JP5414043B2 - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画データ作成装置 - Google Patents

Description

本発明は、描画データに含まれている図形に対応するパターンが荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画装置に関する。

更に、本発明は、レイアウトデータをデータ変換処理することによって荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを作成する荷電粒子ビーム描画データ作成装置に関する。

従来から、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データに複数のセルが含まれており、各セルに１個以上含まれている図形に対応するパターンが、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００８−２１８８５７号公報）の図１、図２等に記載されたものがある。

特許文献１の図１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム描画装置に入力された階層化された描画データが、複数のデータ処理部（演算ユニット）に振り分けられ、複数のデータ処理部（演算ユニット）によって並列してデータ処理される。

詳細には、特許文献１の図１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、試料上の描画領域が複数のブロック群に仮想分割されている。更に、描画データのうち、一のブロック群に含まれているセルが、一のデータ処理部（演算ユニット）に振り分けられ、データ処理される。また、描画データのうち、他のブロック群に含まれているセルが、他のデータ処理部（演算ユニット）に振り分けられ、一のデータ処理部（演算ユニット）によるデータ処理に並列してデータ処理される。

また、従来から、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれているレイアウトデータをデータ変換処理することにより、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを作成する荷電粒子ビーム描画データ作成装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画データ作成装置の例としては、例えば特許文献２（特開２００９−１００７７号公報）の図３、特許文献３（特開２００８−４７７２２号公報）の図２等に記載されたものがある。

特許文献２の図３に記載された荷電粒子ビーム描画データ作成装置では、荷電粒子ビーム描画データ作成装置に入力された階層化されたレイアウトデータが、複数のデータ変換処理部（データ処理ユニット）に振り分けられ、複数のデータ変換処理部（データ処理ユニット）によって並列してデータ変換処理される。

特開２００８−２１８８５７号公報 特開２００９−１００７７号公報 特開２００８−４７７２２号公報

ところで、特許文献１の図１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、上述したように、描画データのうち、一のブロック群に含まれているセルが、一のデータ処理部（演算ユニット）に振り分けられてデータ処理され、描画データのうち、他のブロック群に含まれているセルが、他のデータ処理部（演算ユニット）に振り分けられ、一のデータ処理部（演算ユニット）によるデータ処理に並列してデータ処理されるものの、描画データに含まれている複数のセルが複数のデータ処理部（演算ユニット）に振り分けられる前の段階では、描画データに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を変更する処理が実行されない。

また、特許文献２の図３に記載された荷電粒子ビーム描画データ作成装置では、上述したように、荷電粒子ビーム描画データ作成装置に入力された階層化されたレイアウトデータが、複数のデータ変換処理部（データ処理ユニット）に振り分けられ、複数のデータ変換処理部（データ処理ユニット）によって並列してデータ変換処理されるものの、レイアウトデータに含まれている複数のセルが複数のデータ変換処理部（データ処理ユニット）に振り分けられる前の段階では、レイアウトデータに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を変更する処理が実行されない。

本発明は、描画データに含まれている複数のセルが複数のデータ処理部に振り分けられる前の段階で描画データに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を適切に変更する処理を実行することにより、複数のデータ処理部におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間（アイドルタイム）および総処理時間を低減することができる荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。

更に、本発明は、レイアウトデータに含まれている複数のセルが複数のデータ変換処理部に振り分けられる前の段階でレイアウトデータに含まれているセルのサイズあるいはデータ量を適切に変更する処理を実行することにより、複数のデータ変換処理部におけるデータ変換処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ変換処理部における無駄な待ち時間（アイドルタイム）および総処理時間を低減することができる荷電粒子ビーム描画データ作成装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれている描画データが入力される入力部と、
入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第１セル再定義部と、
第１セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含む複数のセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
第１分割処理部、第１セル再定義部および第２分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

好ましくは、第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍より大きくなる場合に、
第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍以下になる場合に、
第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第３分割処理部が設けられる。

あるいは、好ましくは、第３分割処理部が設けられる代わりに、第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第５閾値以上のデータ量を有するセルを、少なくとも、第５閾値未満のデータ量を有する第１の種類の図形を含むセルと、第５閾値未満のデータ量を有する第２の種類の図形を含むセルとに分けることによって、１セル当たり第５閾値未満のデータ量を有する異なる複数のセルとして再定義する第２セル再定義部が設けられる。

本発明の別の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれている描画データが入力される入力部と、
入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍より大きくなる場合に、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍以下になる場合に、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
第１分割処理部およ第２分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の更に別の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれているレイアウトデータが入力される入力部と、
入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の複数の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第１セル再定義部と、
第１セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
第１分割処理部、第１セル再定義部および第２分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置が提供される。

好ましくは、第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍より大きくなる場合に、
第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍以下になる場合に、
第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第３分割処理部が設けられる。

あるいは、好ましくは、第３分割処理部が設けられる代わりに、第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第５閾値以上のデータ量を有するセルを、少なくとも、第５閾値未満のデータ量を有する第１の種類の図形を含むセルと、第５閾値未満のデータ量を有する第２の種類の図形を含むセルとに分けることによって、１セル当たり第５閾値未満のデータ量を有する異なる複数のセルとして再定義する第２セル再定義部が設けられる。

本発明の更に別の一態様によれば、少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれているレイアウトデータが入力される入力部と、
入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍より大きくなる場合に、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍以下になる場合に、
第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
第１分割処理部および第２分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置が提供される。

本発明によれば、複数のデータ処理部におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間（アイドルタイム）および総処理時間を低減することができる。

更に、本発明によれば、複数のデータ変換処理部におけるデータ変換処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ変換処理部における無駄な待ち時間（アイドルタイム）および総処理時間を低減することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。 制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。 描画データＤ１の一例を概略的に示した図である。 描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。 描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。 描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。 試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，・・と、小領域ＤＰＢ１，ＤＰＢ２，・・と、セルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６，・・との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ１が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２によって処理される一例を示した図である。 アレイ型の複数の図形ＦＧＡ，ＦＧＢを含むセルＣＬ１ａ２の一例を示した図である。 非アレイ型の複数の図形ＦＧＣ，ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪを含むセルＣＬ１ａ１の一例を示した図である。 非アレイ型のセルＣＬ１ａ１を分割処理することにより生成された４個の非アレイ型のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄの一例を示した図である。 仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２を分割処理した場合に生成される４個のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄの一例を示した図である。 仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２を分割処理した場合に生成される４個のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄの一例を示した図である。 セルＣＬ１のデータ量と、セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ，ＣＬ１ａ２，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ２が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２によって処理される一例を示した図である。 セルＣＬ２のデータ量と、セルＣＬ２ａ１ａ，ＣＬ２ａ１ｂ，ＣＬ２ａ１ｃ，ＣＬ２ａ１ｄ，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ３が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２によって処理される一例を示した図である。 セルＣＬ３が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２によって処理される一例を示した図である。 セルＣＬ３のデータ量と、セルＣＬ３ａ１ａ，ＣＬ３ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ１ａ１ａ，・・，ＣＬ１ｄ，ＣＬ２ａ１ａ，・・，ＣＬ２ｄ，ＣＬ３ａ１ａ，・・，ＣＬ３ｈのデータが振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。 第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ処理モジュール１０ｂ１ｊなどを説明するための図である。 第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ処理モジュール１０ｂ１ｋなどを説明するための図である。 第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ処理モジュール１０ｂ１ｌなどを説明するための図である。 第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 セルＣＬ１が第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６によって処理される一例を示した図である。 セル再定義部１０ｂ１ｄ６においてアレイ型のセルＣＬ１ａ２を再定義することによって生成されるアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａの一例を示した図である。 セル再定義部１０ｂ１ｄ６においてアレイ型のセルＣＬ１ａ２を再定義することによって生成されるアレイ型のセルＣＬ１ａ２ｂの一例を示した図である。 セルＣＬ１のデータ量と、セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータが第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６によって処理され、振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。 第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 セルＣＬ１が第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理される一例を示した図である。 セルＣＬ１のデータ量と、セルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ２が第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理される一例を示した図である。 セルＣＬ２のデータ量と、セルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ３が第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理される一例を示した図である。 セルＣＬ３のデータ量と、ＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ１，ＣＬ３ｃ２，ＣＬ３ｃ３，ＣＬ３ｃ４，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。 セルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータが第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理され、振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。 第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、マスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、試料Ｍ上の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤ１が、制御計算機１０ｂ１に入力されると、読み込みモジュール１０ｂ１ａによって読み込まれ、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納される。次いで、例えば、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納された描画データＤ１が、ローカライザー（入力データ分割モジュール、ディストリビュータ）１０ｂ１ｄによって入力バッファ１０ｂ１ｂから読み出される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄの分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２において、描画データＤ１に含まれている複数のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６，・・（図８参照）に対し、後で詳細に説明する処理が実行される。次いで、その処理が実行された後の複数のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６，・・が、ローカライザー１０ｂ１ｄの振り分け部１０ｂ１ｄ５によって、小領域ＤＰＢ１，ＤＰＢ２，・・（図８参照）単位にまとめられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅの複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６に振り分けられて転送される。

詳細には、図２に示す例では、例えば、小領域ＤＰＢ１（図８参照）に含まれているセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３（図８参照）に関するデータが、振り分け部１０ｂ１ｄ５によってデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３に振り分けられて転送される。また、小領域ＤＰＢ２（図８参照）に含まれているセルＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６（図８参照）に関するデータが、振り分け部１０ｂ１ｄ５によってデータ処理部１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６に振り分けられて転送される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１に転送されたセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３（図８参照）に関するデータが、データ処理部１０ｂ１ｅ１によって描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換処理される。また、データ処理部１０ｂ１ｅ２に転送されたセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３に関するデータが、データ処理部１０ｂ１ｅ１によるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ２によって描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換処理される。更に、データ処理部１０ｂ１ｅ３に転送されたセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３に関するデータが、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２によるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ３によって描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換処理される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ４に転送されたセルＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６（図８参照）に関するデータが、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ４によって描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換処理される。また、データ処理部１０ｂ１ｅ５に転送されたセルＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６に関するデータが、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４によるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ５によって描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換処理される。更に、データ処理部１０ｂ１ｅ６に転送されたセルＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６に関するデータが、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５によるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ６によって描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換処理される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６による並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤ２が、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。次いで、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納された描画装置内部フォーマットデータＤ２が、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送された描画装置内部フォーマットデータＤ２が、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって変換処理され、試料Ｍ上にパターンを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、ローカライザー１０ｂ１ｄ、データ処理モジュール（コンバータモジュール）１０ｂ１ｅ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇ等が管理されている。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、例えば、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍ上の所望の位置に照射される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図３（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図３（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって制御することにより、例えば、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）および図３（Ｅ）に示すような概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、図３（Ｆ）、図３（Ｇ）、図３（Ｈ）および図３（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。

