JP2747573B2 - 露光データ作成装置及び露光データ作成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 〔目次〕 産業上の利用分野 従来の技術（図14） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１，２） 作用 実施例 （図３〜図13） 発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、露光データ作成装置及
び露光データ作成方法に関するものであり、更に詳しく
言えば、被設計ＬＳＩ（半導体集積回路装置）のブロッ
ク露光データを作成する装置及びその方法に関するもの
である。

【０００３】近年、ＬＳＩ装置の高集積化，高密度化に
伴い微細パターン露光はホトリソグラフィに代わって、
高速，高画質である荷電粒子線を用いる方法，例えば、
電子ビームやＸ線によるパターン選択露光に移行されつ
つある。

【０００４】ところで、電子ビーム図形選択露光装置に
よれば、その処理の効率の向上を図るために複数のブロ
ックパターンを介して半導体ウエハに整形電子ビームを
照射し、各種集積回路パターンの露光処理をするブロッ
ク選択露光方式が採用される。

【０００５】これによれば、ブロックサイズよりも大き
い被露光パターンに係るブロック露光データを作成する
場合、偏向フィールドライン分割処理や矩形分割処理を
実行するパターン分割アルゴリズムを用いなければなら
ない。

【０００６】このため、被設計ＬＳＩが高集積，高密度
化してくると、偏向フィールドライン分割処理では、被
露光パターンが単純に分割されるため極細パターンが発
生し、ブロックパターンの種類を増加せざるを得ない。
また、矩形分割処理では、矩形パターン以外の被露光パ
ターンが単純に分割されるため、膨大な量のブロックパ
ターン数に分割され、膨大なメモリ容量と処理時間を費
やすこととなる。

【０００７】そこで、一律のパターン分割アルゴリズム
にのみに依存してブロック露光データを作成することな
く、複数のパターン分割アルゴリズムを備え、被露光パ
ターンを効率良く分割して、ブロックパターン数を極力
低減すること、極細パターンの発生を極力阻止するこ
と、及び、ブロックパターンの種類を最小限に留めるこ
とができる装置及び方法が望まれている。

【０００８】

【従来の技術】図14（ａ），（ｂ）は、従来例に係る露
光データ作成装置の説明図である。図14（ａ）におい
て、被設計ＬＳＩの露光データを作成する装置は、メモ
リ１，ＣＰＵ（中央演算処理装置）２及びディスプレイ
（キーボード等を含む）装置３から成る。

【０００９】当該装置の機能は、オペレータがディスプ
レイ（キーボード等を含む）装置３等に入力データを入
力すると、パターン分割アルゴリズムに基づいて偏向フ
ィールドライン分割処理や矩形分割処理を実行し、
被分割パターンデータＤ１をビーム露光データＤ11や可
変矩形ビーム露光データＤ12を出力するものである。

【００１０】なお、偏向フィールドライン分割処理
は、当該ビーム露光データＤ11が採用される電子ビーム
露光装置に係わり、そのビーム偏向範囲に在る被露光領
域をライン状に露光をする被露光パターンを単純に分割
するものである。また、矩形分割処理は、可変矩形ビ
ーム露光データＤ12が採用される可変矩形電子ビーム露
光装置に係わり、そのアパーチャにより形成される三角
形や台形等の大きな矩形パターン以外の被露光パターン
を単純に分割するものである。

【００１１】また、偏向フィールドライン分割処理や
矩形分割処理では、当該露光装置の露光ショットサイ
ズＳ，すなわち、ステンシルマスクに形成されるブロッ
クパターンのブロックサイズＢに合わせて被露光パター
ンが分割される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
ればブロックサイズよりも大きい被露光パターンについ
てブロック露光データを作成する場合、偏向フィールド
ライン分割処理や矩形分割処理を実行するパターン
分割アルゴリズムを用いなければならない。

【００１３】このため、被設計ＬＳＩが高集積，高密度
化してくると、偏向フィールドライン分割処理では、
図14（ｂ）に示すように被露光パターンが単純に分割さ
れるため極細パターンが発生し、ステンシルマスクに形
成するブロックパターンの種類を増加せざるを得ない。

【００１４】また、矩形分割処理では、矩形パターン
以外の被露光パターンが単純に分割されるため、膨大な
量のブロックパターン数に分割され、膨大なメモリ容量
と処理時間を費やすこととなる。

【００１５】これにより、偏向フィールドライン分割処
理や矩形分割処理を実行するパターン分割アルゴリ
ズムを用いた処理では、実用的な時間内で多種多様な被
露光パターンに係る被分割パターンデータＤ１を適切な
ブロック露光データに変換することが困難となるという
問題がある。

【００１６】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、一律のパターン分割アルゴリズム
にのみに依存してブロック露光データを作成することな
く、複数のパターン分割アルゴリズムを備え、被露光パ
ターンを効率良く分割して、ブロックパターン数を極力
低減すること、極細パターンの発生を極力阻止するこ
と、及び、ブロックパターンの種類を最小限に留めるこ
とが可能となる露光データ作成装置及び露光データ作成
方法の提供を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】図１は、本発明に係る露
光データ作成装置の原理図であり、図２（ａ）〜（ｃ）
は、本発明に係る露光データ作成方法の原理図をそれぞ
れ示している。

