KR102071926B1 - 묘화 데이터 작성 방법 - Google Patents

묘화 데이터 작성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102071926B1
KR102071926B1 KR1020180035066A KR20180035066A KR102071926B1 KR 102071926 B1 KR102071926 B1 KR 102071926B1 KR 1020180035066 A KR1020180035066 A KR 1020180035066A KR 20180035066 A KR20180035066 A KR 20180035066A KR 102071926 B1 KR102071926 B1 KR 102071926B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trapezoid
dose
dose amount
data
drawing data
Prior art date
Application number
KR1020180035066A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180111578A (ko
Inventor
시게히로 하라
켄이치 야스이
야스오 카토
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20180111578A publication Critical patent/KR20180111578A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102071926B1 publication Critical patent/KR102071926B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T11/00—2D [Two Dimensional] image generation
    • G06T11/20—Drawing from basic elements, e.g. lines or circles
    • G06T11/206—Drawing of charts or graphs
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0277—Electrolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31762—Computer and memory organisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31769—Proximity effect correction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 실시 형태에 따른 묘화 데이터 작성 방법은, 설계 데이터에 포함되어 있는 다각형 도형을 1 조의 대변이 제1 방향을 따라 평행하며, 상기 제1 방향과 평행한 변을 공통변으로 하여 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나열하여 연결하는 복수의 사다리꼴로 분할하는 공정과, 제1 사다리꼴, 제2 사다리꼴 및 제3 사다리꼴이 상기 제2 방향을 따라 연결되어 있는 경우, 상기 제2 사다리꼴과 상기 제3 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치를, 상기 제1 사다리꼴과 상기 제2 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치로부터의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 변위로 표현하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 공정을 구비한다. 상기 복수의 사다리꼴 중 적어도 하나의 사다리꼴에서 상기 제1 방향으로 상이한 도스량이 정의된다.

Description

묘화 데이터 작성 방법 {WRITING-DATA GENERATING METHOD}
본 발명은 묘화 데이터 작성 방법에 관한 것이다.
LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스의 회로 선폭은 해마다 미세화되고 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 축소 투영형 노광 장치를 이용하여 석영 상에 형성된 고정밀도의 원화(原畵) 패턴(마스크, 혹은 특히 스테퍼 또는 스캐너에서 이용되는 것은 레티클이라고도 함)을 웨이퍼 상에 축소 전사하는 방법이 채용되고 있다. 고정밀도의 원화 패턴은 전자빔 묘화 장치에 의해 묘화 되며, 이른바 전자빔 리소그래피 기술이 이용되고 있다.
전자빔 묘화 장치로서 예를 들면, 멀티빔을 이용해 한 번에 많은 빔을 조사하여 스루풋을 향상시킨 멀티빔 묘화 장치가 알려져 있다. 이 멀티빔 묘화 장치에서는 예를 들면, 전자총으로부터 방출된 전자빔이 복수의 홀을 가지는 애퍼처 부재를 통과함으로써 멀티빔이 형성되고, 각 빔이 블랭킹 플레이트에서 블랭킹 제어된다. 차폐되지 않은 빔이 광학계에서 축소되어 묘화 대상인 마스크 상의 원하는 위치에 조사된다.
멀티빔 묘화 장치를 이용하여 전자빔 묘화를 행하는 경우, 먼저 반도체 집적 회로의 레이아웃이 설계되고, 레이아웃 데이터로서 설계 데이터가 생성된다. 그리고, 이 설계 데이터에 포함되는 다각형 도형을 복수의 사다리꼴로 분할함으로써 멀티빔 묘화 장치에 입력될 묘화 데이터가 생성된다. 이 묘화 데이터는 각 사다리꼴에 대해 1 개의 꼭지점을 배치 원점으로 하고, 이 배치 원점의 좌표 데이터와 배치 원점으로부터 다른 3 개의 꼭지점까지의 변위를 나타내는 데이터를 가진다.
설계 데이터가 타원형 도형과 같은 다수의 변을 가지는 다각형 도형에 의해 근사적으로 표현되는 도형을 포함하는 경우, 이 다각형 도형은 다수의 사다리꼴로 분할된다. 다수의 사다리꼴 각각에 대해 배치 원점의 좌표 데이터 및 배치 원점으로부터 다른 3 꼭지점까지의 변위를 나타내는 데이터를 가지는 묘화 데이터는 그 데이터량이 다대했다.
묘화 데이터의 데이터량을 억제하기 위해, 다각형 도형을 각각 적어도 1 조의 대변이 제1 방향을 따라 평행하며, 이 제1 방향과 평행한 변을 공통변으로 하여 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 연결되는 복수의 사다리꼴 도형으로 분할하고, 제1 사다리꼴과 이 제1 사다리꼴에 인접하는 제2 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치를, 이 제2 사다리꼴과 이 제2 사다리꼴에 인접하는 제3 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치로부터의 제1 방향 및 제2 방향의 변위로 표현하는 방법이 제안되고 있다. 이 방법으로는 각 사다리꼴에 1 개의 조사량(도스량)을 정의할 수 있다.
전자빔 묘화에서 패턴 치수 변동을 일으키는 현상으로서, 영향 반경이 300 nm ~ 400 nm 정도로 매우 짧은 EUV 마스크 특유의 근접 효과가 알려져 있다. 이 영향을 고려한 도스량 보정 연산을 행하는 경우, 묘화 영역을 예를 들면 30 nm ~ 100 nm 정도로 메쉬 분할하고, 분할한 소영역마다 연산을 행할 필요가 있다.
전술한 종래의 방법으로는 사다리꼴의 제1 방향의 길이가 메쉬 분할한 소영역의 사이즈보다 큰 경우라도 1 개의 도스량밖에 정의할 수 없다. 이 때문에, 패턴 치수 변동을 억제하기 위한 도스량 보정 연산이 곤란했다.
본 발명은 데이터량을 삭감하면서 영향 반경이 작은 현상에 기인하는 패턴 치수 변동을 억제하기 위한 보정 연산이 가능해지는 묘화 데이터를 생성하는 묘화 데이터 생성 방법을 제공한다.
본 발명의 일 태양에 따른 묘화 데이터 생성 방법은, 멀티 하전 입자빔 묘화 장치에서 이용될 묘화 데이터를 작성하는 방법으로서, 설계 데이터에 포함되어 있는 다각형 도형을 각각 적어도 1 조의 대변이 제1 방향을 따라 평행하며, 상기 제1 방향과 평행한 변을 공통변으로 하여 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나열하여 연결되는 복수의 사다리꼴로 분할하는 공정과, 제1 사다리꼴, 제2 사다리꼴 및 제3 사다리꼴이 상기 제2 방향을 따라 연결되어 있는 경우, 상기 제2 사다리꼴과 상기 제3 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치를, 상기 제1 사다리꼴과 상기 제2 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치로부터의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 변위로 표현하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 공정을 구비하고, 상기 복수의 사다리꼴 중 적어도 하나의 사다리꼴에서 상기 제1 방향으로 상이한 도스량이 정의되는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 개략도이다.
도 2는 다각형 도형의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이다.
도 3(a) 및 도 3(b)는 다각형 도형의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이고, 도 3(c)는 묘화 데이터의 데이터 구조의 예를 나타내는 도면이다.
도 4(a) ~ 도 4(d)는 다각형 도형의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이고, 도 4(e)는 묘화 데이터의 데이터 구조의 예를 나타내는 도면이다.
도 5(a) 및 도 5(b)는 다각형 도형의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이고, 도 5(c)는 묘화 데이터의 데이터 구조의 예를 나타내는 도면이다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 다각형 도형의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이고, 도 6(c)는 묘화 데이터의 데이터 구조의 예를 나타내는 도면이며, 도 6(d)는 방향 플래그를 설명하는 도면이다.
도 7은 묘화 데이터의 데이터 구조의 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 다각형 도형의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 사다리꼴을 복수 구획으로 분할하는 예를 나타내는 도면이다.
