JPH1145406A - 書き込み条件設定方法及びディスク装置 - Google Patents
書き込み条件設定方法及びディスク装置Info
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- JPH1145406A JPH1145406A JP10139799A JP13979998A JPH1145406A JP H1145406 A JPH1145406 A JP H1145406A JP 10139799 A JP10139799 A JP 10139799A JP 13979998 A JP13979998 A JP 13979998A JP H1145406 A JPH1145406 A JP H1145406A
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- G11B19/04—Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
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- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
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- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
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- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
- G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
- G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
- G11B5/5526—Control therefor; circuits, track configurations or relative disposition of servo-information transducers and servo-information tracks for control thereof
- G11B5/553—Details
- G11B5/5534—Initialisation, calibration, e.g. cylinder "set-up"
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- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は書き込み条件設定方法及びディスク
装置に関し、個々のディスク装置に対して、温度に依存
するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可
能とすることを目的とする。 【解決手段】 ディスクのトラックにデータを書き込む
のに先立って、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マー
ジン、オフセットマージン及びオントラック精度マージ
ンのうち少なくとも１つのマージンをヘッドに対して複
数の温度毎に測定する測定ステップと、温度に依存する
パラメータを考慮した上で、前記少なくとも１つのマー
ジンが最大となるようにヘッドに印加する書き込み電流
及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み
条件を複数の温度毎に可変設定する設定ステップとを含
むように構成する。
装置に関し、個々のディスク装置に対して、温度に依存
するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可
能とすることを目的とする。 【解決手段】 ディスクのトラックにデータを書き込む
のに先立って、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マー
ジン、オフセットマージン及びオントラック精度マージ
ンのうち少なくとも１つのマージンをヘッドに対して複
数の温度毎に測定する測定ステップと、温度に依存する
パラメータを考慮した上で、前記少なくとも１つのマー
ジンが最大となるようにヘッドに印加する書き込み電流
及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み
条件を複数の温度毎に可変設定する設定ステップとを含
むように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き込み条件設定方
法及びディスク装置に係り、特に磁気ディスクにデータ
を書き込む際にヘッドに印加する書き込み電流及びオフ
トラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設
定する書き込み条件設定方法及びこのような書き込み条
件設定方法を採用するディスク装置に関する。
法及びディスク装置に係り、特に磁気ディスクにデータ
を書き込む際にヘッドに印加する書き込み電流及びオフ
トラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設
定する書き込み条件設定方法及びこのような書き込み条
件設定方法を採用するディスク装置に関する。
【０００２】近年、コンピュータシステムの高速化及び
高性能化に伴い、大量のデータを取り扱う頻度が増加し
ている。このため、補助記憶装置等としても使用される
磁気ディスク装置に対しても、高速化、大容量化及び高
性能化が要求されている。磁気ディスク装置を大容量化
するために、ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）
やＢＰＩ（Ｂｉｔ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）を増加させて、
面密度（ＢＰＳＩ：Ｂｉｔ Ｐｅｒ Ｓｑｕａｒｅ Ｉ
ｎｃｈ）を向上する方法が提案されており、リード用ヘ
ッドに磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型（ＭＲ：Ｍ
ａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用する
ことも提案されている。
高性能化に伴い、大量のデータを取り扱う頻度が増加し
ている。このため、補助記憶装置等としても使用される
磁気ディスク装置に対しても、高速化、大容量化及び高
性能化が要求されている。磁気ディスク装置を大容量化
するために、ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）
やＢＰＩ（Ｂｉｔ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）を増加させて、
面密度（ＢＰＳＩ：Ｂｉｔ Ｐｅｒ Ｓｑｕａｒｅ Ｉ
ｎｃｈ）を向上する方法が提案されており、リード用ヘ
ッドに磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型（ＭＲ：Ｍ
ａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用する
ことも提案されている。
【０００３】特に、高ＴＰＩ化に伴い、データを書き込
むトラック間隔が非常に狭くなって来たため、隣接トラ
ック間の磁気的干渉を極力小さくする必要性が生じてい
る。
むトラック間隔が非常に狭くなって来たため、隣接トラ
ック間の磁気的干渉を極力小さくする必要性が生じてい
る。
【０００４】
【従来の技術】従来の磁気ディスク装置では、磁気ディ
スクにデータを書き込む際にヘッドに印加する書き込み
電流を決定する場合、オーバーライト特性及びヘッド出
力レベルの飽和特性に基づいて決定するのが一般的であ
った。磁気ディスク装置では、書き込まれたデータを消
去してからデータを書き込むのではなく、書き込まれた
データの上にデータを重ね書き（オーバーライト）する
のが一般的である。このため、前に書き込まれたデータ
の残存成分が、重ね書きの後にどの程度残っているかを
表すのがオーバーライト特性である。他方、書き込み電
流をパラメータにして、ヘッドの出力レベルが飽和する
最大レベルを表すのがヘッド出力レベルの飽和特性であ
る。
スクにデータを書き込む際にヘッドに印加する書き込み
電流を決定する場合、オーバーライト特性及びヘッド出
力レベルの飽和特性に基づいて決定するのが一般的であ
った。磁気ディスク装置では、書き込まれたデータを消
去してからデータを書き込むのではなく、書き込まれた
データの上にデータを重ね書き（オーバーライト）する
のが一般的である。このため、前に書き込まれたデータ
の残存成分が、重ね書きの後にどの程度残っているかを
表すのがオーバーライト特性である。他方、書き込み電
流をパラメータにして、ヘッドの出力レベルが飽和する
最大レベルを表すのがヘッド出力レベルの飽和特性であ
る。
【０００５】書き込み電流を決定した後、書き込み電流
は、磁気ディスク装置に対して固定的に設定された。と
ころで、高ＴＰＩ化に伴い、ヘッドを取付けられたアク
チュエータを移動してヘッドを所定のトラックに位置決
めする際の位置決め精度誤差、ディスクを回転させるス
ピンドルモータの偏心成分による位置決め変動量（Ｒｕ
ｎ Ｏｕｔ）、書き込みを行うヘッドのコア幅の精度に
依存する書き込みトラック幅のバラツキ（トラックの書
き拡がり）等により、書き込み時の隣接トラックへの磁
気的干渉が顕著に現われるようになってきた。このた
め、ディスクからデータを読み出す際のリードマージン
が減少してきている。
は、磁気ディスク装置に対して固定的に設定された。と
ころで、高ＴＰＩ化に伴い、ヘッドを取付けられたアク
チュエータを移動してヘッドを所定のトラックに位置決
めする際の位置決め精度誤差、ディスクを回転させるス
ピンドルモータの偏心成分による位置決め変動量（Ｒｕ
ｎ Ｏｕｔ）、書き込みを行うヘッドのコア幅の精度に
依存する書き込みトラック幅のバラツキ（トラックの書
き拡がり）等により、書き込み時の隣接トラックへの磁
気的干渉が顕著に現われるようになってきた。このた
め、ディスクからデータを読み出す際のリードマージン
が減少してきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、ヘッドに印加さ
れる書き込み電流は、磁気ディスク装置に拘らず固定さ
れていた。しかし、上記位置決め精度誤差、位置決め変
動量、トラックの書き拡がり等は、部品の製造バラツキ
により、個々の磁気ディスク装置によって多少異なるた
め、必ずしも最適な書き込み電流が設定されないという
問題があった。
れる書き込み電流は、磁気ディスク装置に拘らず固定さ
れていた。しかし、上記位置決め精度誤差、位置決め変
動量、トラックの書き拡がり等は、部品の製造バラツキ
により、個々の磁気ディスク装置によって多少異なるた
め、必ずしも最適な書き込み電流が設定されないという
問題があった。
【０００７】又、上記位置決め精度誤差、位置決め変動
量、トラックの書き拡がり等のパラメータは、磁気ディ
スク装置が使用される環境、特に温度によって変動する
にも拘らず、従来は書き込み電流を設定する際に温度に
依存するパラメータは全く考慮されていないため、使用
環境の最適な書き込み電流が設定されないという問題も
あった。
量、トラックの書き拡がり等のパラメータは、磁気ディ
スク装置が使用される環境、特に温度によって変動する
にも拘らず、従来は書き込み電流を設定する際に温度に
依存するパラメータは全く考慮されていないため、使用
環境の最適な書き込み電流が設定されないという問題も
あった。
【０００８】他方、ヘッドの走査するべきトラックに対
する位置ずれ量の限界値を表すオフトラックスライス
が、磁気ディスク装置に対して固定的に設定されている
と、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラッ
クの書き拡がりのバラツキによっては、ＴＰＩマージン
に対して過剰又は過少なチェックが発生してしまう。こ
のため、ヘッド又はトラック位置によって、実際に使用
されるＴＰＩマージンにバラツキが生じてしまうという
問題もあった。
する位置ずれ量の限界値を表すオフトラックスライス
が、磁気ディスク装置に対して固定的に設定されている
と、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラッ
クの書き拡がりのバラツキによっては、ＴＰＩマージン
に対して過剰又は過少なチェックが発生してしまう。こ
のため、ヘッド又はトラック位置によって、実際に使用
されるＴＰＩマージンにバラツキが生じてしまうという
問題もあった。
【０００９】そこで、本発明は、個々のディスク装置に
対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書
き込み条件を設定可能とすることを目的とする。
対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書
き込み条件を設定可能とすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、請求項１
記載の、ディスクのトラックにデータを書き込むのに先
立って、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージン、
オフセットマージン及びオントラック精度マージンのう
ち少なくとも１つのマージンをヘッドに対して複数の温
度毎に測定する測定ステップと、温度に依存するパラメ
ータに基づいて、該少なくとも１つのマージンが最大と
なるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフト
ラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数
の温度毎に可変設定する設定ステップとを含む書き込み
条件設定方法によって達成される。
記載の、ディスクのトラックにデータを書き込むのに先
立って、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージン、
オフセットマージン及びオントラック精度マージンのう
ち少なくとも１つのマージンをヘッドに対して複数の温
度毎に測定する測定ステップと、温度に依存するパラメ
ータに基づいて、該少なくとも１つのマージンが最大と
なるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフト
ラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数
の温度毎に可変設定する設定ステップとを含む書き込み
条件設定方法によって達成される。
【００１１】請求項２記載の発明では、請求項１におい
て、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ず
れ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するア
ラーム発生ステップを更に含む。請求項３記載の発明で
