JP2010219371A - 荷電粒子ビーム描画装置およびパターン検査装置並びにレイアウト表示方法 - Google Patents

Abstract

【課題】階層化されたデータＤ１を高速にレイアウト表示する。
【解決手段】荷電粒子ビーム10a1bによってパターンを描画するための階層化されたデータD1をレイアウト表示するモニタ10d5を具備する荷電粒子ビーム描画装置10において、概略格子状に配列された複数の区画SC00,・・,SC45にフラグを有するマップMPCL1を作成し、第2階層FGの第２要素FG2を読み込み、第2階層FGの第2要素FG2の位置に対応する区画SC22のフラグが「第２階層FGの要素のレイアウト表示不可」の状態（「1」）になっているか否かを判定し、第2階層FGの第２要素FG2の位置に対応する区画SC22のフラグが「第2階層FGの要素のレイアウト表示不可」の状態（「1」）になっている場合には、第2階層FGの第2要素FG2をモニタ10d5上にレイアウト表示する処理を行わない。
【選択図】図１

Description

本発明は、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する画面を具備する荷電粒子ビーム描画装置、および、荷電粒子ビームにより描画されたパターンを検査するための階層化されたパターン検査装置用データをレイアウト表示する画面を具備するパターン検査装置、並びに、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを画面にレイアウト表示するレイアウト表示方法に関する。

従来から、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示（ビューワ処理）する画面を具備する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００８−２４４１９６号公報）の図７および段落〔００４１〕に記載されたものがある。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置用データが、チップ階層、フレーム階層、ブロック階層、セル階層および図形階層を有するように階層化されている。チップ階層、フレーム階層、ブロック階層、セル階層および図形階層については、例えば特許文献２に詳細に記載されている。

詳細には、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示（ビューワ処理）する時に、レイアウト表示させるべきセルを選択することができる旨が、特許文献１の段落〔００４１〕に記載されている。

特開２００８−２４４１９６号公報 特開２００８−４７７２２号公報の図２

ところで、特許文献１には、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する時に、レイアウト表示させるべきセルをどのように選択するかについて、詳細に記載されていない。

また、特許文献１には、荷電粒子ビーム描画装置用データの図形階層の多数の図形の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられた時に、どのような処理が行われるかについて記載されていない。

一般に、荷電粒子ビーム描画装置用データに含まれる図形階層のデータ量は、荷電粒子ビーム描画装置用データに含まれるチップ階層、フレーム階層、ブロック階層およびセル階層のデータ量に比べて非常に大きくなっている。また、荷電粒子ビーム描画装置用データを画面にレイアウト表示する一般的な手法では、レイアウト表示の倍率が低い時に、荷電粒子ビーム描画装置用データに含まれるチップ階層、フレーム階層、ブロック階層およびセル階層のデータが読み込まれて画面にレイアウト表示されるものの、図形階層のデータは読み込まれず、画面にレイアウト表示されない。そのため、レイアウト表示の倍率が低い時には、荷電粒子ビーム描画装置用データ（詳細には、チップ階層、フレーム階層、ブロック階層およびセル階層のデータ）の読み込みおよびレイアウト表示に要する時間（ビューワタイム）は比較的短くなる。

ところが、荷電粒子ビーム描画装置用データを画面にレイアウト表示する一般的な手法では、レイアウト表示の倍率が所定値まで拡大せしめられると、大量の図形階層のデータの読み込みが開始され、その結果、荷電粒子ビーム描画装置用データ（詳細には、チップ階層、フレーム階層、ブロック階層、セル階層および図形階層のデータ）の読み込みおよびレイアウト表示に要する時間（Ｖｉｅｗ Ｔｉｍｅ）が非常に長くなってしまう。

上述した問題点に鑑み、本発明は、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データを高速にレイアウト表示することができる荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。

更に、本発明は、階層化されたパターン検査装置用データを高速にレイアウト表示することができるパターン検査装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを高速にレイアウト表示することができるレイアウト表示方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、第１階層の要素を含むと共に、第１階層よりも下位の第２階層に少なくとも第１要素と第２要素とを含む階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データを読み込む読込手段と、
荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する画面と、
概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
第２階層の第１要素が読み込まれ、第１要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第２階層の第１要素の位置に対応する区画のフラグを「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第２階層の第２要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、第１階層の要素を含むと共に、第１階層よりも下位の第２階層に少なくとも第１要素と第２要素とを含む、荷電粒子ビームにより描画されたパターンを検査するための階層化されたパターン検査装置用データを読み込む読込手段と、
パターン検査装置用データをレイアウト表示する画面と、
概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
第２階層の第１要素が読み込まれ、第１要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第２階層の第１要素の位置に対応する区画のフラグを「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第２階層の第２要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備することを特徴とするパターン検査装置が提供される。

本発明の更に別の一態様によれば、第１階層の要素を含むと共に、第１階層よりも下位の第２階層に少なくとも第１要素と第２要素とを含む荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを画面にレイアウト表示するレイアウト表示方法において、
第２階層の第１要素および第２要素の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップを作成する工程と、
第２階層の第１要素を読み込む工程と、
第２階層の第１要素を画面上にレイアウト表示する工程と、
第２階層の第１要素が読み込まれ、第１要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第２階層の第１要素の位置に対応する区画のフラグを「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える工程と、
第２階層の第２要素を読み込む工程と、
第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する工程と、
第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第２階層の第２要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止する工程とを含むことを特徴とするレイアウト表示方法が提供される。

本発明によれば、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを高速にレイアウト表示することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。 図１に示す荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１を概略的に示した図である。 図１に示すモニタ１０ｄ５の画面と図２に示すセルＣＬ１との関係などを示した図である。 図形ＦＧ１の配置座標（ｘＦＧ１，ｙＦＧ１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１）などを示した図である。 図形ＦＧ１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 図形ＦＧ２の配置座標（ｘＦＧ２，ｙＦＧ２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２）などを示した図である。 図２および図３（Ａ）に示すセルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの図形ＦＧｎ−１の配置座標（ｘＦＧｎ−１，ｙＦＧｎ−１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ−１、Ｙ方向寸法ｈＦＧｎ−１）などを示した図である。 図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１，・・）のレイアウト表示が可能か否かが判定される段階におけるマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示した図である。 図形ＦＧｎ−１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 図２および図３（Ａ）に示すセルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの図形ＦＧｎの配置座標（ｘＦＧｎ，ｙＦＧｎ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｎ）などを示した図である。 図形ＦＧｎがレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 図３よりもレイアウト表示の倍率が高倍率に設定されている場合であって、モニタ１０ｄ５の画面上のセルＣＬ１の輪郭とモニタ１０ｄ５の画面の隣接する２個のピクセルの境界線とが一致しない場合であって、モニタ１０ｄ５の画面の１個のピクセルＰＸ００の輪郭とマップＭＰＣＬ１の１個の区画ＳＣ００の輪郭とが対応（一致）しない場合について説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合における図形ＦＧｍの配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ）などを示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合に図形ＦＧｍがレイアウト表示されたモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 図形ＦＧｍ＋１の配置座標（ｘＦＧｍ＋１，ｙＦＧｍ＋１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ＋１、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ＋１）などを示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合における図形ＦＧｍの配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ）などを示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合にみなし図形ＦＧｍ’がレイアウト表示されたモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の効果を説明するための図である。 第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のモニタ１０ｄ５の画面とブロックＢＬ２１との関係などを示した図である。 セルＣＬ１の配置座標（ｘＣＬ１，ｙＣＬ１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ１、Ｙ方向寸法ｈＣＬ１）などを示した図である。 セルＣＬ１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 セルＣＬ２の配置座標（ｘＣＬ２，ｙＣＬ２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ２、Ｙ方向寸法ｈＣＬ２）などを示した図である。 第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の効果を説明するための図である。 第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のモニタ１０ｄ５の画面と図２に示すセルＣＬ１との関係などを示した図である。 第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１の配置座標（ｘＦＧ１１，ｙＦＧ１１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１１）などを示した図である。 第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 第１レイヤーに属する図形ＦＧ１２の配置座標（ｘＦＧ１２，ｙＦＧ１２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１２）などを示した図である。 第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２１）などを示した図である。 第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１および第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 第２レイヤーに属する図形ＦＧ２２の配置座標（ｘＦＧ２２，ｙＦＧ２２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２２）などを示した図である。 第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２１）などを示した図である。 第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。 第１の実施形態のパターン検査装置２０の概略的な構成図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えばマスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビームとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビームとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｆ，１０ａ１ｉと、偏向器１０ａ１ｆ，１０ａ１ｉによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、例えば試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。更に、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、例えば荷電粒子銃１０ａ１ａと、照明レンズ１０ａ１ｃと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｄと、投影レンズ１０ａ１ｅと、偏向器１０ａ１ｆと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｇと、対物レンズ１０ａ１ｈと、偏向器１０ａ１ｉとが配置されている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば半導体集積回路などのレイアウトデータ（設計データ、ＣＡＤデータ）を例えば描画データ作成装置（図示せず）によって変換することにより得られた荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１が、例えばディスク形式で入力される。