도 10(a)는 사다리꼴의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이고, 도 10(b)는 도스량의 정의 순서를 나타내는 도면이다.
도 11(a)는 사다리꼴의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이고, 도 11(b)는 도스량의 정의 순서를 나타내는 도면이다.
도 12(a)는 사다리꼴의 분할 처리의 예를 나타내는 도면이고, 도 12(b)는 도스량의 정의 순서를 나타내는 도면이다.
도 13은 각 구획에 정의되는 도스량을 나타내는 도면이다.
도 14는 묘화 데이터의 데이터 구조의 예를 나타내는 도면이다.
도 15는 제2 실시 형태에 따른 도스량의 정의 방법을 나타내는 도면이다.
도 16은 제3 실시 형태에 따른 도스량의 정의 방법을 나타내는 도면이다.
도 17(a)는 사다리꼴의 상하단(端)에 도스량을 정의하는 예를 나타내는 도면이고, 도 17(b) ~ 도 17(d)는 묘화 데이터의 데이터 구조의 예를 나타내는 도면이다.
도 18은 복수의 사다리꼴에 외접하는 직사각형의 예를 나타내는 도면이다.
도 19는 쌍일차 보간에 따른 도스량의 산출을 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
[제1 실시 형태]
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 묘화 데이터를 이용하여 묘화를 행하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 개략도이다. 본 실시 형태에서는 하전 입자빔의 일례로서 전자빔을 이용한 구성에 대해 설명한다. 단, 하전 입자빔은 전자빔에 한정되지 않으며, 이온빔 등의 다른 하전 입자빔이어도 된다.
도 1에 나타낸 묘화 장치(1)는 마스크 또는 웨이퍼 등의 대상물에 전자빔을 조사하여 원하는 패턴을 묘화하는 묘화부(10)와, 묘화부(10)에 의한 묘화 동작을 제어하는 제어부(50)를 구비한다. 묘화부(10)는 전자빔 경통(12) 및 묘화실(30)을 가지고 있다.
전자빔 경통(12) 내에는 전자총(14), 조명 렌즈(16), 애퍼처 부재(18), 블랭킹 플레이트(20), 축소 렌즈(22), 제한 애퍼처 부재(24), 대물 렌즈(26) 및 편향기(28)가 배치되어 있다. 묘화실(30) 내에는 XY 스테이지(32)가 배치된다. XY 스테이지(32) 상에는 묘화 대상 기판이 되는 마스크 블랭크(34)가 재치되어 있다.
묘화 대상 기판에는 예를 들면, 웨이퍼 또는, 웨이퍼에 엑시머 레이저를 광원으로 한 스테퍼 또는 스캐너 등의 축소 투영형 노광 장치 또는 극단 자외선 노광 장치를 이용하여 패턴을 전사하는 노광용의 마스크가 포함된다. 또한, 묘화 대상 기판에는 이미 패턴이 형성되어 있는 마스크도 포함된다. 예를 들면, 레벤슨형 마스크는 2 회의 묘화를 필요로 하기 때문에, 1 번 묘화되어 마스크로 가공된 것에 2 번째의 패턴을 묘화하는 경우도 있다. XY 스테이지(32) 상에는 또한 XY 스테이지(32)의 위치 측정용의 미러(36)가 배치된다.
제어부(50)는 제어 계산기(52), 편향 제어 회로(54, 56) 및 스테이지 위치 검출기(58)를 가지고 있다. 제어 계산기(52), 편향 제어 회로(54, 56) 및 스테이지 위치 검출기(58)는 버스를 개재하여 서로 접속되어 있다.
전자총(14)으로부터 방출된 전자빔(40)은 조명 렌즈(16)에 의해 대략 수직으로 애퍼처 부재(18) 전체를 조명한다. 애퍼처 부재(18)에는 홀(개구부)이 소정의 배열 피치로 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 전자빔(40)은 예를 들면 애퍼처 부재(18)의 모든 홀이 포함되는 영역을 조명한다. 이들 복수의 홀을 전자빔(40)의 일부가 각각 통과함으로써, 도 1에 나타낸 것과 같은 멀티빔(40a ~ 40e)이 형성되게 된다.
블랭킹 플레이트(20)에는 애퍼처 부재(18)의 각 홀의 배치 위치에 맞춰 통과홀이 형성되고, 각 통과홀에는 쌍이 되는 2 개의 전극으로 이루어지는 블랭커가 각각 배치된다. 각 통과홀을 통과하는 전자빔(40a ~ 40e)은 각각 독립적으로 블랭커가 인가하는 전압에 의해 편향된다. 이러한 편향에 의해 블랭킹 제어된다. 이와 같이, 복수의 블랭커가 애퍼처 부재(18)의 복수의 홀을 통과한 멀티빔 중 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다.
블랭킹 플레이트(20)를 통과한 멀티빔(40a ~ 40e)은 축소 렌즈(22)에 의해 축소되고, 제한 애퍼처 부재(24)에 형성된 중심의 홀을 향해 진행된다. 여기서, 블랭킹 플레이트(20)의 블랭커에 의해 편향된 전자빔은 제한 애퍼처 부재(24)의 중심의 홀에서 위치가 벗어나 제한 애퍼처 부재(24)에 의해 차폐된다. 한편, 블랭킹 플레이트(20)의 블랭커에 의해 편향되지 않은 전자빔은 제한 애퍼처 부재(24)의 중심의 홀을 통과한다.
이와 같이, 제한 애퍼처 부재(24)는 블랭킹 플레이트(20)의 블랭커에 의해 빔 OFF의 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐한다. 그리고, 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 될 때까지 제한 애퍼처 부재(24)를 통과한 빔이 1 회분의 샷의 빔이 된다. 제한 애퍼처 부재(24)를 통과한 멀티빔(40a ~ 40e)은 대물 렌즈(26)에 의해 초점이 맞춰져 원하는 축소율의 패턴상이 된다. 제한 애퍼처 부재(24)를 통과한 각 빔(멀티빔 전체)은 편향기(28)에 의해 동일 방향으로 일괄적으로 편향되어 각 빔의 마스크 블랭크(34) 상의 각각의 조사 위치에 조사된다.
XY 스테이지(32)가 연속 이동하고 있을 때, 빔의 조사 위치가 XY 스테이지(32)의 이동에 추종하도록 편향기(28)에 의해 제어된다. XY 스테이지(32)의 이동은 도시하지 않은 스테이지 제어부에 의해 행해지고, XY 스테이지(32)의 위치는 스테이지 위치 검출기(58)에 의해 검출된다.
한 번에 조사되는 멀티빔은, 이상적으로는 애퍼처 부재(18)의 복수의 홀의 배열 피치에 전술한 원하는 축소율을 곱한 피치로 나열되게 된다. 이 묘화 장치는 샷 빔을 연속해서 차례로 조사해 가는 래스터 스캔 방식으로 묘화 동작을 행하며, 원하는 패턴을 묘화할 때, 패턴에 따라 필요한 빔이 블랭킹 제어에 의해 빔 ON으로 제어된다.
제어 계산기(52)는 기억 장치(60)로부터 묘화 데이터(DT1)를 독출하고, 복수 단의 데이터 변환 처리를 행하여 장치 고유의 샷 데이터를 생성한다. 샷 데이터에는 각 샷의 조사량 및 조사 위치 좌표 등이 정의된다.
제어 계산기(52)는 샷 데이터에 기초하여 각 샷의 조사량을 편향 제어 회로(54)에 출력한다. 편향 제어 회로(54)는 입력된 조사량을 전류 밀도로 나눠 조사 시간(t)을 구한다. 그리고, 편향 제어 회로(54)는 대응하는 샷을 행할 때 조사 시간(t)만큼 블랭커가 빔 ON하도록 블랭킹 플레이트(20)의 대응하는 블랭커에 편향 전압을 인가한다.