は、請求項２において、前記アラーム発生ステップは、
限界値を前記少なくとも１つのマージンから求める。
て、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ず
れ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するア
ラーム発生ステップを更に含む。請求項３記載の発明で
は、請求項２において、前記アラーム発生ステップは、
限界値を前記少なくとも１つのマージンから求める。
【００１２】請求項４記載の発明では、請求項２又は３
において、前記限界値を、前記少なくとも１つのマージ
ンに基づいて更新する更新ステップを更に含む。請求項
５記載の発明では、請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記測定ステップ及び前記設定ステップを、任意のタイ
ミングで行う。請求項６記載の発明では、請求項１〜５
のいずれかにおいて、前記測定ステップは、可変設定し
た書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも
一方を記憶し更新する。
において、前記限界値を、前記少なくとも１つのマージ
ンに基づいて更新する更新ステップを更に含む。請求項
５記載の発明では、請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記測定ステップ及び前記設定ステップを、任意のタイ
ミングで行う。請求項６記載の発明では、請求項１〜５
のいずれかにおいて、前記測定ステップは、可変設定し
た書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも
一方を記憶し更新する。
【００１３】請求項７記載の発明では、請求項１〜６の
いずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステ
ップは、複数設けられたヘッドの各々に対して独立に行
う。請求項８記載の発明では、請求項１〜７のいずれか
において、前記測定ステップ及び前記設定ステップは、
複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に
行う。
いずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステ
ップは、複数設けられたヘッドの各々に対して独立に行
う。請求項８記載の発明では、請求項１〜７のいずれか
において、前記測定ステップ及び前記設定ステップは、
複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に
行う。
【００１４】請求項９記載の発明では、請求項１〜８の
いずれかにおいて、前記設定ステップは、２以上のマー
ジンが最大となるように前記書き込み電流及びオフトラ
ックスライスの少なくとも一方を可変設定する。請求項
１０記載の発明では、請求項１〜９のいずれかにおい
て、前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤
差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少
なくとも１つのパラメータである。
いずれかにおいて、前記設定ステップは、２以上のマー
ジンが最大となるように前記書き込み電流及びオフトラ
ックスライスの少なくとも一方を可変設定する。請求項
１０記載の発明では、請求項１〜９のいずれかにおい
て、前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤
差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少
なくとも１つのパラメータである。
【００１５】上記の課題は、請求項１１記載の、ディス
クのトラックにデータを書き込み読み出すヘッドと、該
ディスクに前記ヘッドでデータを書き込むのに先立っ
て、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージン、オフ
セットマージン及びオントラック精度マージンのうち少
なくとも１つのマージンを該ヘッドに対して複数の温度
毎に測定する測定手段と、温度に依存するパラメータに
基づいて、該少なくとも１つのマージンが最大となるよ
うに該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラック
スライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度
毎に可変設定する設定手段とを備えたディスク装置によ
っても達成される。
クのトラックにデータを書き込み読み出すヘッドと、該
ディスクに前記ヘッドでデータを書き込むのに先立っ
て、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージン、オフ
セットマージン及びオントラック精度マージンのうち少
なくとも１つのマージンを該ヘッドに対して複数の温度
毎に測定する測定手段と、温度に依存するパラメータに
基づいて、該少なくとも１つのマージンが最大となるよ
うに該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラック
スライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度
毎に可変設定する設定手段とを備えたディスク装置によ
っても達成される。
【００１６】請求項１２記載の発明では、請求項１１に
おいて、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位
置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生す
るアラーム発生手段を更に備える。請求項１３記載の発
明では、請求項１２において、前記アラーム発生手段
は、限界値を前記少なくとも１つのマージンから求め
る。
おいて、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位
置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生す
るアラーム発生手段を更に備える。請求項１３記載の発
明では、請求項１２において、前記アラーム発生手段
は、限界値を前記少なくとも１つのマージンから求め
る。
【００１７】請求項１４記載の発明では、請求項１２又
は１３において、前記限界値を、前記少なくとも１つの
マージンに基づいて更新する更新手段を更に備える。請
求項１５記載の発明では、請求項１１〜１４のいずれか
において、前記測定手段及び前記設定手段は、夫々任意
のタイミングでマージンの測定と、書き込み電流及びオ
フトラックスライスの少なくとも一方の可変設定を行
う。
は１３において、前記限界値を、前記少なくとも１つの
マージンに基づいて更新する更新手段を更に備える。請
求項１５記載の発明では、請求項１１〜１４のいずれか
において、前記測定手段及び前記設定手段は、夫々任意
のタイミングでマージンの測定と、書き込み電流及びオ
フトラックスライスの少なくとも一方の可変設定を行
う。
【００１８】請求項１６記載の発明では、請求項１１〜
１５のいずれかにおいて、記憶手段を更に備え、前記測
定手段は、可変設定した書き込み電流及びオフトラック
スライスの少なくとも一方を該記憶手段に記憶し更新す
る。請求項１７記載の発明では、請求項１１〜１６のい
ずれかにおいて、前記ヘッドは複数設けられており、前
記測定手段及び前記設定手段は、該複数のヘッドの各々
に対して独立に行う。
１５のいずれかにおいて、記憶手段を更に備え、前記測
定手段は、可変設定した書き込み電流及びオフトラック
スライスの少なくとも一方を該記憶手段に記憶し更新す
る。請求項１７記載の発明では、請求項１１〜１６のい
ずれかにおいて、前記ヘッドは複数設けられており、前
記測定手段及び前記設定手段は、該複数のヘッドの各々
に対して独立に行う。
【００１９】請求項１８記載の発明では、請求項１１〜
１７のいずれかにおいて、前記測定手段及び前記設定手
段は、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して
独立に行う。請求項１９記載の発明では、請求項１１〜
１８のいずれかにおいて、前記設定手段は、２以上のマ
ージンが最大となるように前記書き込み電流及びオフト
ラックスライスの少なくとも一方を可変設定する。
１７のいずれかにおいて、前記測定手段及び前記設定手
段は、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して
独立に行う。請求項１９記載の発明では、請求項１１〜
１８のいずれかにおいて、前記設定手段は、２以上のマ
ージンが最大となるように前記書き込み電流及びオフト
ラックスライスの少なくとも一方を可変設定する。
【００２０】請求項２０記載の発明では、請求項１１〜
１９のいずれかにおいて、前記温度に依存するパラメー
タは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラック
の書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータであ
る。請求項１及び１１記載の発明によれば、個々のディ
スク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮し
て最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライス
の少なくとも一方の書き込み条件を設定することができ
る。
１９のいずれかにおいて、前記温度に依存するパラメー
タは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラック
の書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータであ
る。請求項１及び１１記載の発明によれば、個々のディ
スク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮し
て最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライス
の少なくとも一方の書き込み条件を設定することができ
る。
【００２１】請求項２〜４及び１２〜１４記載の発明に
よれば、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリカ
バラブルエラー）の発生を防止することができる。請求
項５、６、１５及び１６の発明によれば、温度及び時間
に依存するディスク装置の特性変動を考慮して最適な書
き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくと
も一方を設定することができるので、磁気ディスク装置
内の部品の経時変化にも対応可能である。
よれば、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリカ
バラブルエラー）の発生を防止することができる。請求
項５、６、１５及び１６の発明によれば、温度及び時間
に依存するディスク装置の特性変動を考慮して最適な書
き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくと
も一方を設定することができるので、磁気ディスク装置
内の部品の経時変化にも対応可能である。
【００２２】請求項７、１７及び２１記載の発明によれ
ば、各ヘッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオ
フトラックスライスの少なくとも一方を設定することが
できる。請求項８及び１８記載の発明によれば、ディス
クの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適なオ
フトラックスライスの少なくとも一方を設定することが
できる。
ば、各ヘッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオ
フトラックスライスの少なくとも一方を設定することが
できる。請求項８及び１８記載の発明によれば、ディス
クの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適なオ
フトラックスライスの少なくとも一方を設定することが
できる。
【００２３】請求項９及び１９記載の発明によれば、よ
り最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少な
くとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマ
ネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生をより
確実に防止することができる。請求項１０及び２０記載
の発明によれば、温度に対する位置決め精度誤差、位置
決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも
１つのパラメータに合わせて書き込み電流及びオフトラ
ックスライスの少なくとも一方を最適に設定することが
できる。
り最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少な
くとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマ
ネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生をより
確実に防止することができる。請求項１０及び２０記載
の発明によれば、温度に対する位置決め精度誤差、位置
決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも
１つのパラメータに合わせて書き込み電流及びオフトラ
ックスライスの少なくとも一方を最適に設定することが
できる。
【００２４】従って、本発明によれば、個々のディスク
装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最
適な書き込み条件を設定可能であり、書き込み時の隣接
トラックからの干渉及び隣接トラックへの干渉を防止す
ることができる。
装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最
適な書き込み条件を設定可能であり、書き込み時の隣接
トラックからの干渉及び隣接トラックへの干渉を防止す
ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【００２６】
【実施例】図１は、本発明になるディスク装置の一実施
例を概略構成を示すブロック図である。ディスク装置の
本実施例では、本発明になる書き込み条件設定方法を採
用する。又、ディスク装置の本実施例では、本発明が磁
気ディスク装置に適用されている。
例を概略構成を示すブロック図である。ディスク装置の
本実施例では、本発明になる書き込み条件設定方法を採
用する。又、ディスク装置の本実施例では、本発明が磁
気ディスク装置に適用されている。
【００２７】磁気ディスク装置は、大略図１に示す如く