図２は図１に示す荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１を概略的に示した図である。図２に示すように、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０で用いられる荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１は、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。

詳細には、図２に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のチップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のフレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のフレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０，ＢＬ４０，ＢＬ５０，ＢＬ０１，ＢＬ１１，ＢＬ２１，ＢＬ３１，ＢＬ４１，ＢＬ５１，ＢＬ０２，ＢＬ１２，ＢＬ２２，ＢＬ３２，ＢＬ４２，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のセル階層ＣＬの要素の一部である４個のセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４に対応している。また、例えば、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のセル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬ１が、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１の図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１が、装置内部フォーマットデータ作成部１０ｂによって装置内部フォーマットに変換され、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ２が作成される。次いで、この荷電粒子ビーム描画装置用データＤ２が描画制御部１０ｃに入力され、描画制御部１０ｃによって描画部１０ａが制御される。その結果、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に目的のパターンが描画される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、装置内部フォーマットデータ作成部１０ｂによって作成された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ２も、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１と同様に、図２に示すように階層化されている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１が、装置内部フォーマットデータ作成部１０ｂに入力されるのみならず、レイアウト表示部１０ｄにも入力される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すような階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１が、レイアウト表示部１０ｄのモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示（ビューワ処理）される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ２が、描画制御部１０ｃに入力されるのみならず、図１に破線で示すように、レイアウト表示部１０ｄにも入力可能に構成されている。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示す荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１と同様に階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ２も、レイアウト表示部１０ｄのモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示（ビューワ処理）することができる。

図３は図１に示すモニタ１０ｄ５の画面と図２に示すセルＣＬ１との関係などを示した図である。詳細には、図３（Ａ）はレイアウト表示の倍率が所定値に設定されている時におけるモニタ１０ｄ５の画面とセルＣＬ１との関係を示しており、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示すセルＣＬ１に対応して作成されたマップＭＰＣＬ１を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１（図１参照）が、レイアウト表示部１０ｄ（図１参照）のモニタ１０ｄ５（図３（Ａ）参照）の画面にレイアウト表示（ビューワ処理）される場合、モニタ１０ｄ５（図３（Ａ）参照）の画面上におけるセルＣＬ１（図３（Ａ）参照）のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＣＬ１（図３（Ａ）参照）がモニタ１０ｄ５（図３（Ａ）参照）の例えばピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）より小さく、かつ、セルＣＬ１（図３（Ａ）参照）のＹ方向寸法ｈＣＬ１（図３（Ａ）参照）がモニタ１０ｄ５（図３（Ａ）参照）の例えばピクセル５個分のＹ方向寸法より小さい時（つまり、レイアウト表示の倍率が拡大せしめられていない時）には、セルＣＬ１（図３（Ａ）参照）に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）が、読み込まれず、モニタ１０ｄ５（図３（Ａ）参照）の画面にレイアウト表示されない。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図３（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、チップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図１および図２に示すように、データ読込ユニット１０ｄ１により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のチップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット１０ｄ２により、チップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）の配置座標、大きさ（Ｘ方向寸法およびＹ方向寸法）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３により、チップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット１０ｄ４により、例えばチップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図３（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、フレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図１および図２に示すように、データ読込ユニット１０ｄ１により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のフレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット１０ｄ２により、フレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）の配置座標、大きさ（Ｘ方向寸法およびＹ方向寸法）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３により、フレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット１０ｄ４により、例えばフレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図３（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、ブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図１および図２に示すように、データ読込ユニット１０ｄ１により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット１０ｄ２により、ブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）の配置座標、大きさ（Ｘ方向寸法およびＹ方向寸法）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３により、ブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット１０ｄ４により、例えばブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図３（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、例えば、図１および図２に示すように、データ読込ユニット１０ｄ１により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）が順次読み込まれる。次いで、データ処理ユニット１０ｄ２により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）の配置座標、大きさ（Ｘ方向寸法およびＹ方向寸法）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置が算出される。次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、レイアウト表示ユニット１０ｄ４により、例えばセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。詳細には、この場合には、セルＣＬ１，ＣＬ２，・・が塗りつぶされてレイアウト表示される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３（Ａ）に示すように、モニタ１０ｄ５の画面上におけるセルＣＬ１のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＣＬ１が、モニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）に等しくなるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）の読み込みが開始される。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図３（Ａ）に示すように、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）が読み込まれる前に、図３（Ｂ）に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，ＳＣ２０，ＳＣ３０，ＳＣ４０，ＳＣ０１，ＳＣ１１，ＳＣ２１，ＳＣ３１，ＳＣ４１，ＳＣ０２，ＳＣ１２，ＳＣ２２，ＳＣ３２，ＳＣ４２，ＳＣ０３，ＳＣ１３，ＳＣ２３，ＳＣ３３，ＳＣ４３，ＳＣ０４，ＳＣ１４，ＳＣ２４，ＳＣ３４，ＳＣ４４，ＳＣ０５，ＳＣ１５，ＳＣ２５，ＳＣ３５，ＳＣ４５にフラグ（「０」または「１」）を有するマップＭＰＣＬ１が作成される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、マップＭＰＣＬ１が、セルＣＬ１に対応して作成される。また、マップＭＰＣＬ１を例えばＸ方向に複数に分割すると共に、マップＭＰＣＬ１を例えばＹ方向に複数に分割することにより、複数の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５が作成される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３（Ｂ）に示すように、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５のフラグが初期化される。つまり、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５のフラグが、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」に設定される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）（図２および図３（Ａ）参照）が読み込まれる。

図４は図形ＦＧ１の配置座標（ｘＦＧ１，ｙＦＧ１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１）などを示した図である。詳細には、図４（Ａ）は図形ＦＧ１の配置座標（ｘＦＧ１，ｙＦＧ１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１）を示しており、図４（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ１の位置を示しており、図４（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧ１の位置を示している。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）の配置座標（ｘＦＧ１，ｙＦＧ１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１およびＹ方向寸法ｈＦＧ１）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ２２）が算出される。また、図４（Ａ）および図４（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）の配置座標（ｘＦＧ１，ｙＦＧ１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１およびＹ方向寸法ｈＦＧ１）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ２２）が算出される。

図５は図形ＦＧ１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図５（Ａ）は図形ＦＧ１（図４（Ｂ）参照）がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図５（Ｂ）は図形ＦＧ１（図４（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示している。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図５（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）（図４（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ２２の位置にレイアウト表示される。また、図４（Ｃ）および図５（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）の位置に対応する区画ＳＣ２２のフラグが、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図３（Ｂ）参照）から「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」に切り換えられる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）（図２および図３（Ａ）参照）が読み込まれる。

図６は図形ＦＧ２の配置座標（ｘＦＧ２，ｙＦＧ２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２）などを示した図である。詳細には、図６（Ａ）は図形ＦＧ２の配置座標（ｘＦＧ２，ｙＦＧ２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２）を示しており、図６（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ２の位置を示しており、図６（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧ２の位置を示している。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）の配置座標（ｘＦＧ２，ｙＦＧ２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２およびＹ方向寸法ｈＦＧ２）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ２２）が算出される。また、図６（Ａ）および図６（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）の配置座標（ｘＦＧ２，ｙＦＧ２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２およびＹ方向寸法ｈＦＧ２）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ２２）が算出される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）の位置に対応する区画ＳＣ２２のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっているか否かが判定される。この段階では、図５（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）の位置に対応する区画ＳＣ２２のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっているため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。

詳細には、仮に、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されると共に、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示される場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示され、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されない場合と、レイアウト表示結果が同一になる（つまり、ピクセルＰＸ２２が塗りつぶされた状態になる）（図５（Ａ）参照）。

