JPH11243045A - 露光データ作成方法、及び、露光データ表示方法 - Google Patents
露光データ作成方法、及び、露光データ表示方法Info
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Abstract
法に関し、迅速に、かつ、容易に露光データを作成でき
る露光データ作成方法、及び、露光データ表示方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 露光データを作成する露光データ作成方
法において、前記露光パターンを分割する複数の領域を
作成するライブラリ作成手順と、前記ライブラリ作成手
順で作成された前記複数の領域に露光パターンを作成す
る露光パターン作成手順と、前記露光パターン作成作業
手順で作成された露光パターン応じた露光データを作成
する露光データ作成手順とを有することを特徴とする。
Description
法、及び、露光データ表示方法に係り、特に、電子線を
使ったリソグラフィー技術によるLSIの製造に用いら
れる露光データ作成方法及び露光マスク作成方法、並び
に、露光データ表示方法に関する。光露光方式では、マ
スクからの一括転写のため、高スループットであり量産
ラインの主力露光技術と位置づけられている。しかし、
近年益々高まる微細化、大容量化の中で、LSIの量産
化を支えてきた光露光技術では、設計の最小寸法の転写
に用いられる光の波長と同程度になり、これ以上の微細
化を行うためには、さらに短波長の光を用いる技術や、
変形照明法や位相シフト法などの超解像技術の検討がな
されている。また、大領域の一括転写が精度の面で困難
になってきておりスループットの低下を招いている。2
56MDRAM規模の実露光スループットは1時間にウ
ェハ30枚程度と予想される。
露光が注目されている。EB露光は、パターンの中を細
い電子ビームで塗り潰していく方法でパターンを1つ1
つ描画していくためスループットの点では劣っている
が、0.1μm以下の微細加工が可能である。さらに、
EB直接描画法は、光露光に比べて、マスクがいらない
ために短手番でコストダウンとなり、少量多品種製品の
製造技術として注目されている。
成が可能であることやパターン発生が可能であることか
らLSI開発ツールまたはマスク作成ツールとして広く
使用されている。しかし、電子ビーム露光方法はガウシ
アンビームや可変ビームによってパターンを一つ一つ塗
りつぷしていく、いわゆる一筆書き法であり、パターン
が微細になればなるほどスループットが低下するため、
微細LSI製品の量産には不向きであった。
変矩形ビーム露光方式と部分一括露光方式とがある。可
変矩形ビーム露光方式は、図49(A)に示すように、
第1マスクM1、第2マスクM2の2枚のマスクを通過
するビームBMを、偏向させ任意のサイズの矩形にビー
ムを成形するものである。従って、露光パターンは矩形
で設定しておく必要があり、例えば三角形などの斜辺を
持つパターンは図49(B)に示すように斜辺部分を階
段近似する、いわゆる矩形分解を露光データ作成処理で
行なう。1つの矩形ビームを発生させて露光することを
1ショットといい、パターンを露光するためには、発生
する矩形の数だけショットしなければならないため、露
光時間はショット数で決まる。このため、可変矩形ビー
ム露光方式では、露光スループットが1時間に1,2枚
という現状である。
括露光方式が提案されている。部分一括露光方式は、図
50に示すように、第2マスクM2上にパターン形状P
の開孔を形成しておき、これにビームBMを通過させて
成形する。図49の可変矩形ビーム露光方式では、三角
形パターンを露光する場合、図49(B)に示すように
可変矩形B1〜B6の6ショットが必要であるのに対
し、図50部分一括露光では三角形のパターンPaを用
いることにより1ショットで行なえるためショット数の
圧縮が可能となり、スループットを向上することができ
る。部分一括露光法により256MDRAM規模の露光
スループットが1時間20枚以上となり、大規模LSI
製品の製造技術となる可能性がでてきた。
光法は小規模なマスクが必要であり、EB直接描画と言
えどもマスク作成のための工数やコストが必要である。
さらに、部分一括露光は図50に示すように、ブロック
内に電子線が通るパターン形状の開口が形成されている
ため、図51(A)に示すようなパターンであれば、ブ
ロックとして正しく形成出来るのであるが、図51
(C)にしめすようなドーナツ形状のパターンでは、開
口部に囲まれた中の部分が、支えがないために欠落して
しまい正常なブロックを作成できない。
に、第2マスクM2上にパターン形状の開孔を形成して
おき、これにビームを通過させて、それを数10分の1
または数100分の1に縮小し、成形している。図49
の可変矩形ビーム露光方式に比べ、ショット当たりの電
流量が大きいために、クーロン相互作用の影響により微
細パターンの解像度が劣化する。
は、スポットビームや可変ビームを用いた通常の電子ビ
ーム露光に比べて、はるかに高スループットが期待でき
る技術であるが、そのためには、ブロック内に多くのパ
ターンを含み、しかも使用頻度の高いブロックを第2マ
スク上に形成しなければならなかった。第2マスクに搭
載できるブロック図形群の数は有限個であり、サイズも
限られている。このため、膨大な量のパターンの中から
繰り返し出現率が高く、かつ、なるべく多くのパターン
をブロック内に含むようにする必要がある。このため、
パターンを抽出する作業を人手で行うのは困難である。
し、実際の露光の評価を行っており、この評価パターン
を作成するには、偏向領域間のショットの繋ぎ、ブロッ
ク同士、可変矩形露光同士、ブロックと可変矩形露光の
繋ぎ調整、チップ内やブロックマスクの精度ばらつき等
の複雑な精度劣化要素を解決していきながら立ち上げを
行なっていく必要がある。これら描画の調整やプロセス
条件の洗い出しなどの作業を人手で行うのは非常に困難
であり、立ち上げの遅延を招いていてしまう。
て微細パターン形成を行なう場合、電子ビームがレジス
ト中および基板で散乱を生じることにより、設計どおり
のパターンが得られないという近接効果の問題点があ
る。通常露光では、そのパターンの延在する周囲からの
影響を考慮して、パターン毎に照射量を変えたり、パタ
ーン幅を変えたりなどの近接効果の補正を行なうのであ
るが、ブロック露光では、一括に露光されるパターン群
が複数カ所で使用されるため周囲の影響度合も一定では
なく、パターン毎の近接効果の補正を行なうことが出来
ない。
優れており高集積LSI製品に適用される技術である。
従って図形処理で扱うデータ量も膨大であり、処理時間
も数時間または数日を費やす場合があり、生産性の低下
を招いている。ウェハ上のパターンを見てもどの部分が
ブロック露光されていて、どこが可変矩形露光部である
か分からない。またブロック露光のためにはマスクを作
成しなければいけないのであるが、そのブロックパター
ンの形状が効果的であるが、問題無いものなのかを作っ
てから判断するのであると、非常に工数やコストがかか
る。
で、迅速に、かつ、容易に露光データを作成できる露光
データ作成方法、及び、露光データ表示方法を提供する
ことを目的とする。
光データを作成する露光データ作成方法において、前記
露光パターンを分割する複数の領域を作成するライブラ
リ作成手順と、前記ライブラリ作成手順で作成された前
記複数の領域に露光パターンを作成する露光パターン作
成手順と、前記露光パターン作成作業手順で作成された
露光パターン応じた露光データを作成する露光データ作
成手順とを有することを特徴とする。
ターンを分割する複数の領域毎にCADなどの図形作成
手段により作成した露光パターンに応じた露光データを
格納することにより露光データの作成を行うので、露光
データをパターンとして作成でき、露光データの作成が
容易に行える。請求項2は、設計データに応じた露光デ
ータを作成する露光データ作成方法において、前記設計
データを構成する図形群を抽出する図形群抽出手順と、
前記図形抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を
抽出する図形抽出手順と、前記図形抽出手順で抽出され
た図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成
手順とを有することを特徴とする。
を抽出し、図形群から露光を行う図形を抽出して、抽出
した図形毎に露光データを作成することにより、図形
群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データ
の作成を効率よく行える。請求項3は、請求項2におい
て、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち図形の繰
り返し性の高い図形群を抽出することを特徴とする。
り返し性の高い図形群を抽出することにより、よく使用
する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よ
く作成できる図形群を抽出できる。請求項4は、請求項
2又は3において、前記図形群抽出手順が、前記図形群
のうち前記図形群を構成する図形数が多い図形群を抽出
することを特徴とする。
抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が
抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽
出できる。請求項5は、請求項2〜4において、前記図
形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲
が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出すること
を特徴とする。
時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することによ
り、偏向に応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に
行える。請求項6は、請求項2〜5において、前記図形
群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が
前記露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出する
ことを特徴とする。
時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することによ
り、ビームサイズに応じた図形群を抽出でき、図形抽出
が容易に行える。請求項7は、請求項2〜6において、
前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち互いに重複す