또한, 제어 계산기(52)는 샷 데이터가 나타내는 위치(좌표)에 각 빔이 편향되도록 편향 위치 데이터를 편향 제어 회로(56)에 출력한다. 편향 제어 회로(56)는 편향량을 연산하여 편향기(28)에 편향 전압을 인가한다. 이에 따라, 그 회에 샷될 멀티빔이 일괄적으로 편향된다.
이어서, 묘화 데이터(DT1)의 생성 방법에 대해 설명한다. 먼저, 반도체 집적 회로의 레이아웃이 설계되고, 레이아웃 데이터가 되는 설계 데이터(CAD 데이터)(DT0)가 생성된다. 그리고, 설계 데이터(DT0)가 변환 장치(70)에서 변환되어, 묘화 장치(1)의 제어 계산기(52)에 입력될 묘화 데이터(DT1)가 생성된다.
설계 데이터(DT0)에는 다각형 도형이 포함되어 있어, 변환 장치(70)는 다각형 도형을 복수의 사다리꼴로 분할하는 분할 처리를 행한다. 이 분할 처리에서 생성되는 복수의 사다리꼴은 각각 제1 방향(예를 들면 세로 방향)을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지고 있다. 복수의 사다리꼴은 제1 방향과 직교하는 제2 방향(예를 들면 가로 방향)으로 연속으로 나열되어 있다. 인접하는 사다리꼴끼리는 제1 방향으로 평행한 변을 공통변으로서 공유한다.
예를 들면, 도 2에 나타낸 바와 같이 다각형 도형(100)은 분할 처리에 의해 복수의 사다리꼴(T1 ~ Tn)로 분할된다. 여기서 n은 2 이상의 정수이다. 사다리꼴(T1 ~ Tn)은 각각 세로 방향(y 방향)을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지며, 가로 방향(x 방향)으로 연결되어 있다. 예를 들면, 사다리꼴(T2)은 1 조의 평행한 변(S1 및 S2)을 가지며, 변(S1)은 사다리꼴(T1)과의 공통변이 되고, 변(S2)은 사다리꼴(T3)과의 공통변이 된다. 또한, 연결 방향 양 말단부의 사다리꼴(T1, Tn)의 변(S0, Sn)은 공통변은 되지 않는다.
다각형 도형의 형상에 따라 도 3(a), 도 3(b), 도 4(a) ~ 도 4(d), 도 5(a), 도 5(b), 도 6(a), 도 6(b)에 나타낸 것과 같은 다양한 분할 처리가 행해진다.
도 3(a)에서는 도 2와 마찬가지로 각 사다리꼴이 세로 방향을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지며, 가로 방향으로 연결되는 것과 같은 분할 처리가 행해진다. 도 3(b)에서는 각 사다리꼴이 가로 방향을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지며, 세로 방향으로 연결되는 것과 같은 분할 처리가 행해진다.
도 4(a)에서는 다각형 도형이 세로 방향을 따라 연장되는 평행한 변(S0, S4)과, 변(S0, S4)의 하단끼리를 연결하여 가로 방향을 따라 연장되는 변(Sx1)을 가진다. 분할 처리에 의해 생성된 복수의 사다리꼴은 각각 세로 방향을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지며, 가로 방향으로 연결되고 또한 하측의 변이 가로 방향으로 직선 형상으로 이어진다.
도 4(b)에서는 다각형 도형이 세로 방향을 따라 연장되는 평행한 변(S0, S4)과, 변(S0, S4)의 상단끼리를 연결하여 가로 방향을 따라 연장되는 변(Sx2)을 가진다. 분할 처리에 의해 생성된 복수의 사다리꼴은 각각 세로 방향을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지며, 가로 방향으로 연결되고 또한 상측의 변이 가로 방향으로 직선 형상으로 이어진다.
도 4(c)에서는 다각형 도형이 가로 방향을 따라 연장되는 평행한 변(S0, S4)과, 변(S0, S4)의 우단끼리를 연결하여 세로 방향으로 연장되는 변(Sy1)을 가진다. 분할 처리에 의해 생성된 복수의 사다리꼴은 각각 가로 방향을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지며, 세로 방향으로 연결되고 또한 우측의 변이 세로 방향으로 직선 형상으로 이어진다.
도 4(d)에서는 다각형 도형이 가로 방향을 따라 연장되는 평행한 변(S0, S4)과, 변(S0, S4)의 좌단끼리를 연결하여 세로 방향을 따라 연장되는 변(Sy2)을 가진다. 분할 처리에 의해 생성된 복수의 사다리꼴은 각각 가로 방향을 따라 평행한 1 조의 대변을 가지며, 세로 방향으로 연결되고 또한 좌측의 변이 세로 방향으로 직선 형상으로 이어진다.
도 5(a) 및 도 5(b)는 다각형 도형이 세로 방향 또는 가로 방향으로 평행한 변만으로 구성되는 경우의 분할 처리를 나타낸다. 이 경우, 다각형 도형은 복수의 장방형(직사각형)으로 분할된다. 도 5(a)는 분할한 장방형이 가로 방향으로 연결되는 예를 나타내고, 도 5(b)는 세로 방향으로 연결되는 예를 나타낸다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 다각형 도형이 세로 방향 또는 가로 방향으로 평행한 변 및 세로 방향(가로 방향)에 대해 45°를 이루는 변만으로 구성되는 경우의 분할 처리를 나타낸다. 도 6(a)는 분할한 사다리꼴이 가로 방향으로 연결되는 예를 나타내고, 도 6(b)는 세로 방향으로 연결되는 예를 나타낸다.
변환 장치(70)는 다각형 도형을 복수의 사다리꼴로 분할하면, 사다리꼴의 꼭지점의 위치를 인접하는 사다리꼴의 꼭지점의 위치로부터의 변위로 표현하여 묘화 데이터(DT1)를 생성한다. 예를 들면, 도 2에 나타낸 예에서는 변(S0)의 하단의 꼭지점(P01)의 좌표(x0, y0)가 이 다각형 도형의 도형 배치 원점으로서 정의된다.
그리고, 변(S0)의 상단의 꼭지점(P02)의 위치는 도형 배치 위치 원점(P01)과 거기서부터 수직으로 연장되는 변(S0)의 길이(L0)로 정의된다.
변(S0)에 평행하고 또한 변(S0)에 인접하는 변(S1)의 하단의 꼭지점(P11)의 위치는, 사다리꼴(T1)의 높이(변(S0)과 변(S1)의 간격)(L1)와, 인접하는 꼭지점(P01)에서 본 세로 방향의 변위(δ11)로 정의된다. 또한, 변(S1)의 상단의 꼭지점(P12)의 위치는, 사다리꼴(T1)의 높이(L1)와, 인접하는 꼭지점(P02)에서 본 세로 방향의 변위(δ12)로 정의된다.
변(S1)에 평행하고 또한 변(S1)에 인접하는 변(S2)의 하단의 꼭지점(P21)의 위치는, 사다리꼴(T2)의 높이(L2)와, 인접하는 꼭지점(P11)에서 본 세로 방향의 변위(δ21)로 정의된다. 또한, 변(S2)의 상단의 꼭지점(P22)의 위치는, 사다리꼴(T2)의 높이(L2)와, 인접하는 꼭지점(P12)에서 본 세로 방향의 변위(δ22)로 정의된다.
바꾸어 말하면, 사다리꼴(T2)과 사다리꼴(T3)의 공통의 꼭지점(P21, P22)의 위치를, 사다리꼴(T1)과 사다리꼴(T2)의 공통의 꼭지점(P11, P12)의 위치로부터의 세로 방향의 변위(δ21, δ22)와 가로 방향의 변위(L2)로 정의한다.
이후 마찬가지로, 변(Sm - 1)에 평행하고 또한 변(Sm - 1)에 인접하는 변(Sm)의 하단의 꼭지점(Pm1)의 위치는, 사다리꼴(Tm)의 높이(변(Sm - 1)과 변(Sm)의 간격)(Lm)와, 인접하는 꼭지점(P(m-1)1)에서 본 세로 방향의 변위(δm1)로 정의된다. 또한, 변(Sm)의 상단의 꼭지점(Pm2)의 위치는, 사다리꼴(Tm)의 높이(Lm)와, 인접하는 꼭지점(P(m-1)2)에서 본 세로 방향의 변위(δm2)로 정의된다. 여기에서 m은 2 ~ n의 정수이다.
