JPH11149826A - 導電性フィルム - Google Patents
導電性フィルムInfo
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- JPH11149826A JPH11149826A JP31413197A JP31413197A JPH11149826A JP H11149826 A JPH11149826 A JP H11149826A JP 31413197 A JP31413197 A JP 31413197A JP 31413197 A JP31413197 A JP 31413197A JP H11149826 A JPH11149826 A JP H11149826A
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- film
- conductive
- layer
- conductive layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 希酸で可溶であり、かつ基材との密着性が良
好で、かつパタン形成後の抵抗値上昇、コネクタ接続後
の抵抗値上昇が少ない３層構成の導電層を有し、導電
性、ガスバリヤー性、耐衝撃性、可とう性の優れた透明
導電性を有するフィルムを提供する。 【解決手段】 高分子フィルムの少なくと片側に密着
性、耐衝撃性、耐熱性に優れた有機層１、バリヤ性、可
とう性を有する無機層、密着性、耐衝撃性、耐熱性に優
れた有機層２、基材との密着性のある導電性層１、希酸
に対し容易に溶ける導電性層２、耐溶剤性に優れた導電
性層３を順次積層した積層フィルムである。
好で、かつパタン形成後の抵抗値上昇、コネクタ接続後
の抵抗値上昇が少ない３層構成の導電層を有し、導電
性、ガスバリヤー性、耐衝撃性、可とう性の優れた透明
導電性を有するフィルムを提供する。 【解決手段】 高分子フィルムの少なくと片側に密着
性、耐衝撃性、耐熱性に優れた有機層１、バリヤ性、可
とう性を有する無機層、密着性、耐衝撃性、耐熱性に優
れた有機層２、基材との密着性のある導電性層１、希酸
に対し容易に溶ける導電性層２、耐溶剤性に優れた導電
性層３を順次積層した積層フィルムである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルム液晶表示
装置に用いられる可とう性、エッチング性に優れた導電
性フィルムに関するものである。
装置に用いられる可とう性、エッチング性に優れた導電
性フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶用導電性フィルムとしては、特公昭
６２−３２１０１号公報、特公昭６３−３４０１８号公
報、特公平１−１２６６６号公報等に記載のポリエステ
ル、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート等の高
分子フィルム表面に酸化インジウム、酸化錫、あるいは
錫、インジウム合金の酸化膜等の半導体膜や金、銀、パ
ラジウムあるいはそれらの合金等の金属膜、半導体膜と
金属膜を組み合わせて形成されたもの等が知られてい
る。
６２−３２１０１号公報、特公昭６３−３４０１８号公
報、特公平１−１２６６６号公報等に記載のポリエステ
ル、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート等の高
分子フィルム表面に酸化インジウム、酸化錫、あるいは
錫、インジウム合金の酸化膜等の半導体膜や金、銀、パ
ラジウムあるいはそれらの合金等の金属膜、半導体膜と
金属膜を組み合わせて形成されたもの等が知られてい
る。
【０００３】しかしながら、プラスチック上に上記の透
明導電膜を形成する際、基板からのガスの影響や、結晶
化によりエッチングが難しい等の欠点があり、この為い
くつかの検討はされているが、確立、採用された技術は
未だ無い状況で有る。一例として酸に可溶な透明導電性
膜として特開平７−１６８１９６号公報では、Ｉｎ、Ｚ
ｎから成る非晶質酸化物を一層のみの導電性層が提案さ
れているが、余りにも可溶過ぎ、パタン加工ライン上で
のオーバーエッチングが起こり、ロット間の安定性に欠
け、設計上も困難さを伴うという大きな問題があった。
又、比抵抗値としても５×１０-4と高く、高精細パタン
に求められる低抵抗にするためには膜厚が厚くなり可と
う性が少なくなるという問題があった。又、耐溶剤性に
も劣り、レジスト剥離剤や、セル化工程における洗浄剤
により表面抵抗値が上昇するという問題があった。又、
Ｉｎ、Ｚｎ系では、恒温恒湿環境において、ＺｎＯの低
級酸化物が形成され、絶縁性が増し、電気的な接続の上
で大きな問題になっていた。また、この低級酸化物は凝
集破壊しやすく、基板への密着強度の低下が生じ、信頼
性の上から問題であった。
明導電膜を形成する際、基板からのガスの影響や、結晶
化によりエッチングが難しい等の欠点があり、この為い
くつかの検討はされているが、確立、採用された技術は
未だ無い状況で有る。一例として酸に可溶な透明導電性
膜として特開平７−１６８１９６号公報では、Ｉｎ、Ｚ
ｎから成る非晶質酸化物を一層のみの導電性層が提案さ
れているが、余りにも可溶過ぎ、パタン加工ライン上で
のオーバーエッチングが起こり、ロット間の安定性に欠
け、設計上も困難さを伴うという大きな問題があった。
又、比抵抗値としても５×１０-4と高く、高精細パタン
に求められる低抵抗にするためには膜厚が厚くなり可と
う性が少なくなるという問題があった。又、耐溶剤性に
も劣り、レジスト剥離剤や、セル化工程における洗浄剤
により表面抵抗値が上昇するという問題があった。又、
Ｉｎ、Ｚｎ系では、恒温恒湿環境において、ＺｎＯの低
級酸化物が形成され、絶縁性が増し、電気的な接続の上
で大きな問題になっていた。また、この低級酸化物は凝
集破壊しやすく、基板への密着強度の低下が生じ、信頼
性の上から問題であった。
【０００４】一方、ガスバリヤー層として、無機層を設
ける方法では、液晶用途以外では特公昭５３−１２９５
３号公報、液晶用では特開昭５０−１４２１９４号公報
等において、高分子フィルム上の少なくとも片面にＳｉ
Ｏ2等を蒸着したもの、あるいは、高分子フィルム上に
塩化ビニリデン系ポリマーや特願昭５９−２０７１６８
号記載のビニルアルコール系ポリマーなど、更には、こ
れらと無機層を併用した特願昭５９−２０１８８６号、
特願昭５９−２０１８８７号等相対的にガスバリヤー性
のあるポリマーのコーティング層を設けたものが知られ
ている。
ける方法では、液晶用途以外では特公昭５３−１２９５
３号公報、液晶用では特開昭５０−１４２１９４号公報
等において、高分子フィルム上の少なくとも片面にＳｉ
Ｏ2等を蒸着したもの、あるいは、高分子フィルム上に