接続されたヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）１、リ
ード／ライト制御部２、制御部３、メモリ部４、シーケ
ンサ制御部５、マイクロコントローラユニット（ＭＣ
Ｕ）６及びインタフェース制御部７からなる。インタフ
ェース制御部７は、インタフェース８を介してホストコ
ンピュータ９に接続されている。
接続されたヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）１、リ
ード／ライト制御部２、制御部３、メモリ部４、シーケ
ンサ制御部５、マイクロコントローラユニット（ＭＣ
Ｕ）６及びインタフェース制御部７からなる。インタフ
ェース制御部７は、インタフェース８を介してホストコ
ンピュータ９に接続されている。
【００２８】ＨＤＡ１は、ヘッド集積回路（ＩＣ）１
１、アクチュエータ１２、複数のヘッド１３、スピンド
ルモータ１４及び複数の磁気ディスク１５からなる周知
の構成を有する。ヘッドＩＣ１１は、ヘッド１３による
ディスク１５への書き込み（ライト）及びディスク１５
からの読み出し（リード）を制御する。アクチュエータ
１２は、各ヘッド１３の各ディスク１５に対する位置決
めを制御する。スピンドルモータ１４は、各ディスク１
５が取付けられたスピンドルを駆動して各ディスク１５
を回転する。
１、アクチュエータ１２、複数のヘッド１３、スピンド
ルモータ１４及び複数の磁気ディスク１５からなる周知
の構成を有する。ヘッドＩＣ１１は、ヘッド１３による
ディスク１５への書き込み（ライト）及びディスク１５
からの読み出し（リード）を制御する。アクチュエータ
１２は、各ヘッド１３の各ディスク１５に対する位置決
めを制御する。スピンドルモータ１４は、各ディスク１
５が取付けられたスピンドルを駆動して各ディスク１５
を回転する。
【００２９】リード／ライト制御部２は、ＨＤＡ１のデ
ィスク１５に書き込むデータの変調及び書き込み動作
と、ＨＤＡ１のディスク１５から読み出したデータの復
調と読み出し動作とを制御する。制御部３は、シーク動
作の制御等を行うサーボ制御部３ａと、スピンドルモー
タ１４の制御を行うスピンドル制御部３ｂとからなる。
メモリ部４は、バッファメモリとして使用され、各種デ
ータを格納する。
ィスク１５に書き込むデータの変調及び書き込み動作
と、ＨＤＡ１のディスク１５から読み出したデータの復
調と読み出し動作とを制御する。制御部３は、シーク動
作の制御等を行うサーボ制御部３ａと、スピンドルモー
タ１４の制御を行うスピンドル制御部３ｂとからなる。
メモリ部４は、バッファメモリとして使用され、各種デ
ータを格納する。
【００３０】シーケンサ制御部５は、バッファ管理やプ
ロトコル管理等を行い、磁気ディスク装置とホストコン
ピュータ９との間のデータ転送の送受信を制御する。Ｍ
ＣＵ６は、プログラム格納部６ａを含み、各制御部２，
３，５を制御して、磁気ディスク装置全体の制御を行
う。インタフェース制御部７は、インタフェース８を介
してホストコンピュータ９と接続しており、磁気ディス
ク装置とホストコンピュータ９との間のインタフェース
８を制御する。シーケンサ制御部５及びインタフェース
制御部７は、後述するハードディスクコントローラ（Ｈ
ＤＣ）を構成する。ホストコンピュータ９は、ＨＤＡ１
内のディスク１５に書き込むデータを磁気ディスク装置
に入力したり、磁気ディスク１５から読み出されたデー
タに処理を施したりする。
ロトコル管理等を行い、磁気ディスク装置とホストコン
ピュータ９との間のデータ転送の送受信を制御する。Ｍ
ＣＵ６は、プログラム格納部６ａを含み、各制御部２，
３，５を制御して、磁気ディスク装置全体の制御を行
う。インタフェース制御部７は、インタフェース８を介
してホストコンピュータ９と接続しており、磁気ディス
ク装置とホストコンピュータ９との間のインタフェース
８を制御する。シーケンサ制御部５及びインタフェース
制御部７は、後述するハードディスクコントローラ（Ｈ
ＤＣ）を構成する。ホストコンピュータ９は、ＨＤＡ１
内のディスク１５に書き込むデータを磁気ディスク装置
に入力したり、磁気ディスク１５から読み出されたデー
タに処理を施したりする。
【００３１】図２は、ＴＰＩマージンの測定方法を説明
する図である。ＴＰＩマージンとは、データを書き込ま
れた所定トラック（又はシリンダ）の一部が、片側又は
両側の隣接トラックの書き込みにより別のデータを書き
込まれても、リードヘッドが所定トラックに対してオン
トラックして所定トラックからデータを読み取ることが
可能な隣接トラックからのトラックオフセットの限界を
表す。
する図である。ＴＰＩマージンとは、データを書き込ま
れた所定トラック（又はシリンダ）の一部が、片側又は
両側の隣接トラックの書き込みにより別のデータを書き
込まれても、リードヘッドが所定トラックに対してオン
トラックして所定トラックからデータを読み取ることが
可能な隣接トラックからのトラックオフセットの限界を
表す。
【００３２】図２中、トラックＴｎ−１，Ｔｎ，Ｔｎ＋
１はＨＤＡ１内の１つのディスク１５上に形成されてお
り、ヘッド１３がインダクティブヘッド（ライトヘッ
ド）１３ａとＭＲヘッド（リードヘッド）１３ｂからな
るものとする。ヨー（Ｙａｗ）角によるリード損失を考
慮して、ライトヘッド１３ａのライトコア幅Ｃｗは、リ
ードヘッド１３ｂのリードコア幅Ｃｒより大きく設定さ
れている。Ａ，Ｂ，Ｃは、夫々トラックＴｎ−１，Ｔ
ｎ，Ｔｎ＋１の中心（以下、トラックセンタと言う）、
ＤＳは未書き込みスペース（デッドスペース）、ΔＳは
トラック追従精度誤差（オントラック精度）、ΔＸは隣
接トラックからのオフセット量を示す。
１はＨＤＡ１内の１つのディスク１５上に形成されてお
り、ヘッド１３がインダクティブヘッド（ライトヘッ
ド）１３ａとＭＲヘッド（リードヘッド）１３ｂからな
るものとする。ヨー（Ｙａｗ）角によるリード損失を考
慮して、ライトヘッド１３ａのライトコア幅Ｃｗは、リ
ードヘッド１３ｂのリードコア幅Ｃｒより大きく設定さ
れている。Ａ，Ｂ，Ｃは、夫々トラックＴｎ−１，Ｔ
ｎ，Ｔｎ＋１の中心（以下、トラックセンタと言う）、
ＤＳは未書き込みスペース（デッドスペース）、ΔＳは
トラック追従精度誤差（オントラック精度）、ΔＸは隣
接トラックからのオフセット量を示す。
【００３３】オントラック精度は、スピンドルモータ１
４の回転に同期した位置決め変動量（ＲＲＯ：Ｒｅｐｅ
ａｔａｂｌｅ Ｒｕｎ Ｏｕｔ）、スピンドルモータ１
４の回転に非同期の位置決め変動量（ＮＲＲＯ：Ｎｏｎ
−Ｒｅｐｅａｔａｂｌｅ Ｒｕｎ Ｏｕｔ）、コアズレ
補正誤差及びサーボ追従誤差等の成分を含む。ライトコ
ア幅Ｃｗの中心と、リードコア幅Ｃｒの中心とは、ヘッ
ド１３の製造プロセスに起因するバラツキ等により、必
ずしも一致しない。このため、一般には書き込まれたト
ラックを読み取る場合、書き込み時のライトコア幅Ｃｗ
の中心に読み出し時のリードコア幅Ｃｒの中心が一致す
るようにトラッキング補正を行うが、この際に発生する
誤差成分が上記コアズレ補正誤差である。又、サーボ追
従誤差とは、ＭＲヘッド特有な出力振幅の上下非対称性
又はバルクハウゼンノイズによって発生する追従誤差成
分である。
４の回転に同期した位置決め変動量（ＲＲＯ：Ｒｅｐｅ
ａｔａｂｌｅ Ｒｕｎ Ｏｕｔ）、スピンドルモータ１
４の回転に非同期の位置決め変動量（ＮＲＲＯ：Ｎｏｎ
−Ｒｅｐｅａｔａｂｌｅ Ｒｕｎ Ｏｕｔ）、コアズレ
補正誤差及びサーボ追従誤差等の成分を含む。ライトコ
ア幅Ｃｗの中心と、リードコア幅Ｃｒの中心とは、ヘッ
ド１３の製造プロセスに起因するバラツキ等により、必
ずしも一致しない。このため、一般には書き込まれたト
ラックを読み取る場合、書き込み時のライトコア幅Ｃｗ
の中心に読み出し時のリードコア幅Ｃｒの中心が一致す
るようにトラッキング補正を行うが、この際に発生する
誤差成分が上記コアズレ補正誤差である。又、サーボ追
従誤差とは、ＭＲヘッド特有な出力振幅の上下非対称性
又はバルクハウゼンノイズによって発生する追従誤差成
分である。
【００３４】トラックＴｎへの隣接トラックＴｎ−１か
らのオフセット量ΔＸは、次のように求められ、この値
がＴＰＩマージンとなる。つまり、隣接トラックＴｎ−
１のトラックセンタＡからのオフセットして書き込む場
合のオフセット量ＯＳＱは、ＯＳＱ＝ΔＸ＋ΔＳで表さ
れ、トラックＴｎのトラックセンタＢから揺れて読み出
しを行う場合のズレ量ＥはＥ＝Ｃｒ／２＋ΔＳで表され
る。ここで、オフセット量ＯＳＱとズレ量Ｅとが重なっ
ても読み出し可能なオフセット量をαとすると、次式
（１）が成立し、式（１）から式（２）に示すようにオ
フセット量ΔＸを求めることができる。
らのオフセット量ΔＸは、次のように求められ、この値
がＴＰＩマージンとなる。つまり、隣接トラックＴｎ−
１のトラックセンタＡからのオフセットして書き込む場
合のオフセット量ＯＳＱは、ＯＳＱ＝ΔＸ＋ΔＳで表さ
れ、トラックＴｎのトラックセンタＢから揺れて読み出
しを行う場合のズレ量ＥはＥ＝Ｃｒ／２＋ΔＳで表され
る。ここで、オフセット量ＯＳＱとズレ量Ｅとが重なっ
ても読み出し可能なオフセット量をαとすると、次式
（１）が成立し、式（１）から式（２）に示すようにオ
フセット量ΔＸを求めることができる。
【００３５】 （ΔＸ＋ΔＳ）＋（Ｃｒ／２＋ΔＳ）−α＝ＤＳ＋Ｃｗ／２ 式（１） ΔＸ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−２ΔＳ 式（２） 従って、各ヘッド１３のＴＰＩマージンは、ヘッド１３
のライトコア幅Ｃｗとオントラック精度ΔＳに依存する
度合いが大きいことがわかる。又、ライトヘッド１３ａ
による実効的なライトコア幅Ｃｗは、印加される書き込
み電流や環境温度に応じて変化する書き拡がり量によっ
て左右されるため、実際のライトコア幅Ｃｗは、書き込
み電流に依存する。
のライトコア幅Ｃｗとオントラック精度ΔＳに依存する
度合いが大きいことがわかる。又、ライトヘッド１３ａ
による実効的なライトコア幅Ｃｗは、印加される書き込
み電流や環境温度に応じて変化する書き拡がり量によっ
て左右されるため、実際のライトコア幅Ｃｗは、書き込
み電流に依存する。
【００３６】ライトコア幅Ｃｗは、個々のヘッド１３に
よって異なる。又、オントラック精度ΔＳは、追従する
トラックによって異なる。そこで、本実施例では、上記
式（２）で表されるオフセット量ΔＸ、即ち、ＴＰＩマ
ージンの値を求め、ＴＰＩマージンの値が所定値以上と
なるような、書き込み電流を自動的に測定する。又、本
実施例では、求められたＴＰＩマージンより書き込み条
件の測定は、個々のヘッド１３毎及びトラックの追従を
行うディスク１５上の各ゾーン毎に行う。もちろん、全
ヘッド、全トラックの書き込み電流について測定せずに
近似的に求めても良い。
よって異なる。又、オントラック精度ΔＳは、追従する
トラックによって異なる。そこで、本実施例では、上記
式（２）で表されるオフセット量ΔＸ、即ち、ＴＰＩマ
ージンの値を求め、ＴＰＩマージンの値が所定値以上と
なるような、書き込み電流を自動的に測定する。又、本
実施例では、求められたＴＰＩマージンより書き込み条
件の測定は、個々のヘッド１３毎及びトラックの追従を
行うディスク１５上の各ゾーン毎に行う。もちろん、全
ヘッド、全トラックの書き込み電流について測定せずに
近似的に求めても良い。
【００３７】ここで、上記式（１）より、実効的なライ
トコア幅Ｃｗを測ることによりＴＰＩマージンを求めれ
ば、オントラック精度ΔＳが求められる。ＴＰＩマージ
ンが最大となる、即ち、オフセット量ΔＸの限界値が最
大となる時、オントラック精度ΔＳの限界値は最小とな
り、オントラック精度マージンは最大となる。従って、
いずれかのマージンが最大となるように書き込み条件を
設定すれば良い。
トコア幅Ｃｗを測ることによりＴＰＩマージンを求めれ
ば、オントラック精度ΔＳが求められる。ＴＰＩマージ
ンが最大となる、即ち、オフセット量ΔＸの限界値が最
大となる時、オントラック精度ΔＳの限界値は最小とな
り、オントラック精度マージンは最大となる。従って、
いずれかのマージンが最大となるように書き込み条件を
設定すれば良い。
【００３８】書き込み電流の測定及び更新は、磁気ディ
スク装置の製造プロセス中の試験工程、磁気ディスク装
置の出荷時、任意のタイミング、一定時間間隔毎、磁気
ディスク装置の置かれた環境の変化が検出される度、エ
ラー発生時、エラー発生回数が一定値を越えた場合等に
行うことができる。自動測定された書き込み電流の値
は、ヘッド１３毎及びディスク１５のゾーン毎にマップ
化されてテーブル形式でメモリ部４に格納される。図３
は、メモリ部４に格納された書き込み電流値をテーブル
形式で示した一実施例である。ヘッド１３の数（又はヘ
ッド番号）がｎで、ゾーンの数（又はゾーン番号）がｍ
で示されている。例えば、図３中、ヘッド番号が２でゾ
ーン番号が３の場合の書き込み電流は、Ｉ３２である。
スク装置の製造プロセス中の試験工程、磁気ディスク装
置の出荷時、任意のタイミング、一定時間間隔毎、磁気
ディスク装置の置かれた環境の変化が検出される度、エ
ラー発生時、エラー発生回数が一定値を越えた場合等に
行うことができる。自動測定された書き込み電流の値
は、ヘッド１３毎及びディスク１５のゾーン毎にマップ
化されてテーブル形式でメモリ部４に格納される。図３
は、メモリ部４に格納された書き込み電流値をテーブル
形式で示した一実施例である。ヘッド１３の数（又はヘ
ッド番号）がｎで、ゾーンの数（又はゾーン番号）がｍ
で示されている。例えば、図３中、ヘッド番号が２でゾ
ーン番号が３の場合の書き込み電流は、Ｉ３２である。
【００３９】図３に示すテーブルの内容は、温度測定に
よる温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミング
で、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行う
ことで更新可能である。調整シリンダとしては未使用の
データ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリ
ンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使
用することができる。
よる温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミング
で、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行う
ことで更新可能である。調整シリンダとしては未使用の
データ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリ
ンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使
用することができる。
【００４０】また、図３に示すテーブルを複数の温度毎
に、例えば０℃，２５℃，５０℃についての測定結果に
対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時にお
けるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、書
き込み電流を最適な値に設定してライトを行うことが可
能になる。なお、０〜２５℃の間、２５〜５０℃の間等
の細かな温度変化に対しては、３つの温度のテーブルを
使用して計算により求めて、その計算値を最適な値とし