図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたレイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤ１が、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）および描画データＤ１では、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。

図４は図１および図２に示す描画データＤ１の一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ１（図１および図２参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。

詳細には、図４に示す例では、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，・・，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤ１（図１および図２参照）に含まれる多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図４参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上の描画領域ＤＡ（図５参照）に描画される。

図５は描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図５に示す例では、試料Ｍ上の描画領域ＤＡが例えば６個の短冊状のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に仮想分割されている。

図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ１内を図５の右側から図５の左側に向かって走査され、描画データＤ１（図１および図２参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ２内を図５の左側から図５の右側に向かって走査され、描画データＤ１（図１および図２参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ２内に描画される。次いで、同様に、描画データＤ１（図１および図２参照）に含まれる多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図４参照）に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・（図６参照）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６内に描画される。

詳細には、図５に示す例では、例えば、ストライプ枠ＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の左側から図５の右側）に移動するように、テージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、ストライプ枠ＳＴＲ２内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａが図５の上側から図５の下側に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、ストライプ枠ＳＴＲ２内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａが図５の右側から図５の左側）にに移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図６は描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。

図６に示す例では、例えば、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）内の領域が、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図６に示す例では、例えば、描画データＤ１（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ内に照射されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。次いで、主偏向器１０ａ１ｅの制御が完了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１が描画されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時にパターンＰ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ２が描画されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆが制御され、パターンＰ１の描画と同様にパターンＰ２の描画が実行される。

次いで、図６に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｎ内のすべてのパターンＰ１，Ｐ２，・・の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ＋１内に照射されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御され、パターンＰ１，Ｐ２の描画と同様にパターンＰ１１，Ｐ１２の描画が実行される。

図７は描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ１（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１（図６参照）が、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図７に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットが行われる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が、最大サイズのパターンＰよりも大きい場合などに、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって、描画データＤ１に含まれる図形ＦＧ１が、パターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉに対応する複数の小さい図形（図示せず）にデータ上で分割処理（ショット分割処理）され、ショットデータが生成される。

詳細には、図７に示す例では、例えば、まず最初に、図７（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａが試料Ｍ上に描画される。

更に詳細には、図７に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｎ（図６参照）に位置決めするための偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）による主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ａ（図７（Ａ）参照）が描画されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｈによる副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時にパターンＰ１ａを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットが開始されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによってブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、偏向制御部１０ｂ１ｈによる副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時にパターンＰ１ａを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによってビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。次いで、パターンＰ１ａを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによってブランキング偏向器１０ａ１ｃが制御される。

次いで、図７に示す例では、例えば、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットにより、パターンＰ１ｂ（図７（Ｂ）参照）が描画される。次いで、例えば、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、パターンＰ１ｃ（図７（Ｃ）参照）が描画される。次いで、例えば、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、パターンＰ１ｄ（図７（Ｄ）参照）が描画される。次いで、例えば、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、パターンＰ１ｅ（図７（Ｅ）参照）が描画される。次いで、例えば、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、パターンＰ１ｆ（図７（Ｆ）参照）が描画される。次いで、例えば、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、パターンＰ１ｇ（図７（Ｇ）参照）が描画される。次いで、例えば、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、パターンＰ１ｈ（図７（Ｈ）参照）が描画される。次いで、例えば、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、パターンＰ１ｉ（図７（Ｉ）参照）が描画される。その結果、図７に示す例では、描画データＤ１（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が試料Ｍ上に描画される。

図７に示す例では、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）のショットを４回行っても試料Ｍ上にパターンＰ１を描画することができず、試料Ｍ上にパターンＰ１を描画するためには９回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの４回のショットと、最大サイズのパターンＰ（図３（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの５回のショットとにショット分割処理されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばパターンＰ１ｉ（図７（Ｉ）参照）のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割処理が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの９回のショットによってパターンＰ１（図７（Ｉ）参照）を描画する場合には、パターンＰ１を図７の左右方向３列×図７の上下方向３列に９等分したパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットによって描画される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７（Ａ）〜図７（Ｉ）に示すように、描画データＤ１（図１および図２参照）に含まれる図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３（Ａ）参照）によって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ３（図５および図６参照）内に描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の左側から図５の右側に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によって可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図８〜図２１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の特徴的な部分である図２に示す分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２における処理などを詳細に説明するための図である。詳細には、図８は試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，・・と、小領域ＤＰＢ１，ＤＰＢ２，・・と、セルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６，・・との関係の一例を示した図である。図８に示す例では、例えば、試料Ｍ上の描画領域ＤＡ（図５参照）のストライプ枠ＳＴＲ１が、複数の小領域ＤＰＢ１，ＤＰＢ２，・・に仮想分割されている。更に、例えば３個のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３が小領域ＤＰＢ１内に含まれており、例えば３個のセルＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６が小領域ＤＰＢ２内に含まれている。

具体的に、図８に示す例では、例えば、まず最初に、入力バッファ１０ｂ１ｂ（図２参照）に格納されている描画データＤ１（図２参照）のうち、小領域ＤＰＢ１に含まれている３個のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータが、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）によって読み出される。

図９は図８に示すセルＣＬ１が図２に示す分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２によって処理される一例を示した図である。図８および図９（Ａ）に示す例では、次いで、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ１（図２参照）において、セルＣＬ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図９（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示す例では、セルＣＬ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（Ａμｍ）より大きいため、１個のセルＣＬ１（図９（Ａ）参照）が、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図９（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図９（Ａ）、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）のセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図９（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図８、図９（Ａ）、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）に示す例では、例えば、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有するセルＣＬ１ａ（図９（Ｂ）参照）が、アレイ型の複数の図形ＦＧＡ，ＦＧＢ（図１０（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｃ）参照）と、非アレイ型の複数の図形ＦＧＣ，ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪ（図１１（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ１（図９（Ｃ）参照）とに分けられ、異なるセルＣＬ１ａ１，ＣＬ１ａ２として再定義される。

図１０はアレイ型の複数の図形ＦＧＡ，ＦＧＢを含むセルＣＬ１ａ２の一例を示した図である。詳細には、図１０（Ａ）はセルＣＬ１ａ２とセルＣＬ１ａ２に含まれる図形ＦＧＡ，ＦＧＢとの関係の一例を示した図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）に示すセルＣＬ１ａ２のパタンデータを示した図である。図１０（Ｂ）において括弧内の数字はバイト数を表している。図１０に示す例では、例えば、幅寸法（図１０（Ａ）の左右方向寸法）ｗＡおよび高さ寸法（図１０（Ａ）の上下方向寸法）ｈＡを有し、座標（ｘＡ，ｙＡ）に配置された図形ＦＧＡが、ｘ方向（図１０（Ａ）の左右方向）にピッチｐｘで４回繰り返され（繰り返し回数ｎｘ＝４）、ｙ方向（図１０（Ａ）の上下方向）にピッチｐｙで４回繰り返され（繰り返し回数ｎｙ＝４）、セルＣＬ１ａ２内に配列されている。つまり、１６個の図形ＦＧＡがセルＣＬ１ａ２内に配列されている。１６個の図形ＦＧＡデータのデータ量は、合計で１６バイトになる（図１０（Ｂ）参照）。

また、図１０に示す例では、例えば、幅寸法（図１０（Ａ）の左右方向寸法）ｗＢおよび高さ寸法（図１０（Ａ）の上下方向寸法）ｈＢを有し、座標（ｘＢ，ｙＢ）に配置された図形ＦＧＢが、ｘ方向（図１０（Ａ）の左右方向）にピッチｐｘで４回繰り返され（繰り返し回数ｎｘ＝４）、ｙ方向（図１０（Ａ）の上下方向）にピッチｐｙで４回繰り返され（繰り返し回数ｎｙ＝４）、セルＣＬ１ａ２内に配列されている。つまり、１６個の図形ＦＧＢがセルＣＬ１ａ２内に配列されている。１６個の図形ＦＧＢデータのデータ量は、合計で１６バイトになる（図１０（Ｂ）参照）。すなわち、図１０に示す例では、セルＣＬ１ａ２パタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で３６バイトになる。

図１１は非アレイ型の複数の図形ＦＧＣ，ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪを含むセルＣＬ１ａ１の一例を示した図である。詳細には、図１１（Ａ）はセルＣＬ１ａ１とセルＣＬ１ａ１に含まれる図形ＦＧＣ，・・，ＦＧＪとの関係の一例を示した図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）に示すセルＣＬ１ａ１のパタンデータを示した図である。図１１（Ｂ）において括弧内の数字はバイト数を表している。

図１１に示す例では、例えば、幅寸法（図１１（Ａ）の左右方向寸法）ｗＣおよび高さ寸法（図１１（Ａ）の上下方向寸法）ｈＣを有する図形ＦＧＣがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＣ，ｙＣ）に配置されている。更に、幅寸法ｗＤおよび高さ寸法ｈＤを有する図形ＦＧＤがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＤ，ｙＤ）に配置されている。また、幅寸法ｗＥおよび高さ寸法ｈＥを有する図形ＦＧＥがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＥ，ｙＥ）に配置されている。更に、幅寸法ｗＦおよび高さ寸法ｈＦを有する図形ＦＧＦがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＦ，ｙＦ）に配置されている。また、幅寸法ｗＧおよび高さ寸法ｈＧを有する図形ＦＧＧがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＧ，ｙＧ）に配置されている。更に、幅寸法ｗＨおよび高さ寸法ｈＨを有する図形ＦＧＨがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＨ，ｙＨ）に配置されている。また、幅寸法ｗＩおよび高さ寸法ｈＩを有する図形ＦＧＩがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＩ，ｙＩ）に配置されている。更に、幅寸法ｗＪおよび高さ寸法ｈＪを有する図形ＦＧＪがセルＣＬ１ａ１内の座標（ｘＪ，ｙＪ）に配置されている。つまり、８個の図形ＦＧＣ，ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪがセルＣＬ１ａ１内に配列されている。図形ＦＧＣデータのデータ量は、合計で８バイトになる（図１１（Ｂ）参照）。同様に、図形ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪのそれぞれのデータのデータ量は、合計で８バイトになる（図１１（Ｂ）参照）。すなわち、図１１に示す例では、セルＣＬ１ａ１パタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で６８バイトになる。