이와 같이, 다각형 도형에 대응하는 연결 사다리꼴군은 도형 배치 위치 원점(P01)의 좌표(x0, y0), 변(S0)의 길이(L0), 각 사다리꼴(T1 ~ Tn)의 높이(L1 ~ Ln), 인접하는 꼭지점에서 본 사다리꼴 연결 방향과 직교하는 방향의 변위(δ11, δ12 ~ δn1, δn2)에 의해 그 형상을 정의할 수 있다. 또한, 변위(δ11, δ12 ~ δn1, δn2)는 부호 있는 값이다. 각 사다리꼴(T1 ~ Tn)의 높이(L1 ~ Ln)는 인접하는 꼭지점에서 본 사다리꼴 연결 방향의 변위로 간주할 수 있다.
도 7에 연결 사다리꼴군을 정의하는 묘화 데이터(DT1)의 데이터 구조의 일례를 나타낸다. 묘화 데이터(DT1)는 헤더(PH), 헤더(PHd) 및 형상 정보(EP)를 가진다. 헤더(PH)는 도형 코드(Code), 플래그(flag) 및 도형 요소 수(N)가 정의되어 있다.
도형 코드는 연결 사다리꼴군이 어떠한 다각형 도형을 분할 처리했는지를 나타내는 정보이며, 예를 들면, 도 3(a), 도 3(b), 도 4(a) ~ 도 4(d), 도 5(a), 도 5(b), 도 6(a), 도 6(b) 중 어느 분할 처리에 대응하는지를 나타낸다.
헤더(PH)의 플래그에는 도형 표현의 식별에 필요한 정보, 예를 들면 후술하는 형상 정보(EP)에 포함되는 데이터의 바이트 길이 등이 포함된다. 도형 요소 수(N)는 도형 코드가 동일한 연결 사다리꼴군(다각형 도형)의 수를 나타낸다. 형상 정보(EP)는 연결 사다리꼴군마다 작성되기 때문에, 도형 요소 수(N)가 2 이상인 경우, 복수의 형상 정보가 작성된다.
헤더(PHd)는 사다리꼴(T1 ~ Tn)의 도스량(AI1 ~ AIn)을 포함한다. 헤더(PHd)의 플래그(flag)는 도스량(AI1 ~ AIn)의 데이터의 바이트 길이 등을 나타낸다. 헤더(PHd)의 요소 수(N)는 도스량이 정의된 사다리꼴의 수를 나타낸다.
형상 정보(EP)에는 연결 사다리꼴군의 형상을 정의하기 위한 정보, 예를 들면, 도형 배치 위치 원점의 좌표(x0, y0), 변(S0)의 길이(L0), 각 사다리꼴(T1 ~ Tn)의 높이(L1 ~ Ln), 인접하는 꼭지점에서 본 사다리꼴 연결 방향과 직교하는 방향의 변위(δ11, δ12 ~ δn1, δn2)가 포함된다. 또한, 형상 정보(EP)는 사다리꼴의 연결 수(Nconnect)를 포함한다.
예를 들면, 도 3(a), 도 3(b)에 나타낸 연결 사다리꼴군을 표현하는 묘화 데이터(DT1)는 도 3(c)와 같은 데이터 구조가 된다. 또한, 도 3(c)에 나타낸 데이터 구조에서는 헤더(PHd)를 생략하였다. 도형 코드에는 사다리꼴의 연결 방향 또는 어느 꼭지점을 도형 배치 위치 원점으로 하였는지 등이 판별 가능하게 정의된다. 연결 수(Nconnect)는 4이다.
도 4(a) ~ 도 4(d)에 나타낸 연결 사다리꼴군을 표현하는 묘화 데이터(DT1)는 도 4(e)와 같은 데이터 구조가 된다. 또한, 도 4(e)에 나타낸 데이터 구조에서는 헤더(PHd)를 생략하였다. 도형 코드에는 사다리꼴의 연결 방향, 복수의 사다리꼴의 어느 변이 직선 형상으로 이어지는지, 어느 꼭지점을 도형 배치 위치 원점으로 하였는지 등이 판별 가능하게 정의된다. 연결 수(Nconnect)는 4이다. 도 4(a) ~ 도 4(d)에서는 연결되는 사다리꼴의 한 변이 직선 형상으로 이어지며, 이 변의 꼭지점에 대해서는 인접하는 꼭지점과의 사이에서 사다리꼴 연결 방향과 직교하는 방향의 변위가 없다. 따라서, 연결 수(Nconnect)가 동일한 경우, 도 3(a), 도 3(b)보다 형상 정보(EP)의 데이터량은 작아진다.
도 5(a), 도 5(b)에 나타낸 연결 사다리꼴군을 표현하는 묘화 데이터(DT1)는 도 5(c)와 같은 데이터 구조가 된다. 또한, 도 5(c)에 나타낸 데이터 구조에서는 헤더(PHd)를 생략하였다. 도형 코드에는 복수의 장방형으로 분할되는 것, 장방형의 연결 방향, 어느 꼭지점을 도형 배치 위치 원점으로 하였는지 등이 판별 가능하게 정의된다.
도 6(a), 도 6(b)에 나타낸 연결 사다리꼴군을 표현하는 묘화 데이터(DT1)는 도 6(c)와 같은 데이터 구조가 된다. 또한, 도 6(c)에 나타낸 데이터 구조에서는 헤더(PHd)를 생략하였다. 형상 정보(EP)에는 도 6(d)에 나타낸 것과 같은 방향 플래그(flag)가 정의된다. 이는, 다각형 도형이 세로 방향 또는 가로 방향으로 평행한 변 및 세로 방향(가로 방향)에 대해 45°를 이루는 변만으로 구성되는 경우, 각 변을 도 6(d)의 방향 플래그 중 어느 하나로 나타낼 수 있기 때문이다. 도형 코드에는 사다리꼴의 연결 방향, 어느 꼭지점을 도형 배치 위치 원점으로 하였는지 등이 판별 가능하게 정의된다. 또한, 도 6(c)는 도 6(a)의 연결 사다리꼴군을 나타내는 묘화 데이터(DT1)이다.
전자빔 묘화에서는, 패턴 치수 변동을 일으키는 현상으로서, 영향 반경이 300 nm ~ 400 nm 정도로 매우 짧은 EUV 마스크 특유의 근접 효과가 알려져 있다. 이 영향을 고려한 도스량 보정 연산에서는 묘화 영역을 예를 들면 30 nm 정도로 메쉬 분할하고, 분할한 소영역마다 연산을 행한다.
본 실시 형태에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이 다각형 도형을 분할한 사다리꼴이 메쉬 사이즈(MS)보다 큰 경우, 1 개의 사다리꼴을 메쉬 사이즈(MS)로 복수의 구획으로 분할하고, 각 구획에 도스량을 정의한다.
예를 들면 도 9에 나타낸 바와 같이, 길이 방향(사다리꼴의 연결 방향과는 직교하는 방향)의 길이가 메쉬 사이즈보다 큰 사다리꼴을 메쉬 사이즈(MS)로 복수의 구획으로 분할한다. 1 개의 사다리꼴은 적어도 1 개의 메쉬 사이즈(MS)의 구획과, 메쉬 사이즈(MS)보다 작은 소구획을 포함한다. 사다리꼴의 사이즈가 메쉬 사이즈(MS)의 정수 배인 경우에는, 소구획은 생기지 않는다.
도 9에 나타낸 예에서는 1 개의 사다리꼴(T)이 3 개의 구획(SC1, SC2, SC3)으로 분할되는 예를 나타내고 있다. 구획(SC1, SC2)은 길이 방향의 사이즈가 메쉬 사이즈(MS)로 되어 있다. 구획(SC3)은 메쉬 사이즈(MS)보다 작은 소구획이다. 구획(SC1, SC2, SC3) 각각에 도스량이 정의된다.