て、ライト時に書き込み電流を設定することも可能であ
る。
に、例えば０℃，２５℃，５０℃についての測定結果に
対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時にお
けるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、書
き込み電流を最適な値に設定してライトを行うことが可
能になる。なお、０〜２５℃の間、２５〜５０℃の間等
の細かな温度変化に対しては、３つの温度のテーブルを
使用して計算により求めて、その計算値を最適な値とし
て、ライト時に書き込み電流を設定することも可能であ
る。
【００４１】キャリブレーションは時間がかかる為ホス
トからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環
境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが
発生しない限り行えない場合がある。このようにキャリ
ブレーションが行えない場合は、メモリ部４に装置出荷
時に予め格納された温度に対する書き拡がり量を示す温
度補正特性を示す図４を使用する。図４中、縦軸は書き
拡がり量γ（μｍ）を示し、横軸は温度（℃）で示す。
トからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環
境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが
発生しない限り行えない場合がある。このようにキャリ
ブレーションが行えない場合は、メモリ部４に装置出荷
時に予め格納された温度に対する書き拡がり量を示す温
度補正特性を示す図４を使用する。図４中、縦軸は書き
拡がり量γ（μｍ）を示し、横軸は温度（℃）で示す。
【００４２】従って、温度測定による所定温度タイミン
グや、概略の温度変化に対応する所定時間タイミング
で、もしくはライトコマンド受信時に温度や経過時間を
測定して、図４から対応する書き拡がり量を求めること
ができる。そして、求めた書き拡がり量を用いてＴＰＩ
マージンに対する温度補正を行うことができる。具体的
には、例えば書き込み電流が２５℃で調整されている場
合、高温の５０℃を想定して書き拡がり量γをライトコ
ア幅Ｃｗに加算しても、高温時での充分なＴＰＩマージ
ンが確保できるように書き込み電流を設定する。つま
り、ΔＸ−（ｂ−ａ）の値が所定値以上となる書き込み
電流を、上記図３に示す温度毎の書き込み電流値のテー
ブルに、ヘッド毎及びゾーン毎に設定すれば良い。
グや、概略の温度変化に対応する所定時間タイミング
で、もしくはライトコマンド受信時に温度や経過時間を
測定して、図４から対応する書き拡がり量を求めること
ができる。そして、求めた書き拡がり量を用いてＴＰＩ
マージンに対する温度補正を行うことができる。具体的
には、例えば書き込み電流が２５℃で調整されている場
合、高温の５０℃を想定して書き拡がり量γをライトコ
ア幅Ｃｗに加算しても、高温時での充分なＴＰＩマージ
ンが確保できるように書き込み電流を設定する。つま
り、ΔＸ−（ｂ−ａ）の値が所定値以上となる書き込み
電流を、上記図３に示す温度毎の書き込み電流値のテー
ブルに、ヘッド毎及びゾーン毎に設定すれば良い。
【００４３】上記図４の温度補正特性を使用した温度補
正は、勿論キャリブレーションが行われる場合に行って
も良いことは言うまでもない。次に、オフトラックスラ
イスの設定方法について説明する。オフトラックスライ
スとは、ヘッド１３の走査するべきトラックに対する位
置ずれ量の限界値を表す。トラックＴｎに対し、隣接ト
ラックＴｎ−１のトラックセンタＡからオフセットして
書き込む場合のオフセット量ＯＳＱは、上記の如くＯＳ
Ｑ＝ΔＸ＋ΔＳで表される。このオフセット量ＯＳＱに
対し、オフトラックスライスＯＴＳＬをＯＴＳＬ≦ΔＸ
＋ΔＳを満足するように設定すれば、トラックＴｎが隣
接トラックＴｎ−１から侵食されて、トラックＴｎの一
部が許容範囲を越えて隣接トラックＴｎ−１により書き
込まれる前にこれを検出して例えばアラームを発生する
ことで、このような不都合を防止できる。
正は、勿論キャリブレーションが行われる場合に行って
も良いことは言うまでもない。次に、オフトラックスラ
イスの設定方法について説明する。オフトラックスライ
スとは、ヘッド１３の走査するべきトラックに対する位
置ずれ量の限界値を表す。トラックＴｎに対し、隣接ト
ラックＴｎ−１のトラックセンタＡからオフセットして
書き込む場合のオフセット量ＯＳＱは、上記の如くＯＳ
Ｑ＝ΔＸ＋ΔＳで表される。このオフセット量ＯＳＱに
対し、オフトラックスライスＯＴＳＬをＯＴＳＬ≦ΔＸ
＋ΔＳを満足するように設定すれば、トラックＴｎが隣
接トラックＴｎ−１から侵食されて、トラックＴｎの一
部が許容範囲を越えて隣接トラックＴｎ−１により書き
込まれる前にこれを検出して例えばアラームを発生する
ことで、このような不都合を防止できる。
【００４４】オフトラックスライスＯＴＳＬは、次式
（３）を満足するように設定すれば良い。 ＯＴＳＬ≦ΔＸ＋ΔＳ＝｛ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−２ΔＳ｝＋Δ Ｓ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−ΔＳ 式（３） 上記式（３）からわかるように、オフトラックスライス
ＯＴＳＬは、ＴＰＩマージン、即ち、調整後の書き込み
電流、ライトコア幅Ｃｗ及びオントラック精度に依存す
る。従って、書き込み電流と同様に、オフトラックスラ
イスＯＴＳＬもＴＰＩマージンを測定して自動的に調整
して設定することができる。又、オフトラックスライス
ＯＴＳＬの設定は、個々のヘッド１３毎及びトラックの
追従を行うディスク１５上の各ゾーン毎に行うことがで
きる。
（３）を満足するように設定すれば良い。 ＯＴＳＬ≦ΔＸ＋ΔＳ＝｛ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−２ΔＳ｝＋Δ Ｓ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−ΔＳ 式（３） 上記式（３）からわかるように、オフトラックスライス
ＯＴＳＬは、ＴＰＩマージン、即ち、調整後の書き込み
電流、ライトコア幅Ｃｗ及びオントラック精度に依存す
る。従って、書き込み電流と同様に、オフトラックスラ
イスＯＴＳＬもＴＰＩマージンを測定して自動的に調整
して設定することができる。又、オフトラックスライス
ＯＴＳＬの設定は、個々のヘッド１３毎及びトラックの
追従を行うディスク１５上の各ゾーン毎に行うことがで
きる。
【００４５】オフトラックスライスＯＴＳＬの測定及び
更新は、磁気ディスク装置の製造プロセス中の試験工
程、磁気ディスク装置の出荷時、任意のタイミング、一
定時間間隔毎、磁気ディスク装置の置かれた環境の変化
が検出される度、エラー発生時、エラー発生回数が一定
値を越えた場合等に行うことができる。自動測定された
オフトラックスライスＯＴＳＬの値は、ヘッド１３毎及
びディスク１５のゾーン毎にマップ化されてテーブル形
式でメモリ部４に格納される。図５は、メモリ部４に格
納されたオフトラックスライスＯＴＳＬ値をテーブル形
式で示した一実施例である。ヘッド１３の数（又はヘッ
ド番号）がｎで、ゾーンの数（又はゾーン番号）がｍで
示されている。例えば、図５中、ヘッド番号が２でゾー
ン番号が３の場合の書き込み電流は、Ｏ３２である。
更新は、磁気ディスク装置の製造プロセス中の試験工
程、磁気ディスク装置の出荷時、任意のタイミング、一
定時間間隔毎、磁気ディスク装置の置かれた環境の変化
が検出される度、エラー発生時、エラー発生回数が一定
値を越えた場合等に行うことができる。自動測定された
オフトラックスライスＯＴＳＬの値は、ヘッド１３毎及
びディスク１５のゾーン毎にマップ化されてテーブル形
式でメモリ部４に格納される。図５は、メモリ部４に格
納されたオフトラックスライスＯＴＳＬ値をテーブル形
式で示した一実施例である。ヘッド１３の数（又はヘッ
ド番号）がｎで、ゾーンの数（又はゾーン番号）がｍで
示されている。例えば、図５中、ヘッド番号が２でゾー
ン番号が３の場合の書き込み電流は、Ｏ３２である。
【００４６】図５に示すテーブルの内容は、温度測定に
よる温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミング
で、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行う
ことで更新可能である。調整シリンダとしては未使用の
データ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリ
ンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使
用することができる。
よる温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミング
で、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行う
ことで更新可能である。調整シリンダとしては未使用の
データ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリ
ンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使
用することができる。
【００４７】また、図５に示すテーブルを複数の温度毎
に、例えば０℃，２５℃，５０℃についての測定結果に
対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時にお
けるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、オ
フトラックスライスＯＴＳＬを最適な値に設定してライ
トを行うことが可能になる。なお、０〜２５℃の間、２
５〜５０℃の間等の細かな温度変化に対しては、３つの
温度のテーブルを使用して計算により求めて、その計算
値を最適な値として、ライト時にオフトラックスライス
ＯＴＳＬを設定することも可能である。
に、例えば０℃，２５℃，５０℃についての測定結果に
対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時にお
けるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、オ
フトラックスライスＯＴＳＬを最適な値に設定してライ
トを行うことが可能になる。なお、０〜２５℃の間、２
５〜５０℃の間等の細かな温度変化に対しては、３つの
温度のテーブルを使用して計算により求めて、その計算
値を最適な値として、ライト時にオフトラックスライス
ＯＴＳＬを設定することも可能である。
【００４８】キャリブレーションは時間がかかる為ホス
トからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環
境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが
発生しない限り行えない場合がある。このようにキャリ
ブレーションが行えない場合は、上記の如くメモリ部４
に装置出荷時に予め格納された温度に対する書き拡がり
量を示す温度補正特性を示す図４を使用する。
トからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環
境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが
発生しない限り行えない場合がある。このようにキャリ
ブレーションが行えない場合は、上記の如くメモリ部４
に装置出荷時に予め格納された温度に対する書き拡がり
量を示す温度補正特性を示す図４を使用する。
【００４９】具体的には、例えばオフトラックスライス
ＯＴＳＬが２５℃で調整されている場合、一定時間間隔
毎に温度測定を行うことで、図４に示す温度変化に対す
る書き拡がり量γの関係からＴＰＩマージンの値ΔＸに
この書き拡がり量γを加算することで、温度変化に対す
るＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）よりオフトラックスライ
スＯＴＳＬが求まるので、図５に示す温度毎のオフトラ
ックスライスＯＴＳＬの値のテーブルを、ヘッド毎及び
ゾーン毎に更新することができる。
ＯＴＳＬが２５℃で調整されている場合、一定時間間隔
毎に温度測定を行うことで、図４に示す温度変化に対す
る書き拡がり量γの関係からＴＰＩマージンの値ΔＸに
この書き拡がり量γを加算することで、温度変化に対す
るＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）よりオフトラックスライ
スＯＴＳＬが求まるので、図５に示す温度毎のオフトラ
ックスライスＯＴＳＬの値のテーブルを、ヘッド毎及び
ゾーン毎に更新することができる。
【００５０】図４の温度補正特性を使ってＴＰＩマージ
ンの補正を行う場合は、温度補正分を加味してＯＴＳＬ
≦［ΔＸ−（ｂ−ａ）］＋［ΔＳ＋（±τ）］となるよ
うなオフトラックスライスＯＴＳＬの値を求めて設定す
れば良い。ここで、τはＴＰＩマージンと共に測定によ
って求められるか、ＴＰＩマージンに加味されているも
のとして無視してτ＝０とみなすことが可能である。
ンの補正を行う場合は、温度補正分を加味してＯＴＳＬ
≦［ΔＸ−（ｂ−ａ）］＋［ΔＳ＋（±τ）］となるよ
うなオフトラックスライスＯＴＳＬの値を求めて設定す
れば良い。ここで、τはＴＰＩマージンと共に測定によ
って求められるか、ＴＰＩマージンに加味されているも
のとして無視してτ＝０とみなすことが可能である。
【００５１】次に、ディスク装置の本実施例の構成を、
図６と共により詳細に説明する。図６は、図１に示す磁
気ディスク装置の構成をより詳細に示すブロック図であ
る。同図中、図１と同一部分には同一符号を付し、その
説明は省略する。図６に示すように、磁気ディスク装置
は、ＨＤＡ（又は、ディスクエンクロージャ）１と、リ
ード／ライト制御部２と、制御部３と、ユニット１００
と、ＲＡＭ４−１と、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２
と、電源監視回路１２１と、発振器１２２とからなる。
ＲＡＭ４−１及びフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２は、メ
モリ部４を構成する。
図６と共により詳細に説明する。図６は、図１に示す磁
気ディスク装置の構成をより詳細に示すブロック図であ
る。同図中、図１と同一部分には同一符号を付し、その
説明は省略する。図６に示すように、磁気ディスク装置
は、ＨＤＡ（又は、ディスクエンクロージャ）１と、リ
ード／ライト制御部２と、制御部３と、ユニット１００
と、ＲＡＭ４−１と、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２
と、電源監視回路１２１と、発振器１２２とからなる。
ＲＡＭ４−１及びフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２は、メ
モリ部４を構成する。
【００５２】ＨＤＣ１は、大略スピンドルモータ１４
