生成されたレーザプラズマＸ線の使用によ
り、これまで速すぎて可視化出来なかった原子・分子・
電子の動画像化、カスケード照射による損傷をリアルタ
イムに観察できる。
【００１２】そして、上記好適なターゲット形成をすべ
く、使用ガスを後記するクライオスタットとＧＭ冷凍機
と圧縮機により超臨界ガスを形成させたのち、得られた
超臨界ガスを当該ガスの三重点圧力以下の減圧室に放出
させ、固液二相流体の球状クラスタを形成させて、好適
なターゲットを形成させている。
く、使用ガスを後記するクライオスタットとＧＭ冷凍機
と圧縮機により超臨界ガスを形成させたのち、得られた
超臨界ガスを当該ガスの三重点圧力以下の減圧室に放出
させ、固液二相流体の球状クラスタを形成させて、好適
なターゲットを形成させている。
【００１３】また、本発明の第２の発明である極低温ク
ラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法は、重水
素Ｄ＋Ｄ反応を使用したフェムト秒中性子ビームの効率
的発生を可能とするスラッシュガスターゲットの生成方
法であって、超臨界生成室に充填した重水素を超臨界状
態に加圧冷却し、ついで前記超臨界状態の重水素を弁を
介して前記ガスの三重点圧力以下の減圧室へ放出させ、
極低温の固液二相重水素流体よりなるターゲットを形成
したことを特徴とする。
ラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法は、重水
素Ｄ＋Ｄ反応を使用したフェムト秒中性子ビームの効率
的発生を可能とするスラッシュガスターゲットの生成方
法であって、超臨界生成室に充填した重水素を超臨界状
態に加圧冷却し、ついで前記超臨界状態の重水素を弁を
介して前記ガスの三重点圧力以下の減圧室へ放出させ、
極低温の固液二相重水素流体よりなるターゲットを形成
したことを特徴とする。
【００１４】上記発明は、１２ＴＷ、５０ｆｓレーザビ
ームの照射によるターゲットの吸収効率を高効率化する
ため、ターゲットに使用する重水素ガスをスラッシュ化
して、Ｄ＋Ｄ反応を起こさせるとともに、高品質の極短
中性子ビームを得るようにしたものである。則ち、高圧
重水素ガスを後記するクライオスタットとＧＭ冷凍機に
より超臨界ガス（１６．２ａｔｍ、３８．２Ｋ）を形成
させたのち、得られた超臨界重水素ガスを当該ガスの三
重点以下の圧力（０．１９０８ａｔｍ）の減圧室に放出
させ、極低温の固液二相スラッシュ状流体の球状クラス
タを形成させ、１００Ｋに冷却した高圧（６５ａｔｍ）
重水素ガスの真空中に放出して得られた従来例に見るク
ラスタより遥かに高密度の極低温ターゲットを得るとと
もに、高品質の極短中性子ビームを得るようにしてあ
る。
ームの照射によるターゲットの吸収効率を高効率化する
ため、ターゲットに使用する重水素ガスをスラッシュ化
して、Ｄ＋Ｄ反応を起こさせるとともに、高品質の極短
中性子ビームを得るようにしたものである。則ち、高圧
重水素ガスを後記するクライオスタットとＧＭ冷凍機に
より超臨界ガス（１６．２ａｔｍ、３８．２Ｋ）を形成
させたのち、得られた超臨界重水素ガスを当該ガスの三
重点以下の圧力（０．１９０８ａｔｍ）の減圧室に放出
させ、極低温の固液二相スラッシュ状流体の球状クラス
タを形成させ、１００Ｋに冷却した高圧（６５ａｔｍ）
重水素ガスの真空中に放出して得られた従来例に見るク
ラスタより遥かに高密度の極低温ターゲットを得るとと
もに、高品質の極短中性子ビームを得るようにしてあ
る。
【００１５】そして、斯かる第１、第２の発明の極低温
クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法におけ
る超臨界ガスの三重点圧力以下の減圧室へのガス放出
は、断熱自由膨張によるジュールトムソン膨張（Ｊ−
Ｔ）をさせ極低温の固液二相のスラッシュ状流体を得る
ようにしてある。
クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法におけ
る超臨界ガスの三重点圧力以下の減圧室へのガス放出
は、断熱自由膨張によるジュールトムソン膨張（Ｊ−
Ｔ）をさせ極低温の固液二相のスラッシュ状流体を得る
ようにしてある。
【００１６】なお、前記スラッシュガス化について、ス
ラッシュ窒素、及びスラッシュ水素について行なわれた
試験結果によると、スラッシュ化により従来のミスト状
ターゲットの０．１２５ｋｇ／ｍ３の密度に比較して８
６．６７ｋｇ／ｍ３の高密度が得られ高強度の極短ビー
ムを得るようにしている。
ラッシュ窒素、及びスラッシュ水素について行なわれた
試験結果によると、スラッシュ化により従来のミスト状
ターゲットの０．１２５ｋｇ／ｍ３の密度に比較して８
６．６７ｋｇ／ｍ３の高密度が得られ高強度の極短ビー
ムを得るようにしている。
【００１７】また、前記第１の発明の極低温クラスタ／
スラッシュガスターゲットの製造方法において、使用ガ
スは、Ａｒ、またはＮ２、またはＨ２、またはＤ２であ
ることが好ましい。
スラッシュガスターゲットの製造方法において、使用ガ
スは、Ａｒ、またはＮ２、またはＨ２、またはＤ２であ
ることが好ましい。
【００１８】そして、前記第１、第２の発明よりなる極
低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法に