【００１８】本発明の露光データ作成装置は、図１に示
すように被露光パターン１７のブロック露光データＤOU
T の作成に係る各種データＤ１，Ｄ２，Ｄ３…を記憶す
る記憶手段１１と、前記被露光パターン１７の繰り返し
特徴パターンＰＡを抽出して該被露光パターン１７を分
割する第１のパターン分割手段１２と、前記被露光パタ
ーン１７の繰り返し特徴パターンＰＡ以外の特徴パター
ンＰＢを抽出して該被露光パターン１７を分割する第２
のパターン分割手段１３と、前記被露光パターン１７を
露光ショットサイズＳに応じて単純に分割をする第３の
パターン分割手段１４と、前記記憶手段１１，第１，第
２及び第３のパターン分割手段１２，１３，１４の入出
力を制御する制御手段１５とを具備することを特徴とす
る。

【００１９】なお、前記露光データ作成装置において、
前記記憶手段１１，第１，第２，第３のパターン分割手
段１２，１３，１４及び制御手段１５の入出力を補助す
るデータ入出力手段１６が設けられることを特徴とす
る。

【００２０】また、本発明の露光データ作成方法は、図
２（ａ）に示すように露光ショットサイズＳを越える被
露光パターン１７のブロック露光データＤOUT を作成す
る方法であって、図２（ｃ）のフローチャートに示すよ
うに、まず、ステップＰ１で前記被露光パターン１７の
被分割パターンデータＤ１の作成処理をし、その後、ス
テップＰ２で前記被分割パターンデータＤ１に基づいて
被露光パターン１７の繰り返し特徴パターンＰＡを分割
する第１のパターン分割処理（ステップP2Ａ）と、前記
被分割パターンデータＤ１に基づいて被露光パターン１
７の繰り返し特徴パターンＰＡ以外の特徴パターンＰＢ
を分割する第２のパターン分割処理（ステップP2Ｂ）
と、前記被分割パターンデータＤ１に基づいて被露光パ
ターン１７を露光ショットサイズＳに応じて単純に分割
する第３のパターン分割処理（ステップP2Ｃ）とを適宜
に組み合わせて、前記被露光パターン１７のブロックパ
ターンＢＰ，ＰＡ，ＰＢの抽出処理をすることを特徴と
する。

【００２１】なお、前記露光データ作成方法において、
前記第１，第２のパターン分割処理は、図２（ａ），
（ｂ）に示すように前記被分割パターンデータＤ１に基
づいて被露光パターン１７の図形ループ内のパターン変
化点間の間隔ＳＸを数値化した間隔データＤ２の作成処
理をし、前記間隔データＤ２に基づいてパターン分割位
置ＰＸの設定処理をすることを特徴とする。

【００２２】また、前記露光データ作成方法において、
前記第１のパターン分割処理の際に、図２（ｂ）に示す
ように被露光パターン１７の間隔データＤ２の異同区分
をする第１の制御フラグＦ１の付加処理をし、前記第１
の制御フラグＦ１の判定処理に基づいてパターン分割位
置ＰＸの設定処理をすることを特徴とする。

【００２３】さらに、前記露光データ作成方法におい
て、前記第２のパターン分割処理の際に、予め、図２
（ａ），（ｂ）に示すように被露光パターン１７に基準
パターン幅Φの設定処理をし、前記基準パターン幅Φに
基づいて間隔データＤ２の異同区分をする第２の制御フ
ラグＦ２の付加処理をし、前記第２の制御フラグＦ２の
判定処理に基づいてパターン分割位置ＰＸの設定処理を
することを特徴とする。

【００２４】また、前記露光データ作成方法において、
前記第３のパターン分割処理は、図２（ａ）に示すよう
に前記被露光パターン１７の一端に分割基準点ＰＲの設
定処理をし、前記分割基準点ＰＲに基づいて露光ショッ
トサイズＳに応じてパターン分割位置ＰＸの設定処理を
することを特徴とする。

【００２５】なお、前記露光データ作成方法において、
前記パターン分割位置ＰＸの設定処理の際に、前記露光
ショットサイズＳの範囲内で該パターン分割位置ＰＸの
調整処理や周辺の被露光パターン１７の内包処理をする
ことを特徴とし、上記目的を達成する。

【００２６】

【作用】本発明の露光データ作成装置によれば、図１に
示すように記憶手段１１，第１〜第３のパターン分割手
段１２〜１４，制御手段１５及びデータ入出力手段１６
が具備されている。

【００２７】例えば、制御手段１５及びデータ入出力手
段１６を介して被露光パターン１７の被分割パターンデ
ータＤ１が記憶手段１１から読み出されると、被露光パ
ターン１７の繰り返し特徴パターンＰＡが抽出されて該
被露光パターン１７が第１のパターン分割手段１２によ
り分割される。また、被露光パターン１７の繰り返し特
徴パターンＰＡ以外の特徴パターンＰＢが抽出されて該
被露光パターン１７が第２のパターン分割手段１３によ
り分割される。さらに、被露光パターン１７を露光ショ
ットサイズＳに応じて単純に第３のパターン分割手段１
４により分割される。