この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示しない場合におけるレイアウト表示結果とが同一になる時には、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。

そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のレイアウト表示を高速に行うことができる。

換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、図形階層ＦＧのすべての要素に対してレイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）によるモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のレイアウト表示を高速に行うことができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のレイアウト表示を更に高速にするために、後述するような処理も行われる。

図７は図２および図３（Ａ）に示すセルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの図形ＦＧｎ−１の配置座標（ｘＦＧｎ−１，ｙＦＧｎ−１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ−１、Ｙ方向寸法ｈＦＧｎ−１）などを示した図である。詳細には、図７（Ａ）は図形ＦＧｎ−１の配置座標（ｘＦＧｎ−１，ｙＦＧｎ−１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ−１、Ｙ方向寸法ｈＦＧｎ−１）を示しており、図７（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧｎ−１の位置を示しており、図７（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧｎ−１の位置を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）（図７（Ａ）参照）が読み込まれる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）の配置座標（ｘＦＧｎ−１，ｙＦＧｎ−１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ−１およびＹ方向寸法ｈＦＧｎ−１）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ１０）が算出される。また、図７（Ａ）および図７（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）の配置座標（ｘＦＧｎ−１，ｙＦＧｎ−１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ−１およびＹ方向寸法ｈＦＧｎ−１）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ１０）が算出される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）の位置に対応する区画ＳＣ１０のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっているか否かが判定される。

図８は図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１，・・）のレイアウト表示が可能か否かが判定される段階におけるマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示した図である。図８に示すように、この段階では、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）の位置に対応する区画ＳＣ１０のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」になっているため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。

図９は図形ＦＧｎ−１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図９（Ａ）は図形ＦＧｎ−１（図７（Ｂ）参照）がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図９（Ｂ）は図形ＦＧｎ−１（図７（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示している。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図９（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）（図７（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１０の位置にレイアウト表示される。また、図７（Ｃ）および図９（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ−１）の位置に対応する区画ＳＣ１０のフラグが、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図８参照）から「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」に切り換えられる。

図１０は図２および図３（Ａ）に示すセルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの図形ＦＧｎの配置座標（ｘＦＧｎ，ｙＦＧｎ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｎ）などを示した図である。詳細には、図１０（Ａ）は図形ＦＧｎの配置座標（ｘＦＧｎ，ｙＦＧｎ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｎ）を示しており、図１０（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧｎの位置を示しており、図１０（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧｎの位置を示している。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）（図１０（Ａ）参照）が読み込まれる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）の配置座標（ｘＦＧｎ，ｙＦＧｎ）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎおよびＹ方向寸法ｈＦＧｎ）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ１２）が算出される。また、図１０（Ａ）および図１０（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）の配置座標（ｘＦＧｎ，ｙＦＧｎ）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎおよびＹ方向寸法ｈＦＧｎ）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ１２）が算出される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）の位置に対応する区画ＳＣ１２のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっているか否かが判定される。

図９（Ｂ）に示すように、この段階では、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）の位置に対応する区画ＳＣ１２のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」になっているため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。

図１１は図形ＦＧｎがレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図１１（Ａ）は図形ＦＧｎ（図１０（Ｂ）参照）がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図１１（Ｂ）は図形ＦＧｎ（図１０（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示しており、図１１（Ｃ）は図形ＦＧｎ＋１の配置座標（ｘＦＧｎ＋１，ｙＦＧｎ＋１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｎ＋１、Ｙ方向寸法ｈＦＧｎ＋１）を示している。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）（図１０（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１２（図９（Ａ）および図１０（Ｂ）参照）の位置にレイアウト表示される。また、図１０（Ｃ）および図１１（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ）の位置に対応する区画ＳＣ１２のフラグが、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図９（Ｂ）参照）から「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」に切り換えられる。この結果、図１１（Ｂ）に示すように、マップＭＰＣＬ１のすべての区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５のフラグの状態が、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１（Ｂ）に示すように、フラグの状態が「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっている区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５の割合が例えば１００％に到達した場合に、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）（図１１（Ｃ）参照）の読み込みが終了せしめられる。

詳細には、仮に、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）がデータ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により読み込まれてモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示される場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）がデータ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により読み込まれない場合と、レイアウト表示結果が同一になる（つまり、セルＣＬ１に含まれる３０個のすべてのピクセルＰＸ００，・・，ＰＸ４０，ＰＸ０１，・・，ＰＸ４１，Ｐ０２，・・，ＰＸ４２，ＰＸ０３，・・，ＰＸ４３，ＰＸ０４，・・，ＰＸ４４，ＰＸ０５，・・，ＰＸ４５（図３（Ａ）参照）が塗りつぶされた状態になる）（図１１（Ａ）参照）。

この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）をデータ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により読み込んでモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）をデータ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により読み込まない場合におけるレイアウト表示結果とが同一になる時には、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）を読み込む処理、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）に対する処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。

そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）を読み込む処理、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）に対する処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のレイアウト表示を高速に行うことができる。

換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、図形階層ＦＧのすべての要素に対して、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）による読み込み処理、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）による処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）によるレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のレイアウト表示を高速に行うことができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、フラグの状態が「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっている区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５の割合が例えば１００％に到達した場合に、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）（図１１（Ｃ）参照）の読み込みが終了せしめられるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、フラグの状態が「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっている区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５の割合が例えば５０％〜９５％のような１００％以外の値に到達した場合に、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）（図１１（Ｃ）参照）の読み込みを終了させることも可能である。

詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）をデータ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により読み込んでモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）をデータ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により読み込まない場合におけるレイアウト表示結果とがほぼ同一になる場合（詳細には、例えば同一に見える場合）に、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）を読み込む処理、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）に対する処理、並びに、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。

図３〜図１１には、モニタ１０ｄ５の画面上におけるセルＣＬ１のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＣＬ１がモニタ１０ｄ５のピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）に等しくなるように、レイアウト表示の倍率が設定されている時の状態が示されている。詳細には、図３〜図１１に示す例では、例えば図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、モニタ１０ｄ５の画面上のセルＣＬ１の輪郭と、モニタ１０ｄ５の画面の隣接する２個のピクセルの境界線とが一致しており、また、モニタ１０ｄ５の画面の１個のピクセルＰＸ００の輪郭と、マップＭＰＣＬ１の１個の区画ＳＣ００の輪郭とが対応（一致）している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のレイアウト表示部１０ｄにおいて、モニタ１０ｄ５の画面に表示される矩形領域が指定され、レイアウト表示の倍率が設定されると、当然のことながら、モニタ１０ｄ５の画面上のセルＣＬ１の輪郭とモニタ１０ｄ５の画面の隣接する２個のピクセルの境界線とが図３（Ａ）に示すように一致しない場合（図３（Ａ）に示すようにはならない場合）や、モニタ１０ｄ５の画面の１個のピクセルＰＸ００の輪郭とマップＭＰＣＬ１の１個の区画ＳＣ００の輪郭とが図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように対応（一致）しない場合（図３（Ａ）に示すようにはならない場合）がある。このような場合に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０でどのような処理が行われるかについて説明する。

図１２は図３よりもレイアウト表示の倍率が高倍率に設定されている場合であって、モニタ１０ｄ５の画面上のセルＣＬ１の輪郭とモニタ１０ｄ５の画面の隣接する２個のピクセルの境界線とが一致しない場合であって、モニタ１０ｄ５の画面の１個のピクセルＰＸ００の輪郭とマップＭＰＣＬ１の１個の区画ＳＣ００の輪郭とが対応（一致）しない場合について説明するための図である。詳細には、図１２（Ａ）はレイアウト表示の倍率が図３（Ａ）よりも高倍率に設定されている時におけるモニタ１０ｄ５の画面の一部とセルＣＬ１の一部との関係を示しており、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）に示すセルＣＬ１に対応して作成されたマップＭＰＣＬ１の一部を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２（Ａ）に示すように、レイアウト表示の倍率およびモニタ１０ｄ５の画面に表示される矩形領域（図示せず）が設定されると、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ，ＦＧｍ＋１，・・）の読み込みが開始される。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ，ＦＧｍ＋１，・・）が読み込まれる前に、図１２（Ｂ）に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ０１，ＳＣ１１，・・にフラグを有するマップＭＰＣＬ１が作成される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２（Ｂ）に示すように、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ０１，ＳＣ１１，・・のフラグが初期化される。つまり、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ０１，ＳＣ１１，・・のフラグが、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ，ＦＧｍ＋１，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」に設定される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）（図１２（Ａ）参照）が読み込まれる。

