JPH11233255A

JPH11233255A - 有機ｅｌディスプレイ

Info

Publication number: JPH11233255A
Application number: JP10051434A
Authority: JP
Inventors: Takashi Tanaka; 俊田中; Hiroshi Yamamoto; 洋山本; Yoshihiro Saito; 義広斎藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-02-17
Filing date: 1998-02-17
Publication date: 1999-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】さらなる小型、薄型化が可能で、高信頼性
で、しかも製造が容易な有機ＥＬディスプレイを提供す
る。【解決手段】表示面である基板１と、この基板１上に
形成された有機ＥＬ構造体２と、この有機ＥＬ構造体２
を封止する封止板３とを有し、前記封止板３は有機ＥＬ
構造体２と対向する側の面にこの有機ＥＬ構造体２を駆
動・制御するための回路４の少なくとも一部を有する有
機ＥＬディスプレイとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子に関
し、詳しくは、有機ＥＬ素子を用いてマトリクス表示を
行う有機ＥＬディスプレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇなどの仕事
関数の小さな金属電極（電子注入電極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１００００cd/m² ときわめて高い輝度が得られること
で注目されている。

【０００３】ところで、従来よりＬＣＤ等のディスプレ
イを製造する場合、ディスプレイ本体部分と、これを駆
動する回路部分とを別々に組み立て、これを後からフレ
キシブルコネクター、エラスティックコネクター等によ
り接続し、一体としてディスプレイとしていた。

【０００４】しかし、ディスプレイ本体と、駆動回路と
を別個に設けることとすると、その分余分にスペースを
必要とし、小型薄型に適した有機ＥＬディスプレイの利
点を十分に発揮することができない。また、特にディス
プレイが大型化、高精細化した場合、駆動する走査線や
データ線等の電極本数が多くなり、それに応じて上記コ
ネクター類も狭ピッチになると共に大型化してしまう。
このため、製造が困難になると共に、接続するコネクタ
のライン数が増えるに従い、接触不良や断線等の故障の
発生率が多くなり信頼性が低下してしまう。さらに、特
に駆動回路からのケーブルは比較的大きな電流容量を必
要とし、その分太い線径のケーブルを使用しなければな
らず、取り回しのための余分なスペースを必要としてし
まう。

【０００５】このような問題を解決する手段として、ド
ライブ回路をフレキシブル基板上に実装したＴＡＢ方式
を用いることが検討されている。しかしながら、この方
式でも依然としてＴＡＢを形成するためのスペースを必
要としてしまう。また、ＴＡＢを形成するフレキシブル
基板が高価であり、しかもこのフレキシブル基板と回路
基板間の接続時に、異方性導電フィルム、ペースト等を
用いて接続しなければならず、その分余分なスペースを
必要とし、コスト高を招くといった問題を有していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、さ
らなる小型、薄型化が可能で、高信頼性で、しかも製造
が容易な有機ＥＬディスプレイを提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】ディスプレイ本体と、駆
動回路等とを一体とすれば与分なスペースが減少し、小
型薄型に適した有機ＥＬディスプレイの利点を十分に発
揮することでき、信頼性も向上する。この場合、有機Ｅ
Ｌ構造体を成膜する基板上に駆動回路等を設けることも
考えられる。しかしながら、基板上に駆動回路等を設け
る場合、有機ＥＬ構造体成膜後では、その構造膜にダメ
ージを与えてしまうため使用できない。一方、有機ＥＬ
構造膜成膜前では逆に有機ＥＬ構造膜成膜時に回路素子
がダメージを受けるため使用できなくなってしまう。

【０００８】ところで、有機ＥＬディスプレイの封止板
は有機ＥＬ構造体成膜後に装着され、しかも、基板と独
立して取り扱うことができるため、予め回路を設けるこ
とが可能である。そこで、この封止板上に駆動回路等の
一部を設けることにより、容易にディスプレイ本体と、
駆動回路等とを一体とすることができる。この場合、特
に封止板の有機ＥＬ構造体と対向する側の面に駆動回路
等を設けるようにすれば、基板側と容易に接続すること
ができ、さらなる薄型化も可能になる。