【００２８】このため、被設計ＬＳＩが高集積，高密度
化した場合であっても、従来例のような偏向フィールド
ライン分割処理や矩形分割処理等の一律のパターン
分割アルゴリズムにのみに依存してブロック露光データ
を作成することが無くなる。

【００２９】これにより、被露光パターン１７を効率良
く分割することができ、実用的な時間内で多種多様な被
露光パターンに係る被分割パターンデータＤ１を適切な
ブロック露光データＤOUT に変換することが可能とな
る。

【００３０】また、本発明の露光データ作成方法によれ
ば、図２（ｃ）のフローチャートに示すように、ステッ
プＰ１で被分割パターンデータＤ１の作成処理をした
後、ステップＰ２で第１〜第３のパターン分割処理とを
適宜に組み合わせて、被露光パターン１７のブロックパ
ターンＢＰ，ＰＡ，ＰＢの抽出処理をしている。

【００３１】例えば、図２（ａ）に示すように被分割パ
ターンデータＤ１に基づいて、予め、被露光パターン１
７の図形ループ内のパターン変化点間に係る間隔ＳＸを
数値化した間隔データＤ２が作成処理され、該間隔デー
タＤ２に基づいてパターン分割位置ＰＸが第１のパター
ン分割処理により設定処理される。

【００３２】なお、第１のパターン分割処理の際に、図
２（ｂ）に示すように被露光パターン１７の間隔データ
Ｄ２の異同区分をする第１の制御フラグＦ１が付加処理
され、該第１の制御フラグＦ１の判定処理に基づいてパ
ターン分割位置ＰＸが設定処理される。このことで、被
分割パターンデータＤ１，間隔データＤ２に基づいて被
露光パターン１７のコンタクトホールや配線パターン等
の繰り返し特徴パターンＰＡが分割される（図１破線円
内図参照）。

【００３３】また、同様に作成された間隔データＤ２に
基づいてパターン分割位置ＰＸが第２のパターン分割処
理により設定処理される。なお、第２のパターン分割処
理の際に、予め、図２（ａ）に示すように被露光パター
ン１７に基準パターン幅Φが設定処理され、その後、図
２（ｂ）に示すように該基準パターン幅Φに基づいて間
隔データＤ２の異同区分をする第２の制御フラグＦ２
が，例えば間隔データＤ２に付加処理され、該第２の制
御フラグＦ２の判定処理に基づいてパターン分割位置Ｐ
Ｘが設定処理される。

【００３４】このことで、被分割パターンデータＤ１，
間隔データＤ２に基づいて被露光パターン１７の繰り返
し特徴パターンＰＡ以外，例えば、矩形部，斜辺部及び
複雑な形状を含む電源線の接続部となるビアホール等の
特徴パターンＰＢが分割される（図１破線円内図参
照）。

【００３５】さらに、図２（ａ）に示すように第３のパ
ターン分割処理により、被露光パターン１７の一端に分
割基準点ＰＲが設定処理され、該分割基準点ＰＲに基づ
いて露光ショットサイズＳに応じたパターン分割位置Ｐ
Ｘが設定処理される。なお、第３のパターン分割処理の
際に、露光ショットサイズＳの範囲内で該パターン分割
位置ＰＸが調整処理され、また、周辺の被露光パターン
１７が内包処理される（図１破線円内図参照）。

【００３６】このことで、被分割パターンデータＤ１に
基づいて露光ショットサイズＳ，すなわち、ブロックサ
イズＢに応じて被露光パターン１７が従来例と同様に単
純分割されるが極細パターンの発生が回避される。

【００３７】このため、第１のパターン分割処理を，例
えば、他の処理よりも先にして、その後、第２，第３の
パターン分割処理をすることにより、従来例に比べてブ
ロックパターン数を極力低減させること、極細パターン
の発生を極力阻止すること、及び、ブロックパターンの
種類を最小限に留めることが可能となる。

【００３８】これにより、従来例のように一律のパター
ン分割アルゴリズムにのみに依存してブロック露光デー
タを作成する場合に比べ、膨大なメモリ容量や無駄な処
理時間を節約することが可能となる。

【００３９】

【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図３〜14は、本発明の実施例に係る露
光データ作成装置及び露光データ作成方法を説明する図
である。図３は、本発明の実施例に係る露光データ作成
装置の構成図であり、図４，５は、その補足説明図をそ
れぞれ示している。

【００４０】例えば、被分割パターンデータＤ１に基づ
いてブロック露光データＤOUT を出力する露光データ作
成装置は、図３において、露光パターンメモリ21Ａ，イ
ンターバルメモリ21Ｂ，露光データメモリ21Ｃ，マトリ
クス分解エディタ２２，特性分割エディタ２３，単純分
割エディタ２４，ＣＰＵ（中央演算処理装置）２５，キ
ーボード26Ａ，ディスプレイ装置26Ｂ及びシステムバス
２７から成る。