る図形群を抽出することを特徴とする。
することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処
理時間を短縮できる。請求項8は、請求項2〜6におい
て、前記図形群抽出手順が、前記複数の図形群のうち互
いに重複する図形群を削除することを特徴とする。請求
項8によれば、互いに重複する図形群を削除することに
より、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短
縮できる。
図形群抽出手段が、前記図形抽出手順で、前記図形を抽
出した後、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽
出することを特徴とする。請求項9によれば、抽出され
た図形の数が最小となる図形群を抽出することにより、
抽出する図形が少ないので、露光データの作成数を減少
できる。
記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された前
記図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域
からそれぞれ図形を抽出することを特徴とする。請求項
10によれば、図形群を複数の領域に分割し、分割され
た複数の領域からそれぞれ図形を抽出することにより、
図形群を抽出可能な図形を抽出できる。
前記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された
前記図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形
を抽出することを特徴とする。請求項11によれば、図
形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出
することにより、不要な部分をデータにすることがない
ので、効率よく露光データを作成できる。
前記図形抽出手順は、既に抽出された図形と同じ図形を
抽出することを特徴とする。請求項12によれば、既に
抽出された図形と同じ図形を抽出することにより不要な
データを作成する必要がなく、効率よく露光データを作
成できる。請求項13は、請求項2〜12において、前
記図形抽出手順が、予め設定された条件に一致する図形
を抽出することを特徴とする。
図形を抽出できる。請求項14は、請求項2〜13にお
いて、前記図形抽出手順が、複数の図形抽出方法を有
し、該複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選
択して、図形の抽出を行うことを特徴とする。請求項1
4によれば、複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方
法を選択して、図形の抽出を行うことにより、抽出され
た図形群に対して最適な図形抽出を行える。
図形抽出手順が、前記図形抽出方法を露光時のレイヤに
応じて選択することを特徴とする。請求項15によれ
ば、露光時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える。
請求項16は、請求項14又は15において、前記図形
抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群の形状に応
じて選択することを特徴とする。
て図形抽出方法を選択することにより、抽出された図形
群に対して最適な図形抽出を行える。請求項17は、請
求項14〜16において、前記図形抽出手順が、前記図
形抽出方法を前記図形群中の図形の配置に応じて選択す
ることを特徴とする。請求項17によれば、図形群中の
図形の配置に応じて図形抽出方法を選択することによ
り、図形が存在しない無駄な部分を抽出することがな
く、抽出図形数を減少できる。
て、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形
群の図形の密集度に応じて選択することを特徴とする。
請求項18によれば、図形の密集度に応じて図形抽出方
法を選択することにより、有効に図形を抽出できる。請
求項19は、請求項2〜17において、前記図形抽出手
順は、前記図形群中での前記図形の占有率が所定の値と
なるように前記図形を抽出することを特徴とする。
の値となるように図形を抽出することにより、バラツキ
なく図形を抽出できる。請求項20は、請求項2〜19
において、前記図形抽出手順が、前記図形群中に設定さ
れる領域の数に応じて前記図形を抽出することを特徴と
する。請求項20によれば、図形群中に設定される領域
の数に応じて図形を抽出することにより、抽出される図
形を含む領域を所定のサイズ、数とすることができる。
前記図形抽出手順が、前記図形の種類に応じて図形を抽
出することを特徴とする。請求項21によれば、図形の
種類に応じて図形を抽出することにより、図形を重複す
ることがなく抽出できる。請求項22は、請求項2〜2
1において、前記図形抽出手順は、露光時のビームの照
射面積に応じて前記図形を抽出することを特徴とする。
応じて図形を抽出することにより、ビームの照射面積が
最適になるように図形を抽出できる。請求項23は、請
求項2〜22において、前記図形群毎に並列に処理を行
うことを特徴とする。請求項23によれば、図形群毎に
並列に処理を行うことにより高速に処理を行える。
マスクを作成する露光マスク作成方法において、前記露
光マスクのうち、ビームの透過パターンを微小パターン
の集合で構成することを特徴とする。請求項24によれ
ば、ビームの透過パターンを微小パターンの集合で構成
することにより、ビームの非透過パターンが透過パター
ンに囲まれている場合でも、非透過パターンが露光パタ
ーンを作成したときに、非透過パターンが欠落すること
がない。
データを作成する露光データ作成方法において、前記露
光マスクの互いに近接するパターンで透過するビームの
影響を補正することを特徴とする。請求項25によれ
ば、互いに近接するパターンで透過するビームの影響が
補正されるので、ビーム散乱による影響を防止できる。
ームをずらして再照射することにより補正することを特
徴とする。請求項26によれば、露光マスクの周囲でビ
ームをずらして再照射することにより、露光マスクの周
囲でのビーム強度の低下を補償して、全体で均一にビー
ムを照射することができる。
ンを表示する露光データ表示方法において、前記露光パ
ターンを露光方法に応じて異なる表示とすることを特徴
とする。請求項27によれば、露光パターンを露光方法
に応じて異なる表示とすることにより、位置に応じて露
光方式を認識できる。
ンを表示する露光データ表示方法において、前記露光パ
ターンを露光単位毎に異なる表示を行うことを特徴とす
る。請求項28によれば、露光パターンを露光単位毎に
異なる表示を行うことにより、露光パターン上の各露光
単位の配置を直観的に認識できる。
を表示する露光データ表示方法において、前記露光デー
タに基づいて露光時のスループットを算出するスループ
ット算出手順と、前記スループット算出手順で算出され
たスループットを表示するスループット表示手順とを有
することを特徴とする。
ープットを算出して、表示できるので、作成した露光デ
ータのスループットを即座に認識でき、必要に応じて訂
正できる。請求項30は、露光データに応じた露光パタ
ーンを表示する露光データ表示方法において、前記露光
データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光
パターンを表示することを特徴とする。
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示
することにより、作成した露光データに応じて作成され
るであろう露光パターンを直感的に認識できる。請求項
31は、請求項30において、前記露光条件を設定する
露光条件設定表示を行い、該露光条件設定表示により所
望の露光条件を設定した後、該露光条件設定表示により
設定された露光条件で再びシミュレーションが行い、該
再シミュレートの結果の露光パターンを表示することを
特徴とする。
の露光条件を設定することにより、再シミュレーション
が実行され、そのシミュレート結果が表示されるので、
露光条件に応じたシミュレーション結果を容易に得るこ
とができ、所望の露光結果を容易に認識できる。請求項
32は、請求項31において、前記露光データを所定の
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに前記
露光データに応じた露光パターンを重ねて表示すること
を特徴とする。
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに露光
データに応じた露光パターンを重ねて表示することによ
り、作成した露光データに応じて作成されるであろう露
光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異
を直感的に認識できる。請求項33は、請求項32にお
いて、前記シミュレーションした結果の露光パターンと
前記露光データに応じた露光パターンとの差異を検出
し、前記シミュレーションした結果の露光パターンと前
記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許
容範囲以上の部分を前記シミュレーションした結果の露
光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの
差異が所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とするこ
とを特徴とする。
た結果の露光パターンと露光データに応じた露光パター
ンとの差異が所定の許容範囲以上の部分と所定の許容範
囲内の部分とで異なる表示とすることにより、エラーが
発生する部分を容易に認識できる。
ク構成図を示す。本実施例の露光データ作成装置1は、
処理の指示やデータの設定を行うためのキーボード2、
処理データの表示を行うディスプレイ3、データ処理を
行うCPU4、設計データをファイルする設計データフ
ァイル5、最適化データをファイルする最適化データフ
ァイル6、露光データをファイルする露光データファイ
ル7、設計データファイル5に格納された設計データか
らパターンに応じて最適化した設計データを編集する編
集処理を行う設計データ最適化エディタ8、設計データ
最適化エディタ8で最適化され、最適化データファイル
6に格納された最適化データから露光データを作成する
処理を行う露光データ作成エディタ9、露光データ作成
エディタ9で作成され、露光データファイル7に格納さ
れた露光データを解析する処理を行う露光データ解析エ
ディタ10から構成される。
を示す。露光データ作成装置1の処理機能としては、主
に、露光データ作成機能11、及び、露光データ検証機