【０００９】すなわち、上記目的は、以下の（１）〜
（７）の構成により実現される。（１）表示面である基板と、この基板上に形成された
有機ＥＬ構造体と、この有機ＥＬ構造体を封止する封止
板とを有し、前記封止板は有機ＥＬ構造体と対向する側
の面にこの有機ＥＬ構造体を駆動・制御するための回路
の少なくとも一部を有する有機ＥＬディスプレイ。（２）前記封止板は、その線膨張係数が表示面である
基板の線膨張係数の０．０１〜１００倍である上記
（１）の有機ＥＬディスプレイ。（３）前記封止板上に形成されている回路は、封止板
の有機ＥＬ構造体と対向する部位以外の部分に形成され
ている上記（１）または（２）の有機ＥＬディスプレ
イ。（４）前記封止板は、少なくとも有機ＥＬ構造体の駆
動回路を有する上記（１）〜（３）のいずれかの有機Ｅ
Ｌディスプレイ。（５）前記封止板と基板とは接続手段で電気的に接続
されている上記（１）〜（４）のいずれかの有機ＥＬデ
ィスプレイ。（６）前記接続手段は、基板と封止板間のスペーサで
ある上記（５）の有機ＥＬディスプレイ。（７）前記封止板は、有機ＥＬ構造体と対向する側の
面に、この有機ＥＬ構造体を収納するための空間を形成
する凹部を有し、かつ、前記接続手段は前記封止板の凹
部以外の部分に形成された電極と基板上の電極同士の接
続である上記（５）の有機ＥＬディスプレイ。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬディスプレイ
は、例えば図１に示すように、表示面である基板１と、
この基板１上に形成された有機ＥＬ構造体２と、この有
機ＥＬ構造体２を封止する封止板３とを有し、前記封止
板３は有機ＥＬ構造体と対向する側の面に有機ＥＬ構造
体を駆動・制御するための回路４の少なくとも一部を有
する。

【００１１】封止板３上の有機ＥＬ構造体と対向する側
の面に有機ＥＬ構造体を駆動・制御するための回路の少
なくとも一部を有することにより、有機ＥＬ構造体の駆
動回路ないし制御回路用基板が小さくなり、これらの回
路との接続ライン数が減少し、線径が太いケーブルを使
用する必要もなく、製造が容易になると共に信頼性が向
上する。また、封止板の有機ＥＬ構造体と対向する側の
面に回路が形成されているので、基板と封止板の回路の
接続が容易となり、厚さ方向のスペースも少なくて済
み、さらなる薄型化が可能となる。

【００１２】封止板上に形成される回路は、有機ＥＬ構
造体と対向する部位以外の部分に形成されることが好ま
しい。回路を有機ＥＬ構造体と対向する部位に形成した
場合、回路構成素子と有機ＥＬ構造体との接触を回避す
るため、有機ＥＬディスプレイの厚みが厚くなってしま
う。また、有機ＥＬ構造体と対向する部位の場合、封止
接着剤等により封止された空間内部となるため、封止接
着剤等からのガス成分による浸食、汚染の影響を受け回
路素子が正常に動作できなくなる可能性がある。従っ
て、封止板上に形成される回路において、少なくとも前
記ガス成分の影響を受ける可能性のある回路素子は、封
止空間の外部に配置されることが望ましい。なお、有機
ＥＬ構造体と対向する部位以外の部分に回路を形成した
場合、平面方向に多少大きくなってしまう、このため、
有機ＥＬディスプレイが配置される機器等の収納空間に
応じて封止板上の回路素子の配置を検討し、最適な配置
位置を決めればよい。