次いで、図８、図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）および図９（Ｄ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義された非アレイ型のセルＣＬ１ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｄ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図９（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）、図９（Ｄ）および図９（Ｅ）に示す例では、非アレイ型のセルＣＬ１ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｄ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個の非アレイ型のセルＣＬ１ａ１（図９（Ｄ）参照）が、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個の非アレイ型のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ（図９（Ｅ）参照）に分割処理される。

図１２は非アレイ型のセルＣＬ１ａ１を分割処理することにより生成された４個の非アレイ型のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄの一例を示した図である。詳細には、図１２（Ａ）はセルＣＬ１ａ１ａとセルＣＬ１ａ１ａに含まれる図形ＦＧＣ，ＦＧＤとの関係を示した図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）に示すセルＣＬ１ａ１ａのパタンデータを示した図である。図１２（Ｃ）はセルＣＬ１ａ１ｂとセルＣＬ１ａ１ｂに含まれる図形ＦＧＥ，ＦＧＦとの関係を示した図、図１２（Ｄ）は図１２（Ｃ）に示すセルＣＬ１ａ１ｂのパタンデータを示した図である。図１２（Ｅ）はセルＣＬ１ａ１ｃとセルＣＬ１ａ１ｃに含まれる図形ＦＧＧ，ＦＧＨとの関係を示した図、図１２（Ｆ）は図１２（Ｅ）に示すセルＣＬ１ａ１ｃのパタンデータを示した図である。図１２（Ｇ）はセルＣＬ１ａ１ｄとセルＣＬ１ａ１ｄに含まれる図形ＦＧＩ，ＦＧＪとの関係を示した図、図１２（Ｈ）は図１２（Ｇ）に示すセルＣＬ１ａ１ｄのパタンデータを示した図である。図１２（Ｂ）、図１２（Ｄ）、図１２（Ｆ）および図１２（Ｈ）において括弧内の数字はバイト数を表している。

図１２（Ｂ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２参照）による分割処理後のセルＣＬ１ａ１ａパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で２０バイトになる。また、図１２（Ｄ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ３による分割処理後のセルＣＬ１ａ１ｂパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で２０バイトになる。更に、図１２（Ｆ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ３による分割処理後のセルＣＬ１ａ１ｃパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で２０バイトになる。また、図１２（Ｇ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ３による分割処理後のセルＣＬ１ａ１ｄパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で２０バイトになる。つまり、図１１および図１２に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ３による分割処理後のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄのパタンデータの合計のデータ量が、８０バイトになり、分割処理部１０ｂ１ｄ３による分割処理前のセルＣＬ１ａ１パタンデータのデータ量（６８バイト）に比べて僅かに（パタンデータのヘッダ数の増加分だけ）増加する。

次いで、図８、図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）、図９（Ｄ）および図９（Ｅ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルＣＬ１ａ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｅ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図９（Ｅ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）、図９（Ｄ）、図９（Ｅ）および図９（Ｆ）に示す例では、アレイ型のセルＣＬ１ａ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｅ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ｅ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個のアレイ型のセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）を、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）参照）に分割処理するか否かが検討される。

図１３および図１４は仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２を分割処理した場合に生成される４個のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄの一例を示した図である。詳細には、図１３（Ａ）はセルＣＬ１ａ２ａとセルＣＬ１ａ２ａに含まれる図形ＦＧＡ，ＦＧＢとの関係を示した図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）に示すセルＣＬ１ａ２ａのパタンデータを示した図である。図１３（Ｃ）はセルＣＬ１ａ２ｂとセルＣＬ１ａ２ｂに含まれる図形ＦＧＡ，ＦＧＢとの関係を示した図、図１３（Ｄ）は図１３（Ｃ）に示すセルＣＬ１ａ２ｂのパタンデータを示した図である。図１４（Ａ）はセルＣＬ１ａ２ｃとセルＣＬ１ａ２ｃに含まれる図形ＦＧＡ，ＦＧＢとの関係を示した図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）に示すセルＣＬ１ａ２ｃのパタンデータを示した図である。図１４（Ｃ）はセルＣＬ１ａ２ｄとセルＣＬ１ａ２ｄに含まれる図形ＦＧＡ，ＦＧＢとの関係を示した図、図１４（Ｄ）は図１４（Ｃ）に示すセルＣＬ１ａ２ｄのパタンデータを示した図である。図１３（Ｂ）、図１３（Ｄ）、図１４（Ｂ）および図１４（Ｄ）において括弧内の数字はバイト数を表している。

図１３（Ｂ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で３６バイトになる。また、図１３（Ｄ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４によって仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ｂパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で３６バイトになる。更に、図１４（Ｂ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４によって仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ｃパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で３６バイトになる。また、図１４（Ｄ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４によって仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されると分割処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ｄパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で３６バイトになる。つまり、図１０、図１３および図１４に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４によって仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄのパタンデータの合計のデータ量が、１４４バイトになり、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理前のアレイ型のセルＣＬ１ａ２パタンデータのデータ量（３６バイト）の４倍に増加する。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルであって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズを有するセルを、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理が実行されない。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルであって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズを有するセルを、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になる場合に、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理が実行される。

上述したように、図１０、図１３および図１４に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって仮にアレイ型のセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理前のアレイ型のセルＣＬ１ａ２パタンデータのデータ量（３６バイト）の４倍に増加するため、図９（Ｅ）および図９（Ｆ）に示すように、分割処理部１０ｂ１ｄ４によるアレイ型のセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されない。

つまり、図９に示す例では、セルＣＬ１（図９（Ａ）参照）が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ａ（図９（Ｅ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ｂ（図９（Ｅ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ｃ（図９（Ｅ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ｄ（図９（Ｅ）参照）と、アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）と、セルＣＬ１ｂ（図９（Ｅ）参照）と、セルＣＬ１ｃ（図９（Ｅ）参照）と、セルＣＬ１ｄ（図９（Ｅ）参照）とが振り分け部１０ｂ１ｄ５（図２参照）に送られる。

図１５は図９（Ａ）に示すセルＣＬ１のデータ量と、図９（Ｅ）に示すセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ，ＣＬ１ａ２，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図１５（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理が実行される前におけるセルＣＬ１のデータ量を示しており、図１５（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理が実行された後におけるセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ，ＣＬ１ａ２，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量を示している。図１６は図８に示すセルＣＬ２が図２に示す分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２によって処理される一例を示した図である。

図８、図９および図１６（Ａ）に示す例では、上述したセルＣＬ１（図９参照）の処理に次いで、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ１（図２参照）において、セルＣＬ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１６（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１６（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示す例では、セルＣＬ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１６（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１６（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（Ａμｍ）より大きいため、１個のセルＣＬ２（図１６（Ａ）参照）が、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ（図１６（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図９、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）のセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ（図１６（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図８、図９、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示す例では、例えば、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有するセルＣＬ２ａ（図１６（Ｂ）参照）が、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ２ａ２（図１６（Ｃ）参照）と、非アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ２ａ１（図１６（Ｃ）参照）とに分けられ、異なるセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２として再定義される。

次いで、図８、図９、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）および図１６（Ｄ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義された非アレイ型のセルＣＬ２ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１６（Ｄ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１６（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）、図１６（Ｄ）および図１６（Ｅ）に示す例では、非アレイ型のセルＣＬ２ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１６（Ｄ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１６（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個の非アレイ型のセルＣＬ２ａ１（図１６（Ｄ）参照）が、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個の非アレイ型のセルＣＬ２ａ１ａ，ＣＬ２ａ１ｂ，ＣＬ２ａ１ｃ，ＣＬ２ａ１ｄ（図１６（Ｅ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図９、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）、図１６（Ｄ）および図１６（Ｅ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルＣＬ２ａ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１６（Ｅ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１６（Ｅ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）、図１６（Ｄ）、図１６（Ｅ）および図１６（Ｆ）に示す例では、アレイ型のセルＣＬ２ａ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１６（Ｅ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１６（Ｅ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個のアレイ型のセルＣＬ２ａ２（図１６（Ｅ）参照）を、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個のアレイ型のセルＣＬ２ａ２ａ，ＣＬ２ａ２ｂ，ＣＬ２ａ２ｃ，ＣＬ２ａ２ｄ（図１６（Ｆ）参照）に分割処理するか否かが検討される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、上述したように、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルであって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズを有するセルを、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理が実行されない。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、上述したように、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルであって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズを有するセルを、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になる場合に、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理が実行される。

図８、図９、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）、図１６（Ｄ）、図１６（Ｅ）および図１６（Ｆ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって仮にアレイ型のセルＣＬ２ａ２（図１６（Ｅ）参照）の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルＣＬ２ａ２ａ，ＣＬ２ａ２ｂ，ＣＬ２ａ２ｃ，ＣＬ２ａ２ｄ（図１６（Ｆ）参照）のパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理前のアレイ型のセルＣＬ２ａ２パタンデータのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなるため、分割処理部１０ｂ１ｄ４によるアレイ型のセルＣＬ２ａ２の分割処理が実行されない。

つまり、図１６に示す例では、セルＣＬ２（図１６（Ａ）参照）が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルＣＬ２ａ１ａ（図１６（Ｅ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ２ａ１ｂ（図１６（Ｅ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ２ａ１ｃ（図１６（Ｅ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ２ａ１ｄ（図１６（Ｅ）参照）と、アレイ型の図形を含むセルＣＬ２ａ２（図１６（Ｅ）参照）と、セルＣＬ２ｂ（図１６（Ｅ）参照）と、セルＣＬ２ｃ（図１６（Ｅ）参照）と、セルＣＬ２ｄ（図１６（Ｅ）参照）とが振り分け部１０ｂ１ｄ５（図２参照）に送られる。

