JPH11243045A - 露光データ作成方法、及び、露光データ表示方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】露光データ作成方法、及び、露光データ表示方
法に関し、迅速に、かつ、容易に露光データを作成でき
る露光データ作成方法、及び、露光データ表示方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 露光データを作成する露光データ作成方
法において、前記露光パターンを分割する複数の領域を
作成するライブラリ作成手順と、前記ライブラリ作成手
順で作成された前記複数の領域に露光パターンを作成す
る露光パターン作成手順と、前記露光パターン作成作業
手順で作成された露光パターン応じた露光データを作成
する露光データ作成手順とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は露光データ作成方
法、及び、露光データ表示方法に係り、特に、電子線を
使ったリソグラフィー技術によるＬＳＩの製造に用いら
れる露光データ作成方法及び露光マスク作成方法、並び
に、露光データ表示方法に関する。光露光方式では、マ
スクからの一括転写のため、高スループットであり量産
ラインの主力露光技術と位置づけられている。しかし、
近年益々高まる微細化、大容量化の中で、ＬＳＩの量産
化を支えてきた光露光技術では、設計の最小寸法の転写
に用いられる光の波長と同程度になり、これ以上の微細
化を行うためには、さらに短波長の光を用いる技術や、
変形照明法や位相シフト法などの超解像技術の検討がな
されている。また、大領域の一括転写が精度の面で困難
になってきておりスループットの低下を招いている。２
５６ＭＤＲＡＭ規模の実露光スループットは１時間にウ
ェハ３０枚程度と予想される。

【０００２】光露光に代わる露光方式として電子ビーム
露光が注目されている。ＥＢ露光は、パターンの中を細
い電子ビームで塗り潰していく方法でパターンを１つ１
つ描画していくためスループットの点では劣っている
が、０．１μｍ以下の微細加工が可能である。さらに、
ＥＢ直接描画法は、光露光に比べて、マスクがいらない
ために短手番でコストダウンとなり、少量多品種製品の
製造技術として注目されている。

【０００３】現在、電子ビーム露光は、微細パターン形
成が可能であることやパターン発生が可能であることか
らＬＳＩ開発ツールまたはマスク作成ツールとして広く
使用されている。しかし、電子ビーム露光方法はガウシ
アンビームや可変ビームによってパターンを一つ一つ塗
りつぷしていく、いわゆる一筆書き法であり、パターン
が微細になればなるほどスループットが低下するため、
微細ＬＳＩ製品の量産には不向きであった。

【０００４】

【従来の技術】電子ビーム露光方式としては、現在、可
変矩形ビーム露光方式と部分一括露光方式とがある。可
変矩形ビーム露光方式は、図４９（Ａ）に示すように、
第１マスクＭ１、第２マスクＭ２の２枚のマスクを通過
するビームＢＭを、偏向させ任意のサイズの矩形にビー
ムを成形するものである。従って、露光パターンは矩形
で設定しておく必要があり、例えば三角形などの斜辺を
持つパターンは図４９（Ｂ）に示すように斜辺部分を階
段近似する、いわゆる矩形分解を露光データ作成処理で
行なう。１つの矩形ビームを発生させて露光することを
１ショットといい、パターンを露光するためには、発生
する矩形の数だけショットしなければならないため、露
光時間はショット数で決まる。このため、可変矩形ビー
ム露光方式では、露光スループットが１時間に１，２枚
という現状である。

【０００５】これを改善する画期的な方法として部分一
括露光方式が提案されている。部分一括露光方式は、図
５０に示すように、第２マスクＭ２上にパターン形状Ｐ
の開孔を形成しておき、これにビームＢＭを通過させて
成形する。図４９の可変矩形ビーム露光方式では、三角
形パターンを露光する場合、図４９（Ｂ）に示すように
可変矩形Ｂ１〜Ｂ６の６ショットが必要であるのに対
し、図５０部分一括露光では三角形のパターンＰａを用
いることにより１ショットで行なえるためショット数の
圧縮が可能となり、スループットを向上することができ
る。部分一括露光法により２５６ＭＤＲＡＭ規模の露光
スループットが１時間２０枚以上となり、大規模ＬＳＩ
製品の製造技術となる可能性がでてきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、部分一括露
光法は小規模なマスクが必要であり、ＥＢ直接描画と言
えどもマスク作成のための工数やコストが必要である。
さらに、部分一括露光は図５０に示すように、ブロック
内に電子線が通るパターン形状の開口が形成されている
ため、図５１（Ａ）に示すようなパターンであれば、ブ
ロックとして正しく形成出来るのであるが、図５１
（Ｃ）にしめすようなドーナツ形状のパターンでは、開
口部に囲まれた中の部分が、支えがないために欠落して
しまい正常なブロックを作成できない。

【０００７】また、ブロック露光は図５０に示すよう
に、第２マスクＭ２上にパターン形状の開孔を形成して
おき、これにビームを通過させて、それを数１０分の１
または数１００分の１に縮小し、成形している。図４９
の可変矩形ビーム露光方式に比べ、ショット当たりの電
流量が大きいために、クーロン相互作用の影響により微
細パターンの解像度が劣化する。

【０００８】また、図５０に示す部分一括露光方式で
は、スポットビームや可変ビームを用いた通常の電子ビ
ーム露光に比べて、はるかに高スループットが期待でき
る技術であるが、そのためには、ブロック内に多くのパ
ターンを含み、しかも使用頻度の高いブロックを第２マ
スク上に形成しなければならなかった。第２マスクに搭
載できるブロック図形群の数は有限個であり、サイズも
限られている。このため、膨大な量のパターンの中から
繰り返し出現率が高く、かつ、なるべく多くのパターン
をブロック内に含むようにする必要がある。このため、
パターンを抽出する作業を人手で行うのは困難である。

【０００９】また、露光装置では、評価パターンを作成
し、実際の露光の評価を行っており、この評価パターン
を作成するには、偏向領域間のショットの繋ぎ、ブロッ
ク同士、可変矩形露光同士、ブロックと可変矩形露光の
繋ぎ調整、チップ内やブロックマスクの精度ばらつき等
の複雑な精度劣化要素を解決していきながら立ち上げを
行なっていく必要がある。これら描画の調整やプロセス
条件の洗い出しなどの作業を人手で行うのは非常に困難
であり、立ち上げの遅延を招いていてしまう。

【００１０】さらに、電子ビームリソグラフィーにおい
て微細パターン形成を行なう場合、電子ビームがレジス
ト中および基板で散乱を生じることにより、設計どおり
のパターンが得られないという近接効果の問題点があ
る。通常露光では、そのパターンの延在する周囲からの
影響を考慮して、パターン毎に照射量を変えたり、パタ
ーン幅を変えたりなどの近接効果の補正を行なうのであ
るが、ブロック露光では、一括に露光されるパターン群
が複数カ所で使用されるため周囲の影響度合も一定では
なく、パターン毎の近接効果の補正を行なうことが出来
ない。

【００１１】また、電子ビーム露光方式は、微細加工に
優れており高集積ＬＳＩ製品に適用される技術である。
従って図形処理で扱うデータ量も膨大であり、処理時間
も数時間または数日を費やす場合があり、生産性の低下
を招いている。ウェハ上のパターンを見てもどの部分が
ブロック露光されていて、どこが可変矩形露光部である
か分からない。またブロック露光のためにはマスクを作
成しなければいけないのであるが、そのブロックパター
ンの形状が効果的であるが、問題無いものなのかを作っ
てから判断するのであると、非常に工数やコストがかか
る。

【００１２】本発明の上記の点に鑑みてなされたもの
で、迅速に、かつ、容易に露光データを作成できる露光
データ作成方法、及び、露光データ表示方法を提供する
ことを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、露
光データを作成する露光データ作成方法において、前記
露光パターンを分割する複数の領域を作成するライブラ
リ作成手順と、前記ライブラリ作成手順で作成された前
記複数の領域に露光パターンを作成する露光パターン作
成手順と、前記露光パターン作成作業手順で作成された
露光パターン応じた露光データを作成する露光データ作
成手順とを有することを特徴とする。

【００１４】請求項１によれば、予め作成された露光パ
ターンを分割する複数の領域毎にＣＡＤなどの図形作成
手段により作成した露光パターンに応じた露光データを
格納することにより露光データの作成を行うので、露光
データをパターンとして作成でき、露光データの作成が
容易に行える。請求項２は、設計データに応じた露光デ
ータを作成する露光データ作成方法において、前記設計
データを構成する図形群を抽出する図形群抽出手順と、
前記図形抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を
抽出する図形抽出手順と、前記図形抽出手順で抽出され
た図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成
手順とを有することを特徴とする。

【００１５】請求項２によれば、設計データから図形群
を抽出し、図形群から露光を行う図形を抽出して、抽出
した図形毎に露光データを作成することにより、図形
群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データ
の作成を効率よく行える。請求項３は、請求項２におい
て、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち図形の繰
り返し性の高い図形群を抽出することを特徴とする。

【００１６】請求項３によれば、図形群のうち図形の繰
り返し性の高い図形群を抽出することにより、よく使用
する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よ
く作成できる図形群を抽出できる。請求項４は、請求項
２又は３において、前記図形群抽出手順が、前記図形群
のうち前記図形群を構成する図形数が多い図形群を抽出
することを特徴とする。

【００１７】請求項４によれば、図形数が多い図形群を
抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が
抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽
出できる。請求項５は、請求項２〜４において、前記図
形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲
が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出すること
を特徴とする。

【００１８】請求項５によれば、図形の存在範囲が露光
時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することによ
り、偏向に応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に
行える。請求項６は、請求項２〜５において、前記図形
群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が
前記露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出する
ことを特徴とする。

【００１９】請求項６によれば、図形の存在範囲が露光
時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することによ
り、ビームサイズに応じた図形群を抽出でき、図形抽出
が容易に行える。請求項７は、請求項２〜６において、
前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち互いに重複す
る図形群を抽出することを特徴とする。

【００２０】請求項７によれば、重複する図形群を抽出
することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処
理時間を短縮できる。請求項８は、請求項２〜６におい
て、前記図形群抽出手順が、前記複数の図形群のうち互
いに重複する図形群を削除することを特徴とする。請求
項８によれば、互いに重複する図形群を削除することに
より、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短
縮できる。

【００２１】請求項９は、請求項２〜８において、前記
図形群抽出手段が、前記図形抽出手順で、前記図形を抽
出した後、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽
出することを特徴とする。請求項９によれば、抽出され
た図形の数が最小となる図形群を抽出することにより、
抽出する図形が少ないので、露光データの作成数を減少
できる。

【００２２】請求項１０は、請求項２〜９において、前
記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された前
記図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域
からそれぞれ図形を抽出することを特徴とする。請求項
１０によれば、図形群を複数の領域に分割し、分割され
た複数の領域からそれぞれ図形を抽出することにより、
図形群を抽出可能な図形を抽出できる。

【００２３】請求項１１は、請求項２〜１０において、
前記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された
前記図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形
を抽出することを特徴とする。請求項１１によれば、図
形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出
することにより、不要な部分をデータにすることがない
ので、効率よく露光データを作成できる。

【００２４】請求項１２は、請求項２〜１１において、
前記図形抽出手順は、既に抽出された図形と同じ図形を
抽出することを特徴とする。請求項１２によれば、既に
抽出された図形と同じ図形を抽出することにより不要な
データを作成する必要がなく、効率よく露光データを作
成できる。請求項１３は、請求項２〜１２において、前
記図形抽出手順が、予め設定された条件に一致する図形
を抽出することを特徴とする。