好適な極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製
造装置は、ガス供給源より圧縮ガスの供給を受けて、フ
ェムト秒極短ビーム発生用のスラッシュガスターゲット
の生成装置において、供給されたガスを冷却して超臨界
状態にする超臨界生成室と、その下部に設けた臨界ガス
放出用の弁と、超臨界状態を形成する低温恒温装置とよ
りなる上部構造体と、該上部構造体の下端に熱絶縁手段
を介して設けたスラッシュガスを生成する減圧室と、前
記熱絶縁手段と、前記減圧室のガス放出部の周囲に設け
た熱遮蔽手段とより構成したことを特徴とする。
低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法に
好適な極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製
造装置は、ガス供給源より圧縮ガスの供給を受けて、フ
ェムト秒極短ビーム発生用のスラッシュガスターゲット
の生成装置において、供給されたガスを冷却して超臨界
状態にする超臨界生成室と、その下部に設けた臨界ガス
放出用の弁と、超臨界状態を形成する低温恒温装置とよ
りなる上部構造体と、該上部構造体の下端に熱絶縁手段
を介して設けたスラッシュガスを生成する減圧室と、前
記熱絶縁手段と、前記減圧室のガス放出部の周囲に設け
た熱遮蔽手段とより構成したことを特徴とする。
【００１９】上記発明は、前記したスラッシュガスター
ゲットを生成するため、重水素、水素等のガスを低温恒
温装置を持つ超臨界生成室へ加圧導入し、導入後のガス
を所定圧力と温度で冷却して超臨界ガスを形成させ、形
成された超臨界ガスを下部の三重点圧力以下の減圧室へ
断熱自由膨張のもとに放出させ、極低温の固液二相スラ
ッシュガス流体よりなる高密度クラスタを形成させたも
のである。
ゲットを生成するため、重水素、水素等のガスを低温恒
温装置を持つ超臨界生成室へ加圧導入し、導入後のガス
を所定圧力と温度で冷却して超臨界ガスを形成させ、形
成された超臨界ガスを下部の三重点圧力以下の減圧室へ
断熱自由膨張のもとに放出させ、極低温の固液二相スラ
ッシュガス流体よりなる高密度クラスタを形成させたも
のである。
【００２０】上記発明の極低温クラスタ／スラッシュガ
スターゲットの製造装置において、超臨界ガスを下部の
減圧室へ放出するガス放出用の弁はノズル付きパルス電
磁弁より構成し、断熱自由膨張をさせる構成とし、前記
断熱自由膨張により所謂ジュールトムソン膨張をして極
低温のスラッシュガスを得るようにしてある。
スターゲットの製造装置において、超臨界ガスを下部の
減圧室へ放出するガス放出用の弁はノズル付きパルス電
磁弁より構成し、断熱自由膨張をさせる構成とし、前記
断熱自由膨張により所謂ジュールトムソン膨張をして極
低温のスラッシュガスを得るようにしてある。
【００２１】上記発明は、超臨界ガスを超臨界生成室の
下部に設けた減圧室にガス放出用の弁にノズル付きパル
ス電磁弁を設けて、減圧室内に固液二相スラッシュ状の
クラスタを形成させるべく、断熱自由膨張をさせるパル
ス作動する構成について記載したものである。
下部に設けた減圧室にガス放出用の弁にノズル付きパル
ス電磁弁を設けて、減圧室内に固液二相スラッシュ状の
クラスタを形成させるべく、断熱自由膨張をさせるパル
ス作動する構成について記載したものである。
【００２２】また、前記極低温クラスタ／スラッシュガ
スターゲットの製造装置における低温恒温装置は、真空
断熱容器と冷熱源よりなり、温度可変型のクライオスタ
ットを介して、圧力（０〜８０ａｔｍ）、温度（２０〜
１５０Ｋ）に冷却する構成よりなることが好ましい。
スターゲットの製造装置における低温恒温装置は、真空
断熱容器と冷熱源よりなり、温度可変型のクライオスタ
ットを介して、圧力（０〜８０ａｔｍ）、温度（２０〜
１５０Ｋ）に冷却する構成よりなることが好ましい。
【００２３】上記発明は、超臨界ガス生成と保持する低
温恒温装置の構成について記載したもので、生成された
超臨界ガスの低温保持のための冷熱源と前記超臨界生成
室を内蔵する真空断熱容器と、減圧手段と加熱手段とよ
り構成し、圧力０〜８０ａｔｍのもとに温度を２０〜１
５０Ｋに冷却する構成にし、前記冷熱源に１段目８０
Ｋ、２段目２０Ｋの冷却をするＧＭ冷凍機より構成す
る。
温恒温装置の構成について記載したもので、生成された
超臨界ガスの低温保持のための冷熱源と前記超臨界生成
室を内蔵する真空断熱容器と、減圧手段と加熱手段とよ
り構成し、圧力０〜８０ａｔｍのもとに温度を２０〜１
５０Ｋに冷却する構成にし、前記冷熱源に１段目８０
Ｋ、２段目２０Ｋの冷却をするＧＭ冷凍機より構成す
る。
【００２４】また、前記極低温クラスタ／スラッシュガ
スターゲットの製造装置における真空断熱容器は、前記
超臨界生成室を囲繞し外部から熱輻射を断つ輻射シール
ドを設け、該輻射シールドの外側と上部構造体の外筒の
間に設けた真空層と、より構成する。
スターゲットの製造装置における真空断熱容器は、前記
超臨界生成室を囲繞し外部から熱輻射を断つ輻射シール
ドを設け、該輻射シールドの外側と上部構造体の外筒の
間に設けた真空層と、より構成する。
【００２５】また、前記極低温クラスタ／スラッシュガ
