JP2010072593A - レイアウト表示装置及びレイアウト表示方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】描画データもしくは検査データに定義されたパターンレイアウトを短時間で表示することが可能なレイアウト表示装置およびレイアウト表示方法を提供する。
【解決手段】指定領域のセルを検索する(S12)。セルのX方向及びY方向のサイズが閾値1以下である場合、セル内の図形データの読み込みを行わず、セルに対応するピクセルを塗りつぶす(S15)。セルのX方向及びY方向のサイズが閾値1よりも大きくかつ閾値3以下である場合、セルのデータ量を取得し(S16)、セル領域に対応するピクセルマップの1ピクセル当たりの平均図形数を算出する(S17)。平均図形数が閾値2以上である場合、セルに対応するピクセルを塗りつぶす(S15)。平均図形数が閾値2よりも小さい場合、セル内にある図形データを全て読み込み(S19)、図形に対応するピクセルを塗りつぶす(S20)。
【選択図】図3

Description

本発明は、レイアウト表示装置及びレイアウト表示方法に関する。
半導体デバイスの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路パターンが微細化されている。半導体デバイスに微細な回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(即ち、レチクル或いはマスク)が必要となる。高精度の原画パターンを製造するために、優れた解像性を有する電子ビーム描画装置を用いることが知られている。
この種の電子ビーム描画装置は、外部の描画データ生成装置から入力された描画データを装置内部フォーマットに変換してショットデータを生成し、ショットデータから偏向データを生成し、偏向データに基づき偏向された電子ビームを用いて試料にパターンを描画する(例えば、特許文献1参照)。
パターンの描画精度を向上させるために、電子ビーム描画装置に入力される描画データを検証する必要がある。そこで、描画前及び/又は描画後に、レイアウトビューワを用いて描画データの表示が行われている。
ここで、描画データは、パターンの形状及び位置が定義されたデジタルデータであり、一般に階層構造を有している。図7に示す例では、描画データは、最上位階層であるマスクの階層と、そのマスクを構成するチップの階層と、チップを構成するセルの階層と、セルを構成する図形の階層(最下位階層)とからなる階層構造を有している。
図8を参照して、従来のレイアウトビューワを用いた描画データの表示方法を説明する。具体的には、従来のレイアウトビューワによるレイアウト表示方法を、図7に示すセル階層及び図形階層に定義されたレイアウトを表示する場合を例に説明する。
先ず、図8に示すルーチンが起動されると、ユーザに領域を指定させる(ステップS31)。このステップS31では、図9に示すビューワ画面1において、図形を拡大表示させる矩形領域をユーザに指定させる。図9に示す例では、マスク階層において、チップ枠よりも小さな領域が指定されている。
次に、上記ステップS31で指定された領域に定義されたセルを入力描画データから検索する(ステップS32)。このステップS32では、例えば、図10に示すように、指定領域内のセルA、セルBを含む複数のセルが検索される。
そして、上記ステップS32で検索されたセル内に定義された下位の図形のデータを全て読み込む(ステップS33)。このステップS33では、例えば、図10に示すセルAに含まれる3つの図形A、B、Cのデータが全て読み込まれる。
続いて、上記ステップS33で読み込まれた図形データに記述された図形形状、図形サイズ及び図形配置座標から、ピクセルマップ上での各図形に対応するピクセルを算出し、そのピクセルを塗りつぶす(ステップS34)。このステップS34では、図11に示すビューワ画面2のように、上記図形A、B、Cに対応するピクセルが塗りつぶされる。
その後、上記ステップS32で検索された全てのセルの処理が終了したか否かを判別する(ステップS35)。このステップS35で全てのセルの処理が終了していないと判別された場合、例えば、図10に示すセルBの処理が終了していない場合、上記ステップS33の処理に戻る。
一方、上記ステップS35で全てのセルの処理が終了したと判別された場合、本ルーチンを終了する。全てのセルの処理が終了すると、図12に示すビューワ画面3のように、指定領域のパターンレイアウトが表示される。
上記従来のレイアウト方法では、ユーザにより指定された矩形領域の大きさに関わらず、その指定領域に定義されている階層データ(マスク、チップ、セル、図形)を全て読み込み、最終的なレイアウト表示画面に表示していた。
ここで、ユーザにより指定された領域のレイアウト表示時間は、指定領域内に定義されている図形数(図形データ量)に比例する。従って、図13(A)に示すように、指定領域が狭い場合、読み込む図形データ量が少ないため、レイアウト表示時間が短い。これに対して、図13(B)に示すように、指定領域が広い場合、読み込む図形データ量が多いため、レイアウト表示時間が長い。