【００２５】請求項１３によれば、所望の条件に応じた
図形を抽出できる。請求項１４は、請求項２〜１３にお
いて、前記図形抽出手順が、複数の図形抽出方法を有
し、該複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選
択して、図形の抽出を行うことを特徴とする。請求項１
４によれば、複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方
法を選択して、図形の抽出を行うことにより、抽出され
た図形群に対して最適な図形抽出を行える。

【００２６】請求項１５は、請求項１４において、前記
図形抽出手順が、前記図形抽出方法を露光時のレイヤに
応じて選択することを特徴とする。請求項１５によれ
ば、露光時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える。
請求項１６は、請求項１４又は１５において、前記図形
抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群の形状に応
じて選択することを特徴とする。

【００２７】請求項１６によれば、図形群の形状に応じ
て図形抽出方法を選択することにより、抽出された図形
群に対して最適な図形抽出を行える。請求項１７は、請
求項１４〜１６において、前記図形抽出手順が、前記図
形抽出方法を前記図形群中の図形の配置に応じて選択す
ることを特徴とする。請求項１７によれば、図形群中の
図形の配置に応じて図形抽出方法を選択することによ
り、図形が存在しない無駄な部分を抽出することがな
く、抽出図形数を減少できる。

【００２８】請求項１８は、請求項１４〜１７におい
て、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形
群の図形の密集度に応じて選択することを特徴とする。
請求項１８によれば、図形の密集度に応じて図形抽出方
法を選択することにより、有効に図形を抽出できる。請
求項１９は、請求項２〜１７において、前記図形抽出手
順は、前記図形群中での前記図形の占有率が所定の値と
なるように前記図形を抽出することを特徴とする。

【００２９】請求項１９によれば、図形の占有率が所定
の値となるように図形を抽出することにより、バラツキ
なく図形を抽出できる。請求項２０は、請求項２〜１９
において、前記図形抽出手順が、前記図形群中に設定さ
れる領域の数に応じて前記図形を抽出することを特徴と
する。請求項２０によれば、図形群中に設定される領域
の数に応じて図形を抽出することにより、抽出される図
形を含む領域を所定のサイズ、数とすることができる。

【００３０】請求項２１は、請求項２〜２０において、
前記図形抽出手順が、前記図形の種類に応じて図形を抽
出することを特徴とする。請求項２１によれば、図形の
種類に応じて図形を抽出することにより、図形を重複す
ることがなく抽出できる。請求項２２は、請求項２〜２
１において、前記図形抽出手順は、露光時のビームの照
射面積に応じて前記図形を抽出することを特徴とする。

【００３１】請求項２２によれば、ビームの照射面積に
応じて図形を抽出することにより、ビームの照射面積が
最適になるように図形を抽出できる。請求項２３は、請
求項２〜２２において、前記図形群毎に並列に処理を行
うことを特徴とする。請求項２３によれば、図形群毎に
並列に処理を行うことにより高速に処理を行える。

【００３２】請求項２４は、露光パターンに応じた露光
マスクを作成する露光マスク作成方法において、前記露
光マスクのうち、ビームの透過パターンを微小パターン
の集合で構成することを特徴とする。請求項２４によれ
ば、ビームの透過パターンを微小パターンの集合で構成
することにより、ビームの非透過パターンが透過パター
ンに囲まれている場合でも、非透過パターンが露光パタ
ーンを作成したときに、非透過パターンが欠落すること
がない。

【００３３】請求項２５は、露光パターンに応じた露光
データを作成する露光データ作成方法において、前記露
光マスクの互いに近接するパターンで透過するビームの
影響を補正することを特徴とする。請求項２５によれ
ば、互いに近接するパターンで透過するビームの影響が
補正されるので、ビーム散乱による影響を防止できる。

【００３４】請求項２６は、前記露光マスクの周囲でビ
ームをずらして再照射することにより補正することを特
徴とする。請求項２６によれば、露光マスクの周囲でビ
ームをずらして再照射することにより、露光マスクの周
囲でのビーム強度の低下を補償して、全体で均一にビー
ムを照射することができる。

【００３５】請求項２７は、露光データに応じたパター
ンを表示する露光データ表示方法において、前記露光パ
ターンを露光方法に応じて異なる表示とすることを特徴
とする。請求項２７によれば、露光パターンを露光方法
に応じて異なる表示とすることにより、位置に応じて露
光方式を認識できる。

【００３６】請求項２８は、露光データに応じたパター
ンを表示する露光データ表示方法において、前記露光パ
ターンを露光単位毎に異なる表示を行うことを特徴とす
る。請求項２８によれば、露光パターンを露光単位毎に
異なる表示を行うことにより、露光パターン上の各露光
単位の配置を直観的に認識できる。

【００３７】請求項２９は、露光データに応じたデータ
を表示する露光データ表示方法において、前記露光デー
タに基づいて露光時のスループットを算出するスループ
ット算出手順と、前記スループット算出手順で算出され
たスループットを表示するスループット表示手順とを有
することを特徴とする。

【００３８】請求項２９によれば、露光データからスル
ープットを算出して、表示できるので、作成した露光デ
ータのスループットを即座に認識でき、必要に応じて訂
正できる。請求項３０は、露光データに応じた露光パタ
ーンを表示する露光データ表示方法において、前記露光
データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光
パターンを表示することを特徴とする。

【００３９】請求項３０によれば、露光データを所定の
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示
することにより、作成した露光データに応じて作成され
るであろう露光パターンを直感的に認識できる。請求項
３１は、請求項３０において、前記露光条件を設定する
露光条件設定表示を行い、該露光条件設定表示により所
望の露光条件を設定した後、該露光条件設定表示により
設定された露光条件で再びシミュレーションが行い、該
再シミュレートの結果の露光パターンを表示することを
特徴とする。

【００４０】請求項３１によれば、露光設定表示に所望
の露光条件を設定することにより、再シミュレーション
が実行され、そのシミュレート結果が表示されるので、
露光条件に応じたシミュレーション結果を容易に得るこ
とができ、所望の露光結果を容易に認識できる。請求項
３２は、請求項３１において、前記露光データを所定の
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに前記
露光データに応じた露光パターンを重ねて表示すること
を特徴とする。

【００４１】請求項３２によれば、露光データを所定の
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに露光
データに応じた露光パターンを重ねて表示することによ
り、作成した露光データに応じて作成されるであろう露
光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異
を直感的に認識できる。請求項３３は、請求項３２にお
いて、前記シミュレーションした結果の露光パターンと
前記露光データに応じた露光パターンとの差異を検出
し、前記シミュレーションした結果の露光パターンと前
記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許
容範囲以上の部分を前記シミュレーションした結果の露
光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの
差異が所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とするこ
とを特徴とする。

【００４２】請求項３３によれば、シミュレーションし
た結果の露光パターンと露光データに応じた露光パター
ンとの差異が所定の許容範囲以上の部分と所定の許容範
囲内の部分とで異なる表示とすることにより、エラーが
発生する部分を容易に認識できる。

【００４３】

【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施例のブロッ
ク構成図を示す。本実施例の露光データ作成装置１は、
処理の指示やデータの設定を行うためのキーボード２、
処理データの表示を行うディスプレイ３、データ処理を
行うＣＰＵ４、設計データをファイルする設計データフ
ァイル５、最適化データをファイルする最適化データフ
ァイル６、露光データをファイルする露光データファイ
ル７、設計データファイル５に格納された設計データか
らパターンに応じて最適化した設計データを編集する編
集処理を行う設計データ最適化エディタ８、設計データ
最適化エディタ８で最適化され、最適化データファイル
６に格納された最適化データから露光データを作成する
処理を行う露光データ作成エディタ９、露光データ作成
エディタ９で作成され、露光データファイル７に格納さ
れた露光データを解析する処理を行う露光データ解析エ
ディタ１０から構成される。

【００４４】図２に本発明の一実施例の機能ブロック図
を示す。露光データ作成装置１の処理機能としては、主
に、露光データ作成機能１１、及び、露光データ検証機
能１２がある。露光データ作成機能１１は、評価用露光
データを作成するとともに、設計データファイル５に予
めファイルされた設計データから設計データに応じた露
光データを作成する。露光データ検証機能１２は、露光
データ作成機能１１で作成された露光データをシミュレ
ーションして、露光データの解析を行う。このとき、露
光データ作成機能１１と露光データ検証機能１２とは並
列・分散処理手段１３により並列的に処理が実行され
る。

【００４５】露光データ作成機能１１は、評価用露光デ
ータを作成する評価用露光データ作成手段１４、設計デ
ータファイル５に格納された設計データを解析する設計
データ解析手段１５、設計データ解析手段１５での解析
結果に応じて設計データを露光データ作成に最適な状態
に最適化する設計データ最適化手段１６、設計データを
分割するブロックを抽出するブロック抽出手段１７、ブ
ロック抽出手段１７の抽出モードを切り替えるブロック
抽出モード自動切替手段１８、ブロック抽出手段１７で
抽出されたブロックを露光データ作成に最適な状態に最
適化するブロック最適化手段１９を有する。

【００４６】また、露光データ検証機能１２は、パター
ンデータを表示するためのパターンデータ表示手段２
０、露光データ作成機能１１で作成された露光データの
解析を行う露光データ解析手段２１、露光データ作成機
能１１で作成された露光データにおけるスループットを
算出する露光スループット算出手段２２、露光データ作
成機能１１により作成された露光データに基づいて露光
シミュレーションを行う露光シミュレーション手段２３
を有する。

【００４７】まず、請求項１の実施例に相当する評価用
露光データ作成手段１４について説明する。図３に本発
明の一実施例の評価用露光データ作成手段の処理フロー
チャート、図４に本発明の一実施例の評価用露光データ
作成手段による評価用露光データ作成時のデータの流れ
を示す図を示す。

【００４８】本実施例の評価用露光データ作成手段１４
は、主に、ライブラリ作成工程Ｓ１−１、パターン作成
作業工程Ｓ１−２、露光データ出力工程Ｓ１−３の３段
階の処理を実行する。ライブラリ作成工程Ｓ１−１は、
ビーム変更サイズ、露光スキャン順序、最大ビームサイ
ズ、ブロック個数など露光データ作成に必要な条件を与
えることにより、図４に示す、この後のパターン作成作
業工程Ｓ１−２でパターン作成する下地となるライブラ
リ２４を作成する。作成されるライブラリのファイル構
造は高圧縮な露光データを作成することが出来るように
階層構造になっている。ライブラリ作成工程Ｓ１−１で
作られるデータはパターンデータではなく、指定された
条件による階層構造とそれぞれのサイズを表す枠のデー
タから構成される。

【００４９】図４に本発明の一実施例の評価用露光デー
タのライブラリ構造図、図５に本発明の一実施例の評価
用露光データ作成における評価パターンデータの構成図
を示す。ライブラリデータベースのファイル構成は、図
４に示すように、トップ階層Ｔ下にウェハ露光データ階
層Ｗとブロックマスク作成用階層Ｍがある。また、ウェ
ハ露光階層Ｗの下の階層には、露光装置が備える偏向機
構数分、例えば、２つの偏向機構を有する露光装置であ
れば、第１、第２偏向階層Ｆ、Ｓがある。第１偏向階層
Ｆ、及び、第２偏向階層Ｓには、各偏向階層Ｆ、Ｓでの
偏向状態を指示する偏向データｆ１〜ｆｎ、ｓ１〜ｓｍ
が配置される。偏向データｆ１〜ｆｎ、ｓ１〜ｓｍの下
に各偏向状態で露光されるパターンのデータが格納され
る階層Ｐが配置される。パターン階層Ｐには、ショット
の形状サイズを指定するショット形状データｐや、ブロ
ックパターンデータｂが配置される。

