JPH11307512A - エッチング方法 - Google Patents
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- JPH11307512A JPH11307512A JP10113566A JP11356698A JPH11307512A JP H11307512 A JPH11307512 A JP H11307512A JP 10113566 A JP10113566 A JP 10113566A JP 11356698 A JP11356698 A JP 11356698A JP H11307512 A JPH11307512 A JP H11307512A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応生成物の除去工程と洗浄工程を省いて
も、酸化膜と窒化珪素膜を積層した層間膜にコンタクト
ホールを形成できるエッチング方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るエッチング方法は、窒化珪
素膜３０４とその上に形成された酸化膜３０３からなる
積層膜をエッチングするものである。このエッチング方
法は、Ｃ4 Ｆ8 系ガス３０６ａで該酸化膜３０３のエッ
チングを開始し、該窒化珪素膜３０４が露出する前に該
Ｃ4 Ｆ8 系ガスでのエッチングを停止する工程と、エッ
チングガスをＣ4 Ｆ8 系ガス３０６ａからＣＨＦ3 系ガ
ス３０６ｂに切り替えて残った酸化膜３０３と該窒化珪
素膜３０４をエッチングする工程と、を具備するもので
ある。
も、酸化膜と窒化珪素膜を積層した層間膜にコンタクト
ホールを形成できるエッチング方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るエッチング方法は、窒化珪
素膜３０４とその上に形成された酸化膜３０３からなる
積層膜をエッチングするものである。このエッチング方
法は、Ｃ4 Ｆ8 系ガス３０６ａで該酸化膜３０３のエッ
チングを開始し、該窒化珪素膜３０４が露出する前に該
Ｃ4 Ｆ8 系ガスでのエッチングを停止する工程と、エッ
チングガスをＣ4 Ｆ8 系ガス３０６ａからＣＨＦ3 系ガ
ス３０６ｂに切り替えて残った酸化膜３０３と該窒化珪
素膜３０４をエッチングする工程と、を具備するもので
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体及び電子デ
バイス部品に代表される微細加工プロセスにおいて適用
されるエッチング方法に関する。
バイス部品に代表される微細加工プロセスにおいて適用
されるエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩ等に用いられる半導体素
子は、高集積化及び高性能化が進展するに伴い、微細加
工への要求が厳しくなっている。例えば、ＤＲＡＭ構造
を例にとると、集積度を上げるために、配線自体の線幅
が縮小されるとともに配線間の間隔も縮小され、更にコ
ンタクトホールの穴径も小さくなってきている。その結
果、これらの配線とコンタクトホール間の間隔が小さく
なり、電気的なショートが懸念される。これを防止する
ために、酸化膜で形成された層間絶縁膜に更に窒化珪素
の層を介在させている。
子は、高集積化及び高性能化が進展するに伴い、微細加
工への要求が厳しくなっている。例えば、ＤＲＡＭ構造
を例にとると、集積度を上げるために、配線自体の線幅
が縮小されるとともに配線間の間隔も縮小され、更にコ
ンタクトホールの穴径も小さくなってきている。その結
果、これらの配線とコンタクトホール間の間隔が小さく
なり、電気的なショートが懸念される。これを防止する
ために、酸化膜で形成された層間絶縁膜に更に窒化珪素
の層を介在させている。
【０００３】図９は、従来のドライエッチング方法の問
題点を説明するためのＣＯＢ構造のＤＲＡＭを模式的に
示す断面図である。シリコン基板１０７の上にはビット
線１０６が形成されており、ビット線１０６の上には酸
化膜１０３が形成されている。この酸化膜１０３の上に
は窒化珪素膜１０４が形成されており、この窒化珪素膜
１０４の上には酸化膜１０３が形成されている。この酸
化膜１０３内にはワード線１０５が形成されている。ま
た、酸化膜１０３の上には窒化珪素膜１０４が形成され
ており、この窒化珪素膜１０４の上には酸化膜１０３が
形成されている。この酸化膜１０３の上には窒化珪素膜
１０２が形成されており、この窒化珪素膜１０２の上に
はキャパシタ部１０１が形成されている。このキャパシ
タ部１０１から図中下方にあるトランジスタにコンタク
トホール１０８が開孔されている。
題点を説明するためのＣＯＢ構造のＤＲＡＭを模式的に
示す断面図である。シリコン基板１０７の上にはビット
線１０６が形成されており、ビット線１０６の上には酸
化膜１０３が形成されている。この酸化膜１０３の上に
は窒化珪素膜１０４が形成されており、この窒化珪素膜
１０４の上には酸化膜１０３が形成されている。この酸
化膜１０３内にはワード線１０５が形成されている。ま
た、酸化膜１０３の上には窒化珪素膜１０４が形成され
ており、この窒化珪素膜１０４の上には酸化膜１０３が
形成されている。この酸化膜１０３の上には窒化珪素膜
１０２が形成されており、この窒化珪素膜１０２の上に
はキャパシタ部１０１が形成されている。このキャパシ
タ部１０１から図中下方にあるトランジスタにコンタク
トホール１０８が開孔されている。
【０００４】このようにコンタクトホール１０８を開孔
するには、図９に示すように、酸化膜１０３と窒化珪素
膜１０２、１０４で形成された積層膜をエッチングする
必要がある。
するには、図９に示すように、酸化膜１０３と窒化珪素
膜１０２、１０４で形成された積層膜をエッチングする
必要がある。
【０００５】ここで、酸化膜と窒化珪素膜の両方をエッ
チングできるエッチングガスとしてはＣＨＦ3 系ガスが
ある。近年の微細加工技術の一つには、レジストマスク
ではなくPolyマスクを使用したコンタクトホールの加工
も行われるようになってきている。Polyマスクを使用す
ることによって、レジストマスクでは達成できなかった
サブミクロンの加工が可能となる。
チングできるエッチングガスとしてはＣＨＦ3 系ガスが
ある。近年の微細加工技術の一つには、レジストマスク
ではなくPolyマスクを使用したコンタクトホールの加工
も行われるようになってきている。Polyマスクを使用す
ることによって、レジストマスクでは達成できなかった
サブミクロンの加工が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、Polyマスク
でＣＨＦ3 系ガスを単独で用いてコンタクトホールを加
工すると、マスクと酸化膜の選択比がとれず、マスクが
後退するといった現象が発生してしまう。
でＣＨＦ3 系ガスを単独で用いてコンタクトホールを加
工すると、マスクと酸化膜の選択比がとれず、マスクが
後退するといった現象が発生してしまう。
【０００７】また、従来のエッチング方法には次のよう
な問題もある。図１０〜図１２は、従来のエッチング方
法を用いた半導体装置の製造工程の一部を示すものであ
り、従来のエッチング方法の他の問題点を説明するため
の断面図である。
な問題もある。図１０〜図１２は、従来のエッチング方
法を用いた半導体装置の製造工程の一部を示すものであ
り、従来のエッチング方法の他の問題点を説明するため
の断面図である。
【０００８】図１０に示すように、シリコン基板２０５
の上に窒化珪素膜２０４を形成し、この窒化珪素膜２０
４の上に酸化膜２０３を形成する。この酸化膜２０３の
上にエッチングマスク（Poly-Si ）２０１を形成する。
次に、このエッチングマスク２０１をマスクとしてＣＨ
Ｆ3 系ガスを単独で用いてエッチングすることにより、
酸化膜２０３及び窒化珪素膜２０４にコンタクトホール
２０２を形成すると、このコンタクトホール２０２の形
状がボーイング形状となってしまう。
の上に窒化珪素膜２０４を形成し、この窒化珪素膜２０
４の上に酸化膜２０３を形成する。この酸化膜２０３の
上にエッチングマスク（Poly-Si ）２０１を形成する。
次に、このエッチングマスク２０１をマスクとしてＣＨ
Ｆ3 系ガスを単独で用いてエッチングすることにより、
酸化膜２０３及び窒化珪素膜２０４にコンタクトホール
２０２を形成すると、このコンタクトホール２０２の形
状がボーイング形状となってしまう。
【０００９】この後、図１１に示すように、コンタクト
ホール２０２内を埋めるために、Poly-Si 等のホール内
充填材２０７をPoly-Si （エッチングマスク）２０１上
に堆積する。すると、コンタクトホール２０２がボーイ
ング形状となっているため、コンタクトホール２０２内
にす状の空間２０６が発生してしまう。
ホール２０２内を埋めるために、Poly-Si 等のホール内
充填材２０７をPoly-Si （エッチングマスク）２０１上
に堆積する。すると、コンタクトホール２０２がボーイ
ング形状となっているため、コンタクトホール２０２内
にす状の空間２０６が発生してしまう。
【００１０】次に、ホール内充填材２０７をエッチバッ
クする。すると、図１２に示すように、す状の部分２０
６が他の部分より速くエッチングされてしまい、エッチ
ングすることを予定していない部分であるコンタクトホ
ール２０２の底の部分のシリコン基板２０５がエッチン
グされてしまうという不具合が発生してしまう。
クする。すると、図１２に示すように、す状の部分２０