スターゲットの製造装置において、前記超臨界生成室の
下部に設けられスラッシュガスを生成する減圧室は、前
記超臨界ガスの三重点圧力以下の圧力で構成するのが良
く、この場合には、図３に見るように、三重点以下の圧
力での放出の過程により、放出される超臨界ガスは１
６．２ａｔｍ、３８．２Ｋ）の臨界点５０より、重水素
ガスの三重点圧力（０．１６９０８ａｔｍ）以下の圧力
に減圧された減圧室にノズルを介して噴射されるが、前
記臨界ガスはその間、矢印Ａに沿う断熱自由膨張（ジュ
ール・トムソン膨張）による冷却効果により、「固＋気
体」域５１を形成する減圧室内でクラスタ／スラッシュ
重水素を生成する。
スターゲットの製造装置において、前記超臨界生成室の
下部に設けられスラッシュガスを生成する減圧室は、前
記超臨界ガスの三重点圧力以下の圧力で構成するのが良
く、この場合には、図３に見るように、三重点以下の圧
力での放出の過程により、放出される超臨界ガスは１
６．２ａｔｍ、３８．２Ｋ）の臨界点５０より、重水素
ガスの三重点圧力（０．１６９０８ａｔｍ）以下の圧力
に減圧された減圧室にノズルを介して噴射されるが、前
記臨界ガスはその間、矢印Ａに沿う断熱自由膨張（ジュ
ール・トムソン膨張）による冷却効果により、「固＋気
体」域５１を形成する減圧室内でクラスタ／スラッシュ
重水素を生成する。
【００２６】また、前記極低温クラスタ／スラッシュガ
スターゲットの製造装置において、該装置に設けられた
熱絶縁手段は、前記ガス放出用ノズル（パルス電磁弁を
含む）の周囲に設けた熱遮蔽のための７５〜８０Ｋの放
出部輻射シールドと、超臨界生成室の下端とガス放出用
のパルス電磁弁との間のガス導入配管に設けた熱侵入遮
断用断熱ベローと、前記ガス放出用のパルス電磁弁に設
けたサーマルアンカと、より構成するのが良い。
スターゲットの製造装置において、該装置に設けられた
熱絶縁手段は、前記ガス放出用ノズル（パルス電磁弁を
含む）の周囲に設けた熱遮蔽のための７５〜８０Ｋの放
出部輻射シールドと、超臨界生成室の下端とガス放出用
のパルス電磁弁との間のガス導入配管に設けた熱侵入遮
断用断熱ベローと、前記ガス放出用のパルス電磁弁に設
けたサーマルアンカと、より構成するのが良い。
【００２７】また、前記極低温クラスタ／スラッシュガ
スターゲットの製造装置において、該装置に設けた熱遮
蔽は、前記放出部輻射シールドに加え、パルス電磁弁及
びガス導入配管の周りに設けた多層断熱層よりなるスー
パインシュレーションよりなる構成が良い。
スターゲットの製造装置において、該装置に設けた熱遮
蔽は、前記放出部輻射シールドに加え、パルス電磁弁及
びガス導入配管の周りに設けた多層断熱層よりなるスー
パインシュレーションよりなる構成が良い。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を例示的に説明する。但しこの実施の形態に説
明されている構造部品の寸法、材質、形状、相対位置な
どは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲を
それのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎ
ない。図１は本発明の極低温クラスタ／スラッシュガス
ターゲットの製造装置の概略構成を示す断面図で、図２
は図１の極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの
製造装置を組み込んだガスジェットシステム図である。
施の形態を例示的に説明する。但しこの実施の形態に説
明されている構造部品の寸法、材質、形状、相対位置な
どは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲を
それのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎ
ない。図１は本発明の極低温クラスタ／スラッシュガス
ターゲットの製造装置の概略構成を示す断面図で、図２
は図１の極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの
製造装置を組み込んだガスジェットシステム図である。
【００２９】図１に見るように、本発明の極低温クラス
タ／スラッシュガスターゲットの製造装置は、超臨界ガ
スを生成する超臨界生成室１２と超臨界状態を形成する
ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１等を備えた上部構造物
１０と、形成された超臨界ガスよりスラッシュガスを生
成するスラッシュガス生成用の減圧室２０と、前記上部
構造物１０とスラッシュガス生成用の減圧室２０との間
に設けられた熱絶縁手段１６とより構成する。
タ／スラッシュガスターゲットの製造装置は、超臨界ガ
スを生成する超臨界生成室１２と超臨界状態を形成する
ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１等を備えた上部構造物
１０と、形成された超臨界ガスよりスラッシュガスを生
成するスラッシュガス生成用の減圧室２０と、前記上部
構造物１０とスラッシュガス生成用の減圧室２０との間
に設けられた熱絶縁手段１６とより構成する。