【００１３】基板１としては特に限定されるものではな
く、有機ＥＬ素子が積層可能なものであればよいが、発
光した光を取り出す表示面としての機能も有することか
ら、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材料を用
いる。また、基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。また、発光した光を取り出す側で
はない場合には、基板は透明でも不透明であってもよ
く、不透明である場合にはセラミックス等を使用しても
よい。

【００１４】基板の大きさも特に限定されるものではな
いが、好ましくは最大長、特に対角長が２０〜３５０m
m、特に３０〜３００mmの範囲が好ましい。最大長は２
０mm未満、３５０mmを超えるものであっても問題ない
が、収納スペースが制限されたり、製造が困難になって
くる。

【００１５】封止板３の材料としては、好ましくは平板
状、または断面コ字状で内部に有機ＥＬ構造体を収容し
うる空間を有するガラスやアルミナ、石英等の硬質部材
や、樹脂等の材料が挙げられる。ガラス材として、例え
ば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラ
ス組成のものが好ましい。また、樹脂材としてはエポキ
シ、シリコン、テフロン等が好ましい。これらの封止板
材料の線膨張係数は、基板の線膨張係数の０．０１〜１
００倍、特に０．１〜１０倍程度が好ましい。また、ガ
ラス等の平板を用いる場合には、封止用接着剤と、必要
によりスペーサとを使用するとよい。

【００１６】封止板３上に回路を構成する方法として
は、蒸着法等により回路パターンをマスク蒸着したり、
Ｃｕ等の導体層形成後にこれをエッチングして所望のパ
ターンを得る方法などが挙げられる。そして、形成され
た回路パターン上に必要な回路素子をＳＭＤ技術等を応
用し、ハンダ付等により装着すればよい。

【００１７】封止板３上に形成される回路としては、有
機ＥＬ構造体、つまり有機ＥＬディスプレイ本体を駆動
・制御するための回路の少なくとも一部である。

【００１８】なお、後述するように図１において、基板
１上には有機ＥＬ構造体と接続される回路パターン２１
と、これに接続されている接続用端子２２を有する。ま
た、封止板３上には、回路（回路素子）４に接続される
回路パターン３１と、これに接続される接続用電極３２
を有し、前記基板上の接続用端子２１と接続手段６を介
して接続されている。また、封止板３と基板１間には封
止用接着剤等の封止部材７が設けられ、内部の有機ＥＬ
構造体２を封止するようになっている。

【００１９】有機ＥＬディスプレイ本体を駆動・制御す
るための回路は、例えば図２に示すように、ディスプレ
イに表示するデータや、表示に関するデータを与える主
制御手段１１を有し、この主制御手段１１から与えられ
る表示データに応じて有機ＥＬディスプレイの走査電
極、データ電極を駆動する信号である走査電極駆動信
号、データ電極駆動信号を送出するディスプレイ制御手
段１２を有する。さらにこのディスプレイ制御手段１２
と接続され、主制御手段１１等から与えられる表示デー
タをマトリクスデータ、ビットマップデータ等に展開す
るためのデータや、あらかじめ決められた表示内容のデ
ータ等を格納する表示データ記憶手段１３と、ディスプ
レイ制御手段１２からの走査電極駆動信号、データ電極
駆動信号により、有機ＥＬ構造体（有機ＥＬディスプレ
イ本体）１６の走査電極、データ電極を駆動する走査電
極駆動手段１４と、データ電極駆動手段１５とを有す
る。

【００２０】主制御手段１１は、有機ＥＬ構造体１６に
表示させる表示データを与えたり、表示データ記憶手段
１３に記憶されている表示データを指定したり、表示に
必要なタイミングや制御データを与えたりする。この制
御手段１１は、通常、汎用のマイクロプロセッサ（ＭＰ
Ｕ）と、このＭＰＵと接続されている記憶媒体（ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭ等）上の制御アルゴリズム等により構成され
ているが、マイコン，ＤＳＰ等プロセッサの態様を問わ
ず使用可能であり、その他ＡＳＩＣ等論理回路の組み合
わせなどにより構成してもよい。また、この例では主制
御手段１１は独立に設けているが、ディスプレイ制御手
段１２や、ディスプレイが備え付けられる装置の制御手
段等と一体としてもよい。