【００５０】ショット形状データｐにより矩形や三角形
等の図形データを配置させることにより、可変矩形露光
によって露光されるパターンを定義することが出来る。
また、ブロックパターンデータｂによりブロック露光に
より露光されるパターンを定義することが出来る。パタ
ーン作成作業工程Ｓ１−２は、図４に示すようにコンピ
ュータのグラフィック画面からの図形作成手段２５によ
りライプラリ作成工程Ｓ１−１で得られたライブラリフ
ァイル２４を読み込ませ、そこに追加していくように評
価用データを作成していく。図形作成手段２５として
は、例えば、ＣＡＤ、すなわち、コンピュータ援用製図
システムを用いることができる。

【００５１】露光データ出カ工程Ｓ１−３は、パターン
作成作業工程Ｓ１−２で作成された評価パターンデータ
Ｄ１を露光スキャン順序にソートするなど露光データの
書式に変換し、露光データＤ２を作成する。この際、露
光データの規則として違反があるかのチェックを行ない
違反がある場合は違反箇所をグラフィック画面で表示す
る。ここで得られた評価用露光データはブロック露光用
検証処理、解析処理に入カ可能となる。

【００５２】以上のように、本実施例の評価用露光デー
タ作成手段１４では、ビーム変更サイズ、露光スキャン
順序、最大ビームサイズ、ブロック個数など露光データ
作成に必要な条件を与えることにより、容易に評価用露
光パターン作成に必要なライブラリ２４を作成すること
ができる。また、作成されたライブラリ２４を用いてＣ
ＡＤ等により評価用パターンを作成することができるの
で、評価用パターンの作成を容易に行える。

【００５３】さらに、作成された評価用パターンデータ
Ｄ１を露光スキャン順序にソートするなどの変換処理を
行って露光データＤ２とすることにより、自動的に露光
データＤ２を得ることができる。次に、設計データから
露光データを作成するときの露光データ作成機能１１の
動作について説明する。露光データ作成機能１１では、
ブロック露光用データを作成し、ショット数が少なくす
るとともに、露光データサイズを小さくすることによ
り、露光時間が少なくなるように露光データの作成を行
う。このとき、露光データ作成機能１１では、露光デー
タ作成時間を最小にするにはどの図形群をブロック露光
の対象に、露光圧縮単位に、作成処理単位にするべき
か、ＬＳＩレイアウトデータ、すなわち、設計データの
構成を解析し、またはその解析結果から露光データ作成
に最適になるようにデータの変更を行なう。

【００５４】例えば、一つの図形群が露光データ作成を
する際に、処理マシンの記憶容量では不足するほどに膨
大な量の場合は、その図形群をパターン存在範囲の領域
で分割し、１図形群の量を処理できる程度の大きさに組
み直す。その結果から露光データ作成を行なう際のブロ
ック露光用データ群、繰り返し出翼図形群、分割処理可
能図形群の情報を出力する。露光データ作成処理ではこ
の最適化後のデータから露光データ作成情報に従って、
ブロックパターン抽出、露光データ圧縮処理、図形群単
位処理、または分敵処理、並列処理を行ない露光データ
であるブロックマスク作成用データとウェハ露光用デー
タを作成する。

【００５５】次に、請求項２〜２９の実施例に相当する
露光データ作成機能１１の動作について詳細に説明す
る。図７に本発明の一実施例の露光データ作成時の処理
フローチャートを示す。設計データから露光データを作
成する場合の露光データ作成機能１１の処理は、主に、
設計データ最適化処理Ｓ２−１、露光データ作成処理Ｓ
２−２、露光データ解析処理Ｓ２−３から構成される。

【００５６】設計データ最適化処理Ｓ２−１では、設計
データ最適化手段１６により設計データファイル５に格
納された設計データの階層等を最適化する処理が行われ
る。ここで、設計データ最適化処理Ｓ２−１について詳
細に説明する。図８に本発明の一実施例の設計データ最
適化処理の処理フローチャートを示す。

【００５７】設計データ最適化処理Ｓ２−１では、ま
ず、設計データファイル５から設計データを入力する
（ステップＳ３−１）。次に、ステップＳ３−１で入力
された設計データから所望のデータを抽出及びサイジン
グを行う（ステップＳ３−２）。次に、ステップＳ３−
２でサイジングされたデータから階層構造を解析する
（ステップＳ３−３）。

【００５８】ステップＳ３−３の解析構造解析結果に基
づいて階層データを最適化する（ステップＳ３−４）。
次に、ステップＳ３−４で最適化されたデータから階層
処理用有効ストラクチャリストを作成し、出力する（ス
テップＳ３−５）。次に、ステップＳ３−４で、最適化
されたデータを最適化処理済データとして最適化データ
ファイル６に格納する（ステップＳ３−６）。

【００５９】ここで、ステップＳ３−３の階層構造解析
及びステップＳ３−４の階層データ最適化処理について
詳細に説明する。ステップＳ３−３の階層構造解析及び
ステップＳ３−４の階層データ最適化処理は、特許請求
の範囲の図形群抽出手順に相当する。図９に本発明の一
実施例の階層構造解析及び階層データ最適化処理の処理
フローチャートを示す。

【００６０】ＬＳＩの設計データ、例えば、メモリ等に
おいてはある単位毎あるいは回路部分毎に、また、その
特性毎にデータを固まりとして設定してある。ステップ
Ｓ４−１〜Ｓ４−４では、設計データのフォーマットに
記述されている構造を解析し、露光データ処理にとって
不必要または不都合な図形群や図形群の構成をまとめた
り、分割したり、図形群同士の重なり部分を除去するな
どの修正を行ない、図形群を再構成する処理を行う。

【００６１】このため、まず、設計データファイル５か
ら供給された設計データ中の図形群を探索する（ステッ
プＳ４−１）。次に、ステップＳ４−１で探索された図
形群を部分修正する（ステップＳ４−２）。次に、ステ
ップＳ４−２で、部分修正された図形群間の重なり、接
触を検出する（ステップＳ４−３）。

【００６２】ステップＳ４−３で、図形群間に重なりが
ある場合には重なりを除去する（ステップＳ４−４）。
次に図形群のデータ量と装置のメモリ量とを比較する
（ステップＳ４−５）。ステップＳ４−５での比較結
果、図形群のデータ量が装置のメモリ量より大きければ
図形群を分割し、並列・分散処理手段１３により並列処
理で次の処理が行われ、図形群のデータ量が装置のメモ
リ量より小さければそのまま通常の処理状態で次の処理
が行われる（ステップＳ４−６）。

【００６３】ステップＳ４−４で重なりが除去された図
形群は、次に、各図形群の有効性を評価するための評価
点を算出するための処理が行われる。まず、図形群の繰
り返し数、パターン数を算出し、各図形群の情報を格納
する図形群情報テーブルに設定する（ステップＳ４−
７、Ｓ４−８）。また、各図形群のパターン形状を解析
し、形状複雑度に応じたポイントを図形群情報テーブル
に設定する（ステップＳ４−９）。例えば、図形群の形
状が多角形図形、４５。角の斜辺を合む、４５°以外の
斜辺を含む図形ほど、露光データを得る上で有効となる
ので、ポイントを高くする。

【００６４】さらに、各図形群のサイズを算出して、同
様に図形群情報テーブルに設定する（ステップＳ４−１
０）。上記ステップＳ４−７〜Ｓ４−１０が図形群のデ
ータ量が装置のメモリ量より大きい場合には、並列・分
散処理手段１３により並列・分散処理され、高速処理を
可能としている。

【００６５】次にステップＳ４−７〜Ｓ４−１０で作成
された図形群情報テーブルに設定された図形群を図形群
情報テーブルに設定された各設定情報に応じて評価し、
評価点を算出し、評価点順にソートする（ステップＳ４
−１１）。なお、ステップＳ４−１０で求められたパタ
ーン存在範囲の大きさの情報は、露光偏向範囲の単位で
データの圧縮を行うために有効なので、評価点が大きく
なり、特に、この大きさが露光時の偏向サイズの整数倍
と同程度のものには更に大きなポイントを与える。さら
に、ステップＳ４−７で算出された繰り返し数ａ、ステ
ップＳ４−８で算出されたパターン数ｂの積（ａ×ｂ）
が大きい図形群は出現頻度が多いため、全体のショット
数を減少させるのに有効であるため、高い評価点とな
る。

【００６６】ステップＳ４−１１で図形群情報テーブル
が評価点順にソートされると、次に評価点が高い順位に
図形群に仮定的にブロックを抽出するブロック抽出仮定
処理が実行され、結果が評価される（ステップＳ４−１
２、Ｓ４−１３）。ステップＳ４−１２、Ｓ４−１３で
は、この数とポイントの大きい図形群の名前を表示し、
これら評価結果の高い図形群の順に、ブロックパターン
抽出の結果ショット数がどのくらい滅少するかシミュレ
ーションを行ない、ブロック搭載個数内のブロック抽出
を行なうのにはどの図形群が最も有効であるかを判断
し、有効な図形群を選び出す。

【００６７】ステップＳ４−１３の評価結果により選び
出された図形群名リストが図８のステップＳ３−５の出
力結果となり、また、有効な図形群名リストが最適化処
理済データとして最適化データファイル１６に格納され
る。以上により、設計データから抽出された最適化デー
タを保持した最適化データファイル１６が作成される。

【００６８】露光データ作成処理Ｓ２−２は、最適化デ
ータファイル１６に保持された最適化データ１６により
実施される。なお、図形群の分割が明確でない、すなわ
ち、階層が明確でない場合には、全体を一つのデータと
して、上記図形群、すなわち、ブロックを抽出処理を行
えばよい。

【００６９】ここで、露光データ作成処理Ｓ２−２につ
いて説明する。図１０に本発明の一実施例の露光データ
作成処理の処理フローチャートを示す。露光データ作成
処理Ｓ１−２では、まず、図７の設計データ最適化処理
Ｓ２−１で最適化された設計データの所望の階層を展開
／マージする（ステップＳ５−１）。

【００７０】次に、各階層の最適化された設計データか
ら後述するように特許請求の範囲の図形群に相当するブ
ロックを抽出する（ステップＳ５−２）。ステップＳ５
−２でブロックが抽出されると、次に、抽出されたブロ
ックが効率よく作成できるようにブロックの最適化が行
われる（ステップＳ５−３）。ステップＳ５−３で、ブ
ロックが最適化されると、次に、最適化された各ブロッ
クを特許請求の範囲の図形に相当する矩形分割する（ス
テップＳ５−４）。

【００７１】ステップＳ５−４で矩形分割されると、次
に、ステップＳ５−４で分割された矩形を所望の偏向領
域のデータとして設定する（ステップＳ５−５）。上記
ステップＳ５−１〜Ｓ５−５は、処理するデータ量が多
ければ、並列・分散処理される。ステップＳ５−５で、
ブロック及び矩形が設定されると、設定されたブロック
及び矩形に関するデータを露光データにフォーマッティ
ングして、露光データファイル７に格納する（ステップ
Ｓ５−６）。

【００７２】以上の処理により露光データが作成され
る。ここで、図１０のステップＳ５−２のブロックパタ
ーン抽出処理について詳細に説明する。なお、ステップ
Ｓ５−２のブロックパターン抽出処理は、特許請求の範
囲の図形抽出手順に相当する。図１１に本発明の一実施
例のブロックパターン抽出処理の処理フローチャートを
示す。