６が他の部分より速くエッチングされてしまい、エッチ
ングすることを予定していない部分であるコンタクトホ
ール２０２の底の部分のシリコン基板２０５がエッチン
グされてしまうという不具合が発生してしまう。
【００１１】このような不具合の発生を防止する方法と
しては、酸化膜２０３をＣ4 Ｆ8 系ガスを用いてエッチ
ングした後、窒化珪素膜２０４をＣＨＦ3 系ガスを用い
てエッチングする方法が考えられる。Ｃ4 Ｆ8 系ガスで
は、酸化膜は容易にエッチングされるが、窒化珪素膜は
容易にエッチングされないからである。このような方法
を実施するためには、酸化膜２０３をＣ4 Ｆ8 系ガスを
用いてエッチングした後に、コンタクトホール内に付着
したフロロカーボン系の反応生成物をＯ2 プラズマで除
去し（アッシング）、更に硫酸や過酸化水素水等で洗浄
しなければならず、その後、窒化珪素膜２０４をＣＨＦ
3 系ガスを用いてエッチングすることとなる。このこと
は、図９で示したように酸化膜と窒化珪素膜が複数から
なる多層膜の場合、反応生成物の除去工程と洗浄工程を
その膜数分だけ行わなければならず、製造コストが過大
となる。
しては、酸化膜２０３をＣ4 Ｆ8 系ガスを用いてエッチ
ングした後、窒化珪素膜２０４をＣＨＦ3 系ガスを用い
てエッチングする方法が考えられる。Ｃ4 Ｆ8 系ガスで
は、酸化膜は容易にエッチングされるが、窒化珪素膜は
容易にエッチングされないからである。このような方法
を実施するためには、酸化膜２０３をＣ4 Ｆ8 系ガスを
用いてエッチングした後に、コンタクトホール内に付着
したフロロカーボン系の反応生成物をＯ2 プラズマで除
去し（アッシング）、更に硫酸や過酸化水素水等で洗浄
しなければならず、その後、窒化珪素膜２０４をＣＨＦ
3 系ガスを用いてエッチングすることとなる。このこと
は、図９で示したように酸化膜と窒化珪素膜が複数から
なる多層膜の場合、反応生成物の除去工程と洗浄工程を
その膜数分だけ行わなければならず、製造コストが過大
となる。
【００１２】これに対して、製造コストを抑えるため
に、反応生成物の除去工程と洗浄工程を省いて、酸化膜
２０３をＣ4 Ｆ8 系ガスを用いてエッチングした後、引
き続きエッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系
ガスに切り替えて連続して窒化珪素膜２０４をエッチン
グすることも考えられる。しかし、こうしたとすると、
図１３に示すとおり、Ｃ4 Ｆ8 系ガスでの酸化膜のオー
バーエッチング量に比例して、酸化膜の下層に位置する
窒化珪素膜のエッチレート（エッチング量）が低下して
しまい、そのオーバーエッチング量がある量に達する
と、エッチングストップの現象が発生してしまう。従っ
て、反応生成物の除去工程と洗浄工程を省くことはでき
ない。
に、反応生成物の除去工程と洗浄工程を省いて、酸化膜
２０３をＣ4 Ｆ8 系ガスを用いてエッチングした後、引
き続きエッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系
ガスに切り替えて連続して窒化珪素膜２０４をエッチン
グすることも考えられる。しかし、こうしたとすると、
図１３に示すとおり、Ｃ4 Ｆ8 系ガスでの酸化膜のオー
バーエッチング量に比例して、酸化膜の下層に位置する
窒化珪素膜のエッチレート（エッチング量）が低下して
しまい、そのオーバーエッチング量がある量に達する
と、エッチングストップの現象が発生してしまう。従っ
て、反応生成物の除去工程と洗浄工程を省くことはでき
ない。
【００１３】図１４（ａ）〜（ｃ）は、酸化膜のオーバ
ーエッチング量が増えるとエッチストップが発生すると
いう図１３で示す現象を模式的に説明するための断面図
である。
ーエッチング量が増えるとエッチストップが発生すると
いう図１３で示す現象を模式的に説明するための断面図
である。
【００１４】図１４（ａ）に示すように、シリコン基板
３０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素
膜３０４の上に酸化膜３０３を形成する。この酸化膜３
０３の上にエッチングマスク３０１を形成する。次に、
このエッチングマスク３０１をマスクとしてＣ4 Ｆ8 系
ガス３０６を用いて酸化膜３０３のエッチングを窒化珪
素膜３０４の表面が露出する前まで行った。この場合、
コンタクトホール３０２内に反応生成物は生じない。
３０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素
膜３０４の上に酸化膜３０３を形成する。この酸化膜３
０３の上にエッチングマスク３０１を形成する。次に、
このエッチングマスク３０１をマスクとしてＣ4 Ｆ8 系
ガス３０６を用いて酸化膜３０３のエッチングを窒化珪
素膜３０４の表面が露出する前まで行った。この場合、
コンタクトホール３０２内に反応生成物は生じない。
【００１５】図１４（ｂ）に示すように、シリコン基板
３０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素
膜３０４の上に酸化膜３０３を形成する。この酸化膜３
０３の上にエッチングマスク３０１を形成する。次に、
このエッチングマスク３０１をマスクとしてＣ4 Ｆ8 系
ガス３０６を用いて酸化膜３０３のエッチングを窒化珪
素膜３０４の表面が露出する時まで行った。この場合
は、コンタクトホール３０２内にフロロカーボン系の反
応生成物３０７が生じる。
３０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素
膜３０４の上に酸化膜３０３を形成する。この酸化膜３
０３の上にエッチングマスク３０１を形成する。次に、
このエッチングマスク３０１をマスクとしてＣ4 Ｆ8 系
ガス３０６を用いて酸化膜３０３のエッチングを窒化珪
素膜３０４の表面が露出する時まで行った。この場合
は、コンタクトホール３０２内にフロロカーボン系の反
応生成物３０７が生じる。
【００１６】図１４（ｃ）に示すように、シリコン基板
３０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素
膜３０４の上に酸化膜３０３を形成する。この酸化膜３
０３の上にエッチングマスク３０１を形成する。次に、
このエッチングマスク３０１をマスクとしてＣ4 Ｆ8 系
ガス３０６を用いて酸化膜３０３のオーバーエッチング
を行った。この場合は、コンタクトホール３０２内に生
じるフロロカーボン系の反応生成物３０７の量が図１４
（ｂ）の場合より多い。
３０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素
膜３０４の上に酸化膜３０３を形成する。この酸化膜３
０３の上にエッチングマスク３０１を形成する。次に、
このエッチングマスク３０１をマスクとしてＣ4 Ｆ8 系
ガス３０６を用いて酸化膜３０３のオーバーエッチング
を行った。この場合は、コンタクトホール３０２内に生
じるフロロカーボン系の反応生成物３０７の量が図１４
（ｂ）の場合より多い。
【００１７】これらの図からもわかるとおり、Ｃ4 Ｆ8
系ガスで酸化膜３０３をエッチングした際に、下層の窒
化珪素膜３０４が露出するとコンタクトホール３０２内
にフロロカーボン系の反応生成物３０７が堆積し始め
る。この量は、図１３からも推測されるように、Ｃ4 Ｆ
8 系ガスでの酸化膜３０３のオーバーエッチング量に依
存する。さらにオーバーエッチング時間を長くしていく
と、コンタクトホール内に堆積した反応生成物によって
イオンによるエッチングの効力が無くなりエッチストッ
プしてしまう。従って、酸化膜３０３をエッチングし、
フロロカーボン系の反応生成物３０７を酸素等のアッシ
ングによりＯ2 ＋ＣＦ→ＣＯＦという形で蒸発させた後
に、窒化珪素膜３０４をエッチングする必要がある。
系ガスで酸化膜３０３をエッチングした際に、下層の窒
化珪素膜３０４が露出するとコンタクトホール３０２内
にフロロカーボン系の反応生成物３０７が堆積し始め
る。この量は、図１３からも推測されるように、Ｃ4 Ｆ
8 系ガスでの酸化膜３０３のオーバーエッチング量に依
存する。さらにオーバーエッチング時間を長くしていく
と、コンタクトホール内に堆積した反応生成物によって
イオンによるエッチングの効力が無くなりエッチストッ
プしてしまう。従って、酸化膜３０３をエッチングし、
フロロカーボン系の反応生成物３０７を酸素等のアッシ
ングによりＯ2 ＋ＣＦ→ＣＯＦという形で蒸発させた後
に、窒化珪素膜３０４をエッチングする必要がある。
【００１８】一方、コンタクトホール内の反応生成物を
同一エッチング装置内でガス条件を切り替えるだけで除
去する方法としては、Ｃ4 Ｆ8 系ガスによる酸化膜２０
３のエッチング終了後に、チャンバ内に酸素を導入し、
ホール内の反応生成物を除去することが考えられる。し
かし、この方法を用いると、チャンバ内壁に付着した反
応生成物も同時に除去されるので、パーティクルの発生
原因となってしまう。
同一エッチング装置内でガス条件を切り替えるだけで除
去する方法としては、Ｃ4 Ｆ8 系ガスによる酸化膜２０
３のエッチング終了後に、チャンバ内に酸素を導入し、
ホール内の反応生成物を除去することが考えられる。し
かし、この方法を用いると、チャンバ内壁に付着した反
応生成物も同時に除去されるので、パーティクルの発生
原因となってしまう。
【００１９】また、酸化膜のエッチング終了後に、チャ
ンバ内に酸素プラズマを発生させてホール内の反応生成
物を除去する場合、ウエハ裏面までプラズマが回り込
む。このとき、ウエハの冷却機構として温調された下部
電極の温度をウエハに伝達するための手段として静電チ
ャックが使用されており、その誘電体膜としてポリイミ
ド樹脂が使われていると、このポリイミド樹脂までエッ
チングされ、絶縁破壊という重大なトラブルが発生して
しまう。
ンバ内に酸素プラズマを発生させてホール内の反応生成
物を除去する場合、ウエハ裏面までプラズマが回り込
む。このとき、ウエハの冷却機構として温調された下部
電極の温度をウエハに伝達するための手段として静電チ
ャックが使用されており、その誘電体膜としてポリイミ
ド樹脂が使われていると、このポリイミド樹脂までエッ
チングされ、絶縁破壊という重大なトラブルが発生して
しまう。
【００２０】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、反応生成物の除去工程と
洗浄工程を省いても、上層と下層を積層した層間膜にコ
ンタクトホールを形成できるエッチング方法を提供する
ことにある。特に、本発明の目的は、反応生成物の除去
工程と洗浄工程を省いても、酸化膜と窒化珪素膜を積層
した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッチング
方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、反応生成物の除去工程と
洗浄工程を省いても、上層と下層を積層した層間膜にコ
ンタクトホールを形成できるエッチング方法を提供する
ことにある。特に、本発明の目的は、反応生成物の除去
工程と洗浄工程を省いても、酸化膜と窒化珪素膜を積層
した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッチング
方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るエッチング方法は、少なくとも２層を
有する積層膜をエッチングする方法であって、第１のエ
ッチングガスで上層のエッチングを開始し、下層が露出
する前に該上層のエッチングを停止する工程と、第２の
エッチングガスで残った上層と該下層をエッチングする
工程と、を具備することを特徴とする。また、上記第１
のエッチングガスによる工程と上記第２のエッチングガ
スによる工程は、同一チャンバ内で連続して行われるこ
とが好ましい。また、上記積層膜にシリコン酸化膜と窒
化珪素膜を含むことが好ましい。また、上記第１のエッ
チングガスがＣ4 Ｆ8 系ガスであり、上記第２のエッチ
ングガスがＣＨＦ3 系ガスであることが好ましい。
め、本発明に係るエッチング方法は、少なくとも２層を
有する積層膜をエッチングする方法であって、第１のエ
ッチングガスで上層のエッチングを開始し、下層が露出
する前に該上層のエッチングを停止する工程と、第２の
エッチングガスで残った上層と該下層をエッチングする
工程と、を具備することを特徴とする。また、上記第１
のエッチングガスによる工程と上記第２のエッチングガ
スによる工程は、同一チャンバ内で連続して行われるこ
とが好ましい。また、上記積層膜にシリコン酸化膜と窒
化珪素膜を含むことが好ましい。また、上記第１のエッ
チングガスがＣ4 Ｆ8 系ガスであり、上記第２のエッチ
ングガスがＣＨＦ3 系ガスであることが好ましい。
【００２２】上記エッチング方法では、第１のエッチン
グガスで上層のエッチングを開始し、下層が露出する前
にそのエッチングを停止させるため（上層のオーバーエ
ッチングを行わないため）、第１のエッチングガスで下
層をエッチングした際に生成される反応生成物がホール
に堆積することがない。従って、反応生成物の除去工程
と洗浄工程を施す必要がない。これにより、残りの上層
と下層を第２のエッチングガスを用いてエッチングする
際、第１のエッチングガスから第２のエッチングガスに
切り替えるだけで連続してエッチングすることができ
る。
グガスで上層のエッチングを開始し、下層が露出する前
にそのエッチングを停止させるため（上層のオーバーエ
ッチングを行わないため）、第１のエッチングガスで下
層をエッチングした際に生成される反応生成物がホール
に堆積することがない。従って、反応生成物の除去工程
と洗浄工程を施す必要がない。これにより、残りの上層
と下層を第２のエッチングガスを用いてエッチングする
際、第１のエッチングガスから第２のエッチングガスに
切り替えるだけで連続してエッチングすることができ
る。
【００２３】また、本発明に係るエッチング方法は、窒
化珪素膜とその上に形成された酸化膜からなる積層膜を
エッチングする方法であって、Ｃ4 Ｆ8 系ガスで該酸化
膜のエッチングを開始し、該窒化珪素膜が露出する前に
該Ｃ4 Ｆ8 系ガスでのエッチングを停止する工程と、エ
ッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切
り替えて残った酸化膜と該窒化珪素膜をエッチングする
工程と、を具備することを特徴とする。
化珪素膜とその上に形成された酸化膜からなる積層膜を
エッチングする方法であって、Ｃ4 Ｆ8 系ガスで該酸化
膜のエッチングを開始し、該窒化珪素膜が露出する前に
該Ｃ4 Ｆ8 系ガスでのエッチングを停止する工程と、エ
ッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切
り替えて残った酸化膜と該窒化珪素膜をエッチングする
工程と、を具備することを特徴とする。
【００２４】上記エッチング方法では、Ｃ4 Ｆ8 系ガス
で酸化膜のエッチングを開始し、窒化珪素膜が露出する
前にそのエッチングを停止させるため（酸化膜のオーバ
ーエッチングを行わないため）、反応生成物がホールに
堆積することがない。従って、反応生成物の除去工程と
洗浄工程を施す必要がない。これにより、残りの酸化膜
と窒化珪素膜をＣＨＦ3 系ガスを用いてエッチングする
際、Ｃ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切り替えるだ
けで連続してエッチングすることができる。
で酸化膜のエッチングを開始し、窒化珪素膜が露出する
前にそのエッチングを停止させるため（酸化膜のオーバ
ーエッチングを行わないため）、反応生成物がホールに
堆積することがない。従って、反応生成物の除去工程と
洗浄工程を施す必要がない。これにより、残りの酸化膜
と窒化珪素膜をＣＨＦ3 系ガスを用いてエッチングする
際、Ｃ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切り替えるだ
けで連続してエッチングすることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図１（ａ），（ｂ）は、
本発明の実施の形態によるエッチング方法を示す断面図
である。
実施の形態について説明する。図１（ａ），（ｂ）は、
本発明の実施の形態によるエッチング方法を示す断面図
である。
【００２６】本発明者が前述の問題点に鑑み鋭意検討を
行った結果、酸化膜と窒化珪素膜を積層した多層の絶縁
材にコンタクトホールを形成するためのエッチングを、
酸素等のアッシングにより反応生成物を除去する工程と
洗浄工程を施すことなく連続して行う方法を見いだし
た。この方法を図１を参照しつつ説明する。
行った結果、酸化膜と窒化珪素膜を積層した多層の絶縁
材にコンタクトホールを形成するためのエッチングを、
酸素等のアッシングにより反応生成物を除去する工程と
洗浄工程を施すことなく連続して行う方法を見いだし
た。この方法を図１を参照しつつ説明する。
【００２７】図１（ａ）に示すように、シリコン基板３
０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素膜
３０４の上に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）３０３を形成する。
この酸化膜３０３の上にエッチングマスク３０１を形成
する。次に、このエッチングマスク３０１をマスクとし
てＣ4 Ｆ8 系ガス３０６ａで酸化膜３０３のエッチング
を開始し、この酸化膜３０３の下層に位置する窒化珪素
膜３０４が露出する前にＣ4 Ｆ8 系ガスでの酸化膜のエ
ッチングを停止する。この際の停止するタイミングは、
エッチングエンドポイントモニタもしくはエッチングレ
ートから判断する。
０５の上に窒化珪素膜３０４を形成し、この窒化珪素膜
３０４の上に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）３０３を形成する。
この酸化膜３０３の上にエッチングマスク３０１を形成
する。次に、このエッチングマスク３０１をマスクとし
てＣ4 Ｆ8 系ガス３０６ａで酸化膜３０３のエッチング
を開始し、この酸化膜３０３の下層に位置する窒化珪素
膜３０４が露出する前にＣ4 Ｆ8 系ガスでの酸化膜のエ
ッチングを停止する。この際の停止するタイミングは、
エッチングエンドポイントモニタもしくはエッチングレ
ートから判断する。
【００２８】この後、図１（ｂ）に示すように、エッチ
ングガスをＣ4 Ｆ8 系ガス３０６ａからＣＨＦ3 系ガス
３０６ｂに切り替えて残った酸化膜３０３とその下層の
窒化珪素膜３０４をエッチングするものである。これに
より、酸化膜と窒化珪素膜からなる積層膜にコンタクト
ホールを加工する工程において、途中にアッシング工程
や洗浄工程を行うことなしに、エッチングガスをＣ4 Ｆ
8 系ガスからＣＨＦ3系ガスに切り替えるだけで連続し
てエッチングすることが可能となる。一般に、エッチン
グガスとしてＣ4 Ｆ8 系ガスを用いる場合、酸化膜のエ
ッチングは容易であるが、窒化珪素膜のエッチングは非
常に困難である。また、エッチングとしてＣＨＦ3 系ガ
スを用いる場合は、酸化膜のエッチングと窒化珪素膜の
エッチングの両方が容易である。
ングガスをＣ4 Ｆ8 系ガス３０６ａからＣＨＦ3 系ガス
３０６ｂに切り替えて残った酸化膜３０３とその下層の
窒化珪素膜３０４をエッチングするものである。これに
より、酸化膜と窒化珪素膜からなる積層膜にコンタクト
ホールを加工する工程において、途中にアッシング工程
や洗浄工程を行うことなしに、エッチングガスをＣ4 Ｆ
8 系ガスからＣＨＦ3系ガスに切り替えるだけで連続し
てエッチングすることが可能となる。一般に、エッチン
グガスとしてＣ4 Ｆ8 系ガスを用いる場合、酸化膜のエ
ッチングは容易であるが、窒化珪素膜のエッチングは非
常に困難である。また、エッチングとしてＣＨＦ3 系ガ
スを用いる場合は、酸化膜のエッチングと窒化珪素膜の
エッチングの両方が容易である。
【００２９】上記実施の形態によれば、Ｃ4 Ｆ8 系ガス
３０６ａで酸化膜３０３のエッチングを開始し、窒化珪
素膜３０４が露出する前にそのエッチングを停止させる
ため（酸化膜３０３のオーバーエッチングを行わないた
め）、フロロカーボン系の反応生成物がコンタクトホー
ル３０２に堆積することがない。次に、残りの酸化膜３
０３と窒化珪素膜３０４をＣＨＦ3 系ガス３０６ｂを用
いてエッチングする。したがって、酸化膜と窒化珪素膜
からなる積層膜を、Ｃ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガス
に切り替えるだけで連続してエッチングすることが可能
となる。
３０６ａで酸化膜３０３のエッチングを開始し、窒化珪
素膜３０４が露出する前にそのエッチングを停止させる
ため（酸化膜３０３のオーバーエッチングを行わないた
め）、フロロカーボン系の反応生成物がコンタクトホー
ル３０２に堆積することがない。次に、残りの酸化膜３
０３と窒化珪素膜３０４をＣＨＦ3 系ガス３０６ｂを用
いてエッチングする。したがって、酸化膜と窒化珪素膜
からなる積層膜を、Ｃ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガス
に切り替えるだけで連続してエッチングすることが可能
となる。
【００３０】尚、本発明は、レジストマスクやPolyマス
クを用いてコンタクトホールを加工する場合、コンタク
トホール以外の楕円形状のホールを加工する場合、各種
酸化膜と窒化珪素の膜が積層したパターンで加工処理を
行う場合についても適用することが可能である。
クを用いてコンタクトホールを加工する場合、コンタク
トホール以外の楕円形状のホールを加工する場合、各種
酸化膜と窒化珪素の膜が積層したパターンで加工処理を
行う場合についても適用することが可能である。
【００３１】また、酸化膜３０３の下層に位置する窒化
珪素膜３０４が露出する前にＣ4 Ｆ8 系ガスでの酸化膜
のエッチングを停止させる時の酸化膜３０３の残りの膜
厚は、７０nm〜３０nm程度であることが望ましい。
珪素膜３０４が露出する前にＣ4 Ｆ8 系ガスでの酸化膜
のエッチングを停止させる時の酸化膜３０３の残りの膜
厚は、７０nm〜３０nm程度であることが望ましい。
【００３２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図２〜図５は、後述する本発明の実施例によるエ
ッチング方法を説明する際に用いる高密度プラズマを発
生させることが可能なプラズマ処理装置を模式的に示す
概略図である。
する。図２〜図５は、後述する本発明の実施例によるエ
ッチング方法を説明する際に用いる高密度プラズマを発
生させることが可能なプラズマ処理装置を模式的に示す
概略図である。
【００３３】図２は、ダイポールリング方式のプラズマ
エッチング装置を示す概略図である。このプラズマエッ
チング装置４００はチャンバ４２０を有し、このチャン
バ４２０の側面には、ポール状の永久磁石からなるダイ
ポールリング４０２が設置されている。チャンバ４２０
の内部には静電チャック４０７もしくはクランプ等（図
示せず）で把持されたウエハ４０３が配置されており、
ダイポールリング４０２からの磁力線はこのウエハ面に
対して平行方向に生じている。この磁場によって、最大
に励起された高密度プラズマをチャンバ４２０内で容易
に発生させることができる。また、ウエハ面上での磁力
線の分布は面に対して均一ではなく、磁場によって偏っ
たプラズマ分布を緩和するようにウエハ面上で磁束密度
が変化している。
エッチング装置を示す概略図である。このプラズマエッ
チング装置４００はチャンバ４２０を有し、このチャン
バ４２０の側面には、ポール状の永久磁石からなるダイ
ポールリング４０２が設置されている。チャンバ４２０
の内部には静電チャック４０７もしくはクランプ等（図
示せず）で把持されたウエハ４０３が配置されており、
ダイポールリング４０２からの磁力線はこのウエハ面に
対して平行方向に生じている。この磁場によって、最大
に励起された高密度プラズマをチャンバ４２０内で容易
に発生させることができる。また、ウエハ面上での磁力
線の分布は面に対して均一ではなく、磁場によって偏っ
たプラズマ分布を緩和するようにウエハ面上で磁束密度
が変化している。
【００３４】チャンバ４２０の上部には、チャンバ内に
ガスを供給するガス供給手段４０１が接続されている。
また、静電チャック４０７の下には下部電極４０４が配
置されており、下部電極４０４には高周波電源４０６が
接続されている。また、チャンバ４２０の下部には排気
手段４０５が接続されている。
ガスを供給するガス供給手段４０１が接続されている。
また、静電チャック４０７の下には下部電極４０４が配
置されており、下部電極４０４には高周波電源４０６が
接続されている。また、チャンバ４２０の下部には排気
手段４０５が接続されている。
【００３５】図３は、ＴＣＰタイプのプラズマエッチン
グ装置を示す概略図である。このプラズマエッチング装
置４００はチャンバ４２０を有し、チャンバ４２０の上
部は誘電プレートとなる石英天板４０９が設置されてい
る。石英天板４０９の上には蚊取り線香状に巻かれた誘
導結合コイルとなるＴＣＰ電極４０８が配置されてお
り、このＴＣＰ電極４０８には高周波電源４０６が接続
されている。これにより、ＴＣＰ電極４０８には高周波
電源４０６からの１３．５６ＭＨｚのＲＦの高周波が印
加され、高密度プラズマを発生させることができるよう
になっている。
グ装置を示す概略図である。このプラズマエッチング装
置４００はチャンバ４２０を有し、チャンバ４２０の上
部は誘電プレートとなる石英天板４０９が設置されてい
る。石英天板４０９の上には蚊取り線香状に巻かれた誘
導結合コイルとなるＴＣＰ電極４０８が配置されてお
り、このＴＣＰ電極４０８には高周波電源４０６が接続
されている。これにより、ＴＣＰ電極４０８には高周波
電源４０６からの１３．５６ＭＨｚのＲＦの高周波が印
加され、高密度プラズマを発生させることができるよう
になっている。
【００３６】チャンバ４２０の内部には下部電極４０４
が配置されており、下部電極４０４には高周波電源４０
６が接続されている。下部電極４０４の上にはウエハ４
０３が載置されている。また、チャンバ４２０の側部に
は搬送手段４１０が設置されている。また、チャンバ４
２０の下部にはガス供給手段４０１および排気手段４０
５が接続されている。
が配置されており、下部電極４０４には高周波電源４０
６が接続されている。下部電極４０４の上にはウエハ４
０３が載置されている。また、チャンバ４２０の側部に
は搬送手段４１０が設置されている。また、チャンバ４
２０の下部にはガス供給手段４０１および排気手段４０
５が接続されている。
【００３７】図４は、ＲＦバイアス印加型のＥＣＲプラ
ズマエッチング装置を示す概略図である。このプラズマ
エッチング装置４００はチャンバ４２０を有し、このチ
ャンバ４２０の上部にはドーム状石英ベルジャ４２１が
設けられている。この石英ベルジャ４２１の側部にはリ
ング状の電磁石４１２が設置されている。石英ベルジャ
４２１の上部には導波管を介してマイクロ波発生手段４
１１が接続されており、このマイクロ波発生手段４１１
はマグネトロンでマイクロ波を発生させるものである。
ズマエッチング装置を示す概略図である。このプラズマ
エッチング装置４００はチャンバ４２０を有し、このチ
ャンバ４２０の上部にはドーム状石英ベルジャ４２１が
設けられている。この石英ベルジャ４２１の側部にはリ
ング状の電磁石４１２が設置されている。石英ベルジャ
４２１の上部には導波管を介してマイクロ波発生手段４
１１が接続されており、このマイクロ波発生手段４１１
はマグネトロンでマイクロ波を発生させるものである。
【００３８】チャンバ４２０の内部には静電チャック４
０７で把持されたウエハ４０３が配置されており、静電
チャック４０７の下には下部電極４０４が配置されてい
る。下部電極４０４には高周波電源４０６が接続されて
いる。また、チャンバ４２０の下部には排気手段４０５
が接続されている。
０７で把持されたウエハ４０３が配置されており、静電
チャック４０７の下には下部電極４０４が配置されてい
る。下部電極４０４には高周波電源４０６が接続されて
いる。また、チャンバ４２０の下部には排気手段４０５
が接続されている。
【００３９】このプラズマエッチング装置では、マイク
ロ波発生手段４１１より発生させたマイクロ波が、導波
管、石英ベルジャを介してウエハ４０３に到達する構成
となっている。
ロ波発生手段４１１より発生させたマイクロ波が、導波
管、石英ベルジャを介してウエハ４０３に到達する構成
となっている。
【００４０】図５は、ドーム型のＩＣＰプラズマエッチ
ング装置を示す概略図であり、図４と同一部分には同一
符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
ング装置を示す概略図であり、図４と同一部分には同一
符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４１】ドーム状石英ベルジャ４２１の上部には、
チャンバ４２０内にガスを供給するガス供給手段４０１
が接続されている。また、ドーム状石英ベルジャ４２１
上には螺旋状に巻かれたコイル４１３が配置されてお
り、コイル４１３には高周波電源４０６が接続されてい
る。この高周波電源４０６によって印加することによ
り、ドーム状のコイルによりプラズマがチャンバ４２０
内に閉じ込められたようになり、容易に高密度プラズマ
を発生させることができる構成となっている。更に、高
周波電源４０６から基板バイアス４５０ＫＨｚを下部電
極４０４に印加することにより、入射イオンエネルギー
の独立制御が可能となる構成となっている。
チャンバ４２０内にガスを供給するガス供給手段４０１
が接続されている。また、ドーム状石英ベルジャ４２１
上には螺旋状に巻かれたコイル４１３が配置されてお
り、コイル４１３には高周波電源４０６が接続されてい
る。この高周波電源４０６によって印加することによ
り、ドーム状のコイルによりプラズマがチャンバ４２０
内に閉じ込められたようになり、容易に高密度プラズマ
を発生させることができる構成となっている。更に、高
周波電源４０６から基板バイアス４５０ＫＨｚを下部電
極４０４に印加することにより、入射イオンエネルギー
の独立制御が可能となる構成となっている。
【００４２】図６〜図８は、本発明の第１の実施例によ
るエッチング方法を示す断面図である。
るエッチング方法を示す断面図である。
【００４３】まず、図６に示すように、シリコン基板５
０５の上に例えば減圧ＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on）法により厚さ１００nm程度の窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ
4 膜）５０４を形成する。次に、窒化珪素膜５０４の上
に常圧ＣＶＤ法により厚さ７００nm程度の層間絶縁膜と
しての酸化膜（ＳｉＯ2 膜）５０３を形成する。この
後、酸化膜５０３の上にPoly-Si ５０１ａを形成し、こ
のPoly-Si 上に図示せぬフォトレジスト膜を堆積する。
次に、このフォトレジスト膜をエキシマレーザステッパ
を用いて０．３μm 径にパターニングし、これをマスク
として該Poly-Si５０１ａにホールを開孔する。次に、
このフォトレジスト膜を除去した後、Poly-Si ５０１ａ
の上に例えば減圧ＣＶＤ法によりさらに厚さ３００nmの
Poly-Si ５０１ｂを形成する。これにより、Poly-Si ５
０１ａの開孔径（０．３μm ）よりさらに小径の開孔部
５０１ｃを有するエッチングマスク５０１を酸化膜５０
３上に形成する。
０５の上に例えば減圧ＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on）法により厚さ１００nm程度の窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ
4 膜）５０４を形成する。次に、窒化珪素膜５０４の上
に常圧ＣＶＤ法により厚さ７００nm程度の層間絶縁膜と
しての酸化膜（ＳｉＯ2 膜）５０３を形成する。この
後、酸化膜５０３の上にPoly-Si ５０１ａを形成し、こ
のPoly-Si 上に図示せぬフォトレジスト膜を堆積する。
次に、このフォトレジスト膜をエキシマレーザステッパ
を用いて０．３μm 径にパターニングし、これをマスク
として該Poly-Si５０１ａにホールを開孔する。次に、
このフォトレジスト膜を除去した後、Poly-Si ５０１ａ
の上に例えば減圧ＣＶＤ法によりさらに厚さ３００nmの
Poly-Si ５０１ｂを形成する。これにより、Poly-Si ５
０１ａの開孔径（０．３μm ）よりさらに小径の開孔部
５０１ｃを有するエッチングマスク５０１を酸化膜５０
３上に形成する。
【００４４】この後、図７に示すように、エッチングマ
スク５０１をマスクとして、酸化膜５０３のエッチング
を開始し、この酸化膜５０３の下層に位置する窒化珪素
膜５０４が露出する前に酸化膜５０３のエッチングを停
止する。この際のエッチングには図２のダイポールリン
グ方式のプラズマエッチング装置を用い、エッチング条
件は以下の通りとする。
スク５０１をマスクとして、酸化膜５０３のエッチング
を開始し、この酸化膜５０３の下層に位置する窒化珪素
膜５０４が露出する前に酸化膜５０３のエッチングを停
止する。この際のエッチングには図２のダイポールリン
グ方式のプラズマエッチング装置を用い、エッチング条
件は以下の通りとする。
【００４５】 （Ｃ4 Ｆ8 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：Ｃ4 Ｆ8 （１５sccm） ＣＯ（１５０sccm） Ａｒ（３００sccm） Ｏ2 （７sccm） 圧力 ：４．０pa Ｒｆパワー ：１５００watt ウエハ温度 ：２０℃ ダイポールリング回転数 ：２０rpm
【００４６】引き続いて、図８に示すように、エッチン
グガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切り替え
て残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜５０４を
エッチングする。これにより、酸化膜５０３及び窒化珪
素膜５０４にはコンタクトホール５０２が形成される。
なお、この際のエッチング条件は以下の通りとする。
グガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切り替え
て残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜５０４を
エッチングする。これにより、酸化膜５０３及び窒化珪
素膜５０４にはコンタクトホール５０２が形成される。
なお、この際のエッチング条件は以下の通りとする。
【００４７】 （ＣＨＦ3 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：ＣＨＦ3 （３０sccm） ＣＯ（１７０sccm） Ｏ2 （２sccm） 圧力 ：４．０pa Ｒｆパワー ：１５００watt ウエハ温度 ：２０℃ ダイポールリング回転数 ：２０rpm オーバーエッチング量 ：３０％
【００４８】このエッチングを行った結果は、図８に示
す通り、従来の方法のような層間絶縁膜５０３と窒化珪
素膜５０４の界面でエッチストップやエッチングの遅れ
等が発生することがなかった。しかも、コンタクトホー
ル５０２の側壁部分がエッチングされることによるボー
イング形状等が生じることもなく、垂直な加工形状のコ
ンタクトホール５０２が開孔できることが確認された。
さらに、このエッチングでは下地のシリコン基板５０５
と高選択性を維持しているため、最小のシリコンの基板
掘れであった。
す通り、従来の方法のような層間絶縁膜５０３と窒化珪
素膜５０４の界面でエッチストップやエッチングの遅れ
等が発生することがなかった。しかも、コンタクトホー
ル５０２の側壁部分がエッチングされることによるボー
イング形状等が生じることもなく、垂直な加工形状のコ
ンタクトホール５０２が開孔できることが確認された。
さらに、このエッチングでは下地のシリコン基板５０５
と高選択性を維持しているため、最小のシリコンの基板
掘れであった。
【００４９】また、この後にコンタクトホール内に例え
ば減圧ＣＶＤ法で４００nm程度のPoly-Si を埋め込み、
エッチバックを行った結果も、得られたコンタクトホー
ル５０２がボーイング形状等になっていないため、前述
したようなプラグロス等が全く発生しなかった。しか
も、コンタクト抵抗の上昇やコンタクト形成の歩留まり
の低下等の不良も全く発生しなかった。したがって、上
記第１の実施例によれば、多層膜からなる層間絶縁膜を
連続で、しかも接続抵抗の信頼性が保証できる、良好な
コンタクトホールの開孔を実現することができる。
ば減圧ＣＶＤ法で４００nm程度のPoly-Si を埋め込み、
エッチバックを行った結果も、得られたコンタクトホー
ル５０２がボーイング形状等になっていないため、前述
したようなプラグロス等が全く発生しなかった。しか
も、コンタクト抵抗の上昇やコンタクト形成の歩留まり
の低下等の不良も全く発生しなかった。したがって、上
記第１の実施例によれば、多層膜からなる層間絶縁膜を
連続で、しかも接続抵抗の信頼性が保証できる、良好な
コンタクトホールの開孔を実現することができる。
【００５０】つまり、多層膜の絶縁膜からなる層間絶縁
膜に微細なコンタクトホールを開孔する工程において、
途中でアッシング工程や洗浄工程を入れることなく、チ
ャンバに生成した反応生成物が除去されてパーティクル
等が発生することもなく、ポリイミド等で製作されたチ
ャンバ内部の静電チャックにダメージを与えることもな
く、同一チャンバ内でガス条件を切り替えるだけで、層
間絶縁膜である酸化膜と窒化珪素膜を連続してエッチン
グすることにより、微細なコンタクトホールを加工する
ことができる。
膜に微細なコンタクトホールを開孔する工程において、
途中でアッシング工程や洗浄工程を入れることなく、チ
ャンバに生成した反応生成物が除去されてパーティクル
等が発生することもなく、ポリイミド等で製作されたチ
ャンバ内部の静電チャックにダメージを与えることもな
く、同一チャンバ内でガス条件を切り替えるだけで、層
間絶縁膜である酸化膜と窒化珪素膜を連続してエッチン
グすることにより、微細なコンタクトホールを加工する
ことができる。
【００５１】次に、本発明の第２の実施例によるエッチ
ング方法について図６〜図８を参照しつつ説明する。な
お、第１の実施例と同一部分の説明は省略する。
ング方法について図６〜図８を参照しつつ説明する。な
お、第１の実施例と同一部分の説明は省略する。
【００５２】図６に示すサンプルを用い、このサンプル
のエッチングには図３のＴＣＰタイプのプラズマエッチ
ング装置を用い、エッチング条件は以下の通りとする。
のエッチングには図３のＴＣＰタイプのプラズマエッチ
ング装置を用い、エッチング条件は以下の通りとする。
【００５３】 （Ｃ4 Ｆ8 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：Ｃ4 Ｆ8 （４０sccm） ＣＯ（１５０sccm） Ａｒ（３００sccm） Ｏ2 （０sccm） 圧力 ：６．０pa ＴＣＰアンテナＲｆパワー ：１５００watt ウエハ温度 ：２０℃ Ｒｆバイアス ：１００watt
【００５４】次に、引き続いて、図８に示すように、エ
ッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切
り替えて残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜５
０４をエッチングする。この際のエッチング条件は以下
の通りとする。
ッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切
り替えて残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜５
０４をエッチングする。この際のエッチング条件は以下
の通りとする。
【００５５】 （ＣＨＦ3 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：ＣＨＦ3 （３０sccm） ＣＯ（１７０sccm） Ｏ2 （２sccm） 圧力 ：４．０pa ＴＣＰアンテナＲｆパワー ：１５００watt ウエハ温度 ：２０℃ Ｒｆバイアス ：１００watt オーバーエッチング量 ：３０％
【００５６】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。
と同様の効果を得ることができる。
【００５７】次に、本発明の第３の実施例によるエッチ
ング方法について図６〜図８を参照しつつ説明する。な
お、第１の実施例と同一部分の説明は省略する。
ング方法について図６〜図８を参照しつつ説明する。な
お、第１の実施例と同一部分の説明は省略する。
【００５８】図６に示すサンプルを用い、このサンプル
のエッチングには図４のＥＣＲプラズマエッチング装置
を用い、エッチング条件は以下の通りとする。
のエッチングには図４のＥＣＲプラズマエッチング装置
を用い、エッチング条件は以下の通りとする。
【００５９】 （Ｃ4 Ｆ8 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：Ｃ4 Ｆ8 （１０sccm） ＣＯ（１５０sccm） Ａｒ（２００sccm） Ｏ2 （７sccm） 圧力 ：４．０pa マイクロ波出力 ：９００watt ウエハ温度 ：２０℃ Ｒｆバイアス ：１００watt
【００６０】次に、引き続いて、図８に示すように、エ
ッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切
り替えて残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜５
０４をエッチングする。この際のエッチング条件は以下
の通りとする。
ッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに切
り替えて残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜５
０４をエッチングする。この際のエッチング条件は以下
の通りとする。
【００６１】 （ＣＨＦ3 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：ＣＨＦ3 （２０sccm） ＣＯ（１６０sccm） Ｏ2 （２sccm） 圧力 ：３．０pa ＴＣＰアンテナＲｆパワー ：１８００watt ウエハ温度 ：２０℃ Ｒｆバイアス ：１００watt オーバーエッチング量 ：５０％
【００６２】上記第３の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。
と同様の効果を得ることができる。
【００６３】次に、本発明の第４の実施例によるエッチ
ング方法について図６〜図８を参照しつつ説明する。な
お、第１の実施例と同一部分の説明は省略する。
ング方法について図６〜図８を参照しつつ説明する。な
お、第１の実施例と同一部分の説明は省略する。
【００６４】図６に示すサンプルを用い、このサンプル
のエッチングには図５のＩＣＰタイプのプラズマエッチ
ング装置を用い、エッチング条件は以下の通りとする。
のエッチングには図５のＩＣＰタイプのプラズマエッチ
ング装置を用い、エッチング条件は以下の通りとする。
【００６５】 （Ｃ4 Ｆ8 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：Ｃ4 Ｆ8 （２０sccm） ＣＯ（１５０sccm） Ａｒ（３００sccm） Ｏ2 （２sccm） 圧力 ：５．０pa ＩＣＰ出力 ：９００watt ウエハ温度 ：２０℃ Ｒｆバイアス ：１５０ｗａｔｔ
【００６６】次に、引き続いて、図８に示すように、エ
ッチングガスをＣ４ Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに
切り替えて残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜
５０４をエッチングする。この際のエッチング条件は以
下の通りとする。
ッチングガスをＣ４ Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに
切り替えて残った酸化膜５０３とその下層の窒化珪素膜
５０４をエッチングする。この際のエッチング条件は以
下の通りとする。
【００６７】 （ＣＨＦ3 系ステップ） エッチングガス（ガス流量）：ＣＨＦ3 （３０sccm） ＣＯ（１７０sccm） Ｏ2 （２sccm） 圧力 ：４．０pa ＴＣＰアンテナＲｆパワー ：１５００watt ウエハ温度 ：２０℃ Ｒｆバイアス ：１００watt オーバーエッチング量 ：３０％
【００６８】上記第４の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。
と同様の効果を得ることができる。
【００６９】以上の様に、本発明を４つの実施例を挙げ
て説明しているが、本発明は上述した実施例に限定され
るものではなく、プラズマ源、装置構成、サンプル構
造、エッチングガス等のプロセス条件は、本発明の主旨
を逸脱しない範囲で適宜選択することも可能である。
て説明しているが、本発明は上述した実施例に限定され
るものではなく、プラズマ源、装置構成、サンプル構
造、エッチングガス等のプロセス条件は、本発明の主旨
を逸脱しない範囲で適宜選択することも可能である。
【００７０】尚、本発明は、例えば、ＤＲＡＭにおける
ワードラインとビットラインとの間にコンタクトホール
を形成する際の層間膜のエッチングに使用することがで
きる。すなわち、コンタクトホールとワード・ビットラ
イン間の耐圧を稼ぐために、キャパシタの下にＳｉＮ層
を形成することがある。よって、このコンタクトホール
を開孔するには、酸化膜とＳｉＮ層を積層した多層膜を
エッチングする必要がある。このような多層膜を同時に
エッチングする場合に本発明を適用することが望まし
い。
ワードラインとビットラインとの間にコンタクトホール
を形成する際の層間膜のエッチングに使用することがで
きる。すなわち、コンタクトホールとワード・ビットラ
イン間の耐圧を稼ぐために、キャパシタの下にＳｉＮ層
を形成することがある。よって、このコンタクトホール
を開孔するには、酸化膜とＳｉＮ層を積層した多層膜を
エッチングする必要がある。このような多層膜を同時に
エッチングする場合に本発明を適用することが望まし
い。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
応生成物の除去工程と洗浄工程を省いても、上層と下層
を積層した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッ
チング方法を提供することができる。特に、反応生成物
の除去工程と洗浄工程を省いても、酸化膜と窒化珪素膜
を積層した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッ
チング方法を提供することができる。
応生成物の除去工程と洗浄工程を省いても、上層と下層
を積層した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッ
チング方法を提供することができる。特に、反応生成物
の除去工程と洗浄工程を省いても、酸化膜と窒化珪素膜
を積層した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッ
チング方法を提供することができる。
【図１】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に
よるエッチング方法を示す断面図である。
よるエッチング方法を示す断面図である。
【図２】ダイポールリング方式のプラズマエッチング装
置を示す概略図である。
置を示す概略図である。
【図３】ＴＣＰタイプのプラズマエッチング装置を示す
概略図である。
概略図である。
【図４】ＲＦバイアス印加型のＥＣＲプラズマエッチン
グ装置を示す概略図である。
グ装置を示す概略図である。
【図５】ドーム型のＩＣＰプラズマエッチング装置を示
す概略図である。
す概略図である。
【図６】本発明の第１〜第４の実施例によるエッチング
方法を説明するためのサンプルを示す断面図である。
方法を説明するためのサンプルを示す断面図である。
【図７】本発明の第１〜第４の実施例によるエッチング
方法を示すものであり、図６の次の工程を示す断面図で
ある。
方法を示すものであり、図６の次の工程を示す断面図で
ある。
【図８】本発明の第１〜第４の実施例によるエッチング
方法を示すものであり、図７の次の工程を示す断面図で
ある。
方法を示すものであり、図７の次の工程を示す断面図で
ある。
【図９】従来のエッチング方法の問題点を説明するため
のＣＯＢ構造のＤＲＡＭを模式的に示す断面図である。
のＣＯＢ構造のＤＲＡＭを模式的に示す断面図である。
【図１０】従来のエッチング方法によって層間膜をエッ
チングした際に、コンタクトホールの形状がボーイング
形状となることを示す断面図である。
チングした際に、コンタクトホールの形状がボーイング
形状となることを示す断面図である。
【図１１】図１０に示すコンタクトホールに充填材を埋
め込んだ時に、このコンタクトホール内にす状の空間が
発生することを示す断面図である。
め込んだ時に、このコンタクトホール内にす状の空間が
発生することを示す断面図である。
【図１２】図１１に示す充填材をエッチバックした際
に、コンタクトホールの底部のシリコン基板がエッチン
グされることを示す断面図である。
に、コンタクトホールの底部のシリコン基板がエッチン
グされることを示す断面図である。
【図１３】酸化膜と窒化珪素膜からなる積層膜をエッチ
ングした際の酸化膜のオーバーエッチ量と窒化珪素膜
（ＳｉＮ）のエッチレートとの関係を示すグラフであ
る。
ングした際の酸化膜のオーバーエッチ量と窒化珪素膜
（ＳｉＮ）のエッチレートとの関係を示すグラフであ
る。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｃ）は、Ｃ4 Ｆ8 系ガスで
酸化膜のエッチングを行い、引き続きＣＨＦ3 系ガスで
窒化珪素膜をエッチングするときに、Ｃ4 Ｆ8 系ガスで
の酸化膜のオーバーエッチング量に比例して該酸化膜の
下層に位置する窒化珪素膜のＣＨＦ3 系ガスでのエッチ
ングレートが低下し、該オーバーエッチング量がさらに
増えると窒化珪素膜のエッチストップが発生するという
現象を模式的に説明するための断面図である。
酸化膜のエッチングを行い、引き続きＣＨＦ3 系ガスで
窒化珪素膜をエッチングするときに、Ｃ4 Ｆ8 系ガスで
の酸化膜のオーバーエッチング量に比例して該酸化膜の
下層に位置する窒化珪素膜のＣＨＦ3 系ガスでのエッチ
ングレートが低下し、該オーバーエッチング量がさらに
増えると窒化珪素膜のエッチストップが発生するという
現象を模式的に説明するための断面図である。
１０１…キャパシタ部、１０１ａ…絶縁膜、１０２…窒
化珪素膜（絶縁膜）、１０３…酸化膜（層間膜）、１０
４…窒化珪素膜（絶縁膜）、１０５…ワード線、１０６
…ビット線、１０７…シリコン基板、１０８…コンタク
トホール、２０１…エッチングマスク、２０２…コンタ
クトホール、２０３…酸化膜（層間膜）、２０４…窒化
珪素膜（絶縁膜）、２０５…シリコン基板、２０６…す
状の空間、２０７…ホール内充填材、３０１…エッチン
グマスク、３０２…コンタクトホール、３０３…酸化膜
（層間膜）、３０４…窒化珪素膜（絶縁膜）、３０５…
シリコン基板、３０６，３０６ａ…Ｃ4 Ｆ8 系ガス（Ｃ
Ｆ系イオン）、３０６ｂ…ＣＨＦ3 系ガス、３０７…反
応生成物、４００…プラズマエッチング装置、４０１…
ガス供給手段、４０２…ダイポールリング、４０３…ウ
エハ、４０４…下部電極、４０５…排気手段、４０６…
高周波電源、４０７…静電チャック、４０８…ＴＣＰ電
極、４０９…石英天板、４１０…搬送手段、４１１…マ
イクロ波発生手段、４１２…電磁石、４１３…コイル、
４２０…チャンバ、４２１…ドーム状石英ベルジャ、５
０１…エッチングマスク、５０１ａ，５０１ｂ…Poly-S
i 、５０１ｃ…開孔部、５０２…コンタクトホール、５
０３…酸化膜（層間膜）、５０４…窒化珪素膜（絶縁
膜）、５０５…シリコン基板。
化珪素膜（絶縁膜）、１０３…酸化膜（層間膜）、１０
４…窒化珪素膜（絶縁膜）、１０５…ワード線、１０６
…ビット線、１０７…シリコン基板、１０８…コンタク
トホール、２０１…エッチングマスク、２０２…コンタ
クトホール、２０３…酸化膜（層間膜）、２０４…窒化
珪素膜（絶縁膜）、２０５…シリコン基板、２０６…す
状の空間、２０７…ホール内充填材、３０１…エッチン
グマスク、３０２…コンタクトホール、３０３…酸化膜
（層間膜）、３０４…窒化珪素膜（絶縁膜）、３０５…
シリコン基板、３０６，３０６ａ…Ｃ4 Ｆ8 系ガス（Ｃ
Ｆ系イオン）、３０６ｂ…ＣＨＦ3 系ガス、３０７…反
応生成物、４００…プラズマエッチング装置、４０１…
ガス供給手段、４０２…ダイポールリング、４０３…ウ
エハ、４０４…下部電極、４０５…排気手段、４０６…
高周波電源、４０７…静電チャック、４０８…ＴＣＰ電
極、４０９…石英天板、４１０…搬送手段、４１１…マ
イクロ波発生手段、４１２…電磁石、４１３…コイル、
４２０…チャンバ、４２１…ドーム状石英ベルジャ、５
０１…エッチングマスク、５０１ａ，５０１ｂ…Poly-S
i 、５０１ｃ…開孔部、５０２…コンタクトホール、５
０３…酸化膜（層間膜）、５０４…窒化珪素膜（絶縁
膜）、５０５…シリコン基板。
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも２層を有する積層膜をエッチ
ングする方法であって、 第１のエッチングガスで上層のエッチングを開始し、下
層が露出する前に該上層のエッチングを停止する工程
と、 第２のエッチングガスで残った上層と該下層をエッチン
グする工程と、 を具備することを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 上記第１のエッチングガスによる工程と
上記第２のエッチングガスによる工程は、同一チャンバ
内で連続して行われることを特徴とする請求項１記載の
エッチング方法。 - 【請求項３】 上記積層膜にシリコン酸化膜と窒化珪素
膜を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のエッチ
ング方法。 - 【請求項４】 上記第１のエッチングガスがＣ4 Ｆ8 系
ガスであり、上記第２のエッチングガスがＣＨＦ3 系ガ
スであることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれ
か１項記載のエッチング方法。 - 【請求項５】 窒化珪素膜とその上に形成された酸化膜
からなる積層膜をエッチングする方法であって、 Ｃ4 Ｆ8 系ガスで該酸化膜のエッチングを開始し、該窒
化珪素膜が露出する前に該Ｃ4 Ｆ8 系ガスでのエッチン
グを停止する工程と、 エッチングガスをＣ4 Ｆ8 系ガスからＣＨＦ3 系ガスに
切り替えて残った酸化膜と該窒化珪素膜をエッチングす
る工程と、 を具備することを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113566A JPH11307512A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | エッチング方法 |
| TW088104728A TW408392B (en) | 1998-04-23 | 1999-03-25 | Etching method |
| US09/291,017 US6204193B1 (en) | 1998-04-23 | 1999-04-14 | Method for etching |
| KR1019990014348A KR100593769B1 (ko) | 1998-04-23 | 1999-04-22 | 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113566A JPH11307512A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307512A true JPH11307512A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14615516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10113566A Pending JPH11307512A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | エッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6204193B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11307512A (ja) |
| KR (1) | KR100593769B1 (ja) |
| TW (1) | TW408392B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460238B1 (ko) * | 2001-04-23 | 2004-12-08 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 질화 실리콘막의 제거 방법 |
| WO2005076336A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Tadahiro Ohmi | 半導体装置の製造方法および絶縁膜のエッチング方法 |
| KR100527530B1 (ko) * | 2002-10-08 | 2005-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
| JP2008545253A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 通常の低ｋ誘電性材料および／または多孔質の低ｋ誘電性材料の存在下でのレジスト剥離のための方法 |
| US7615256B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-11-10 | Atotech Deutschland Gmbh | Fluidized bed process for mixing and transfer of powders to conductive substrates |
| US8449785B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-05-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
| JPWO2022234805A1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569774B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch |
| JP2007096214A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP4922718B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-04-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 絶縁膜ドライエッチング方法 |
| JP2010272758A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 被エッチング材のプラズマエッチング方法 |
| US9396961B2 (en) * | 2014-12-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Integrated etch/clean for dielectric etch applications |
| JP2017152531A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2650313B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1997-09-03 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP3033104B2 (ja) * | 1989-11-17 | 2000-04-17 | ソニー株式会社 | エッチング方法 |
| JP2874263B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1999-03-24 | ソニー株式会社 | シリコン化合物系からなる被エッチング膜のエッチング方法 |
| JPH0485928A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| US5246883A (en) * | 1992-02-06 | 1993-09-21 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor contact via structure and method |
| JP3253833B2 (ja) * | 1995-10-05 | 2002-02-04 | シャープ株式会社 | 画像処理装置 |
| US5869403A (en) * | 1997-03-14 | 1999-02-09 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming a contact opening to a semiconductor substrate |
| US5891799A (en) * | 1997-08-18 | 1999-04-06 | Industrial Technology Research Institute | Method for making stacked and borderless via structures for multilevel metal interconnections on semiconductor substrates |
| JPH11219934A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6025255A (en) * | 1998-06-25 | 2000-02-15 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Two-step etching process for forming self-aligned contacts |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP10113566A patent/JPH11307512A/ja active Pending
-
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460238B1 (ko) * | 2001-04-23 | 2004-12-08 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 질화 실리콘막의 제거 방법 |
| KR100527530B1 (ko) * | 2002-10-08 | 2005-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
| WO2005076336A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Tadahiro Ohmi | 半導体装置の製造方法および絶縁膜のエッチング方法 |
| US7528074B2 (en) | 2004-02-09 | 2009-05-05 | Foundation For Advancement Of International Science | Method of manufacturing a semiconductor device and method of etching an insulating film |
| US7615256B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-11-10 | Atotech Deutschland Gmbh | Fluidized bed process for mixing and transfer of powders to conductive substrates |
| JP2008545253A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 通常の低ｋ誘電性材料および／または多孔質の低ｋ誘電性材料の存在下でのレジスト剥離のための方法 |
| US8449785B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-05-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
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| WO2022234805A1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理システム |
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