【００４１】すなわち、露光パターンメモリ21Ａは記憶
手段１１の一部を構成し、被設計ＬＳＩの被露光パター
ン１７に係る被分割パターンデータＤ１を記憶するもの
である。なお、被分割パターンデータＤ１は、図４に示
すように、被露光パターン１７の左下から各頂点（変化
点）の座標を反時計回りに記述するデータ（Shape 化表
現データ）を用いる。

【００４２】インターバルメモリ21Ｂは記憶手段１１の
一部を構成し、被露光パターン１７の被分割パターンデ
ータＤ１から作成された間隔データＤ２を記憶するもの
である。なお、間隔データＤ２及びインターバルテーブ
ルについては図９において詳述する。

【００４３】露光データメモリ21Ｃは記憶手段１１の一
部を構成し、被露光パターン１７の繰返しブロックパタ
ーンデータＤ３，特徴ブロックパターンデータＤ４及び
単純ブロックパターンデータＤ５に基づくブロック露光
データＤOUT を格納するものである。

【００４４】マトリクス分解エディタ２２は第１のパタ
ーン分割手段１２の一実施例であり、被分割パターンデ
ータＤ１及び間隔データＤ２に基づいて被露光パターン
１７の繰り返し特徴パターンＰＡを抽出して該被露光パ
ターン１７を，例えば、ステンシルマスクに形成された
ブロックサイズのコンタクトホールや配線パターン等の
繰り返し特徴パターンＰＡに分割するものである。な
お、マトリクス分解エディタ２２の制御処理フローチャ
ート及びその他については、図７〜９において詳述す
る。

【００４５】特性分割エディタ２３は第２のパターン分
割手段１３の一実施例であり、被分割パターンデータＤ
１及び間隔データＤ２に基づいて被露光パターン１７の
繰り返し特徴パターンＰＡ以外の特徴パターンＰＢを抽
出して該被露光パターン１７を，例えば、矩形部，斜辺
部及び複雑な形状を含む電源線の接続部となるビアホー
ル等の特徴パターンＰＢに分割するものである。なお、
特性分割エディタ２３の制御処理フローチャート及びそ
の他については、図10，11において詳述する。

【００４６】単純分割エディタ２４は第３のパターン分
割手段１４の一実施例であり、被露光パターン１７を露
光ショットサイズＳに応じて単純に分割をするものであ
る。なお、単純分割エディタ２４のパターン分割処理の
内容については、図12，13において詳述する。

【００４７】ＣＰＵ（中央演算処理装置）２５は制御手
段１５の一実施例であり、露光パターンメモリ21Ａ，イ
ンターバルメモリ21Ｂ，露光データメモリ21Ｃ，マトリ
クス分解エディタ２２，特性分割エディタ２３，単純分
割エディタ２４，キーボード26Ａ及びディスプレイ装置
26Ｂ等の入出力を制御するものである。

【００４８】例えば、ＣＰＵ２５は第１のパターン分割
処理の際に、被露光パターン１７の間隔データＤ２の異
同区分をする第１の制御フラグＦ１を付加したり、該第
１の制御フラグＦ１を判定して、パターン分割位置ＰＸ
を設定するものである。

【００４９】また、ＣＰＵ２５は第２のパターン分割処
理の際に、被露光パターン１７に基準パターン幅Φを設
定したり、該基準パターン幅Φに基づいて間隔データＤ
２の異同区分をする第２の制御フラグＦ２を，例えば間
隔データＤ２に付加し、該第２の制御フラグＦ２の判定
に基づいてパターン分割位置ＰＸを設定するものであ
る。

【００５０】ここで、間隔データＤ２の異同区分とは、
インタバルテーブルに並べられた間隔データＤ２の同質
のデータの連続部分と異質のデータの連続部分とを区切
ることをいい、また、データの連続部分とは、間隔デー
タＤ２の２つ以上の組が再度出現する部分をいうものと
する。なお、第１，第２の制御フラグＦ１，Ｆ２は、デ
ータの連続部分の区切り点に付加するものである。ま
た、ＣＰＵ２５による被分割パターンデータＤ１の入力
処理については図４，５において詳述する。

【００５１】キーボード26Ａはデータ入出力手段１６の
一部を構成するものであり、オペレータがパターン分割
処理をする場合に、制御文などの外部入力データＤ６を
入力するものである。

【００５２】ディスプレイ装置26Ｂはデータ入出力手段
１６の一部を構成するものであり、表示データＤ７に基
づいて被設計ＬＳＩの被露光パターン１７やその座標数
値等を表示するものである。

【００５３】システムバス２７は、露光パターンメモリ
21Ａ，インターバルメモリ21Ｂ，露光データメモリ21
Ｃ，マトリクス分解エディタ２２，特性分割エディタ２
３，単純分割エディタ２４，ＣＰＵ２５，キーボード26
Ａ及びディスプレイ装置26Ｂ等を接続し、各データＤ１
〜Ｄ７を伝送するものである。

【００５４】図４，５は、本発明の実施例に係る露光パ
ターンテーブルの補足説明図（その１，２）であり、図
４は、本発明の実施例に係るデータ変換状態図を示して
いる。