図14に示すように、ビューワ画面1で指定される領域が広い場合(例えば、指定領域がチップ枠よりも広い場合)、指定領域内の領域Aに着目すると、描画データ上の定義では同一のピクセルに多数のセル及び図形が収まる頻度が高い。この場合、下位の図形データを全て読み込み、各図形に対応するピクセルを計算し、そのピクセルを塗りつぶす一連の処理を長時間かけて行ったとしても、最終的なレイアウト表示画面であるビューワ画面3では数ピクセルのみが塗りつぶされる結果となる。このようなレイアウト表示結果は、処理に要した時間に比べ、得られる効果は少なく、効率的な方法とは言い難い。
上述した半導体デバイスの回路パターンの微細化に伴い、パターンビューワにより表示すべき図形数(図形データ量)は年々増大している。このため、パターンビューワによるレイアウト表示時間が増大し、パターン形状、配置の確認に要する時間が増え、マスク生産性が低下する問題が生じる。
特開2007−324229号公報
本発明の課題は、上記課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、描画データもしくは検査データに定義されているパターンレイアウトを画質の劣化を抑制しつつ、短時間で表示することが可能なレイアウト表示装置およびレイアウト表示方法を提供することにある。
本発明の他の課題および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示方法において、第1階層で指定された領域内に定義された第2階層の要素を検索するステップと、検索された第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値よりも大きい場合、前記第2階層の要素内に定義された第3階層の要素を読み込み、読み込まれた第3階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出されたピクセルを表示処理するステップと、検索された第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下である場合、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを含むことを特徴とするものである。
尚、本発明において、ピクセルの表示処理とは、ピクセルマップのピクセルを塗りつぶし等により表示させる処理をいう。
また、上記第1階層、第2階層及び第3階層を、任意の階層数を有する描画データもしくは検査データの任意の階層に置き換えて、本発明を再帰的に適用可能である。
本発明の第1の態様において、検索された第2階層の要素内に定義された第3階層の1ピクセル当たりの平均要素数を算出するステップと、算出された平均要素数が第2基準値以上である場合、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを更に含むように構成してもよい。
本発明の第1の態様において、前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが前記第1基準値よりも大きく第3基準値以下であり、かつ、前記平均要素数が前記第2基準値以上である場合、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理するように構成してもよい。
また、上記課題を解決するため、本発明の第2の態様は、マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示装置において、第1階層で指定された領域内に定義された第2階層の要素を検索する検索手段と、前記検索手段により検索された第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下であるか否かを判別する判別手段と、前記判別手段により前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下であると判別された場合に、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理する第1表示処理手段と、前記判別手段により前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値よりも大きいと判別された場合に、前記第2階層の要素内に定義された第3階層の要素を読み込む読込手段と、前記読込手段により読み込まれた第3階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出したピクセルを表示処理する第2表示処理手段とを備えたことを特徴とするものである。
本発明の第2の態様において、前記第3階層の1ピクセル当たりの平均要素数を算出する平均要素数算出手段を更に備え、前記判別手段により前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが前記第1基準値よりも大きく第3基準値以下であると判別され、かつ、前記平均要素数算出手段により算出された平均要素数が第2基準値以上である場合、前記第1表示処理手段により前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理するように構成してもよい。