사다리꼴을 복수 구획으로 분할하고 각 구획에 도스량을 정의하는 방법으로는, 예를 들면 도 10 ~ 도 12에 나타낸 것이 있다. 도 10(a), 도 11(a), 도 12(a)는 사다리꼴을 복수 구획으로 분할하는 예를 나타내고, 도 10(b), 도 11(b), 도 12(b)는 각 구획에 도스량을 정의하는 순서를 화살표로 나타낸다. 이들 예에서는, 사다리꼴의 연결 방향은 도면 중 좌우 방향이고, 각 사다리꼴의 길이 방향은 도면 중 상하 방향으로 되어 있다.
도 10(a) 및 도 10(b)에서는 각 사다리꼴을 하단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할하고, 하측의 구획부터 상방향으로 차례로 도스량을 정의한다.
도 11(a) 및 도 11(b)에서는 각 사다리꼴을 상단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할하고, 상측의 구획부터 하방향으로 차례로 도스량을 정의한다.
도 12(a)에서는 하단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할하는 사다리꼴과 상단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할하는 사다리꼴이 교호로 나열된다. 도 12(b)에 나타낸 바와 같이, 하단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할하는 사다리꼴에서는 하측의 구획부터 상방향으로 차례로 도스량을 정의한다. 상단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할하는 사다리꼴에서는 상측의 구획부터 하방향으로 차례로 도스량을 정의한다. 도스량의 정의 순서가 지그재그가 된다.
도 12(a) 및 도 12(b)에 나타낸 방법을 이용하여, 사다리꼴을 복수 구획으로 분할하고 각 구획에 도스량을 정의하는 예를 도 13에 나타낸다. 홀수 번째의 사다리꼴(T1, T3 ···)은 하단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할된다. 짝수 번째의 사다리꼴(T2, T4 ···)은 상단측에서부터 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할된다.
사다리꼴(T1)에서는 하측의 구획부터 상방향으로 차례로 도스량(D1-1, D1-2)이 정의된다. 사다리꼴(T2)에서는 상측의 구획부터 하방향으로 차례로 도스량(D2-1, D2-2, D2-3)이 정의된다. 사다리꼴(T3)에서는 하측의 구획부터 상방향으로 차례로 도스량(D3-1, D3-2, D3-3, D3- 4)이 정의된다. 사다리꼴(T4)에서는 상측의 구획부터 하방향으로 차례로 도스량(D4-1, D4-2, D4-3, D4-4)이 정의된다.
도 14는 각 사다리꼴을 메쉬 사이즈로 복수 구획으로 분할하고 각 구획에 도스량을 정의한 경우의 묘화 데이터(DT1)의 데이터 구조의 일례를 나타낸다. 헤더(PHd)는 메쉬 사이즈(MS)와 복수의 사다리꼴에서의 각 구획의 도스량(D1-1, D1-2, D2-1, D2-2 ···)을 포함한다. 마스크 전체에서 메쉬 사이즈(MS)가 고정값인 경우에는 헤더(PHd)에 메쉬 사이즈(MS)를 정의하지 않아도 된다.
이와 같이 본 실시 형태에 따르면, 다각형 도형을 복수의 평행 사다리꼴이 일방향으로 연결된 사다리꼴군으로 간주하여 도형 배치 위치 원점만 좌표로 나타내며, 그 외의 사다리꼴의 꼭지점의 위치는 인접하는 꼭지점으로부터의 변위로 표현하여 묘화 데이터(DT1)를 생성한다. 이 때문에, 각 사다리꼴을 배치 위치 원점의 좌표와 거기서부터 다른 3 꼭지점까지의 변위로 표현하는 경우보다 묘화 데이터의 데이터량을 저감시킬 수 있다.
또한, 각 사다리꼴을 작은 사이즈(메쉬 사이즈)로 복수의 구획으로 분할하고, 각 구획에 도스량을 정의한 묘화 데이터(DT1)를 생성한다. 이 때문에, 영향 반경이 작은 현상에 기인하는 패턴 치수 변동을 억제하기 위한 보정 연산이 가능해진다.
상기 실시 형태에서 묘화 데이터(DT1)의 헤더(PHd)에 정의된 복수의 구획의 도스량 정보(D1-1, D1-2, D2-1, D2-2 ···)에 대해 데이터 압축 처리를 실시하여 도스량 정보의 데이터량을 삭감해도 된다.
예를 들면, 헤더(PHd)에 정의된 복수의 구획의 도스량 정보(D1-1, D1-2, D2-1, D2-2 ···) 중 2 번째 이후의 구획의 도스량 정보를 당해 구획의 도스량과 1 개 전의 구획의 도스량의 차분 표현으로 변환하고, 차분값의 크기에 따라 차분 표현의 데이터 길이를 변경한다. 도스량 정보는 이하의 표 1에 나타내는 것과 같은 헤더부 및 값부로 이루어지는 데이터 구조로 변환된다. 표 1의 예에서는 압축 전의 도스량이 10 비트라고 하고 있다.
헤더부(2 비트) 값부
값 의미
00 풀 비트 부호 없는 10 비트
01 차분 표현 1 부호 있는 8 비트(부호 1 비트+7 비트)
10 차분 표현 2 부호 있는 6 비트(부호 1 비트+5 비트)
11 전의 도스량과 동일 없음(0 비트)
어느 한 구획의 도스량에 대해, 1 개 전의 구획의 도스량과의 차분이 32 계조보다 크고 128 계조 이하인 경우, 이 도스량을 값부가 차분 표현 1이라는 것을 나타내는 2 비트의 헤더 ““01””과, 1 개 전의 구획의 도스량과의 차분을 나타내는 부호 있는 8 비트의 값부로 표현한다.
어느 한 구획의 도스량에 대해, 1 개 전의 구획의 도스량과의 차분이 32 계조 이하인 경우, 이 도스량을 값부가 차분 표현 2라는 것을 나타내는 2 비트의 헤더 ““10””과, 1 개 전의 구획의 도스량과의 차분을 나타내는 부호 있는 6 비트의 값부로 표현한다. 이에 따라, 도스량 정보는 10 비트에서 8 비트(= 2비트+6비트)로 데이터 사이즈가 삭감된다.
어느 한 구획의 도스량이 1 개 전의 구획의 도스량과 동일한 경우, 이 도스량 정보를 1 개 전의 도스량과 동일하다는 것을 나타내는 2 비트의 헤더 ““11””만으로 표현한다. 이에 따라, 도스량 정보는 10 비트에서 2 비트로 데이터 사이즈가 삭감된다.
어느 구획의 도스량에 대해, 1 개 전의 구획의 도스량과의 차분이 128 계조보다 큰 경우, 이 도스량을 값부로 하고, 값부가 풀 비트 표현(부호 없는 10 비트)이라는 것을 나타내는 2 비트의 헤더 “00”을 부가한다.
도스량 정보의 표현의 변환(데이터 압축)의 일례를 표 2에 나타낸다. 표 2에서는 설명의 편의상 압축 전의 도스량 및 압축 후의 값부를 10 진 표현으로 하였으나, 실제로는 2 진 표현이 된다.