【００５５】図４において、被分割パターンデータＤ１
は被露光パターン１７の左下から各頂点（変化点）の座
標を反時計回りに記述するデータ（Shape化表現デー
タ）を，例えば、始点（2000, 5000）を原点（基準）と
する相対座標に変換をする。なお、該座標変換はＣＰＵ
２５により実行される。

【００５６】図５（ａ）は、本発明の実施例に係る露光
パターンテーブルの内容であり、同図５（ｂ）はその一
例を示している。図５（ａ）において、露光パターンテ
ーブルには、アドレス０⁰ にパターンサイズが書き込ま
れる。例えば、被露光パターン１７がブロックサイズ以
内の場合には「１」，それがブロックサイズを越える場
合には「０」が書き込まれる。

【００５７】また、アドレス０¹ にチェックフラグが書
き込まれる。例えば、被露光パターン１７のパターン分
割処理が「未」の場合には「０」，そのパターン分割処
理が「済」の場合には「１」，それが終了の場合には
「１」が書き込まれる。

【００５８】さらに、アドレス１⁰ ，１¹ にはそれぞれ
被露光パターン１７の最小相対座標ｘ min ，ｙ min
が書き込まれ、アドレス２⁰ ，２¹ にはそれぞれ被露光
パターン１７の最大相対座標ｘ max ，ｙ max が書き
込まれる。

【００５９】また、アドレス３⁰ には被露光パターン１
７の変化点となる座標点数（ｍ）が書き込まれる。な
お、アドレス３¹ は「空き」であり、アドレス４⁰ ，４
¹ 以降は、被露光パターン１７のそれぞれの変化点に係
る座標ｘ，ｙが書き込まれる。

【００６０】図５（ｂ）は配線パターンを模した被露光
パターン１７の被分割パターンデータＤ１に係る露光パ
ターンテーブルの内容の一例を示している。このように
して、本発明の実施例に係る露光データ作成装置によれ
ば、図３に示すように、露光パターンメモリ21Ａ，イン
ターバルメモリ21Ｂ，露光データメモリ21Ｃ，マトリク
ス分解エディタ２２，特性分割エディタ２３，単純分割
エディタ２４，ＣＰＵ２５，キーボード26Ａ，ディスプ
レイ装置26Ｂ及びシステムバス２７が具備されている。

【００６１】例えば、ＣＰＵ２５及びキーボード26Ａを
介して被露光パターン１７の被分割パターンデータＤ１
が露光パターンメモリ21Ａから読み出されると、被露光
パターン１７の繰り返し特徴パターンＰＡが抽出されて
該被露光パターン１７がマトリクス分解エディタ２２に
より分割される。また、被露光パターン１７の繰り返し
特徴パターンＰＡ以外の特徴パターンＰＢが抽出されて
該被露光パターン１７が特性分割エディタ２３により分
割される。さらに、被露光パターン１７を露光ショット
サイズＳに応じて単純に単純分割エディタ２４により分
割される。

【００６２】このため、被設計ＬＳＩが高集積，高密度
化した場合であっても、従来例のような偏向フィールド
ライン分割処理や矩形分割処理等の一律のパターン
分割アルゴリズムにのみに依存してブロック露光データ
ＤOUT を作成することが無くなる。

【００６３】これにより、被露光パターン１７を効率良
く分割することができ、実用的な時間内で多種多様な被
露光パターン１７に係る被分割パターンデータＤ１を適
切なブロック露光データＤOUT に変換することが可能と
なる。

【００６４】次に、本発明の実施例に係る露光データ作
成方法について、当該装置の動作を補足しながら説明を
する。図６〜13は、本発明の実施例に係る露光データ作
成方法の説明図であり、図６はそのメインルーチンに係
るブロック露光データの作成フローチャートを示してい
る。なお、図７，10はそのサブルーチンに係る処理フロ
ーチャートであり、図８，９，図11〜13はその補足説明
図をそれぞれ示している。

【００６５】例えば、露光ショットサイズＳを越える被
露光パターン１７のブロック露光データＤOUT を作成す
る場合であって、被分割パターンデータＤ１に基づいて
ブロック露光データＤOUT を作成する場合、図６の処理
フローチャートにおいて、まず、ステップＰ１で被露光
パターン１７の露光パターンテーブルの作成処理をす
る。この際に、キーボード26Ａを介して制御文などの外
部入力データＤ６がオペレータより入力されると、被設
計ＬＳＩの設計データがシステムバス２７を介して転送
されてくる。

【００６６】これにより、図４に示すような座標変換処
理がＣＰＵ２５により実行され、その被分割パターンデ
ータＤ１が露光パターンメモリ21Ａに記憶される。次い
で、ステップＰ２で露光ショットサイズＳと被露光パタ
ーン１７の比較処理をする。この際に、露光ショットサ
イズＳ，すなわち、ブロックサイズＢよりも被露光パタ
ーン１７の方が大きい場合（ＹES）にはステップＰ３に
移行する。また、それが小さい場合（ＮＯ）にはステッ
プＰ７に移行する。

