JPH11214976A - 電子式自動点滅器 - Google Patents
電子式自動点滅器Info
- Publication number
- JPH11214976A JPH11214976A JP10013621A JP1362198A JPH11214976A JP H11214976 A JPH11214976 A JP H11214976A JP 10013621 A JP10013621 A JP 10013621A JP 1362198 A JP1362198 A JP 1362198A JP H11214976 A JPH11214976 A JP H11214976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- turned
- switching element
- output
- solar cell
- reference voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】周囲の明るさの変動による誤動作を防止した応
答性の良い電子式自動点滅器を提供する。 【解決手段】太陽電池ＳＢは複数のセルを直列に接続し
て構成され、太陽電池ＳＢの出力電圧は電圧監視回路１
に出力される。電圧監視回路１は太陽電池ＳＢの出力電
圧と基準電圧との大小を比較し、スイッチング素子ＳＷ
をオンオフさせる信号を発生する。周囲が明るくなり、
太陽電池ＳＢの出力電圧が基準電圧よりも大きくなる
と、電圧監視回路１の出力によってスイッチング素子Ｓ
Ｗがオフし、トライアックＱ1 がオフして、負荷Ｌへの
電力供給が遮断させる。周囲が暗くなり、太陽電池ＳＢ
の出力電圧が基準電圧よりも小さくなると、電圧監視回
路１の出力によってスイッチング素子ＳＷがオンし、ト
ライアックＱ1 がオンして、負荷Ｌへ電力が供給させ
る。
答性の良い電子式自動点滅器を提供する。 【解決手段】太陽電池ＳＢは複数のセルを直列に接続し
て構成され、太陽電池ＳＢの出力電圧は電圧監視回路１
に出力される。電圧監視回路１は太陽電池ＳＢの出力電
圧と基準電圧との大小を比較し、スイッチング素子ＳＷ
をオンオフさせる信号を発生する。周囲が明るくなり、
太陽電池ＳＢの出力電圧が基準電圧よりも大きくなる
と、電圧監視回路１の出力によってスイッチング素子Ｓ
Ｗがオフし、トライアックＱ1 がオフして、負荷Ｌへの
電力供給が遮断させる。周囲が暗くなり、太陽電池ＳＢ
の出力電圧が基準電圧よりも小さくなると、電圧監視回
路１の出力によってスイッチング素子ＳＷがオンし、ト
ライアックＱ1 がオンして、負荷Ｌへ電力が供給させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、周囲の外光を検出
して、照明負荷などの負荷を自動的に点滅させる電子式
自動点滅器に関するものである。
して、照明負荷などの負荷を自動的に点滅させる電子式
自動点滅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、周囲の明るさを検出し、規定
の明るさ以下になると照明負荷を点灯させるようにした
自動点滅器が提供されている。この種の自動点滅器とし
て広く用いられているものに、周囲の明るさを検出する
ＣｄＳと、ＣｄＳに直列接続されるヒータを備えたバイ
メタルとを用いるサーマル式と称するものがある。バイ
メタルは負荷に直列接続された接点を開閉させる。この
ようなサーマル式の自動点滅器は安価に提供することが
できるという利点を有している。
の明るさ以下になると照明負荷を点灯させるようにした
自動点滅器が提供されている。この種の自動点滅器とし
て広く用いられているものに、周囲の明るさを検出する
ＣｄＳと、ＣｄＳに直列接続されるヒータを備えたバイ
メタルとを用いるサーマル式と称するものがある。バイ
メタルは負荷に直列接続された接点を開閉させる。この
ようなサーマル式の自動点滅器は安価に提供することが
できるという利点を有している。
【０００３】反面、サーマル式の自動点滅器は、機械式
の接点を開閉させるものでるから寿命が比較的短いとい
う問題がある。機械式の接点に代えて半導体スイッチ素
子を用いた電子式の自動点滅器を用いると寿命の問題は
解決される。ただし、ＣｄＳにはカドミウムが多量に用
いられているから、周囲の明るさを検出するセンサとし
てＣｄＳを用いるものは、サーマル式であっても電子式
であっても製造時の環境汚染が問題になるとともに、Ｃ
ｄＳあるいはＣｄＳを組み込んだ機器の廃棄処分につい
て環境への影響が問題になる。
の接点を開閉させるものでるから寿命が比較的短いとい
う問題がある。機械式の接点に代えて半導体スイッチ素
子を用いた電子式の自動点滅器を用いると寿命の問題は
解決される。ただし、ＣｄＳにはカドミウムが多量に用
いられているから、周囲の明るさを検出するセンサとし
てＣｄＳを用いるものは、サーマル式であっても電子式
であっても製造時の環境汚染が問題になるとともに、Ｃ
ｄＳあるいはＣｄＳを組み込んだ機器の廃棄処分につい
て環境への影響が問題になる。
【０００４】製造時や廃棄時の環境への影響を軽減する
自動点滅器としては、たとえば、先に提案した特開平５
−１５２９２４号公報に記載されている自動点滅器のよ
うに、フォトダイオードアレイがある。この自動点滅器
は、図１１に示すように、フォトダイオードアレイ２０
により明るさを検出し、ディプレッション型のＭＯＳＦ
ＥＴを２個直列接続したスイッチング素子ＳＷを用いて
電源Ｅから負荷Ｌへの給電経路をオンオフする。
自動点滅器としては、たとえば、先に提案した特開平５
−１５２９２４号公報に記載されている自動点滅器のよ
うに、フォトダイオードアレイがある。この自動点滅器
は、図１１に示すように、フォトダイオードアレイ２０
により明るさを検出し、ディプレッション型のＭＯＳＦ
ＥＴを２個直列接続したスイッチング素子ＳＷを用いて
電源Ｅから負荷Ｌへの給電経路をオンオフする。
【０００５】この構成では、明るさの検出にＣｄＳを用
いていないからカドミウムによる環境への影響がなく、
また光起電力素子であるフォトダイオードアレイ２０を
用いているから、部品点数が少ないものであってコスト
を低減することができるという利点を有している。ここ
で、図１１に示した構成では、ディプレッション型のＭ
ＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素子ＳＷを電源Ｅと負
荷Ｌとの間に挿入しているから、負荷電流が大きくなる
とスイッチング素子ＳＷにも定格電流容量の大きいもの
を用いる必要があり、スイッチング素子ＳＷに電流容量
の大きいものを用いるには、フォトダイオードアレイ２
０の起電力も大きくしなければならない。１個のフォト
ダイオードの起電力は一定であるから、大きな起電力を
得るにはフォトダイオードの個数を増やすことになり、
結果的にフォトダイオードアレイ２０の占有面積が大き
くなる。つまり、スイッチング素子ＳＷとして定格電流
容量の大きな高コストのものを用いる上に、フォトダイ
オードアレイ２０にも面積の大きな高コストのものを用
いることになる。
いていないからカドミウムによる環境への影響がなく、
また光起電力素子であるフォトダイオードアレイ２０を
用いているから、部品点数が少ないものであってコスト
を低減することができるという利点を有している。ここ
で、図１１に示した構成では、ディプレッション型のＭ
ＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素子ＳＷを電源Ｅと負
荷Ｌとの間に挿入しているから、負荷電流が大きくなる
とスイッチング素子ＳＷにも定格電流容量の大きいもの
を用いる必要があり、スイッチング素子ＳＷに電流容量
の大きいものを用いるには、フォトダイオードアレイ２
０の起電力も大きくしなければならない。１個のフォト
ダイオードの起電力は一定であるから、大きな起電力を
得るにはフォトダイオードの個数を増やすことになり、
結果的にフォトダイオードアレイ２０の占有面積が大き
くなる。つまり、スイッチング素子ＳＷとして定格電流
容量の大きな高コストのものを用いる上に、フォトダイ
オードアレイ２０にも面積の大きな高コストのものを用
いることになる。
【０００６】また、上記公報には、負荷容量が大きい場
合はＭＯＳＦＥＴを並列に接続してスイッチング素子Ｓ
Ｗの電流容量を大きくする旨の記載があるが、複数個の
ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間が並列接続されるか
ら、ゲート−ソース間の容量成分も並列接続され、この
容量成分により帰還経路が形成されてスイッチング素子
ＳＷが発振するおそれがある。しかも、定格電流容量の
大きいＭＯＳＦＥＴと同様に高コストになるという問題
を有している。
合はＭＯＳＦＥＴを並列に接続してスイッチング素子Ｓ
Ｗの電流容量を大きくする旨の記載があるが、複数個の
ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間が並列接続されるか
ら、ゲート−ソース間の容量成分も並列接続され、この
容量成分により帰還経路が形成されてスイッチング素子
ＳＷが発振するおそれがある。しかも、定格電流容量の
大きいＭＯＳＦＥＴと同様に高コストになるという問題
を有している。
【０００７】さらに、フォトダイオードアレイ２０は、
分光感度特性が人の視感度特性（比視感度曲線）と異な
るので、周囲の明るさを検出するためにフィルタが必要
になる。フォトダイオードアレイ２０による分光感度特
性の問題を解決するために、人の視感度特性に近い分光
感度特性を有する太陽電池をフォトダイオードアレイ２
０に代えて用い、負荷容量の大きさに対応するためにト
ライアックを用いることも考えられている。トライアッ
クは図１１におけるスイッチング素子ＳＷにより制御さ
れる。
分光感度特性が人の視感度特性（比視感度曲線）と異な
るので、周囲の明るさを検出するためにフィルタが必要
になる。フォトダイオードアレイ２０による分光感度特
性の問題を解決するために、人の視感度特性に近い分光
感度特性を有する太陽電池をフォトダイオードアレイ２
０に代えて用い、負荷容量の大きさに対応するためにト