압축 전 압축 후
헤더부 값부 비트 수
j 번째의 구획 808 00 808 12
j+1 번째의 구획 775 01 -33 10
j+2 번째의 구획 765 10 -10 8
j+3 번째의 구획 760 10 -5 8
j+4 번째의 구획 760 10 없음 2
j 번째의 구획은, 압축 전의 도스량이 값부에 들어가고, 값부가 풀 비트 표현(부호 없는 10 비트)이라는 것을 나타내는 2 비트의 헤더 “00”이 부가된다.
j+1 번째의 구획은, j 번째의 구획의 도스량과의 차분이 32 계조보다 크고 128 계조 이하이기 때문에, 헤더는 값부가 차분 표현 1이라는 것을 나타내는 “01”이 되고, 값부에는 j 번째의 구획의 도스량과의 차분 -33(부호 있는 8 비트)이 들어간다.
j+2 번째의 구획은, j+1 번째의 구획의 도스량과의 차분이 32 계조 이하이기 때문에, 헤더는 값부가 차분 표현 2라는 것을 나타내는 “10”이 되고, 값부에는 j+1 번째의 구획의 도스량과의 차분 -10(부호 있는 6 비트)이 들어간다.
j+3 번째의 구획은, j+2 번째의 구획의 도스량과의 차분이 32 계조 이하이기 때문에, 헤더는 값부가 차분 표현 2라는 것을 나타내는 “10”이 되고, 값부에는 j+2 번째의 구획의 도스량과의 차분 -5(부호 있는 6 비트)가 들어간다.
j+4 번째의 구획은, j+3 번째의 구획과 도스량이 동일하기 때문에, 2 비트의 헤더 “11”로만 표현이 변환된다.
표 2에 나타낸 예에서는, 5 개의 구획의 도스량 정보의 압축 전의 데이터 사이즈는10 비트×5 = 50 비트였다. 한편, 압축 후에는 12 비트+10 비트+8 비트+8 비트+2 비트 = 40 비트가 되어, 데이터 사이즈를 삭감할 수 있다는 것이 확인되었다. 이와 같이, 1 개 전의 구획의 도스량과의 차분의 크기에 따라 차분 표현의 데이터 길이를 변경함으로써(이 예에서는 부호 있는 8 비트, 부호 있는 6 비트, 0 비트), 데이터를 압축하여 도스량 정보를 표현할 수 있다.
도 10, 도 11과 비교했을 때, 도 12에 나타낸 바와 같이 도스량의 정의 순서를 지그재그로 함으로써 1 개 전의 구획과 도스량이 동일해지기 쉬우며, 전술한 방법을 이용하여 효율적으로 데이터를 압축할 수 있다. 예를 들면 도 13에 나타낸 바와 같이, 도스량(D3-1)의 구획은 도스량(D2-3)의 구획에 인접해 있기 때문에 도스량이 동일한 값이 되기 쉬워 데이터의 압축 효율이 좋다.
[제2 실시 형태]
상기 제1 실시 형태에서는 사다리꼴을 복수의 구획으로 분할하고 각 구획에 1 개의 도스량을 정의하여, 1 개의 구획 내에서는 어느 위치에서도 도스량은 동일하다고 하였으나, 묘화 데이터(DT1)에서 각 구획의 양 말단에서의 도스량을 정의하고 양 말단의 도스량을 일차 보간하여 임의의 좌표에서의 도스량을 구하도록 해도 된다.
예를 들면 도 15에 나타낸 바와 같이, 1 개의 사다리꼴(T)을 메쉬 사이즈로 3 개의 구획(SC1, SC2, SC3)으로 분할한다. 그리고, 구획(SC1)의 하단, 구획(SC1)의 상단(구획(SC2)의 하단), 구획(SC2)의 상단(구획(SC3)의 하단), 구획(SC3)의 상단의 4 개소에서의 도스량(D1, D2, D3, D4)을 정의한다. 묘화 데이터(DT1)에서는 도스량(D1, D2, D3, D4)이 차례로 정의된다.
묘화 데이터(DT1)를 판독한 제어 계산기(52)는 구획(SC1) 내에서의 픽셀(pj)의 도스량(Dj), 구획(SC1)의 양 말단의 도스량(D1, D2)을 일차 보간하여 구할 수 있다. 또한, 구획(SC3) 내에서의 픽셀(pk)의 도스량(Dk)은 구획(SC3)의 양 말단의 도스량(D3, D4)을 일차 보간하여 구할 수 있다.
[제3 실시 형태]
상기 제1 실시 형태에서는 사다리꼴을 복수의 구획으로 분할하고 각 구획에 1 개의 도스량을 정의하였으나, 복수의 구획으로 분할하지 않고 사다리꼴의 양 말단에서의 도스량을 정의하고 양 말단의 도스량을 일차 보간하여 임의의 좌표에서의 도스량을 구하도록 해도 된다.
예를 들면 도 16에 나타낸 바와 같이, 1 개의 사다리꼴(T)의 하단과 상단의 2 개소에서의 도스량(D1, D2)을 정의한다. 묘화 데이터(DT1)에서는 도스량(D1, D2)이 차례로 정의된다.
묘화 데이터(DT1)를 판독한 제어 계산기(52)는 사다리꼴(T) 내에서의 픽셀(pj)의 도스량(Dj)을 사다리꼴(T)의 양 말단의 도스량(D1, D2)을 일차 보간하여 구할 수 있다.
도 17(a)에 나타낸 바와 같이, 사다리꼴(T1, T2, T3, T4)의 하단의 도스량을 D1L, D2L, D3L, D4L, 상단의 도스량을 D1U, D2U, D3U, D4U로 한 경우를 고려한다. 묘화 데이터(DT1)에서의 도스량의 정의 순서는 도 17(b)에 나타낸 바와 같이 사다리꼴(T1)의 하단, 상단, 사다리꼴(T2)의 하단, 상단, 사다리꼴(T3)의 하단, 상단과 같은 순서여도 되고, 도 17(c)에 나타낸 바와 같이 사다리꼴(T1)의 상단, 하단, 사다리꼴(T2)의 상단, 하단, 사다리꼴(T3)의 상단, 하단과 같은 순서여도 된다. 또한, 도 17(d)에 나타낸 바와 같이 사다리꼴(T1)의 하단, 상단, 사다리꼴(T2)의 상단, 하단, 사다리꼴(T3)의 하단, 상단과 같이 지그재그로 정의해도 된다. 또한, 도 17(b) ~ 도 17(d)는 묘화 데이터(DT1) 중 헤더(PHd)의 부분만 나타내고 있다.
변환 장치(70)는 사다리꼴의 상단과 하단의 도스량 정보를 이하의 표 3에 나타낸 것과 같은 헤더부, 제1 값부 및 제2 값부로 이루어지는 데이터 구조로 변환하여 데이터를 압축해도 된다. 표 3의 예에서는 압축 전의 각 도스량이 10 비트라고 하고 있다.
헤더부(1 비트) 제1 값부 제2 값부
값 의미
0 상하단 도스 정의 부호 없는 10 비트 부호 없는 10 비트
1 앞의 도스량과 동일 값 없음(0 비트) 값 없음(0 비트)
어느 한 사다리꼴의 양 말단(상하단)의 도스량이 1 개 전의 사다리꼴의 양 말단의 도스량과 동일한 경우, 이 사다리꼴의 도스량 정보를 1 개 전의 사다리꼴의 도스량과 동일하다는 것을 나타내는 1 비트의 헤더 “1”만으로 표현한다.
어느 한 사다리꼴의 양 말단의 도스량 중 적어도 일방이 1 개 전의 사다리꼴의 양 말단의 도스량과 상이한 경우, 하단의 도스량을 제1 값부, 상단의 도스량을 제2 값부에 넣고, 양 말단의 도스량이 정의되어 있다는 것을 나타내는 1 비트의 헤더 “0”을 부가한다.
도스량 정보의 표현의 변환(데이터 압축)의 일례를 표 4에 나타낸다. 표 4에서는 설명의 편의상 압축 전의 도스량 및 압축 후의 값부를 10 진 표현으로 하였으나, 실제로는 2 진 표현이 된다.