図１７は図１６（Ａ）に示すセルＣＬ２のデータ量と、図１６（Ｅ）に示すセルＣＬ２ａ１ａ，ＣＬ２ａ１ｂ，ＣＬ２ａ１ｃ，ＣＬ２ａ１ｄ，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図１７（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理が実行される前におけるセルＣＬ２のデータ量を示しており、図１７（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理が実行された後におけるセルＣＬ２ａ１ａ，ＣＬ２ａ１ｂ，ＣＬ２ａ１ｃ，ＣＬ２ａ１ｄ，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの合計のデータ量を示している。図１８および図１９は図８に示すセルＣＬ３が図２に示す分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２によって処理される一例を示した図である。

図８、図９、図１６および図１８（Ａ）に示す例では、上述したセルＣＬ１，ＣＬ２（図９および図１６参照）の処理に次いで、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ１（図２参照）において、セルＣＬ３のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１８（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）に示す例では、セルＣＬ３のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１８（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（Ａμｍ）より大きいため、１個のセルＣＬ３（図１８（Ａ）参照）が、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する８個のセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図１８（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）のセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する８個のセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図１８（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）に示す例では、例えば、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有するセルＣＬ３ａ（図１８（Ｂ）参照）が、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ３ａ２（図１８（Ｃ）参照）と、非アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ３ａ１（図１８（Ｃ）参照）とに分けられ、異なるセルＣＬ３ａ１，ＣＬ３ａ２として再定義される。また、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有するセルＣＬ３ｂ（図１８（Ｂ）参照）が、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ３ｂ２（図１８（Ｃ）参照）と、非アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ３ｂ１（図１８（Ｃ）参照）とに分けられ、異なるセルＣＬ３ｂ１，ＣＬ３ｂ２として再定義される。更に、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有するセルＣＬ３ｃ（図１８（Ｂ）参照）が、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ３ｃ２（図１８（Ｃ）参照）と、非アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ３ｃ１（図１８（Ｃ）参照）とに分けられ、異なるセルＣＬ３ｃ１，ＣＬ３ｃ２として再定義される。

次いで、図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）および図１８（Ｄ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義された非アレイ型のセルＣＬ３ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ｄ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１８（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）、図１８（Ｄ）および図１８（Ｅ）に示す例では、非アレイ型のセルＣＬ３ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ｄ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１８（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個の非アレイ型のセルＣＬ３ａ１（図１８（Ｄ）参照）が、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個の非アレイ型のセルＣＬ３ａ１ａ，ＣＬ３ａ１ｂ，ＣＬ３ａ１ｃ，ＣＬ３ａ１ｄ（図１８（Ｅ）参照）に分割処理される。

また、図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）および図１８（Ｄ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義された非アレイ型のセルＣＬ３ｂ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ｄ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１８（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）、図１８（Ｄ）および図１８（Ｅ）に示す例では、非アレイ型のセルＣＬ３ｂ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ｄ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１８（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個の非アレイ型のセルＣＬ３ｂ１（図１８（Ｄ）参照）が、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個の非アレイ型のセルＣＬ３ｂ１ａ，ＣＬ３ｂ１ｂ，ＣＬ３ｂ１ｃ，ＣＬ３ｂ１ｄ（図１８（Ｅ）参照）に分割処理される。

更に、図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）および図１８（Ｄ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義された非アレイ型のセルＣＬ３ｃ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ｄ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１８（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）、図１８（Ｄ）および図１８（Ｅ）に示す例では、非アレイ型のセルＣＬ３ｃ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図１８（Ｄ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１８（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個の非アレイ型のセルＣＬ３ｃ１（図１８（Ｄ）参照）が、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個の非アレイ型のセルＣＬ３ｃ１ａ，ＣＬ３ｃ１ｂ，ＣＬ３ｃ１ｃ，ＣＬ３ｃ１ｄ（図１８（Ｅ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図９、図１６、図１８および図１９（Ａ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルＣＬ３ａ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１９（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１９（Ａ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示す例では、アレイ型のセルＣＬ３ａ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１９（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１９（Ａ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個のアレイ型のセルＣＬ３ａ２（図１９（Ａ）参照）を、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個のアレイ型のセルＣＬ３ａ２ａ，ＣＬ３ａ２ｂ，ＣＬ３ａ２ｃ，ＣＬ３ａ２ｄ（図１９（Ｂ）参照）に分割処理するか否かが検討される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、上述したように、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルであって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズを有するセルを、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理が実行されない。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、上述したように、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルであって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズを有するセルを、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する複数のアレイ型のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のアレイ型のセルの合計のデータ量が分割処理前のアレイ型のセルのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になる場合に、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理が実行される。

図８、図９、図１６、図１８、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって仮にアレイ型のセルＣＬ３ａ２の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルＣＬ３ａ２ａ，ＣＬ３ａ２ｂ，ＣＬ３ａ２ｃ，ＣＬ３ａ２ｄのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理前のアレイ型のセルＣＬ３ａ２パタンデータのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなるため、分割処理部１０ｂ１ｄ４によるアレイ型のセルＣＬ３ａ２の分割処理が実行されない。

また、図８、図９、図１６、図１８および図１９（Ａ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルＣＬ３ｂ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１９（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１９（Ａ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示す例では、アレイ型のセルＣＬ３ｂ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１９（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１９（Ａ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個のアレイ型のセルＣＬ３ｂ２（図１９（Ａ）参照）を、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個のアレイ型のセルＣＬ３ｂ２ａ，ＣＬ３ｂ２ｂ，ＣＬ３ｂ２ｃ，ＣＬ３ｂ２ｄ（図１９（Ｂ）参照）に分割処理するか否かが検討される。

図８、図９、図１６、図１８、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって仮にアレイ型のセルＣＬ３ｂ２の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルＣＬ３ｂ２ａ，ＣＬ３ｂ２ｂ，ＣＬ３ｂ２ｃ，ＣＬ３ｂ２ｄのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理前のアレイ型のセルＣＬ３ｂ２パタンデータのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなるため、分割処理部１０ｂ１ｄ４によるアレイ型のセルＣＬ３ｂ２の分割処理が実行されない。

更に、図８、図９、図１６、図１８および図１９（Ａ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって再定義されたアレイ型のセルＣＬ３ｃ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１９（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図１９（Ａ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図９、図１６、図１８、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示す例では、アレイ型のセルＣＬ３ｃ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図１９（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図１９（Ａ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個のアレイ型のセルＣＬ３ｃ２（図１９（Ａ）参照）を、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個のアレイ型のセルＣＬ３ｃ２ａ，ＣＬ３ｃ２ｂ，ＣＬ３ｃ２ｃ，ＣＬ３ｃ２ｄ（図１９（Ｂ）参照）に分割処理するか否かが検討される。

図８、図９、図１６、図１８、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示す例では、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によって仮にアレイ型のセルＣＬ３ｃ２の分割処理が実行されると、分割処理後のアレイ型のセルＣＬ３ｃ２ａ，ＣＬ３ｃ２ｂ，ＣＬ３ｃ２ｃ，ＣＬ３ｃ２ｄのパタンデータの合計のデータ量が、分割処理部１０ｂ１ｄ４による分割処理前のアレイ型のセルＣＬ３ｃ２パタンデータのデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなるため、分割処理部１０ｂ１ｄ４によるアレイ型のセルＣＬ３ｃ２の分割処理が実行されない。

つまり、図１８および図１９に示す例では、セルＣＬ３（図１８（Ａ）参照）が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ａ１ａ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ａ１ｂ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ａ１ｃ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ａ１ｄ（図１９（Ａ）参照）と、アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ａ２（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｂ１ａ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｂ１ｂ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｂ１ｃ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｂ１ｄ（図１９（Ａ）参照）と、アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｂ２（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｃ１ａ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｃ１ｂ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｃ１ｃ（図１９（Ａ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｃ１ｄ（図１９（Ａ）参照）と、アレイ型の図形を含むセルＣＬ３ｃ２（図１９（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ｄ（図１９（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ｅ（図１９（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ｆ（図１９（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ｇ（図１９（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ｈ（図１９（Ａ）参照）とが振り分け部１０ｂ１ｄ５（図２参照）に送られる。

図２０は図１８（Ａ）に示すセルＣＬ３のデータ量と、図１９（Ａ）に示すセルＣＬ３ａ１ａ，ＣＬ３ａ１ｂ，ＣＬ３ａ１ｃ，ＣＬ３ａ１ｄ，ＣＬ３ａ２，ＣＬ３ｂ１ａ，ＣＬ３ｂ１ｂ，ＣＬ３ｂ１ｃ，ＣＬ３ｂ１ｄ，ＣＬ３ｂ２，ＣＬ３ｃ１ａ，ＣＬ３ｃ１ｂ，ＣＬ３ｃ１ｃ，ＣＬ３ｃ１ｄ，ＣＬ３ｃ２，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図２０（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理が実行される前におけるセルＣＬ３のデータ量を示しており、図２０（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理が実行された後におけるセルＣＬ３ａ１ａ，ＣＬ３ａ１ｂ，ＣＬ３ａ１ｃ，ＣＬ３ａ１ｄ，ＣＬ３ａ２，ＣＬ３ｂ１ａ，ＣＬ３ｂ１ｂ，ＣＬ３ｂ１ｃ，ＣＬ３ｂ１ｄ，ＣＬ３ｂ２，ＣＬ３ｃ１ａ，ＣＬ３ｃ１ｂ，ＣＬ３ｃ１ｃ，ＣＬ３ｃ１ｄ，ＣＬ３ｃ２，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈの合計のデータ量を示している。

図２１は図１５（Ｂ）に示すセルＣＬ１ａ１ａ，・・，ＣＬ１ｄのデータ、図１７（Ｂ）に示すセルＣＬ２ａ１ａ，・・，ＣＬ２ｄのデータ、および、図２０（Ｂ）に示すセルＣＬ３ａ１ａ，・・，ＣＬ３ｈのデータが、図２に示す振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられ、図２に示すデータ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。詳細には、図２１（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２における処理が実行される第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられたセルＣＬ１ａ１ａ，・・，ＣＬ１ｄのデータ、セルＣＬ２ａ１ａ，・・，ＣＬ２ｄのデータおよびセルＣＬ３ａ１ａ，・・，ＣＬ３ｈのデータがデータ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例を示した図である。図２１（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２が設けられていない従来の荷電粒子ビーム描画装置の振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられたセルＣＬ１のデータ、セルＣＬ２のデータおよびセルＣＬ３のデータがデータ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例を示した図である。