塩化ビニリデン系ポリマーや特願昭５９−２０７１６８
号記載のビニルアルコール系ポリマーなど、更には、こ
れらと無機層を併用した特願昭５９−２０１８８６号、
特願昭５９−２０１８８７号等相対的にガスバリヤー性
のあるポリマーのコーティング層を設けたものが知られ
ている。
【０００５】しかし、液晶用途として使用するには、フ
ィルム液晶の特徴である可とう性については、３５ｍｍ
Φのロールに巻き付けてもクラックが生じない可とう性
が必要であるが、特開昭５５−１１４５６３号公報に記
載されている加水分解による酸化物からなる無機層を有
すると一般的には膜厚は１μｍ程度と厚くなるためクラ
ックが生じ易くなると言う欠点が有り、必ずしも無機バ
リヤーを設ければ良いと言った状況では無かった。
ィルム液晶の特徴である可とう性については、３５ｍｍ
Φのロールに巻き付けてもクラックが生じない可とう性
が必要であるが、特開昭５５−１１４５６３号公報に記
載されている加水分解による酸化物からなる無機層を有
すると一般的には膜厚は１μｍ程度と厚くなるためクラ
ックが生じ易くなると言う欠点が有り、必ずしも無機バ
リヤーを設ければ良いと言った状況では無かった。
【０００６】以上の様に、フィルム液晶表示装置には、
ガスバリヤー性、透明導電性、可とう性を合わせ持つ積
層フィルムが不可欠な要素であり、更にパタン加工性の
歩留まりの点から重要である。しかし、これらの機能を
有する各層をくみあわせて、加工性が良く、透明導電
性、ガスバリヤー性を付与出来、液晶表示装置材料とし
て必要な耐久性のすべてが十分な透明導電性フィルム
は、いまだ工業的には生産されていない状況にある。
ガスバリヤー性、透明導電性、可とう性を合わせ持つ積
層フィルムが不可欠な要素であり、更にパタン加工性の
歩留まりの点から重要である。しかし、これらの機能を
有する各層をくみあわせて、加工性が良く、透明導電
性、ガスバリヤー性を付与出来、液晶表示装置材料とし
て必要な耐久性のすべてが十分な透明導電性フィルム
は、いまだ工業的には生産されていない状況にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる現状
に鑑みなされたもので希酸に可溶であり、且つパタン形
成後の抵抗値上昇が少なく、且つ基材との密着性がある
導電性層を有し、ガスバリヤー性、可とう性に優れた透
明導電性を有するフィルムまたはシートを提供すること
にある。
に鑑みなされたもので希酸に可溶であり、且つパタン形
成後の抵抗値上昇が少なく、且つ基材との密着性がある
導電性層を有し、ガスバリヤー性、可とう性に優れた透
明導電性を有するフィルムまたはシートを提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、高分子フィル
ムあるいはシートの少なくとも片側に有機層１、バリヤ
性を有する無機層、有機層２を順次に設けた高分子フィ
ルムあるいはシート基板に、ＩｎとＳｎの酸化物からな
り、酸化物の組成Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が０．８〜０．
９３の原子比であり且つ膜厚が５０〜３００Åである導
電性層１、希酸に対し容易に溶け、ＩｎとＺｎの酸化物
から成り、酸化物の組成Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．１
〜０．４の原子比の範囲である導電性層２、耐溶剤性が
高く、ＩｎとＳｎの酸化物から成り、酸化物の組成Ｉｎ
／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が０．８５〜０．９３の原子比であ
り、且つ膜厚が５０〜３００Åである導電性層３を順次
積層した導電性フィルムである。更に好ましい形態は、
有機層１及び有機層２が、融点５０℃以上のエポキシ
アクリレートプレポリマーあるいは融点５０℃以上のウ
レタンアクリレートプレポリマーの紫外線硬化膜であ
り、０．３〜１．５μｍの厚みであり、無機層の全光線
透過率が８５％以上、３０Ｈｚの駆動周波数に於ける表
面抵抗率が１×１０12Ω以上、酸素バリヤー性が２ｃｃ
／２４ｈｒ・ｍ2以下であり、３５ｍｍΦのロールに巻
き付けてもクラックが生じない可とう性を有する導電性
フィルムである。
ムあるいはシートの少なくとも片側に有機層１、バリヤ
性を有する無機層、有機層２を順次に設けた高分子フィ
ルムあるいはシート基板に、ＩｎとＳｎの酸化物からな
り、酸化物の組成Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が０．８〜０．
９３の原子比であり且つ膜厚が５０〜３００Åである導
電性層１、希酸に対し容易に溶け、ＩｎとＺｎの酸化物
から成り、酸化物の組成Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．１
〜０．４の原子比の範囲である導電性層２、耐溶剤性が
高く、ＩｎとＳｎの酸化物から成り、酸化物の組成Ｉｎ
／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が０．８５〜０．９３の原子比であ
り、且つ膜厚が５０〜３００Åである導電性層３を順次
積層した導電性フィルムである。更に好ましい形態は、
有機層１及び有機層２が、融点５０℃以上のエポキシ
アクリレートプレポリマーあるいは融点５０℃以上のウ
レタンアクリレートプレポリマーの紫外線硬化膜であ
り、０．３〜１．５μｍの厚みであり、無機層の全光線
透過率が８５％以上、３０Ｈｚの駆動周波数に於ける表
面抵抗率が１×１０12Ω以上、酸素バリヤー性が２ｃｃ
／２４ｈｒ・ｍ2以下であり、３５ｍｍΦのロールに巻
き付けてもクラックが生じない可とう性を有する導電性
フィルムである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、例えば図１に示す様
に、高分子フィルムあるいはシート（以後フィルムとい
う）の少なくとも片側に有機層１、バリヤ性を有する無
機層、有機層２、基材との密着性が良好な導電性層１、
希酸に対し容易に溶ける導電性層２、耐溶剤性が高く比
抵抗値の低い導電性層３を順次積層し、可とう性、エッ
チング性、密着性に優れた積層フィルムであり、積層順
としては上記の順が好ましい。また図２に示すように無
機層を高分子フィルムを間にして導電層１とは反対側に
位置するように形成するのも好ましい。本発明に於ける
高分子フィルムとは、ポリエステル、ポリエーテルサル
フォン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ノルボル
ネン、紫外線硬化型樹脂、エポキシ樹脂に代表される熱
硬化型樹脂等からなる全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１