【００３０】前記上部構造物１０は、超臨界生成室１２
と、超臨界ガスをスラッシュガス生成用の減圧室へ放出
するノズル付きパルス電磁弁１３と、前記超臨界生成室
に超臨界状態を形成するＧＭ冷凍機のディスプレーサ１
１とよりなる。上記ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１
は、超臨界生成室１２を囲繞する輻射シールド１５と、
該輻射シールド１５の外側に設けた真空断熱容器１４
と、前記輻射シールド１５に連設する高温側ヘッド１１
ａ（８０Ｋ）と、前記超臨界生成室１２の上部に連設す
る低温側ヘッド１１ｂ（２０Ｋ）とを備える構成とす
る。
と、超臨界ガスをスラッシュガス生成用の減圧室へ放出
するノズル付きパルス電磁弁１３と、前記超臨界生成室
に超臨界状態を形成するＧＭ冷凍機のディスプレーサ１
１とよりなる。上記ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１
は、超臨界生成室１２を囲繞する輻射シールド１５と、
該輻射シールド１５の外側に設けた真空断熱容器１４
と、前記輻射シールド１５に連設する高温側ヘッド１１
ａ（８０Ｋ）と、前記超臨界生成室１２の上部に連設す
る低温側ヘッド１１ｂ（２０Ｋ）とを備える構成とす
る。
【００３１】前記スラッシュガス生成用の減圧室２０
は、前記上部構造物１０の下部に設けた円筒状真空容器
よりなり、その側面に円筒軸芯に直角に卓上用レーザの
レーザビーム照射口２１（監視窓も兼用）を設ける構成
にしてある。
は、前記上部構造物１０の下部に設けた円筒状真空容器
よりなり、その側面に円筒軸芯に直角に卓上用レーザの
レーザビーム照射口２１（監視窓も兼用）を設ける構成
にしてある。
【００３２】前記熱絶縁手段１６は、外部常温部位及び
上部構造体１０との間の熱絶縁を行うもので、前記パル
ス電磁弁１３と前記超臨界生成室１２の下部とを接続す
る導入配管１３ａを支持する盤状ＦＲＰサポート１７
と、該サポート１７と上部構造物１０の下部フランジと
に設けた液体窒素による放出部輻射シールド１６ａ（８
０Ｋ）と、前記導入配管１３ａに設けた断熱ベロー１６
ｂと、パルス電磁弁１３に設けたサーマルアンカ１６ｃ
とより構成する。なお、前記サーマルアンカ１６ｃは熱
容量の大きい電磁弁の急速冷却のために前記導入配管の
低温部位より冷熱を導入するようにしたものである。
上部構造体１０との間の熱絶縁を行うもので、前記パル
ス電磁弁１３と前記超臨界生成室１２の下部とを接続す
る導入配管１３ａを支持する盤状ＦＲＰサポート１７
と、該サポート１７と上部構造物１０の下部フランジと
に設けた液体窒素による放出部輻射シールド１６ａ（８
０Ｋ）と、前記導入配管１３ａに設けた断熱ベロー１６
ｂと、パルス電磁弁１３に設けたサーマルアンカ１６ｃ
とより構成する。なお、前記サーマルアンカ１６ｃは熱
容量の大きい電磁弁の急速冷却のために前記導入配管の
低温部位より冷熱を導入するようにしたものである。
【００３３】なお、前記熱絶縁手段１６とは別に前記パ
ルス電磁弁１３と超臨界生成室１２との間を結ぶ導入配
管１３ａとの間に図示していない多段断熱層よりなるス
ーパインシュレーションを設けてある。また、温度可変
操作には、前記ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１の低温
側ヘッド１１ｂと超臨界生成室１２との間に設けられた
ヒータにより、超臨界生成室のガス温度が所定温度に到
達した後はガスが固化しないように温度調整を行うよう
にしてある。
ルス電磁弁１３と超臨界生成室１２との間を結ぶ導入配
管１３ａとの間に図示していない多段断熱層よりなるス
ーパインシュレーションを設けてある。また、温度可変
操作には、前記ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１の低温
側ヘッド１１ｂと超臨界生成室１２との間に設けられた
ヒータにより、超臨界生成室のガス温度が所定温度に到
達した後はガスが固化しないように温度調整を行うよう
にしてある。
【００３４】図２は、図１の極低温クラスタ／スラッシ
ュガスターゲットの製造装置を組み込んだガスジェット
システム図である。図１、図２に見るように、本システ
ムは、ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１を含む上部構造
物１０と、該構造物に熱絶縁手段を介してその下部に連
設したレーザビーム照射口を備えたスラッシュガス生成
用の減圧室２０とよりなる本体装置に、スラッシュガス
生成用のガスを送出する高圧ガスボンベ２２と、真空排
気用の真空ポンプ２３ａ、２３ｂと、輻射シールド用寒
剤供給源である液体窒素デュワ２４と、ＧＭ冷凍機のＨ
ｅコンプレッサ１８とより構成する。
ュガスターゲットの製造装置を組み込んだガスジェット
システム図である。図１、図２に見るように、本システ
ムは、ＧＭ冷凍機のディスプレーサ１１を含む上部構造
物１０と、該構造物に熱絶縁手段を介してその下部に連
設したレーザビーム照射口を備えたスラッシュガス生成
用の減圧室２０とよりなる本体装置に、スラッシュガス
生成用のガスを送出する高圧ガスボンベ２２と、真空排
気用の真空ポンプ２３ａ、２３ｂと、輻射シールド用寒