これ以降の処理については、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合と、そのような処理が行われない場合とに分けて説明する。まず最初に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合について説明する。

図１３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合における図形ＦＧｍの配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ）などを示した図である。詳細には、図１３（Ａ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合における図形ＦＧｍの配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ）を示しており、図１３（Ｂ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合におけるモニタ１０ｄ５の画面上の図形ＦＧｍの位置を示しており、図１３（Ｃ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合におけるマップＭＰＣＬ１上の図形ＦＧｍの位置を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合には、次いで、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）の配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍおよびＹ方向寸法ｈＦＧｍ）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ０１）が算出される。また、図１３（Ａ）および図１３（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）の配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍおよびＹ方向寸法ｈＦＧｍ）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

図１４は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合に図形ＦＧｍがレイアウト表示されたモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図１４（Ａ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合に図形ＦＧｍ（図１３（Ｂ）参照）がレイアウト表示されたモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図１４（Ｂ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合に図形ＦＧｍ（図１３（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合には、次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図１４（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）（図１３（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ０１の位置にレイアウト表示される。また、図１３（Ｃ）および図１４（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図１２（Ｂ）参照）から「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」に切り換えられる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合には、次いで、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）（図１２（Ａ）参照）が読み込まれる。

図１５は図形ＦＧｍ＋１の配置座標（ｘＦＧｍ＋１，ｙＦＧｍ＋１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ＋１、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ＋１）などを示した図である。詳細には、図１５（Ａ）は図形ＦＧｍ＋１の配置座標（ｘＦＧｍ＋１，ｙＦＧｍ＋１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ＋１、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ＋１）を示しており、図１５（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧｍ＋１の位置を示しており、図１５（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧｍ＋１の位置を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合には、次いで、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）の配置座標（ｘＦＧｍ＋１，ｙＦＧｍ＋１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ＋１およびＹ方向寸法ｈＦＧｍ＋１）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ１１）が算出される。また、図１５（Ａ）および図１５（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）の配置座標（ｘＦＧｍ＋１，ｙＦＧｍ＋１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ＋１およびＹ方向寸法ｈＦＧｍ＋１）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合には、次いで、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっているか否かが判定される。この段階では、図１４（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっている。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合には、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合には、図１５（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）が、モニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１１に対応する位置に存在しているにもかかわらず、図１４（Ａ）に示すように、モニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１１が塗りつぶされない状態で維持される事態が生じてしまう。つまり、図１４（Ａ）に示すように、モニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１１に対応する位置に図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）（図１５（Ｂ）参照）が存在しない旨を示すレイアウト表示が維持される事態が生じてしまう。

この事態を回避するために、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、後述するような処理が行われる

図１６は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合における図形ＦＧｍの配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ）などを示した図である。詳細には、図１６（Ａ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合における図形ＦＧｍの配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍ、Ｙ方向寸法ｈＦＧｍ）を示しており、図１６（Ｂ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合におけるモニタ１０ｄ５の画面上の図形ＦＧｍおよびみなし図形ＦＧｍ’の位置を示しており、図１６（Ｃ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合におけるマップＭＰＣＬ１上の図形ＦＧｍおよびみなし図形ＦＧｍ’の位置を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合には、次いで、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）の配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍおよびＹ方向寸法ｈＦＧｍ）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ０１）が算出される。また、図１６（Ａ）および図１６（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）の配置座標（ｘＦＧｍ，ｙＦＧｍ）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧｍおよびＹ方向寸法ｈＦＧｍ）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合には、更に、図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、例えば、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ）が位置しているマップＭＰＣＬ１上の区画ＳＣ００の大きさに対応する「みなし図形ＦＧｍ’」が作成される。

図１７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合にみなし図形ＦＧｍ’がレイアウト表示されたモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図１７（Ａ）は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合にみなし図形ＦＧｍ’（図１６（Ｂ）参照）がレイアウト表示されたモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図１７（Ｂ）はみなし図形ＦＧｍ’（図１６（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合には、次いで、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（みなし図形ＦＧｍ’）（図１６（Ｂ）参照）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図１７（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、図形階層ＦＧの要素（みなし図形ＦＧｍ’）（図１６（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ００，ＰＸ１０，ＰＸ２０，ＰＸ０１，ＰＸ１１，ＰＸ２１，ＰＸ０２，ＰＸ１２，ＰＸ２２（図１６（Ｂ）参照）の位置にレイアウト表示される。詳細には、例えば、みなし図形ＦＧｍ’を含んでいるモニタ１０ｄ５の画面上のすべてのピクセルＰＸ００，ＰＸ１０，ＰＸ２０，ＰＸ０１，ＰＸ１１，ＰＸ２１，ＰＸ０２，ＰＸ１２，ＰＸ２２（図１６（Ｂ）参照）が塗りつぶされる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われる場合には、図１６（Ｃ）および図１７（Ｂ）に示すように、図形階層ＦＧの要素（みなし図形ＦＧｍ’）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが、「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図１２（Ｂ）参照）から「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」に切り換えられる。

そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合のように、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）（図１２（Ａ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１１に対応する位置に存在しているにもかかわらず、モニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１１（図１４（Ａ）参照）が塗りつぶされない状態で維持されてしまう事態を回避することができる。

換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０による処理が行われない場合のように、モニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１１（図１４（Ａ）参照）に対応する位置に図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｍ＋１）（図１２（Ａ）参照）が存在しない旨を示すレイアウト表示（図１４（Ａ）参照）が維持されてしまう事態を回避することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示すように、みなし図形ＦＧｍ’が作成され、図１７（Ａ）に示すように、みなし図形ＦＧｍ’がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されるが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のようにモニタ１０ｄ５の画面のピクセルＰＸ１１が塗りつぶされるレイアウト表示結果（図１７（Ａ）参照）と、モニタ１０ｄ５の画面のピクセルＰＸ１１が塗りつぶされないレイアウト表示結果（図１４（Ａ）参照）とがほぼ同一になる（詳細には、例えば同一に見える）と考えられる場合には、みなし図形ＦＧｍ’を作成する処理、および、みなし図形ＦＧｍ’をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示する処理を省略することも可能である。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、みなし図形ＦＧｍ’が作成され、みなし図形ＦＧｍ’がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されるが、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、みなし図形ＦＧｍ’を作成する処理、および、みなし図形ＦＧｍ’をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示する処理を省略することも可能である。

図１８は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の効果を説明するための図である。詳細には、図１８の横軸はモニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）を示しており、図１８の縦軸は荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のうち、モニタ１０ｄ５の画面上に位置する要素が読み込まれてレイアウト表示されるのに要する時間（Ｖｉｅｗ Ｔｉｍｅ）を示している。また、図１８において、「ＶＴ１」は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅを示しており、「ＶＴ２」はモニタ１０ｄ５の画面上に位置する図形階層ＦＧのすべての要素が読み込まれてレイアウト表示される従来の荷電粒子ビーム描画装置のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅを示している。

図１８に示す例では、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が１倍〜１１倍の時には、モニタ１０ｄ５の画面上におけるすべてのセルＣＬ１，ＣＬ２，・・のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＣＬ１，ｗＣＬ２，・・（図３（Ａ）参照）がモニタ１０ｄ５のピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）より小さく、かつ、すべてのセルＣＬ１，ＣＬ２，・・のＹ方向寸法ｈＣＬ１，ｈＣＬ２，・・（図３（Ａ）参照）がモニタ１０ｄ５のピクセル５個分のＹ方向寸法（幅寸法）より小さい。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、共に、モニタ１０ｄ５の画面上に位置する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）の読み込みおよびレイアウト表示が行われない（詳細には、セルＣＬ１，ＣＬ２，・・を塗りつぶしたものがモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される）。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅ「ＶＴ１」および従来の荷電粒子ビーム描画装置のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅ「ＶＴ２」は、共に小さい値になっている。

更に、図１８に示す例では、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が１３倍まで拡大せしめられると、モニタ１０ｄ５の画面上のほぼすべてのセルＣＬ１，ＣＬ２，・・のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＣＬ１，ｗＣＬ２，・・（図３（Ａ）参照）が、モニタ１０ｄ５のピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）以上になるか、あるいは、ほぼすべてのセルＣＬ１，ＣＬ２，・・のＹ方向寸法ｈＣＬ１，ｈＣＬ２，・・（図３（Ａ）参照）が、モニタ１０ｄ５のピクセル５個分のＹ方向寸法（幅寸法）以上になる。