【００７３】ステップＳ５−２のブロックパターン抽出
処理では、パターンに適した条件で特許請求の範囲の図
形に相当するブロックパターンを抽出できるように指定
された条件により抽出モードが切り替えられる。なお、
抽出条件の指定がない場合でも既存のブロックパターン
に対応するようにブロックパターンの抽出が可能であ
る。

【００７４】このため、ブロックパターン抽出処理で
は、まず、条件抽出指定を行うか否かの判定が行われる
（ステップＳ６−１、Ｓ６−２）。ステップＳ６−１で
ブロックパターン抽出の条件の指定がない場合には、抽
出モードを認識する処理が実行される。抽出モード認識
では、まず、抽出モードの指定があるか否かが判断され
る（ステップＳ６−３）。ステップＳ６−３で抽出モー
ドの指定がある場合には、指定された抽出モードにより
ブロック抽出が行われる（ステップＳ６−４〜Ｓ６−
６）。

【００７５】また、ステップＳ６−３で抽出モードが指
定されていない場合には、次に、処理階層指定があるか
否かが判断される（ステップＳ６−７）。ステップＳ６
−７で、処理階層の指定がある場合には、指定された処
理階層に対してブロック抽出が行われる（ステップ６−
４〜Ｓ６−６）。なお、ステップＳ６−７で、処理階層
の指定もない場合には、次に、パターンの形状、配置、
密集度を判定して（ステップＳ６−８）、自動的に最適
化抽出方法が判定され抽出が行われる（ステップＳ６−
４〜Ｓ６−６）。

【００７６】また、ステップＳ６−１で、条件抽出を行
う場合には、抽出条件が既存ブロックからの抽出指示が
あるか、否かを判定する（ステップＳ６−９）。ステッ
プＳ６−９で、抽出条件として既存ブロックからの抽出
が指示されている場合には、次に、既存ブロックパター
ンデータを条件テーブルに格納する（ステップＳ６−１
０）。 また、既存ブロックパターンを新た登録するブ
ロックパターンの形状、線幅等のブロックパターンの条
件を条件テーブルに新たに登録する（ステップＳ６−１
１、Ｓ６−１２）。

【００７７】ステップＳ６−１０、Ｓ６−１２で条件テ
ーブルが設定されると、次に、条件テーブルに設定され
たブロックパターンに対応してブロック抽出が行われる
（ステップＳ６−１３）。次に、ステップＳ６−１３で
ブロックの抽出が行われた結果、抽出ブロック数と搭載
ブロック数とが比較される（ステップＳ６−１４）。ス
テップＳ６−１４で、抽出ブロック数が搭載ブロック数
より小さければ、既存ブロックにより効率よくブロック
抽出が行われたと判断できるので、ブロック抽出を終了
する。

【００７８】また、ステップＳ６−１４で、抽出ブロッ
ク数が搭載ブロック数より大きければ、効率が低いと判
断できるので、条件テーブルをクリアする（ステップＳ
６−１５）。ステップＳ６−１５で条件テーブルをクリ
アすると、次に、ステップＳ６−２に戻って、抽出条件
を指定して、手動で条件テーブルを設定して、ブロック
抽出を行うか（ステップＳ６−１６）、又は、ステップ
Ｓ６−８により自動的に抽出条件を設定して、ブロック
パターンの抽出を行う（ステップＳ６−４〜Ｓ６−
６）。

【００７９】次に、ブロックパターン抽出処理のステッ
プＳ６−６の領域抽出処理動作について説明する。図１
２〜図１７に本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説
明図を示す。ステップＳ６−６の領域抽出処理動作で
は、例えば、ブロックパターンを抽出しようとするブロ
ックが図１２に示すようなパターンであるとすると、図
１２に示すようなブロックは、例えば、図１３に示すよ
うに所定のブロックサイズ（Ｘ１×Ｙ１）及び（Ｘ１×
Ｙ２）からなる１６個のブロックのブロックＢ１〜Ｂ１
６に分割される。

【００８０】その領域上を通過するパターンはその矩形
枠上で切断し、矩形領域上に存在するパターン群をブロ
ックパターンとして抽出することにより、図１４に示す
ような分割結果が得られる。図１４に示すようなブロッ
ク抽出によれば、ブロックＢ５〜Ｂ７、及び、ブロック
Ｂ９〜Ｂ１１で同一のパターンを得ることができる。こ
のため、抽出すべきブロック数は、１０ブロックで済
む。

【００８１】このとき、単純にブロックサイズの枠を発
生させると、例えば、図１５に示すように図形群のパタ
ーン存在範囲内にとびとびに同一のパターンが延在して
いる場合、図１３に示すブロックと同様に単純にブロッ
ク枠を発生させてしまうと、図１６に示すようにパター
ン存在範囲内にブロック内のパターン数が少ない無駄な
ブロックＢ２、Ｂ３、ブロックＢ６、Ｂ７、ブロックＢ
１０、Ｂ１１、ブロックＢ１４、Ｂ１５が発生してしま
い、効率的なショットを行うことはできない。これを防
止するために、図１７に示すようにブロックＢ１、Ｂ
５、Ｂ９、Ｂ１３をパターン存在範囲内の端（例えば左
下）から行ない、次のブロックＢ２’、Ｂ６’、Ｂ１
０’、Ｂ１４’を矩形領域内をパターンが通り過ぎず、
かつ、出来るだけ多くのパターンが含まれる位置まで
（例えば右方向や上方向に）ずらして、次の矩形領域を
発生させていく。これをパターン存在範囲内で行い、パ
ターン存在範囲内の全てのパターンを網羅するように矩
形領域を発生させながら図１７に示すようなブロックパ
ターン抽出を行なう。

【００８２】図１７に示すようなブロック抽出方法によ
れば、パターンが存在しな部分にはショットが行われな
いので、ショット数を低減できる。また、図１７に示さ
れるようにパターンが周期的に現れるようなパターンで
は、ブロックＢ１、Ｂ２’、Ｂ４のパターン対応するブ
ロックパターンＰ１、ブロックＢ５、Ｂ６’、Ｂ８、Ｂ
９、Ｂ１０’、Ｂ１２のパターンに対応するブロックパ
ターンＰ２、ブロックＢ１３、Ｂ１４’、Ｂ１６のパタ
ーン対応するブロックパターンＰ３の３種類のブロック
パターンで構成できる。

【００８３】次に、ステップＳ６−１３の条件抽出処理
の処理動作について説明する。条件抽出処理では、ブロ
ックマスク作成用露光データを入力、また、ユーザが線
幅、角度、形状、パターン群を指定することにより、こ
れらの条件のパターンを入カデータの中から見つけ出し
既存のブロックマスクで引用できるようなブロックパ
ターンを抽出する。

【００８４】図１８に本発明の一実施例の条件抽出処理
の処理フローチャートを示す。ステップＳ６−１３の条
件抽出処理では、最適化データファイル６から供給され
た最適化データを小領域に分割する（ステップＳ７−
１、Ｓ７−２）。次にステップＳ７−２で、分割された
小領域の図形に対応した図形を条件テーブルに設定され
た既存のブロックパターンデータからサーチし、抽出す
る（ステップＳ７−３）。対応する図形の抽出が終了す
ると（ステップＳ７−４）、露光データとして出力する
（ステップＳ７−５）。

【００８５】本実施例によれば、既存のブロックパター
ンデータを用いることにより、既に対応するブロックパ
ターンマスクが作成されていれば、新規にブロックパタ
ーンマスクを作成する必要がないので、余分な作業を短
縮できる。なお、抽出方法を選択する条件として、露光
時のレイヤに応じて選択することにより、露光時のレイ
ヤに対して最適な図形抽出を行える。

【００８６】また、ブロック抽出方法をブロックの形状
に応じて選択することにより、ブロック形状に対応した
最適な図形抽出を行える。さらに、パターンの密集度に
応じて選択することにより、有効にパターンを抽出でき
る。また、パターンの占有率が所定の値となるようにパ
ターンを抽出することにより、ブロックで平均してパタ
ーンを抽出できる。

【００８７】また、設定されるブロック領域の数により
抽出パターンを制御することにより、ブロック内での各
パターンのサイズ、数を所定のサイズ、数にすることが
できる。パターンの種類に応じてパターンを抽出するこ
とにより、パターンを重複することがなく抽出できる。
また、露光時のビームの照射面積に応じて領域を設定す
ることにより、ビームの照射面積が最適になるようにパ
ターンを抽出できる。

【００８８】なお、ステップＳ７−３、Ｓ７−４の図形
のサーチはブロック数が多い場合には、後述するような
構成の並列・分散処理手段１３により並列・分散処理を
行えば、処理時間を短縮できる。また、ブロックパター
ンマスクを新規に作成する時には、ブロック欠落防止処
理、近接効果補正等の処理が実施される。

【００８９】まず、ブロック欠落防止処理について説明
する。図１９に本発明の一実施例のブロック欠落防止処
理の処理フローチャート、図２０〜図２２に本発明の一
実施例のブロック欠落防止処理の動作説明図を示す。ブ
ロック欠落防止処理は、ブロックの欠落が認識されると
実施され、梁入れ又は微小パターン分割により対処す
る。例えば、図２０（Ａ）に示すようなブロックパター
ンでは、ビームを遮断すべきパターンの端部がブロック
枠に接触しているので、パターンをマスクにしたときで
もパターンが切断されることがない。

【００９０】しかし、図２０（Ｂ）に示すようなパター
ンでは、ビームを遮断すべきパターンがブロック枠の中
央部分に位置するときには、そのままパターン通りマス
クを形成すると、ビームを遮断すべきパターンが欠落し
てしまう。よって、ブロック枠中央のビームを遮断すべ
きパターンが欠落しないように例えば、図２０（Ｃ）に
示すようにビームを遮断すべきパターンからブロック枠
に梁を形成したり、ビームを通過させるパターン部分に
微小な格子状のパターンを形成し、ビームを遮断すべき
部分をブロック枠に保持できるようにする。なお、この
とき、梁や微小格子をビームの波長に比べて十分に小さ
く形成することにより、ビームは梁や微小格子部分を回
折してウェハに到達し、ビームが梁や微小格子部分の影
響を受けることはない。

【００９１】欠落ブロック防止処理では、まず、マスク
の材料や露光装置のビームの波長などの条件に基づいて
梁幅の最小値Ｗmin 及び最大値Ｗmax を求めるととも
に、ブロック内の照射面積から予め設定された規定値を
減算した値αを求める（ステップＳ８−１）。次に、梁
入れによる欠落ブロック防止処理を実施するか、微小図
形構成による欠落ブロック防止処理を実施するかを判定
するために、ステップＳ８−１で求められたαが０以上
か否かを判定する（ステップＳ８−２）。

【００９２】ステップＳ８−３で、αが０より小さけれ
ば、すなわち、ブロック内の照射面積が規定値より小さ
ければ、まず、ブロックパターンで、ビーム透過パター
ンを「１」、ビーム遮断パターンを「０」とし、ＯＲ処
理を実施する（ステップＳ８−３）例えば、図２１
（Ａ）に斜線で示すようなビーム透過パターンのブロッ
クの場合、斜線部分と無地の部分とでＯＲ処理を実施す
ることにより、図２１（Ｂ）に示すように斜線部分と無
地の部分との境界線が得られる。