剤供給源である液体窒素デュワ２４と、ＧＭ冷凍機のＨ
ｅコンプレッサ１８とより構成する。
【００３５】上記構成により、フェムト秒電子ビームま
たはフェムト秒中性子ビーム用スラッシュガスターゲッ
トの生成の場合は、高圧ガスボンベ２２より真空ポンプ
２３ａで真空排気した系内へガスを導入置換し、ついで
輻射シールド１５に液体窒素を流し、ついで、図示しな
い減圧弁で圧力調整をして任意の圧力（０〜８０ａｔ
ｍ）を設定するとともに、ＧＭ冷凍機のディスプレーサ
１１の低温側ヘッド１１ｂで冷却されている超臨界生成
室１２へ導入し、臨界温度以下に冷却する。ついで、ス
ラッシュガス生成用の減圧室２０を真空ポンプ２３ｂで
真空排気をし、所定の三重点圧力以下に減圧する。上記
超臨界生成室１２で超臨界状態になった超臨界ガスは下
部に取り付けたパルス電磁弁１３を介してスラッシュガ
ス発生用の減圧室２０へ断熱自由膨張させて固液二相の
スラッシュ状クラスタよりなるスラッシュガスターゲッ
トを生成させ、ついでレーザビーム照射口２１よりレー
ザビームの照射がなされる。
たはフェムト秒中性子ビーム用スラッシュガスターゲッ
トの生成の場合は、高圧ガスボンベ２２より真空ポンプ
２３ａで真空排気した系内へガスを導入置換し、ついで
輻射シールド１５に液体窒素を流し、ついで、図示しな
い減圧弁で圧力調整をして任意の圧力（０〜８０ａｔ
ｍ）を設定するとともに、ＧＭ冷凍機のディスプレーサ
１１の低温側ヘッド１１ｂで冷却されている超臨界生成
室１２へ導入し、臨界温度以下に冷却する。ついで、ス
ラッシュガス生成用の減圧室２０を真空ポンプ２３ｂで
真空排気をし、所定の三重点圧力以下に減圧する。上記
超臨界生成室１２で超臨界状態になった超臨界ガスは下
部に取り付けたパルス電磁弁１３を介してスラッシュガ
ス発生用の減圧室２０へ断熱自由膨張させて固液二相の
スラッシュ状クラスタよりなるスラッシュガスターゲッ
トを生成させ、ついでレーザビーム照射口２１よりレー
ザビームの照射がなされる。
【００３６】前記スラッシュガスターゲットにより形成
される密度は、重水素の場合８６．６７ｋｇ／ｍ３の値
が得られ、従来の重水素・ミストをターゲットとした場
合の密度０．１２５ｋｇ／ｍ３に比較し格段の差があ
り、そのためレーザビームの照射により、フェムト秒電
子ビームやフェムト秒中性子ビームは高品質のものが得
られ、これまで速すぎて可視化出来なかった原子・分子
・電子の動画像化ができるとともに、カスケード照射損
傷のその場観察が可能となる。
される密度は、重水素の場合８６．６７ｋｇ／ｍ３の値
が得られ、従来の重水素・ミストをターゲットとした場
合の密度０．１２５ｋｇ／ｍ３に比較し格段の差があ
り、そのためレーザビームの照射により、フェムト秒電
子ビームやフェムト秒中性子ビームは高品質のものが得
られ、これまで速すぎて可視化出来なかった原子・分子
・電子の動画像化ができるとともに、カスケード照射損
傷のその場観察が可能となる。
【００３７】
【発明の効果】本発明は、上記構成により下記効果を奏
する。スラッシュガスの生成に際して、超臨界ガスの形
成より断熱自由膨張を介して行うことにより、固液二相
のスラッシュ状流体を得る構成としたため、高密度の球
状クラスタ状ターゲットを得ることが出来、上記ターゲ
ットにより高品質のフェムト秒電子ビームやフェムト秒
量子ビームを得ることができ、従来速すぎて可視不可能
であった物理・化学現象の観察が期待出来る。
する。スラッシュガスの生成に際して、超臨界ガスの形
成より断熱自由膨張を介して行うことにより、固液二相
のスラッシュ状流体を得る構成としたため、高密度の球
状クラスタ状ターゲットを得ることが出来、上記ターゲ
ットにより高品質のフェムト秒電子ビームやフェムト秒
量子ビームを得ることができ、従来速すぎて可視不可能
であった物理・化学現象の観察が期待出来る。
【図１】 本発明の極低温クラスタ／スラッシュガスタ
ーゲットの製造装置の概略構成を示す断面図である。
ーゲットの製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】 図１の極低温クラスタ／スラッシュガスター
ゲットの製造装置を組み込んだガスジェットシステムの
系統図である。
ゲットの製造装置を組み込んだガスジェットシステムの
系統図である。
【図３】 本発明の極低温スラッシュガス生成の際、超
臨界ガスがパルス電磁弁を介してスラッシュガス生成用
減圧室への断熱自由膨張を行う過程での固液二相スラッ
シュ状態で排出する状況を示す図である。
臨界ガスがパルス電磁弁を介してスラッシュガス生成用
減圧室への断熱自由膨張を行う過程での固液二相スラッ
シュ状態で排出する状況を示す図である。
１０ 上部構造物
１１ ＧＭ冷凍機のディスプレーサ
１１ａ 高温側ヘッド
１１ｂ 低温側ヘッド
１２ 超臨界生成室
１３ パルス電磁弁
１３ａ 導入配管
１４ 真空断熱容器
１５ 輻射シールド
１６ 熱絶縁手段
１６ａ 放出部輻射シールド
１６ｂ 断熱ベロー
１６ｃ サーマルアンカ
１７ 盤状ＦＲＰサポート
１８ Ｈｅコンプレッサ
２０ スラッシュガス生成用の減圧室
２１ レーザビーム照射口
２２ 高圧ガスボンベ
２３ａ、２３ｂ 真空ポンプ