図２１において、時間ｔ０〜時間ｔＡは、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示しており、時間ｔ０〜時間ｔＢは、従来の荷電粒子ビーム描画装置においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示している。また、時間ΔｔＡは、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３の無駄な待ち時間（アイドルタイム）を示しており、時間ΔｔＢは、従来の荷電粒子ビーム描画装置においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部１０ｂ１ｅ１の無駄な待ち時間（アイドルタイム）を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、各セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図２１（Ａ）参照）が有するデータ量が小さくなるように、かつ、好ましくは、概略均一になるように、分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理が実行された後の複数のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈが、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２参照）に振り分けられ、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される。

そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、大きいデータ量を有する複数のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３（図２１（Ｂ）参照）が複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２参照）に振り分けられ複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２参照）における無駄な待ち時間（時間ΔｔＡ←時間ΔｔＢ）（図２１参照）および総処理時間（時間ｔ０〜時間ｔＡ←時間ｔ０〜時間ｔＢ）（図２１参照）を低減することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）および図１０（Ａ）参照）を複数のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）、図１３（Ａ）、図１３（Ｃ）、図１４（Ａ）および図１４（Ｃ）参照）に分割処理すると分割処理後の複数のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄの合計のデータ量が大きく増加する場合に、分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）によってアレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２の分割処理が実行されない。

そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）および図１０（Ａ）参照）が複数のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）、図１３（Ａ）、図１３（Ｃ）、図１４（Ａ）および図１４（Ｃ）参照）に分割処理されるのに伴って、分割処理後の複数のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図１５（Ｂ）参照）の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１（図１５（Ａ）参照）のデータ量に比べて大きく増加してしまうのを回避することができる。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６（図２参照）におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる。

特に、近年においては、例えば後述する理由などから、荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）に入力される描画データＤ１（図１および図２参照）のデータ量が増加する傾向がある。従って、データ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、将来的に非常に有効であると考えられる。

荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）に入力される描画データＤ１（図１および図２参照）のデータ量が増加する理由としては、例えば、試料Ｍ（図１参照）がマスクとして用いられる場合における光近接効果補正（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）などがある。マスクパターンの転写像はコーナー丸みなど、マスクパターンに対して変形する性質があり、この性質が光近接効果と呼ばれている。光近接効果補正では、マスクパターンに対する転写像の変形分を予測し、マスクパターンが予め変形せしめられる。詳細には、例えば、図５に示す試料Ｍがマスクとして用いられ、試料Ｍ上の描画領域ＤＡ（図５参照）内に描画された多数のパターンがマスクパターン（透光領域）として用いられる場合に、描画領域ＤＡの周縁部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いと、描画領域ＤＡの中心部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いとは異なってくる。

仮に、同一形状の図形（パターン）が描画領域ＤＡ全体にアレイ状に配列されている場合であって、光近接効果を補正しない場合には、その図形データのデータ量は、例えば図１０（Ｂ）に示す図形ＦＧＡデータのデータ量（１６バイト）のように、比較的小さいデータ量になる。ところが、光近接効果を補正する場合には、上述したように、描画領域ＤＡの周縁部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いと、描画領域ＤＡの中心部付近に位置するマスクパターンに関する光近接効果の度合いとは異なってくるため、すべての図形を、図１０（Ｂ）に示すようなアレイ型のパタンデータで表現することができなくなり、図１１（Ｂ）に示すような非アレイ型（フラット型）のパタンデータで表現する必要がある。その結果、光近接効果を補正する場合には、光近接効果を補正しない場合に比べ、描画データＤ１（図１および図２参照）全体のデータ量が増加してしまう。このような理由などから、上述したように、データ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、非常に有効であると考えられる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６（図２参照）によって描画データＤ１（図２参照）を描画装置内部フォーマットデータＤ２（図２参照）に変換する処理が実行されるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６によって、クラスタ分割処理を実行すると共に、描画データＤ１を描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換する処理を実行することも可能である（クラスタ分割処理については、例えば特開２００８−８５２４８号公報の段落〔００５３〕参照）。

図２２は第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ処理モジュール１０ｂ１ｊなどを説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６（図２参照）によって描画データＤ１（図２参照）を描画装置内部フォーマットデータＤ２（図２参照）に変換する処理が実行されるが、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６によって描画データＤ１を描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換する処理が実行されると共に、データ処理部１０ｂ１ｊ１，１０ｂ１ｊ２，１０ｂ１ｊ３，１０ｂ１ｊ４，１０ｂ１ｊ５，１０ｂ１ｊ６（図２２参照）によって、図７に示すようなショット分割処理が実行され、各ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）内のショット数が算出され、そのショット数などに基づいて、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によって各ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６内にパターンを描画する時の可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の移動速度が算出される（詳細については、例えば特開２０００−２１７４７号公報の段落〔０００９〕など参照）。

第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２２参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２２参照）による処理によって生成されたセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図２１（Ａ）参照）がデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２および図２１（Ａ）参照）に振り分けられる手法と同様の手法によって、セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図２１（Ａ）参照）がデータ処理部１０ｂ１ｊ１，１０ｂ１ｊ２，１０ｂ１ｊ３（図２２参照）に振り分けられる。

図２３は第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ処理モジュール１０ｂ１ｋなどを説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６（図２参照）によって描画データＤ１（図２参照）を描画装置内部フォーマットデータＤ２（図２参照）に変換する処理が実行されるが、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６によって描画データＤ１を描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換する処理が実行されると共に、データ処理部１０ｂ１ｋ１，１０ｂ１ｋ２，１０ｂ１ｋ３，１０ｂ１ｋ４，１０ｂ１ｋ５，１０ｂ１ｋ６（図２３参照）により、試料Ｍ（図１参照）がマスクとして用いられる場合に生じる近接効果を補正するための近接効果補正処理が実行される（近接効果については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の段落〔０００４〕参照。近接効果補正処理については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の式３および式４参照）。

第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ，ＣＬ１ａ２，・・（図１０（Ａ）、図１２（Ａ）、図１２（Ｃ）、図１２（Ｅ）、図１２（Ｇ）および図２１（Ａ）参照）に含まれている図形ＦＧＡ，ＦＧＢ，ＦＧＣ，ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪ，・・（図１０（Ａ）、図１２（Ａ）、図１２（Ｃ）、図１２（Ｅ）および図１２（Ｇ）参照）についての近接効果補正処理が、データ処理部１０ｂ１ｋ１，１０ｂ１ｋ２，１０ｂ１ｋ３，１０ｂ１ｋ４，１０ｂ１ｋ５，１０ｂ１ｋ６（図２３参照）によって行われ、補正されたデータが、例えばショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）などにおいて用いられる。

第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２３参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２３参照）による処理によって生成されたセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図２１（Ａ）参照）がデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２および図２１（Ａ）参照）に振り分けられる手法と同様の手法によって、セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図２１（Ａ）参照）がデータ処理部１０ｂ１ｋ１，１０ｂ１ｋ２，１０ｂ１ｋ３（図２３参照）に振り分けられる。

図２４は第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ処理モジュール１０ｂ１ｌなどを説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６（図２参照）によって描画データＤ１（図２参照）を描画装置内部フォーマットデータＤ２（図２参照）に変換する処理が実行されるが、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６によって描画データＤ１を描画装置内部フォーマットデータＤ２に変換する処理が実行されると共に、データ処理部１０ｂ１ｌ１，１０ｂ１ｌ２，１０ｂ１ｌ３，１０ｂ１ｌ４，１０ｂ１ｌ５，１０ｂ１ｌ６（図２４参照）により、試料Ｍ（図１参照）がマスクとして用いられる場合に生じるかぶり（フォギング効果）を補正するためのかぶり補正処理が実行される（かぶり（フォギング効果）については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の段落〔０００４〕参照。かぶり補正処理については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の式１３および式１４参照）。

第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、実際に描画されるパターンＰ１（図６参照）の形状がかぶり（フォギング効果）によって図形ＦＧ１（図４参照）の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうのを回避するために、データ処理部１０ｂ１ｌ１，１０ｂ１ｌ２，１０ｂ１ｌ３，１０ｂ１ｌ４，１０ｂ１ｌ５，１０ｂ１ｌ６（図２４参照）においてかぶり補正処理が行われる。

詳細には、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ，ＣＬ１ａ２，・・（図１０（Ａ）、図１２（Ａ）、図１２（Ｃ）、図１２（Ｅ）、図１２（Ｇ）および図２１（Ａ）参照）に含まれている図形ＦＧＡ，ＦＧＢ，ＦＧＣ，ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪ，・・（図１０（Ａ）、図１２（Ａ）、図１２（Ｃ）、図１２（Ｅ）および図１２（Ｇ）参照）についてのかぶり補正処理が、データ処理部１０ｂ１ｌ１，１０ｂ１ｌ２，１０ｂ１ｌ３，１０ｂ１ｌ４，１０ｂ１ｌ５，１０ｂ１ｌ６（図２４参照）によって行われ、補正されたデータが、例えばショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）などにおいて用いられる。

第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４（図２３参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２３参照）による処理によって生成されたセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図２１（Ａ）参照）がデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２および図２１（Ａ）参照）に振り分けられる手法と同様の手法によって、セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図２１（Ａ）参照）がデータ処理部１０ｂ１ｌ１，１０ｂ１ｌ２，１０ｂ１ｌ３（図２４参照）に振り分けられる。

図２５は第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ローカライザー１０ｂ１ｂに分割処理部１０ｂ１ｄ４が設けられているが、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図２５に示すように、セル再定義部１０ｂ１ｄ６が設けられている。図２６は図８に示すセルＣＬ１が図２５に示す第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６によって処理される一例を示した図である。