その結果、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、モニタ１０ｄ５の画面上に位置する図形階層ＦＧのすべての要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）が読み込まれ、例えば、図形階層ＦＧの複数の要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２）（図３（Ａ）参照）をモニタ１０ｄ５の画面上の同じ位置（ピクセルＰＸ２２）（図３（Ａ）参照）にレイアウト表示する処理が重複して行われる。そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅ「ＶＴ２」は、非常に大きい値になってしまう。

一方、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３（Ｂ）に示すようにマップＭＰＣＬ１，・・が作成され、図４〜図６に示すように、例えば、図形階層ＦＧの複数の要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２）をモニタ１０ｄ５の画面上の同じ位置（ピクセルＰＸ２２）（図３（Ａ）参照）にレイアウト表示する処理が重複して行われない。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、モニタ１０ｄ５の画面上に位置する図形階層ＦＧのすべての要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）が読み込まれるのではなく、図１１（Ｂ）に示すように、フラグの状態が「図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっている区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５の割合が例えば１００％に到達した場合に、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）（図１１（Ｃ）参照）の読み込みが終了せしめられる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅ「ＶＴ１」は、従来の荷電粒子ビーム描画装置のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅ「ＶＴ２」に比べて、非常に小さい値に抑制されている（図１８中の矢印↓参照）。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図１８参照）が１２倍〜３８倍の時に、マップＭＰＣＬ１，・・（図３（Ｂ）参照）を作成する処理、図形階層ＦＧの複数の要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）がモニタ１０ｄ５の画面上の同じ位置（ピクセルＰＸ２２，・・）に重複してレイアウト表示されるのを回避する処理（図４〜図６参照）、および、図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧｎ＋１，・・）の読み込みが終了せしめられる処理（図１０および図１１参照）が行われるが、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、例えば、モニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・のＸ方向寸法（幅寸法）が、モニタ１０ｄ５のピクセル１個分のＸ方向寸法（幅寸法）よりも大きくなる程度に、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図１８参照）が拡大せしめられた時（例えば、図１８のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が２３倍より高い時）に、これらの処理を行わないようにすることも可能である。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マップＭＰＣＬ１，・・（図３（Ｂ）参照）が作成される場合、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図１８参照）が１２倍〜３８倍のすべての時に、例えばマップＭＰＣＬ１がＸ方向に５分割されると共にＹ方向に６分割されて、３０個の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５が作成されるが（図３（Ｂ）参照）、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、例えば、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図１８参照）が低い時（例えば、図１８のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が１２倍〜１８倍の時）に、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図１８参照）が高い時（例えば、図１８のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が１９倍〜２３倍の時）よりも、マップＭＰＣＬ１，・・（図３（Ｂ）参照）に含まれる区画ＳＣ００，・・の数を少なくすることも可能である。

詳細には、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図１８参照）に応じて、マップＭＰＣＬ１，・・（図３（Ｂ）参照）に含まれる区画ＳＣ００，・・の数を変更することも可能である。第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図１８参照）が低い時（例えば、図１８のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が１２倍〜１８倍の時）に、読み込まれてレイアウト表示される図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）の数を低減することができ、それにより、Ｖｉｅｗ Ｔｉｍｅ（図１８参照）を小さい値に抑制することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マップＭＰＣＬ１，・・（図３（Ｂ）参照）が作成される場合、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が１２倍〜３８倍（図１８参照）のすべての時に、例えばマップＭＰＣＬ１がＸ方向に５分割されると共にＹ方向に６分割されて、３０個の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５が作成されるが、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、例えば、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が１２倍〜３８倍（図１８参照）の時であって、モニタ１０ｄ５の画面上の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）の数（データ量）が多い時に、モニタ１０ｄ５の画面上の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）の数（データ量）が少ない時よりも、マップＭＰＣＬ１，・・（図３（Ｂ）参照）に含まれる区画ＳＣ００，・・の数を少なくすることも可能である。

詳細には、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、モニタ１０ｄ５の画面上の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）の数（データ量）に応じて、マップＭＰＣＬ１，・・（図３（Ｂ）参照）に含まれる区画ＳＣ００，・・の数を変更することも可能である。第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、モニタ１０ｄ５の画面上の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）の数（データ量）が多い時に、レイアウト表示される図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・）（図３（Ａ）参照）の数を低減することができ、それにより、Ｖｉｅｗ Ｔｉｍｅ（図１８参照）を小さい値に抑制することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図形階層ＦＧの要素（ＦＧ１，ＦＧ２，・・）の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１を高速にレイアウト表示するために、セルマップＣＬＭＰ１（図３（Ｂ）参照）が作成され、図形階層ＦＧの要素（ＦＧ１，ＦＧ２，・・）の読み込み処理の一部、および、図形階層ＦＧの要素（ＦＧ１，ＦＧ２，・・）をレイアウト表示するための処理の一部が省略されているが、第８の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、セル階層ＣＬの要素（ＣＬ１，ＣＬ２，・・）の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１を高速にレイアウト表示するために、ブロックマップ（図示せず）を作成し、セル階層ＣＬの要素（ＣＬ１，ＣＬ２，・・）の読み込み処理の一部、および／または、セル階層ＣＬの要素（ＣＬ１，ＣＬ２，・・）をレイアウト表示するための処理の一部を省略することも可能である。

また、第９の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、ブロック階層ＢＬの要素（ＢＬ００，ＢＬ１０，・・）の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１を高速にレイアウト表示するために、フレームマップ（図示せず）を作成し、ブロック階層ＢＬの要素（ＢＬ００，ＢＬ１０，・・）の読み込み処理の一部、および／または、ブロック階層ＢＬの要素（ＢＬ００，ＢＬ１０，・・）をレイアウト表示するための処理の一部を省略することも可能である。

あるいは、第１０の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、フレーム階層ＦＲの要素（ＦＲ１，ＦＲ２，・・）の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１を高速にレイアウト表示するために、チップマップ（図示せず）を作成し、フレーム階層ＦＲの要素（ＦＲ１，ＦＲ２，・・）の読み込み処理の一部、および／または、フレーム階層ＦＲの要素（ＦＲ１，ＦＲ２，・・）をレイアウト表示するための処理の一部を省略することも可能である。

一方、例えば、図形階層ＦＧの要素（ＦＧ１，ＦＧ２，・・）の数が多く、かつ、セル階層ＣＬの要素（ＣＬ１，ＣＬ２，・・）の数が多い荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１を高速にレイアウト表示しなければならない場合もある。この点に鑑み、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、セルマップＣＬＭＰ１（図３（Ｂ）参照）が作成され、図形階層ＦＧの要素（ＦＧ１，ＦＧ２，・・）の読み込み処理の一部、および、図形階層ＦＧの要素（ＦＧ１，ＦＧ２，・・）をレイアウト表示するための処理の一部が省略されると共に、後述するように、ブロックマップＢＬＭＰ２１（図１９（Ａ）参照）が作成され、セル階層ＣＬの要素（ＣＬ１，ＣＬ２，・・）をレイアウト表示するための処理の一部、および／または、セル階層ＣＬの要素（ＣＬ１，ＣＬ２，・・）の読み込み処理の一部が省略される。

図１９は第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のモニタ１０ｄ５の画面とブロックＢＬ２１との関係などを示した図である。詳細には、図１９（Ａ）はレイアウト表示の倍率が所定値に設定されている時におけるモニタ１０ｄ５（図１参照）の画面とブロックＢＬ２１（図２参照）との関係を示しており、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）に示すブロックＢＬ２１に対応して作成されたマップＭＰＢＬ２１を示している。

第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１が、レイアウト表示部１０ｄのモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示（ビューワ処理）される場合、図１９（Ａ）に示すようにモニタ１０ｄ５の画面上におけるブロックＢＬ２１のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＢＬ２１がモニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）より小さく、かつ、ブロックＢＬ２１のＹ方向寸法ｈＢＬ２１がモニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＹ方向寸法（幅寸法）より小さい時（つまり、レイアウト表示の倍率が拡大せしめられていない時）には、ブロックＢＬ２１に対応するセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）が、読み込まれず、モニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されない。

つまり、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図１９（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、チップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、例えばチップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

また、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図１９（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、フレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、例えばフレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