０５．５．５）で８０％以上の透明性を有し、光学異方
性が少ないフィルムであって、加工性の点からは極力耐
熱性があることが望ましい。この意味から、２２３℃と
最もＴｇが高いポリエーテルサルホンや紫外線硬化樹
脂、熱硬化型樹脂がより好ましい。又、厚みとしては、
ガラスに対し軽い、割れない、可とう性を有するために
０．０５〜０．５ｍｍのものであり、必要に応じ複数の
フィルムを屈折率を合わせた接着剤等を介して積層した
構成のものでも良い。尚、光学異方性としては、出来る
だけ０が望ましいが、リタゼーション値として１５ｎｍ
以下、角度依存性としては４５度で２倍以内が好まし
い。これは、色差として２以下並びに角度依存性に関し
ては色ずれ防止からの要求である。
に、高分子フィルムあるいはシート（以後フィルムとい
う）の少なくとも片側に有機層１、バリヤ性を有する無
機層、有機層２、基材との密着性が良好な導電性層１、
希酸に対し容易に溶ける導電性層２、耐溶剤性が高く比
抵抗値の低い導電性層３を順次積層し、可とう性、エッ
チング性、密着性に優れた積層フィルムであり、積層順
としては上記の順が好ましい。また図２に示すように無
機層を高分子フィルムを間にして導電層１とは反対側に
位置するように形成するのも好ましい。本発明に於ける
高分子フィルムとは、ポリエステル、ポリエーテルサル
フォン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ノルボル
ネン、紫外線硬化型樹脂、エポキシ樹脂に代表される熱
硬化型樹脂等からなる全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１
０５．５．５）で８０％以上の透明性を有し、光学異方
性が少ないフィルムであって、加工性の点からは極力耐
熱性があることが望ましい。この意味から、２２３℃と
最もＴｇが高いポリエーテルサルホンや紫外線硬化樹
脂、熱硬化型樹脂がより好ましい。又、厚みとしては、
ガラスに対し軽い、割れない、可とう性を有するために
０．０５〜０．５ｍｍのものであり、必要に応じ複数の
フィルムを屈折率を合わせた接着剤等を介して積層した
構成のものでも良い。尚、光学異方性としては、出来る
だけ０が望ましいが、リタゼーション値として１５ｎｍ
以下、角度依存性としては４５度で２倍以内が好まし
い。これは、色差として２以下並びに角度依存性に関し
ては色ずれ防止からの要求である。
【００１０】有機層１及び有機層２としては、融点５０
℃以上のエポキシアクリレートプレポリマーあるいは融
点５０℃以上のウレタンアクリレートプレポリマーの紫
外線硬化膜であり、液晶用途としての特性を満足出来れ
ば、熱的により安定な熱硬化型を用いても良い。しかし
ながら、生産性に優れた紫外線硬化型樹脂がより好まし
い。当然ながら、高分子フィルムや無機層との密着力は
不可欠であり、可とう性、耐薬品性が優れている事が必
要である。この目的のためには、通常行われているプラ
イマー層を設けても良い。有機層１及び２に用いられる
樹脂の融点が５０℃未満であれば、無機層、導電性層
１、２、３を形成する際に熱じわが発生するという問題
が生じる。
℃以上のエポキシアクリレートプレポリマーあるいは融
点５０℃以上のウレタンアクリレートプレポリマーの紫
外線硬化膜であり、液晶用途としての特性を満足出来れ
ば、熱的により安定な熱硬化型を用いても良い。しかし
ながら、生産性に優れた紫外線硬化型樹脂がより好まし
い。当然ながら、高分子フィルムや無機層との密着力は
不可欠であり、可とう性、耐薬品性が優れている事が必
要である。この目的のためには、通常行われているプラ
イマー層を設けても良い。有機層１及び２に用いられる
樹脂の融点が５０℃未満であれば、無機層、導電性層
１、２、３を形成する際に熱じわが発生するという問題
が生じる。
【００１１】ここで重要なのは、可とう性を保持の為、
有機層１及び有機層２の厚みを制限する必要がある。確
かに樹脂処方に依る処があるのは事実であるが、通常コ
ート樹脂の厚みとして用いられる２〜５μｍ程度の厚み
を塗布すると、３５ｍｍΦのロールに巻き付けた際にク
ラックが生じる場合がある。従って液晶用途として実用
上充分安定した領域で使用するには、有機層の厚みとし
て０．３〜１．５μｍの範囲であれば満足する事を見い
だしたものである。これは、紫外線硬化型樹脂は硬化時
に１０〜２０％程の硬化収縮が起こるため、潜在的な内
部応力を持っており、衝撃試験の様な局部的な外力が働
くと一気にクラックが入るためである。ここで有機層の
厚みが０．３μｍ未満では塗布ムラが生じ易くなり、
１．５μｍを越えると密着力が低下しクラックが発生し
易くなる。
有機層１及び有機層２の厚みを制限する必要がある。確
かに樹脂処方に依る処があるのは事実であるが、通常コ
ート樹脂の厚みとして用いられる２〜５μｍ程度の厚み
を塗布すると、３５ｍｍΦのロールに巻き付けた際にク
ラックが生じる場合がある。従って液晶用途として実用
上充分安定した領域で使用するには、有機層の厚みとし
て０．３〜１．５μｍの範囲であれば満足する事を見い
だしたものである。これは、紫外線硬化型樹脂は硬化時
に１０〜２０％程の硬化収縮が起こるため、潜在的な内
部応力を持っており、衝撃試験の様な局部的な外力が働
くと一気にクラックが入るためである。ここで有機層の
厚みが０．３μｍ未満では塗布ムラが生じ易くなり、
１．５μｍを越えると密着力が低下しクラックが発生し
易くなる。
【００１２】有機層１及び有機層２を２．５μｍに塗布
した際のベースフィルムとの密着力は２００ｇ／ｃｍで
あるのに対し、０．５μｍ品では１０００ｇ／ｃｍと５
倍まで向上できている。更に薄化する優位点として、液
晶用途では極力透明性を有することが望ましく、通常塗
布される最も薄い２μｍに対しても、０．５μｍ低減す
る毎に０．５％の透過率の改善が認められ、この意味か
らも有効な手段になる。
した際のベースフィルムとの密着力は２００ｇ／ｃｍで
あるのに対し、０．５μｍ品では１０００ｇ／ｃｍと５
倍まで向上できている。更に薄化する優位点として、液
晶用途では極力透明性を有することが望ましく、通常塗
布される最も薄い２μｍに対しても、０．５μｍ低減す
る毎に０．５％の透過率の改善が認められ、この意味か
らも有効な手段になる。
【００１３】無機層としては、全光線透過率８５％以
上、表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）１×１０12Ω
（１０〜３０Ｈｚ）以上、酸素バリヤー性として２ｃｃ
／２４ｈｒ・ｍ2以下を有し、３５ｍｍΦのロールに巻
き付けてもクラックが生じない可とう性を有するもので
あれば実用上問題ない。無機層としては、例えばＳｉＯ
ｘ、ＳｉｘＮｙ、ＡｌｘＯｙ等あるいはこれらの多層、
複合膜が考えられ、蒸着、スパッタリング、イオンプレ