ライアックを用いることも考えられている。トライアッ
クは図１１におけるスイッチング素子ＳＷにより制御さ
れる。
【０００８】このような構成を採用すれば、製造・廃棄
における環境への影響が少なく、回路構成も比較的簡単
な自動点滅器を提供することができる。
における環境への影響が少なく、回路構成も比較的簡単
な自動点滅器を提供することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した自
動点滅器は、主として照明負荷の制御に用いるものであ
り、夜間など周囲が暗いときに照明負荷を点灯させるも
のである。したがって、自動車が付近を通過したときの
ヘッドライトによる明るさの変化のような、明るさの一
過的な変化により誤動作することがないように、図１１
に示すようにスイッチング素子ＳＷの入力側にコンデン
サＣを設けることが考えられている。しかしながら、上
述のような一過的な変化に対応するようにコンデンサＣ
の容量を設定すると、比較的長い時間で生じる明るさの
変化や点滅点灯されている外部照明による明るさの変化
に対応することができず、誤動作を防止することができ
ない。つまり、照明負荷の点灯中に明るさが比較的緩や
かに増加した後に元に戻るとすれば、明るさの変化中に
照明負荷が消灯することになって不都合である。この問
題に対処するには照明負荷が点灯するときの明るさのレ
ベルよりも消灯するときの明るさのレベルを引き上げる
必要がある。また、外部照明が点滅点灯していると、コ
ンデンサＣが充電されるまでは照明負荷は点灯している
が、コンデンサＣが充電されると照明負荷が消灯すると
いう不都合が生じる。この問題に対処するには応答性を
高める必要がある。さらに、スイッチング素子ＳＷがオ
ンオフする照度のしきい値が一定値に設定されている場
合、周囲の明るさがしきい値付近になると、スイッチン
グ素子ＳＷがオンオフして照明負荷が点滅するという不
都合が生じる。
動点滅器は、主として照明負荷の制御に用いるものであ
り、夜間など周囲が暗いときに照明負荷を点灯させるも
のである。したがって、自動車が付近を通過したときの
ヘッドライトによる明るさの変化のような、明るさの一
過的な変化により誤動作することがないように、図１１
に示すようにスイッチング素子ＳＷの入力側にコンデン
サＣを設けることが考えられている。しかしながら、上
述のような一過的な変化に対応するようにコンデンサＣ
の容量を設定すると、比較的長い時間で生じる明るさの
変化や点滅点灯されている外部照明による明るさの変化
に対応することができず、誤動作を防止することができ
ない。つまり、照明負荷の点灯中に明るさが比較的緩や
かに増加した後に元に戻るとすれば、明るさの変化中に
照明負荷が消灯することになって不都合である。この問
題に対処するには照明負荷が点灯するときの明るさのレ
ベルよりも消灯するときの明るさのレベルを引き上げる
必要がある。また、外部照明が点滅点灯していると、コ
ンデンサＣが充電されるまでは照明負荷は点灯している
が、コンデンサＣが充電されると照明負荷が消灯すると
いう不都合が生じる。この問題に対処するには応答性を
高める必要がある。さらに、スイッチング素子ＳＷがオ
ンオフする照度のしきい値が一定値に設定されている場
合、周囲の明るさがしきい値付近になると、スイッチン
グ素子ＳＷがオンオフして照明負荷が点滅するという不
都合が生じる。
【００１０】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、周囲の明るさの変化に
よる誤動作が少なく、しかも応答性の良好な電子式自動
点滅器を提供することにある。
あり、その目的とするところは、周囲の明るさの変化に
よる誤動作が少なく、しかも応答性の良好な電子式自動
点滅器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、外光の明るさに応じた電圧を
発生する光起電力素子と、光起電力素子の出力電圧によ
って駆動され光起電力素子の出力電圧と基準電圧との大
小に応じてオンオフ信号を発生する電圧監視回路と、電
圧監視回路のオンオフ信号に応じてオンオフされる第１
のスイッチング素子と、電源と負荷との間に挿入され第
１のスイッチング素子の出力に応じて負荷への電源供給
をオンオフする双方向サイリスタとを備えており、応答
時間を調節する従来回路のように明るさの変化速度によ
って誤動作が生じたりすることがなく、しかも明るさの
変化に対する応答性を高めることができる。
に、請求項１の発明では、外光の明るさに応じた電圧を
発生する光起電力素子と、光起電力素子の出力電圧によ
って駆動され光起電力素子の出力電圧と基準電圧との大
小に応じてオンオフ信号を発生する電圧監視回路と、電
圧監視回路のオンオフ信号に応じてオンオフされる第１
のスイッチング素子と、電源と負荷との間に挿入され第
１のスイッチング素子の出力に応じて負荷への電源供給
をオンオフする双方向サイリスタとを備えており、応答
時間を調節する従来回路のように明るさの変化速度によ
って誤動作が生じたりすることがなく、しかも明るさの
変化に対する応答性を高めることができる。
【００１２】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、電圧監視回路は、基準電圧を発生する基準電圧発
生回路と、光起電力素子の出力電圧と基準電圧との大小
を比較するコンパレータとから構成されているので、第
１のスイッチング素子が動作する明るさのしきい値を精
度良く設定することができる、請求項３の発明では、請
求項２の発明において、基準電圧発生回路は、直列接続
された複数のダイオードから構成されているので、簡単
な回路構成で基準電圧を発生させることができる。
いて、電圧監視回路は、基準電圧を発生する基準電圧発
生回路と、光起電力素子の出力電圧と基準電圧との大小
を比較するコンパレータとから構成されているので、第
１のスイッチング素子が動作する明るさのしきい値を精
度良く設定することができる、請求項３の発明では、請
求項２の発明において、基準電圧発生回路は、直列接続
された複数のダイオードから構成されているので、簡単
な回路構成で基準電圧を発生させることができる。
【００１３】請求項４の発明では、請求項２の発明にお
いて、コンパレータにフィードバック抵抗を接続し、負
荷がオンオフする時の明るさのしきい値にヒステリシス
を設けているので、周囲の明るさの変動により負荷が誤
動作するのを防止することができる。請求項５の発明で
は、請求項３の発明において、上記複数のダイオードの
一部又は各々と並列に、コンパレータの出力によってオ
ンオフされる第２のスイッチング素子を接続しているの
で、第２のスイッチング素子をオンオフさせることによ
り基準電圧を変化させて、照明負荷がオンオフする際の
明るさのしきい値にヒステリシスを設けることができ
る。
いて、コンパレータにフィードバック抵抗を接続し、負
荷がオンオフする時の明るさのしきい値にヒステリシス
を設けているので、周囲の明るさの変動により負荷が誤
動作するのを防止することができる。請求項５の発明で
は、請求項３の発明において、上記複数のダイオードの
一部又は各々と並列に、コンパレータの出力によってオ
ンオフされる第２のスイッチング素子を接続しているの
で、第２のスイッチング素子をオンオフさせることによ
り基準電圧を変化させて、照明負荷がオンオフする際の
明るさのしきい値にヒステリシスを設けることができ
る。
【００１４】請求項６の発明では、請求項３の発明にお
いて、光起電力素子は複数のセルが直列接続された太陽
電池からなり、セルの一部又は各々と並列に、コンパレ
ータの出力によってオンオフされる第３のスイッチング
素子を接続しているので、第３のスイッチング素子をオ
ンオフさせることにより、太陽電池の起電力を変化させ
て、照明負荷がオンオフする際の明るさのしきい値にヒ
ステリシスを設けることができる。
いて、光起電力素子は複数のセルが直列接続された太陽
電池からなり、セルの一部又は各々と並列に、コンパレ
ータの出力によってオンオフされる第３のスイッチング
素子を接続しているので、第３のスイッチング素子をオ
ンオフさせることにより、太陽電池の起電力を変化させ
て、照明負荷がオンオフする際の明るさのしきい値にヒ
ステリシスを設けることができる。
【００１５】請求項７の発明では、請求項５の発明にお
いて、第２のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴからな
り、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池が同一基板上に形成さ
れ、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されているの
で、別基板に形成された太陽電池とＭＯＳＦＥＴとを接
続する作業が不要になり、組立を容易に行うことができ
る。
いて、第２のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴからな
り、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池が同一基板上に形成さ
れ、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されているの
で、別基板に形成された太陽電池とＭＯＳＦＥＴとを接
続する作業が不要になり、組立を容易に行うことができ
る。
【００１６】請求項８の発明では、請求項６の発明にお
いて、第３のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴからな
り、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池が同一基板上に形成さ
れ、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されているの
で、請求項７の発明と同様に、別基板に形成された太陽
電池とＭＯＳＦＥＴとを接続する作業が不要になり、組
立を容易に行うことができる。
いて、第３のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴからな
り、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池が同一基板上に形成さ
れ、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されているの
で、請求項７の発明と同様に、別基板に形成された太陽
電池とＭＯＳＦＥＴとを接続する作業が不要になり、組
立を容易に行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。 （実施形態１）本実施形態は、図１に示す構成を有する
ものであって、周囲の明るさを検出するセンサとしての
太陽電池（光起電力素子）ＳＢを備えている。太陽電池
ＳＢは複数個のセルを直列接続して構成され、太陽電池
ＳＢの出力電圧は電圧監視回路１に入力される。電圧監
視回路１は太陽電池ＳＢの出力電圧によって駆動され、
太陽電池ＳＢの出力電圧と基準電圧とを比較して、後述
する第１のスイッチング素子ＳＷをオンオフさせるオン
オフ信号を出力する。スイッチング素子ＳＷは２個のデ
ィプレッション型（ノーマリオン型）のＭＯＳＦＥＴＱ
2 ，Ｑ3 を逆直列に接続したものであってソース同士、
ゲート同士をそれぞれ共通に接続してある。なおＭＯＳ
ＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 を逆直列に接続しているのは、ＭＯＳ
ＦＥＴＱ2，Ｑ3 のオフ時にＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
寄生ダイオードを通して流れる電流を阻止するためであ
る。ここで、電圧監視回路１の出力端子間に両ＭＯＳＦ
ＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲート及びソースが接続される。ま
た、スイッチング素子ＳＷの一端（ＭＯＳＦＥＴＱ2 の
ドレイン）は抵抗Ｒ1 を介してトライアック（３端子双
方向サイリスタ）Ｑ1 のＴ2 端子に接続される。スイッ
チング素子ＳＷの他端（ＭＯＳＦＥＴＱ3 のドレイン）
はトライアックＱ1 のゲートＧに接続される。
して説明する。 （実施形態１）本実施形態は、図１に示す構成を有する
ものであって、周囲の明るさを検出するセンサとしての
太陽電池（光起電力素子）ＳＢを備えている。太陽電池
ＳＢは複数個のセルを直列接続して構成され、太陽電池
ＳＢの出力電圧は電圧監視回路１に入力される。電圧監
視回路１は太陽電池ＳＢの出力電圧によって駆動され、
太陽電池ＳＢの出力電圧と基準電圧とを比較して、後述
する第１のスイッチング素子ＳＷをオンオフさせるオン
オフ信号を出力する。スイッチング素子ＳＷは２個のデ
ィプレッション型（ノーマリオン型）のＭＯＳＦＥＴＱ
2 ，Ｑ3 を逆直列に接続したものであってソース同士、
ゲート同士をそれぞれ共通に接続してある。なおＭＯＳ
ＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 を逆直列に接続しているのは、ＭＯＳ
ＦＥＴＱ2，Ｑ3 のオフ時にＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
寄生ダイオードを通して流れる電流を阻止するためであ
る。ここで、電圧監視回路１の出力端子間に両ＭＯＳＦ
ＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲート及びソースが接続される。ま
た、スイッチング素子ＳＷの一端（ＭＯＳＦＥＴＱ2 の
ドレイン）は抵抗Ｒ1 を介してトライアック（３端子双
方向サイリスタ）Ｑ1 のＴ2 端子に接続される。スイッ
チング素子ＳＷの他端（ＭＯＳＦＥＴＱ3 のドレイン）
はトライアックＱ1 のゲートＧに接続される。
【００１８】使用時には、トライアックＱ1 のＴ1 端子
とＴ2 端子とがそれぞれ出力端子Ｘ 1 ，Ｘ2 を介して電
源Ｅと負荷Ｌとの直列回路に接続される。つまり、電源
Ｅと負荷Ｌとの間にトライアックＱ1 が挿入され、トラ
イアックＱ1 のオンオフにより負荷Ｌがオンオフされ
る。尚、負荷Ｌとしては通常照明負荷を用いており、ト
ライアックＱ1 のオン時に点灯する。またトライアック
Ｑ1 の両端間には抵抗とコンデンサとの直列回路である
スナバ回路ＳＮが接続される。
とＴ2 端子とがそれぞれ出力端子Ｘ 1 ，Ｘ2 を介して電
源Ｅと負荷Ｌとの直列回路に接続される。つまり、電源
Ｅと負荷Ｌとの間にトライアックＱ1 が挿入され、トラ
イアックＱ1 のオンオフにより負荷Ｌがオンオフされ
る。尚、負荷Ｌとしては通常照明負荷を用いており、ト
ライアックＱ1 のオン時に点灯する。またトライアック
Ｑ1 の両端間には抵抗とコンデンサとの直列回路である
スナバ回路ＳＮが接続される。
【００１９】電圧監視回路１は、図２に示すように、基
準電圧Ｖref を発生する基準電圧発生回路２と、太陽電
池ＳＢの出力電圧と基準電圧Ｖref の大小に応じた２値
の出力を発生するコンパレータ回路３とから構成され
る。而して、周囲が明るくなり、太陽電池ＳＢの出力電
圧が基準電圧Ｖref よりも大きくなると、コンパレータ
回路３の出力はローになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲートが負電位になるので、スイッチング素子ＳＷがオ
フする。一方、周囲が暗くなり、太陽電池ＳＢの出力電
圧が基準電圧Ｖref よりも小さくなると、コンパレータ
回路３の出力はハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲート−ソース間の電位差がなくなるので、ＭＯＳＦＥ
ＴＱ2 ，Ｑ3 はオフ状態を維持できなくなり、スイッチ
ング素子ＳＷがオンする。
準電圧Ｖref を発生する基準電圧発生回路２と、太陽電
池ＳＢの出力電圧と基準電圧Ｖref の大小に応じた２値
の出力を発生するコンパレータ回路３とから構成され
る。而して、周囲が明るくなり、太陽電池ＳＢの出力電
圧が基準電圧Ｖref よりも大きくなると、コンパレータ
回路３の出力はローになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲートが負電位になるので、スイッチング素子ＳＷがオ
フする。一方、周囲が暗くなり、太陽電池ＳＢの出力電
圧が基準電圧Ｖref よりも小さくなると、コンパレータ
回路３の出力はハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲート−ソース間の電位差がなくなるので、ＭＯＳＦＥ
ＴＱ2 ，Ｑ3 はオフ状態を維持できなくなり、スイッチ
ング素子ＳＷがオンする。
【００２０】上述の構成によれば、周囲が明るくなり太
陽電池ＳＢの出力電圧が基準電圧Ｖref よりも大きくな
ると、電圧監視回路１の出力によりＭＯＳＦＥＴＱ2 ，
Ｑ3のゲートが負電位になるので、スイッチング素子Ｓ
Ｗがオフになる。この時、トライアックＱ1 にはゲート
信号が与えられず、トライアックＱ1 がオフして、照明
負荷Ｌは点灯しない。一方、周囲が暗くなり太陽電池Ｓ
Ｂの出力電圧が基準電圧Ｖref よりも小さくなると、電
圧監視回路１の出力によりＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲ
ート−ソース間の電位差がなくなるので、スイッチング
素子ＳＷがオンになる。この時、トライアックＱ1 にゲ
ート信号が与えられ、トライアックＱ1がオンして、照
明負荷Ｌが点灯する。
陽電池ＳＢの出力電圧が基準電圧Ｖref よりも大きくな
ると、電圧監視回路１の出力によりＭＯＳＦＥＴＱ2 ，
Ｑ3のゲートが負電位になるので、スイッチング素子Ｓ
Ｗがオフになる。この時、トライアックＱ1 にはゲート
信号が与えられず、トライアックＱ1 がオフして、照明
負荷Ｌは点灯しない。一方、周囲が暗くなり太陽電池Ｓ
Ｂの出力電圧が基準電圧Ｖref よりも小さくなると、電
圧監視回路１の出力によりＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲ
ート−ソース間の電位差がなくなるので、スイッチング
素子ＳＷがオンになる。この時、トライアックＱ1 にゲ
ート信号が与えられ、トライアックＱ1がオンして、照
明負荷Ｌが点灯する。
【００２１】ところで、本実施形態では、上述のように
外光を太陽電池ＳＢに入射するものであって、明るさは
人の視感度特性によるものであるから、外光に対する太
陽電池ＳＢの分光感度特性を視感度特性に近く設定する
ことが望ましい。ここに、アモルファスシリコンを用い
た太陽電池ＳＢの分光感度特性は人の視感度特性に近い
特性を有することが知られており、アモルファスシリコ
ンの太陽電池ＳＢを用いるのが望ましく、アモルファス
シリコンの太陽電池ＳＢを用いることにより、人の視感
度特性に対応した明るさを検出することができる。
外光を太陽電池ＳＢに入射するものであって、明るさは
人の視感度特性によるものであるから、外光に対する太
陽電池ＳＢの分光感度特性を視感度特性に近く設定する
ことが望ましい。ここに、アモルファスシリコンを用い
た太陽電池ＳＢの分光感度特性は人の視感度特性に近い
特性を有することが知られており、アモルファスシリコ
ンの太陽電池ＳＢを用いるのが望ましく、アモルファス
シリコンの太陽電池ＳＢを用いることにより、人の視感
度特性に対応した明るさを検出することができる。
【００２２】（実施形態２）本実施形態の電子式自動点
滅器の要部回路図を図３に示す。尚、実施形態１と同一
の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略す
る。また、基準電圧発生回路２及びコンパレータ回路３
以外の構成は実施形態１と同様であるので、その説明を
省略する。
滅器の要部回路図を図３に示す。尚、実施形態１と同一
の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略す
る。また、基準電圧発生回路２及びコンパレータ回路３
以外の構成は実施形態１と同様であるので、その説明を
省略する。
【００２３】本実施形態では、図２に示す回路におい
て、複数のダイオードＤ1 …の直列回路２ａを抵抗Ｒ2