更に、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図１９（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、ブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、例えばブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

また、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１９（Ａ）に示すように、モニタ１０ｄ５の画面上におけるブロックＢＬ２１のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＢＬ２１が、モニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）以上になるか、あるいは、ブロックＢＬ２１のＹ方向寸法ｈＢＬ２１が、モニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＹ方向寸法以上になるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、ブロックＢＬ２１に対応するセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）の読み込みが開始される。

具体的には、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図１９（Ａ）に示すように、ブロックＢＬ２１に対応するセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、ブロックＢＬ２１に対応するセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）が読み込まれる前に、図１９（Ｂ）に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，ＳＣ２０，ＳＣ３０，ＳＣ４０，ＳＣ０１，ＳＣ１１，ＳＣ２１，ＳＣ３１，ＳＣ４１，ＳＣ０２，ＳＣ１２，ＳＣ２２，ＳＣ３２，ＳＣ４２，ＳＣ０３，ＳＣ１３，ＳＣ２３，ＳＣ３３，ＳＣ４３，ＳＣ０４，ＳＣ１４，ＳＣ２４，ＳＣ３４，ＳＣ４４，ＳＣ０５，ＳＣ１５，ＳＣ２５，ＳＣ３５，ＳＣ４５にフラグ（「０」または「１」）を有するマップＭＰＢＬ２１が作成される。

詳細には、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示すように、マップＭＰＢＬ２１が、ブロックＢＬ２１に対応して作成される。また、マップＭＰＢＬ２１を例えばＸ方向に複数に分割すると共に、マップＭＰＢＬ２１を例えばＹ方向に複数に分割することにより、複数の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５が作成される。

次いで、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１９（Ｂ）に示すように、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５のフラグが初期化される。つまり、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５のフラグが、「セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」に設定される。

次いで、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）（図２および図１９（Ａ）参照）が読み込まれる。

図２０はセルＣＬ１の配置座標（ｘＣＬ１，ｙＣＬ１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ１、Ｙ方向寸法ｈＣＬ１）などを示した図である。詳細には、図２０（Ａ）はセルＣＬ１の配置座標（ｘＣＬ１，ｙＣＬ１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ１、Ｙ方向寸法ｈＣＬ１）を示しており、図２０（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上におけるセルＣＬ１の位置を示しており、図２０（Ｃ）はマップＭＰＢＬ２１上におけるセルＣＬ１の位置を示している。

次いで、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）の配置座標（ｘＣＬ１，ｙＣＬ１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ１およびＹ方向寸法ｈＣＬ１）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ１１，ＰＸ２１，ＰＸ１２，ＰＸ２２）が算出される。また、図２０（Ａ）および図２０（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）の配置座標（ｘＣＬ１，ｙＣＬ１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ１およびＹ方向寸法ｈＣＬ１）に対応するマップＭＰＢＬ２１上の位置（区画ＳＣ１１，ＳＣ２１，ＳＣ１２，ＳＣ２２）が算出される。

図２１はセルＣＬ１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図２１（Ａ）はセルＣＬ１（図２０（Ｂ）参照）がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図２１（Ｂ）はセルＣＬ１（図２０（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＢＬ２１のフラグの状態を示している。

次いで、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図２１（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）（図２０（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ１１，ＰＸ２１，ＰＸ１２，ＰＸ２２の位置にレイアウト表示される。また、図２０（Ｃ）および図２１（Ｂ）に示すように、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）の位置に対応する区画ＳＣ１１，ＳＣ２１，ＳＣ１２，ＳＣ２２のフラグが、「セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図１９（Ｂ）参照）から「セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」に切り換えられる。

次いで、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中のセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）（図２および図１９（Ａ）参照）が読み込まれる。

図２２はセルＣＬ２の配置座標（ｘＣＬ２，ｙＣＬ２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ２、Ｙ方向寸法ｈＣＬ２）などを示した図である。詳細には、図２２（Ａ）はセルＣＬ２の配置座標（ｘＣＬ２，ｙＣＬ２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ２、Ｙ方向寸法ｈＣＬ２）を示しており、図２２（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上におけるセルＣＬ２の位置を示しており、図２２（Ｃ）はマップＭＰＢＬ２１上におけるセルＣＬ２の位置を示している。

次いで、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２２（Ａ）および図２２（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）の配置座標（ｘＣＬ２，ｙＣＬ２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ２およびＹ方向寸法ｈＣＬ２）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ２１）が算出される。また、図２２（Ａ）および図２２（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）の配置座標（ｘＣＬ２，ｙＣＬ２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＣＬ２およびＹ方向寸法ｈＣＬ２）に対応するマップＭＰＢＬ２１上の位置（区画ＳＣ２１）が算出される。

次いで、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）の位置に対応する区画ＳＣ２１のフラグが「セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっているか否かが判定される。この段階では、図２１（Ｂ）に示すように、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）の位置に対応する区画ＳＣ２１のフラグが「セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「１」になっているため、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）によるセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。

詳細には、仮に、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されると共に、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示される場合には、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のように、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示され、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）がモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されない場合と、レイアウト表示結果が同一になる（つまり、ピクセルＰＸ１１，ＰＸ２１，ＰＸ１２，ＰＸ２２が塗りつぶされた状態になる）（図２１（Ａ）参照）。

この点に鑑み、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示した場合におけるレイアウト表示結果と、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示しない場合におけるレイアウト表示結果とが同一になる時には、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）によるセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が省略される。

そのため、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）によりセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のレイアウト表示を高速に行うことができる。

換言すれば、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、セル階層ＣＬのすべての要素に対してレイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）によるモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われる場合よりも、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のレイアウト表示を高速に行うことができる。

図２３は第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の効果を説明するための図である。詳細には、図２３の横軸はモニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）を示しており、図２３の縦軸は荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１のうち、モニタ１０ｄ５の画面上に位置する要素が読み込まれてレイアウト表示されるのに要する時間（Ｖｉｅｗ Ｔｉｍｅ）を示している。また、図２３において、「ＶＴ１１」は第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅを示しており、「ＶＴ１２」はモニタ１０ｄ５の画面上に位置するセル階層ＣＬのすべての要素が読み込まれてレイアウト表示される従来の荷電粒子ビーム描画装置のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅを示している。

図２３に示す例では、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が例えば１倍より高い時に、モニタ１０ｄ５の画面上のほぼすべてのブロックＢＬ００，・・，ＢＬ２１，・・のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＢＬ００，・・，ｗＢＬ２１（図１９（Ａ）参照），・・が、モニタ１０ｄ５のピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）以上になるか、あるいは、ほぼすべてのブロックＢＬ００，・・，ＢＬ２１，・・のＹ方向寸法（幅寸法）ｈＢＬ００，・・，ｈＢＬ２１（図１９（Ａ）参照），・・が、モニタ１０ｄ５のピクセル５個分のＹ方向寸法（幅寸法）以上になる。

その結果、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においても、従来の荷電粒子ビーム描画装置と同様に、モニタ１０ｄ５の画面上に位置するセル階層ＣＬの多数の要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）（図１９（Ａ）参照）が読み込まれる。

一方、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１９（Ｂ）に示すようにマップＭＰＢＬ２１，・・が作成され、図２０〜図２２に示すように、例えば、セル階層ＣＬの複数の要素（セルＣＬ１，ＣＬ２）をモニタ１０ｄ５の画面上の同じ位置（ピクセルＰＸ１１，ＰＸ２１，ＰＸ１２，ＰＸ２２）（図１９（Ａ）参照）にレイアウト表示する処理が重複して行われない。そのため、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）が例えば１倍〜６倍の時に、第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅ「ＶＴ１１」は、従来の荷電粒子ビーム描画装置のＶｉｅｗ Ｔｉｍｅ「ＶＴ１２」に比べて、小さい値に抑制されている。

第１１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図２３参照）が例えば７倍〜１１倍の時にも、マップＭＰＢＬ２１，・・（図１９（Ｂ）参照）を作成する処理、セル階層ＣＬの複数の要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）がモニタ１０ｄ５の画面上の同じ位置（ピクセルＰＸ１１，ＰＸ２１，ＰＸ１２，ＰＸ２２，・・）に重複してレイアウト表示されるのを回避する処理（図２０〜図２２参照）等が行われるが、第１２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図２３参照）が例えば７倍〜１１倍の時に、これらの処理を行わないようにすることも可能である。