本発明の第1の態様では、指定範囲内で検索された第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下である場合、第2階層の要素内に定義された下位の第3階層の要素を読み込むことなく、第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理する。これにより、冗長な第3階層の要素の読み込みと対応ピクセルの算出に要する時間が削減されるため、描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトを、画質の劣化を抑えつつ、かつ、短時間で表示することができる。
本発明の第2の態様では、判別手段により第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下であると判別された場合に、第2階層の要素内に定義された下位の第3階層の要素を読込手段により読み込むことなく、第2階層の要素に対応するピクセルを第1処理手段により表示処理する。これにより、冗長な第3階層の要素の読み込みと対応ピクセルの算出に要する時間が削減されるため、描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトを、画質の劣化を抑えつつ、かつ、短時間で表示することができる。
図1は、本発明の実施の形態による電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。図1に示す電子ビーム描画装置は、描画処理を行う描画部100を備えており、この描画部100は電子鏡筒102を備えている。この電子鏡筒102内には、電子銃110から発せられた電子ビーム(例えば、50kVで加速された電子ビーム)112を第1成形アパーチャ120に照射するための照明レンズ114が配置されている。
照明レンズ114と第1成形アパーチャ120との間には、BLK偏向器116とBLKアパーチャ118とが配置されている。ブランキングON時(非描画期間)には、BLK偏向器116により偏向された電子ビーム112が、BLKアパーチャ118でカットされる。
電子ビーム112は、矩形の開口を有する第1成形アパーチャ120を透過することで、その断面形状が矩形に成形される。成形された電子ビーム112は、投影レンズ122により第2成形アパーチャ126上に投影される。この第2成形アパーチャ126と第1成形アパーチャ120との間には、電子鏡筒102と同心で成形偏向器124が配置されている。成形偏向器124の制御によって第1成形アパーチャ像と第2成形アパーチャ126の開口との重なり具合が変化するため、電子ビーム112の形状と寸法を制御することができる。
第2成形アパーチャ126を透過した電子ビーム112の焦点は、対物レンズ128によって描画室104内の試料142表面に合わせられる。試料142は、描画室104内でX方向(図中左右方向)及びY方向(図中奥行き方向)に連続移動するXYステージ140上に載置される。XYステージ140は駆動部222により駆動され、その位置がレーザ測長計220により測定される。
試料142は、例えば、ガラス基板上にクロム膜等の遮光膜とレジスト膜とが積層されたレチクル或いはマスクである。
試料142と第2成形アパーチャ126との間には、電子鏡筒102と同心で対物偏向器である主偏向器130及び副偏向器132が配置されている。主偏向器130及び副偏向器132により試料142上の電子ビーム112の照射位置が決定される。
上記電子ビーム描画装置において描画処理を実行する際には、図2に示すように、試料142上に描画されるべきパターンが短冊状のフレーム領域に分割され、XYステージ140をX方向に連続移動させながら各フレーム領域を描画する。フレーム領域は更にサブフィールド領域に分割され、サブフィールド領域内の必要な部分のみ、上記第1及び第2成形アパーチャ120、126により成形された電子ビーム112を偏向させて図形を描画する。
電子ビーム112の偏向には、主偏向器130と副偏向器132とで構成される2段の対物偏向器が用いられる。サブフィールド領域の位置決めは主偏向器130により行われ、サブフィールド領域内のパターン描画位置の位置決めは副偏向器132により行われる。
図1に示す電子ビーム描画装置は、制御部200を備えている。制御部200は、電子ビーム描画装置の各種制御を行う制御計算機202を備えている。
制御計算機202には記憶装置204が接続されており、記憶装置204には描画データが記憶されている。ここで、描画データとは、設計データ(CADデータ)を外部装置(描画データ生成装置)により描画装置に入力可能なフォーマットに変換することで得られたデータであり、パターン形状やパターン位置等が定義されたデジタルデータである。この描画データは、図7に示すような階層構造を有している。
制御計算機202には、ショットデータ生成部206が接続されている。制御計算機202からショットデータ生成部206にショットデータ生成指示が入力されると、ショットデータ生成部206は、所定の領域(例えば、フレーム領域)を描画するために必要な描画データを記憶装置204から読み出し、装置内部のフォーマットに変換し、ショットデータを生成するものである。