【００２１】ディスプレイ制御手段１２は、主制御手段
１１等から与えられる表示データ等を解析し、必要によ
り表示データ記憶手段１３に格納されているデータを検
索して、その表示データを有機ＥＬディスプレイ上の所
定の位置に表示させるためのマトリクスデータに変換す
る。すなわち、表示する画像（イメージまたはキャラク
タ）データが、各マトリクスの交点で与えられる有機Ｅ
Ｌ素子の画素単位のドットデータとした場合、そのドッ
ト座標を与える走査電極とデータ電極を駆動するような
信号を発生する。また、上記のような各フレーム単位で
の駆動や、走査電極とデータ電極の駆動比（デューテ
ィ）制御等も行う。

【００２２】ディスプレイ制御手段１２は、例えば、所
定の演算機能を有するプロセッサや複合論理回路、前記
プロセッサ等が外部の主制御手段等とのデータの授受を
行うためのバッファ、制御回路へのタイミング信号、表
示タイミング信号や外部記憶手段等への読み出し、書き
込みタイミング信号等を与えるタイミング信号発生回路
（発振回路）、外部の記憶手段から表示データ等の授受
を行う記憶素子制御回路、外部の記憶素子から読み出し
たり、外部から与えられ、あるいはこれを加工すること
により得られた表示データを駆動信号として送出する駆
動信号送出回路、外部から与えられる表示機能や表示さ
せるディスプレイ等に関するデータ、制御コマンド等を
格納する各種レジスタ等により構成することができる。

【００２３】表示データ記憶手段１３は、外部から与え
られた画像データを、ディスプレイ上に表示するための
マトリクスデータとして変換するためのデータ（変換テ
ーブル）や、所定のキャラクタデータやイメージデータ
をそのままマトリクスデータに置換したデータ等が格納
され、それぞれ必要に応じて格納位置（アドレス）を指
定することにより読み出し（書き込み）が可能なように
なっている。このような、表示データ記憶手段としては
ＲＡＭ（ＶＲＡＭ）、ＲＯＭ等の半導体記憶素子を好ま
しく挙げることができるが、これに限定されるものでは
なく、光や磁気を応用した記憶媒体を用いてもよい。

【００２４】走査電極駆動手段１４およびデータ電極駆
動手段１５はディスプレイ制御手段２から与えられた走
査電極駆動信号、データ電極駆動信号に応じて走査電
極、データ電極を駆動する。有機ＥＬディスプレイを構
成する有機ＥＬ素子は電流駆動により発光する発光素子
である。このため、通常電圧信号として与えられる走査
電極駆動信号、データ電極駆動信号を所定の電流値の信
号に変換し、これを所定の走査電極、データ電極に与え
ることにより駆動する。

【００２５】より具体的には、必要な電流容量を有する
電圧−電流変換素子、あるいは増幅素子（電力増幅）等
を用いて、所定位置の走査電極、データ電極を駆動す
る。このような駆動回路として、オープンドレイン、オ
ープンコレクタ回路等が挙げられる。特に好ましい回路
としては、有機ＥＬディスプレイの駆動パルス（走査電
極駆動信号、データ電極駆動信号）に応じて有機ＥＬデ
ィスプレイの電極の接続を電源側または接地側に切り換
えるものがよい。すなわち、動作時に接地側（電源側）
に接続されるのであれば、非動作時には電源側（接地
側）に接続させる駆動回路が好ましい。このように、非
動作部分を安定化させることにより、例えばマトリクス
内に不良個所があっても、その部分の走査電極（データ
電極）側がＨレベル（Ｌレベル）に保持されることとな
り、リーク電流の発生を防止することができる。