２４ 液体窒素デュワ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１５年５月９日（２００３．５．９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みなされたもので、１２ＴＷ、５０ｆｓ卓上レーザ
システムより、フェムト秒レーザビーム（１２ＴＷ、５
０ｆｓ）をターゲットに打ち込み、上記航跡場砕破に誘
起されるフェムト秒電子ビームの効率的発生と、または
前記レーザビームの打ち込みにより発生したＤ＋Ｄ核融
合反応を介してのフェムト秒中性子ビームの効率的発生
を可能とすべく、ターゲット部材の密度向上を図った、
極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法
とその装置の提供を目的とするものである。なお、本発
明の一部は、文部科学省委託事業の「小型加速器実証制
作・普及事業」によるものである。
に鑑みなされたもので、１２ＴＷ、５０ｆｓ卓上レーザ
システムより、フェムト秒レーザビーム（１２ＴＷ、５
０ｆｓ）をターゲットに打ち込み、上記航跡場砕破に誘
起されるフェムト秒電子ビームの効率的発生と、または
前記レーザビームの打ち込みにより発生したＤ＋Ｄ核融
合反応を介してのフェムト秒中性子ビームの効率的発生
を可能とすべく、ターゲット部材の密度向上を図った、
極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方法
とその装置の提供を目的とするものである。なお、本発
明の一部は、文部科学省委託事業の「小型加速器実証制
作・普及事業」によるものである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 柳 秀治
東京都江東区牡丹２丁目13番１号 株式会
社前川製作所内
(72)発明者 野口 雅人
東京都江東区牡丹２丁目13番１号 株式会
社前川製作所内
(72)発明者 上坂 充
茨城県那珂郡東海村白方91 やよい宿舎
403
Claims (12)
- 【請求項１】 レーザプラズマカソード方式によるフェ
ムト秒電子ビームの効率的発生を可能とするスラッシュ
ガスターゲットの生成方法であって、 超臨界生成室に充填したガスを超臨界状態に加圧冷却
し、ついで前記超臨界ガスを弁を介して前記ガスの三重
点圧力以下の減圧室へ放出させ、極低温の固液二相スラ
リ状流体よりなるターゲットを形成したことを特徴とす
る極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方
法。 - 【請求項２】 重水素Ｄ＋Ｄ反応を使用したフェムト秒
中性子ビームの効率的発生を可能とするスラッシュガス
ターゲットの生成方法であって、 超臨界生成室に充填した重水素を超臨界状態に加圧冷却
し、ついで前記超臨界状態の重水素を弁を介して前記ガ
スの三重点圧力以下の減圧室へ放出させ、極低温の固液
二相重水素流体よりなるターゲットを形成したことを特
徴とする極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの
製造方法。 - 【請求項３】 前記減圧室への放出は断熱自由膨張によ
り行うようにしたことを特徴とする請求項１、若しくは
請求項２記載の極低温クラスタ／スラッシュガスターゲ
ットの製造方法。 - 【請求項４】 前記ガスは、Ａｒ、またはＮ２、または
Ｈ２、またはＤ２であることを特徴とする請求項１記載
の極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造方
法。 - 【請求項５】 ガス供給源よりガスの供給を受けて、フ
ェムト秒極短ビーム発生用のスラッシュガスターゲット
の生成装置において、 供給されたガスを冷却して超臨界状態にする超臨界生成
室と、その下部に設けた臨界ガス放出用の弁と、超臨界
状態を形成する低温恒温装置とよりなる上部構造体と、 該上部構造体の下端に熱絶縁手段を介して設けたスラッ
シュガスを生成する減圧室と、前記熱絶縁手段と、前記
減圧室の周囲に設けた熱遮蔽手段とより構成したことを
特徴とする極低温クラスタ／スラッシュガスターゲット
の製造装置。 - 【請求項６】 前記ガス放出用の弁はノズル付きパルス
電磁弁よりなり、放出ガスを断熱自由膨張させる構成と
したことを特徴とする請求項５記載の極低温クラスタ／
スラッシュガスターゲットの製造装置。 - 【請求項７】 前記低温恒温装置は、真空断熱容器と冷
熱源よりなり、温度可変型のクライオスタットを介し
て、圧力（０〜８０ａｔｍ）、温度（２０〜１５０Ｋ）
に加圧冷却保持する構成としたことを特徴とする請求項
５記載の極低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの
製造装置。 - 【請求項８】 前記真空断熱容器は、前記超臨界生成室
を囲繞し外部から熱輻射を断つ輻射シールドを設け、該
輻射シールドと上部構造体の外筒の間に設けた真空層
と、より構成したことを特徴とする請求項７記載の極低
温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造装置。 - 【請求項９】 前記減圧室は、前記ガスの三重点圧力以
下の圧力で構成したことを特徴とする請求項５記載の極