ーティング、ＣＶＤに代表される気相成膜法や、金属ア
ルコキサイドを原料とした加水分解等による塗布法によ
り形成される。
上、表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）１×１０12Ω
（１０〜３０Ｈｚ）以上、酸素バリヤー性として２ｃｃ
／２４ｈｒ・ｍ2以下を有し、３５ｍｍΦのロールに巻
き付けてもクラックが生じない可とう性を有するもので
あれば実用上問題ない。無機層としては、例えばＳｉＯ
ｘ、ＳｉｘＮｙ、ＡｌｘＯｙ等あるいはこれらの多層、
複合膜が考えられ、蒸着、スパッタリング、イオンプレ
ーティング、ＣＶＤに代表される気相成膜法や、金属ア
ルコキサイドを原料とした加水分解等による塗布法によ
り形成される。
【００１４】全光線透過率としてはできるだけ高いこと
が望ましいが、高分子フィルム並びに導電性層の透過率
を考慮すれば実質上８５％以上であれば使用可能とな
る。全光線透過率が８５％未満であると透明性が不十分
となり本用途には使用出来ない。
が望ましいが、高分子フィルム並びに導電性層の透過率
を考慮すれば実質上８５％以上であれば使用可能とな
る。全光線透過率が８５％未満であると透明性が不十分
となり本用途には使用出来ない。
【００１５】液晶の駆動周波数である３０Ｈｚに於ける
表面抵抗率は１×１０12Ω以上が必要である。これは、
無機層が有機層２をはさみ導電性層側に有る場合、通常
ＴＮ、ＳＴＮモードで使用される液晶の抵抗率が１×１
０10Ω程度であるため１００倍以上の差を設ける必要が
有るからである。１×１０12Ω未満であるとセルの消費
電流が著しく上昇し、セルの寿命の点から問題になるた
めである。このためには結晶光学的に理想に近いＳｉＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3が好ましい。又、セル寿命の上
からは、イオン性不純物は極力少ない方が望ましく通常
２０ｐｐｍ以下が望まれる。このためには材料の選定や
成膜中の不純物管理が重要になる。但し、図２の様に無
機層が高分子フィルムあるいはシートをはさみ、導電性
層と反対側にある場合は、上記項目は問題とならない。
表面抵抗率は１×１０12Ω以上が必要である。これは、
無機層が有機層２をはさみ導電性層側に有る場合、通常
ＴＮ、ＳＴＮモードで使用される液晶の抵抗率が１×１
０10Ω程度であるため１００倍以上の差を設ける必要が
有るからである。１×１０12Ω未満であるとセルの消費
電流が著しく上昇し、セルの寿命の点から問題になるた
めである。このためには結晶光学的に理想に近いＳｉＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3が好ましい。又、セル寿命の上
からは、イオン性不純物は極力少ない方が望ましく通常
２０ｐｐｍ以下が望まれる。このためには材料の選定や
成膜中の不純物管理が重要になる。但し、図２の様に無
機層が高分子フィルムあるいはシートをはさみ、導電性
層と反対側にある場合は、上記項目は問題とならない。
【００１６】酸素バリヤー性として、モコン法による測
定値で２ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2以下であることが重要で
ある。塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系
ポリマーに代表される有機バリヤーに比べ、温湿度条件
下でのバリヤー性に変化が無いことが最大の特徴であ
り、有機バリヤーの常温常湿での２ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ
2の値以下であれば実用上問題ない。又、必要に応じ本
発明に記載した必要特性を満足する範囲であれば、無機
層の形成に先立ち該有機層１との密着力を高めるために
脱ガス処理、コロナ放電処理、火炎処理等の表面処理や
アクリル系エポキシ系等の公知のアンカーコートが施さ
れていてもよい。
定値で２ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2以下であることが重要で
ある。塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系
ポリマーに代表される有機バリヤーに比べ、温湿度条件
下でのバリヤー性に変化が無いことが最大の特徴であ
り、有機バリヤーの常温常湿での２ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ
2の値以下であれば実用上問題ない。又、必要に応じ本
発明に記載した必要特性を満足する範囲であれば、無機
層の形成に先立ち該有機層１との密着力を高めるために
脱ガス処理、コロナ放電処理、火炎処理等の表面処理や
アクリル系エポキシ系等の公知のアンカーコートが施さ
れていてもよい。
【００１７】導電性層１としては、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2
から成るものを使用するが、この酸化物は一般的に最も
比抵抗、透明性が良く、通常広く用いられている。目的
の抵抗値を得るために適宜製造条件を考慮して成膜され
る。酸化物の組成はＩｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で
０．８５〜０．９３であり、０．８５未満あるいは０．
９３を越えると比抵抗が増加するという問題がある。特
に０．９３を越えると耐酸性が増しエッチング性が大幅
に低下する。導電性層１の厚みとしては５０〜３００Å
が望ましい。３００Åを越えるとエッチング性が悪くな
りパタン時に直線性が得られない。又、５０Å未満であ
ると膜が不連続膜のため導電性層２の性質が出てしま
い、恒温恒湿環境で基材との密着性が低下し、信頼性に
問題が生じる。
から成るものを使用するが、この酸化物は一般的に最も
比抵抗、透明性が良く、通常広く用いられている。目的
の抵抗値を得るために適宜製造条件を考慮して成膜され
る。酸化物の組成はＩｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で
０．８５〜０．９３であり、０．８５未満あるいは０．
９３を越えると比抵抗が増加するという問題がある。特
に０．９３を越えると耐酸性が増しエッチング性が大幅
に低下する。導電性層１の厚みとしては５０〜３００Å
が望ましい。３００Åを越えるとエッチング性が悪くな
りパタン時に直線性が得られない。又、５０Å未満であ
ると膜が不連続膜のため導電性層２の性質が出てしま
い、恒温恒湿環境で基材との密着性が低下し、信頼性に
問題が生じる。
【００１８】導電性層２としては、Ｉｎ、Ｚｎの酸化物
から成り、酸化物の組成はＺｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．