【００２６】電極への接続を切り換える手段としては、
リレー等の有接点デバイスを用いることも考えられる
が、動作の高速性、信頼性等を考慮すると、トランジス
タ、ＦＥＴおよびこれらと同等の機能を有する半導体素
子が好ましい。これら半導体素子は、電源側または接地
側のいずれかに接続されるよう、それぞれの導通方向に
対応して複数（２つ以上）設けられ、一方が動作状態
（導通状態）のときは、他方が非動作状態（非導通状
態）となるよう接続、配置される。このような接続、配
置方法として、一般にトーテムポール接続が知られてい
る。また、電源側、接地側とは直接電源や接地ラインに
接続する場合の他、電流制限抵抗、保護用デバイス、レ
ギュレータ等の素子を介して接続する場合も含まれる。

【００２７】本発明では上記回路構成要素のうち、特に
ディスプレイ制御手段１２、表示データ記憶手段１３、
走査電極駆動手段１４およびデータ電極駆動手段１５等
を封止板上に形成することが好ましい。封止板上に形成
されない回路構成要素は、従来通り基板等の上に形成さ
れる。また、その他の回路との接続には、外部回路接続
手段を用いて接続される。この場合、信号線の本数とし
ては、通常、プロセッサ等の制御手段の処理に必要なデ
ータが転送可能な本数でよく、コネクタやケーブルが小
型で済み、線径が太いケーブルを使用する必要もなく、
信頼性も良好なものとなる。

【００２８】なお、上記回路は有機ＥＬディスプレイ本
体を駆動するための回路構成の一例にすぎず、同等な機
能を有するものであれば他の回路構成をとることも可能
である。また、ディスプレイ制御手段、走査電極駆動手
段およびデータ電極駆動手段等と明確に区分されずにこ
れらが渾然一体となった構成であってもよい。なお、こ
れらの回路装置は、通常、ＩＣおよびその周辺部品とし
て構成されているが、封止板上に直接回路素子を形成す
ることも可能である。

【００２９】本発明の有機ＥＬディスプレイ本体は、例
えば、図３に示すように、基板１上に１組以上のマトリ
クス配置された走査電極（電子注入電極）２１ｂおよび
データ電極（ホール注入電極）２１ａを有し、かつ、こ
れらの電極は接続用端子３２ａ，３２ｂと接続されてい
る。また、これらの電極の間に有機層であるホール注入
・輸送層、発光および電子注入輸送層、必要により保護
層が積層された有機ＥＬ構造体２を有する。

【００３０】ガラス等からなる封止板３上には、接続用
端子２２ａ、２２ｂが、前記基板１上の接続用端子３２
ａ、３２ｂと対向する位置にあり、これらの接続用端子
から、それぞれ走査電極側パターン３１ｂとデータ電極
側パターン３１ａとを介して回路構成素子４に接続され
ている。更に、封止板３上の回路は、外部回路接続手段
５を介して外部の回路と接続されるようになっている。

【００３１】基板１上の構造物と、封止板３上の構造物
とは通常別個に製造され、図３に示すようにそれぞれの
構造物が形成された面を対向して貼り合わされる。この
とき、前記封止板３上の接続用端子２２ａ、２２ｂと、
基板１上の接続用端子３２ａ、３２ｂとが接続手段を介
して接続されるようになっている。

【００３２】従って、封止板上に形成された回路は接続
手段により基板の回路と電気的に接続され、それぞれ走
査電極（電子注入電極）およびデータ電極（ホール注入
電極）と接続される。これにより、封止板上の走査電極
駆動手段（回路）およびデータ電極駆動手段（回路）
と、走査電極（電子注入電極）およびデータ電極（ホー
ル注入電極）とが接続されることとなる。