つまり、第１２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図２３参照）が例えば１倍〜６倍の時に、マップＭＰＢＬ２１（図１９（Ａ）参照），・・を用いた処理が行われる。また、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図２３参照）が例えば７倍〜１１倍の時に、マップＭＰＢＬ２１（図１９（Ａ）参照），・・を用いない従来の荷電粒子ビーム描画装置と同様の処理が行われる。更に、モニタ１０ｄ５の画面のレイアウト表示の倍率（Ｚｏｏｍ Ｎｏ）（図２３参照）が例えば１２倍より高い時に、マップＭＰＣＬ１（図３（Ａ）参照），・・を用いた第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様の処理が行われる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、マップのフラグが２種類の状態（「０」および「１」）（図３（Ｂ）および図５（Ｂ））を有するように構成されているが、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、マップのフラグが３種類以上の状態（「０」，「１」，「２」，・・）を有するように構成されている。

図２４は第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のモニタ１０ｄ５の画面と図２に示すセルＣＬ１との関係などを示した図である。詳細には、図２４（Ａ）はレイアウト表示の倍率が所定値に設定されている時におけるモニタ１０ｄ５の画面とセルＣＬ１との関係を示しており、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）に示すセルＣＬ１に対応して作成されたマップＭＰＣＬ１を示している。

第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１が、レイアウト表示部１０ｄのモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示（ビューワ処理）される場合、図２４（Ａ）に示すようにモニタ１０ｄ５の画面上におけるセルＣＬ１のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＣＬ１がモニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）より小さく、かつ、セルＣＬ１のＹ方向寸法ｈＣＬ１がモニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＹ方向寸法（幅寸法）より小さい時（つまり、レイアウト表示の倍率が拡大せしめられていない時）には、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が、読み込まれず、モニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示されない。

つまり、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図２４（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、チップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、例えばチップ階層ＣＰの要素（チップＣＰ１，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

また、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図２４（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、フレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、例えばフレーム階層ＦＲの要素（フレームＦＲ１，ＦＲ２，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

更に、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図２４（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、ブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、例えばブロック階層ＢＬの要素（ブロックＢＬ００，ＢＬ１０，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

また、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が読み込まれない程度にレイアウト表示の倍率が低い時（つまり、図２４（Ａ）よりもレイアウト表示の倍率が低い時）であって、セル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）のレイアウト表示が選択されている場合には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、例えばセル階層ＣＬの要素（セルＣＬ１，ＣＬ２，・・）の輪郭がモニタ１０ｄ５の画面上にレイアウト表示される。

更に、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２４（Ａ）に示すように、モニタ１０ｄ５の画面上におけるセルＣＬ１のＸ方向寸法（幅寸法）ｗＣＬ１が、モニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＸ方向寸法（幅寸法）以上になるか、あるいは、セルＣＬ１のＹ方向寸法ｈＣＬ１が、モニタ１０ｄ５の例えばピクセル５個分のＹ方向寸法以上になるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）の読み込みが開始される。

具体的には、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図２４（Ａ）に示すように、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、セルＣＬ１に対応する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が読み込まれる前に、図２４（Ｂ）に示すように、まず最初に、概略格子状に配列された複数の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，ＳＣ２０，ＳＣ３０，ＳＣ４０，ＳＣ０１，ＳＣ１１，ＳＣ２１，ＳＣ３１，ＳＣ４１，ＳＣ０２，ＳＣ１２，ＳＣ２２，ＳＣ３２，ＳＣ４２，ＳＣ０３，ＳＣ１３，ＳＣ２３，ＳＣ３３，ＳＣ４３，ＳＣ０４，ＳＣ１４，ＳＣ２４，ＳＣ３４，ＳＣ４４，ＳＣ０５，ＳＣ１５，ＳＣ２５，ＳＣ３５，ＳＣ４５にフラグ（「０」、「１」、「２」または「３」）を有するマップＭＰＣＬ１が作成される。

詳細には、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）に示すように、マップＭＰＣＬ１が、セルＣＬ１に対応して作成される。また、マップＭＰＣＬ１を例えばＸ方向に複数に分割すると共に、マップＭＰＣＬ１を例えばＹ方向に複数に分割することにより、複数の区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５が作成される。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２４（Ｂ）に示すように、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５のフラグが初期化される。つまり、各区画ＳＣ００，ＳＣ１０，・・，ＳＣ３５，ＳＣ４５のフラグが、「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」に設定される。

第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）が第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）よりも先に読み込まれるか、あるいは、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）よりも先に読み込まれるかは、場合によって異なる。まず最初に、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）が第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）よりも先に読み込まれる場合について説明する。

第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マップＭＰＣＬ１のフラグの初期化に続き、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）（図２４（Ａ）参照）が読み込まれる。

図２５は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１の配置座標（ｘＦＧ１１，ｙＦＧ１１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１１）などを示した図である。詳細には、図２５（Ａ）は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１の配置座標（ｘＦＧ１１，ｙＦＧ１１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１１）を示しており、図２５（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ１１の位置を示しており、図２５（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧ１１の位置を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）の配置座標（ｘＦＧ１１，ｙＦＧ１１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１１およびＹ方向寸法ｈＦＧ１１）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ００）が算出される。また、図２５（Ａ）および図２５（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）の配置座標（ｘＦＧ１１，ｙＦＧ１１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１１およびＹ方向寸法ｈＦＧ１１）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

図２６は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図２６（Ａ）は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１（図２５（Ｂ）参照）がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図２６（Ｂ）は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１（図２５（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図２６（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）（図２５（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ００の位置にレイアウト表示される（第１の色で塗りつぶされる）。また、図２５（Ｃ）および図２６（Ｂ）に示すように、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが、「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図２４（Ｂ）参照）から「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示可」の状態「１」に切り換えられる。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２）（図２４（Ａ）参照）が読み込まれる。

図２７は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１２の配置座標（ｘＦＧ１２，ｙＦＧ１２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１２）などを示した図である。詳細には、図２７（Ａ）は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１２の配置座標（ｘＦＧ１２，ｙＦＧ１２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ１２）を示しており、図２７（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ１２の位置を示しており、図２７（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧ１２の位置を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２７（Ａ）および図２７（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２）の配置座標（ｘＦＧ１２，ｙＦＧ１２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１２およびＹ方向寸法ｈＦＧ１２）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ００）が算出される。また、図２７（Ａ）および図２７（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２）の配置座標（ｘＦＧ１２，ｙＦＧ１２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ１２およびＹ方向寸法ｈＦＧ１２）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示可」の状態「１」または「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「３」になっているか否かが判定される。この段階では、図２６（Ｂ）に示すように、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示可」の状態「１」になっているため、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）（図２４（Ａ）参照）が読み込まれる。

図２８は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２１）などを示した図である。詳細には、図２８（Ａ）は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２１）を示しており、図２８（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ２１の位置を示しており、図２８（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧ２１の位置を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２８（Ａ）および図２８（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１およびＹ方向寸法ｈＦＧ２１）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ００）が算出される。また、図２８（Ａ）および図２８（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１およびＹ方向寸法ｈＦＧ２１）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

図２９は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１および第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図２９（Ａ）は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１（図２５（Ｂ）参照）および第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１（図２８（Ｂ）参照）がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図２９（Ｂ）は第１レイヤーに属する図形ＦＧ１１（図２５（Ｃ）参照）および第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１（図２８（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）および第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図２９（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）（図２５（Ｂ）参照）および第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）（図２８（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ００の位置にレイアウト表示される（第２の色で塗りつぶされる）。また、図２８（Ｃ）および図２９（Ｂ）に示すように、第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１）および第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが、「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示可」の状態「１」（図２６（Ｂ）参照）から「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「３」に切り換えられる。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２）（図２４（Ａ）参照）が読み込まれる。

図３０は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２２の配置座標（ｘＦＧ２２，ｙＦＧ２２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２２）などを示した図である。詳細には、図３０（Ａ）は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２２の配置座標（ｘＦＧ２２，ｙＦＧ２２）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２２、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２２）を示しており、図３０（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ２２の位置を示しており、図３０（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧ２２の位置を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３０（Ａ）および図３０（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２）の配置座標（ｘＦＧ２２，ｙＦＧ２２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２２およびＹ方向寸法ｈＦＧ２２）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ００）が算出される。また、図３０（Ａ）および図３０（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２）の配置座標（ｘＦＧ２２，ｙＦＧ２２）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２２およびＹ方向寸法ｈＦＧ２２）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「２」または「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「３」になっているか否かが判定される。この段階では、図２９（Ｂ）に示すように、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示不可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「３」になっているため、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）およびレイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）による第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２）をモニタ１０ｄ５の画面にレイアウト表示するための処理が行われない。