１〜０．４の原子比の範囲であることが通常用いられる
ＨＣｌ濃度１５ｖｏｌ％をエッチング液とするパタン加
工工程に於いてコントール可能で、且つ、導電性が良好
な範囲である。即ち、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．１未
満では比抵抗が極端に上昇し、Ｚｎの効果が無くなりエ
ッチング特性が通常一般的に用いられるＩｎ2Ｏ3、Ｓｎ
Ｏ2の酸化物と差が無くなる。又、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）が０．４を越えると比抵抗が同様に上昇し、ＺｎＯ
単独と同様にエッチング性のコントロールが不可能にな
り、また、洗浄工程、レジスト剥離工程で用いられるア
ルカリ水溶液で導電膜の抵抗値が大幅に上昇、または溶
解するといった不具合が生じる。例えば原子比が０．０
８になると最適組成である０．２５の比抵抗５．０×１
０-4Ω・ｃｍ（５００Å）に対して１×１０-2Ω・ｃｍ
となり２０倍以上の比抵抗になる。又、０．５では１×
１０-3Ω・ｃｍとなり１．６倍以上の比抵抗になる。
から成り、酸化物の組成はＺｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．
１〜０．４の原子比の範囲であることが通常用いられる
ＨＣｌ濃度１５ｖｏｌ％をエッチング液とするパタン加
工工程に於いてコントール可能で、且つ、導電性が良好
な範囲である。即ち、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．１未
満では比抵抗が極端に上昇し、Ｚｎの効果が無くなりエ
ッチング特性が通常一般的に用いられるＩｎ2Ｏ3、Ｓｎ
Ｏ2の酸化物と差が無くなる。又、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）が０．４を越えると比抵抗が同様に上昇し、ＺｎＯ
単独と同様にエッチング性のコントロールが不可能にな
り、また、洗浄工程、レジスト剥離工程で用いられるア
ルカリ水溶液で導電膜の抵抗値が大幅に上昇、または溶
解するといった不具合が生じる。例えば原子比が０．０
８になると最適組成である０．２５の比抵抗５．０×１
０-4Ω・ｃｍ（５００Å）に対して１×１０-2Ω・ｃｍ
となり２０倍以上の比抵抗になる。又、０．５では１×
１０-3Ω・ｃｍとなり１．６倍以上の比抵抗になる。
【００１９】導電性層３としては、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2
の酸化物から成るもので、目的の抵抗値を得るために適
宜製造条件を考慮して成膜される。酸化物の組成はＩｎ
／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．８５〜０．９３であ
り、０．８５未満あるいは０．９３を越えると比抵抗が
増加するという問題がある。特に０．９３を越えると耐
酸性が増しエッチング性が大幅に低下する。導電性層３
の厚みとしては５０〜３００Åが望ましい。３００Åを
越えるとエッチング性が悪くパタン時に直線性が得られ
ない。又、５０Å未満であると膜が不連続膜のため導電
性層２の性質が出てしまい、エッチングコントロールが
不可能で、耐溶剤性が悪化し、セル化工程、例えばレジ
スト剥離、洗浄等で表面抵抗値が上昇する。
の酸化物から成るもので、目的の抵抗値を得るために適
宜製造条件を考慮して成膜される。酸化物の組成はＩｎ
／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．８５〜０．９３であ
り、０．８５未満あるいは０．９３を越えると比抵抗が
増加するという問題がある。特に０．９３を越えると耐
酸性が増しエッチング性が大幅に低下する。導電性層３
の厚みとしては５０〜３００Åが望ましい。３００Åを
越えるとエッチング性が悪くパタン時に直線性が得られ
ない。又、５０Å未満であると膜が不連続膜のため導電
性層２の性質が出てしまい、エッチングコントロールが
不可能で、耐溶剤性が悪化し、セル化工程、例えばレジ
スト剥離、洗浄等で表面抵抗値が上昇する。
【００２０】導電性層として、導電性層１、２、３を順
次積層した３層構成を形成することにより、互いの特長
を生かし、可とう性、パタン性、基材との密着性の良好
な透明導電膜が形成される。導電性層２のみで導電性層
を形成した場合、可とう性、パタン性においては、特性
を満足する物であるがパタン工程内のアルカリ溶液での
洗浄工程、レジスト剥離工程等において抵抗値が上昇
し、また、湿熱環境で基材との密着力が低下する等の密
着性の問題が有る。導電性層１または３のみで導電性層
を形成した場合、密着性、パタン工程での抵抗値上昇の
問題はないが、結晶化し易く、耐溶剤性もあるため、膜
が硬くなり可とう性に問題があり、また、パタン形成時
のエッチング性にも問題が生じる。導電層１、２を順次
積層した導電性層においては、パタン工程での洗浄、レ
ジスト剥離工程で抵抗値の上昇が確認され、また、導電
性層２、３を順次積層した導電性層においては、湿熱環
境で基材との密着力が低下する問題が確認された。この
ように、導電層１、２、３を順次積層した３層構成を形
成することによって、初めて、可とう性、パタン性、基
材との密着性を満足した透明導電膜が形成される。
次積層した３層構成を形成することにより、互いの特長
を生かし、可とう性、パタン性、基材との密着性の良好
な透明導電膜が形成される。導電性層２のみで導電性層
を形成した場合、可とう性、パタン性においては、特性
を満足する物であるがパタン工程内のアルカリ溶液での
洗浄工程、レジスト剥離工程等において抵抗値が上昇
し、また、湿熱環境で基材との密着力が低下する等の密
着性の問題が有る。導電性層１または３のみで導電性層
を形成した場合、密着性、パタン工程での抵抗値上昇の
問題はないが、結晶化し易く、耐溶剤性もあるため、膜
が硬くなり可とう性に問題があり、また、パタン形成時
のエッチング性にも問題が生じる。導電層１、２を順次
積層した導電性層においては、パタン工程での洗浄、レ
ジスト剥離工程で抵抗値の上昇が確認され、また、導電
性層２、３を順次積層した導電性層においては、湿熱環
境で基材との密着力が低下する問題が確認された。この
ように、導電層１、２、３を順次積層した３層構成を形
成することによって、初めて、可とう性、パタン性、基
材との密着性を満足した透明導電膜が形成される。
【００２１】
【実施例】《実施例１》高分子フィルムとして溶融押し
出し法により作製した厚み１００μｍ、リタゼーション
５ｎｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友化学