【００３３】このような接続手段６として、例えば、図
４（ａ）〜（ｅ）に示すような導電性を有する金属ない
し導電体片を挙げることができる。図４中（ａ）に示さ
れる接続手段６は、６面体のブロック状をなし、接続用
端子に対応した大きさとなっている。またその高さは、
通常、有機ＥＬ構造体から封止板を一定の高さに保持
し、スペーサとして機能し得るものであるため、そのよ
うな高さとなるように設定されている。（ｂ）に示され
る接続手段６は、一方の接触面に複数の山状ないし波状
の突起を有し、より接続用端子との接触が確実なように
なっている。通常平坦な部分が封止板側に接着等され、
凸部を有する部分が基板側に押圧され固定される。その
他は（ａ）と同様である。（ｃ）に示される接続手段６
は、断面ロ字状を成し、（ａ）、（ｂ）に比べ軽量で少
ない部材で済み、板状物等を形成して得ることができる
ものである。その他は（ａ）と同様である。（ｄ）に示
される接続手段６は、断面コ字状を成し、接続用端子と
の接触面が大きくなるようになっている。その他は
（ｃ）と同様である。（ｅ）に示される接続手段６は、
断面へ字状を成し、接続用端子との接触が鋭角部分で確
実になるようになっている。その他は（ｂ）、（ｃ）と
同様である。

【００３４】また、接続手段として図５に示すように、
基板上の接続用端子２１と封止板の接続用端子３１と直
接ハンダ６ａにより接続するようにしてもよい。

【００３５】さらに、封止用接着剤等に所定の大きさの
金属粒や、表面を導電部材でコーティングした樹脂粒子
等を混入し、これを接続用端子間に配置したり、これら
の部位を含め全体を封止するように配置してもよい。ま
た、エラスティックコネクタや、樹脂フィルムに導電体
のバフを形成したもの等を応用してもよい。

【００３６】また、図６に示すように、封止板３に有機
ＥＬ構造体を収納するため凹部８を設けてもよい。この
場合、前記凹部に有機ＥＬ構造体を収納すると共に、凹
部が形成されていない部分に接続用端子３２を形成し、
基板側の接続用端子２２と直接接続するようにしてもよ
い。この場合両接続用端子間に導電性塗料や接触を良好
にするための部材を塗布してもよい。また、駆動回路等
は凹部内に配置してもよく、さらに外側に凹部を形成し
てこの部分に収納してもよい。封止板に凹部を形成する
手段としては、例えばサンドブラストやエッチング等に
より設けることができる。

【００３７】有機ＥＬ構造体の有機層は、次のようなも
のである。

【００３８】発光層には発光機能を有する化合物である
蛍光性物質が用いられる。このような蛍光性物質として
は、例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報に開示さ
れているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も１種が挙げられる。また、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等の８−キノリノールないしその誘導
体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、
テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、
コロネン、１２−フタロペリノン誘導体等が挙げられ
る。さらには、特願平６−１１０５６９号のフェニルア
ントラセン誘導体、特願平６−１１４４５６号のテトラ
アリールエテン誘導体等を用いることができる。

【００３９】このような蛍光物質はそれ自体で発光が可
能なホスト物質と組み合わせ、ドーパントとして使用す
ることができる。その場合、発光層における蛍光性物質
の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．１〜５wt
% であることが好ましい。ホスト物質と組み合わせて使
用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化
させることができ、長波長に移行した発光が可能になる
とともに、素子の発光効率や安定性が向上する。

【００４０】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００４１】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］、等がある。

【００４２】また、８−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００４３】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００４４】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。

【００４５】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。

【００４６】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００４７】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジア
ミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００４８】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１２at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が好まし
い。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。

【００４９】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．１nm以上、
好ましくは１nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は１〜５００nm程度とす
ればよい。

【００５０】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０^-8〜１
×１０^-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。

【００５１】ホール注入電極は、通常基板側から発光し
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸
化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂Ｏ₃ 等が挙げられる
が、好ましくはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、Ｉ
ＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）が好ましい。ＩＴＯ
は、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯとを化学量論組成で含有す
るが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。