압축 전 압축 후
하단 상단 헤더부 제1 값부 제2 값부 비트 수
j 번째의 사다리꼴 808 809 0 808 809 21
j+1 번째의 사다리꼴 807 809 0 807 809 21
j+2 번째의 사다리꼴 807 810 0 807 810 21
j+3 번째의 사다리꼴 807 810 1 없음 없음 1
j+4 번째의 사다리꼴 807 810 1 없음 없음 1
j+5 번째의 사다리꼴 807 810 1 없음 없음 1
j+6 번째의 사다리꼴 807 810 1 없음 없음 1
j+7 번째의 사다리꼴 807 810 1 없음 없음 1
j+8 번째의 사다리꼴 806 809 0 806 809 21
j 번째 ~ j+2 번째의 사다리꼴은 양 말단의 도스량이 정의되고, 헤더 “0”이 부가된다.
j+3 번째 ~ j+7 번째의 사다리꼴은 양 말단의 도스량이 j+2 번째의 사다리꼴의 양 말단의 도스량과 동일했기 때문에, 1 비트의 헤더 “1”만으로 표현한다.
j+8 번째의 사다리꼴은 양 말단의 도스량이 정의되고, 헤더 “0”이 부가된다.
j 번째 ~ j+8 번째의 9 개의 사다리꼴의 양 말단의 도스량 정보의 압축 전의 데이터 사이즈는 10 비트×2×9 = 180 비트였다. 한편, 압축 후에는 (1+10×2)×4+1×5 = 89 비트가 되어, 데이터 사이즈를 삭감할 수 있다는 것이 확인되었다.
변환 장치(70)는 사다리꼴의 상단과 하단의 도스량 정보를 이하의 표 5에 나타낸 것과 같은 헤더부, 제1 값부 및 제2 값부로 이루어지는 데이터 구조로 변환하여 데이터를 더 압축해도 된다.
헤더부(1 비트) 제1 값부 제2 값부
값 의미
0 상하단 도스 정의 부호 없는 10 비트 부호 없는 10 비트
1 앞의 도스량을 (제1 값부의 값 +1) 회 반복함 부호 없는 3 비트 값 없음(0 비트)
양 말단(상하단)의 도스량이 동일한 사다리꼴이 연속되는 경우, 앞의 사다리꼴의 도스량과 동일하다는 것을 나타내는 1 비트의 헤더 “1”과, 도스량이 동일한 사다리꼴이 연속되는 수(부호 없는 3 비트)로 도스량 정보가 표현된다.
어느 한 사다리꼴의 양 말단의 도스량 중 적어도 일방이 1 개 전의 사다리꼴의 양 말단의 도스량과 상이한 경우, 하단의 도스량을 제1 값부, 상단의 도스량을 제2 값부에 넣고, 양 말단의 도스량이 정의되어 있다는 것을 나타내는 1 비트의 헤더 “0”을 부가한다.
표 4에 나타낸 압축 전의 도스량 정보를 표 5에 나타낸 데이터 구조로 변환한 예를 표 6에 나타낸다.
정의 번호 압축 후
헤더부 제1 값부 제2 값부 비트 수
1 0 808 809 21
2 0 807 809 21
3 0 807 810 21
4 1 4 없음 4
5 0 806 809 21
헤더 “1”에 대응하는 제1 값부에 “4”가 정의되어 있는 것으로부터, j+2 번째의 도스량이 5 회 반복된다고 해석된다. 이 예에서는 (1+10×2)×4+(1+3) = 88 비트가 되어, 데이터 사이즈를 더 삭감할 수 있다는 것이 확인되었다.
[제4 실시 형태]
상기 제3 실시 형태에서는 사다리꼴의 양 말단에서의 도스량을 정의하고, 양 말단의 도스량을 일차 보간하여 임의의 좌표에서의 도스량을 구하고 있었으나, 제어 계산기(52)는 복수의 연속하는 사다리꼴군에 외접하는 직사각형을 그려 외접 직사각형의 4 꼭지점의 도스량을 계산하고, 외접 직사각형 내의 임의의 좌표의 도스량을 4 꼭지점의 도스량의 쌍일차 보간(바이리니어 보간)으로 산출해도 된다.
변환 장치(70)는 사다리꼴의 상단과 하단의 도스량 정보를 이하의 표 7에 나타낸 것과 같은 헤더부, 제1 값부 및 제2 값부로 이루어지는 데이터 구조로 변환한다.
헤더부(1 비트) 제1 값부 제2 값부
값 의미
0 상하단 도스 정의 부호 없는 10 비트 부호 없는 10 비트
1 보간 영역 값 없음(0 비트) 값 없음(0 비트)
도스량을 쌍일차 보간으로 산출하는 사다리꼴의 도스량 정보는 1 비트의 헤더 “1”만으로 표현한다. 양 말단(상하단)의 도스량이 정의되어 있는 사다리꼴은 헤더부에 “0”이 정의되고, 하단의 도스량이 제1 값부, 상단의 도스량이 제2 값부에 정의된다.
예를 들면, 도 18에 나타낸 사다리꼴(T1 ~ T9)의 도스량 정보를 이하의 표 8과 같이 표현한다. 이 예에서는 9 개의 사다리꼴(T1 ~ T9)의 도스량 정보가 (1+10×2)×4+1×5 = 89 비트가 되어, 데이터 사이즈를 삭감할 수 있다는 것이 확인되었다.
압축 전 압축 후
하단 상단 헤더부 제1 값부 제2 값부 비트 수
사다리꼴(T1) 808 809 0 808 809 21
사다리꼴(T2) 807 809 0 807 809 21
사다리꼴(T3) 807 810 0 807 810 21
사다리꼴(T4) 807 810 1 없음 없음 1
사다리꼴(T5) 807 810 1 없음 없음 1
사다리꼴(T6) 807 810 1 없음 없음 1
사다리꼴(T7) 807 810 1 없음 없음 1
사다리꼴(T8) 807 810 1 없음 없음 1
사다리꼴(T9) 806 809 0 806 809 21
묘화 데이터(DT1)를 판독한 제어 계산기(52)는 도 18에 나타낸 바와 같이 사다리꼴(T3 ~ T9)에 외접하는 직사각형(R)을 그려 외접 직사각형(R)의 4 꼭지점(C00, C01, C10, C11)의 도스량을 산출한다. 꼭지점(C00, C01)의 도스량(d00, d01)은 사다리꼴(T3)의 하단, 상단의 도스량이다.
꼭지점(C10, C11)의 도스량(d10, d11)은 사다리꼴(T9)의 하단, 상단의 도스량으로부터 내삽 또는 외삽에 의해 구한다.
도 19에 나타낸 바와 같이 외접 직사각형(R)의 도면 중 좌우 방향의 길이를 w, 도면 중 상하 방향의 길이를 h, 꼭지점(C00)의 좌표를 (X0, Y0)로 한 경우, 좌표(x, y)에서의 도스량(d(x, y))은 이하의 쌍일차 보간식으로 구할 수 있다.
Figure 112018030299130-pat00001
표 7에 나타낸 헤더 “1”을 보간 영역이 '제1 값부의 값 +1' 회 반복하는 것을 의미하는 것으로 하여 데이터량을 더 삭감해도 된다.
변환 장치(70)는 하드웨어로 구성해도 되고, 소프트웨어로 구성해도 된다. 소프트웨어로 구성하는 경우에는 변환 장치(70) 중 적어도 일부의 기능을 실현하는 프로그램을 CD-ROM 등의 기록 매체에 수납하고 컴퓨터에 판독하게 하여 실행시켜도 된다. 기록 매체는 자기 디스크 또는 광디스크 등의 착탈 가능한 것에 한정되지 않으며, 하드 디스크 장치 또는 메모리 등의 고정형의 기록 매체여도 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로에 한정되지 않으며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의해 다양한 발명을 형성할 수 있다. 예를 들면, 실시 형태에 나타난 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.