を介して太陽電池ＳＢの両端間に順方向に接続し、複数
のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直列回路２ａと抵
抗Ｒ2 とから基準電圧発生回路２を構成し、複数のダイ
オードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の順方向電圧の和によって
基準電圧Ｖref が決定される。また、太陽電池ＳＢと並
列に接続された抵抗Ｒ3，Ｒ4 の直列回路と、非反転入
力端子が抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 の接続点に接続され、反転入力
端子が複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 …Ｄn の直列回路２
ａと抵抗Ｒ2 との接続点に接続されるとともに、出力端
子がＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲートに接続されたコン
パレータＣＰとでコンパレータ回路３を構成する。ま
た、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のソースは太陽電池ＳＢの
正極に接続される。
て、複数のダイオードＤ1 …の直列回路２ａを抵抗Ｒ2
を介して太陽電池ＳＢの両端間に順方向に接続し、複数
のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直列回路２ａと抵
抗Ｒ2 とから基準電圧発生回路２を構成し、複数のダイ
オードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の順方向電圧の和によって
基準電圧Ｖref が決定される。また、太陽電池ＳＢと並
列に接続された抵抗Ｒ3，Ｒ4 の直列回路と、非反転入
力端子が抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 の接続点に接続され、反転入力
端子が複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 …Ｄn の直列回路２
ａと抵抗Ｒ2 との接続点に接続されるとともに、出力端
子がＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲートに接続されたコン
パレータＣＰとでコンパレータ回路３を構成する。ま
た、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のソースは太陽電池ＳＢの
正極に接続される。
【００２４】而して、周囲が明るくなり、抵抗Ｒ3 ，Ｒ
4 の分圧電圧Ｖ1 が負側に引き込まれて基準電圧Ｖref
を下回ると、コンパレータＣＰの出力がローになり、Ｍ
ＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲートが負電位になるので、ス
イッチング素子ＳＷがオフになる。スイッチング素子Ｓ
Ｗがオフすると、実施形態１と同様に、トライアックＱ
1 にゲート信号が与えられず、トライアックＱ1 がオフ
して、照明負荷Ｌは消灯する。
4 の分圧電圧Ｖ1 が負側に引き込まれて基準電圧Ｖref
を下回ると、コンパレータＣＰの出力がローになり、Ｍ
ＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲートが負電位になるので、ス
イッチング素子ＳＷがオフになる。スイッチング素子Ｓ
Ｗがオフすると、実施形態１と同様に、トライアックＱ
1 にゲート信号が与えられず、トライアックＱ1 がオフ
して、照明負荷Ｌは消灯する。
【００２５】一方、周囲が暗くなり、抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 の
分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖref を上回ると、コンパレー
タＣＰの出力がハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲート−ソース間に電位差が発生せず、スイッチング素
子ＳＷがオフ状態を維持できなくなり、スイッチング素
子ＳＷがオンになる。スイッチング素子ＳＷがオンする
と、実施形態１と同様に、トライアックＱ1 にゲート信
号が与えられ、トライアックＱ1 がオンして、照明負荷
Ｌが点灯する。
分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖref を上回ると、コンパレー
タＣＰの出力がハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲート−ソース間に電位差が発生せず、スイッチング素
子ＳＷがオフ状態を維持できなくなり、スイッチング素
子ＳＷがオンになる。スイッチング素子ＳＷがオンする
と、実施形態１と同様に、トライアックＱ1 にゲート信
号が与えられ、トライアックＱ1 がオンして、照明負荷
Ｌが点灯する。
【００２６】このように、電圧監視回路１を基準電圧発
生回路２とコンパレータ回路３とで構成しているので、
スイッチング素子ＳＷがオンオフする明るさのしきい値
を精度良く設定することができる。また、複数のダイオ
ードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直列回路２ａで基準電圧Ｖ
ref を発生させているので、簡単な回路構成で基準電圧
Ｖref を発生させることができる。
生回路２とコンパレータ回路３とで構成しているので、
スイッチング素子ＳＷがオンオフする明るさのしきい値
を精度良く設定することができる。また、複数のダイオ
ードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直列回路２ａで基準電圧Ｖ
ref を発生させているので、簡単な回路構成で基準電圧
Ｖref を発生させることができる。
【００２７】（実施形態３）上述の実施形態では、照明
負荷Ｌが点灯から消灯、消灯から点灯に切り換わる際の
明るさのしきい値を一定としているが、本実施形態で
は、照明負荷Ｌが点灯から消灯に切り換わる時の明るさ
のしきい値と、照明負荷Ｌが消灯から点灯に切り換わる
時の明るさのしきい値とにヒステリシスを設けている。
負荷Ｌが点灯から消灯、消灯から点灯に切り換わる際の
明るさのしきい値を一定としているが、本実施形態で
は、照明負荷Ｌが点灯から消灯に切り換わる時の明るさ
のしきい値と、照明負荷Ｌが消灯から点灯に切り換わる
時の明るさのしきい値とにヒステリシスを設けている。
【００２８】本実施形態の電子式自動点滅器の要部回路
図を図４に示す。本実施形態では、図３に示す回路にお
いて、コンパレータＣＰの出力端子と非反転入力端子と
の間にフィードバック抵抗Ｒ5 を接続しており、コンパ
レータＣＰの出力に応じて分圧比を変化させることによ
り、分圧電圧Ｖ1 を変化させている。すなわち、周囲が
明るく、コンパレータＣＰの出力がローの状態では、分
圧電圧Ｖ1 の分圧比が大きくなり、分圧電圧Ｖ1 が大き
くなるので、コンパレータＣＰの出力がローからハイに
切り換わる際の明るさのしきい値が相対的に小さくな
る。一方、周囲が暗く、コンパレータＣＰの出力がハイ
の状態では、分圧電圧Ｖ1 の分圧比が小さくなり、分圧
電圧Ｖ1 が小さくなるので、コンパレータＣＰの出力が
ハイからローに切り換わる際の明るさのしきい値が相対
的に大きくなる。
図を図４に示す。本実施形態では、図３に示す回路にお
いて、コンパレータＣＰの出力端子と非反転入力端子と
の間にフィードバック抵抗Ｒ5 を接続しており、コンパ
レータＣＰの出力に応じて分圧比を変化させることによ
り、分圧電圧Ｖ1 を変化させている。すなわち、周囲が
明るく、コンパレータＣＰの出力がローの状態では、分
圧電圧Ｖ1 の分圧比が大きくなり、分圧電圧Ｖ1 が大き
くなるので、コンパレータＣＰの出力がローからハイに
切り換わる際の明るさのしきい値が相対的に小さくな
る。一方、周囲が暗く、コンパレータＣＰの出力がハイ
の状態では、分圧電圧Ｖ1 の分圧比が小さくなり、分圧
電圧Ｖ1 が小さくなるので、コンパレータＣＰの出力が
ハイからローに切り換わる際の明るさのしきい値が相対
的に大きくなる。
【００２９】要するに、トライアックＱ1 がオンオフす
る際の明るさのしきい値にヒステリシスを付与し、トラ
イアックＱ1 をオンすなわち照明負荷Ｌを点灯させる時
の明るさのしきい値Ｌ1 よりも、トライアックＱ1 をオ
フすなわち照明負荷Ｌを消灯させる時の明るさのしきい
値Ｌ2 を引き上げているのである。このような動作によ
り、一旦オンになれば明るさが多少変動してもオフにな
りにくく、一旦オフになれば明るさが多少変動してもオ
ンになりにくくなる。この関係を図５に示す。図より明
らかなように、照明負荷Ｌを消灯させるときの明るさの
しきい値Ｌ2 は、照明負荷Ｌを点灯させるときの明るさ
のしきい値Ｌ1 よりもΔＬｘだけ高くなる。
る際の明るさのしきい値にヒステリシスを付与し、トラ
イアックＱ1 をオンすなわち照明負荷Ｌを点灯させる時
の明るさのしきい値Ｌ1 よりも、トライアックＱ1 をオ
フすなわち照明負荷Ｌを消灯させる時の明るさのしきい
値Ｌ2 を引き上げているのである。このような動作によ
り、一旦オンになれば明るさが多少変動してもオフにな
りにくく、一旦オフになれば明るさが多少変動してもオ
ンになりにくくなる。この関係を図５に示す。図より明
らかなように、照明負荷Ｌを消灯させるときの明るさの
しきい値Ｌ2 は、照明負荷Ｌを点灯させるときの明るさ
のしきい値Ｌ1 よりもΔＬｘだけ高くなる。
【００３０】上述のように、コンパレータＣＰの出力端
子と非反転入力端子との間にフィードバック抵抗Ｒ5 を
接続することにより、周囲の明るさとトライアックＱ1
のオンオフとの関係にヒステリシスを付与することがで
き、周囲の明るさの変動があっても照明負荷Ｌの点灯ま
たは消灯の状態を維持することができる。而して、トラ
イアックＱ1 をオンまたはオフにするときの明るさのし
きい値を変化させることによって誤動作を防止するか