ショットデータ生成部206により生成されたショットデータは、偏向制御部208に送信される。偏向制御部208は、ショットデータ生成部206から受信したショットデータから、主偏向器130制御用の主偏向データ、副偏向器132制御用の副偏向データおよびBLK偏向器116制御用のBLKデータを生成し、送信するものである。
前述した通り、パターンの描画精度を向上させるために、描画データが正確である必要がある。このため、描画前及び/又は描画後に、描画データを確認する必要がある。
描画データを確認するため、図1に示す電子ビーム描画装置は、レイアウト表示装置300としてのレイアウトビューワを備えている。レイアウトビューワ300は、階層構造を有する描画データに定義されたパターンのレイアウトを表示するものである。
レイアウトビューワ300は、レイアウト表示に関する各種処理を行う処理部302と、検証する描画データ及びユーザにより指定された領域を入力する入力部304と、領域の指定を行う画面(ビューワ画面1)や最終のレイアウト画面(ビューワ画面3)等を表示する表示部306とを備えている。
図3を参照して、上記レイアウトビューワ300による描画データのレイアウト表示方法について、図7に示すセル階層及び図形階層に定義されたパターンのレイアウトを表示する場合を例に説明する。
先ず、レイアウトビューワ300の処理部302により図3に示すルーチンが起動されると、ユーザに表示領域を指定させる(ステップS11)。このステップS11では、例えば、図9に示すビューワ画面1において、図形を表示させる矩形領域をユーザに指定させる。この指定領域は、入力部304に入力される。
次に、指定領域に含まれるセルを検索する(ステップS12)。このステップS12の処理までは、図8に示す従来のルーチンと同じである。
次に、上記ステップS12で検索されたセルのX方向とY方向のサイズが共に閾値3(第3基準値)以下であるか否かを判別する(ステップS13)。このステップS13でセルサイズが閾値3(第3基準値)よりも大きいと判別された場合、後述するステップS19に移行する。
一方、上記ステップS13でセルサイズが閾値3(第3基準値)以下であると判別された場合、上記ステップS12で探索されたセルのX方向とY方向のサイズが共に閾値1(第1基準値)以下であるか否かを続いて判別する(ステップS14)。
ここで、上記ステップS14の閾値1(第1基準値)は、レイアウト表示画質とレイアウト表示速度とを考慮して設定することができる。図4に示すように、閾値1を1ピクセルに設定した場合、従来のレイアウト表示方法(図8)に比べて画質の劣化がないが、閾値1を2ピクセル以上に設定すると画質の劣化が生じる可能性がある。つまり、閾値1が大きくなるほど、画質の劣化が大きくなるが、その一方で処理速度は速くなる。
例えば、描画データもしくは検査データ(後述)上で1500μm×1500μmの領域を1024ピクセル×1024ピクセルのピクセルマップに表示させる場合、1ピクセルのX方向及びY方向のサイズは、1500μm/1024ピクセル=1.46μmとなる。上記閾値1(第1基準値)を例えば3ピクセルに設定すると、1.46×3=4.38μmのサイズを基準として判断することとなる。
尚、最終のレイアウト表示でセル枠も表示する場合、セル枠を表示しない場合の閾値に1ピクセルを加算した数値を上記ステップS14の閾値1として設定すればよい。
上記ステップS14でセルのX方向及びY方向のサイズが共に閾値1以下であると判別された場合には、セルサイズ及び配置座標から当該セルに対応するピクセルを塗りつぶす(ステップS15)。
このステップS15では、当該セルに含まれる下位の図形データの読み込み処理と、その図形データに記述されたサイズ及び配置座標から対応するピクセルの算出処理とを行わないため、これらの処理に要する時間を短縮することができる。ステップS15の処理が終了した後、後述するステップS21に移行する。
尚、複数のセルがセルアレイを構成しており、セルのアレイサイズが定義されている場合には、上記ステップS14でセルアレイのX方向及びY方向のサイズが共に閾値1以下であるか否かを判別し、閾値1以下であると判別されれば当該セルアレイ内のセルの読み込み処理を行わずに、上記ステップS15で当該セルアレイ全体を1つのセルとみなし、対応するピクセルを塗りつぶせばよい。
一方、上記ステップS14でセルのX方向及びY方向のサイズが共に閾値1(第1基準値)よりも大きいと判別された場合、ステップS16の処理に移行する。
上記ステップS16では、当該セルのデータ量を取得する。具体的には、セルデータのヘッダ情報に記述されたデータ量が読み込まれる。このデータ量は、セルに含まれる図形数に概ね比例するが、データ量だけからは正確な図形数は算出できない場合が多い。
次いで、上記ステップS16で取得されたセルデータ量と、一図形を表現する図形データ量(以下「一図形データ量」という)とから、セル領域に対応するピクセルマップの1ピクセル当たりの平均図形数を算出する(ステップS17)。