能12がある。露光データ作成機能11は、評価用露光
データを作成するとともに、設計データファイル5に予
めファイルされた設計データから設計データに応じた露
光データを作成する。露光データ検証機能12は、露光
データ作成機能11で作成された露光データをシミュレ
ーションして、露光データの解析を行う。このとき、露
光データ作成機能11と露光データ検証機能12とは並
列・分散処理手段13により並列的に処理が実行され
る。
ータを作成する評価用露光データ作成手段14、設計デ
ータファイル5に格納された設計データを解析する設計
データ解析手段15、設計データ解析手段15での解析
結果に応じて設計データを露光データ作成に最適な状態
に最適化する設計データ最適化手段16、設計データを
分割するブロックを抽出するブロック抽出手段17、ブ
ロック抽出手段17の抽出モードを切り替えるブロック
抽出モード自動切替手段18、ブロック抽出手段17で
抽出されたブロックを露光データ作成に最適な状態に最
適化するブロック最適化手段19を有する。
ンデータを表示するためのパターンデータ表示手段2
0、露光データ作成機能11で作成された露光データの
解析を行う露光データ解析手段21、露光データ作成機
能11で作成された露光データにおけるスループットを
算出する露光スループット算出手段22、露光データ作
成機能11により作成された露光データに基づいて露光
シミュレーションを行う露光シミュレーション手段23
を有する。
露光データ作成手段14について説明する。図3に本発
明の一実施例の評価用露光データ作成手段の処理フロー
チャート、図4に本発明の一実施例の評価用露光データ
作成手段による評価用露光データ作成時のデータの流れ
を示す図を示す。
は、主に、ライブラリ作成工程S1−1、パターン作成
作業工程S1−2、露光データ出力工程S1−3の3段
階の処理を実行する。ライブラリ作成工程S1−1は、
ビーム変更サイズ、露光スキャン順序、最大ビームサイ
ズ、ブロック個数など露光データ作成に必要な条件を与
えることにより、図4に示す、この後のパターン作成作
業工程S1−2でパターン作成する下地となるライブラ
リ24を作成する。作成されるライブラリのファイル構
造は高圧縮な露光データを作成することが出来るように
階層構造になっている。ライブラリ作成工程S1−1で
作られるデータはパターンデータではなく、指定された
条件による階層構造とそれぞれのサイズを表す枠のデー
タから構成される。
タのライブラリ構造図、図5に本発明の一実施例の評価
用露光データ作成における評価パターンデータの構成図
を示す。ライブラリデータベースのファイル構成は、図
4に示すように、トップ階層T下にウェハ露光データ階
層Wとブロックマスク作成用階層Mがある。また、ウェ
ハ露光階層Wの下の階層には、露光装置が備える偏向機
構数分、例えば、2つの偏向機構を有する露光装置であ
れば、第1、第2偏向階層F、Sがある。第1偏向階層
F、及び、第2偏向階層Sには、各偏向階層F、Sでの
偏向状態を指示する偏向データf1〜fn、s1〜sm
が配置される。偏向データf1〜fn、s1〜smの下
に各偏向状態で露光されるパターンのデータが格納され
る階層Pが配置される。パターン階層Pには、ショット
の形状サイズを指定するショット形状データpや、ブロ
ックパターンデータbが配置される。
等の図形データを配置させることにより、可変矩形露光
によって露光されるパターンを定義することが出来る。
また、ブロックパターンデータbによりブロック露光に
より露光されるパターンを定義することが出来る。パタ
ーン作成作業工程S1−2は、図4に示すようにコンピ
ュータのグラフィック画面からの図形作成手段25によ
りライプラリ作成工程S1−1で得られたライブラリフ
ァイル24を読み込ませ、そこに追加していくように評
価用データを作成していく。図形作成手段25として
は、例えば、CAD、すなわち、コンピュータ援用製図
システムを用いることができる。
作成作業工程S1−2で作成された評価パターンデータ
D1を露光スキャン順序にソートするなど露光データの
書式に変換し、露光データD2を作成する。この際、露
光データの規則として違反があるかのチェックを行ない
違反がある場合は違反箇所をグラフィック画面で表示す
る。ここで得られた評価用露光データはブロック露光用
検証処理、解析処理に入カ可能となる。
タ作成手段14では、ビーム変更サイズ、露光スキャン
順序、最大ビームサイズ、ブロック個数など露光データ
作成に必要な条件を与えることにより、容易に評価用露
光パターン作成に必要なライブラリ24を作成すること
ができる。また、作成されたライブラリ24を用いてC
AD等により評価用パターンを作成することができるの
で、評価用パターンの作成を容易に行える。
D1を露光スキャン順序にソートするなどの変換処理を
行って露光データD2とすることにより、自動的に露光
データD2を得ることができる。次に、設計データから
露光データを作成するときの露光データ作成機能11の
動作について説明する。露光データ作成機能11では、
ブロック露光用データを作成し、ショット数が少なくす
るとともに、露光データサイズを小さくすることによ
り、露光時間が少なくなるように露光データの作成を行
う。このとき、露光データ作成機能11では、露光デー
タ作成時間を最小にするにはどの図形群をブロック露光
の対象に、露光圧縮単位に、作成処理単位にするべき
か、LSIレイアウトデータ、すなわち、設計データの
構成を解析し、またはその解析結果から露光データ作成
に最適になるようにデータの変更を行なう。
する際に、処理マシンの記憶容量では不足するほどに膨
大な量の場合は、その図形群をパターン存在範囲の領域
で分割し、1図形群の量を処理できる程度の大きさに組
み直す。その結果から露光データ作成を行なう際のブロ
ック露光用データ群、繰り返し出翼図形群、分割処理可
能図形群の情報を出力する。露光データ作成処理ではこ
の最適化後のデータから露光データ作成情報に従って、
ブロックパターン抽出、露光データ圧縮処理、図形群単
位処理、または分敵処理、並列処理を行ない露光データ
であるブロックマスク作成用データとウェハ露光用デー
タを作成する。
露光データ作成機能11の動作について詳細に説明す
る。図7に本発明の一実施例の露光データ作成時の処理
フローチャートを示す。設計データから露光データを作
成する場合の露光データ作成機能11の処理は、主に、
設計データ最適化処理S2−1、露光データ作成処理S
2−2、露光データ解析処理S2−3から構成される。
データ最適化手段16により設計データファイル5に格
納された設計データの階層等を最適化する処理が行われ
る。ここで、設計データ最適化処理S2−1について詳
細に説明する。図8に本発明の一実施例の設計データ最
適化処理の処理フローチャートを示す。
ず、設計データファイル5から設計データを入力する
(ステップS3−1)。次に、ステップS3−1で入力
された設計データから所望のデータを抽出及びサイジン
グを行う(ステップS3−2)。次に、ステップS3−
2でサイジングされたデータから階層構造を解析する
(ステップS3−3)。
づいて階層データを最適化する(ステップS3−4)。
次に、ステップS3−4で最適化されたデータから階層
処理用有効ストラクチャリストを作成し、出力する(ス
テップS3−5)。次に、ステップS3−4で、最適化
されたデータを最適化処理済データとして最適化データ
ファイル6に格納する(ステップS3−6)。
及びステップS3−4の階層データ最適化処理について
詳細に説明する。ステップS3−3の階層構造解析及び
ステップS3−4の階層データ最適化処理は、特許請求
の範囲の図形群抽出手順に相当する。図9に本発明の一
実施例の階層構造解析及び階層データ最適化処理の処理
フローチャートを示す。
おいてはある単位毎あるいは回路部分毎に、また、その
特性毎にデータを固まりとして設定してある。ステップ
S4−1〜S4−4では、設計データのフォーマットに
記述されている構造を解析し、露光データ処理にとって
不必要または不都合な図形群や図形群の構成をまとめた
り、分割したり、図形群同士の重なり部分を除去するな
どの修正を行ない、図形群を再構成する処理を行う。
ら供給された設計データ中の図形群を探索する(ステッ
プS4−1)。次に、ステップS4−1で探索された図
形群を部分修正する(ステップS4−2)。次に、ステ
ップS4−2で、部分修正された図形群間の重なり、接
触を検出する(ステップS4−3)。
ある場合には重なりを除去する(ステップS4−4)。
次に図形群のデータ量と装置のメモリ量とを比較する
(ステップS4−5)。ステップS4−5での比較結
果、図形群のデータ量が装置のメモリ量より大きければ
図形群を分割し、並列・分散処理手段13により並列処
理で次の処理が行われ、図形群のデータ量が装置のメモ
リ量より小さければそのまま通常の処理状態で次の処理
が行われる(ステップS4−6)。
形群は、次に、各図形群の有効性を評価するための評価
点を算出するための処理が行われる。まず、図形群の繰
り返し数、パターン数を算出し、各図形群の情報を格納
する図形群情報テーブルに設定する(ステップS4−
7、S4−8)。また、各図形群のパターン形状を解析
し、形状複雑度に応じたポイントを図形群情報テーブル
に設定する(ステップS4−9)。例えば、図形群の形
状が多角形図形、45。角の斜辺を合む、45°以外の
斜辺を含む図形ほど、露光データを得る上で有効となる
ので、ポイントを高くする。
様に図形群情報テーブルに設定する(ステップS4−1
0)。上記ステップS4−7〜S4−10が図形群のデ
ータ量が装置のメモリ量より大きい場合には、並列・分
散処理手段13により並列・分散処理され、高速処理を
可能としている。
された図形群情報テーブルに設定された図形群を図形群
情報テーブルに設定された各設定情報に応じて評価し、
評価点を算出し、評価点順にソートする(ステップS4
−11)。なお、ステップS4−10で求められたパタ
ーン存在範囲の大きさの情報は、露光偏向範囲の単位で
データの圧縮を行うために有効なので、評価点が大きく
なり、特に、この大きさが露光時の偏向サイズの整数倍
と同程度のものには更に大きなポイントを与える。さら
に、ステップS4−7で算出された繰り返し数a、ステ
ップS4−8で算出されたパターン数bの積(a×b)
が大きい図形群は出現頻度が多いため、全体のショット
数を減少させるのに有効であるため、高い評価点とな
る。
が評価点順にソートされると、次に評価点が高い順位に
図形群に仮定的にブロックを抽出するブロック抽出仮定
処理が実行され、結果が評価される(ステップS4−1
2、S4−13)。ステップS4−12、S4−13で
は、この数とポイントの大きい図形群の名前を表示し、
これら評価結果の高い図形群の順に、ブロックパターン
抽出の結果ショット数がどのくらい滅少するかシミュレ
ーションを行ない、ブロック搭載個数内のブロック抽出