【００６７】ここで、両者の比較処理はＣＰＵ２５によ
り実行される。例えば、露光パターンメモリ21Ａから読
み出された被分割パターンデータＤ１に基づく被露光パ
ターン１７の露光パターンテーブルにおいて、そのパタ
ーンサイズの「１」，「０」が判断される。

【００６８】さらに、ステップＰ３で被露光パターン１
７のインターバルテーブルの作成処理をする。この際
に、被分割パターンデータＤ１に基づいて被露光パター
ン１７の図形ループ内のパターン変化点間の間隔ＳＸを
数値化した間隔データＤ２の作成処理をする。例えば、
図９に示すようなインターバルテーブルは、図８に示し
た被露光パターン１７の露光パターンテーブルにおける
座標間の差データがＣＰＵ２５を介して演算されること
により得られる。また、差データは間隔データＤ２とし
てインターバルメモリ21Ｂに記憶される。

【００６９】次に、ステップＰ４で被分割パターンデー
タＤ１に基づいて被露光パターン１７の繰り返し特徴パ
ターンＰＡを分割するマトリクス分解処理をする。な
お、マトリクス分解処理は、図７のサブルーチンに係る
処理フローチャートに示すように、ステップP4Ａでイン
ターバルテーブルの間隔データＤ２の２つ以上の組が再
度出現する部分を探し出してマーク（ｍark ）をする。
この際に、被露光パターン１７の間隔データＤ２の異同
区分をするマークが第１の制御フラグＦ１としてＣＰＵ
２５により付加処理される。

【００７０】さらに、ステップP4Ｂで他のデータの組で
再度出現するデータがあるか否の判断をする。この際
に、再度出現するデータがある場合（ＹES）には、ステ
ップP4Ａに戻り、それが無い場合（ＮＯ）には、ステッ
プP4Ｃでマークの種類が変わる所で被露光パターン１７
の切断をする。ここで、ＣＰＵ２５により第１の制御フ
ラグＦ１が判定処理され、パターン分割位置ＰＸが設定
処理される。

【００７１】その後、ステップP4Ｄで同じ部分を抜き出
して被露光パターン１７を順次切断をする。これによ
り、マトリクス分解エディタ２２により被露光パターン
１７の繰り返し特徴パターンＰＡが抽出され、該被露光
パターン１７から、例えば、ステンシルマスクに形成さ
れたブロックサイズのコンタクトホールや配線パターン
等の繰り返し特徴パターン（以下要素パターンともい
う）ＰＡが分割され、該要素パターンＰＡに係る繰返し
ブロックパターンデータＤ３が露光データメモリ21Ｃに
転送される。

【００７２】次いで、図６のメインルーチンに戻って、
そのステップＰ５で被分割パターンデータＤ１に基づい
て被露光パターン１７の繰り返し特徴パターンＰＡ以外
の特徴パターンＰＢを分割する特性分割処理をする。な
お、特性分割処理は、図10のサブルーチンに係る処理フ
ローチャートに示すように、ステップP5Ａで被露光パタ
ーン１７に基準パターン幅Φ，例えばΦ＝ 100をセット
する。

【００７３】その後、ステップP5Ｂでインターバルテー
ブルの間隔データＤ２が「０」以外の値で連続している
部分にマークをする。さらに、ステップP5Ｃで基準パタ
ーン幅Φ以下の間隔データＤ２の箇所に凹凸部分にマー
クをする。

【００７４】その後、ステップP5Ｄでマークの種類が変
わる所で被露光パターン１７を切断する。この際に、基
準パターン幅Φに基づいて間隔データＤ２の異同区分を
するマークがＣＰＵ２５により第２の制御フラグＦ２と
して付加処理される。なお、ＣＰＵ２５により第２の制
御フラグＦ２が判定処理され、パターン分割位置ＰＸが
設定処理される。

【００７５】これにより、ステップP5Ｄで被露光パター
ン１７の特性部分を抜き出して分割する。ここで、特性
分割エディタ２３により被露光パターン１７の要素パタ
ーンＰＡ以外の特徴パターンＰＢが抽出され、該被露光
パターン１７から，例えば、矩形部，斜辺部及び複雑な
形状を含む電源線の接続部となるビアホール等の特徴パ
ターンＰＢが分割され、該特徴パターンＰＢに係る特徴
ブロックパターンデータＤ４が露光データメモリ21Ｃに
転送される。

【００７６】さらに、図６のメインルーチンに戻って、
そのステップＰ６で被分割パターンデータＤ１に基づい
て被露光パターン１７を露光ショットサイズＳに応じて
単純に分割する単純分割処理をする。

【００７７】この際の単純分割処理は、図12（ａ），
（ｂ）の補足説明図に示すように被露光パターン１７の
一端に分割基準点ＰＲの設定処理をし、分割基準点ＰＲ
から露光ショットサイズＳ，例えば、ブロックサイズＢ
＝４〔μｍ〕，（面積１６〔μｍ² 〕）に応じて該被露
光パターン１７にパターン分割位置ＰＸとなる分割ライ
ンＰX1〜ＰX3の設定処理をする。例えば、単純分割エデ
ィタ２４により図12（ａ）のような露光パターンテーブ
ルにおいて、アドレス６，７，アドレス８，９間に分割
ラインが設定され、ブロックパターンＢＰに係る単純ブ
ロックパターンデータＤ５が露光データメモリ21Ｃに転
送される。