【００５２】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。

【００５３】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。

【００５４】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ま
しくは０．１〜５Paの範囲が好ましい。スパッタガス
は、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスや、反
応性スパッタではこれに加えてＮ₂、Ｈ₂、Ｏ₂、Ｃ
₂Ｈ₄、ＮＨ₃等の反応性ガスが使用可能である。

【００５５】スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機ＥＬ素子構造体へのダメージを少なくす
るためにはＤＣスパッタ法、特にパルススパッタ法を用
いることが好ましい。ＤＣスパッタ装置の電力として
は、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm²、特に０．５〜７
Ｗ／cm²の範囲である。また、成膜レートは５〜１００n
m／min 、特に１０〜５０nm／min の範囲が好ましい。

【００５６】本発明に用いられる有機ＥＬ構造体は、電
子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護電極を
設けてもよい。保護電極を設けることにより、電子注入
電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣化が防
止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向
上する。また、この保護電極は、非常に低抵抗であり、
電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極としての機
能も有する。この保護電極は、好ましくはＡｌ、Ａｌお
よび遷移金属（ただしＴｉを除く）、Ｔｉまたは窒化チ
タン（ＴｉＮ）のいずれか１種または２種以上を含有す
る。

【００５７】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらに１００nm以上、特に１００〜１０００nmの範
囲が好ましい。

【００５８】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、Ｓ
ｉＯ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは５０〜１２００nm程度とする。保護膜は前記した
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、ＰＥＣＶＤ法等により形成すればよい。

【００５９】本発明の有機ＥＬ構造体の印加電圧は、通
常、２〜２０V 程度とされる。

【００６０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ケーブル
の本数が少なく、太い線径のものを使用しなくて済み、
さらなる小型、薄型化が可能で、高信頼性で、しかも製
造が容易な有機ＥＬディスプレイを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬディスプレイの一構成例を示
す断面図である。

【図２】本発明の有機ＥＬディスプレイ本体を駆動する
ための回路の構成例を示したブロック図である。

【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイの基板と封止板
とを貼り合わせる前の状態を示した外観斜視図である。

【図４】基板と封止板を電気的に接続するための接続手
段の一例を示した外観斜視図である。

【図５】基板と封止板を電気的に接続するための接続手
段の一例であるハンダ付した状態を示した外観斜視図で
ある。

【図６】封止板に有機ＥＬ構造体を収容するための凹部
を設け、それ以外の部分に接続電極を設け、これを接続
手段とした状態を示した断面図である。

【符号の説明】

１基板２有機ＥＬ構造体３封止板４回路（回路素子）５外部回路接続手段６接続手段７封止部材２１，３２回路パターン２２，３２接続用端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示面である基板と、この基板上に形成
された有機ＥＬ構造体と、この有機ＥＬ構造体を封止す
る封止板とを有し、前記封止板は有機ＥＬ構造体と対向する側の面にこの有
機ＥＬ構造体を駆動・制御するための回路の少なくとも
一部を有する有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】前記封止板は、その線膨張係数が表示面
である基板の線膨張係数の０．０１〜１００倍である請
求項１の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】前記封止板上に形成されている回路は、
封止板の有機ＥＬ構造体と対向する部位以外の部分に形
成されている請求項１または２の有機ＥＬディスプレ
イ。
【請求項４】前記封止板は、少なくとも有機ＥＬ構造
体の駆動回路を有する請求項１〜３のいずれかの有機Ｅ
Ｌディスプレイ。
【請求項５】前記封止板と基板とは接続手段で電気的
に接続されている請求項１〜４のいずれかの有機ＥＬデ
ィスプレイ。
【請求項６】前記接続手段は、基板と封止板間のスペ
ーサである請求項５の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項７】前記封止板は、有機ＥＬ構造体と対向す
る側の面に、この有機ＥＬ構造体を収納するための空間
を形成する凹部を有し、かつ、前記接続手段は前記封止板の凹部以外の部分に形
成された電極と基板上の電極同士の接続である請求項５
の有機ＥＬディスプレイ。