【００９３】次に境界線部分の線分化を行う（ステップ
Ｓ８−４）。図２１（Ｂ）に示すような境界線が得られ
た場合、線分化を実施する（ステップＳ８−４）。ステ
ップＳ８−４の線分化処理では、まず、図２１（Ｂ）の
境界線から図２１（Ｃ）に示すようなベクトルからなる
線分のデータを得る。次に線分化されたベクトルの方向
をパターン部分の周囲の線分の始点と終点とが連続する
ように反転させる（ステップＳ８−５）。図２１（Ｃ）
に示すようなベクトル線分は、図２１（Ｄ）に示すよう
なベクトル線分に変換される。

【００９４】次に、線分化されたベクトルパターンをパ
ターン化する（ステップＳ８−６）。図２１（Ｄ）に示
すようなパターンは図２１（Ｅ）に示すようなパターン
とされる。次にパターン化されたパターンのうちブロッ
ク枠に接触するパターンを削除し、ブロック枠に接触し
ないパターンを検出する（ステップＳ８−７）。

【００９５】図２１（Ｅ）に示すようなパターンから
は、図２１（Ｆ）に示すようなパターンが検出され、欠
落パターンがあることが認識される。ステップＳ８−７
で、ブロック枠からの離間パターンが存在すれる場合に
は（ステップＳ８−８）、次に、図２２（Ａ）に示すよ
うに欠落パターンを元のブロックパターンに重ねる（ス
テップＳ８−９）。

【００９６】ステップＳ８−９で欠落パターンに重なる
辺を持つパターンのうち面積の最小のパターンを除き、
それ以外のパターンを面積が大きいパターン順にソート
する（ステップＳ８−１０）。ソートされたパターンの
欠落パターンに重なる辺を各パターンの内側に梁幅分シ
フトする（ステップＳ８−１１）。ステップＳ８−１１
を欠落パターンｐ０を保持するのに充分となるように行
う（ステップＳ８−１２）。

【００９７】例えば、図２２（Ａ）に示すようなパター
ンの場合、欠落パターンｐ０に重なる辺を持つパターン
としてパターンｐ１〜ｐ４が検出される。次に、図２２
（Ｂ）に示すように、パターンｐ１〜ｐ４のうち、最小
面積のパターンｐ１を除く、パターンｐ２〜ｐ４の欠落
パターンｐ０に接触する辺を面積の大きい順に梁幅分だ
け細らせる。以上により図２２（Ｃ）に示すように欠落
パターンｐ０が梁ａ１〜ａ４により周囲のビーム遮断パ
ターンに接続される。よって、欠落パターンｐ０はブロ
ック枠に保持され、ブロックマスクを作成した場合でも
欠落することはない。

【００９８】また、ステップＳ８−２で、αが０以上、
すなわち、ブロック内照射面積が規定値以上の場合に
は、微小図形構成により欠落ブロックが防止される。こ
の微小図形構成により欠落ブロックが防止方法は特許請
求の範囲の請求項２４の実施例に相当する。ステップＳ
８−２でαが０以上の場合、まず、図２２（Ｄ）に示す
ようにビーム透過パターンｐ１〜ｐ６を検出し、各パタ
ーンｐ１〜ｐ６の幅をｘ、高さをｙに設定する（ステッ
プＳ８−１３）。

【００９９】次に、ステップＳ８−１３で設定された
ｘ、ｙの公約数ｃの大きい順にパターンｐ１〜ｐ６をソ
ートする（ステップＳ８−１４）。このとき、公約数ｃ
は、図２２（Ｆ）に示すように各パターンｐ１〜ｐ６に
等しいサイズの正方形を敷き詰めて構成したときの正方
形の一辺に相当する。次に、公約数ｃの２乗であるｓ、
すなわち、パターンｐ１〜ｐ４を構成できる正方形の面
積を求め、α、公約数ｃ、及び、面積ｓから梁の幅２ｔ
を求める（ステップＳ８−１５）。梁の幅２ｔは、 ２ｔ＝２×｛ｃ−√（ｓ×（１−α））｝ で求められる。このとき、ｔは、図２２（Ｇ）に示すよ
うに１つの正方形での梁の幅となり、隣接する正方形の
梁の幅と合わせて、所定の強度、及び、ビームの透過が
可能な幅、すなわち、Ｗmin ≦２ｔ≦Ｗmax が得られ
る。

【０１００】ステップＳ８−１５で求められた梁の幅２
ｔから開口パターンの辺の長さ（ｃ−２ｔ）を求める
（ステップＳ８−１７）。上記ステップＳ８−１３〜Ｓ
８−１７をパターン毎に実行し、開口パターンの辺の長
さを求める。各パターンｐ１〜ｐ６にステップＳ８−１
７で求めた辺の長さ（ｃ−２ｔ）の正方形の開口を図２
２（Ｈ）に斜線で示すように形成する。全体としては、
図２２（Ｉ）に示すようなブロックパターンとなる。

【０１０１】以上により、図２２（Ｉ）に示すように微
小な梁により欠落パターンｐ０がブロック枠に保持でき
る。開口を微小な正方形とすることによりビームの透過
強度を安定化できるとともに、電子散乱を平均化でき
る。上記ステップＳ８−１〜Ｓ８−１７の処理によりブ
ロックパターンマスクを形成したときでも、欠落パター
ンが発生することがない。

【０１０２】また、ブロックパターンマスク作成時には
ブロックパターン欠落だけでなく、近接効果についても
考慮する必要がある。次に、ブロックパターンマスクを
形成する際の近接効果補正処理について説明する。な
お、近接効果補正処理は、特許請求の範囲の請求項２
５、２６に相当する。

【０１０３】図２３に本発明の一実施例の近接効果補正
処理の処理フローチャート、図２４〜図３０に本発明の
一実施例の近接効果補正処理の動作説明図を示す。近接
効果補正処理は、主に、ブロックパターン補正処理Ｓ９
−１、ブロック配置周辺解析処理Ｓ９−２、部分ブロッ
ク作成処理Ｓ９−３から構成される。ブロックパターン
補正処理Ｓ９−１では、まず、ブロックデータを入力し
（ステップＳ９−４）、図２４（Ａ）に示すように入力
されたブロックデータにおける散乱飛程サイズよるブロ
ックＢ０の面積密度平均Ａを求める（ステップＳ４−
５）。このとき、ビームの後方散乱飛程によりブロック
Ｂ０が受ける面積密度平均値Ａは、露光装置のビームの
波長などの条件、図２４（Ｂ）に示すようにブロックＢ
０の周囲に配置されるブロックＢ１〜Ｂ８でのビーム照
射量などにより算出される。

【０１０４】次に、ステップＳ９−５で求めたビームの
後方散乱飛程サイズの面積密度平均Ａに応じてパターン
内補正又はパターン間補正を行う（ステップＳ９−
６）。例えば、図２５（Ａ）に示すようなパターンがあ
ったとすると、パターンｐ１とパターンｐ２〜ｐ５とは
近接しており、散乱飛程によりパターンｐ１とパターン
ｐ２〜ｐ５との間隙が消滅するおそれがある。このた
め、図２５（Ｂ）に示すようにパターンｐ２〜ｐ５のブ
ロック内側の辺をパターンの内側、すなわち、矢印方向
に移動させ、図２５（Ｃ）に示すようにパターンｐ１と
パターンｐ２〜ｐ５との間隙を補正する、いわゆる、パ
ターン内補正を行うか、または、図２５（Ｄ）に示すよ
うに、パターンｐ１のパターンｐ２〜ｐ５に対向する部
分を細らせ、図２５（Ｅ）に示すようにパターンｐ１と
パターンｐ２〜ｐ５との間隙を補正する、いわゆる、パ
ターン間補正を行う。

【０１０５】次に、ブロック配置周囲解析処理Ｓ９−２
が実行される。ブロック配置周囲解析処理では、まず、
露光データから照射量差許容値を読み出し、Ｂに設定す
る（ステップＳ９−８）。次に、ブロックＢ０及びブロ
ックＢ０の周囲の領域のＢ１〜Ｂ８のパターン照射量を
算出する（ステップＳ９−９）。ステップＳ９−９で算
出されたブロックＢ０〜Ｂ８のパターン照射量に後方散
乱の影響を加えて、各ブロックＢ０〜Ｂ８のパターン照
射量を算出する（ステップＳ９−１０）。

【０１０６】ステップＳ９−１０で求められた後方散乱
の影響が加わったパターン照射量からブロックショット
照射量Ｄｂを算出する（ステップＳ９−１１）。ステッ
プＳ９−１１で算出されたブロックショット照射量Ｄｂ
を補正する補正ポイント値ｐを求める（ステップＳ９−
１２）。補正ポイント値ｐは、図２５（Ｃ）に示すよう
な補正ポイントテーブルから求められる。ブロックショ
ット照射量Ｄｂが （−Ｂ／２）＜（Ｄｂ−２Ｂ）≦（Ｂ／２） を満たすとき、補正ポイントｐは−２ポイントとし、ブ
ロックショット照射量Ｄｂが （−Ｂ／２）＜（Ｄｂ−１Ｂ）≦（Ｂ／２） を満たすとき、補正ポイントｐは−１ポイントとし、ブ
ロックショット照射量Ｄｂが （−Ｂ／２）＜（Ｄｂ）≦（Ｂ／２） を満たすとき、補正ポイントｐは０ポイントとする。す
なわち、ブロックショット照射量Ｄｂが （−Ｂ／２）＜（Ｄｂ＋ｐＢ）≦（Ｂ／２） を満たすとき、補正ポイントをｐポイントする。

【０１０７】以上のようにして、各ブロックに補正ポイ
ントｐをセットすることにより、ブロック配置周囲解析
処理が終了する。次に、ステップＳ９−３の部分ブロッ
ク作成処理について説明する。ステップＳ９−３の部分
ブロック作成処理では、まず、ブロックＢ０〜Ｂ８のう
ち補正ポイントｐがマイナスとなるブロックに注目し
て、部分ブロックを作成を行う。

【０１０８】例えば、図２６（Ａ）に示すようなパター
ンがあったとすると、図２６（Ｂ）に示すようなパター
ンＰを繰り返すことにより図２６（Ｃ）に示すように図
２６（Ａ）に示すパターンを形成できる。このとき、図
２７（Ａ）に示すように中心部分の領域Ａとその周囲の
領域Ｂ〜Ｉでは後方散乱の影響が異なる。この後方散乱
の影響は、ステップＳ９−２で、求めた補正ポイントに
よって認識できる。

【０１０９】例えば、図２７（Ａ）に示す領域Ａでは、
図２７（Ｂ）に×で示すように周囲からの後方散乱の影
響が均等となる。また、図２７（Ａ）に示す領域Ｂで
は、図２７（Ｂ）に上方向の矢印で示すように上部から
の後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域
Ｃでは、図２７（Ｂ）に下方向の矢印で示すように上部
からの後方散乱の影響が低くなる。

【０１１０】図２７（Ａ）に示す領域Ｄでは、図２７
（Ｂ）に左方向の矢印で示すように左方向からの後方散
乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域Ｅでは、
図２７（Ｂ）に右方向の矢印で示すように右方向からの
後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域Ｆ
では、図２７（Ｂ）に左上方の矢印で示すように左上方
からの後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す
領域Ｇでは、図２７（Ｂ）に右上方の矢印で示すように
右上方からの後方散乱の影響が低くなる。さらに、図２
７（Ａ）に示す領域Ｈでは、図２７（Ｂ）に右下方の矢
印で示すように右下方からの後方散乱の影響が低くな
る。図２７（Ａ）に示す領域Ｉでは、図２７（Ｂ）に左
下方の矢印で示すように左下方からの後方散乱の影響が
低くなる。