【００７８】また、分割ラインＰX3の設定処理の際に、
極細パターンが発生する場合には、露光ショットサイズ
Ｓの範囲内で該分割ラインＰX3の調整処理をする。さら
に、図13の補足説明図のように、当該被露光パターン１
７に隣接して露光ショットサイズＳ以内に他のパターン
が存在する場合には、当該被露光パターン１７の分割ラ
インＰX2の始点を変更して該他のパターンの内包処理を
する。

【００７９】その後、図６のメインルーチンに戻って、
そのステップＰ７でブロックパターンの抽出処理が全て
終了したか否かの判断をする。この際に、ブロックパタ
ーンの抽出処理が全て終了した場合（ＹES）には、ブロ
ック露光データＤOUT の作成処理を終了する。また、該
抽出処理が終了していない場合（ＮＯ）には、ステップ
Ｐ１に戻ってブロック露光データＤOUT の作成処理を継
続する。

【００８０】これにより、露光データメモリ21Ｃに繰返
しブロックパターンデータＤ３，特徴ブロックパターン
データＤ４及び単純ブロックパターンデータＤ５に基づ
くブロック露光データＤOUT が格納される。

【００８１】このようにして、本発明の実施例に係る本
発明の露光データ作成方法によれば図６のメインルーチ
ンに係る処理フローチャートに示すように、ステップＰ
１で被分割パターンデータＤ１の作成処理をした後、ス
テップＰ４〜Ｐ６でマトリクス分解処理，特性分解処理
及び単純分割処理を順次実行している。

【００８２】このため、マトリクス分解処理により被露
光パターン１７のコンタクトホールや配線パターン等の
繰り返し特徴パターンＰＡが分割されると、続いて、特
性分解処理により被露光パターン１７の矩形部，斜辺部
及び複雑な形状を含む電源線の接続部となるビアホール
等の特徴パターンＰＢが分割される。

【００８３】このことで、単純分割処理の対象となるの
は、被露光パターン１７の中のこれ等の残りの部分のパ
ターンとなる。このことから、従来例に比べてブロック
パターン数を極力低減させること、また、露光ショット
サイズＳの範囲内で該分割ラインＰX3が調整処理される
ことから極細パターンの発生を極力阻止すること、及
び、ブロックパターンの種類を最小限に留めることが可
能となる。

【００８４】これにより、従来例のように一律のパター
ン分割アルゴリズムにのみに依存してブロック露光デー
タＤOUT を作成する場合に比べ、膨大なメモリ容量や無
駄な処理時間を節約することが可能となる。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光デー
タ作成装置によれば記憶手段，第１〜第３のパターン分
割手段，制御手段及びデータ入出力手段が具備されてい
る。

【００８６】このため、被設計ＬＳＩが高集積，高密度
化した場合であっても、第１〜第３のパターン分割手段
により、被露光パターンの繰り返し特徴パターン，該パ
ターン以外の特徴パターン及び単純なブロックパターン
を効率良く分割することができ、実用的な時間内で適切
なブロック露光データに変換することが可能となる。

【００８７】また、本発明の露光データ作成方法によれ
ば、被分割パターンデータを作成した後、第１〜第３の
パターン分割処理を適宜に組み合わせて、被露光パター
ンのブロックパターンの抽出処理をしている。

【００８８】このため、ブロックサイズよりも大きな被
露光パターンについてもブロック化が可能となり、電子
ビーム図形選択露光データ等を有効に作成することが可
能となる。また、従来例に比べてブロックパターン数を
極力低減させること、極細パターンの発生を極力阻止す
ること、及び、ブロックパターンの種類を最小限に留め
ることが可能となる。

【００８９】これにより、 0.2〔μｍ〕ルール以下の微
細パターンの高速描画が可能となることから、 256
〔Ｍ〕ＤＲＡＭ以上の超微細ＬＳＩパターンの量産性に
寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る露光データ作成装置の原理図であ
る。

【図２】本発明に係る露光データ作成方法の原理図であ
る。

【図３】本発明の実施例に係る露光データ作成装置の構
成図である。

【図４】本発明の実施例に係る露光パターンテーブルの
補足説明図（その１）である。

【図５】本発明の実施例に係る露光パターンテーブルの
補足説明図（その２）である。

【図６】本発明の実施例に係るブロック露光データの作
成フローチャートである。

【図７】本発明の実施例に係るマトリクス分解処理のフ
ローチャートである。

【図８】本発明の実施例に係るマトリクス分解処理の補
足説明図（その１）である。

【図９】本発明の実施例に係るマトリクス分解処理の補
足説明図（その２）である。

【図10】本発明の実施例に係る特性分割処理のフローチ
ャートである。

【図11】本発明の実施例に係る特性分割処理の補足説明
図である。

【図12】本発明の実施例に係る単純分割処理の補足説明
図（その１）である。

【図13】本発明の実施例に係る単純分割処理の補足説明
図（その２）である。

【図14】従来例に係る露光データ作成装置の説明図であ
る。

【符号の説明】

１１…記憶手段、 １２，１３，１４…第１〜第３のパターン分割手段、 １５…制御手段、 １６…データ入出力手段、 Ｄ１…被分割パターンデータ、 Ｄ２…間隔データ、 Ｄ３…その他のデータ、 ＤOUT …ブロック露光データ、 Ｓ…露光ショットサイズ、 ＰＡ…繰り返し特徴パターン、 ＰＡ…特徴パターン、 ＢＰ…ブロックパターン。