図８および図２６（Ａ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２５参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ１（図２５参照）において、セルＣＬ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図２６（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図２６（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図２６（Ａ）および図２６（Ｂ）に示す例では、セルＣＬ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図２６（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図２６（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（Ａμｍ）より大きいため、１個のセルＣＬ１（図２６（Ａ）参照）が、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図２６（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）および図２６（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２５参照）のセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２５参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図２６（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図８、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）および図２６（Ｃ）に示す例では、例えば、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有するセルＣＬ１ａ（図２６（Ｂ）参照）が、アレイ型の複数の図形ＦＧＡ，ＦＧＢ（図１０（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ２（図２６（Ｃ）参照）と、非アレイ型の複数の図形ＦＧＣ，ＦＧＤ，ＦＧＥ，ＦＧＦ，ＦＧＧ，ＦＧＨ，ＦＧＩ，ＦＧＪ（図１１（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ１（図２６（Ｃ）参照）とに分けられ、異なるセルＣＬ１ａ１，ＣＬ１ａ２として再定義される。

次いで、図８、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）、図２６（Ｃ）および図２６（Ｄ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２５参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２５参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２５参照）によって再定義された非アレイ型のセルＣＬ１ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図２６（Ｄ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図２６（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）、図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）および図２６（Ｅ）に示す例では、非アレイ型のセルＣＬ１ａ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図２６（Ｄ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図２６（Ｄ）の上下方向寸法））が、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいため、１個の非アレイ型のセルＣＬ１ａ１（図２６（Ｄ）参照）が、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する４個の非アレイ型のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ（図２６（Ｅ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）、図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）および図２６（Ｅ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図２５参照）のセル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）において、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２５参照）によって再定義されたアレイ型のセルＣＬ１ａ２（図１０（Ａ）および図２６（Ｅ）参照）が、第５閾値（例えばＥメガバイト）以上のデータ量を有するか否かが判定される。図８、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）、図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２６（Ｆ）に示す例では、例えば、アレイ型のセルＣＬ１ａ２が第５閾値（Ｅメガバイト）以上のデータ量を有すると判定される。その結果、第５閾値（Ｅメガバイト）以上のデータ量を有するアレイ型のセルＣＬ１ａ２（図１０（Ａ）および図２６（Ｅ）参照）を、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する第１の種類の図形ＦＧＡ（図１０（Ａ）および図２７（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ２ａ（図２６（Ｆ）および図２７（Ａ）参照）と、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する第２の種類の図形ＦＧＢ（図１０（Ａ）および図２８（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ２ｂ（図２６（Ｆ）および図２８（Ａ）参照）とに分けることによって、１セル当たり第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する異なる複数のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ（図２６（Ｆ）、図２７（Ａ）および図２８（Ａ）参照）として再定義される。

図２７はセル再定義部１０ｂ１ｄ６においてアレイ型のセルＣＬ１ａ２を再定義することによって生成されるアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａの一例を示した図である。詳細には、図２７（Ａ）はセルＣＬ１ａ２ａとセルＣＬ１ａ２ａに含まれる図形ＦＧＡとの関係を示した図、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）に示すセルＣＬ１ａ２ａのパタンデータを示した図である。図２７（Ｂ）において括弧内の数字はバイト数を表している。図２８はセル再定義部１０ｂ１ｄ６においてアレイ型のセルＣＬ１ａ２を再定義することによって生成されるアレイ型のセルＣＬ１ａ２ｂの一例を示した図である。詳細には、図２８（Ａ）はセルＣＬ１ａ２ｂとセルＣＬ１ａ２ｂに含まれる図形ＦＧＢとの関係を示した図、図２８（Ｂ）は図２８（Ａ）に示すセルＣＬ１ａ２ｂのパタンデータを示した図である。図２８（Ｂ）において括弧内の数字はバイト数を表している。

図２７（Ｂ）に示す例では、セル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）によってアレイ型のセルＣＬ１ａ２の再定義処理が実行されると処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で２０バイトになる。また、図２８（Ｂ）に示す例では、セル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）によってアレイ型のセルＣＬ１ａ２の再定義処理が実行されると処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ｂパタンデータのデータ量が、ヘッダを含めて合計で２０バイトになる。つまり、図１０、図２７および図２８に示す例では、セル再定義部１０ｂ１ｄ６によってアレイ型のセルＣＬ１ａ２の再定義処理が実行されると、処理後のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂのパタンデータの合計のデータ量が、４０バイトになり、セル再定義部１０ｂ１ｄ６による処理前のアレイ型のセルＣＬ１ａ２パタンデータのデータ量（３６バイト）とほぼ等しくなる。

つまり、図２６に示す例では、セルＣＬ１（図２６（Ａ）参照）が分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３（図２５参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６（図２５参照）によって処理され、その処理によって生成された非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ａ（図２６（Ｆ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ｂ（図２６（Ｆ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ｃ（図２６（Ｆ）参照）と、非アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ１ｄ（図２６（Ｆ）参照）と、アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ２ａ（図２６（Ｆ）参照）と、アレイ型の図形を含むセルＣＬ１ａ２ｂ（図２６（Ｆ）参照）と、セルＣＬ１ｂ（図２６（Ｆ）参照）と、セルＣＬ１ｃ（図２６（Ｆ）参照）と、セルＣＬ１ｄ（図２６（Ｆ）参照）とが振り分け部１０ｂ１ｄ５（図２５参照）に送られる。

図２９は図２６（Ａ）に示すセルＣＬ１のデータ量と、図２６（Ｆ）に示すセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ，ＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図２９（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３（図２５参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６（図２５参照）による処理が実行される前におけるセルＣＬ１のデータ量を示しており、図２９（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３（図２５参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６（図２５参照）による処理が実行された後におけるセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ，ＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量を示している。

図３０は図８に示すセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータが第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６によって処理され、振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。詳細には、図３０（Ａ）は図８に示すセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータが第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３（図２５参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６（図２５参照）によって処理され、振り分け部１０ｂ１ｄ５（図２５参照）によって振り分けられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅ（図２５参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２５参照）によって並列してデータ処理される一例を示した図である。図３０（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３（図２５参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６（図２５参照）が設けられていない従来の荷電粒子ビーム描画装置の振り分け部１０ｂ１ｄ５（図２５参照）によって振り分けられたセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３（図８参照）のデータがデータ処理モジュール１０ｂ１ｅ（図２５参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２５参照）によって並列してデータ処理される一例を示した図である。

図３０（Ａ）に示す例では、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２５参照）によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルＣＬ２ａ２（図１６参照）であって、第５閾値（例えばＥメガバイト）以上のデータ量を有するセルＣＬ２ａ２が、セル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）により、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルＣＬ２ａ２ａ（図３０（Ａ）参照）と、セルＣＬ２ａ２ａに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有するセルＣＬ２ａ２ｂ（図３０（Ａ）参照）とに分けて再定義されている。

また、図３０（Ａ）に示す例では、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２５参照）によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルＣＬ３ａ２（図１８参照）であって、第５閾値（例えばＥメガバイト）以上のデータ量を有するセルＣＬ３ａ２が、セル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）により、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルＣＬ３ａ２ａ（図３０（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ａ２ａに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有するセルＣＬ３ａ２ｂ（図３０（Ａ）参照）とに分けて再定義されている。

更に、図３０（Ａ）に示す例では、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２５参照）によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルＣＬ３ｂ２（図１８参照）であって、第５閾値（例えばＥメガバイト）以上のデータ量を有するセルＣＬ３ｂ２が、セル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）により、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルＣＬ３ｂ２ａ（図３０（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ｂ２ａに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有するセルＣＬ３ｂ２ｂ（図３０（Ａ）参照）とに分けて再定義されている。

また、図３０（Ａ）に示す例では、セル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２５参照）によって再定義されたアレイ型の複数の種類の図形を含むセルＣＬ３ｃ２（図１８参照）であって、第５閾値（例えばＥメガバイト）以上のデータ量を有するセルＣＬ３ｃ２が、セル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）により、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する所定の種類の図形を含むセルＣＬ３ｃ２ａ（図３０（Ａ）参照）と、セルＣＬ３ｃ２ａに含まれている図形の種類とは異なる種類の図形を含んでおり、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有するセルＣＬ３ｃ２ｂ（図３０（Ａ）参照）とに分けて再定義されている。

図３０（Ａ）において、時間ｔ０〜時間ｔＡは、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示している。図３０（Ａ）に示す例では、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間時間ｔ０〜時間ｔＡが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間時間ｔ０〜時間ｔＡ（図２１（Ａ）参照）とほぼ等しくなる。

また、図３０（Ａ）において、時間ΔｔＡは、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３の無駄な待ち時間（アイドルタイム）を示している。図３０（Ａ）に示す例では、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３の無駄な待ち時間時間ΔｔＡが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３の無駄な待ち時間時間ΔｔＡ（図２１（Ａ）参照）とほぼ等しくなる。

第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、各セルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図３０（Ａ）参照）が有するデータ量が小さくなるように、かつ、好ましくは、概略均一になるように、分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３（図２５参照）およびセル再定義部１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６（図２５参照）による処理が実行された後の複数のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈが、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２５参照）に振り分けられ、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される。

そのため、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、大きいデータ量を有する複数のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３（図３０（Ｂ）参照）が複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２５参照）に振り分けられ複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図２５参照）における無駄な待ち時間（時間ΔｔＡ←時間ΔｔＢ）（図３０参照）および総処理時間（時間ｔ０〜時間ｔＡ←時間ｔ０〜時間ｔＢ）（図３０参照）を低減することができる。

更に、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）および図１０（Ａ）参照）を複数のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）、図１３（Ａ）、図１３（Ｃ）、図１４（Ａ）および図１４（Ｃ）参照）に分割処理すると分割処理後の複数のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄの合計のデータ量が大きく増加する可能性がある点に鑑み、第５閾値（例えばＥメガバイト）以上のデータ量を有し、アレイ型の複数の種類の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図１０（Ａ）および図２６（Ｅ）参照）が、セル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）によって、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有し、異なる種類の図形を含む異なるセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ（図２６（Ｆ）、図２７（Ａ）および図２８（Ａ）参照）として再定義される。

そのため、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、図９（Ｅ）および図９（Ｆ）に示すようにアレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）が複数のアレイ型のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）参照）に分割処理されるのに伴って、分割処理後の複数のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，・・，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図２９（Ｂ）参照）の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１（図２９（Ａ）参照）のデータ量に比べて大きく増加してしまうのを回避することができる。

つまり、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６（図２５参照）におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる。