と、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）１６と、ヘッ
ド／ディスクアセンブリ１８と、ボイスコイルモータ
（ＶＣＭ）１９とからなる。ＦＰＣ１６には、ヘッドＩ
Ｃ１１と温度センサ１７とが設けられている。ヘッド／
ディスクアセンブリ１８は、アクチュエータ１２、ヘッ
ド１３及びディスク１５を含み、ＶＣＭ１９はアクチュ
エータ１２を駆動する。ＨＤＣ１自体の構成は、温度セ
ンサ１７がＦＰＣ１６に設けられていることを除けば、
基本的には周知のディスク装置のＨＤＣと同様である。
と、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）１６と、ヘッ
ド／ディスクアセンブリ１８と、ボイスコイルモータ
（ＶＣＭ）１９とからなる。ＦＰＣ１６には、ヘッドＩ
Ｃ１１と温度センサ１７とが設けられている。ヘッド／
ディスクアセンブリ１８は、アクチュエータ１２、ヘッ
ド１３及びディスク１５を含み、ＶＣＭ１９はアクチュ
エータ１２を駆動する。ＨＤＣ１自体の構成は、温度セ
ンサ１７がＦＰＣ１６に設けられていることを除けば、
基本的には周知のディスク装置のＨＤＣと同様である。
【００５３】ＭＣＵ６は、大略図６に示す如く接続され
たＣＰＵ６１、ＲＯＭ６２、ＲＡＭ６３、デジタルシグ
ナルプロセッサ（ＤＳＰ）６４、論理回路６５、デジタ
ル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器６６及びアナログ／デジ
タル（Ａ／Ｄ）変換器６７からなる。ＣＰＵ６１は、Ｒ
ＯＭ６２に格納されたプログラムに基づき、磁気ディス
ク装置の各部を制御する。ＣＰＵ６１がプログラムを実
行する際に用いるデータや計算処理で発生する中間デー
タ等は、ＲＡＭ６３に格納される。ＤＳＰ６４及び論理
回路６５は、ＣＰＵ６１が実行するプログラムより高速
にデータ処理を行うために設けられている。Ｄ／Ａ変換
器６６は、ＨＤＡ１内のディスク１５に書き込まれるデ
ータをアナログ信号に変換し、Ａ／Ｄ変換器６７は、Ｈ
ＤＡ１内のディスク１５から読み出されたデータをデジ
タル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器６７には、ＨＤＡ１
内の温度センサ１７の出力信号も入力される。又、ヘッ
ド１３に印加される書き込み電流は、Ｄ／Ａ変換器６６
から出力される。尚、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２
は、ＭＣＵ６の補助メモリとして設けられている。
たＣＰＵ６１、ＲＯＭ６２、ＲＡＭ６３、デジタルシグ
ナルプロセッサ（ＤＳＰ）６４、論理回路６５、デジタ
ル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器６６及びアナログ／デジ
タル（Ａ／Ｄ）変換器６７からなる。ＣＰＵ６１は、Ｒ
ＯＭ６２に格納されたプログラムに基づき、磁気ディス
ク装置の各部を制御する。ＣＰＵ６１がプログラムを実
行する際に用いるデータや計算処理で発生する中間デー
タ等は、ＲＡＭ６３に格納される。ＤＳＰ６４及び論理
回路６５は、ＣＰＵ６１が実行するプログラムより高速
にデータ処理を行うために設けられている。Ｄ／Ａ変換
器６６は、ＨＤＡ１内のディスク１５に書き込まれるデ
ータをアナログ信号に変換し、Ａ／Ｄ変換器６７は、Ｈ
ＤＡ１内のディスク１５から読み出されたデータをデジ
タル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器６７には、ＨＤＡ１
内の温度センサ１７の出力信号も入力される。又、ヘッ
ド１３に印加される書き込み電流は、Ｄ／Ａ変換器６６
から出力される。尚、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２
は、ＭＣＵ６の補助メモリとして設けられている。
【００５４】ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１
１０は、大略インタフェース制御部７と、ディスクフォ
ーマッタ１１１と、データフローコントローラ１１２
と、リードソロモン／誤り訂正符号（ＥＣＣ）回路１１
３と、バッファコントローラ１１４とからなる。ディス
クフォーマッタ１１１は、ＨＤＡ１内のディスク１５上
に書き込まれる情報のフォーマッティングを行う。デー
タフローコントローラ１１２は、磁気ディスク装置とホ
ストコンピュータ９との間のデータの流れを制御する。
リードソロモン／ＥＣＣ回路１１３は、ディスク１５に
書き込むデータの符号化及びＥＣＣの付加等と、ディス
ク１５から読み出したデータの復号化及びＥＣＣによる
誤り訂正処理等を行う。バッファコントローラ１１４
は、ＲＡＭ４−１に対するデータの書き込み及び読み出
しを制御する。ディスクフォーマッタ１１１、データフ
ローコントローラ１１２、リードソロモン／ＥＣＣ回路
１１３及びバッファコントローラ１１４は、シーケンサ
制御部５を構成する。
１０は、大略インタフェース制御部７と、ディスクフォ
ーマッタ１１１と、データフローコントローラ１１２
と、リードソロモン／誤り訂正符号（ＥＣＣ）回路１１
３と、バッファコントローラ１１４とからなる。ディス
クフォーマッタ１１１は、ＨＤＡ１内のディスク１５上
に書き込まれる情報のフォーマッティングを行う。デー
タフローコントローラ１１２は、磁気ディスク装置とホ
ストコンピュータ９との間のデータの流れを制御する。
リードソロモン／ＥＣＣ回路１１３は、ディスク１５に
書き込むデータの符号化及びＥＣＣの付加等と、ディス
ク１５から読み出したデータの復号化及びＥＣＣによる
誤り訂正処理等を行う。バッファコントローラ１１４
は、ＲＡＭ４−１に対するデータの書き込み及び読み出
しを制御する。ディスクフォーマッタ１１１、データフ
ローコントローラ１１２、リードソロモン／ＥＣＣ回路
１１３及びバッファコントローラ１１４は、シーケンサ
制御部５を構成する。
【００５５】電源監視回路１２１は、制御部３やユニッ
ト１００に供給される電源電圧を監視して、許容範囲内
の電源電圧が磁気ディスク装置の各部に供給されるよう
にする。発振器１２２は、基準クロックをユニット１０
０内のＰＬＬ回路１０１に入力し、ＰＬＬ回路１０１
は、基準クロックに基づいて生成されたクロックをＭＣ
Ｕ６及びＨＤＣ１１０内の各部へ供給する。ＭＣＵ６、
ＰＬＬ回路１０１及びＨＤＣ１１０は、ユニット１００
を構成する。
ト１００に供給される電源電圧を監視して、許容範囲内
の電源電圧が磁気ディスク装置の各部に供給されるよう
にする。発振器１２２は、基準クロックをユニット１０
０内のＰＬＬ回路１０１に入力し、ＰＬＬ回路１０１
は、基準クロックに基づいて生成されたクロックをＭＣ
Ｕ６及びＨＤＣ１１０内の各部へ供給する。ＭＣＵ６、
ＰＬＬ回路１０１及びＨＤＣ１１０は、ユニット１００
を構成する。
【００５６】リード／ライト制御部２、制御部３、ユニ
ット１００、ＲＡＭ４−１、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４
−２、電源監視回路１２１及び発振器１２２からなる装
置部分自体は、周知の構成のものを使用可能である。本
実施例では、ＭＣＵ６が行う処理に特徴がある。図７
は、ＴＰＩマージンの測定処理を説明するフローチャー
トである。同図に示す測定処理は、ＭＣＵ６内のＣＰＵ
６１、又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び／又は論理
回路６５により行われる。
ット１００、ＲＡＭ４−１、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４
−２、電源監視回路１２１及び発振器１２２からなる装
置部分自体は、周知の構成のものを使用可能である。本
実施例では、ＭＣＵ６が行う処理に特徴がある。図７
は、ＴＰＩマージンの測定処理を説明するフローチャー
トである。同図に示す測定処理は、ＭＣＵ６内のＣＰＵ
６１、又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び／又は論理
回路６５により行われる。
【００５７】図７において、ステップＳ１は、書き込み
電流Ｉｗを設定する。この書き込み電流Ｉｗは、例えば
ｗ＝２０ｍＡ〜５０ｍＡとすると、２ｍＡのステップで
Ｉｗ＝ｗｍＡに設定される。ステップＳ２は、ヘッド番
号ｎを選択する。この場合、ヘッド番号は「０」〜
「ｎ」の順に選択される。ステップＳ３は、ヘッド番号
が最大数ＭＡＸ＋１であるか否かを判定し、ヘッド番号
がＭＡＸ＋１＝ｎ＋１であると、判定結果がＹＥＳであ
り処理は終了する。
電流Ｉｗを設定する。この書き込み電流Ｉｗは、例えば
ｗ＝２０ｍＡ〜５０ｍＡとすると、２ｍＡのステップで
Ｉｗ＝ｗｍＡに設定される。ステップＳ２は、ヘッド番
号ｎを選択する。この場合、ヘッド番号は「０」〜
「ｎ」の順に選択される。ステップＳ３は、ヘッド番号
が最大数ＭＡＸ＋１であるか否かを判定し、ヘッド番号
がＭＡＸ＋１＝ｎ＋１であると、判定結果がＹＥＳであ
り処理は終了する。
【００５８】他方、ステップＳ３の判定結果がＮＯであ
ると、ステップＳ４は、シリンダ番号ｍを選択してシー
ク動作を開始する。シリンダ番号ｍは、例えば各ディス
ク１５のアウタゾーンの最インナシリンダに選択され
る。ディスク１５のアウタ側が最小シリンダ番号の場
合、シリンダ番号ｍは、データ領域に属さずデータ領域
の内側の（最大シリンダ番号＋２）又はデータ領域の外
側の（最小シリンダ番号−２）に選択されても良い。次
に、ステップＳ５は、データパターンを選択する。デー
タパターンは、例えばシリンダ番号ｍに対しては「００
H ］の繰り返し、シリンダ番号ｍ＋１に対しては「ＦＦ
H 」の繰り返し、シリンダ番号ｍ−１に対しては「ＦＦ
H 」の繰り返しに選択される。ステップＳ６は、シリン
ダ番号ｍにデータを書き込む。これにより、測定を行う
シリンダ番号ｍと、この両側にあるシリンダ番号ｍ−
１，ｍ＋１とでは、異なるデータパターンが書き込ま
れ、シリンダ番号ｍから読み出されたデータパターンを
シリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１から読み出されたデータパ
ターンと比較することで、誤り認識を防止することがで
きる。
ると、ステップＳ４は、シリンダ番号ｍを選択してシー
ク動作を開始する。シリンダ番号ｍは、例えば各ディス
ク１５のアウタゾーンの最インナシリンダに選択され
る。ディスク１５のアウタ側が最小シリンダ番号の場
合、シリンダ番号ｍは、データ領域に属さずデータ領域
の内側の（最大シリンダ番号＋２）又はデータ領域の外
側の（最小シリンダ番号−２）に選択されても良い。次
に、ステップＳ５は、データパターンを選択する。デー
タパターンは、例えばシリンダ番号ｍに対しては「００
H ］の繰り返し、シリンダ番号ｍ＋１に対しては「ＦＦ
H 」の繰り返し、シリンダ番号ｍ−１に対しては「ＦＦ
H 」の繰り返しに選択される。ステップＳ６は、シリン
ダ番号ｍにデータを書き込む。これにより、測定を行う
シリンダ番号ｍと、この両側にあるシリンダ番号ｍ−
１，ｍ＋１とでは、異なるデータパターンが書き込ま
れ、シリンダ番号ｍから読み出されたデータパターンを
シリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１から読み出されたデータパ
ターンと比較することで、誤り認識を防止することがで
きる。
【００５９】ステップＳ７は、シリンダ番号ｍ＋１をシ
ークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍ
オフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステップ
Ｓ８は、シリンダ番号ｍ−１をシークし、ヘッド１３を
シリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデータ
の書き込みを行う。ステップＳ９は、シリンダ番号ｍか
らデータの読み出しを行い、ステップＳ１０は、読み出
されたデータのエラーレイトが１０-n未満であるか否か
を判定し、判定結果がＹＥＳであれば、処理はステップ
Ｓ１へ戻る。
ークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍ
オフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステップ
Ｓ８は、シリンダ番号ｍ−１をシークし、ヘッド１３を
シリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデータ
の書き込みを行う。ステップＳ９は、シリンダ番号ｍか
らデータの読み出しを行い、ステップＳ１０は、読み出
されたデータのエラーレイトが１０-n未満であるか否か
を判定し、判定結果がＹＥＳであれば、処理はステップ
Ｓ１へ戻る。
【００６０】他方、ステップＳ１０の判定結果がＮＯで
あると、ステップＳ１０−１は書き込み電流Ｉｗが最大
であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ１０−１
は、この場合２ｍＡのステップで２０ｍＡ〜５０ｍＡの
範囲で設定されるので、２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲内で
ΔＸが最大の値を検出する。ステップＳ１０−１の判定
結果がＮＯであると、処理はステップＳ１へ戻り、書き
込み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで変えられる。このよ
うにして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの範囲で測定を行い、
ΔＸの限界値が最大となるＩｗを見つける。他方、ステ
ップＳ１０−１の判定結果がＹＥＳであると、ΔＸμｍ
オフセットしてエラーレイトが１０-n以上となる限界値
を求める。具体的には、ステップＳ１１は、オフセット
量（ＴＰＩマージン）ΔＸμｍの限界値（オフトラック
スライス）ＯＴＳＬが最大となる書き込み電流Ｉｗの値
を求める。又、ステップＳ１２は、この場合のヘッド番
号、シリンダ番号、書き込み電流Ｉｗの値、オフトラッ
クスライスＯＴＳＬの値及び温度をＲＡＭ６３又はフラ
ッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納する。ステップＳ１２
の後、処理はステップＳ１へ戻る。
あると、ステップＳ１０−１は書き込み電流Ｉｗが最大
であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ１０−１
は、この場合２ｍＡのステップで２０ｍＡ〜５０ｍＡの
範囲で設定されるので、２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲内で
ΔＸが最大の値を検出する。ステップＳ１０−１の判定
結果がＮＯであると、処理はステップＳ１へ戻り、書き
込み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで変えられる。このよ
うにして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの範囲で測定を行い、
ΔＸの限界値が最大となるＩｗを見つける。他方、ステ