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被露光パターン（１７）のブロック露光デ
   ータの作成するための各種データ（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３
   …）を記憶する記憶手段（１１）と、 前記被露光パターン（１７）中のパターンがある形状を
   繰り返してなる場合には、該パターン（ＰＡ）を抽出し
   て該被露光パターン（１７）を分割する第１のパターン
   分割手段（１２）と、 前記被露光パターン（１７）中のパターンが矩形部、斜
   辺部又は複雑な形状を含む場合には、該パターン（Ｐ
   Ｂ）を抽出して該被露光パターン（１７）を分割する第
   ２のパターン分割手段（１３）と、 前記被露光パターン（１７）を露光ショットサイズ
   （Ｓ）に応じて単純に分割をする第３のパターン分割手
   段（１４）と、 前記記憶手段（１１）、第１のパターン分割手段（１
   ２）、第２のパターン分割手段（１３）及び第３のパタ
   ーン分割手段（１４）の間のデータの入出力を制御する
   制御手段（１５）とを、 具備することを特徴とする露光データ作成装置。
2. 【請求項２】前記記憶手段（１１）、第１のパターン分
   割手段（１２）、第２のパターン分割手段（１３）、第
   ３のパターン分割手段（１４）及び制御手段（１５）の
   間のデータの入出力を補助するデータ入出力手段（１
   ６）を有することを特徴とする請求項１に記載の露光デ
   ータ作成装置。
3. 【請求項３】被露光パターン（１７）のブロック露光デ
   ータの作成するための各種データ（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３
   …）を記憶する記憶手段（１１）と、 前記被露光パターン（１７）中のパターンがある形状を
   繰り返してなる場合には、該パターン（ＰＡ）を抽出し
   て該被露光パターン（１７）を分割する第１のパターン
   分割手段（１２）と、 前記被露光パターン（１７）中のパターンが矩形部、斜
   辺部又は複雑な形状を含む場合には、該パターン（Ｐ
   Ｂ）を抽出して該被露光パターン（１７）を分割する第
   ２のパターン分割手段（１３）と、 前記被露光パターン（１７）を露光ショットサイズ
   （Ｓ）に応じて単純に分割をする第３のパターン分割手
   段（１４）と、 前記記憶手段（１１）、第１のパターン分割手段（１
   ２）、第２のパターン分割手段（１３）及び第３のパタ
   ーン分割手段（１４）の間のデータの入出力を制御する
   制御手段（１５）とを、 具備することを特徴とする露光データ作成方法。
4. 【請求項４】前記被分割露光パターンデータ（Ｄ１）に
   基づいて、パターン変化点の間隔を数値化した間隔デー
   タ（Ｄ２）を作成することを特徴とする請求項３に記載
   の露光データ作成方法。
5. 【請求項５】前記第１のパターン分割手段（１２）にお
   いて、 前記間隔データ（Ｄ２）内で、２以上の連続した値の組
   と同じである２以上の連続した値の組が出現する場合に
   は、出願した全ての２以上の連続した値の組に印を付け
   ることによってパターン分割位置（ＰＸ）を設定し、該
   パターン分割位置（ＰＸ）に基づいて前記被露光パター
   ン（１７）を分割することを特徴とする請求項３に記載
   の露光データ作成方法。
6. 【請求項６】前記第２のパターン分割手段（１３）にお
   いて、 基準パターン幅（Φ）の設定し、前記間隔データ（Ｄ
   ２）内の該基準パターン幅（Φ）以下の幅を有するデー
   タに印を付けることによってパターン分割位置（ＰＸ）
   を設定し、該パターン分割位置（ＰＸ）に基づいて前記
   被露光パターン（１７）を分割することを特徴とする請
   求項３に記載の露光データ作成方法。
7. 【請求項７】前記第３のパターン分割手段（１４）にお
   いて、 前記被露光パターン（１７）の一端に分割基準点（Ｐ
   Ｒ）の設け、該分割基準点（ＰＲ）から露光ショットサ
   イズ（Ｓ）に前記被露光パターン（１７）を単純分割す
   ることを特徴とする請求項３に記載の露光データ作成方
   法。
8. 【請求項８】前記第３のパターン分割手段（１４）にお
   いて、 前記被露光パターン（１７）を前記分割基準点（ＰＲ）
   から前記露光ショットサイズ（Ｓ）に単純分割する場合
   において極細パターンが生じる場合には、 前記極細パターンの前の前記露光ショットサイズ（Ｓ）
   に分割されたパターンを用いて該露光ショットサイズ
   （Ｓ）内で分割するパターンの大きさを調節することを
   特徴とする請求項７に記載の露光データ作成方法。