ら、応答時間を調節している従来構成のように明るさの
変化速度によって誤動作が生じたりすることがなく、し
かも明るさの変化に対する応答性がよいのである。さら
に、ヒステリシスを設けるための電力が微小であり、太
陽電池ＳＢから供給することができるので、負荷をオフ
した時の漏れ電流を小さくすることができ、特にグロー
式蛍光灯を負荷として用いた場合にグロー放電が発生す
るといった問題を解消できる。
子と非反転入力端子との間にフィードバック抵抗Ｒ5 を
接続することにより、周囲の明るさとトライアックＱ1
のオンオフとの関係にヒステリシスを付与することがで
き、周囲の明るさの変動があっても照明負荷Ｌの点灯ま
たは消灯の状態を維持することができる。而して、トラ
イアックＱ1 をオンまたはオフにするときの明るさのし
きい値を変化させることによって誤動作を防止するか
ら、応答時間を調節している従来構成のように明るさの
変化速度によって誤動作が生じたりすることがなく、し
かも明るさの変化に対する応答性がよいのである。さら
に、ヒステリシスを設けるための電力が微小であり、太
陽電池ＳＢから供給することができるので、負荷をオフ
した時の漏れ電流を小さくすることができ、特にグロー
式蛍光灯を負荷として用いた場合にグロー放電が発生す
るといった問題を解消できる。
【００３１】ところで、ヒステリシスを設けるために、
コンパレータＣＰの出力端子と非反転入力端子との間に
フィードバック抵抗Ｒ5 を接続するかわりに、図６に示
すように、太陽電池ＳＢのセルの一部と並列に第３のス
イッチング手段としてのディプレッション型のＭＯＳＦ
ＥＴＱ4 を接続し、ＭＯＳＦＥＴＱ4 のゲートにコンパ
レータＣＰの出力端子を接続しても良い。
コンパレータＣＰの出力端子と非反転入力端子との間に
フィードバック抵抗Ｒ5 を接続するかわりに、図６に示
すように、太陽電池ＳＢのセルの一部と並列に第３のス
イッチング手段としてのディプレッション型のＭＯＳＦ
ＥＴＱ4 を接続し、ＭＯＳＦＥＴＱ4 のゲートにコンパ
レータＣＰの出力端子を接続しても良い。
【００３２】この構成によれば、周囲が明るくなり、抵
抗Ｒ3 ，Ｒ4 の分圧電圧Ｖ1 が負側に引き込まれて基準
電圧Ｖref を下回ると、コンパレータＣＰの出力がロー
になり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲートが負電位にな
るので、スイッチング素子ＳＷがオフになる。スイッチ
ング素子ＳＷがオフすると、実施形態１と同様に、トラ
イアックＱ1 にゲート信号が与えられず、トライアック
Ｑ1 がオフして、照明負荷Ｌは消灯する。この時同時に
ＭＯＳＦＥＴＱ4 がオフするので、太陽電池ＳＢの起電
力が大きくなる。したがって、照明負荷Ｌが消灯から点
灯に切り換わる際の明るさのしきい値が相対的に小さく
なる。
抗Ｒ3 ，Ｒ4 の分圧電圧Ｖ1 が負側に引き込まれて基準
電圧Ｖref を下回ると、コンパレータＣＰの出力がロー
になり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 のゲートが負電位にな
るので、スイッチング素子ＳＷがオフになる。スイッチ
ング素子ＳＷがオフすると、実施形態１と同様に、トラ
イアックＱ1 にゲート信号が与えられず、トライアック
Ｑ1 がオフして、照明負荷Ｌは消灯する。この時同時に
ＭＯＳＦＥＴＱ4 がオフするので、太陽電池ＳＢの起電
力が大きくなる。したがって、照明負荷Ｌが消灯から点
灯に切り換わる際の明るさのしきい値が相対的に小さく
なる。
【００３３】一方、周囲が暗くなり、抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 の
分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖref を上回ると、コンパレー
タＣＰの出力がハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲート−ソース間に電位差が発生せず、スイッチング素
子ＳＷがオフ状態を維持できなくなり、スイッチング素
子ＳＷがオンになる。スイッチング素子ＳＷがオンする
と、実施形態１と同様に、トライアックＱ1 にゲート信
号が与えられ、トライアックＱ1 がオンして、照明負荷
Ｌが点灯する。この時同時に、ＭＯＳＦＥＴＱ 4 がオン
するので、太陽電池ＳＢのセルの一部がＭＯＳＦＥＴＱ
4 によってバイパスされ、太陽電池ＳＢの起電力が小さ
くなる。したがって、照明負荷Ｌが点灯から消灯に切り
換わる際の明るさのしきい値が相対的に大きくなる。
分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖref を上回ると、コンパレー
タＣＰの出力がハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ，Ｑ3 の
ゲート−ソース間に電位差が発生せず、スイッチング素
子ＳＷがオフ状態を維持できなくなり、スイッチング素
子ＳＷがオンになる。スイッチング素子ＳＷがオンする
と、実施形態１と同様に、トライアックＱ1 にゲート信
号が与えられ、トライアックＱ1 がオンして、照明負荷
Ｌが点灯する。この時同時に、ＭＯＳＦＥＴＱ 4 がオン
するので、太陽電池ＳＢのセルの一部がＭＯＳＦＥＴＱ
4 によってバイパスされ、太陽電池ＳＢの起電力が小さ
くなる。したがって、照明負荷Ｌが点灯から消灯に切り
換わる際の明るさのしきい値が相対的に大きくなる。
【００３４】なお、図９（ｂ）に示すように、太陽電池
ＳＢを構成するセルの各々と並列にディプレッション型
のＭＯＳＦＥＴＱ4 〜Ｑn を接続しても良く、ＭＯＳＦ
ＥＴＱ4 〜Ｑn を電圧監視回路１が個別にオンオフ制御
することにより、基準電圧Ｖref を所望の電圧値に制御
することができる。このように、ＭＯＳＦＥＴＱ4 をオ
ンオフして太陽電池ＳＢの個数を変化させることにより
ヒステリシスを設けているので、ヒステリシスを設ける
ための電力が微小であり、太陽電池ＳＢから電力を供給
することができるから、負荷をオフした時の漏れ電流を
小さくすることができ、特にグロー式蛍光灯を負荷とし
て用いた場合にグロー放電が発生するといった問題を解
消できる。
ＳＢを構成するセルの各々と並列にディプレッション型
のＭＯＳＦＥＴＱ4 〜Ｑn を接続しても良く、ＭＯＳＦ
ＥＴＱ4 〜Ｑn を電圧監視回路１が個別にオンオフ制御
することにより、基準電圧Ｖref を所望の電圧値に制御
することができる。このように、ＭＯＳＦＥＴＱ4 をオ
ンオフして太陽電池ＳＢの個数を変化させることにより
ヒステリシスを設けているので、ヒステリシスを設ける
ための電力が微小であり、太陽電池ＳＢから電力を供給
することができるから、負荷をオフした時の漏れ電流を
小さくすることができ、特にグロー式蛍光灯を負荷とし
て用いた場合にグロー放電が発生するといった問題を解
消できる。
【００３５】ところで、上述した自動動点滅器のうち太
陽電池ＳＢとスイッチング素子Ｓ4と電圧監視回路１と
は、図１０に示すようなパッケージ１０に収納される。
このパッケージ１０は円板状のベース１１に筒状のカバ
ー１２を覆着して形成され、パッケージ１０の天井とな
るカバー１２の底壁には透光板１３が装着される。ま
た、ベース１１の上にはＭＯＳＦＥＴＱ1 〜Ｑ4 （図１
０にはＭＯＳＦＥＴＱ4を図示している）と電圧監視回
路１とが形成された半導体基板１４が実装され、半導体
基板１４に形成されたＭＯＳＦＥＴＱ4 及び電圧監視回
路１の上にはアモルファス太陽電池ＳＢが形成されてい
る。而して、太陽電池ＳＢには透光板１３を通して外光
が入射する。また、これらの部品を外部回路に接続する
ために、ベース１１には端子ピン１５が突設され、各端
子ピン１５と各部品とはワイヤ１６を介して接続されて
いる。上述のように、ＭＯＳＦＥＴＱ1 〜Ｑ4 及び太陽
電池ＳＢは同一基板上に形成されているので、ＭＯＳＦ
ＥＴＱ1 〜Ｑ4 と太陽電池ＳＢとが別々の基板に形成さ
れた場合に比べて組立作業が容易になり、しかもＭＯＳ
ＦＥＴＱ4 の上方に太陽電池ＳＢが形成されているの
で、半導体基板１４を小型にすることができる。
陽電池ＳＢとスイッチング素子Ｓ4と電圧監視回路１と
は、図１０に示すようなパッケージ１０に収納される。
このパッケージ１０は円板状のベース１１に筒状のカバ
ー１２を覆着して形成され、パッケージ１０の天井とな
るカバー１２の底壁には透光板１３が装着される。ま
た、ベース１１の上にはＭＯＳＦＥＴＱ1 〜Ｑ4 （図１
０にはＭＯＳＦＥＴＱ4を図示している）と電圧監視回
路１とが形成された半導体基板１４が実装され、半導体
基板１４に形成されたＭＯＳＦＥＴＱ4 及び電圧監視回
路１の上にはアモルファス太陽電池ＳＢが形成されてい
る。而して、太陽電池ＳＢには透光板１３を通して外光
が入射する。また、これらの部品を外部回路に接続する
ために、ベース１１には端子ピン１５が突設され、各端
子ピン１５と各部品とはワイヤ１６を介して接続されて
いる。上述のように、ＭＯＳＦＥＴＱ1 〜Ｑ4 及び太陽
電池ＳＢは同一基板上に形成されているので、ＭＯＳＦ
ＥＴＱ1 〜Ｑ4 と太陽電池ＳＢとが別々の基板に形成さ
れた場合に比べて組立作業が容易になり、しかもＭＯＳ
ＦＥＴＱ4 の上方に太陽電池ＳＢが形成されているの
で、半導体基板１４を小型にすることができる。
【００３６】（実施形態４）本実施形態の電子式自動点
滅器の回路図を図７に示す。尚、基本的な構成は実施形
態１と同様であるので、同一の構成要素には同一の符号
を付して、その説明を省略する。本実施形態では、実施
形態１の電子式自動点滅器において、スイッチング素子
ＳＷをエンハンスメント型（ノーマリオフ型）のＭＯＳ
ＦＥＴＱ2'，Ｑ3'で構成する。スイッチング素子ＳＷの
一端（ＭＯＳＦＥＴＱ2'のドレイン）は抵抗Ｒ1を介し
てトライアックＱ1 のＴ2 端子に接続されるとともに、
トライアックＱ1のゲートＧに接続され、スイッチング
素子ＳＷの他端（ＭＯＳＦＥＴＱ3'のドレイン）はトラ
イアックＱ1 のＴ1 端子に接続される。太陽電池ＳＢは
複数個のセルを直列接続して構成され、太陽電池ＳＢの
出力電圧は電圧監視回路１に入力される。なお、太陽電