Claims (8)

  1. 멀티 하전 입자빔 묘화 장치에서 이용될 묘화 데이터를 작성하는 방법으로서,
    설계 데이터에 포함되어 있는 다각형 도형을 각각 적어도 1 조의 대변이 제1 방향을 따라 평행하며, 상기 제1 방향과 평행한 변을 공통변으로 하여 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 나열하여 연결되는 복수의 사다리꼴로 분할하는 공정과,
    제1 사다리꼴, 제2 사다리꼴 및 제3 사다리꼴이 상기 제2 방향을 따라 연결되어 있는 경우, 상기 제2 사다리꼴과 상기 제3 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치를, 상기 제1 사다리꼴과 상기 제2 사다리꼴의 공통의 꼭지점의 위치로부터의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 변위로 표현하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 공정
    을 구비하고,
    상기 복수의 사다리꼴 중 적어도 하나의 사다리꼴에서 상기 제1 방향으로 상이한 도스량이 정의되고,
    상기 복수의 사다리꼴 중 상기 제1 방향의 길이가 소정 사이즈보다 큰 사다리꼴을 상기 제1 방향을 따라 상기 소정 사이즈로 복수의 구획으로 분할하고, 각 구획에 도스량을 정의하여 상기 묘화 데이터를 작성하고,
    상기 상이한 도스량은 상기 복수의 구획에서 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향의 역방향으로 차례로 정의되는 것인, 묘화 데이터 작성 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방향을 상하 방향으로 한 경우, 상기 묘화 데이터에서 상기 제1 사다리꼴의 각 구획의 도스량은 하측의 구획부터 상방향으로 차례로 정의되고, 상기 제2 사다리꼴의 각 구획의 도스량은 상측의 구획부터 하방향으로 차례로 정의되는 것을 특징으로 하는 묘화 데이터 작성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    각 구획의 도스량을, 정의 순서가 1 개 전인 구획의 도스량으로부터의 차분 표현으로 변환하는 것을 특징으로 하는 묘화 데이터 작성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    각 구획에 대해 상기 제1 방향의 양 말단에서의 도스량을 정의하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 것을 특징으로 하는 묘화 데이터 작성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    각 사다리꼴에 대해 상기 제1 방향의 양 말단에서의 도스량을 정의하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 것을 특징으로 하는 묘화 데이터 작성 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 사다리꼴의 상기 제1 방향의 양 말단에서의 도스량이 상기 제1 사다리꼴의 상기 제1 방향의 양 말단에서의 도스량과 동일한 경우,
    상기 제1 사다리꼴의 도스량 정보는, 상기 제1 방향의 양 말단에서의 도스량이 정의되었다는 것을 나타내는 헤더부와, 상기 양 말단의 도스량을 나타내는 값부를 가지고,
    상기 제2 사다리꼴의 도스량 정보는, 상기 제1 사다리꼴의 도스량 정보와 동일하다는 것을 나타내는 헤더부를 가지며, 값부를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 묘화 데이터 작성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    n(n은 2 이상의 정수) 번째의 사다리꼴의 도스량 정보를, n-1 번째 이전의 사다리꼴의 상기 제1 방향의 양 말단에서의 도스량 정보와, n+1 번째 이후의 사다리꼴의 상기 제1 방향의 양 말단에서의 도스량 정보를 쌍일차 보간하여 정해지는 것이라는 것을 나타내는 표현으로 변환하는 것을 특징으로 하는 묘화 데이터 작성 방법.
KR1020180035066A 2017-03-30 2018-03-27 묘화 데이터 작성 방법 KR102071926B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-068045 2017-03-30
JP2017068045A JP2018170448A (ja) 2017-03-30 2017-03-30 描画データ作成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180111578A KR20180111578A (ko) 2018-10-11
KR102071926B1 true KR102071926B1 (ko) 2020-01-31

Family

ID=63670703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180035066A KR102071926B1 (ko) 2017-03-30 2018-03-27 묘화 데이터 작성 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10503860B2 (ko)
JP (1) JP2018170448A (ko)
KR (1) KR102071926B1 (ko)
CN (1) CN108717720B (ko)
TW (1) TWI704591B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7119688B2 (ja) 2018-07-18 2022-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP7172420B2 (ja) * 2018-10-15 2022-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016111325A (ja) 2014-11-28 2016-06-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データの作成方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL97021A0 (en) * 1991-01-24 1992-03-29 Ibm Israel Partitioning method for e-beam lithography
JPH07297094A (ja) * 1994-04-20 1995-11-10 Hitachi Ltd 電子源および電子ビーム描画方法および描画装置
JPH10223526A (ja) * 1996-12-06 1998-08-21 Mitsubishi Electric Corp 荷電ビーム描画データ作成装置および方法ならびに荷電ビーム描画データ作成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した機械可読な記憶媒体
JP4759876B2 (ja) * 2001-08-08 2011-08-31 ソニー株式会社 描画用パターンの分割処理方法、描画方法、描画用パターンの分割処理装置、描画装置、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムが記録された記録媒体
JP3729802B2 (ja) * 2002-10-29 2005-12-21 新光電気工業株式会社 台形分割方法およびその装置
JP4091470B2 (ja) 2003-05-06 2008-05-28 株式会社東芝 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
JP2005079392A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toshiba Mach Co Ltd 描画データ作成方法
WO2007125912A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Panasonic Corporation 描画装置及び描画方法
JP4714854B2 (ja) * 2006-09-05 2011-06-29 独立行政法人産業技術総合研究所 マスクパターン設計方法、マスクパターン設計装置および半導体装置の製造方法
JP2008089868A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Fujifilm Corp 描画点データ取得方法および装置ならびに描画方法および装置
US7704653B2 (en) * 2006-10-25 2010-04-27 Kla-Tencor Corporation Method of data encoding, compression, and transmission enabling maskless lithography
JP2008227453A (ja) * 2007-02-13 2008-09-25 Jeol Ltd パターン描画方法
JP5078431B2 (ja) * 2007-05-17 2012-11-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置、その収差補正値算出装置、及びその収差補正プログラム
JP5069052B2 (ja) 2007-07-30 2012-11-07 日本電子株式会社 ドーズ補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2009177051A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画装置のパターン描画方法及び装置
JP2010161268A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Jeol Ltd 形状補正荷電粒子ビーム描画方法及び装置
EP2637165A4 (en) * 2010-11-01 2014-06-04 Mitsubishi Electric Corp DRAWING DEVICE AND DRAWING METHOD
JP5601989B2 (ja) * 2010-11-19 2014-10-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012253316A (ja) * 2011-05-12 2012-12-20 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
DE112012005770T5 (de) * 2012-01-27 2014-10-23 Mitsubishi Electric Corporation Zeichnungsdaten-Erzeugungsvorrichtung und Bildzeichnungsvorrichtung
JP2015001574A (ja) * 2013-06-14 2015-01-05 株式会社ジオ技術研究所 地図データ生成システム、地図出力システム
JP2015095538A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データの作成方法
JP2016076654A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
US9984853B2 (en) * 2014-11-28 2018-05-29 Nuflare Technology, Inc. Method for generating writing data
JP6679933B2 (ja) 2016-01-05 2020-04-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法
US9990460B2 (en) * 2016-09-30 2018-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Source beam optimization method for improving lithography printability

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016111325A (ja) 2014-11-28 2016-06-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データの作成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201837965A (zh) 2018-10-16
CN108717720A (zh) 2018-10-30
JP2018170448A (ja) 2018-11-01
TWI704591B (zh) 2020-09-11
KR20180111578A (ko) 2018-10-11
CN108717720B (zh) 2022-07-22
US20180285505A1 (en) 2018-10-04
US10503860B2 (en) 2019-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6934742B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
TWI584333B (zh) Charged particle beam rendering device and charged particle beam rendering method
KR101782335B1 (ko) 묘화 데이터 생성 방법, 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 패턴 검사 장치
KR102323815B1 (ko) 묘화 데이터 생성 방법, 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치, 패턴 검사 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR102071926B1 (ko) 묘화 데이터 작성 방법
TWI710006B (zh) 描畫資料產生方法、記錄程式之電腦可讀取記錄媒體以及多帶電粒子束描畫裝置
JP5985852B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US10445450B2 (en) Generating method of drawing data and charged particle beam drawing method
KR101794287B1 (ko) 묘화 데이터의 작성 방법
US9984853B2 (en) Method for generating writing data
KR101908617B1 (ko) 묘화 데이터 작성 방법
JP6717406B2 (ja) 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
JPH06267834A (ja) 荷電ビーム描画方法
JP2008288360A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right