を行なうのにはどの図形群が最も有効であるかを判断
し、有効な図形群を選び出す。
出された図形群名リストが図8のステップS3−5の出
力結果となり、また、有効な図形群名リストが最適化処
理済データとして最適化データファイル16に格納され
る。以上により、設計データから抽出された最適化デー
タを保持した最適化データファイル16が作成される。
ータファイル16に保持された最適化データ16により
実施される。なお、図形群の分割が明確でない、すなわ
ち、階層が明確でない場合には、全体を一つのデータと
して、上記図形群、すなわち、ブロックを抽出処理を行
えばよい。
いて説明する。図10に本発明の一実施例の露光データ
作成処理の処理フローチャートを示す。露光データ作成
処理S1−2では、まず、図7の設計データ最適化処理
S2−1で最適化された設計データの所望の階層を展開
/マージする(ステップS5−1)。
ら後述するように特許請求の範囲の図形群に相当するブ
ロックを抽出する(ステップS5−2)。ステップS5
−2でブロックが抽出されると、次に、抽出されたブロ
ックが効率よく作成できるようにブロックの最適化が行
われる(ステップS5−3)。ステップS5−3で、ブ
ロックが最適化されると、次に、最適化された各ブロッ
クを特許請求の範囲の図形に相当する矩形分割する(ス
テップS5−4)。
に、ステップS5−4で分割された矩形を所望の偏向領
域のデータとして設定する(ステップS5−5)。上記
ステップS5−1〜S5−5は、処理するデータ量が多
ければ、並列・分散処理される。ステップS5−5で、
ブロック及び矩形が設定されると、設定されたブロック
及び矩形に関するデータを露光データにフォーマッティ
ングして、露光データファイル7に格納する(ステップ
S5−6)。
る。ここで、図10のステップS5−2のブロックパタ
ーン抽出処理について詳細に説明する。なお、ステップ
S5−2のブロックパターン抽出処理は、特許請求の範
囲の図形抽出手順に相当する。図11に本発明の一実施
例のブロックパターン抽出処理の処理フローチャートを
示す。
処理では、パターンに適した条件で特許請求の範囲の図
形に相当するブロックパターンを抽出できるように指定
された条件により抽出モードが切り替えられる。なお、
抽出条件の指定がない場合でも既存のブロックパターン
に対応するようにブロックパターンの抽出が可能であ
る。
は、まず、条件抽出指定を行うか否かの判定が行われる
(ステップS6−1、S6−2)。ステップS6−1で
ブロックパターン抽出の条件の指定がない場合には、抽
出モードを認識する処理が実行される。抽出モード認識
では、まず、抽出モードの指定があるか否かが判断され
る(ステップS6−3)。ステップS6−3で抽出モー
ドの指定がある場合には、指定された抽出モードにより
ブロック抽出が行われる(ステップS6−4〜S6−
6)。
定されていない場合には、次に、処理階層指定があるか
否かが判断される(ステップS6−7)。ステップS6
−7で、処理階層の指定がある場合には、指定された処
理階層に対してブロック抽出が行われる(ステップ6−
4〜S6−6)。なお、ステップS6−7で、処理階層
の指定もない場合には、次に、パターンの形状、配置、
密集度を判定して(ステップS6−8)、自動的に最適
化抽出方法が判定され抽出が行われる(ステップS6−
4〜S6−6)。
う場合には、抽出条件が既存ブロックからの抽出指示が
あるか、否かを判定する(ステップS6−9)。ステッ
プS6−9で、抽出条件として既存ブロックからの抽出
が指示されている場合には、次に、既存ブロックパター
ンデータを条件テーブルに格納する(ステップS6−1
0)。 また、既存ブロックパターンを新た登録するブ
ロックパターンの形状、線幅等のブロックパターンの条
件を条件テーブルに新たに登録する(ステップS6−1
1、S6−12)。
ーブルが設定されると、次に、条件テーブルに設定され
たブロックパターンに対応してブロック抽出が行われる
(ステップS6−13)。次に、ステップS6−13で
ブロックの抽出が行われた結果、抽出ブロック数と搭載
ブロック数とが比較される(ステップS6−14)。ス
テップS6−14で、抽出ブロック数が搭載ブロック数
より小さければ、既存ブロックにより効率よくブロック
抽出が行われたと判断できるので、ブロック抽出を終了
する。
ク数が搭載ブロック数より大きければ、効率が低いと判
断できるので、条件テーブルをクリアする(ステップS
6−15)。ステップS6−15で条件テーブルをクリ
アすると、次に、ステップS6−2に戻って、抽出条件
を指定して、手動で条件テーブルを設定して、ブロック
抽出を行うか(ステップS6−16)、又は、ステップ
S6−8により自動的に抽出条件を設定して、ブロック
パターンの抽出を行う(ステップS6−4〜S6−
6)。
プS6−6の領域抽出処理動作について説明する。図1
2〜図17に本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説
明図を示す。ステップS6−6の領域抽出処理動作で
は、例えば、ブロックパターンを抽出しようとするブロ
ックが図12に示すようなパターンであるとすると、図
12に示すようなブロックは、例えば、図13に示すよ
うに所定のブロックサイズ(X1×Y1)及び(X1×
Y2)からなる16個のブロックのブロックB1〜B1
6に分割される。
枠上で切断し、矩形領域上に存在するパターン群をブロ
ックパターンとして抽出することにより、図14に示す
ような分割結果が得られる。図14に示すようなブロッ
ク抽出によれば、ブロックB5〜B7、及び、ブロック
B9〜B11で同一のパターンを得ることができる。こ
のため、抽出すべきブロック数は、10ブロックで済
む。
生させると、例えば、図15に示すように図形群のパタ
ーン存在範囲内にとびとびに同一のパターンが延在して
いる場合、図13に示すブロックと同様に単純にブロッ
ク枠を発生させてしまうと、図16に示すようにパター
ン存在範囲内にブロック内のパターン数が少ない無駄な
ブロックB2、B3、ブロックB6、B7、ブロックB
10、B11、ブロックB14、B15が発生してしま
い、効率的なショットを行うことはできない。これを防
止するために、図17に示すようにブロックB1、B
5、B9、B13をパターン存在範囲内の端(例えば左
下)から行ない、次のブロックB2’、B6’、B1
0’、B14’を矩形領域内をパターンが通り過ぎず、
かつ、出来るだけ多くのパターンが含まれる位置まで
(例えば右方向や上方向に)ずらして、次の矩形領域を
発生させていく。これをパターン存在範囲内で行い、パ
ターン存在範囲内の全てのパターンを網羅するように矩
形領域を発生させながら図17に示すようなブロックパ
ターン抽出を行なう。
れば、パターンが存在しな部分にはショットが行われな
いので、ショット数を低減できる。また、図17に示さ
れるようにパターンが周期的に現れるようなパターンで
は、ブロックB1、B2’、B4のパターン対応するブ
ロックパターンP1、ブロックB5、B6’、B8、B
9、B10’、B12のパターンに対応するブロックパ
ターンP2、ブロックB13、B14’、B16のパタ
ーン対応するブロックパターンP3の3種類のブロック
パターンで構成できる。
の処理動作について説明する。条件抽出処理では、ブロ
ックマスク作成用露光データを入力、また、ユーザが線
幅、角度、形状、パターン群を指定することにより、こ
れらの条件のパターンを入カデータの中から見つけ出し
既存のブロックマスクで引用できるようなブロックパ
ターンを抽出する。
の処理フローチャートを示す。ステップS6−13の条
件抽出処理では、最適化データファイル6から供給され
た最適化データを小領域に分割する(ステップS7−
1、S7−2)。次にステップS7−2で、分割された
小領域の図形に対応した図形を条件テーブルに設定され
た既存のブロックパターンデータからサーチし、抽出す
る(ステップS7−3)。対応する図形の抽出が終了す
ると(ステップS7−4)、露光データとして出力する
(ステップS7−5)。
ンデータを用いることにより、既に対応するブロックパ
ターンマスクが作成されていれば、新規にブロックパタ
ーンマスクを作成する必要がないので、余分な作業を短
縮できる。なお、抽出方法を選択する条件として、露光
時のレイヤに応じて選択することにより、露光時のレイ
ヤに対して最適な図形抽出を行える。
に応じて選択することにより、ブロック形状に対応した
最適な図形抽出を行える。さらに、パターンの密集度に
応じて選択することにより、有効にパターンを抽出でき
る。また、パターンの占有率が所定の値となるようにパ
ターンを抽出することにより、ブロックで平均してパタ
ーンを抽出できる。
抽出パターンを制御することにより、ブロック内での各
パターンのサイズ、数を所定のサイズ、数にすることが
できる。パターンの種類に応じてパターンを抽出するこ
とにより、パターンを重複することがなく抽出できる。
また、露光時のビームの照射面積に応じて領域を設定す
ることにより、ビームの照射面積が最適になるようにパ
ターンを抽出できる。
のサーチはブロック数が多い場合には、後述するような
構成の並列・分散処理手段13により並列・分散処理を
行えば、処理時間を短縮できる。また、ブロックパター
ンマスクを新規に作成する時には、ブロック欠落防止処
理、近接効果補正等の処理が実施される。
する。図19に本発明の一実施例のブロック欠落防止処
理の処理フローチャート、図20〜図22に本発明の一
実施例のブロック欠落防止処理の動作説明図を示す。ブ
ロック欠落防止処理は、ブロックの欠落が認識されると
実施され、梁入れ又は微小パターン分割により対処す
る。例えば、図20(A)に示すようなブロックパター
ンでは、ビームを遮断すべきパターンの端部がブロック
枠に接触しているので、パターンをマスクにしたときで
もパターンが切断されることがない。
ンでは、ビームを遮断すべきパターンがブロック枠の中
央部分に位置するときには、そのままパターン通りマス
クを形成すると、ビームを遮断すべきパターンが欠落し
てしまう。よって、ブロック枠中央のビームを遮断すべ
きパターンが欠落しないように例えば、図20(C)に
示すようにビームを遮断すべきパターンからブロック枠
に梁を形成したり、ビームを通過させるパターン部分に
微小な格子状のパターンを形成し、ビームを遮断すべき
部分をブロック枠に保持できるようにする。なお、この
とき、梁や微小格子をビームの波長に比べて十分に小さ
く形成することにより、ビームは梁や微小格子部分を回
折してウェハに到達し、ビームが梁や微小格子部分の影
響を受けることはない。
の材料や露光装置のビームの波長などの条件に基づいて
梁幅の最小値Wmin 及び最大値Wmax を求めるととも
に、ブロック内の照射面積から予め設定された規定値を
減算した値αを求める(ステップS8−1)。次に、梁
入れによる欠落ブロック防止処理を実施するか、微小図