ップＳ１０−１の判定結果がＹＥＳであると、ΔＸμｍ
オフセットしてエラーレイトが１０-n以上となる限界値
を求める。具体的には、ステップＳ１１は、オフセット
量（ＴＰＩマージン）ΔＸμｍの限界値（オフトラック
スライス）ＯＴＳＬが最大となる書き込み電流Ｉｗの値
を求める。又、ステップＳ１２は、この場合のヘッド番
号、シリンダ番号、書き込み電流Ｉｗの値、オフトラッ
クスライスＯＴＳＬの値及び温度をＲＡＭ６３又はフラ
ッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納する。ステップＳ１２
の後、処理はステップＳ１へ戻る。
【００６１】尚、上記ステップＳ４〜Ｓ１２は、本実施
例ではディスク１５のゾーン毎に行うので、この場合、
ステップＳ１２では、シリンダ番号に加えてゾーン番号
をＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納
する。これにより、図３に示したような書き込み電流値
のテーブル及び図５に示すようなオフトラックスライス
値のテーブルが夫々作成されて格納される。このように
して、上記ステップを複数の温度で繰り返し、複数の温
度毎のテーブルを作成する。
例ではディスク１５のゾーン毎に行うので、この場合、
ステップＳ１２では、シリンダ番号に加えてゾーン番号
をＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納
する。これにより、図３に示したような書き込み電流値
のテーブル及び図５に示すようなオフトラックスライス
値のテーブルが夫々作成されて格納される。このように
して、上記ステップを複数の温度で繰り返し、複数の温
度毎のテーブルを作成する。
【００６２】上記の如く、図７に示す測定処理は、任意
のタイミングで行えば良い。図８は、出荷後のキャリブ
レーション時のＴＰＩマージンについての処理を説明す
るフローチャートである。同図に示す処理は、ＭＣＵ６
内のＣＰＵ６１、又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び
／又は論理回路６５により行われる。図８において、ス
テップＳ２１は、コマンドを実行中であるか否かを判定
する。ステップＳ２１の判定結果がＹＥＳであると、ス
テップＳ２２は、コマンド処理を続行し、処理はステッ
プＳ２１へ戻る。他方、ステップＳ２１の判定結果がＮ
Ｏであると、ステップＳ２３は、キャリブレーションの
タイマがタイムアウトしているか否かを判定する。ステ
ップＳ２３の判定結果がＹＥＳになると、ステップＳ２
３−１で温度センサ１７の出力を読み取って現在の温度
を検出する。ステップＳ２３−２は、検出された現在の
温度から２５℃を減算した温度が例えば１０℃より大き
いか否かを判定し、判定結果がＮＯであると処理は終了
する。他方、ステップＳ２３−２の判定結果がＹＥＳで
あると、ステップＳ２３−３で書き込み電流Ｉｗを例え
ばｗ＝２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で２ｍＡのステップで
Ｉｗ＝ｗ ｍＡに設定し、ステップＳ２４以降のキャリ
ブレーションが行われる。本実施例では、キャリブレー
ションが各ヘッド１３毎に行われる。
のタイミングで行えば良い。図８は、出荷後のキャリブ
レーション時のＴＰＩマージンについての処理を説明す
るフローチャートである。同図に示す処理は、ＭＣＵ６
内のＣＰＵ６１、又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び
／又は論理回路６５により行われる。図８において、ス
テップＳ２１は、コマンドを実行中であるか否かを判定
する。ステップＳ２１の判定結果がＹＥＳであると、ス
テップＳ２２は、コマンド処理を続行し、処理はステッ
プＳ２１へ戻る。他方、ステップＳ２１の判定結果がＮ
Ｏであると、ステップＳ２３は、キャリブレーションの
タイマがタイムアウトしているか否かを判定する。ステ
ップＳ２３の判定結果がＹＥＳになると、ステップＳ２
３−１で温度センサ１７の出力を読み取って現在の温度
を検出する。ステップＳ２３−２は、検出された現在の
温度から２５℃を減算した温度が例えば１０℃より大き
いか否かを判定し、判定結果がＮＯであると処理は終了
する。他方、ステップＳ２３−２の判定結果がＹＥＳで
あると、ステップＳ２３−３で書き込み電流Ｉｗを例え
ばｗ＝２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で２ｍＡのステップで
Ｉｗ＝ｗ ｍＡに設定し、ステップＳ２４以降のキャリ
ブレーションが行われる。本実施例では、キャリブレー
ションが各ヘッド１３毎に行われる。
【００６３】ステップＳ２４は、ヘッド番号ｎを選択す
る。この場合、ヘッド番号は「０」〜「ｎ」の順に選択
される。ステップＳ２５は、ヘッド番号が最大数ＭＡＸ
＋１であるか否かを判定し、ヘッド番号がＭＡＸ＋１＝
ｎ＋１であると、判定結果がＹＥＳであり処理は終了す
る。他方、ステップＳ２５の判定結果がＮＯであると、
ステップＳ２６は、シリンダ番号ｍを選択してシーク動
作を開始する。シリンダ番号ｍは、例えばディスク１５
のアウタ側が最小シリンダ番号の場合、データ領域に属
さずデータ領域の内側の（最大シリンダ番号＋２）及び
データ領域の外側の（最小シリンダ番号−２）に選択さ
れる。次に、ステップＳ２７は、データパターンを選択
する。データパターンは、例えばシリンダ番号ｍに対し
ては「００H ］の繰り返し、シリンダ番号ｍ＋１に対し
ては「ＦＦH 」の繰り返し、シリンダ番号ｍ−１に対し
ては「ＦＦH 」の繰り返しに選択される。ステップＳ２
８は、シリンダ番号ｍにデータを書き込む。これによ
り、測定を行うシリンダ番号ｍと、この両側にあるシリ
ンダ番号ｍ−１，ｍ＋１とでは、異なるデータパターン
が書き込まれ、シリンダ番号ｍから読み出されたデータ
パターンをシリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１から読み出され
たデータパターンと比較することで、誤り認識を防止す
ることができる。
る。この場合、ヘッド番号は「０」〜「ｎ」の順に選択
される。ステップＳ２５は、ヘッド番号が最大数ＭＡＸ
＋１であるか否かを判定し、ヘッド番号がＭＡＸ＋１＝
ｎ＋１であると、判定結果がＹＥＳであり処理は終了す
る。他方、ステップＳ２５の判定結果がＮＯであると、
ステップＳ２６は、シリンダ番号ｍを選択してシーク動
作を開始する。シリンダ番号ｍは、例えばディスク１５
のアウタ側が最小シリンダ番号の場合、データ領域に属
さずデータ領域の内側の（最大シリンダ番号＋２）及び
データ領域の外側の（最小シリンダ番号−２）に選択さ
れる。次に、ステップＳ２７は、データパターンを選択
する。データパターンは、例えばシリンダ番号ｍに対し
ては「００H ］の繰り返し、シリンダ番号ｍ＋１に対し
ては「ＦＦH 」の繰り返し、シリンダ番号ｍ−１に対し
ては「ＦＦH 」の繰り返しに選択される。ステップＳ２
８は、シリンダ番号ｍにデータを書き込む。これによ
り、測定を行うシリンダ番号ｍと、この両側にあるシリ
ンダ番号ｍ−１，ｍ＋１とでは、異なるデータパターン
が書き込まれ、シリンダ番号ｍから読み出されたデータ
パターンをシリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１から読み出され
たデータパターンと比較することで、誤り認識を防止す
ることができる。
【００６４】ステップＳ２９は、シリンダ番号ｍ＋１を
シークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμ
ｍオフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステッ
プＳ３０は、シリンダ番号ｍ−１をシークし、ヘッド１
３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデ
ータの書き込みを行う。ステップＳ３１は、シリンダ番
号ｍからデータの読み出しを行い、ステップＳ３２は、
読み出されたデータのエラーレイトが１０-n未満である
か否かを判定し、判定結果がＹＥＳであれば、処理はス
テップＳ２１へ戻る。
シークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμ
ｍオフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステッ
プＳ３０は、シリンダ番号ｍ−１をシークし、ヘッド１
３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデ
ータの書き込みを行う。ステップＳ３１は、シリンダ番
号ｍからデータの読み出しを行い、ステップＳ３２は、
読み出されたデータのエラーレイトが１０-n未満である
か否かを判定し、判定結果がＹＥＳであれば、処理はス
テップＳ２１へ戻る。
【００６５】他方、ステップＳ３２の判定結果がＮＯで
あると、ステップＳ３２−１は書き込み電流Ｉｗが最大
であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ３２−１
は、書き込み電流Ｉｗが例えば２ｍＡのステップで２０
ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で設定されるので、２０ｍＡ〜５
０ｍＡの範囲内でΔＸが最大の値を検出する。ステップ
Ｓ３２−１の判定結果がＮＯであると、処理はステップ
Ｓ２１へ戻り、書き込み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで
変えられる。このようにして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの
範囲で測定を行い、ΔＸの限界値が最大となるＩｗを見
つける。他方、ステップＳ３２−１の判定結果がＹＥＳ
であると、ΔＸμｍオフセットしてエラーレイトが１０
-n以上となる限界値を求める。具体的には、ステップＳ
３３は、オフセット量（ＴＰＩマージン）ΔＸμｍの限
界値（オフトラックスライス）ＯＴＳＬが最大となる書
き込み電流Ｉｗの値を求める。又、ステップＳ３４は、
この場合のヘッド番号と、最大又は最小シリンダ番号と
に対して温度毎にＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍ４−２に格納された書き込み電流Ｉｗの値及びオフト
ラックスライスＯＴＳＬの値を更新する。つまり、書き
込み電流Ｉｗの値及びオフトラックスライスＯＴＳＬの
値は、各温度毎に設けられたテーブルに対して更新され
る。本実施例では例えば２５℃，３５℃，４５℃，５５
℃と言った具合に１０℃毎に更新が行われるが、初期温
度を例えば０℃にするか２５℃にするかはユーザの温度
に依存する。ここでは、初期温度は便宜上２５℃（常
温）であるものとする。ステップＳ３４の後、処理はス
テップＳ２１へ戻る。
あると、ステップＳ３２−１は書き込み電流Ｉｗが最大
であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ３２−１
は、書き込み電流Ｉｗが例えば２ｍＡのステップで２０
ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で設定されるので、２０ｍＡ〜５
０ｍＡの範囲内でΔＸが最大の値を検出する。ステップ
Ｓ３２−１の判定結果がＮＯであると、処理はステップ
Ｓ２１へ戻り、書き込み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで
変えられる。このようにして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの
範囲で測定を行い、ΔＸの限界値が最大となるＩｗを見
つける。他方、ステップＳ３２−１の判定結果がＹＥＳ
であると、ΔＸμｍオフセットしてエラーレイトが１０
-n以上となる限界値を求める。具体的には、ステップＳ
３３は、オフセット量（ＴＰＩマージン）ΔＸμｍの限
界値（オフトラックスライス）ＯＴＳＬが最大となる書
き込み電流Ｉｗの値を求める。又、ステップＳ３４は、
この場合のヘッド番号と、最大又は最小シリンダ番号と
に対して温度毎にＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍ４−２に格納された書き込み電流Ｉｗの値及びオフト
ラックスライスＯＴＳＬの値を更新する。つまり、書き
込み電流Ｉｗの値及びオフトラックスライスＯＴＳＬの
値は、各温度毎に設けられたテーブルに対して更新され
る。本実施例では例えば２５℃，３５℃，４５℃，５５
℃と言った具合に１０℃毎に更新が行われるが、初期温
度を例えば０℃にするか２５℃にするかはユーザの温度
に依存する。ここでは、初期温度は便宜上２５℃（常
温）であるものとする。ステップＳ３４の後、処理はス
テップＳ２１へ戻る。
【００６６】この場合、キャリブレーションは、各ヘッ
ド１３に対して、（最大シリンダ番号＋２）及び（最小
シリンダ番号−２）の２箇所でしか行わないので、各ゾ
ーンにおけるＴＰＩマージンの値は、図９に示す方法に
て線形補完を行えば良い。図９は、例えば予め出荷時の
試験工程で求められたＴＰＩマージンの値と、キャリブ
レーションによって得られたＴＰＩマージンの値とを示
す図である。同図中、縦軸はＴＰＩマージンの値を示
し、横軸はゾーンを示す。実線は、出荷時の試験工程で
求められたＴＰＩマージンの値を示し、Ｔ１，Ｔ２はキ
ャリブレーションによって得られたＴＰＩマージンの値
を示す。
ド１３に対して、（最大シリンダ番号＋２）及び（最小
シリンダ番号−２）の２箇所でしか行わないので、各ゾ
ーンにおけるＴＰＩマージンの値は、図９に示す方法に
て線形補完を行えば良い。図９は、例えば予め出荷時の
試験工程で求められたＴＰＩマージンの値と、キャリブ
レーションによって得られたＴＰＩマージンの値とを示
す図である。同図中、縦軸はＴＰＩマージンの値を示
し、横軸はゾーンを示す。実線は、出荷時の試験工程で
求められたＴＰＩマージンの値を示し、Ｔ１，Ｔ２はキ
ャリブレーションによって得られたＴＰＩマージンの値
を示す。
【００６７】試験工程で求められたＴＰＩマージンの値
に対して、キャリブレーションによって得られたＴＰＩ
マージンの値Ｔ１，Ｔ２を図９中破線で示すように線形
補完することで最新のＴＰＩマージンの値が得られ、こ
れに基づいてオフトラックスライスＯＴＳＬの値を求め
ることができる。この最新のオフトラックスライスＯＴ
ＳＬの値を図５に示すオフトラックスライス値のテーブ
ルに格納することで、オフトラックスライス値のテーブ
ルを更新することができる。
に対して、キャリブレーションによって得られたＴＰＩ
マージンの値Ｔ１，Ｔ２を図９中破線で示すように線形
補完することで最新のＴＰＩマージンの値が得られ、こ
れに基づいてオフトラックスライスＯＴＳＬの値を求め
ることができる。この最新のオフトラックスライスＯＴ
ＳＬの値を図５に示すオフトラックスライス値のテーブ
ルに格納することで、オフトラックスライス値のテーブ
ルを更新することができる。
【００６８】尚、図７のステップＳ１２又は図８のステ
ップＳ３４において、オフトラックスライスＯＴＳＬの
値が所定値を越えるとアラームを発生するようにしても
良い。このアラームは、例えばＣＰＵ６１からホストコ