池ＳＢの極性は実施形態１と逆極性になっている。電圧
監視回路１は太陽電池ＳＢの出力電圧によって駆動さ
れ、太陽電池ＳＢの出力電圧と基準電圧とを比較して、
スイッチング素子ＳＷをオン・オフさせるオンオフ信号
を出力する。
滅器の回路図を図７に示す。尚、基本的な構成は実施形
態１と同様であるので、同一の構成要素には同一の符号
を付して、その説明を省略する。本実施形態では、実施
形態１の電子式自動点滅器において、スイッチング素子
ＳＷをエンハンスメント型（ノーマリオフ型）のＭＯＳ
ＦＥＴＱ2'，Ｑ3'で構成する。スイッチング素子ＳＷの
一端（ＭＯＳＦＥＴＱ2'のドレイン）は抵抗Ｒ1を介し
てトライアックＱ1 のＴ2 端子に接続されるとともに、
トライアックＱ1のゲートＧに接続され、スイッチング
素子ＳＷの他端（ＭＯＳＦＥＴＱ3'のドレイン）はトラ
イアックＱ1 のＴ1 端子に接続される。太陽電池ＳＢは
複数個のセルを直列接続して構成され、太陽電池ＳＢの
出力電圧は電圧監視回路１に入力される。なお、太陽電
池ＳＢの極性は実施形態１と逆極性になっている。電圧
監視回路１は太陽電池ＳＢの出力電圧によって駆動さ
れ、太陽電池ＳＢの出力電圧と基準電圧とを比較して、
スイッチング素子ＳＷをオン・オフさせるオンオフ信号
を出力する。
【００３７】電圧監視回路１は、例えば図８に示すよう
に、基準電圧Ｖref を発生する基準電圧発生回路２と、
太陽電池ＳＢの出力電圧と基準電圧Ｖref とを比較して
２値の出力を発生するコンパレータ回路３とで構成され
る。複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直列回路
２ａを抵抗Ｒ2 を介して太陽電池ＳＢの両端間に順方向
に接続し、複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直
列回路２ａと抵抗Ｒ2とから基準電圧発生回路２を構成
し、複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の順方向電
圧の和によって基準電圧Ｖref が決定される。また、太
陽電池ＳＢと並列に接続された抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 の直列回
路と、非反転入力端子が抵抗Ｒ3 ，Ｒ4の接続点に接続
されるとともに反転入力端子が複数のダイオードＤ1 ，
Ｄ2 …Ｄ n の直列回路２ａと抵抗Ｒ2 との接続点に接続
されるコンパレータＣＰと、コンパレータＣＰの出力端
子がゲートに接続されるとともにドレイン−ソース間に
ダイオードＤn が接続される第４のスイッチング素子と
してのエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴＱ4'とでコン
パレータ回路３が構成される。ここで、コンパレータＣ
Ｐの出力端子はＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ3'のゲートに接続
され、ＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ3'のソースは太陽電池ＳＢ
の負極に接続される。
に、基準電圧Ｖref を発生する基準電圧発生回路２と、
太陽電池ＳＢの出力電圧と基準電圧Ｖref とを比較して
２値の出力を発生するコンパレータ回路３とで構成され
る。複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直列回路
２ａを抵抗Ｒ2 を介して太陽電池ＳＢの両端間に順方向
に接続し、複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の直
列回路２ａと抵抗Ｒ2とから基準電圧発生回路２を構成
し、複数のダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn の順方向電
圧の和によって基準電圧Ｖref が決定される。また、太
陽電池ＳＢと並列に接続された抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 の直列回
路と、非反転入力端子が抵抗Ｒ3 ，Ｒ4の接続点に接続
されるとともに反転入力端子が複数のダイオードＤ1 ，
Ｄ2 …Ｄ n の直列回路２ａと抵抗Ｒ2 との接続点に接続
されるコンパレータＣＰと、コンパレータＣＰの出力端
子がゲートに接続されるとともにドレイン−ソース間に
ダイオードＤn が接続される第４のスイッチング素子と
してのエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴＱ4'とでコン
パレータ回路３が構成される。ここで、コンパレータＣ
Ｐの出力端子はＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ3'のゲートに接続
され、ＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ3'のソースは太陽電池ＳＢ
の負極に接続される。
【００３８】而して、周囲が明るくなり、抵抗Ｒ3 ，Ｒ
4 の分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖrefを上回ると、コンパ
レータＣＰの出力がハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ
3'がオンして、スイッチング素子ＳＷがオンする。スイ
ッチング素子ＳＷがオンすると、トライアックＱ1 のゲ
ートＧとＴ1 端子とが短絡されるから、トライアックＱ
1 はオフになり、照明負荷Ｌは消灯する。この時同時
に、ＭＯＳＦＥＴＱ4'がオンして、ダイオードＤn がバ
イパスされるので、基準電圧Ｖref が小さくなり、スイ
ッチング素子ＳＷがオンからオフに切り換わる際の明る
さのしきい値、すなわち照明負荷Ｌが消灯から点灯に切
り換わる際の明るさのしきい値が小さくなる。
4 の分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖrefを上回ると、コンパ
レータＣＰの出力がハイになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ
3'がオンして、スイッチング素子ＳＷがオンする。スイ
ッチング素子ＳＷがオンすると、トライアックＱ1 のゲ
ートＧとＴ1 端子とが短絡されるから、トライアックＱ
1 はオフになり、照明負荷Ｌは消灯する。この時同時
に、ＭＯＳＦＥＴＱ4'がオンして、ダイオードＤn がバ
イパスされるので、基準電圧Ｖref が小さくなり、スイ
ッチング素子ＳＷがオンからオフに切り換わる際の明る
さのしきい値、すなわち照明負荷Ｌが消灯から点灯に切
り換わる際の明るさのしきい値が小さくなる。
【００３９】一方、周囲が暗くなり、抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 の
分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖref を下回ると、コンパレー
タＣＰの出力がローになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ3'が
オフして、スイッチング素子ＳＷがオフする。スイッチ
ング素子ＳＷがオフすると、抵抗Ｒ1 を介してゲート信
号となる電圧がトライアックＱ1 のゲートＧに印加さ
れ、トライアックＱ1 がオンになり、照明負荷Ｌが点灯
する。この時同時に、ＭＯＳＦＥＴＱ4'はオフして、ダ
イオードＤn の両端間がバイパスされなくなるので、基
準電圧Ｖref が大きくなり、スイッチング素子ＳＷがオ
フからオンに切り換わる際の明るさのしきい値、すなわ
ち照明負荷Ｌが点灯から消灯に切り換わる際の明るさの
しきい値が大きくなる。
分圧電圧Ｖ1 が基準電圧Ｖref を下回ると、コンパレー
タＣＰの出力がローになり、ＭＯＳＦＥＴＱ2'，Ｑ3'が
オフして、スイッチング素子ＳＷがオフする。スイッチ
ング素子ＳＷがオフすると、抵抗Ｒ1 を介してゲート信
号となる電圧がトライアックＱ1 のゲートＧに印加さ
れ、トライアックＱ1 がオンになり、照明負荷Ｌが点灯
する。この時同時に、ＭＯＳＦＥＴＱ4'はオフして、ダ
イオードＤn の両端間がバイパスされなくなるので、基
準電圧Ｖref が大きくなり、スイッチング素子ＳＷがオ
フからオンに切り換わる際の明るさのしきい値、すなわ
ち照明負荷Ｌが点灯から消灯に切り換わる際の明るさの
しきい値が大きくなる。
【００４０】その結果、実施形態３と同様に周囲の明る
さと照明負荷Ｌの点灯／消灯との関係にヒステリシスを
付与することができ、周囲の明るさの変動があっても照
明負荷Ｌの点灯または消灯の状態を維持することができ
る。而して、トライアックＱ 1 をオンまたはオフにする
ときの明るさのしきい値を変化させることによって誤動
作を防止するから、応答時間を調節している従来構成の
ように明るさの変化速度によって誤動作が生じたりする
ことがなく、しかも明るさの変化に対する応答性がよい
のである。
さと照明負荷Ｌの点灯／消灯との関係にヒステリシスを
付与することができ、周囲の明るさの変動があっても照
明負荷Ｌの点灯または消灯の状態を維持することができ
る。而して、トライアックＱ 1 をオンまたはオフにする
ときの明るさのしきい値を変化させることによって誤動
作を防止するから、応答時間を調節している従来構成の
ように明るさの変化速度によって誤動作が生じたりする
ことがなく、しかも明るさの変化に対する応答性がよい
のである。
【００４１】このように、ＭＯＳＦＥＴＱ4'をオンオフ
してダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄ n の個数を変化させ
ることによりヒステリシスを設けているので、ヒステリ
シスを設けるための電力が微小であり、太陽電池ＳＢか
ら電力を供給することができるから、負荷をオフした時
の漏れ電流を小さくすることができ、特にグロー式蛍光
灯を負荷として用いた場合にグロー放電が発生するとい
った問題を解消できる。