次に、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・）が第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）よりも先に読み込まれる場合について説明する。

第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マップＭＰＣＬ１のフラグの初期化（図２４（Ｂ）参照）に続き、データ読込ユニット１０ｄ１（図１参照）により、荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１中の第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）（図２４（Ａ）参照）が読み込まれる。

図３１は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２１）などを示した図である。詳細には、図３１（Ａ）は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）および大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１、Ｙ方向寸法ｈＦＧ２１）を示しており、図３１（Ｂ）はモニタ１０ｄ５の画面上における図形ＦＧ２１の位置を示しており、図３１（Ｃ）はマップＭＰＣＬ１上における図形ＦＧ２１の位置を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１およびＹ方向寸法ｈＦＧ２１）に対応するモニタ１０ｄ５の画面上の位置（ピクセルＰＸ００）が算出される。また、図３１（Ａ）および図３１（Ｃ）に示すように、データ処理ユニット１０ｄ２（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）の配置座標（ｘＦＧ２１，ｙＦＧ２１）、大きさ（Ｘ方向寸法ｗＦＧ２１およびＹ方向寸法ｈＦＧ２１）に対応するマップＭＰＣＬ１上の位置（区画ＳＣ００）が算出される。

図３２は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面などを示した図である。詳細には、図３２（Ａ）は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１（図３１（Ｂ）参照）がレイアウト表示された状態におけるモニタ１０ｄ５の画面を示しており、図３２（Ｂ）は第２レイヤーに属する図形ＦＧ２１（図３１（Ｃ）参照）がレイアウト表示された後のマップＭＰＣＬ１のフラグの状態を示している。

次いで、第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）をレイアウト表示する色などの情報が付加され、レイアウト表示用のオブジェクトが生成される。次いで、図３２（Ａ）に示すように、レイアウト表示ユニット１０ｄ４（図１参照）により、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）（図３１（Ｂ）参照）がモニタ１０ｄ５の画面上のピクセルＰＸ００の位置にレイアウト表示される（第３の色で塗りつぶされる）。また、図３１（Ｃ）および図３２（Ｂ）に示すように、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２１）の位置に対応する区画ＳＣ００のフラグが、「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示可」の状態「０」（図２４（Ｂ）参照）から「第１レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・）のレイアウト表示可、かつ、第２レイヤーに属する図形階層ＦＧの要素（図形ＦＧ２２，・・）のレイアウト表示不可」の状態「２」に切り換えられる。

第１４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、上述した第１から第１３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０を適宜組み合わせることも可能である。

以下、本発明のパターン検査装置の第１の実施形態について説明する。図３３は第１の実施形態のパターン検査装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態のパターン検査装置２０では、図３３に示すように、例えば半導体集積回路などのレイアウトデータ（設計データ、ＣＡＤデータ）を例えばパターン検査装置用データ作成装置（図示せず）によって変換することにより得られたパターン検査装置用データＤ３が、例えばディスク形式で入力される。パターン検査装置用データＤ３は、図２に示す荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１と同様に、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。

更に、第１の実施形態のパターン検査装置２０では、図３３に示すように、例えば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に実際に描画されたパターンに基づいて作成されたパターン検査装置用データＤ４が、例えばディスク形式で入力される。

詳細には、第１の実施形態のパターン検査装置２０では、図３３に示すように、検査部２０ａに入力されたパターン検査装置用データＤ３，Ｄ４に基づいて、例えば第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に実際に描画されたパターンなどの検査が行われる。

更に、第１の実施形態のパターン検査装置２０では、図３３に示すように、パターン検査装置用データＤ３が、検査部２０ａに入力されるのみならず、レイアウト表示部２０ｂにも入力される。つまり、第１の実施形態のパターン検査装置２０では、図２に示す荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１と同様に階層化されたパターン検査装置用データＤ３が、レイアウト表示部２０ｂのモニタ２０ｂ５の画面にレイアウト表示（ビューワ処理）される。

第１の実施形態のパターン検査装置２０のレイアウト表示部２０ｂのデータ読込ユニット２０ｂ１は、図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のレイアウト表示部１０ｄのデータ読込ユニット１０ｄ１と同様に構成されている。また、第１の実施形態のパターン検査装置２０のレイアウト表示部２０ｂのデータ処理ユニット２０ｂ２は、図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のレイアウト表示部１０ｄのデータ処理ユニット１０ｄ２と同様に構成されている。更に、第１の実施形態のパターン検査装置２０のレイアウト表示部２０ｂのレイアウト表示オブジェクト生成ユニット２０ｂ３は、図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のレイアウト表示部１０ｄのレイアウト表示オブジェクト生成ユニット１０ｄ３と同様に構成されている。

また、第１の実施形態のパターン検査装置２０のレイアウト表示部２０ｂのレイアウト表示ユニット２０ｂ４は、図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のレイアウト表示部１０ｄのレイアウト表示ユニット１０ｄ４と同様に構成されている。更に、第１の実施形態のパターン検査装置２０のレイアウト表示部２０ｂのモニタ２０ｂ５は、図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のレイアウト表示部１０ｄのモニタ１０ｄ５と同様に構成されている。

更に、第１の実施形態のパターン検査装置２０のレイアウト表示部２０ｂでは、上述した第１から第１４のいずれかの実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のレイアウト表示部１０ｄにおける荷電粒子ビーム描画装置用データＤ１をレイアウト表示するための処理と同様の処理が、パターン検査装置用データＤ３に対して行われる。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ｄ レイアウト表示部
１０ｄ５ モニタ

Claims (5)

1. 第１階層の要素を含むと共に、第１階層よりも下位の第２階層に少なくとも第１要素と第２要素とを含む階層化された荷電粒子ビーム描画装置用データを読み込む読込手段と、
   荷電粒子ビーム描画装置用データをレイアウト表示する画面と、
   概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
   第２階層の第１要素が読み込まれ、第１要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第２階層の第１要素の位置に対応する区画のフラグを「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
   第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
   第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第２階層の第２要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 荷電粒子ビーム描画装置用データが、第１要素および第２要素の他に多数の要素を第２階層に含んでおり、
   フラグの状態が「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換わった区画の割合が所定値に到達した場合に第２階層の要素の読み込みを終了させる読込終了手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 第１階層の要素を含むと共に、第１階層よりも下位の第２階層に少なくとも第１要素と第２要素とを含む、荷電粒子ビームにより描画されたパターンを検査するための階層化されたパターン検査装置用データを読み込む読込手段と、
   パターン検査装置用データをレイアウト表示する画面と、
   概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップと、
   第２階層の第１要素が読み込まれ、第１要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第２階層の第１要素の位置に対応する区画のフラグを「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える切換手段と、
   第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する判定手段と、
   第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第２階層の第２要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止するレイアウト表示処理中止手段とを具備することを特徴とするパターン検査装置。
4. 第１階層の要素を含むと共に、第１階層よりも下位の第２階層に少なくとも第１要素と第２要素とを含む荷電粒子ビーム描画装置用データまたはパターン検査装置用データを画面にレイアウト表示するレイアウト表示方法において、
   第２階層の第１要素および第２要素の読み込みが開始されるまでレイアウト表示の倍率が拡大せしめられると、概略格子状に配列された複数の区画にフラグを有するマップを作成する工程と、
   第２階層の第１要素を読み込む工程と、
   第２階層の第１要素を画面上にレイアウト表示する工程と、
   第２階層の第１要素が読み込まれ、第１要素の位置に対応するマップ上の区画が算出されると、第２階層の第１要素の位置に対応する区画のフラグを「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換える工程と、
   第２階層の第２要素を読み込む工程と、
   第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっているか否かを判定する工程と、
   第２階層の第２要素の位置に対応する区画のフラグが「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態になっている場合に、第２階層の第２要素を画面上にレイアウト表示する処理を中止する工程とを含むことを特徴とするレイアウト表示方法。
5. フラグの状態が「第２階層の要素のレイアウト表示可」の状態から「第２階層の要素のレイアウト表示不可」の状態に切り換わった区画の割合が所定値に到達した場合に第２階層の要素の読み込みを終了させる工程を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のレイアウト表示方法。

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