（株）製）を用いた。高分子フィルム上に、分子量１５
４０、融点７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー
（昭和高分子製、ＶＲ−６０）１００重量部、酢酸ブチ
ル４００重量部、セロソルブアセテート１００重量部、
ベンゾインエチルエーテル２重量部を５０℃にて攪拌、
溶解して均一な溶液としたものをグラビアロールコータ
で塗布し、８０℃で１０分間加熱して溶媒を除去し、８
０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により１５ｃｍの距離で３０秒
間照射して樹脂を硬化させ、０．５μｍ厚の有機層１を
形成した。
出し法により作製した厚み１００μｍ、リタゼーション
５ｎｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友化学
（株）製）を用いた。高分子フィルム上に、分子量１５
４０、融点７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー
（昭和高分子製、ＶＲ−６０）１００重量部、酢酸ブチ
ル４００重量部、セロソルブアセテート１００重量部、
ベンゾインエチルエーテル２重量部を５０℃にて攪拌、
溶解して均一な溶液としたものをグラビアロールコータ
で塗布し、８０℃で１０分間加熱して溶媒を除去し、８
０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により１５ｃｍの距離で３０秒
間照射して樹脂を硬化させ、０．５μｍ厚の有機層１を
形成した。
【００２２】次にこのフィルム上にＤＣマグネトロン法
により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴ
ンガス９％の混合ガスを導入、３×１０-1Ｐａの条件下
において無機層を成膜し５００Å厚のＳｉＯ2を得た。
この無機膜の酸素バリヤー性はモコン法により測定した
ところ１．０ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2であり、３０Ｈｚの
周波数に於ける表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）を
測定したところ８．１×１０12Ωであった。又、全光線
透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１０５．５．５）は８９％であ
った。更に３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０００倍
の金属顕微鏡で観察したが、クラックは認められず可と
う性に優れたものであった。次に無機層の上に有機層１
と同様にして厚み１．０μｍ厚の有機層２を形成した。
により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴ
ンガス９％の混合ガスを導入、３×１０-1Ｐａの条件下
において無機層を成膜し５００Å厚のＳｉＯ2を得た。
この無機膜の酸素バリヤー性はモコン法により測定した
ところ１．０ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2であり、３０Ｈｚの
周波数に於ける表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）を
測定したところ８．１×１０12Ωであった。又、全光線
透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１０５．５．５）は８９％であ
った。更に３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０００倍
の金属顕微鏡で観察したが、クラックは認められず可と
う性に優れたものであった。次に無機層の上に有機層１
と同様にして厚み１．０μｍ厚の有機層２を形成した。
【００２３】導電性層１として、同じくＤＣマグネトロ
ン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／ア
ルゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条
件下において成膜し、ＳｎＯ２含有率８ｗｔ％のＩｎ2
Ｏ3の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で
０．８７）２００Åを得て導電性フィルムを作製した。
導電性層１の比抵抗は９．１×１０-4Ω・ｃｍであっ
た。
ン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／ア
ルゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条
件下において成膜し、ＳｎＯ２含有率８ｗｔ％のＩｎ2
Ｏ3の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で
０．８７）２００Åを得て導電性フィルムを作製した。
導電性層１の比抵抗は９．１×１０-4Ω・ｃｍであっ
た。
【００２４】導電性層２として、導電性層１と同じくＤ
Ｃマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引
き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×
１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）の原子比が０．２０である導電性層２を得た。導電
性層１、２の膜厚は、測定の結果、１０００Å、比抵抗
は５．５×１０-4Ω−ｃｍであった。
Ｃマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引
き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×
１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）の原子比が０．２０である導電性層２を得た。導電
性層１、２の膜厚は、測定の結果、１０００Å、比抵抗
は５．５×１０-4Ω−ｃｍであった。
【００２５】次に導電性層２と同じくＤＣマグネトロン
法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アル
ゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条件
下において成膜し、ＳｎＯ２含有率８ｗｔ％のＩｎ２Ｏ
３の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．