このステップS17では、セルデータ量をセル領域に対応するピクセル数で除することで1ピクセル当たりの平均データ量を求め、この平均データ量を一図形データ量で除することで1ピクセル当たりの平均図形数が求められる。ここで、一図形データ量は、例えば、14バイトである。
尚、セルデータのヘッダ情報に図形数が記述されている場合、この図形数を取得し、この図形数を上記セル領域に対応するピクセル数で除することにより、1ピクセル当たりの平均図形数を算出してもよい。
その後、上記ステップS17で算出された平均図形数が閾値2(第2基準値)以上であるか否かを判別する(ステップS18)。このステップS18で平均図形数が閾値2以上であると判別された場合、上記ステップS15に移行し、セルに対応するピクセルを塗りつぶす。この場合、当該セルに含まれる下位の図形データの読み込み処理と、このデータに記述されたサイズ及び配置座標からの対応ピクセルの算出処理とを行わないため、これらの処理に要する時間を短縮することができる。
一方、上記ステップS18で平均図形数が閾値2(第2基準値)よりも小さいと判別された場合、ステップS19に移行する。
ステップS19では、セル内にある下位の図形データが全て読み込まれる。その後、上記ステップS19で読み込まれた図形データに記述された図形サイズ及び配置座標から、図形に対応するピクセルを塗りつぶす(ステップS20)。その後、ステップS21に移行する。
ステップS21では、上記ステップS12で検索された全てのセルの処理が終了したか否かが判別される。このステップS21で全てのセルの処理が終了したと判別された場合、本ルーチンを終了する。
一方、上記ステップS21で全てのセルの処理が終了していないと判別された場合、上記ステップS13に戻る。
以上述べたように、本実施の形態では、指定領域内の検索されたセルのX方向及びY方向のサイズが閾値1以下である場合、セル内の下位の図形データを読み込むのではなく、セルに対応するピクセルを塗りつぶす。これにより、画質の劣化を抑えつつ、レイアウト表示時間を短縮することができる。
例えば、描画データ(レイアウトデータともいう)のデータ量が数10ギガバイトである場合、閾値1を5ピクセルに設定すると、図5に示すように、従来に比べて、レイアウト表示時間を大幅に短縮することができる。また、画質の劣化は許容できるものである。
尚、図5の横軸は、指定領域のレイアウトを表示するために行うズームアップ回数である。1回のズームアップにより1.17倍で拡大される。
また、本実施の形態では、セルのX方向及びY方向のサイズが閾値1よりも大きく、かつ、閾値3以下の場合で、さらに1ピクセル当たりの平均図形数が閾値2以上であるときに、図形データの読み込みを行わずに、セルに対応するピクセルが塗りつぶされる。このように平均図形数を考慮することで、画質の劣化を抑制しつつ、レイアウト表示時間を短縮することができる。
ここで、セルサイズが非常に大きい場合には、セル内で図形が偏る可能性が高くなることから、データ量から求める平均図形数の見積もり精度が低下する。その結果、平均図形数と実際の図形数分布との間に差が生じ、画質の劣化が生じる。そこで、例えば、閾値1を5ピクセルに閾値3を10ピクセルに設定し、セルのX方向及びY方向のサイズが5ピクセルよりも大きく10ピクセル以下である場合に上記ステップS17で平均図形数を算出するようにしてもよい。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いた装置に本発明を適用した例を説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた装置にも本発明を適用可能である。
また、上記実施の形態では、レイアウトビューワ300が電子ビーム描画装置の内部に設けられているが、電子ビーム描画装置の外部に単独で設けてもよい。
また、上記実施の形態では、電子ビーム描画装置に入力される描画データに定義されたレイアウトを表示する場合について説明したが、この描画データを装置内部フォーマットに変換したデータに定義されたレイアウトを表示する場合に本発明を適用することができる。この場合、ショットデータ生成部206により変換されたデータをレイアウトビューワ300の入力部304に入力すればよい。
また、マスク検査装置においてDie−to−Database検査を行う際にCADデータから生成される参照データとしての検査データに定義されたレイアウトを表示する場合に、本発明を適用することができる。この場合、検査データのレイアウト表示を、画質の劣化を抑えつつ、短時間で行うことができる。
また、上記実施の形態では、図7に示す階層構造の描画データのレイアウトを表示する場合について説明したが、階層構造はこれに限られず、任意の階層数を持つデータなら何であっても良く、本発明は任意の階層を基準に再帰的に適用可能である。
例えば、図6に示すチップ、フレーム、ブロック、セル、図形の階層からなる描画データや、図2に示すレチクル、フレーム、サブフィールド、図形の階層からなる描画データのレイアウト表示に対して、本発明を適用することができる。
図6に示す階層構造を有する描画データのレイアウトを表示する場合、先ず、図3におけるセルをフレームに、図形をブロックにそれぞれ置き換えて図3に示すフローチャートを実行する。次に、図3におけるセルをブロックに、図形をセルに置き換えて図3に示すフローチャートを実行する。