図３１は第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ローカライザー１０ｂ１ｂにセル再定義部１０ｂ１ｄ２および分割処理部１０ｂ１ｄ３，１０ｂ１ｄ４が設けられているが、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図３１に示すように、分割処理部１０ｂ１ｄ７が設けられている。図３２は図８に示すセルＣＬ１が図３１に示す第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理される一例を示した図である。

図８および図３２（Ａ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ１（図３１参照）において、セルＣＬ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３２（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）に示す例では、セルＣＬ１のサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３２（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（Ａμｍ）より大きいため、１個のセルＣＬ１（図３２（Ａ）参照）が、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図３２（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図３２（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図８、図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）に示す例では、例えば、セルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、セルＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図３２（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有さないと判定される。

次いで、図８、図３２（Ａ）、図３２（Ｂ）および図３２（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、かつ、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。

第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になる場合に、その分割処理が実行される。

図８、図３２（Ａ）、図３２（Ｂ）および図３２（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。

図３３は図３２（Ａ）に示すセルＣＬ１のデータ量と、図３２（Ｃ）に示すセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図３３（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理が実行される前におけるセルＣＬ１のデータ量を示しており、図３３（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理が実行された後におけるセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの合計のデータ量を示している。図３４は図８に示すセルＣＬ２が図３１に示す第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理される一例を示した図である。

図８および図３４（Ａ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ１（図３１参照）において、セルＣＬ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３４（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図３４（Ａ）および図３４（Ｂ）に示す例では、セルＣＬ２のサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３４（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（Ａμｍ）より大きいため、１個のセルＣＬ２（図３４（Ａ）参照）が、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ（図３４（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図３４（Ａ）および図３４（Ｂ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ（図３４（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図８、図３４（Ａ）および図３４（Ｂ）に示す例では、例えば、セルＣＬ２ａ（図３４（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、セルＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ（図３４（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有さないと判定される。

次いで、図８、図３４（Ａ）、図３４（Ｂ）および図３４（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、かつ、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３４（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ２ａ（図３４（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３４（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。

第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３４（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ２ａ（図３４（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３４（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４（図３４（Ｃ）参照）に分割処理すると、分割処理後の複数のセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ２ａ（図３４（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ２ａ（図３４（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になる場合に、その分割処理が実行される。

図８、図３４（Ａ）、図３４（Ｂ）および図３４（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３４（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ２ａ（図３４（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３４（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３４（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４（図３４（Ｃ）参照）に分割処理すると、分割処理後の複数のセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４（図３４（Ｃ）参照）の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ２ａ（図３４（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になると判定され、その分割処理が実行される。

図３５は図３４（Ａ）に示すセルＣＬ２のデータ量と、図３４（Ｃ）に示すセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図３５（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理が実行される前におけるセルＣＬ２のデータ量を示しており、図３５（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理が実行された後におけるセルＣＬ２ａ１，ＣＬ２ａ２，ＣＬ２ａ３，ＣＬ２ａ４，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの合計のデータ量を示している。図３６は図８に示すセルＣＬ３が図３１に示す第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理される一例を示した図である。

図８および図３６（Ａ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ１（図３１参照）において、セルＣＬ３のサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３６（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいか否かが判定される。図８、図３６（Ａ）および図３６（Ｂ）に示す例では、セルＣＬ３のサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３６（Ａ）の上下方向寸法））が、第１閾値（Ａμｍ）より大きいため、１個のセルＣＬ３（図３６（Ａ）参照）が、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する８個のセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図３６（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、図８、図３６（Ａ）および図３６（Ｂ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する８個のセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図３６（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図８、図３６（Ａ）および図３６（Ｂ）に示す例では、例えば、セルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ（図３６（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、セルＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図３６（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有さないと判定される。

次いで、図８、図３６（Ａ）、図３６（Ｂ）および図３６（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、かつ、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ（図３６（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。

第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ（図３６（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ（図３６（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ（図３６（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になる場合に、その分割処理が実行される。

詳細には、図８、図３６（Ａ）、図３６（Ｂ）および図３６（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ３ａ（図３６（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ３ａ（図３６（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。

また、図８、図３６（Ａ）、図３６（Ｂ）および図３６（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ３ｂ（図３６（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ３ｂ（図３６（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。

更に、図８、図３６（Ａ）、図３６（Ｂ）および図３６（Ｃ）に示す例では、例えば、ローカライザー１０ｂ１ｄ（図３１参照）の分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ３ｃ（図３６（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３６（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３６（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ３ｃ１，ＣＬ３ｃ２，ＣＬ３ｃ３，ＣＬ３ｃ４（図３６（Ｃ）参照）に分割処理すると、分割処理後の複数のセルＣＬ３ｃ１，ＣＬ３ｃ２，ＣＬ３ｃ３，ＣＬ３ｃ４（図３６（Ｃ）参照）の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ３ｃ（図３６（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になると判定され、その分割処理が実行される。

図３７は図３６（Ａ）に示すセルＣＬ３のデータ量と、図３６（Ｃ）に示すセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ１，ＣＬ３ｃ２，ＣＬ３ｃ３，ＣＬ３ｃ４，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈの合計のデータ量との関係の一例を示した図である。詳細には、図３６（Ａ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理が実行される前におけるセルＣＬ３のデータ量を示しており、図３６（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理が実行された後におけるセルＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ，ＣＬ３ｃ１，ＣＬ３ｃ２，ＣＬ３ｃ３，ＣＬ３ｃ４，ＣＬ３ｄ，ＣＬ３ｅ，ＣＬ３ｆ，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈの合計のデータ量を示している。

図３８は図８に示すセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータが第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７によって処理され、振り分け部１０ｂ１ｄ５によって振り分けられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される一例などを示した図である。詳細には、図３８（Ａ）は図８に示すセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータが第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）によって処理され、振り分け部１０ｂ１ｄ５（図３１参照）によって振り分けられ、データ処理モジュール１０ｂ１ｅ（図３１参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図３１参照）によって並列してデータ処理される一例を示した図である。図３８（Ｂ）は分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）が設けられていない従来の荷電粒子ビーム描画装置の振り分け部１０ｂ１ｄ５（図３１参照）によって振り分けられたセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３（図８参照）のデータがデータ処理モジュール１０ｂ１ｅ（図３１参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図３１参照）によって並列してデータ処理される一例を示した図である。

図３８（Ａ）において、時間ｔ０〜時間ｔＡは、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理されるのに要する総処理時間を示している。図３８（Ａ）に示す例では、例えば、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のデータがデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される場合のデータ処理部１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３の無駄な待ち時間ΔｔＡがゼロになる。

第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、各セルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈ（図３８（Ａ）参照）が有するデータ量が小さくなるように、分割処理部１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理が実行された後の複数のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，・・，ＣＬ３ｇ，ＣＬ３ｈが、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図３１参照）に振り分けられ、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される。

そのため、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、大きいデータ量を有する複数のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３（図３８（Ｂ）参照）が複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図３８参照）に振り分けられ複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３によって並列してデータ処理される従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３（図３８参照）における無駄な待ち時間（時間ΔｔＡ←時間ΔｔＢ）（図３８参照）および総処理時間（時間ｔ０〜時間ｔＡ←時間ｔ０〜時間ｔＢ）（図３８参照）を低減することができる。

更に、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、分割処理部１０ｂ１ｄ１（図３１参照）によって分割処理された第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいサイズを有さず、かつ、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有し、かつ、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズを有するセルＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ（図３２（Ｂ）、図３４（Ｂ）および図３６（Ｂ）参照）を、第３閾値（Ｃμｍ）以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ，ＣＬ２ａ，ＣＬ３ａ，ＣＬ３ｂ（図３２（Ｂ）、図３４（Ｂ）および図３６（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、その分割処理が実行されない。

そのため、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量に比べて大きく増加してしまうのを回避することができる。

つまり、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６（図３１参照）におけるデータ処理に必要な総メモリ容量の増加を緩和しつつ、複数のデータ処理部１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６における無駄な待ち時間および総処理時間を低減することができる。

第９の実施形態では、上述した第１から第８の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画データ作成装置の第１の実施形態について説明する。図３９は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたレイアウトデータ（ＣＡＤデータ、設計データ）Ｄ０（図３９参照）であって、図４に示す描画データと同様に少なくとも図形階層ＦＧ（図４参照）とセル階層ＣＬ（図４参照）とに階層化されており、複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・（図４参照）が含まれており、各セルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・（図４参照）に１個以上の図形（パターン）ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図４参照）が含まれているレイアウトデータＤ０（図３９参照）が、入力部２０ａ（図３９参照）に入力される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、分割処理部２０ｂ１ｄ１（図３９参照）において、描画データＤ１（図２参照）に対する分割処理部１０ｂ１ｄ１（図２参照）による処理と同様の処理が、レイアウトデータＤ０（図３９参照）に対して実行される。具体的には、入力部２０ａ（図３９参照）に入力されたレイアウトデータＤ０（図３９参照）に含まれている複数のセルのうち、第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ａ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図９（Ａ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１（図９（Ａ）参照）が、分割処理部２０ｂ１ｄ１（図３９参照）によって、第１閾値（Ａμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ａ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図９（Ｂ）参照）に分割処理される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、セル再定義部２０ｂ１ｄ２（図３９参照）において、描画データＤ１（図２参照）に対するセル再定義部１０ｂ１ｄ２（図２参照）による処理と同様の処理が、レイアウトデータＤ０（図３９参照）に対して実行される。具体的には、分割処理部２０ｂ１ｄ１（図３９参照）によって分割処理された第１閾値（例えばＡμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ａ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ａ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図９（Ｂ）参照）のうち、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルＣＬ１ａ（図９（Ｂ）参照）が、セル再定義部２０ｂ１ｄ２（図３９参照）によって、アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｃ）参照）と、非アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ１（図９（Ｃ）参照）とに分けることにより、異なる複数のセルＣＬ１ａ１，ＣＬ１ａ２（図９（Ｃ）参照）として再定義される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、分割処理部２０ｂ１ｄ３（図３９参照）において、描画データＤ１（図２参照）に対する分割処理部１０ｂ１ｄ３（図２参照）による処理と同様の処理が、レイアウトデータＤ０（図３９参照）に対して実行される。具体的には、セル再定義部２０ｂ１ｄ２（図３９参照）によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ１（図９（Ｄ）参照）であって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｄ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図９（Ｄ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ１（図９（Ｄ）参照）が、分割処理部２０ｂ１ｄ３（図３９参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｄ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ｄ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ１ａ１ａ，ＣＬ１ａ１ｂ，ＣＬ１ａ１ｃ，ＣＬ１ａ１ｄ（図９（Ｅ）参照）に分割処理される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、分割処理部２０ｂ１ｄ４（図３９参照）において、描画データＤ１（図２参照）に対する分割処理部１０ｂ１ｄ４（図２参照）による処理と同様の処理が、レイアウトデータＤ０（図３９参照）に対して実行される。具体的には、セル再定義部２０ｂ１ｄ２（図３９参照）によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）であって、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｅ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図９（Ｅ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）を、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｅ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ｅ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）参照）に分割処理すると、分割処理後の複数のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）参照）の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなるか否かが、分割処理部２０ｂ１ｄ４（図３９参照）によって判定される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、分割処理後の複数のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）参照）の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（２倍）より大きくなる場合には、その分割処理が分割処理部２０ｂ１ｄ４（図３９参照）によって実行されない。一方、分割処理後の複数のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）参照）の合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（２倍）以下になる場合には、その分割処理が分割処理部２０ｂ１ｄ４（図３９参照）によって実行される。