９１）である導電性層３を得た。導電性層１、２、３の
膜厚は、１２５０Åで、比抵抗は４．８×１０-4Ω・ｃ
ｍ、全光線透過率８３％であった。以上の条件で得られ
た導電性フィルムにレジストを塗布し、プレベーク９０
℃×６０分行い、露光し、アフターベーク９０℃×３０
分行い、現像液として５％ＮａＯＨを液温２３℃中で６
０秒の現像を行い、エッチング液としてＨＣｌ濃度１５
ｖｏｌ％、液温４０℃中でエッチングし、全面の露光を
行い、現像液として５％ＮａＯＨを液温２３℃中で１２
０秒の全面の現像を行い、２３０μｍピッチの回路を作
製した。ライン／スペースとしては、１８０／５０μｍ
である。エッチング時間は３５秒で残査もなく良好なス
トレートラインが得られた。
法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アル
ゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条件
下において成膜し、ＳｎＯ２含有率８ｗｔ％のＩｎ２Ｏ
３の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．
９１）である導電性層３を得た。導電性層１、２、３の
膜厚は、１２５０Åで、比抵抗は４．８×１０-4Ω・ｃ
ｍ、全光線透過率８３％であった。以上の条件で得られ
た導電性フィルムにレジストを塗布し、プレベーク９０
℃×６０分行い、露光し、アフターベーク９０℃×３０
分行い、現像液として５％ＮａＯＨを液温２３℃中で６
０秒の現像を行い、エッチング液としてＨＣｌ濃度１５
ｖｏｌ％、液温４０℃中でエッチングし、全面の露光を
行い、現像液として５％ＮａＯＨを液温２３℃中で１２
０秒の全面の現像を行い、２３０μｍピッチの回路を作
製した。ライン／スペースとしては、１８０／５０μｍ
である。エッチング時間は３５秒で残査もなく良好なス
トレートラインが得られた。
【００２６】このパタンを作製したフィルムを用いて耐
衝撃性試験を行った。装置としてデュポン衝撃試験機
（ＪＩＳ−Ｋ−５４００．６．１３Ｂ）に於いて、重り
荷重１００ｇで落下させた処、落下距離９００ｍｍでよ
うやくクラックが認められ非常に良好であった。又、可
とう性試験として３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０
００倍の金属顕微鏡で観察したが、前述の無機層だけと
同様にクラックは認められず、導電性層１、２、３の比
抵抗も変化しなかった。再度導電性層を全てエッチング
し、酸素バリヤーを確認したところ、０．８ｃｃ／２４
ｈｒ・ｍ2と変化は認められなかった。
衝撃性試験を行った。装置としてデュポン衝撃試験機
（ＪＩＳ−Ｋ−５４００．６．１３Ｂ）に於いて、重り
荷重１００ｇで落下させた処、落下距離９００ｍｍでよ
うやくクラックが認められ非常に良好であった。又、可
とう性試験として３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０
００倍の金属顕微鏡で観察したが、前述の無機層だけと
同様にクラックは認められず、導電性層１、２、３の比
抵抗も変化しなかった。再度導電性層を全てエッチング
し、酸素バリヤーを確認したところ、０．８ｃｃ／２４
ｈｒ・ｍ2と変化は認められなかった。
【００２７】また、基材と導電性層の密着性を評価する
ため、１００μピッチにパタン作成したフィルムを用
い、通常にガラス液晶で使用されているコネクタ接続
（ＯＬＢ：Ｏｕｔ Ｌｅａｄｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の
方法を用いて評価した。ＡＣＦ（異方導電フィルム）と
しては、住友ベークライト製のスミザックＳＺＦ−４０
１０（１５μ厚、２ｍｍ幅）を使用し、ＴＣＰとして
は、１００μピッチのＴＡＢを使用した。仮圧着条件
は、最終到達温度１１０℃、面内圧力１０ｋｇ／ｃ
ｍ2、圧着時間を２秒とし、圧着条件は最終到達温度１
８０℃、面内圧力を１０ｋｇ／ｃｍ2、圧着時間を１５
秒の条件と、一般的にガラス液晶の組立工程で使用され
る条件、部材にて圧着を行い、密着力は圧着直後のもの
と圧着後に８０℃９０％ＲＨの恒温高湿条件下で２４０
ｈｒ処理（ＨＨＴ処理）したものを用い、ＴＡＢ配線方
向と垂直方向に９０度ビール試験を行った。圧着直後の
もの、ＨＨＴ処理のものともに密着力は５００ｇ／ｃｍ
以上と問題ないレベルであり、導電層の基材からの剥離
は、倍率が１００倍の顕微鏡で確認したが認められなか
った。尚、各特性の評価は同一条件で作製したもので行
い、特に無機層、導電性層１、２、３形成は同一装置で
成膜した。
ため、１００μピッチにパタン作成したフィルムを用
い、通常にガラス液晶で使用されているコネクタ接続
（ＯＬＢ：Ｏｕｔ Ｌｅａｄｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の
方法を用いて評価した。ＡＣＦ（異方導電フィルム）と
しては、住友ベークライト製のスミザックＳＺＦ−４０
１０（１５μ厚、２ｍｍ幅）を使用し、ＴＣＰとして
は、１００μピッチのＴＡＢを使用した。仮圧着条件
は、最終到達温度１１０℃、面内圧力１０ｋｇ／ｃ
ｍ2、圧着時間を２秒とし、圧着条件は最終到達温度１
８０℃、面内圧力を１０ｋｇ／ｃｍ2、圧着時間を１５
秒の条件と、一般的にガラス液晶の組立工程で使用され
る条件、部材にて圧着を行い、密着力は圧着直後のもの
と圧着後に８０℃９０％ＲＨの恒温高湿条件下で２４０
ｈｒ処理（ＨＨＴ処理）したものを用い、ＴＡＢ配線方
向と垂直方向に９０度ビール試験を行った。圧着直後の
もの、ＨＨＴ処理のものともに密着力は５００ｇ／ｃｍ
以上と問題ないレベルであり、導電層の基材からの剥離
は、倍率が１００倍の顕微鏡で確認したが認められなか
った。尚、各特性の評価は同一条件で作製したもので行
い、特に無機層、導電性層１、２、３形成は同一装置で
成膜した。
【００２８】《実施例２》高分子フィルムとして溶融押
し出し法により作製した厚み２５０μｍ、リタゼーショ
ン５ｎｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友化学
（株）製）を用いた。高分子フィルム上に、分子量１５
４０、融点７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー
（昭和高分子製、ＶＲ−６０）１００重量部、酢酸ブチ
ル４００重量部、セロソルブアセテート１００重量部、
ベンゾインエチルエーテル２重量部を５０℃にて攪拌、
溶解して均一な溶液としたものをグラビアロールコータ
で塗布し、８０℃で１０分間加熱して溶媒を除去し、８
０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により１５ｃｍの距離で３０秒