【０１１１】このように、パターン周辺では、後方散乱
の影響が低くなり、中心部に比べて、露光の程度が低下
することになる。均一な露光を実現するため、周辺部分
をべつパターンとしたり、パターン周辺部を２度打ちす
る方法がある。例えば、図２６（Ａ）に示すようなパタ
ーンでは、図２８に示すように外周部分のビームを矢印
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２方向にわずかにずらせて２度打
ちすることにより、パターン周辺部での露光の程度の低
下を防止できる。

【０１１２】パターンは通常のショットのときには、図
２９（Ａ）に示すようにビームＢＭは、第１マスクＭ１
から平行に第２マスクＭ２に供給され、第２マスクＭ２
のパターン全体に照射され、第２マスクのパターン全て
ウェハ上に照射する。一方、ビームＢＭをずらせて照射
するには、図２９（Ｂ）に示すようにビームＢＭを第２
マスクＭ２の一部にだけ照射させる。ブロック周辺部で
図２８に示すようなショットを実現するには、図２９
（Ｃ）に示すようにビームＢＭを第２マスクＭ２に対し
て矢印Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２方向にずらして２度打ち
ればよい。

【０１１３】なお、上記のような近接効果補正は、例え
ば、図３０（Ａ）に示すようにブロック周辺部でパター
ンが細線化する場合に有効となる。すなわち、図３０
（Ａ）に示すようにブロック周辺部で細線化すると、細
線が確実に得られなくなる。ことのと、図３０（Ｂ）に
示すように周囲でビームＢＭを第２マスクＭ２から矢印
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２方向にずらせて、２度打ちする
ことにより周囲の細線を確実に露光できる。

【０１１４】以上のように、ビームをずらせて２度打ち
することにより、マスク数を増加させることなく、周辺
部分での露光を確実に行えるようになる。次に、図７の
ステップＳ２−３の露光データ解析処理について詳細に
説明する。図３１に本発明の一実施例の露光データ解析
処理の処理フローチャートを示す。

【０１１５】露光データ解析処理では、上記露光データ
作成処理で作成され、露光データファイル６に格納され
た露光データを読み出して、シミュレーションや各種解
析を行い、解析結果を認識し易いように表示する処理を
行う。露光データ作成処理で作成され、露光データファ
イル７に格納された露光データ及びブロックデータを入
力する（ステップＳ１０−１、Ｓ１０−２）。

【０１１６】次に、ステップＳ１０−１で入力されたブ
ロック露光データ数をカウントすることによりブロック
露光データ数を算出し、解析結果格納テーブルに格納す
る（ステップＳ１０−３）。また、ステップＳ１０−１
で入力されたブロック露光データ数、及び、ステップＳ
１０−２で入力されたブロックデータ数から可変矩形露
光パターン数を算出し、解析結果格納テーブルに格納す
る（ステップＳ１０−４）。

【０１１７】次に、ブロック露光データの同一形状のパ
ターンを１つのパターン数として形状別のパターン数を
算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ
１０−５）。次に、ステップＳ１０−２で入力されたブ
ロックデータ数から総パターン数、総ショット数を算出
し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０
−６）。ステップＳ８−１で入力されたブロック露光デ
ータからブロックパターン数を算出し、解析結果格納テ
ーブルに格納する（ステップＳ１０−７）。

【０１１８】ステップＳ１０−２で入力されたブロック
データからブロックの形状別パターン数を算出し、解析
結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−８）。
各形状別のショット数を算出する（ステップＳ１０−
９）。次に、ブロック露光部分を可変矩形露光したとき
のパターン数及びショット数を算出する（ステップＳ１
０−１０）。次に、ステップＳ１０−１で入力されたブ
ロック露光データからブロック内面積密度を算出し、解
析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−１
１）。さらに、ショットのクロック値分布と回数を解析
結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−１
２）。

【０１１９】以上により露光データの解析が終了し、解
析結果は全て解析結果格納テーブルに格納される。解析
結果格納テーブルに格納された解析結果が表及びグラフ
により表示される。解析結果の表示としては、例えば、
ブロック内パターン情報、全体のショット数解析値、ブ
ロック毎のショット数解析値、ショットクロックヒスト
グラム等がグラフ及び表により表示される（ステップＳ
１０−１３〜Ｓ１０−１６）。

【０１２０】図３２に本発明の一実施例のブロック内パ
ターン情報の表示例を示す図を示す。図３２に示すよう
にブロック内パターン情報は、パターンタイプ、位置、
サイズ、などの情報が各項目毎にグラフィカルに表示さ
れ、クロックコードなどの条件を変更可能な表示とされ
ている。

【０１２１】なお、図３２に示すように表示されたブロ
ック内パターン情報が所望の結果にならなかった場合に
は、図３２で、クロックコード変更部分「Changed Cloc
k Code」及びドーズ量変更部分「Changed Dose Value」
に所望の数値を設定することにより、再びシミュレーシ
ョン・各種解析が実行される。再シミュレーション・再
解析後、再シミュレーション・再解析の結果が再び図３
２に示すように表示される。以上のように図３２の表示
例のクロックコード変更部分「Changed ClockCode」及
びドーズ量変更部分「Changed Dose Value」の数値を変
更することにより、所望の結果が得られる条件を求める
ことができる。このとき、図表により結果を認識でき、
かつ、数値の設定が行えるので、露光条件の設定がよう
に行える。

【０１２２】図３３に本発明の一実施例の各ブロックパ
ターンのパターン情報の表示例を示す図を示す。図３３
に示すように各ブロックパターンのパターン情報は、各
ブロック毎に用いられているブロック内パターンの割合
がグラフにより表示されている。このため、各ブロック
で使用されているパターンの割合を直感的に認識でき
る。

【０１２３】図３４に本発明の一実施例のショット数解
析結果の表示例を示す図を示す。図３４に示すようにシ
ョット数解析結果は、ショット数の総計及び使用パター
ン数等が表で表示されるとともに、全体における使用パ
ターンの割合などがグラフで表示される。このため、シ
ョットの状態を容易に認識できる。図３５に本発明の一
実施例の各ブロック毎のショット数解析結果の表示例を
示す図を示す。

【０１２４】図３５に示すように各ブロック毎のショッ
ト数解析結果は、各ブロックに番号が付与され、番号に
より各ブロックの位置がグラフィカルに表示されるとと
もに、各番号毎のそのショット数がグラフにより表示さ
れる。このため、各ブロックの位置及びショット数を直
観的に認識できる。図３６に本発明の一実施例のショッ
トクロックヒストグラムの表示例を示す図を示す。

【０１２５】図３６に示すようにショットクロックヒス
トグラムは、クロックコード毎にそのヒストグラムがグ
ラフで表示される。なお、テーブルのボタンをクリック
することにより、表により表示することもできる。図３
６に示すような表示方法によれば、ショットクロックヒ
ストグラムを容易に認識可能となる。以上のように解析
結果をグラフ又は表により表示することにより、露光状
態を容易に認識できるようになる。

【０１２６】なお、本実施例の露光データ作成装置１で
は、解析結果だけでなく、作成された露光データもグラ
フィカルに表示できる。また、解析結果を上記図３２〜
図３６に示すように表示した後で、その結果に基づいて
ブロック数の変更など指示を行うことにより（ステップ
Ｓ１０−１７）。設定されたブロック数に応じてステッ
プＳ１０−３〜Ｓ１０−１２で再計算が行われ（ステッ
プＳ１０−１８）、その結果が図３２〜図３６と同様に
表示され、直ぐに解析結果を得ることができる。

【０１２７】また、スループットの算出の指示あると
（ステップＳ１０−１９）、スループットを算出するた
めに、まず、総ショット数、偏向回数、レジスト感度、
１ショット時間、ジャンプ時間などに基づいて１チップ
露光時間が算出される（ステップＳ１０−２０）。次
に、チップ面積、ウェハサイズからウェハ上に搭載可能
なチップ数を割り出し、１時間当たりのウェハ露光枚
数、すなわち、スループットを算出する（ステップＳ１
０−２１）。

【０１２８】以上のようにスループット出力指示がある
と、ステップＳ１０−２０及びＳ１０−２１によりスル
ープットが算出され、即座に出力される。なお、解析結
果の表示は、終了指示があるまで行われる（ステップＳ
１０−２２）。次に、露光データ表示処理について説明
する。図３７に本発明の一実施例の露光データ表示処理
の処理フローチャートを示す。

【０１２９】露光データ表示処理は、露光データファイ
ル７に格納されたブロック露光データに基づいて露光デ
ータをグラフィカルに表示する。まず、露光データファ
イル７からブロック露光データを入力し、ウェハ露光表
示用データファイルに格納する（ステップＳ１１−
１）。次にステップＳ１１−１で入力されたブロック露
光データからブロックデータの種類を検出し、その数を
ＢＮとする（ステップＳ１１−２）。

【０１３０】次に、ブロック表示用色又はトーンの設定
を行う処理が行われる（ステップＳ１１−３）。ステッ
プＳ１１−３の処理では、まず、ブロック個数に可変矩
形露光用ブロック用に１を加算した色数を確保し、確保
した色数をＣＮにセットする（ステップＳ１１−４）。
ステップＳ１１−４で色数ＣＮが確保できたか否かを判
定する（ステップＳ１１−５）。

【０１３１】ステップＳ１１−５で色数ＣＮが確保でき
れば、色だけで、ブロックを識別することができるの
で、次に、ブロックパターンデータとブロック枠データ
をブロック毎にブロック表示テーブルBTABLEのデータ格
納テーブルBTABLE(0,1-BN ) に格納し、色番号格納テー
ブルBTABLE(1,2-BN ) に色番号２〜ＣＮを格納し、さら
に、トーン番号格納テーブルBTABLE(2,1-BN ) に所定の
トーンを示すトーン番号「１」を格納する（ステップＳ
１１−６）。

【０１３２】ステップＳ１１−５で色数ＣＮが確保でき
なければ、色だけでは、ブロックを識別することができ
ないので、次の色にトーン付けることによりブロックを
識別できるように色及びトーンをブロック表示テーブル
BTABLEにセットする処理を行う。まず、ブロックカウン
タBCOUNT、トーンカウンタTCOUNTに１をセットし、色カ
ウンタCCOUNTに２をセットする（ステップＳ１１−
７）。

【０１３３】次に、ブロック表示テーブルBTABLEのデー
タ格納テーブルBTABLE(0,BCOUNT )にブロック番号BCOUN
Tのブロックパターンデータとブロック枠データを格納
し、色番号格納テーブルBTABLE(1,BCOUNT ) にブロック
番号BCOUNTの対応した色番号CCOUNTを格納し、トーン番
号格納テーブルBTABLE(2,BCOUNT ) にトーン番号「TCOU
NT」を格納してた後、ブロック番号BCOUT を「＋１」す
る（ステップＳ１１−８）。

【０１３４】上記ステップＳ１１−８を色番号及びトー
ン番号を変化させながら、ブロック番号がＢＮとなるま
で行う（ステップＳ１１−９〜Ｓ１１−１２）。以上の
処理によりブロック表示テーブルBTABLEに各ブロックに
色又はトーンの組み合わせが異なる表示色が設定され
る。露光パターンデータは、ブロック表示テーブルBTAB
LEに従って表示される（Ｓ１１−１３）。ステップＳ１
１−１３の露光パターンデータ表示処理では、まず、パ
ターン情報表示要求に従って、表示すべきパターンのパ
ターン種及び配置情報、配置位置、サイズ情報、所属偏
向位置番号、形状番号／ブロック番号、クロック値など
の露光に必要な情報が読み込まれる（ステップＳ１１−
１４〜Ｓ１１−１８）。