図９に示す例では、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｅ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図９（Ｅ）の上下方向寸法））を有するアレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図９（Ｅ）参照）が、分割処理部２０ｂ１ｄ４（図３９参照）によって、第３閾値（Ｃμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図９（Ｅ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図９（Ｅ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ，ＣＬ１ａ２ｃ，ＣＬ１ａ２ｄ（図９（Ｆ）参照）に分割処理されない。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、分割処理部２０ｂ１ｄ１，２０ｂ１ｄ３，２０ｂ１ｄ４（図３９参照）およびセル再定義部２０ｂ１ｄ２（図３９参照）による処理が実行された後の複数のセルが、振り分け部２０ｂ１ｄ５（図３９参照）によってデータ変換処理モジュール２０ｂ１ｅ（図３９参照）の複数のデータ変換処理部２０ｂ１ｅ１，２０ｂ１ｅ２，２０ｂ１ｅ３，２０ｂ１ｅ４，２０ｂ１ｅ５，２０ｂ１ｅ６（図３９参照）に振り分けられる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、データ変換処理モジュール２０ｂ１ｅ（図３９参照）の複数のデータ変換処理部２０ｂ１ｅ１，２０ｂ１ｅ２，２０ｂ１ｅ３，２０ｂ１ｅ４，２０ｂ１ｅ５，２０ｂ１ｅ６（図３９参照）において、レイアウトデータＤ０（図３９参照）のフォーマットを描画データＤ１（図３９参照）のフォーマットに変換する処理が並列して実行される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、データ変換処理モジュール２０ｂ１ｅ（図３９参照）の複数のデータ変換処理部２０ｂ１ｅ１，２０ｂ１ｅ２，２０ｂ１ｅ３，２０ｂ１ｅ４，２０ｂ１ｅ５，２０ｂ１ｅ６（図３９参照）によってデータ変換処理して作成された荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）用の描画データＤ１（図３９参照）が出力部２０ｃ（図３９参照）を介して出力される。

図４０は第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、図３９に示すように、分割処理部２０ｂ１ｄ４が設けられているが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、代わりに、図４０に示すように、セル再定義部２０ｂ１ｄ６が設けられている。

第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、セル再定義部２０ｂ１ｄ６（図４０参照）において、描画データＤ１（図２５参照）に対するセル再定義部１０ｂ１ｄ６（図２５参照）による処理と同様の処理が、レイアウトデータＤ０（図４０参照）に対して実行される。具体的には、セル再定義部２０ｂ１ｄ２（図４０参照）によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルＣＬ１ａ２（図２６（Ｅ）参照）であって、第５閾値（例えばＥメガバイト）以上のデータ量を有するセルＣＬ１ａ２（図２６（Ｅ）参照）が、セル再定義部２０ｂ１ｄ６（図４０参照）によって、少なくとも、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する第１の種類の図形ＦＧＡ（図２７（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ２ａ（図２６（Ｆ）および図２７（Ａ）参照）と、第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する第２の種類の図形ＦＧＢ（図２８（Ａ）参照）を含むセルＣＬ１ａ２ｂ（図２６（Ｆ）および図２８（Ａ）参照）とに分けられ、１セル当たり第５閾値（Ｅメガバイト）未満のデータ量を有する異なる複数のセルＣＬ１ａ２ａ，ＣＬ１ａ２ｂ（図２６（Ｆ）参照）として再定義される。

図４１は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、図３９に示すように、分割処理部２０ｂ１ｄ３，２０ｂ１ｄ４およびセル再定義部２０ｂ１ｄ２が設けられているが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、代わりに、図４１に示すように、分割処理部２０ｂ１ｄ７が設けられている。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、例えば、分割処理部２０ｂ１ｄ７（図４１参照）において、描画データＤ１（図３１参照）に対する分割処理部１０ｂ１ｄ７（図３１参照）による処理と同様の処理が、レイアウトデータＤ０（図４１参照）に対して実行される。具体的には、分割処理部２０ｂ１ｄ７（図４１参照）において、第１閾値（Ａμｍ）以下のサイズを有する４個のセルＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図３２（Ｂ）参照）に、第２閾値（例えばＢメガバイト）より大きいデータ量を有するセルが存在するか否かが判定される。図３２（Ａ）、図３２（Ｂ）および図４１に示す例では、例えば、セルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、セルＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ（図３２（Ｂ）参照）が第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有さないと判定される。

次いで、図３２（Ａ）、図３２（Ｂ）、図３２（Ｃ）および図４１に示す例では、例えば、分割処理部２０ｂ１ｄ７（図４１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、かつ、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理するか否かが検討される。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画データ作成装置２０では、分割処理部２０ｂ１ｄ７（図４１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなる場合に、その分割処理が実行されず、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）以下になる場合に、その分割処理が実行される。

図３２（Ａ）、図３２（Ｂ）、図３２（Ｃ）および図４１に示す例では、例えば、分割処理部２０ｂ１ｄ７（図４１参照）において、第２閾値（Ｂメガバイト）より大きいデータ量を有し、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）または高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有するセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）を、第３閾値（例えばＣμｍ）より大きいサイズ（詳細には、幅寸法（図３２（Ｂ）の左右方向寸法）および高さ寸法（図３２（Ｂ）の上下方向寸法））を有さない複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルＣＬ１ａ（図３２（Ｂ）参照）のデータ量の第４閾値Ｄ倍（例えば２倍）より大きくなると判定され、その分割処理が実行されない。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ａ 荷電粒子銃
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ 偏向器
１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ 偏向器
１０ａ２ａ 可動ステージ
１０ｂ 制御部
１０ｂ１ 制御計算機
１０ｂ１ａ 読み込みモジュール
１０ｂ１ｂ 入力バッファ
１０ｂ１ｃ 分散処理管理モジュール
１０ｂ１ｄ ローカライザー
１０ｂ１ｄ１，１０ｂ１ｄ３ 分割処理部
１０ｂ１ｄ４，１０ｂ１ｄ７ 分割処理部
１０ｂ１ｄ２，１０ｂ１ｄ６ セル再定義部
１０ｂ１ｄ５ 振り分け部
１０ｂ１ｅ データ処理モジュール
１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２ データ処理部
１０ｂ１ｅ３，１０ｂ１ｅ４ データ処理部
１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６ データ処理部
１０ｂ１ｆ 出力バッファ
１０ｂ１ｇ ショットデータ生成部
１０ｂ１ｈ 偏向制御部
１０ｂ１ｉ ステージ制御部
１０ｂ２，１０ｂ３ 偏向制御回路
１０ｂ４，１０ｂ５ 偏向制御回路
１０ｂ６ ステージ制御回路

Claims (5)

1. 少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれている描画データが入力される入力部と、
   前記入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第１セル再定義部と、
   前記第１セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含む複数のセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
   前記第１分割処理部、第１セル再定義部および前記第２分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
   前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
   描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍より大きくなる場合に、
   前記第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
   前記第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍以下になる場合に、
   前記第１セル再定義部によって再定義されたアレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第３分割処理部を具備することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれている描画データが入力される入力部と、
   前記入力部に入力された描画データに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍より大きくなる場合に、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍以下になる場合に、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
   前記第１分割処理部および前記第２分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ処理部に振り分ける振り分け部と、
   前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ処理する複数のデータ処理部を有するデータ処理モジュールと、
   描画データに含まれている図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
4. 少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれているレイアウトデータが入力される入力部と、
   前記入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルを、アレイ型の複数の図形を含むセルと、非アレイ型の複数の図形を含むセルとに分けることによって、異なる複数のセルとして再定義する第１セル再定義部と、
   前記第１セル再定義部によって再定義された非アレイ型の複数の図形を含むセルのうち、第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
   前記第１分割処理部、前記第１セル再定義部および前記第２分割処理部による処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
   前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
   前記データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置。
5. 少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されており、複数のセルが含まれており、各セルに１個以上の図形が含まれているレイアウトデータが入力される入力部と、
   前記入力部に入力されたレイアウトデータに含まれている複数のセルのうち、第１閾値より大きいサイズを有するセルを、第１閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第１分割処理部と、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍より大きくなる場合に、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理せず、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理すると、分割処理後の複数のセルの合計のデータ量が分割処理前のセルのデータ量の第４閾値倍以下になる場合に、
   前記第１分割処理部によって分割処理された第１閾値以下のサイズを有するセルのうち、第２閾値より大きいデータ量を有するセルであって第３閾値より大きいサイズを有するセルを、第３閾値以下のサイズを有する複数のセルに分割処理する第２分割処理部と、
   前記第１分割処理部および前記第２分割処理部による分割処理後の複数のセルを複数のデータ変換処理部に振り分ける振り分け部と、
   前記振り分け部によって振り分けられた複数のセルを並列してデータ変換処理する複数のデータ変換処理部を有するデータ変換処理モジュールと、
   前記データ変換処理モジュールの複数のデータ変換処理部によってデータ変換処理されて作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データを出力する出力部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成装置。

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