本発明の実施の形態による電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。 製品レチクル142の描画処理を説明するための図である。 レイアウトビューワ300による描画データのレイアウト表示方法を示すフローチャートである。 閾値1(第1基準値)と、レイアウト表示の画質及び処理速度との関係を説明するための図である。 レイアウト表示時間の短縮効果を示す図である。 描画データの階層構造の例を示す図である。 描画データの階層構造の例を示す図である。 従来のレイアウト表示方法を示すフローチャートである。 ユーザによる表示領域の指定が行われるビューワ画面1を示す図である。 指定領域内で検索されたセルAと、セルAに含まれる図形A乃至Cを示す図である。 図形A乃至Cに対応するピクセルが塗りつぶされたビューワ画面2を示す図である。 指定領域のパターンレイアウトが表示されたビューワ画面3を示す図である。 (A)は指定領域が狭い場合の図形データ量を、(B)は指定領域が広い場合の図形データ量を示す概念図である。 指定領域がチップ枠よりも広い場合のレイアウト表示結果を示す図である。
符号の説明
300 レイアウトビューワ
302 処理部
304 入力部
306 表示部

Claims (5)

  1. マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示方法において、
    第1階層で指定された領域内に定義された第2階層の要素を検索するステップと、
    検索された第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値よりも大きい場合、前記第2階層の要素内に定義された第3階層の要素を読み込み、読み込まれた第3階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出されたピクセルを表示処理するステップと、
    検索された第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下である場合、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを含むことを特徴とするレイアウト表示方法。
  2. 検索された第2階層の要素内に定義された第3階層の1ピクセル当たりの平均要素数を算出するステップと、
    算出された平均要素数が第2基準値以上である場合、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを更に含むことを特徴とする請求項1記載のレイアウト表示方法。
  3. 前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが前記第1基準値よりも大きく第3基準値以下であり、かつ、前記平均要素数が前記第2基準値以上である場合、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理することを特徴とする請求項2記載のレイアウト表示方法。
  4. マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示装置において、
    第1階層で指定された領域内に定義された第2階層の要素を検索する検索手段と、
    前記検索手段により検索された第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下であるか否かを判別する判別手段と、
    前記判別手段により前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値以下であると判別された場合に、前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理する第1表示処理手段と、
    前記判別手段により前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが第1基準値よりも大きいと判別された場合に、前記第2階層の要素内に定義された第3階層の要素を読み込む読込手段と、
    前記読込手段により読み込まれた第3階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出したピクセルを表示処理する第2表示処理手段とを備えたことを特徴とするレイアウト表示装置。
  5. 前記第3階層の1ピクセル当たりの平均要素数を算出する平均要素数算出手段を更に備え、
    前記判別手段により前記第2階層の要素のX方向及びY方向の長さが前記第1基準値よりも大きく第3基準値以下であると判別され、かつ、前記平均要素数算出手段により算出された平均要素数が第2基準値以上である場合、前記第1表示処理手段により前記第2階層の要素に対応するピクセルを表示処理することを特徴とする請求項4記載のレイアウト表示装置。
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