形構成による欠落ブロック防止処理を実施するかを判定
するために、ステップS8−1で求められたαが0以上
か否かを判定する(ステップS8−2)。
ば、すなわち、ブロック内の照射面積が規定値より小さ
ければ、まず、ブロックパターンで、ビーム透過パター
ンを「1」、ビーム遮断パターンを「0」とし、OR処
理を実施する(ステップS8−3)例えば、図21
(A)に斜線で示すようなビーム透過パターンのブロッ
クの場合、斜線部分と無地の部分とでOR処理を実施す
ることにより、図21(B)に示すように斜線部分と無
地の部分との境界線が得られる。
S8−4)。図21(B)に示すような境界線が得られ
た場合、線分化を実施する(ステップS8−4)。ステ
ップS8−4の線分化処理では、まず、図21(B)の
境界線から図21(C)に示すようなベクトルからなる
線分のデータを得る。次に線分化されたベクトルの方向
をパターン部分の周囲の線分の始点と終点とが連続する
ように反転させる(ステップS8−5)。図21(C)
に示すようなベクトル線分は、図21(D)に示すよう
なベクトル線分に変換される。
ターン化する(ステップS8−6)。図21(D)に示
すようなパターンは図21(E)に示すようなパターン
とされる。次にパターン化されたパターンのうちブロッ
ク枠に接触するパターンを削除し、ブロック枠に接触し
ないパターンを検出する(ステップS8−7)。
は、図21(F)に示すようなパターンが検出され、欠
落パターンがあることが認識される。ステップS8−7
で、ブロック枠からの離間パターンが存在すれる場合に
は(ステップS8−8)、次に、図22(A)に示すよ
うに欠落パターンを元のブロックパターンに重ねる(ス
テップS8−9)。
辺を持つパターンのうち面積の最小のパターンを除き、
それ以外のパターンを面積が大きいパターン順にソート
する(ステップS8−10)。ソートされたパターンの
欠落パターンに重なる辺を各パターンの内側に梁幅分シ
フトする(ステップS8−11)。ステップS8−11
を欠落パターンp0を保持するのに充分となるように行
う(ステップS8−12)。
ンの場合、欠落パターンp0に重なる辺を持つパターン
としてパターンp1〜p4が検出される。次に、図22
(B)に示すように、パターンp1〜p4のうち、最小
面積のパターンp1を除く、パターンp2〜p4の欠落
パターンp0に接触する辺を面積の大きい順に梁幅分だ
け細らせる。以上により図22(C)に示すように欠落
パターンp0が梁a1〜a4により周囲のビーム遮断パ
ターンに接続される。よって、欠落パターンp0はブロ
ック枠に保持され、ブロックマスクを作成した場合でも
欠落することはない。
すなわち、ブロック内照射面積が規定値以上の場合に
は、微小図形構成により欠落ブロックが防止される。こ
の微小図形構成により欠落ブロックが防止方法は特許請
求の範囲の請求項24の実施例に相当する。ステップS
8−2でαが0以上の場合、まず、図22(D)に示す
ようにビーム透過パターンp1〜p6を検出し、各パタ
ーンp1〜p6の幅をx、高さをyに設定する(ステッ
プS8−13)。
x、yの公約数cの大きい順にパターンp1〜p6をソ
ートする(ステップS8−14)。このとき、公約数c
は、図22(F)に示すように各パターンp1〜p6に
等しいサイズの正方形を敷き詰めて構成したときの正方
形の一辺に相当する。次に、公約数cの2乗であるs、
すなわち、パターンp1〜p4を構成できる正方形の面
積を求め、α、公約数c、及び、面積sから梁の幅2t
を求める(ステップS8−15)。梁の幅2tは、 2t=2×{c−√(s×(1−α))} で求められる。このとき、tは、図22(G)に示すよ
うに1つの正方形での梁の幅となり、隣接する正方形の
梁の幅と合わせて、所定の強度、及び、ビームの透過が
可能な幅、すなわち、Wmin ≦2t≦Wmax が得られ
る。
tから開口パターンの辺の長さ(c−2t)を求める
(ステップS8−17)。上記ステップS8−13〜S
8−17をパターン毎に実行し、開口パターンの辺の長
さを求める。各パターンp1〜p6にステップS8−1
7で求めた辺の長さ(c−2t)の正方形の開口を図2
2(H)に斜線で示すように形成する。全体としては、
図22(I)に示すようなブロックパターンとなる。
小な梁により欠落パターンp0がブロック枠に保持でき
る。開口を微小な正方形とすることによりビームの透過
強度を安定化できるとともに、電子散乱を平均化でき
る。上記ステップS8−1〜S8−17の処理によりブ
ロックパターンマスクを形成したときでも、欠落パター
ンが発生することがない。
ブロックパターン欠落だけでなく、近接効果についても
考慮する必要がある。次に、ブロックパターンマスクを
形成する際の近接効果補正処理について説明する。な
お、近接効果補正処理は、特許請求の範囲の請求項2
5、26に相当する。
処理の処理フローチャート、図24〜図30に本発明の
一実施例の近接効果補正処理の動作説明図を示す。近接
効果補正処理は、主に、ブロックパターン補正処理S9
−1、ブロック配置周辺解析処理S9−2、部分ブロッ
ク作成処理S9−3から構成される。ブロックパターン
補正処理S9−1では、まず、ブロックデータを入力し
(ステップS9−4)、図24(A)に示すように入力
されたブロックデータにおける散乱飛程サイズよるブロ
ックB0の面積密度平均Aを求める(ステップS4−
5)。このとき、ビームの後方散乱飛程によりブロック
B0が受ける面積密度平均値Aは、露光装置のビームの
波長などの条件、図24(B)に示すようにブロックB
0の周囲に配置されるブロックB1〜B8でのビーム照
射量などにより算出される。
後方散乱飛程サイズの面積密度平均Aに応じてパターン
内補正又はパターン間補正を行う(ステップS9−
6)。例えば、図25(A)に示すようなパターンがあ
ったとすると、パターンp1とパターンp2〜p5とは
近接しており、散乱飛程によりパターンp1とパターン
p2〜p5との間隙が消滅するおそれがある。このた
め、図25(B)に示すようにパターンp2〜p5のブ
ロック内側の辺をパターンの内側、すなわち、矢印方向
に移動させ、図25(C)に示すようにパターンp1と
パターンp2〜p5との間隙を補正する、いわゆる、パ
ターン内補正を行うか、または、図25(D)に示すよ
うに、パターンp1のパターンp2〜p5に対向する部
分を細らせ、図25(E)に示すようにパターンp1と
パターンp2〜p5との間隙を補正する、いわゆる、パ
ターン間補正を行う。
が実行される。ブロック配置周囲解析処理では、まず、
露光データから照射量差許容値を読み出し、Bに設定す
る(ステップS9−8)。次に、ブロックB0及びブロ
ックB0の周囲の領域のB1〜B8のパターン照射量を
算出する(ステップS9−9)。ステップS9−9で算
出されたブロックB0〜B8のパターン照射量に後方散
乱の影響を加えて、各ブロックB0〜B8のパターン照
射量を算出する(ステップS9−10)。
の影響が加わったパターン照射量からブロックショット
照射量Dbを算出する(ステップS9−11)。ステッ
プS9−11で算出されたブロックショット照射量Db
を補正する補正ポイント値pを求める(ステップS9−
12)。補正ポイント値pは、図25(C)に示すよう
な補正ポイントテーブルから求められる。ブロックショ
ット照射量Dbが (−B/2)<(Db−2B)≦(B/2) を満たすとき、補正ポイントpは−2ポイントとし、ブ
ロックショット照射量Dbが (−B/2)<(Db−1B)≦(B/2) を満たすとき、補正ポイントpは−1ポイントとし、ブ
ロックショット照射量Dbが (−B/2)<(Db)≦(B/2) を満たすとき、補正ポイントpは0ポイントとする。す
なわち、ブロックショット照射量Dbが (−B/2)<(Db+pB)≦(B/2) を満たすとき、補正ポイントをpポイントする。
ントpをセットすることにより、ブロック配置周囲解析
処理が終了する。次に、ステップS9−3の部分ブロッ
ク作成処理について説明する。ステップS9−3の部分
ブロック作成処理では、まず、ブロックB0〜B8のう
ち補正ポイントpがマイナスとなるブロックに注目し
て、部分ブロックを作成を行う。
ンがあったとすると、図26(B)に示すようなパター
ンPを繰り返すことにより図26(C)に示すように図
26(A)に示すパターンを形成できる。このとき、図
27(A)に示すように中心部分の領域Aとその周囲の
領域B〜Iでは後方散乱の影響が異なる。この後方散乱
の影響は、ステップS9−2で、求めた補正ポイントに
よって認識できる。
図27(B)に×で示すように周囲からの後方散乱の影
響が均等となる。また、図27(A)に示す領域Bで
は、図27(B)に上方向の矢印で示すように上部から
の後方散乱の影響が低くなる。図27(A)に示す領域
Cでは、図27(B)に下方向の矢印で示すように上部
からの後方散乱の影響が低くなる。
(B)に左方向の矢印で示すように左方向からの後方散
乱の影響が低くなる。図27(A)に示す領域Eでは、
図27(B)に右方向の矢印で示すように右方向からの
後方散乱の影響が低くなる。図27(A)に示す領域F
では、図27(B)に左上方の矢印で示すように左上方
からの後方散乱の影響が低くなる。図27(A)に示す
領域Gでは、図27(B)に右上方の矢印で示すように
右上方からの後方散乱の影響が低くなる。さらに、図2
7(A)に示す領域Hでは、図27(B)に右下方の矢
印で示すように右下方からの後方散乱の影響が低くな
る。図27(A)に示す領域Iでは、図27(B)に左
下方の矢印で示すように左下方からの後方散乱の影響が
低くなる。
の影響が低くなり、中心部に比べて、露光の程度が低下
することになる。均一な露光を実現するため、周辺部分
をべつパターンとしたり、パターン周辺部を2度打ちす
る方法がある。例えば、図26(A)に示すようなパタ
ーンでは、図28に示すように外周部分のビームを矢印
X1、X2、Y1、Y2方向にわずかにずらせて2度打
ちすることにより、パターン周辺部での露光の程度の低
下を防止できる。
29(A)に示すようにビームBMは、第1マスクM1
から平行に第2マスクM2に供給され、第2マスクM2
のパターン全体に照射され、第2マスクのパターン全て
ウェハ上に照射する。一方、ビームBMをずらせて照射
するには、図29(B)に示すようにビームBMを第2
マスクM2の一部にだけ照射させる。ブロック周辺部で
図28に示すようなショットを実現するには、図29
(C)に示すようにビームBMを第2マスクM2に対し
て矢印X1、X2、Y1、Y2方向にずらして2度打ち
ればよい。
ば、図30(A)に示すようにブロック周辺部でパター
ンが細線化する場合に有効となる。すなわち、図30
(A)に示すようにブロック周辺部で細線化すると、細
線が確実に得られなくなる。ことのと、図30(B)に
示すように周囲でビームBMを第2マスクM2から矢印