ンピュータ９へ通知される。図１０は、温度センサ１７
の出力と、Ａ／Ｄ変換器６７の出力との関係を示す図で
ある。同図中、縦軸はＡ／Ｄ変換器６７の出力を任意単
位で示し、横軸は温度センサ１７の出力を℃で示す。
ップＳ３４において、オフトラックスライスＯＴＳＬの
値が所定値を越えるとアラームを発生するようにしても
良い。このアラームは、例えばＣＰＵ６１からホストコ
ンピュータ９へ通知される。図１０は、温度センサ１７
の出力と、Ａ／Ｄ変換器６７の出力との関係を示す図で
ある。同図中、縦軸はＡ／Ｄ変換器６７の出力を任意単
位で示し、横軸は温度センサ１７の出力を℃で示す。
【００６９】図８に示すキャリブレーションが行われな
い場合には、図１０に示す温度センサ１７の出力温度情
報に基づいて、図４に示す如き書き拡がり量γを求める
ことができる。例えば、磁気ディスク装置の出荷時に２
５℃で調整されている場合には、一定時間間隔毎に温度
センサ１７の出力をＣＰＵ６１で監視することで、温度
変化に対する書き拡がり量γを求め、ＴＰＩマージンΔ
Ｘにこの書き拡がり量γを加算することで、温度変化に
対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）が求められる。オフ
トラックスライスＯＴＳＬの値は、この温度変化に対す
るＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）から求めて、図５に示す
如きオフトラックスライス値のテーブルを更新すれば良
い。この場合のＴＰＩマージンの測定処理は、図７のス
テップＳ１２において、オフトラックスライスＯＴＳＬ
の値を、上記温度変化に対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋
γ）から求める点を除けば、図７の測定処理と実質的に
同じである。
い場合には、図１０に示す温度センサ１７の出力温度情
報に基づいて、図４に示す如き書き拡がり量γを求める
ことができる。例えば、磁気ディスク装置の出荷時に２
５℃で調整されている場合には、一定時間間隔毎に温度
センサ１７の出力をＣＰＵ６１で監視することで、温度
変化に対する書き拡がり量γを求め、ＴＰＩマージンΔ
Ｘにこの書き拡がり量γを加算することで、温度変化に
対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）が求められる。オフ
トラックスライスＯＴＳＬの値は、この温度変化に対す
るＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）から求めて、図５に示す
如きオフトラックスライス値のテーブルを更新すれば良
い。この場合のＴＰＩマージンの測定処理は、図７のス
テップＳ１２において、オフトラックスライスＯＴＳＬ
の値を、上記温度変化に対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋
γ）から求める点を除けば、図７の測定処理と実質的に
同じである。
【００７０】ところで、ＴＰＩマージンの値を求める代
わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マー
ジンの値を各ヘッドに対して測定するようにしても良
い。ここで、オフセットマージンとは、所定シリンダに
書き込まれたデータが、この所定シリンダに対して位置
決めされたヘッドがオフセットを起こしても読み出すこ
とができるオフセットの限界を表す。
わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マー
ジンの値を各ヘッドに対して測定するようにしても良
い。ここで、オフセットマージンとは、所定シリンダに
書き込まれたデータが、この所定シリンダに対して位置
決めされたヘッドがオフセットを起こしても読み出すこ
とができるオフセットの限界を表す。
【００７１】つまり、図７又は図８において、ＴＰＩマ
ージンの値を測定する代わりに、オフセットマージン又
はオントラック精度マージンの値を測定しても良い。こ
の場合、温度に依存するパラメータを考慮した上で、Ｔ
ＰＩマージンの値を求める代わりに、オフセットマージ
ン又はオントラック精度マージンが最大となるようにヘ
ッド１３に印加する書き込み電流を可変設定する。又、
温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置
決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも
１つのパラメータであれば良い。
ージンの値を測定する代わりに、オフセットマージン又
はオントラック精度マージンの値を測定しても良い。こ
の場合、温度に依存するパラメータを考慮した上で、Ｔ
ＰＩマージンの値を求める代わりに、オフセットマージ
ン又はオントラック精度マージンが最大となるようにヘ
ッド１３に印加する書き込み電流を可変設定する。又、
温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置
決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも
１つのパラメータであれば良い。
【００７２】図１１は、キャリブレーション時のオフセ
ットマージンについての処理を説明するフローチャート
である。同図に示す処理は、ＭＣＵ６内のＣＰＵ６１、
又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び／又は論理回路６
５により行われる。同図中、図８と同一ステップには同
一符号を付し、その説明は省略する。図１１において、
ステップＳ２７の後、ステップＳ１２８はｍシリンダの
両隣りのｍ＋１シリンダ及びｍ−１シリンダにノイズを
書き込む。ステップＳ１２９は、ｍシリンダにデータを
書き込む。ステップＳ１３０は、ヘッドをｍシリンダの
トラック中心からｍ−１方向（ｍ＋１方向）へオフセッ
トさせながらデータを読み取る。ステップＳ１３１は、
オフセット値ΔＯをセーブし、ステップＳ１３２は、読
み取られたデータのエラーレイトが１０-n未満であるか
否かを判定し、判定結果がＹＥＳであれば処理はステッ
プＳ２１へ戻る。
ットマージンについての処理を説明するフローチャート
である。同図に示す処理は、ＭＣＵ６内のＣＰＵ６１、
又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び／又は論理回路６
５により行われる。同図中、図８と同一ステップには同
一符号を付し、その説明は省略する。図１１において、
ステップＳ２７の後、ステップＳ１２８はｍシリンダの
両隣りのｍ＋１シリンダ及びｍ−１シリンダにノイズを
書き込む。ステップＳ１２９は、ｍシリンダにデータを
書き込む。ステップＳ１３０は、ヘッドをｍシリンダの
トラック中心からｍ−１方向（ｍ＋１方向）へオフセッ
トさせながらデータを読み取る。ステップＳ１３１は、
オフセット値ΔＯをセーブし、ステップＳ１３２は、読
み取られたデータのエラーレイトが１０-n未満であるか
否かを判定し、判定結果がＹＥＳであれば処理はステッ
プＳ２１へ戻る。
【００７３】他方、ステップＳ１３２の判定結果がＮＯ
であると、ステップＳ１３２−１は書き込み電流Ｉｗが
最大であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ１３
２−１は、書き込み電流Ｉｗが例えば２ｍＡのステップ
で２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で設定されるので、２０ｍ
Ａ〜５０ｍＡの範囲内でオフセットマージン（ΔＯ）が
最大の値を検出する。ステップＳ１３２−１の判定結果
がＮＯであると、処理はステップＳ２１へ戻り、書き込
み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで変えられる。このよう
にして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの範囲で測定を行い、オ
フセットマージン（ΔＯ）の限界値が最大となるＩｗを
見つける。他方、ステップＳ１３２−１の判定結果がＹ
ＥＳであると、セーブしたオフセット値ΔＯについて、
エラーレイトが１０-n以上となる限界値を求める。具体
的には、ステップＳ１３３は、オフセットマージンの
（ΔＯ）限界値が最大となる書き込み電流Ｉｗの値を求
める。又、ステップＳ１３４は、この場合のヘッド番号
と、最大又は最少シリンダ番号とに対して温度毎にＲＡ
Ｍ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納された
書き込み電流Ｉｗの値及びライトオフトラックスライス
ＯＴＳＬの値を更新する。つまり、書き込み電流Ｉｗの
値及びライトオフトラックスライスＯＴＳＬの値は、各
温度毎に設けられたテーブルに対して更新される。ステ
ップＳ１３４の後、処理はステップＳ２１へ戻る。
であると、ステップＳ１３２−１は書き込み電流Ｉｗが
最大であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ１３
２−１は、書き込み電流Ｉｗが例えば２ｍＡのステップ
で２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で設定されるので、２０ｍ
Ａ〜５０ｍＡの範囲内でオフセットマージン（ΔＯ）が
最大の値を検出する。ステップＳ１３２−１の判定結果
がＮＯであると、処理はステップＳ２１へ戻り、書き込
み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで変えられる。このよう
にして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの範囲で測定を行い、オ
フセットマージン（ΔＯ）の限界値が最大となるＩｗを
見つける。他方、ステップＳ１３２−１の判定結果がＹ
ＥＳであると、セーブしたオフセット値ΔＯについて、
エラーレイトが１０-n以上となる限界値を求める。具体
的には、ステップＳ１３３は、オフセットマージンの
（ΔＯ）限界値が最大となる書き込み電流Ｉｗの値を求
める。又、ステップＳ１３４は、この場合のヘッド番号
と、最大又は最少シリンダ番号とに対して温度毎にＲＡ
Ｍ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納された
書き込み電流Ｉｗの値及びライトオフトラックスライス
ＯＴＳＬの値を更新する。つまり、書き込み電流Ｉｗの
値及びライトオフトラックスライスＯＴＳＬの値は、各
温度毎に設けられたテーブルに対して更新される。ステ
ップＳ１３４の後、処理はステップＳ２１へ戻る。
【００７４】尚、オフセットマージンを測定する際、オ
フセットマージンとなるオフセット値（量）ΔＯは、或
るトラックの両側のトラックにノイズを書いた時にヘッ
ドを上記或るトラックに対してオフセットさせて読めた
全幅に対応し、次式で表わされる。 ΔＯ＝２＊［（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）−ΔＳ＋β］ ＝（Ｃｗ−Ｃｒ）−２ΔＳ＋２β ≦２ＤＳ＋Ｃｗ （βは、ＣｒとΔＳの重なっても読めるオフセット量） ここで、ΔＸ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−２
ΔＳなので、２ΔＳ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋
α−ΔＸとなる。従って、オフセット値ΔＯは次式で表
わされる。
フセットマージンとなるオフセット値（量）ΔＯは、或
るトラックの両側のトラックにノイズを書いた時にヘッ
ドを上記或るトラックに対してオフセットさせて読めた
全幅に対応し、次式で表わされる。 ΔＯ＝２＊［（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）−ΔＳ＋β］ ＝（Ｃｗ−Ｃｒ）−２ΔＳ＋２β ≦２ＤＳ＋Ｃｗ （βは、ＣｒとΔＳの重なっても読めるオフセット量） ここで、ΔＸ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−２
ΔＳなので、２ΔＳ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋
α−ΔＸとなる。従って、オフセット値ΔＯは次式で表
わされる。
【００７５】 ΔＯ＝（Ｃｗ−Ｃｒ）−［ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−ΔＸ］＋２β ＝（Ｃｗ−Ｃｒ）／２−ＤＳ−α＋２β＋ΔＸ このように、オフセットマージンからＴＰＩマージンが
求められるので、ＴＰＩマージンの場合と同様にオフト
ラックスライスを求めることができる。更に、ディスク
１５のトラックにデータを書き込む際に、ＴＰＩマージ
ン、オフセットマージン及びオントラック精度マージン
を各ヘッド１３に対して測定しておき、２以上のマージ
ンが最大となるように書き込み電流を可変設定するよう
にしても良い。
求められるので、ＴＰＩマージンの場合と同様にオフト
ラックスライスを求めることができる。更に、ディスク
１５のトラックにデータを書き込む際に、ＴＰＩマージ
ン、オフセットマージン及びオントラック精度マージン
を各ヘッド１３に対して測定しておき、２以上のマージ
ンが最大となるように書き込み電流を可変設定するよう
にしても良い。
【００７６】ヘッド毎及びゾーン毎に書き込み電流を設
定することで、例えばライトコア幅の広いヘッド、即
ち、書き拡がり量が大きいヘッドを使用する際、トラッ
クの位置決め精度誤差及び位置決め変動量が大きい場合
には書き込み動作時に隣接トラックのデータを消してし
まってアンリカラブルエラーを引き起こす可能性があ
る。しかし、温度変動により影響を受ける位置決め精度
誤差及び位置決め変動量と、ライトコア幅で決定される
書き拡がり量とは、個々のヘッド及び位置によってバラ
ツキが生じる。そこで、本発明の如く、個々のヘッドに
対してＴＰＩマージン等のマージンを測定し、隣接トラ
ックのデータを消してしまうような不都合が発生しない
ように書き込み電流及びオフトラックスライスを設定す
ることで、アンリカラブルエラーの発生を確実に防止す
ることができる。
定することで、例えばライトコア幅の広いヘッド、即
ち、書き拡がり量が大きいヘッドを使用する際、トラッ
クの位置決め精度誤差及び位置決め変動量が大きい場合
には書き込み動作時に隣接トラックのデータを消してし
まってアンリカラブルエラーを引き起こす可能性があ
る。しかし、温度変動により影響を受ける位置決め精度
誤差及び位置決め変動量と、ライトコア幅で決定される
書き拡がり量とは、個々のヘッド及び位置によってバラ
ツキが生じる。そこで、本発明の如く、個々のヘッドに
対してＴＰＩマージン等のマージンを測定し、隣接トラ
ックのデータを消してしまうような不都合が発生しない
ように書き込み電流及びオフトラックスライスを設定す
ることで、アンリカラブルエラーの発生を確実に防止す
ることができる。
【００７７】尚、上記各実施例では、キャリブレーショ
ンを行えない場合に温度に応じた処理を行っているが、
電源オン時やエラー検出時等にも行っても良い。以上、
本発明を実施例により説明したが、本発明の範囲内で種