低温クラスタ／スラッシュガスターゲットの製造装置。 - 【請求項１０】 前記熱絶縁手段は、前記ガス放出用の
パルス電磁弁の周囲に設けた熱遮蔽のための７５〜８０
Ｋの放出部輻射シールドと、 前記超臨界生成室の下端とガス放出用のパルス電磁弁と
の間を接続するガス導入配管に設けた断熱ベローと、前
記パルス電磁弁に設けたサーマルアンカと、より構成し
たことを特徴とする請求項５記載の極低温クラスタ／ス
ラッシュガスターゲットの製造装置。 - 【請求項１１】 前記熱遮蔽は、前記放出部輻射シール
ドに加え、パルス電磁弁及びガス導入配管の周りに設け
た多層断熱層よりなるスーパインシュレーションを設け
たことを特徴とする請求項５記載の極低温クラスタ／ス
ラッシュガスターゲットの製造装置。 - 【請求項１２】 前記請求項１に記載したターゲットが
数ｎｍから数μｍまでのターゲットであることを特徴と
する請求項１記載の極低温クラスタ／スラッシュガスタ
ーゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143821A JP3879990B2 (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | スラッシュガスターゲットの製造方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003337200A true JP2003337200A (ja) | 2003-11-28 |
| JP3879990B2 JP3879990B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=29703703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002143821A Expired - Lifetime JP3879990B2 (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | スラッシュガスターゲットの製造方法とその装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3879990B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051338A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線発生装置及び放射線発生方法 |
| JP2013105559A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Osaka Univ | 電子源、電子ビームパルス出射装置および電子顕微鏡 |
| CN107148652A (zh) * | 2014-09-16 | 2017-09-08 | 阿格尼能源有限公司 | 阿尔文波旋转式非线性惯性约束反应堆 |
| JP2022516049A (ja) * | 2018-12-29 | 2022-02-24 | レイキャン テクノロジー シーオー．， エルティーディー． （スーチョウ） | 軟ｘ線光源 |
| CN116060627A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-05-05 | 天津大学 | 一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08278400A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Rigaku Corp | 冷却装置 |
| JPH11176595A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電子加速装置 |
| JPH11510855A (ja) * | 1995-08-04 | 1999-09-21 | マイクロコーティング テクノロジーズ | 超臨界付近および超臨界の流体溶液の溶射を用いた化学蒸着および粉体形成 |
| JP2001015323A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | ヘリウム循環冷却装置 |
| JP2001349991A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 中性子減速材循環装置 |
| JP2002014061A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 欠陥評価装置および方法 |
| JP2002107499A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 高エネルギー粒子の発生方法およびこれを利用した放射化分析方法と、高エネルギー粒子発生装置および放射化分析装置 |
| JP2002107494A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 核反応の誘起方法および核反応誘起装置 |
| JP2002514740A (ja) * | 1998-05-06 | 2002-05-21 | アメリカン テクノロジーズ グループ インコーポレイテッド | 中性子及び他の粒子の生成方法及び装置 |