してダイオードＤ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄ n の個数を変化させ
ることによりヒステリシスを設けているので、ヒステリ
シスを設けるための電力が微小であり、太陽電池ＳＢか
ら電力を供給することができるから、負荷をオフした時
の漏れ電流を小さくすることができ、特にグロー式蛍光
灯を負荷として用いた場合にグロー放電が発生するとい
った問題を解消できる。
【００４２】尚、本実施形態では、コンパレータＣＰの
出力に応じて基準電圧Ｖref を変化させることにより、
周囲の明るさと照明負荷Ｌの点灯／消灯との関係にヒス
テリシスを設けているが、基準電圧Ｖref を変化させる
かわりに、コンパレータＣＰの出力端子と非反転入力端
子との間にフィードバック抵抗を接続してヒステリシス
を設けるようにしても良いし、実施形態２と同様にヒス
テリシスを設けなくてもよい。
出力に応じて基準電圧Ｖref を変化させることにより、
周囲の明るさと照明負荷Ｌの点灯／消灯との関係にヒス
テリシスを設けているが、基準電圧Ｖref を変化させる
かわりに、コンパレータＣＰの出力端子と非反転入力端
子との間にフィードバック抵抗を接続してヒステリシス
を設けるようにしても良いし、実施形態２と同様にヒス
テリシスを設けなくてもよい。
【００４３】
【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、外光
の明るさに応じた電圧を発生する光起電力素子と、光起
電力素子の出力電圧によって駆動され光起電力素子の出
力電圧と基準電圧との大小に応じてオンオフ信号を発生
する電圧監視回路と、電圧監視回路のオンオフ信号に応
じてオンオフされる第１のスイッチング素子と、電源と
負荷との間に挿入され第１のスイッチング素子の出力に
応じて負荷への電源供給をオンオフする双方向サイリス
タとを備えており、応答時間を調節する従来回路のよう
に明るさの変化速度によって誤動作が生じたりすること
がなく、しかも明るさの変化に対する応答性を高めるこ
とができるという効果がある。
の明るさに応じた電圧を発生する光起電力素子と、光起
電力素子の出力電圧によって駆動され光起電力素子の出
力電圧と基準電圧との大小に応じてオンオフ信号を発生
する電圧監視回路と、電圧監視回路のオンオフ信号に応
じてオンオフされる第１のスイッチング素子と、電源と
負荷との間に挿入され第１のスイッチング素子の出力に
応じて負荷への電源供給をオンオフする双方向サイリス
タとを備えており、応答時間を調節する従来回路のよう
に明るさの変化速度によって誤動作が生じたりすること
がなく、しかも明るさの変化に対する応答性を高めるこ
とができるという効果がある。
【００４４】請求項２の発明は、電圧監視回路は、基準
電圧を発生する基準電圧発生回路と、光起電力素子の出
力電圧と基準電圧との大小を比較するコンパレータとか
ら構成されているので、第１のスイッチング素子が動作
する明るさのしきい値を精度良く設定することができる
という効果がある。請求項３の発明は、基準電圧発生回
路は、直列接続された複数のダイオードから構成されて
いるので、簡単な回路構成で基準電圧を発生させること
ができるという効果がある。
電圧を発生する基準電圧発生回路と、光起電力素子の出
力電圧と基準電圧との大小を比較するコンパレータとか
ら構成されているので、第１のスイッチング素子が動作
する明るさのしきい値を精度良く設定することができる
という効果がある。請求項３の発明は、基準電圧発生回
路は、直列接続された複数のダイオードから構成されて
いるので、簡単な回路構成で基準電圧を発生させること
ができるという効果がある。
【００４５】請求項４の発明は、コンパレータにフィー
ドバック抵抗を接続し、負荷がオンオフする時の明るさ
のしきい値にヒステリシスを設けているので、周囲の明
るさの変動により負荷が誤動作するのを防止することが
でき、負荷の動作が安定するという効果がある。しか
も、ヒステリシスを設けるための電力が微小であり、太
陽電池から供給することができるので、負荷をオフした
時の漏れ電流を小さくすることができ、特にグロー式蛍
光灯を負荷として用いた場合にグロー放電が発生すると
いった問題を解消できるという効果がある。
ドバック抵抗を接続し、負荷がオンオフする時の明るさ
のしきい値にヒステリシスを設けているので、周囲の明
るさの変動により負荷が誤動作するのを防止することが
でき、負荷の動作が安定するという効果がある。しか
も、ヒステリシスを設けるための電力が微小であり、太
陽電池から供給することができるので、負荷をオフした
時の漏れ電流を小さくすることができ、特にグロー式蛍
光灯を負荷として用いた場合にグロー放電が発生すると
いった問題を解消できるという効果がある。
【００４６】請求項５の発明は、上記複数のダイオード
の一部又は各々と並列に、コンパレータの出力によって
オンオフされる第２のスイッチング素子を接続している
ので、第２のスイッチング素子をオンオフさせることに
より基準電圧を変化させて、照明負荷がオンオフする際
の明るさのしきい値にヒステリシスを設けることができ
るという効果がある。しかも、ヒステリシスを設けるた
めの電力が微小であり、太陽電池から供給することがで
きるので、負荷をオフした時の漏れ電流を小さくするこ
とができ、特にグロー式蛍光灯を負荷として用いた場合
にグロー放電が発生するといった問題を解消できるとい
う効果がある。
の一部又は各々と並列に、コンパレータの出力によって
オンオフされる第２のスイッチング素子を接続している
ので、第２のスイッチング素子をオンオフさせることに
より基準電圧を変化させて、照明負荷がオンオフする際
の明るさのしきい値にヒステリシスを設けることができ
るという効果がある。しかも、ヒステリシスを設けるた
めの電力が微小であり、太陽電池から供給することがで
きるので、負荷をオフした時の漏れ電流を小さくするこ
とができ、特にグロー式蛍光灯を負荷として用いた場合
にグロー放電が発生するといった問題を解消できるとい
う効果がある。
【００４７】請求項６の発明は、光起電力素子は複数の
セルが直列接続された太陽電池からなり、セルの一部又
は各々と並列に、コンパレータの出力によってオンオフ
される第３のスイッチング素子を接続しているので、第
３のスイッチング素子をオンオフさせることにより、太
陽電池の起電力を変化させて、照明負荷がオンオフする
際の明るさのしきい値にヒステリシスを設けることがで
きるという効果がある。しかも、ヒステリシスを設ける
ための電力が微小であり、太陽電池から供給することが
できるので、負荷をオフした時の漏れ電流を小さくする
ことができ、特にグロー式蛍光灯を負荷として用いた場
合にグロー放電が発生するといった問題を解消できると
いう効果がある。
セルが直列接続された太陽電池からなり、セルの一部又
は各々と並列に、コンパレータの出力によってオンオフ
される第３のスイッチング素子を接続しているので、第
３のスイッチング素子をオンオフさせることにより、太
陽電池の起電力を変化させて、照明負荷がオンオフする
際の明るさのしきい値にヒステリシスを設けることがで
きるという効果がある。しかも、ヒステリシスを設ける
ための電力が微小であり、太陽電池から供給することが
できるので、負荷をオフした時の漏れ電流を小さくする
ことができ、特にグロー式蛍光灯を負荷として用いた場
合にグロー放電が発生するといった問題を解消できると
いう効果がある。
【００４８】請求項７の発明は、第２のスイッチング素
子がＭＯＳＦＥＴからなり、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池
が同一基板上に形成され、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電
池が形成されており、請求項８の発明は、第３のスイッ
チング素子がＭＯＳＦＥＴからなり、ＭＯＳＦＥＴ及び
太陽電池が同一基板上に形成され、ＭＯＳＦＥＴの上方
に太陽電池が形成されているので、別基板に形成された
太陽電池とＭＯＳＦＥＴとを接続する作業が不要にな
り、組立を容易に行うことができるという効果があり、
しかもＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されている
ので、基板の小型化を図ることができるという効果もあ
る。
子がＭＯＳＦＥＴからなり、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池
が同一基板上に形成され、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電
池が形成されており、請求項８の発明は、第３のスイッ
チング素子がＭＯＳＦＥＴからなり、ＭＯＳＦＥＴ及び
太陽電池が同一基板上に形成され、ＭＯＳＦＥＴの上方
に太陽電池が形成されているので、別基板に形成された
太陽電池とＭＯＳＦＥＴとを接続する作業が不要にな
り、組立を容易に行うことができるという効果があり、
しかもＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されている
ので、基板の小型化を図ることができるという効果もあ
る。
【図１】実施形態１の電子式自動点滅器を示す回路図で
ある。
ある。
【図２】同上の要部回路図である。
【図３】実施形態２の電子式自動点滅器を示す要部回路
図である。
図である。
【図４】実施形態３の電子式自動点滅器を示す要部回路
図である。
図である。
【図５】同上の動作を示す説明図である。
【図６】同上の要部回路図である。
【図７】実施形態４の電子式自動点滅器を示す回路図で
ある。
ある。
【図８】同上の要部回路図である。
【図９】（ａ）（ｂ）は同上の要部回路図である。
【図１０】同上の電子式自動点滅器を示す断面図であ
る。
る。
【図１１】従来の電子式自動点滅器を示す回路図であ
る。
る。
１ 電圧監視回路 Ｌ 負荷 Ｑ1 トライアック ＳＢ 太陽電池 ＳＷ スイッチング素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阪井 淳 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】外光の明るさに応じた電圧を発生する光起