X1、X2、Y1、Y2方向にずらせて、2度打ちする
ことにより周囲の細線を確実に露光できる。
することにより、マスク数を増加させることなく、周辺
部分での露光を確実に行えるようになる。次に、図7の
ステップS2−3の露光データ解析処理について詳細に
説明する。図31に本発明の一実施例の露光データ解析
処理の処理フローチャートを示す。
作成処理で作成され、露光データファイル6に格納され
た露光データを読み出して、シミュレーションや各種解
析を行い、解析結果を認識し易いように表示する処理を
行う。露光データ作成処理で作成され、露光データファ
イル7に格納された露光データ及びブロックデータを入
力する(ステップS10−1、S10−2)。
ロック露光データ数をカウントすることによりブロック
露光データ数を算出し、解析結果格納テーブルに格納す
る(ステップS10−3)。また、ステップS10−1
で入力されたブロック露光データ数、及び、ステップS
10−2で入力されたブロックデータ数から可変矩形露
光パターン数を算出し、解析結果格納テーブルに格納す
る(ステップS10−4)。
ターンを1つのパターン数として形状別のパターン数を
算出し、解析結果格納テーブルに格納する(ステップS
10−5)。次に、ステップS10−2で入力されたブ
ロックデータ数から総パターン数、総ショット数を算出
し、解析結果格納テーブルに格納する(ステップS10
−6)。ステップS8−1で入力されたブロック露光デ
ータからブロックパターン数を算出し、解析結果格納テ
ーブルに格納する(ステップS10−7)。
データからブロックの形状別パターン数を算出し、解析
結果格納テーブルに格納する(ステップS10−8)。
各形状別のショット数を算出する(ステップS10−
9)。次に、ブロック露光部分を可変矩形露光したとき
のパターン数及びショット数を算出する(ステップS1
0−10)。次に、ステップS10−1で入力されたブ
ロック露光データからブロック内面積密度を算出し、解
析結果格納テーブルに格納する(ステップS10−1
1)。さらに、ショットのクロック値分布と回数を解析
結果格納テーブルに格納する(ステップS10−1
2)。
析結果は全て解析結果格納テーブルに格納される。解析
結果格納テーブルに格納された解析結果が表及びグラフ
により表示される。解析結果の表示としては、例えば、
ブロック内パターン情報、全体のショット数解析値、ブ
ロック毎のショット数解析値、ショットクロックヒスト
グラム等がグラフ及び表により表示される(ステップS
10−13〜S10−16)。
ターン情報の表示例を示す図を示す。図32に示すよう
にブロック内パターン情報は、パターンタイプ、位置、
サイズ、などの情報が各項目毎にグラフィカルに表示さ
れ、クロックコードなどの条件を変更可能な表示とされ
ている。
ック内パターン情報が所望の結果にならなかった場合に
は、図32で、クロックコード変更部分「Changed Cloc
k Code」及びドーズ量変更部分「Changed Dose Value」
に所望の数値を設定することにより、再びシミュレーシ
ョン・各種解析が実行される。再シミュレーション・再
解析後、再シミュレーション・再解析の結果が再び図3
2に示すように表示される。以上のように図32の表示
例のクロックコード変更部分「Changed ClockCode」及
びドーズ量変更部分「Changed Dose Value」の数値を変
更することにより、所望の結果が得られる条件を求める
ことができる。このとき、図表により結果を認識でき、
かつ、数値の設定が行えるので、露光条件の設定がよう
に行える。
ターンのパターン情報の表示例を示す図を示す。図33
に示すように各ブロックパターンのパターン情報は、各
ブロック毎に用いられているブロック内パターンの割合
がグラフにより表示されている。このため、各ブロック
で使用されているパターンの割合を直感的に認識でき
る。
析結果の表示例を示す図を示す。図34に示すようにシ
ョット数解析結果は、ショット数の総計及び使用パター
ン数等が表で表示されるとともに、全体における使用パ
ターンの割合などがグラフで表示される。このため、シ
ョットの状態を容易に認識できる。図35に本発明の一
実施例の各ブロック毎のショット数解析結果の表示例を
示す図を示す。
ト数解析結果は、各ブロックに番号が付与され、番号に
より各ブロックの位置がグラフィカルに表示されるとと
もに、各番号毎のそのショット数がグラフにより表示さ
れる。このため、各ブロックの位置及びショット数を直
観的に認識できる。図36に本発明の一実施例のショッ
トクロックヒストグラムの表示例を示す図を示す。
トグラムは、クロックコード毎にそのヒストグラムがグ
ラフで表示される。なお、テーブルのボタンをクリック
することにより、表により表示することもできる。図3
6に示すような表示方法によれば、ショットクロックヒ
ストグラムを容易に認識可能となる。以上のように解析
結果をグラフ又は表により表示することにより、露光状
態を容易に認識できるようになる。
は、解析結果だけでなく、作成された露光データもグラ
フィカルに表示できる。また、解析結果を上記図32〜
図36に示すように表示した後で、その結果に基づいて
ブロック数の変更など指示を行うことにより(ステップ
S10−17)。設定されたブロック数に応じてステッ
プS10−3〜S10−12で再計算が行われ(ステッ
プS10−18)、その結果が図32〜図36と同様に
表示され、直ぐに解析結果を得ることができる。
(ステップS10−19)、スループットを算出するた
めに、まず、総ショット数、偏向回数、レジスト感度、
1ショット時間、ジャンプ時間などに基づいて1チップ
露光時間が算出される(ステップS10−20)。次
に、チップ面積、ウェハサイズからウェハ上に搭載可能
なチップ数を割り出し、1時間当たりのウェハ露光枚
数、すなわち、スループットを算出する(ステップS1
0−21)。
と、ステップS10−20及びS10−21によりスル
ープットが算出され、即座に出力される。なお、解析結
果の表示は、終了指示があるまで行われる(ステップS
10−22)。次に、露光データ表示処理について説明
する。図37に本発明の一実施例の露光データ表示処理
の処理フローチャートを示す。
ル7に格納されたブロック露光データに基づいて露光デ
ータをグラフィカルに表示する。まず、露光データファ
イル7からブロック露光データを入力し、ウェハ露光表
示用データファイルに格納する(ステップS11−
1)。次にステップS11−1で入力されたブロック露
光データからブロックデータの種類を検出し、その数を
BNとする(ステップS11−2)。
を行う処理が行われる(ステップS11−3)。ステッ
プS11−3の処理では、まず、ブロック個数に可変矩
形露光用ブロック用に1を加算した色数を確保し、確保
した色数をCNにセットする(ステップS11−4)。
ステップS11−4で色数CNが確保できたか否かを判
定する(ステップS11−5)。
れば、色だけで、ブロックを識別することができるの
で、次に、ブロックパターンデータとブロック枠データ
をブロック毎にブロック表示テーブルBTABLEのデータ格
納テーブルBTABLE(0,1-BN ) に格納し、色番号格納テー
ブルBTABLE(1,2-BN ) に色番号2〜CNを格納し、さら
に、トーン番号格納テーブルBTABLE(2,1-BN ) に所定の
トーンを示すトーン番号「1」を格納する(ステップS
11−6)。
なければ、色だけでは、ブロックを識別することができ
ないので、次の色にトーン付けることによりブロックを
識別できるように色及びトーンをブロック表示テーブル
BTABLEにセットする処理を行う。まず、ブロックカウン
タBCOUNT、トーンカウンタTCOUNTに1をセットし、色カ
ウンタCCOUNTに2をセットする(ステップS11−
7)。
タ格納テーブルBTABLE(0,BCOUNT )にブロック番号BCOUN
Tのブロックパターンデータとブロック枠データを格納
し、色番号格納テーブルBTABLE(1,BCOUNT ) にブロック
番号BCOUNTの対応した色番号CCOUNTを格納し、トーン番
号格納テーブルBTABLE(2,BCOUNT ) にトーン番号「TCOU
NT」を格納してた後、ブロック番号BCOUT を「+1」す
る(ステップS11−8)。
ン番号を変化させながら、ブロック番号がBNとなるま
で行う(ステップS11−9〜S11−12)。以上の
処理によりブロック表示テーブルBTABLEに各ブロックに
色又はトーンの組み合わせが異なる表示色が設定され
る。露光パターンデータは、ブロック表示テーブルBTAB
LEに従って表示される(S11−13)。ステップS1
1−13の露光パターンデータ表示処理では、まず、パ
ターン情報表示要求に従って、表示すべきパターンのパ
ターン種及び配置情報、配置位置、サイズ情報、所属偏
向位置番号、形状番号/ブロック番号、クロック値など
の露光に必要な情報が読み込まれる(ステップS11−
14〜S11−18)。
で読み込まれた情報を表示するとともに、ブロック表示
テーブルBTABLEに格納されたブロックパターンを設定さ
れた色及びトーンで表示する(ステップS11−19、
S11−20)。図38に本発明の一実施例のブロック
パターン表示例を示す図を示す。図38に示すようブロ
ックパターンは、各ブロック毎に表示色及びトーンが相
違するように表示される。よって、パターンに含まれる
ブロックを容易に認識できる。
ブロックパターン表示例を示す図を示す。また、本実施
例ではブロック露光方法と可変矩形露光方法とで、色が
異なるので、図39〜図41に示すようにパターン中の
ブロック露光方法部分と可変矩形露光方法部分との識別
を容易に行える。また、ブロック毎に表示色が異なるた
め、図42に示すように一 ブロックショット部分に一
ブロックの枠を表示することにより、所望のブロックだ
けを容易に認識可能となる。また、複数のブロックを組
み合わせて表示することもできる。
は、露光データに基づいてシミュレーションを行うこと
ができ、このとき、シミュレーションの結果をグラフィ
カルに表示できる。図43に本発明の一実施例のシミュ
レーション処理の処理フローチャート、図44に本発明
の一実施例の シミュレーション処理では、まず、露光
データファイル7からブロック露光データを入力する
(ステップS12−1)。次に、シミュレーションの条
件、すなわち、適応する露光装置の露光条件が入力さ
れ、シミュレーションテーブルに格納される(ステップ
S12−2)。
ると、ステップS12−1で入力されたブロック露光デ
ータに対してステップS12−2でシミュレーションテ
ーブルに格納された露光条件にしたがって、シミュレー
ションが行われる。シミュレーションとして、各グリッ
ド上の露光強度計算が行われる(ステップS12−
3)。ステップS12−3での各グリッド上の露光強度
計算の結果、図42(A)に示すようなグリッド毎の強
度が数値で表示され、さらに、図44(B)に示すよう