々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
ンを行えない場合に温度に応じた処理を行っているが、
電源オン時やエラー検出時等にも行っても良い。以上、
本発明を実施例により説明したが、本発明の範囲内で種
々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【００７８】
【発明の効果】請求項１及び１１記載の発明によれば、
個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメー
タを考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラッ
クスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定する
ことができる。請求項２〜４及び１２〜１４記載の発明
によれば、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリ
カバラブルエラー）の発生を防止することができる。
個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメー
タを考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラッ
クスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定する
ことができる。請求項２〜４及び１２〜１４記載の発明
によれば、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリ
カバラブルエラー）の発生を防止することができる。
【００７９】請求項５、６、１５及び１６の発明によれ
ば、温度及び時間に依存するディスク装置の特性変動を
考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックス
ライスの少なくとも一方を設定することができるので、
磁気ディスク装置内の部品の経時変化にも対応可能であ
る。請求項７、１７及び２１記載の発明によれば、各ヘ
ッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラッ
クスライスの少なくとも一方を設定することができる。
ば、温度及び時間に依存するディスク装置の特性変動を
考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックス
ライスの少なくとも一方を設定することができるので、
磁気ディスク装置内の部品の経時変化にも対応可能であ
る。請求項７、１７及び２１記載の発明によれば、各ヘ
ッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラッ
クスライスの少なくとも一方を設定することができる。
【００８０】請求項８及び１８記載の発明によれば、デ
ィスクの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適
なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定するこ
とができる。請求項９及び１９記載の発明によれば、よ
り最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少な
くとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマ
ネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生をより
確実に防止することができる。
ィスクの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適
なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定するこ
とができる。請求項９及び１９記載の発明によれば、よ
り最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少な
くとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマ
ネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生をより
確実に防止することができる。
【００８１】請求項１０及び２０記載の発明によれば、
温度に対する位置決め精度誤差、位置決め変動量及びト
ラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータ
に合わせて書き込み電流及びオフトラックスライスの少
なくとも一方を最適に設定することができる。従って、
本発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に
依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設
定可能であり、書き込み時の隣接トラックからの干渉及
び隣接トラックへの干渉を防止することができる。
温度に対する位置決め精度誤差、位置決め変動量及びト
ラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータ
に合わせて書き込み電流及びオフトラックスライスの少
なくとも一方を最適に設定することができる。従って、
本発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に
依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設
定可能であり、書き込み時の隣接トラックからの干渉及
び隣接トラックへの干渉を防止することができる。
【図１】本発明になるディスク装置の一実施例を概略構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図２】ＴＰＩマージンの測定方法を説明する図であ
る。
る。
【図３】メモリ部に格納される書き込み電流値のテーブ
ルの一実施例を示す図である。
ルの一実施例を示す図である。
【図４】温度補正特性を示す図である。
【図５】メモリ部に格納されるオフトラックスライス値
のテーブルの一実施例を示す図である。
のテーブルの一実施例を示す図である。
【図６】ディスク装置の実施例の構成をより詳細に示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図７】ＴＰＩマージンの測定処理を説明するフローチ
ャートである。
ャートである。
【図８】キャリブレーション時の処理を説明するフロー
チャートである。
チャートである。
【図９】出荷時の試験工程で求められたＴＰＩマージン
の値と、キャリブレーションによって得られたＴＰＩマ
ージンの値とを示す図である。
の値と、キャリブレーションによって得られたＴＰＩマ
ージンの値とを示す図である。
【図１０】温度センサの出力とＡ／Ｄ変換器の出力との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図１１】キャリブレーション時の処理を説明するフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
１ ＨＤＡ ２ リード／ライト制御部 ３ 制御部 ４ メモリ部 ５ シーケンサ制御部 ６ ＭＣＵ ７ インタフェース制御部 ８ インタフェース ９ ホストコンピュータ １１ ヘッドＩＣ １２ アクチュエータ １３ ヘッド １４ スピンドルモータ １５ 磁気ディスク
Claims (21)
- 【請求項１】 ディスクのトラックにデータを書き込む
のに先立って、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マー
ジン、オフセットマージン及びオントラック精度マージ
ンのうち少なくとも１つのマージンをヘッドに対して複
数の温度毎に測定する測定ステップと、 温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくとも１
つのマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書
き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方
の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定ステ
ップとを含む、書き込み条件設定方法。 - 【請求項２】 前記ヘッドの走査するべきトラックに対
する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを
発生するアラーム発生ステップを更に含む、請求項１記
載の書き込み条件設定方法。 - 【請求項３】 前記アラーム発生ステップは、限界値を
前記少なくとも１つのマージンから求める、請求項２記
載の書き込み条件設定方法。 - 【請求項４】 前記限界値を、前記少なくとも１つのマ
ージンに基づいて更新する更新ステップを更に含む、請
求項２又は３記載の書き込み条件設定方法。 - 【請求項５】 前記測定ステップ及び前記設定ステップ
を、任意のタイミングで行う、請求項１〜４のいずれか
１項記載の書き込み条件設定方法。 - 【請求項６】 前記測定ステップは、可変設定した書き
込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を
記憶し更新する、請求項１〜５のいずれか１項記載の書
き込み条件設定方法。 - 【請求項７】 前記測定ステップ及び前記設定ステップ
は、複数設けられたヘッドの各々に対して独立に行う、
請求項１〜６のいずれか１項記載の書き込み条件設定方
法。 - 【請求項８】 前記測定ステップ及び前記設定ステップ
は、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独
立に行う、請求項１〜７のいずれか１項記載の書き込み
条件設定方法。 - 【請求項９】 前記設定ステップは、２以上のマージン
が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラック
スライスの少なくとも一方を可変設定する、請求項１〜
８のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。 - 【請求項１０】 前記温度に依存するパラメータは、位
置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡
がりのうち少なくとも１つのパラメータである、請求項
１〜９のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。 - 【請求項１１】 ディスクのトラックにデータを書き込
み読み出すヘッドと、 該ディスクに前記ヘッドでデータを書き込むのに先立っ
て、トラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージン、オフ
セットマージン及びオントラック精度マージンのうち少
なくとも１つのマージンを該ヘッドに対して複数の温度
毎に測定する測定手段と、 温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくとも１
つのマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書
き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方
の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定手段
とを備えた、ディスク装置。 - 【請求項１２】 前記ヘッドの走査するべきトラックに
対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラーム
を発生するアラーム発生手段を更に備えた、請求項１１
記載のディスク装置。 - 【請求項１３】 前記アラーム発生手段は、限界値を前
記少なくとも１つのマージンから求める、請求項１２記
載のディスク装置。 - 【請求項１４】 前記限界値を、前記少なくとも１つの
マージンに基づいて更新する更新手段を更に備えた、請
求項１２又は１３記載のディスク装置。 - 【請求項１５】 前記測定手段及び前記設定手段は、夫
々任意のタイミングでマージンの測定と、書き込み電流
及びオフトラックスライスの少なくとも一方の可変設定
を行う、請求項１１〜１４のいずれか１項記載のディス
ク装置。 - 【請求項１６】 記憶手段を更に備え、前記測定手段
は、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライ
スの少なくとも一方を該記憶手段に記憶し更新する、請
求項１１〜１５のいずれか１項記載のディスク装置。 - 【請求項１７】 前記ヘッドは複数設けられており、前
記測定手段及び前記設定手段は、該複数のヘッドの各々
に対して独立に行う、請求項１１〜１６のいずれか１項
記載のディスク装置。 - 【請求項１８】 前記測定手段及び前記設定手段は、複
数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行
う、請求項１１〜１７のいずれか１項記載のディスク装
置。 - 【請求項１９】 前記設定手段は、２以上のマージンが
最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックス
ライスの少なくとも一方を可変設定する、請求項１１〜
１８のいずれか１項記載のディスク装置。 - 【請求項２０】 前記温度に依存するパラメータは、位
置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡
がりのうち少なくとも１つのパラメータである、請求項
１１〜１９のいずれか１項記載のディスク装置。 - 【請求項２１】 データ書き込み時に、前記設定手段に
より設定された書き込み電流及びオフトラックスライス
の少なくとも一方を読み出して前記ディスクにデータを
書き込む手段を更に備えた、請求項１１〜２０のいずれ
か１項記載のディスク装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13979998A JP3628515B2 (ja) | 1997-05-29 | 1998-05-21 | 書き込み条件設定方法及びディスク装置 |
| US09/084,817 US6101053A (en) | 1997-05-29 | 1998-05-26 | Write condition setting method and disk unit |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14044297 | 1997-05-29 | ||
| JP9-140442 | 1997-05-29 | ||
| JP13979998A JP3628515B2 (ja) | 1997-05-29 | 1998-05-21 | 書き込み条件設定方法及びディスク装置 |
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