電力素子と、光起電力素子の出力電圧によって駆動され
光起電力素子の出力電圧と基準電圧との大小に応じてオ
ンオフ信号を発生する電圧監視回路と、電圧監視回路の
オンオフ信号に応じてオンオフされる第１のスイッチン
グ素子と、電源と負荷との間に挿入され第１のスイッチ
ング素子の出力に応じて負荷への電源供給をオンオフす
る双方向サイリスタとを備えて成ることを特徴とする電
子式自動点滅器 - 【請求項２】電圧監視回路は、基準電圧を発生する基準
電圧発生回路と、光起電力素子の出力電圧と基準電圧と
の大小を比較するコンパレータとから構成されることを
特徴とする請求項１記載の電子式自動点滅器。 - 【請求項３】基準電圧発生回路は、直列接続された複数
のダイオードから構成されることを特徴とする請求項２
記載の電子式自動点滅器。 - 【請求項４】コンパレータにフィードバック抵抗を接続
し、負荷がオンオフする時の明るさのしきい値にヒステ
リシスを設けたことを特徴とする請求項２記載の電子式
自動点滅器。 - 【請求項５】上記複数のダイオードの一部又は各々と並
列に、コンパレータの出力によってオンオフされる第２
のスイッチング素子を接続したことを特徴とする請求項
３記載の電子式自動点滅器。 - 【請求項６】光起電力素子は複数のセルが直列接続され
た太陽電池からなり、セルの一部又は各々と並列に、コ
ンパレータの出力によってオンオフされる第３のスイッ
チング素子を接続したことを特徴とする請求項３記載の
電子式自動点滅器。 - 【請求項７】第２のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴか
らなり、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池が同一基板上に形成
され、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されたこと
を特徴とする請求項５記載の電子式自動点滅器。 - 【請求項８】第３のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴか
らなり、ＭＯＳＦＥＴ及び太陽電池が同一基板上に形成
され、ＭＯＳＦＥＴの上方に太陽電池が形成されたこと
を特徴とする請求項６記載の電子式自動点滅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01362198A JP4384272B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 電子式自動点滅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01362198A JP4384272B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 電子式自動点滅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214976A true JPH11214976A (ja) | 1999-08-06 |
| JP4384272B2 JP4384272B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=11838313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01362198A Expired - Fee Related JP4384272B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 電子式自動点滅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4384272B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159494A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Nakano Engineering Co Ltd | 照度センサー付き照明器具 |
| JP2012243628A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Panasonic Corp | 照明装置 |
| JP2018088249A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-06-07 | 富士通株式会社 | 電源制御回路および環境発電装置 |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP01362198A patent/JP4384272B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159494A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Nakano Engineering Co Ltd | 照度センサー付き照明器具 |
| JP2012243628A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Panasonic Corp | 照明装置 |
| JP2018088249A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-06-07 | 富士通株式会社 | 電源制御回路および環境発電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4384272B2 (ja) | 2009-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5221891A (en) | Control circuit for a solar-powered rechargeable power source and load | |
| US5086267A (en) | Control circuit for a solar-powered rechargeable power source and load | |
| US5041952A (en) | Control circuit for a solar-powered rechargeable power source and load | |
| US6670597B1 (en) | Illumination sensor with spectral sensitivity corresponding to human luminosity characteristic | |
| JP4384272B2 (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JP2002005738A (ja) | 照度センサ | |
| JPH11214174A (ja) | 自動点滅装置 | |
| KR890003627Y1 (ko) | 광전식 자동 점멸기 | |
| JP4635037B2 (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JP2013171702A (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JP3522802B2 (ja) | 太陽電池用蓄電池の過充電防止回路 | |
| JPH11214177A (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JPH11214172A (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JP3837372B2 (ja) | 半導体リレー | |
| JP4151533B2 (ja) | 自動点滅器 | |
| JPH11214173A (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JP2000100579A (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JP2002250659A (ja) | 照度センサ | |
| US20030010901A1 (en) | Photo switching device | |
| KR890007023Y1 (ko) | 무접점 광전식 자동 점멸기 | |
| JPS584417B2 (ja) | ジドウテンメツキ | |
| JPH11211564A (ja) | 照度センサ | |
| JP3533921B2 (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| JPH11214178A (ja) | 電子式自動点滅器 | |
| KR890000061Y1 (ko) | 가로등의 전자식 자동 스위칭 회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041220 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050107 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070118 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070226 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070511 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090803 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090925 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |