JPH11273855A

JPH11273855A - 有機ｅｌ表示器

Info

Publication number: JPH11273855A
Application number: JP10096603A
Authority: JP
Inventors: Takashi Tanaka; 俊田中; Hiroshi Yamamoto; 洋山本
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-03-25
Filing date: 1998-03-25
Publication date: 1999-10-08

Abstract

(57)【要約】【課題】小型、薄型化が可能で、均一な面発光が得ら
れ、しかもある程度の輝度を有する有機ＥＬ表示器を提
供する。【解決手段】基板と、この基板上に単一素子として形
成されたシート状の有機ＥＬ構造体と、この有機ＥＬ構
造体を封止する封止層とを有し、前記基板には有機ＥＬ
構造体を駆動するための電源を供給する端子電極を有
し、かつ所定の大きさの均一な面発光が可能な有機ＥＬ
表示器とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子に関
し、詳しくは、有機ＥＬ素子を表示器とした有機ＥＬ表
示器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇなどの仕事
関数の小さな金属電極（電子注入電極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１００００cd/m² ときわめて高い輝度が得られること
で注目されている。

【０００３】ところで、従来より家電機器、民生用機器
の電気系統等には、スイッチや各種状態表示等の用途
で、小型の照明器具が用いられている。これらの照明器
具は、その発光の有無や、発光色、発光面にある文字、
記号等により特定の状態を表すものである。このような
従来の小型照明器具には、白熱球、冷陰極管やＬＥＤと
いった発光デバイスが用いられていた。

【０００４】しかし、白熱球は光量が多くとれる反面、
消費電力も多く、発熱し、しかも大型であるため、特に
近年の小型、薄型化、小電力化が顕著な電子機器に用い
ることは現実的でない。また、冷陰極管等も比較的大型
のＬＣＤディスプレイのバックライト等としては有用で
あるが、小型で単一発光が目的であるスイッチ類等には
不向きである。ＬＥＤは消費電力が少なく、小型で場所
を取らないことから近年盛んに電子機器等に応用されて
いる。しかしながら、ＬＥＤは通常点発光源であるた
め、平面発光や所定のパターンで発光する均一な発光面
を得ることが困難である。また、面発光とするためには
散乱光を用いる必要があるが、これを用いてパターン発
光を行うとすると輪郭がぼやけてしまい高品位なパター
ン象を獲ることが困難である。また、その構造上、薄型
にし難いという問題を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、小
型、薄型化が可能で、均一な面発光が得られ、しかもあ
る程度の輝度を有する有機ＥＬ表示器を提供することで
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の
（１）〜（７）の構成により実現される。（１）基板と、この基板上に単一素子として形成され
たシート状の有機ＥＬ構造体と、この有機ＥＬ構造体を
封止する封止層とを有し、前記基板には有機ＥＬ構造体
を駆動するための電源を供給する端子電極を有し、かつ
所定の大きさの面発光が可能な有機ＥＬ表示器。（２）前記面発光は、その発光面積が１〜１００００
mm² である上記（１）の有機ＥＬ表示器。（３）前記端子電極を除いた全体の厚みが０．０５〜
５mmである上記（１）または（２）の有機ＥＬ表示器。（４）前記端子電極は、弾性を有する金属であって断
面コ字状の嵌合部とこの嵌合部と一体化しているリード
線とを有し、前記嵌合部は、基板または基板と封止層と
を挟み込むようにして固定されている上記（１）〜
（３）のいずれかの有機ＥＬ表示器。（５）前記封止層はハーメチックシールまたは樹脂モ
ールドである上記（１）または（２）の有機ＥＬ表示
器。（６）前記基板は、有機ＥＬ構造体が成膜されている
面と同一の面にパッド状の端子電極を有する上記（１）
〜（３）のいずれかの有機ＥＬ表示器。（７）発光面には少なくとも文字、数字、記号、キャ
ラクタのいずれかを有する上記（１）〜（６）のいずれ
かの有機ＥＬ表示器。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ表示器は、例え
ば図１に示すように、基板１と、この基板上に単一素子
として形成されたシート状の有機ＥＬ構造体３と、この
有機ＥＬ構造体中の有機層等を挟み込むようにして形成
されている電極（ホール注入電極、電子注入電極）３
ａ，３ｂと、この有機ＥＬ構造体を封止する封止層２と
を有し、前記基板１には有機ＥＬ構造体３を駆動するた
めの電源を供給する端子電極４を有し、かつ所定の大き
さの均一な面発光が可能である。

【０００８】基板としては特に限定されるものではな
く、有機ＥＬ素子が積層可能なものであればよいが、発
光した光を取り出す側の場合、ガラスや石英、樹脂等の
透明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィル
ター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反
射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。また、
発光した光を取り出す側ではない場合には、基板は透明
でも不透明であってもよく、不透明である場合にはセラ
ミックス等を使用してもよい。

【０００９】基板の大きさも特に限定されるものではな
いが、好ましくは最大長、特に対角長が１〜５０mm、特
に２〜３０mmの範囲が好ましい。最大長は１mm未満、５
０mmを超えるものであっても問題ないが、収納スペース
が制限されたり、製造が困難になってくる。

【００１０】シート状の有機ＥＬ構造体は、基板上に単
一素子として形成されている。ここで、有機ＥＬ構造体
とは、ホール注入電極と、電子注入電極と、一種以上の
有機層とを有し、所定の大きさの均一な面発光が可能な
構造体をいう。発光面の大きさとしては、発光面積で１
mm² 以上が好ましく、特に５mm² 以上が好ましい。発光
面の大きさは１mm² 以下であっても問題ないが、本発明
により特に１mm² 以上の発光面で、均一な発光を得るこ
とにより、小型薄型の面発光表示器として使用でき好ま
しい。また、その上限としては特に限定されるものでは
ないが、１００００mm² 程度、好ましくは１０００mm²
程度である。発光面の大きさが１００００mm² を超える
と、単一の面発光表示器としては用途が制限され、また
均一な面発光が得難くなってくる。

【００１１】封止層の材料としては、好ましくは平板
状、または断面コ字状で内部に有機ＥＬ構造体を収容し
うる空間を有するガラスや石英等の硬質部材や、樹脂等
の透明ないし半透明材料が挙げられる。ガラス材とし
て、例えば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホ
ウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス
等のガラス組成のものが好ましい。また、樹脂材として
はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂、ポリエチ
レン樹脂等が好ましい。また、図１に示すように断面コ
字状のガラスや平板状のガラス等を用いる場合には、封
止用接着剤と、必要によりスペーサとを使用するとよい
（図示せず）。

【００１２】端子電極としては、好ましくは、例えば図
２に示すように断面コ字状の嵌合部４１と、この嵌合部
４１と一体として設けられているリード線４２とを有
し、少なくとも嵌合部４１は弾性を有する金属よりな
る。リード線４２は弾性を有していても有していなくて
もよく、これらの金属は導電性を有し、電気抵抗の低い
ものが好ましい。また、図示例のように一枚の板材から
リ−ド線４２の部分を打ち抜き、嵌合部４１を曲げ加工
したものでもよい。そして、この嵌合部４１を、例えば
図１に示すように有機ＥＬ構造体を有する基板１あるい
は封止板２および基板１を挟み込むようにして勘合さ
せ、固定し、これにより基板上に形成された有機ＥＬ構
造体３からの導通を図ることができるようになってい
る。

【００１３】端子電極は、図１，２に示すように、リ−
ド線４２に対して嵌合部４１の開口部分４１ａが垂直方
向になるようにしてもよいし、図３に示すように水平方
向になるようにしてもよい。

【００１４】また、端子電極は、図４に示すようにパッ
ド状に形成してもよい。すなわち、基板１の有機ＥＬ構
造体形成面側に、パッド状の導電層を設け、これを端子
電極４ｂとする。このパッド状の導電層としては、Ａ
ｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＴｉＮ等の１種ま
たは２種以上を組み合わせたもの等が好ましい。また、
導電層は基板全体（封止層部分を除く）を覆うようにし
てもよいし、必要な部分にのみ設けるようにしてもよ
い。導電層の厚みとしては、０．０００１〜０．０５mm
程度が好ましい。

【００１５】本発明の有機ＥＬ表示器に用いられる封止
層として、ハーメチックシールを用いてもよい。すなわ
ち、例えば、図５に示すように、上記基板、有機ＥＬ構
造体をハーメチックシール内に封入することにより、封
止層とすることができる。このハーメチックシールは金
属製であり、上部カバー２ａと、基部２ｃおよびフラン
ジ２ｂを有し、さらに上部カバー２ａには窓部２ｄが有
り、これに密着して取り付けられている基板１側から発
光光を外部に取り出せるようになっている。また、有機
ＥＬ構造体の各電極は、基板上の引き出し電極を介して
基部２ｃの端子４ａの一端にワイヤーボンディング５に
より接続されている。

【００１６】さらに、封止層としては、樹脂モールドと
してもよい。この場合、樹脂モールド２ｄは基板上の有
機ＥＬ構造体側にのみ設けてもよいし、図６に示すよう
に基板を含めた全体を覆うようにしてもよい。樹脂モー
ルドに好ましく用いられる樹脂材としては、上記封止用
材料と同様なものが好ましい。樹脂モールド層の厚みと
しては、特に制限されるものではないが、通常、基板か
ら０．５〜３mm程度である。

【００１７】次に、本発明の有機ＥＬ表示器の具体的な
実装方法について説明する。

【００１８】図７は、図１に示したようなピンタイプの
端子電極の実装例を示す組立図である。この例では、取
り付け台１１上にあるソケット１２に有機ＥＬ表示器の
端子４を挿入して、有機ＥＬ表示器を着脱自在に実装す
るようになっている。なお、ソケット１２は端子４と嵌
合しうるものであればその形状や大きさは特に限定され
るのもではなく、弾性を有する金属部材を用いたもの
や、導電性ゴムを用いたもの等いずれのものでもよい。
このようにして組み立てられた有機ＥＬ表示器は、例え
ば図８に示すように各表示器毎に種々の文字等を表示さ
せ、全体として（またはその一部を表示させることによ
り）ある種の情報を表示するようにしてもよい。

【００１９】図９は、図４に示したパッドタイプの端子
電極を有する有機ＥＬ表示器の実装例を示した組立図で
ある。図示例では、取り付け台１１上に電源Ｅと接続さ
れる配線導体１２ｂと、弾性金属等からなる接点部材１
２ａとを配置し、この上に有機ＥＬ表示器を配置して、
さらに押さえ具１３によりこれらの部品を取り付け台上
に固定するようになっている。その際、図示例では接点
部材１２ａの平板状の基部が配線胴体と接触し、これか
ら延び出ている２本のリード線状の弾性金属が、パッド
部分に押圧接触して導電性を確保するようになってい
る。

【００２０】このようにして組み立てられた有機ＥＬ表
示器は、上記例と同様、例えば図１０に示すように種々
の文字、記号等を組み合わせて表示することができるよ
うになっている。

【００２１】なお、上記例において、取り付け台はプリ
ント基板やフレキシブル基板等でもよく、その場合、ス
ルーホールや端子配線部分に前記有機ＥＬ表示器の端子
部を直接取り付けるようにしてもよい。また、図１１に
示すように、各有機ＥＬ表示器を渡り配線で接続しても
よい。

【００２２】本発明の有機ＥＬ表示器は均一な面発光が
可能である。このため、種々の文字、記号等を高精細に
表示することができる。図１２〜１４はその表示例を示
したもので、図１２は文字、記号を、図１３は組文字
を、図１４は図柄の表示例を示している。これらはポジ
状態でも、ネガ状態でもよく、発光パターンも四角の
他、丸や他の多角形であってもよい。

【００２３】本発明に用いられる有機ＥＬ構造体の薄膜
としては、ホール注入電極、ホール注入輸送層、発光
層、電子注入輸送層、電子注入電極、保護層等が挙げら
れる。

【００２４】本発明の有機層としては、次のようなもの
である。

【００２５】発光層には発光機能を有する化合物である
蛍光性物質が用いられる。このような蛍光性物質として
は、例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報に開示さ
れているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も１種が挙げられる。また、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等の８−キノリノールないしその誘導
体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、
テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、
コロネン、１２−フタロペリノン誘導体等が挙げられ
る。さらには、特願平６−１１０５６９号のフェニルア
ントラセン誘導体、特願平６−１１４４５６号のテトラ
アリールエテン誘導体等を用いることができる。