に同一強度点は同一の色となるように強度毎に着色して
表示される(ステップS12−4)。
ータのパターンラインLをステップS12−4での露光
強度の表示に重ねてライン表示する(ステップS12−
5)。次に、ステップS12−5で表示された露光デー
タのパターンラインLとステップS12−4で表示され
た強度分布のうちパターンラインLに相当する所定の解
像エッジとの寸法差を求める(ステップS12−6)。
タのパターンラインLと強度分布のうちパターンライン
Lに相当する所定の解像エッジとの寸法差とを比較し、
寸法差が所定の許容範囲以上の部分のパターンラインL
又は解像エッジをブリンク表示する(ステップS12−
7)。また、このとき、図32に示すような表示も選択
して表示でき、ステップS12−7の表示結果に応じて
露光条件等の変更があると、図32に示す表示で、クロ
ックコード「Change Clock Code 」、ドーズ量「Change
Dose Value 」に所望の変更量を設定することにより、
再シミュレーションが行われ、再び、ステップS12−
3〜S12−7が実行され、変更された露光条件に応じ
た露光パターンが表示される。上記図44に示すような
露光パターン表示は終了指示があるまで、行われる(ス
テップS12−9)。
分がブリンク表示されるので、エラー部分を容易に認識
できる。また、このとき、図32に示すような図表によ
る表示も可能であり、図32に示す表示で、クロックコ
ード「Change Clock Code 」、ドーズ量「Change Dose
Value 」に所望の変更量を設定することにより容易に露
光条件を変更できる。
のシミュレーション処理による実際の露光パターンの表
示例を示す図を示す。図45に示すように、接続パター
ンp1と他の部分p2との境界p3で強度の変化するよ
うすがグラフィック表示される。また、図46に示すよ
うにシミュレーション結果のパターンとブロックのライ
ンLとが重ねて表示され、シミュレーション結果と設定
したブロックとの関係を認識できる。
成おいて、階層処理や並列処理、自動ブロック抽出によ
り、高圧縮露光データを高速に作成することができ、ま
た、複数のブロック抽出モードの組合せによりショット
数が激減し、高露光スループット化に有効であり、さら
に、各種補正機能により高精度な露光パターンの形成が
可能、そして、既存のブロックマスクを共通に使用する
ことも可能なため。コストと手番を短縮する効果があ
り、各種検証機能により作成された露光データ処理への
フィードバックを行なう機能があるので、より高品質、
高信頼な露光データを作成出来るので、微細LSI製品
量産化の実用には極めて有効である。
現するには、並列処理マシン構成、及び、分散処理マシ
ン構成が必要となる。図47に本発明の一実施例の並列
処理を実現するためのブロック構成図を示す。図47に
示すように並列処理を実現するためには、露光データ作
成処理を統括するホストに複数のプロセッサを接続し、
ホストが階層、処理単位毎に処理を複数のプロセッサに
渡して、並列に処理を行わせる。
理を実現するためのブロック構成図を示す。図48に示
すように分散処理を実現するためには、図47に示すよ
うな構成の並列計算機や通常の連続計算機を複数台、ネ
ットワークで接続し、階層、処理単位毎に複数の計算機
で分散して処理を行わせる。
ば、予め作成された露光パターンを分割する複数の領域
毎にCADなどの図形作成手段により作成した露光パタ
ーンに応じた露光データを格納することにより露光デー
タの作成を行うので、露光データをパターンとして作成
でき、露光データの作成が容易に行える等の特長を有す
る。
を抽出し、図形群から露光を行う図形を抽出して、抽出
した図形毎に露光データを作成することにより、図形
群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データ
の作成を効率よく行える等の特長を有する。請求項3に
よれば、図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を
抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が
抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽
出できる等の特長を有する。
抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が
抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽
出できる等の特長を有する。請求項5によれば、図形の
存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出
することにより、偏向に応じた図形群を抽出でき、図形
抽出が容易に行える等の特長を有する。
時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することによ
り、ビームサイズに応じた図形群を抽出でき、図形抽出
が容易に行える等の特長を有する。請求項7によれば、
重複する図形群を抽出することにより、不要な処理を行
わなくて済むので、処理時間を短縮できる等の特長を有
する。
を削除することにより、不要な処理を行わなくて済むの
で、処理時間を短縮できる等の特長を有する。請求項9
によれば、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽
出することにより、抽出する図形が少ないので、露光デ
ータの作成数を減少できる等の特長を有する。
に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽
出することにより、図形群を抽出可能な図形を抽出でき
る等の特長を有する。請求項11によれば、図形群のう
ち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出すること
により、不要な部分をデータにすることがないので、効
率よく露光データを作成できる等の特長を有する。
と同じ図形を抽出することにより不要なデータを作成す
る必要がなく、効率よく露光データを作成できる等の特
長を有する。請求項13によれば、所望の条件に応じた
図形を抽出できる等の特長を有する。
から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行う
ことにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出
を行える等の特長を有する。請求項15によれば、露光
時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える等の特長を
有する。
て図形抽出方法を選択することにより、抽出された図形
群に対して最適な図形抽出を行える等の特長を有する。
請求項17によれば、図形群中の図形の配置に応じて図
形抽出方法を選択することにより、図形が存在しない無
駄な部分を抽出することがなく、抽出図形数を減少でき
る等の特長を有する。
て図形抽出方法を選択することにより、有効に図形を抽
出できる等の特長を有する。請求項19によれば、図形
の占有率が所定の値となるように図形を抽出することに
より、バラツキなく図形を抽出できる等の特長を有す
る。請求項20によれば、図形群中に設定される領域の
数に応じて図形を抽出することにより、抽出される図形
を含む領域を所定のサイズ、数とすることができる等の
特長を有する。
図形を抽出することにより、図形を重複することがなく
抽出できる等の特長を有する。請求項22によれば、ビ
ームの照射面積に応じて図形を抽出することにより、ビ
ームの照射面積が最適になるように図形を抽出できる等
の特長を有する。請求項23によれば、図形群毎に並列
に処理を行うことにより高速に処理を行える等の特長を
有する。
ンを微小パターンの集合で構成することにより、ビーム
の非透過パターンが透過パターンに囲まれている場合で
も、非透過パターンが露光パターンを作成したときに、
非透過パターンが欠落することがない等の特長を有す
る。請求項25によれば、互いに近接するパターンで透
過するビームの影響が補正されるので、ビーム散乱によ
る影響を防止できる等の特長を有する。
ビームをずらして再照射することにより、露光マスクの
周囲でのビーム強度の低下を補償して、全体で均一にビ
ームを照射することができる等の特長を有する。請求項
27によれば、露光パターンを露光方法に応じて異なる
表示とすることにより、位置に応じて露光方式を認識で
きる等の特長を有する。
単位毎に異なる表示を行うことにより、露光パターン上
の各露光単位の配置を直観的に認識できる等の特長を有
する。請求項29によれば、露光データからスループッ
トを算出して、表示できるので、作成した露光データの
スループットを即座に認識でき、必要に応じて訂正でき
る等の特長を有する。
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示
することにより、作成した露光データに応じて作成され
るであろう露光パターンを直感的に認識できる等の特長
を有する。請求項31によれば、露光設定表示に所望の
露光条件を設定することにより、再シミュレーションが
実行され、そのシミュレート結果が表示されるので、露
光条件に応じたシミュレーション結果を容易に得ること
ができ、所望の露光結果を容易に認識できる等の特長を
有する。
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに露光
データに応じた露光パターンを重ねて表示することによ
り、作成した露光データに応じて作成されるであろう露
光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異
を直感的に認識できる等の特長を有する。請求項33に
よれば、シミュレーションした結果の露光パターンと露
光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範
囲以上の部分と所定の許容範囲内の部分とで異なる表示
とすることにより、エラーが発生する部分を容易に認識
できる等の特長を有する。
の処理フローチャートである。
による評価用露光データ作成時のデータの流れを示す図
である。
ラリ構造図である。
ける評価パターンデータの構成図である。
ローチャートである。
理フローチャートである。
タ最適化処理の処理フローチャートである。
理フローチャートである。
フローチャートである。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
ーチャートである。
処理フローチャートである。
動作説明図である。
動作説明図である。
法を説明するための図である。
フローチャートである。
説明図である。
説明図である。
説明図である。
説明図である。
説明図である。
ブロック生成方法を説明するための図である。
説明図である。
理フローチャートである。
の表示例を示す図である。
ターン情報の表示例を示す図である。
示例を示す図である。
数解析結果の表示例を示す図である。
グラムの表示例を示す図である。
フローチャートである。
を示す図である。
示例を示す図である。
示例を示す図である。
示例を示す図である。
示例を示す図である。
処理フローチャートである。
よる露光パターン表示例を示す図である。
理により得られる露光パターンの表示例を示す図であ
る。
理により得られる露光パターンの表示例を示す図であ
る。
のブロック構成図である。
のブロック構成図である。
である。
る。
る。
Claims (33)
- 【請求項1】 露光データを作成する露光データ作成方
法において、 前記露光パターンを分割する複数の領域を作成するライ
ブラリ作成手順と、 前記ライブラリ作成手順で作成された前記複数の領域に
露光パターンを作成する露光パターン作成手順と、 前記露光パターン作成作業手順で作成された露光パター
ン応じた露光データを作成する露光データ作成手順とを
有することを特徴とする露光データ作成方法。 - 【請求項2】 設計データに応じた露光データを作成す
る露光データ作成方法において、 前記設計データを構成する図形群を抽出する図形群抽出
手順と、 前記図形抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を
抽出する図形抽出手順と、 前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光デー
タを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴
とする露光データ作成方法。 - 【請求項3】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
ち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することを特徴
とする請求項2記載の露光データ作成方法。 - 【請求項4】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
ち前記図形群を構成する図形数が多い図形群を抽出する
ことを特徴とする請求項2又は3記載の露光データ作成
方法。 - 【請求項5】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
ち前記図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた
図形群を抽出することを特徴とする請求項2乃至4のい
ずれか一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項6】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
ち前記図形の存在範囲が前記露光時のビームのサイズに
応じた図形群を抽出することを特徴とする請求項2乃至
5のいずれか一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項7】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
ち互いに重複する図形群を抽出することを特徴とする請
求項2乃至6のいずれか一項記載の露光データ作成方
法。 - 【請求項8】 前記図形群抽出手順は、前記複数の図形
群のうち互いに重複する図形群を削除することを特徴と
する請求項2乃至6のいずれか一項記載の露光データ作
成方法。 - 【請求項9】 前記図形群抽出手段は、前記図形抽出手
順で、前記図形を抽出した後、抽出された図形の数が最
小となる図形群を抽出することを特徴とする請求項2乃
至8のいずれか一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項10】 前記図形抽出手順は、前記図形群抽出
手順で抽出された前記図形群を複数の領域に分割し、分
割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することを
特徴とする請求項2乃至9いずれか一項記載の露光デー
タ作成方法。 - 【請求項11】 前記図形抽出手順は、前記図形群抽出
手順で抽出された前記図形群のうち図形を含む部分に領
域を設定し、図形を抽出することを特徴とする請求項2
乃至10のいずれか一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項12】 前記図形抽出手順は、既に抽出された
図形と同じ図形を抽出することを特徴とする請求項2乃
至11のいずれか一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項13】 前記図形抽出手順は、予め設定された
条件に一致する図形を抽出することを特徴とする請求項
2乃至12のいずれか一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項14】 前記図形抽出手順は、複数の図形抽出
方法を有し、該複数の図形抽出方法から所定の図形抽出
方法を選択して、図形の抽出を行うことを特徴とする請
求項2乃至13のいずれか一項記載の露光データ作成方
法。 - 【請求項15】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
法を露光時のレイヤに応じて選択することを特徴とする
請求項14記載の露光データ作成方法。 - 【請求項16】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
法を前記図形群の形状に応じて選択することを特徴とす
る請求項14又は15記載の露光データ作成方法。 - 【請求項17】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
法を前記図形群中の図形の配置に応じて選択することを
特徴とする請求項14乃至16のいずれか一項記載の露
光データ作成方法。 - 【請求項18】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
法を前記図形群の図形の密集度に応じて選択することを
特徴とする請求項14乃至17のいずれか一項記載の露
光データ作成方法。 - 【請求項19】 前記図形抽出手順は、前記図形群中で
の前記図形の占有率が所定の値となるように前記図形を
抽出することを特徴とする請求項2乃至17のいずれか
一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項20】 前記図形抽出手順は、前記図形群中に
設定される領域の数に応じて前記図形を抽出することを
特徴とする請求項2乃至19のいずれか一項記載の露光
データ作成方法。 - 【請求項21】 前記図形抽出手順は、前記図形の種類
に応じて図形を抽出することを特徴とする請求項2乃至
20のいずれか一項記載の露光データ作成方法。 - 【請求項22】 前記図形抽出手順は、露光時のビーム
の照射面積に応じて前記図形を抽出することを特徴とす
る請求項2乃至21のいずれか一項記載の露光データ作
成方法。 - 【請求項23】 前記図形群毎に並列に処理を行うこと
を特徴とする請求項2乃至22のいずれか一項記載の露
光データ作成方法。 - 【請求項24】 露光パターンに応じた露光データを作
成する露光データ作成方法において、 前記露光パターンうち、ビームの透過パターンを微小パ
ターンの集合で構成することを特徴とする露光データ作
成方法。 - 【請求項25】 露光パターンに応じた露光データを作
成する露光データ作成方法において、 前記露光パターンのうち互いに近接するパターンで透過
するビームの影響が補正される露光データを作成するこ
とを特徴とする露光データ作成方法。 - 【請求項26】 前記露光パターンの周囲でビームをず
らして再照射することにより補正することを特徴とする
請求項23記載の露光データ作成方法。 - 【請求項27】 露光データに応じたパターンを表示す
る露光データ表示方法において、 前記露光パターンを露光方法に応じて異なる表示を行う
ことを特徴とする露光データ表示方法。 - 【請求項28】 露光データに応じたパターンを表示す
る露光データ表示方法において、 前記露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行うこと
を特徴とする露光データ表示方法。 - 【請求項29】 露光データに応じたデータを表示する
露光データ表示方法において、 前記露光データに基づいて露光時のスループットを算出
するスループット算出手順と、 前記スループット算出手順で算出されたスループットを
表示するスループット表示手順とを有することを特徴と
する露光データ表示方法。 - 【請求項30】 露光データに応じた露光パターンを表
示する露光データ表示方法において、 前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結
果の露光パターンを表示することを特徴とする露光デー
タ表示方法。 - 【請求項31】 前記露光条件を設定する露光条件設定
表示が行われ、 該露光条件設定表示により所望の露光条件を設定した
後、該露光条件設定表示により設定された露光条件で再
びシミュレーションが行われ、 該再シミュレートの結果の露光パターンを表示すること
を特徴とする請求項30記載の露光データ表示方法。 - 【請求項32】 前記露光データを所定の露光条件でシ
ミュレートした結果の露光パターンに前記露光データに
応じた露光パターンを重ねて表示することを特徴とする
請求項31記載の露光データ表示方法。 - 【請求項33】 前記シミュレーションした結果の露光
パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差
異を検出し、 前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露
光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範
囲以上の部分を前記シミュレーションした結果の露光パ
ターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異
が所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることを
特徴とする請求項32記載の露光データ表示方法。
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