【０１３５】次にステップＳ１１−１４〜Ｓ１１−１８
で読み込まれた情報を表示するとともに、ブロック表示
テーブルBTABLEに格納されたブロックパターンを設定さ
れた色及びトーンで表示する（ステップＳ１１−１９、
Ｓ１１−２０）。図３８に本発明の一実施例のブロック
パターン表示例を示す図を示す。図３８に示すようブロ
ックパターンは、各ブロック毎に表示色及びトーンが相
違するように表示される。よって、パターンに含まれる
ブロックを容易に認識できる。

【０１３６】図３９〜図４２に本発明の一実施例の他の
ブロックパターン表示例を示す図を示す。また、本実施
例ではブロック露光方法と可変矩形露光方法とで、色が
異なるので、図３９〜図４１に示すようにパターン中の
ブロック露光方法部分と可変矩形露光方法部分との識別
を容易に行える。また、ブロック毎に表示色が異なるた
め、図４２に示すように一 ブロックショット部分に一
ブロックの枠を表示することにより、所望のブロックだ
けを容易に認識可能となる。また、複数のブロックを組
み合わせて表示することもできる。

【０１３７】また、本実施例の露光データ作成装置１で
は、露光データに基づいてシミュレーションを行うこと
ができ、このとき、シミュレーションの結果をグラフィ
カルに表示できる。図４３に本発明の一実施例のシミュ
レーション処理の処理フローチャート、図４４に本発明
の一実施例の シミュレーション処理では、まず、露光
データファイル７からブロック露光データを入力する
（ステップＳ１２−１）。次に、シミュレーションの条
件、すなわち、適応する露光装置の露光条件が入力さ
れ、シミュレーションテーブルに格納される（ステップ
Ｓ１２−２）。

【０１３８】ステップＳ１２−２で露光条件が入力され
ると、ステップＳ１２−１で入力されたブロック露光デ
ータに対してステップＳ１２−２でシミュレーションテ
ーブルに格納された露光条件にしたがって、シミュレー
ションが行われる。シミュレーションとして、各グリッ
ド上の露光強度計算が行われる（ステップＳ１２−
３）。ステップＳ１２−３での各グリッド上の露光強度
計算の結果、図４２（Ａ）に示すようなグリッド毎の強
度が数値で表示され、さらに、図４４（Ｂ）に示すよう
に同一強度点は同一の色となるように強度毎に着色して
表示される（ステップＳ１２−４）。

【０１３９】さらに、図４４（Ｃ）に示すように露光デ
ータのパターンラインＬをステップＳ１２−４での露光
強度の表示に重ねてライン表示する（ステップＳ１２−
５）。次に、ステップＳ１２−５で表示された露光デー
タのパターンラインＬとステップＳ１２−４で表示され
た強度分布のうちパターンラインＬに相当する所定の解
像エッジとの寸法差を求める（ステップＳ１２−６）。

【０１４０】ステップＳ１２−６で求められた露光デー
タのパターンラインＬと強度分布のうちパターンライン
Ｌに相当する所定の解像エッジとの寸法差とを比較し、
寸法差が所定の許容範囲以上の部分のパターンラインＬ
又は解像エッジをブリンク表示する（ステップＳ１２−
７）。また、このとき、図３２に示すような表示も選択
して表示でき、ステップＳ１２−７の表示結果に応じて
露光条件等の変更があると、図３２に示す表示で、クロ
ックコード「Change Clock Code 」、ドーズ量「Change
Dose Value 」に所望の変更量を設定することにより、
再シミュレーションが行われ、再び、ステップＳ１２−
３〜Ｓ１２−７が実行され、変更された露光条件に応じ
た露光パターンが表示される。上記図４４に示すような
露光パターン表示は終了指示があるまで、行われる（ス
テップＳ１２−９）。

【０１４１】以上のように、露光パターン上にエラー部
分がブリンク表示されるので、エラー部分を容易に認識
できる。また、このとき、図３２に示すような図表によ
る表示も可能であり、図３２に示す表示で、クロックコ
ード「Change Clock Code 」、ドーズ量「Change Dose
Value 」に所望の変更量を設定することにより容易に露
光条件を変更できる。

【０１４２】また、図４５、図４６に本発明の一実施例
のシミュレーション処理による実際の露光パターンの表
示例を示す図を示す。図４５に示すように、接続パター
ンｐ１と他の部分ｐ２との境界ｐ３で強度の変化するよ
うすがグラフィック表示される。また、図４６に示すよ
うにシミュレーション結果のパターンとブロックのライ
ンＬとが重ねて表示され、シミュレーション結果と設定
したブロックとの関係を認識できる。

【０１４３】本実施例によれば、ブロック露光データ作
成おいて、階層処理や並列処理、自動ブロック抽出によ
り、高圧縮露光データを高速に作成することができ、ま
た、複数のブロック抽出モードの組合せによりショット
数が激減し、高露光スループット化に有効であり、さら
に、各種補正機能により高精度な露光パターンの形成が
可能、そして、既存のブロックマスクを共通に使用する
ことも可能なため。コストと手番を短縮する効果があ
り、各種検証機能により作成された露光データ処理への
フィードバックを行なう機能があるので、より高品質、
高信頼な露光データを作成出来るので、微細ＬＳＩ製品
量産化の実用には極めて有効である。

【０１４４】なお、図２の並列・分散処理手段１３を実
現するには、並列処理マシン構成、及び、分散処理マシ
ン構成が必要となる。図４７に本発明の一実施例の並列
処理を実現するためのブロック構成図を示す。図４７に
示すように並列処理を実現するためには、露光データ作
成処理を統括するホストに複数のプロセッサを接続し、
ホストが階層、処理単位毎に処理を複数のプロセッサに
渡して、並列に処理を行わせる。

【０１４５】また、図４８に本発明の一実施例の分散処
理を実現するためのブロック構成図を示す。図４８に示
すように分散処理を実現するためには、図４７に示すよ
うな構成の並列計算機や通常の連続計算機を複数台、ネ
ットワークで接続し、階層、処理単位毎に複数の計算機
で分散して処理を行わせる。

【０１４６】

【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１によれ
ば、予め作成された露光パターンを分割する複数の領域
毎にＣＡＤなどの図形作成手段により作成した露光パタ
ーンに応じた露光データを格納することにより露光デー
タの作成を行うので、露光データをパターンとして作成
でき、露光データの作成が容易に行える等の特長を有す
る。

【０１４７】請求項２によれば、設計データから図形群
を抽出し、図形群から露光を行う図形を抽出して、抽出
した図形毎に露光データを作成することにより、図形
群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データ
の作成を効率よく行える等の特長を有する。請求項３に
よれば、図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を
抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が
抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽
出できる等の特長を有する。

【０１４８】請求項４によれば、図形数が多い図形群を
抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が
抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽
出できる等の特長を有する。請求項５によれば、図形の
存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出
することにより、偏向に応じた図形群を抽出でき、図形
抽出が容易に行える等の特長を有する。

【０１４９】請求項６によれば、図形の存在範囲が露光
時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することによ
り、ビームサイズに応じた図形群を抽出でき、図形抽出
が容易に行える等の特長を有する。請求項７によれば、
重複する図形群を抽出することにより、不要な処理を行
わなくて済むので、処理時間を短縮できる等の特長を有
する。

【０１５０】請求項８によれば、互いに重複する図形群
を削除することにより、不要な処理を行わなくて済むの
で、処理時間を短縮できる等の特長を有する。請求項９
によれば、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽
出することにより、抽出する図形が少ないので、露光デ
ータの作成数を減少できる等の特長を有する。

【０１５１】請求項１０によれば、図形群を複数の領域
に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽
出することにより、図形群を抽出可能な図形を抽出でき
る等の特長を有する。請求項１１によれば、図形群のう
ち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出すること
により、不要な部分をデータにすることがないので、効
率よく露光データを作成できる等の特長を有する。

【０１５２】請求項１２によれば、既に抽出された図形
と同じ図形を抽出することにより不要なデータを作成す
る必要がなく、効率よく露光データを作成できる等の特
長を有する。請求項１３によれば、所望の条件に応じた
図形を抽出できる等の特長を有する。

【０１５３】請求項１４によれば、複数の図形抽出方法
から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行う
ことにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出
を行える等の特長を有する。請求項１５によれば、露光
時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える等の特長を
有する。

【０１５４】請求項１６によれば、図形群の形状に応じ
て図形抽出方法を選択することにより、抽出された図形
群に対して最適な図形抽出を行える等の特長を有する。
請求項１７によれば、図形群中の図形の配置に応じて図
形抽出方法を選択することにより、図形が存在しない無
駄な部分を抽出することがなく、抽出図形数を減少でき
る等の特長を有する。

【０１５５】請求項１８によれば、図形の密集度に応じ
て図形抽出方法を選択することにより、有効に図形を抽
出できる等の特長を有する。請求項１９によれば、図形
の占有率が所定の値となるように図形を抽出することに
より、バラツキなく図形を抽出できる等の特長を有す
る。請求項２０によれば、図形群中に設定される領域の
数に応じて図形を抽出することにより、抽出される図形
を含む領域を所定のサイズ、数とすることができる等の
特長を有する。

【０１５６】請求項２１によれば、図形の種類に応じて
図形を抽出することにより、図形を重複することがなく
抽出できる等の特長を有する。請求項２２によれば、ビ
ームの照射面積に応じて図形を抽出することにより、ビ
ームの照射面積が最適になるように図形を抽出できる等
の特長を有する。請求項２３によれば、図形群毎に並列
に処理を行うことにより高速に処理を行える等の特長を
有する。

【０１５７】請求項２４によれば、ビームの透過パター
ンを微小パターンの集合で構成することにより、ビーム
の非透過パターンが透過パターンに囲まれている場合で
も、非透過パターンが露光パターンを作成したときに、
非透過パターンが欠落することがない等の特長を有す
る。請求項２５によれば、互いに近接するパターンで透
過するビームの影響が補正されるので、ビーム散乱によ
る影響を防止できる等の特長を有する。

【０１５８】請求項２６によれば、露光マスクの周囲で
ビームをずらして再照射することにより、露光マスクの
周囲でのビーム強度の低下を補償して、全体で均一にビ
ームを照射することができる等の特長を有する。請求項
２７によれば、露光パターンを露光方法に応じて異なる
表示とすることにより、位置に応じて露光方式を認識で
きる等の特長を有する。

【０１５９】請求項２８によれば、露光パターンを露光
単位毎に異なる表示を行うことにより、露光パターン上
の各露光単位の配置を直観的に認識できる等の特長を有
する。請求項２９によれば、露光データからスループッ
トを算出して、表示できるので、作成した露光データの
スループットを即座に認識でき、必要に応じて訂正でき
る等の特長を有する。

【０１６０】請求項３０によれば、露光データを所定の
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示
することにより、作成した露光データに応じて作成され
るであろう露光パターンを直感的に認識できる等の特長
を有する。請求項３１によれば、露光設定表示に所望の
露光条件を設定することにより、再シミュレーションが
実行され、そのシミュレート結果が表示されるので、露
光条件に応じたシミュレーション結果を容易に得ること
ができ、所望の露光結果を容易に認識できる等の特長を
有する。

【０１６１】請求項３２によれば、露光データを所定の
露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに露光
データに応じた露光パターンを重ねて表示することによ
り、作成した露光データに応じて作成されるであろう露
光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異
を直感的に認識できる等の特長を有する。請求項３３に
よれば、シミュレーションした結果の露光パターンと露
光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範
囲以上の部分と所定の許容範囲内の部分とで異なる表示
とすることにより、エラーが発生する部分を容易に認識
できる等の特長を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のブロック構成図である。