【００２６】このような蛍光物質はそれ自体で発光が可
能なホスト物質と組み合わせ、ドーパントとして使用す
ることができる。その場合、発光層における蛍光性物質
の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．１〜５wt
% であることが好ましい。ホスト物質と組み合わせて使
用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化
させることができ、長波長に移行した発光が可能になる
とともに、素子の発光効率や安定性が向上する。

【００２７】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００２８】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］、等がある。

【００２９】また、８−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００３０】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００３１】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。

【００３２】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。

【００３３】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００３４】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジア
ミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００３５】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１２at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が好まし
い。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。

【００３６】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．１nm以上、
好ましくは１nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は１〜５００nm程度とす
ればよい。電子注入電極の上には、さらに保護電極を設
けてもよい。

【００３７】保護層としては、金属材料、ＳｉＯ_X 等の
無機材料、テフロン等の有機材料等が挙げられる。

【００３８】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０^-8〜１
×１０^-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。

【００３９】ホール注入電極は、通常基板側から発光し
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸
化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂Ｏ₃ 等が挙げられる
が、好ましくはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、Ｉ
ＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）が好ましい。ＩＴＯ
は、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯとを化学量論組成で含有す
るが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。

【００４０】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。

【００４１】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。

【００４２】電子注入電極の構成材料としては、電子注
入を効果的に行う低仕事関数の物質が好ましい。したが
って、スパッタターゲットとしては、通常このような電
子注入電極構成金属、合金を用いる。これらの仕事関数
は４．５ｅＶ以下であり、特に仕事関数が４．０ｅＶ以
下の金属、合金が好ましい。

【００４３】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ま
しくは０．１〜５Paの範囲が好ましい。スパッタガス
は、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスや、反
応性スパッタではこれに加えてＮ₂、Ｈ₂、Ｏ₂、Ｃ
₂Ｈ₄、ＮＨ₃等の反応性ガスが使用可能である。

【００４４】スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機ＥＬ素子構造体へのダメージを少なくす
るためにはＤＣスパッタ法、特にパルススパッタ法を用
いることが好ましい。ＤＣスパッタ装置の電力として
は、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm²、特に０．５〜７
Ｗ／cm²の範囲である。また、成膜レートは５〜１００n
m／min 、特に１０〜５０nm／min の範囲が好ましい。

【００４５】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、１nm以上、好ま
しくは３nm以上とすればよい。また、その上限値には特
に制限はないが、通常膜厚は３〜５００nm程度とすれば
よい。

【００４６】本発明に用いられる有機ＥＬ表示器は、電
子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護電極を
設けてもよい。保護電極を設けることにより、電子注入
電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣化が防
止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向
上する。また、この保護電極は、非常に低抵抗であり、
電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極としての機
能も有する。この保護電極は、好ましくはＡｌ、Ａｌお
よび遷移金属（ただしＴｉを除く）、Ｔｉまたは窒化チ
タン（ＴｉＮ）のいずれか１種または２種以上を含有す
る。

【００４７】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらに１００nm以上、特に１００〜１０００nmの範
囲が好ましい。

【００４８】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、Ｓ
ｉＯ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは５０〜１２００nm程度とする。保護膜は前記した
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、ＰＥＣＶＤ法等により形成すればよい。

【００４９】本発明の有機ＥＬ表示器は、通常、直流駆
動型のＥＬ表示器として用いられるが、交流駆動または
パルス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２
〜２０V 程度とされる。

【００５０】

【実施例】次に実施例を挙げ、本発明をより具体的に説
明する。＜実施例１＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電極（ホール注
入電極）を１０×１０mmの大きさに成膜、パターニング
したガラス基板（１２７mm角）を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、次いで煮沸エタ
ノール中から引き上げて乾燥し、表面をＵＶ／Ｏ₃ 洗浄
した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内
を１×１０^-4Pa以下まで減圧した。

【００５１】次いで、４，４’，４”−トリス（−Ｎ−
（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフ
ェニルアミン（以下、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着速度
０．２nm／sec.で４０nmの厚さに蒸着し、ホール注入層
とし、次いで減圧状態を保ったまま、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−
１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ）を蒸着速度０．２nm／
sec.で３５nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。さ
らに、減圧を保ったまま、トリス（８−キノリノラト）
アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を蒸着速度０．２nm／sec.で
５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とし
た。次いで減圧を保ったまま、スパッタ装置に移し、ス
パッタ法にてＭｇＡｇ（Ａｇ：１０at％）を２００nmの
厚さに成膜し、電子注入電極とした。

【００５２】得られた有機ＥＬ構造体を用い、図１、図
３、図４、図５および図６に示すような有機ＥＬ表示器
を作製した。

【００５３】このようにして得られた有機ＥＬ表示器を
１０mAで定電流駆動したところ均一な面発光が得られ
た。またその際、表面にＡ〜Ｚおよび１〜１０の文字お
よび数字を表示させた。この表示器を１００人の被験者
に見せたところ１００人ともＬＥＤのディスプレイと比
較して、見やすいと答え、高い視認性が得られることが
確認された。

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、小型、薄
型化が可能で、均一な面発光が得られ、しかもある程度
の輝度を有する有機ＥＬ表示器を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ表示器の一構成例を示す外観
斜視図である。

【図２】本発明の有機ＥＬ表示器の端子電極の詳細な構
成例を示した外観斜視図である。

【図３】本発明の有機ＥＬ表示器の端子電極の他の構成
例を示した外観斜視図である。

【図４】本発明の有機ＥＬ表示器の端子電極を、パッド
タイプとした構成例を示した外観斜視図である。

【図５】本発明の有機ＥＬ表示器の封止層をハーメチッ
クシールとした断面概略図である。

【図６】本発明の有機ＥＬ表示器の封止層を樹脂モール
ドとした断面概略図である。

【図７】図１のタイプの有機ＥＬ表示器の実装例を示し
た組立図である。

【図８】図７の組立後の状態を示す外観斜視図である。

【図９】図４のタイプの有機ＥＬ表示器の実装例を示し
た組立図である。

【図１０】図９の組立後の状態を示す外観斜視図であ
る。

【図１１】有機ＥＬ表示器を渡り配線接続した様子を示
した概略図である。

【図１２】有機ＥＬ表示器の表示例で文字・記号の例を
示した図である。

【図１３】有機ＥＬ表示器の表示例で組文字の例を示し
た図である。

【図１４】有機ＥＬ表示器の表示例で図柄の例を示した
図である。

【符号の説明】

１基板２封止層２ｄ樹脂モールド３有機ＥＬ構造体４端子電極４ｂパッド（端子電極）５ワイヤー１０有機ＥＬ表示器１１取り付け台１２ソケット１２ａ接点部材１２ｂ配線導体１３押さえ具

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、この基板上に単一素子として形
成されたシート状の有機ＥＬ構造体と、この有機ＥＬ構
造体を封止する封止層とを有し、前記基板には有機ＥＬ構造体を駆動するための電源を供
給する端子電極を有し、かつ所定の大きさの面発光が可能な有機ＥＬ表示器。
【請求項２】前記面発光は、その発光面積が１〜１０
０００mm² である請求項１の有機ＥＬ表示器。
【請求項３】前記端子電極を除いた全体の厚みが０．
０５〜５mmである請求項１または２の有機ＥＬ表示器。
【請求項４】前記端子電極は、弾性を有する金属であ
って断面コ字状の嵌合部とこの嵌合部と一体化している
リード線とを有し、前記嵌合部は、基板または基板と封止層とを挟み込むよ
うにして固定されている請求項１〜３のいずれかの有機
ＥＬ表示器。
【請求項５】前記封止層はハーメチックシールまたは
樹脂モールドである請求項１または２の有機ＥＬ表示
器。
【請求項６】前記基板は、有機ＥＬ構造体が成膜され
ている面と同一の面にパッド状の端子電極を有する請求
項１〜３のいずれかの有機ＥＬ表示器。
【請求項７】発光面には少なくとも文字、数字、記
号、キャラクタのいずれかを有する請求項１〜６のいず
れかの有機ＥＬ表示器。