| JP2004507873A (ja) * | 2000-08-31 | 2004-03-11 | パワーレイズ・リミテッド | レーザ発生されたプラズマを使用する電磁放射発生 |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002143821A patent/JP3879990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08278400A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Rigaku Corp | 冷却装置 |
| JPH11510855A (ja) * | 1995-08-04 | 1999-09-21 | マイクロコーティング テクノロジーズ | 超臨界付近および超臨界の流体溶液の溶射を用いた化学蒸着および粉体形成 |
| JPH11176595A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電子加速装置 |
| JP2002514740A (ja) * | 1998-05-06 | 2002-05-21 | アメリカン テクノロジーズ グループ インコーポレイテッド | 中性子及び他の粒子の生成方法及び装置 |
| JP2001015323A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | ヘリウム循環冷却装置 |
| JP2001349991A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 中性子減速材循環装置 |
| JP2002014061A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 欠陥評価装置および方法 |
| JP2004507873A (ja) * | 2000-08-31 | 2004-03-11 | パワーレイズ・リミテッド | レーザ発生されたプラズマを使用する電磁放射発生 |
| JP2002107499A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 高エネルギー粒子の発生方法およびこれを利用した放射化分析方法と、高エネルギー粒子発生装置および放射化分析装置 |
| JP2002107494A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 核反応の誘起方法および核反応誘起装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051338A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線発生装置及び放射線発生方法 |
| US9953729B2 (en) | 2011-10-06 | 2018-04-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation generating apparatus and radiation generating method |
| JP2013105559A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Osaka Univ | 電子源、電子ビームパルス出射装置および電子顕微鏡 |
| CN107148652A (zh) * | 2014-09-16 | 2017-09-08 | 阿格尼能源有限公司 | 阿尔文波旋转式非线性惯性约束反应堆 |
| US10636538B2 (en) | 2014-09-16 | 2020-04-28 | Agni Energy, Inc. | Alf{acute over (v)}en-wave gyrating non-linear inertial-confinement reactor |
| JP2022516049A (ja) * | 2018-12-29 | 2022-02-24 | レイキャン テクノロジー シーオー．， エルティーディー． （スーチョウ） | 軟ｘ線光源 |
| JP7193182B2 (ja) | 2018-12-29 | 2022-12-20 | レイキャン テクノロジー シーオー．， エルティーディー． （スーチョウ） | 軟ｘ線光源 |
| CN116060627A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-05-05 | 天津大学 | 一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源 |
| CN116060627B (zh) * | 2023-01-09 | 2024-06-04 | 天津大学 | 一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源 |
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