【図２】本発明の一実施例の機能ブロック図である。

【図３】本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段
の処理フローチャートである。

【図４】本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段
による評価用露光データ作成時のデータの流れを示す図
である。

【図５】本発明の一実施例の評価用露光データのライブ
ラリ構造図である。

【図６】本発明の一実施例の評価用露光データ作成にお
ける評価パターンデータの構成図である。

【図７】本発明の一実施例の露光データ作成時の処理フ
ローチャートである。

【図８】本発明の一実施例の設計データ最適化処理の処
理フローチャートである。

【図９】本発明の一実施例の階層構造解析及び階層デー
タ最適化処理の処理フローチャートである。

【図１０】本発明の一実施例の露光データ作成処理の処
理フローチャートである。

【図１１】本発明の一実施例のブロック抽出処理の処理
フローチャートである。

【図１２】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明
図である。

【図１３】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明
図である。

【図１４】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明
図である。

【図１５】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明
図である。

【図１６】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明
図である。

【図１７】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明
図である。

【図１８】本発明の一実施例の条件抽出処理の処理フロ
ーチャートである。

【図１９】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理の
処理フローチャートである。

【図２０】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理の
動作説明図である。

【図２１】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理の
動作説明図である。

【図２２】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理方
法を説明するための図である。

【図２３】本発明の一実施例の近接効果補正処理の処理
フローチャートである。

【図２４】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作
説明図である。

【図２５】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作
説明図である。

【図２６】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作
説明図である。

【図２７】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作
説明図である。

【図２８】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作
説明図である。

【図２９】本発明の一実施例の近接効果補正処理の部分
ブロック生成方法を説明するための図である。

【図３０】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作
説明図である。

【図３１】本発明の一実施例の露光データ解析処理の処
理フローチャートである。

【図３２】本発明の一実施例のブロック内パターン情報
の表示例を示す図である。

【図３３】本発明の一実施例の各ブロックパターンのパ
ターン情報の表示例を示す図である。

【図３４】本発明の一実施例のショット数解析結果の表
示例を示す図である。

【図３５】本発明の一実施例の各ブロック毎のショット
数解析結果の表示例を示す図である。

【図３６】本発明の一実施例のショットクロックヒスト
グラムの表示例を示す図である。

【図３７】本発明の一実施例のパターン表示処理の処理
フローチャートである。

【図３８】本発明の一実施例のブロックパターン表示例
を示す図である。

【図３９】本発明の一実施例の他のブロックパターン表
示例を示す図である。

【図４０】本発明の一実施例の他のブロックパターン表
示例を示す図である。

【図４１】本発明の一実施例の他のブロックパターン表
示例を示す図である。

【図４２】本発明の一実施例の他のブロックパターン表
示例を示す図である。

【図４３】本発明の一実施例のシミュレーション処理の
処理フローチャートである。

【図４４】本発明の一実施例のシミュレーション処理に
よる露光パターン表示例を示す図である。

【図４５】本発明の一実施例によるシミュレーション処
理により得られる露光パターンの表示例を示す図であ
る。

【図４６】本発明の一実施例によるシミュレーション処
理により得られる露光パターンの表示例を示す図であ
る。

【図４７】本発明の一実施例の並列処理を実現するため
のブロック構成図である。

【図４８】本発明の一実施例の分散処理を実現するため
のブロック構成図である。

【図４９】可変矩形ビーム露光方式を説明するための図
である。

【図５０】部分一括露光方式を説明するための図であ
る。

【図５１】一括露光方式の課題を説明するための図であ
る。

【符号の説明】

１ 露光データ作成装置 ２ キーボード ３ ディスプレイ ４ ＣＰＵ ５ 設計データファイル ６ 最適化データファイル ７ 露光データファイル ８ 設計データ最適化エディタ ９ 露光データ作成エディタ １０ 露光データ解析エディタ １１ 露光データ作成機能 １２ 露光データ検証機能 １３ 並列・分散処理手段 １４ 評価用露光データ作成手段 １５ 設計データ解析手段 １６ 設計データ最適化手段 １７ ブロック抽出手段 １８ ブロック抽出モード自動切替手段 １９ ブロック最適化手段 ２０ パターンデータ表示手段 ２１ 露光データ解析手段 ２２ 露光スループット算出手段 ２３ 露光シミュレーション手段

Claims (33)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光データを作成する露光データ作成方
   法において、 前記露光パターンを分割する複数の領域を作成するライ
   ブラリ作成手順と、 前記ライブラリ作成手順で作成された前記複数の領域に
   露光パターンを作成する露光パターン作成手順と、 前記露光パターン作成作業手順で作成された露光パター
   ン応じた露光データを作成する露光データ作成手順とを
   有することを特徴とする露光データ作成方法。
2. 【請求項２】 設計データに応じた露光データを作成す
   る露光データ作成方法において、 前記設計データを構成する図形群を抽出する図形群抽出
   手順と、 前記図形抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を
   抽出する図形抽出手順と、 前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光デー
   タを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴
   とする露光データ作成方法。
3. 【請求項３】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
   ち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することを特徴
   とする請求項２記載の露光データ作成方法。
4. 【請求項４】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
   ち前記図形群を構成する図形数が多い図形群を抽出する
   ことを特徴とする請求項２又は３記載の露光データ作成
   方法。
5. 【請求項５】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
   ち前記図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた
   図形群を抽出することを特徴とする請求項２乃至４のい
   ずれか一項記載の露光データ作成方法。
6. 【請求項６】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
   ち前記図形の存在範囲が前記露光時のビームのサイズに
   応じた図形群を抽出することを特徴とする請求項２乃至
   ５のいずれか一項記載の露光データ作成方法。
7. 【請求項７】 前記図形群抽出手順は、前記図形群のう
   ち互いに重複する図形群を抽出することを特徴とする請
   求項２乃至６のいずれか一項記載の露光データ作成方
   法。
8. 【請求項８】 前記図形群抽出手順は、前記複数の図形
   群のうち互いに重複する図形群を削除することを特徴と
   する請求項２乃至６のいずれか一項記載の露光データ作
   成方法。
9. 【請求項９】 前記図形群抽出手段は、前記図形抽出手
   順で、前記図形を抽出した後、抽出された図形の数が最
   小となる図形群を抽出することを特徴とする請求項２乃
   至８のいずれか一項記載の露光データ作成方法。
10. 【請求項１０】 前記図形抽出手順は、前記図形群抽出
    手順で抽出された前記図形群を複数の領域に分割し、分
    割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することを
    特徴とする請求項２乃至９いずれか一項記載の露光デー
    タ作成方法。
11. 【請求項１１】 前記図形抽出手順は、前記図形群抽出
    手順で抽出された前記図形群のうち図形を含む部分に領
    域を設定し、図形を抽出することを特徴とする請求項２
    乃至１０のいずれか一項記載の露光データ作成方法。
12. 【請求項１２】 前記図形抽出手順は、既に抽出された
    図形と同じ図形を抽出することを特徴とする請求項２乃
    至１１のいずれか一項記載の露光データ作成方法。
13. 【請求項１３】 前記図形抽出手順は、予め設定された
    条件に一致する図形を抽出することを特徴とする請求項
    ２乃至１２のいずれか一項記載の露光データ作成方法。
14. 【請求項１４】 前記図形抽出手順は、複数の図形抽出
    方法を有し、該複数の図形抽出方法から所定の図形抽出
    方法を選択して、図形の抽出を行うことを特徴とする請
    求項２乃至１３のいずれか一項記載の露光データ作成方
    法。
15. 【請求項１５】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
    法を露光時のレイヤに応じて選択することを特徴とする
    請求項１４記載の露光データ作成方法。
16. 【請求項１６】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
    法を前記図形群の形状に応じて選択することを特徴とす
    る請求項１４又は１５記載の露光データ作成方法。
17. 【請求項１７】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
    法を前記図形群中の図形の配置に応じて選択することを
    特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか一項記載の露
    光データ作成方法。
18. 【請求項１８】 前記図形抽出手順は、前記図形抽出方
    法を前記図形群の図形の密集度に応じて選択することを
    特徴とする請求項１４乃至１７のいずれか一項記載の露
    光データ作成方法。
19. 【請求項１９】 前記図形抽出手順は、前記図形群中で
    の前記図形の占有率が所定の値となるように前記図形を
    抽出することを特徴とする請求項２乃至１７のいずれか
    一項記載の露光データ作成方法。
20. 【請求項２０】 前記図形抽出手順は、前記図形群中に
    設定される領域の数に応じて前記図形を抽出することを
    特徴とする請求項２乃至１９のいずれか一項記載の露光
    データ作成方法。
21. 【請求項２１】 前記図形抽出手順は、前記図形の種類
    に応じて図形を抽出することを特徴とする請求項２乃至
    ２０のいずれか一項記載の露光データ作成方法。
22. 【請求項２２】 前記図形抽出手順は、露光時のビーム
    の照射面積に応じて前記図形を抽出することを特徴とす
    る請求項２乃至２１のいずれか一項記載の露光データ作
    成方法。
23. 【請求項２３】 前記図形群毎に並列に処理を行うこと
    を特徴とする請求項２乃至２２のいずれか一項記載の露
    光データ作成方法。
24. 【請求項２４】 露光パターンに応じた露光データを作
    成する露光データ作成方法において、 前記露光パターンうち、ビームの透過パターンを微小パ
    ターンの集合で構成することを特徴とする露光データ作
    成方法。
25. 【請求項２５】 露光パターンに応じた露光データを作
    成する露光データ作成方法において、 前記露光パターンのうち互いに近接するパターンで透過
    するビームの影響が補正される露光データを作成するこ
    とを特徴とする露光データ作成方法。
26. 【請求項２６】 前記露光パターンの周囲でビームをず
    らして再照射することにより補正することを特徴とする
    請求項２３記載の露光データ作成方法。
27. 【請求項２７】 露光データに応じたパターンを表示す
    る露光データ表示方法において、 前記露光パターンを露光方法に応じて異なる表示を行う
    ことを特徴とする露光データ表示方法。
28. 【請求項２８】 露光データに応じたパターンを表示す
    る露光データ表示方法において、 前記露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行うこと
    を特徴とする露光データ表示方法。
29. 【請求項２９】 露光データに応じたデータを表示する
    露光データ表示方法において、 前記露光データに基づいて露光時のスループットを算出
    するスループット算出手順と、 前記スループット算出手順で算出されたスループットを
    表示するスループット表示手順とを有することを特徴と
    する露光データ表示方法。
30. 【請求項３０】 露光データに応じた露光パターンを表
    示する露光データ表示方法において、 前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結
    果の露光パターンを表示することを特徴とする露光デー
    タ表示方法。
31. 【請求項３１】 前記露光条件を設定する露光条件設定
    表示が行われ、 該露光条件設定表示により所望の露光条件を設定した
    後、該露光条件設定表示により設定された露光条件で再
    びシミュレーションが行われ、 該再シミュレートの結果の露光パターンを表示すること
    を特徴とする請求項３０記載の露光データ表示方法。
32. 【請求項３２】 前記露光データを所定の露光条件でシ
    ミュレートした結果の露光パターンに前記露光データに
    応じた露光パターンを重ねて表示することを特徴とする
    請求項３１記載の露光データ表示方法。
33. 【請求項３３】 前記シミュレーションした結果の露光
    パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差
    異を検出し、 前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露
    光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範
    囲以上の部分を前記シミュレーションした結果の露光パ
    ターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異
    が所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることを
    特徴とする請求項３２記載の露光データ表示方法。