間照射して樹脂を硬化させ、０．５μｍ厚の有機層１を
形成した。
し出し法により作製した厚み２５０μｍ、リタゼーショ
ン５ｎｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友化学
（株）製）を用いた。高分子フィルム上に、分子量１５
４０、融点７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー
（昭和高分子製、ＶＲ−６０）１００重量部、酢酸ブチ
ル４００重量部、セロソルブアセテート１００重量部、
ベンゾインエチルエーテル２重量部を５０℃にて攪拌、
溶解して均一な溶液としたものをグラビアロールコータ
で塗布し、８０℃で１０分間加熱して溶媒を除去し、８
０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により１５ｃｍの距離で３０秒
間照射して樹脂を硬化させ、０．５μｍ厚の有機層１を
形成した。
【００２９】次にこのフィルム上にＤＣマグネトロン法
により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴ
ンガス９％の混合ガスを導入、３×１０-1Ｐａの条件下
において無機層を成膜し５００Å厚のＳｉＯ2を得た。
この無機膜の酸素バリヤー性はモコン法により測定した
ところ１．０ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2であり、３０Ｈｚの
周波数に於ける表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）を
測定したところ８．１×１０12Ωであった。又、全光線
透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１０５．５．５）は８７％であ
った。更に３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０００倍
の金属顕微鏡で観察したが、クラックは認められず可と
う性に優れたものであった。次に無機層の上に有機層１
と同様にして厚み０．５μｍ厚の有機層２を形成した。
により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴ
ンガス９％の混合ガスを導入、３×１０-1Ｐａの条件下
において無機層を成膜し５００Å厚のＳｉＯ2を得た。
この無機膜の酸素バリヤー性はモコン法により測定した
ところ１．０ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2であり、３０Ｈｚの
周波数に於ける表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）を
測定したところ８．１×１０12Ωであった。又、全光線
透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１０５．５．５）は８７％であ
った。更に３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０００倍
の金属顕微鏡で観察したが、クラックは認められず可と
う性に優れたものであった。次に無機層の上に有機層１
と同様にして厚み０．５μｍ厚の有機層２を形成した。
【００３０】次に、導電性層１として、同じくＤＣマグ
ネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸
素／アルゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐ
ａの条件下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％の
Ｉｎ2Ｏ3の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比
で０．８７）２００Åを得て導電性フィルムを作製し
た。導電性層１の比抵抗は９．１×１０-4Ω・ｃｍであ
った。
ネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸
素／アルゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐ
ａの条件下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％の
Ｉｎ2Ｏ3の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比
で０．８７）２００Åを得て導電性フィルムを作製し
た。導電性層１の比抵抗は９．１×１０-4Ω・ｃｍであ
った。
【００３１】導電性層２として、導電性層１と同じくＤ
Ｃマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引
き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×
１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）の原子比が０．３５である導電性層２を得た。導電
性層１、２の膜厚は、測定の結果、１０００Å、比抵抗
は７．０×１０-4Ω−ｃｍであった。
Ｃマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引
き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×
１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）の原子比が０．３５である導電性層２を得た。導電
性層１、２の膜厚は、測定の結果、１０００Å、比抵抗
は７．０×１０-4Ω−ｃｍであった。
【００３２】次に導電性層２と同じくＤＣマグネトロン
法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アル
ゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条件
下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3
の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．８
７）である厚み１００Åの導電性層３を得て導電性フィ
ルムを作製した。導電性層１、２、３の膜厚は１１００
Åで比抵抗は６．０×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は
８２％であった。以上の条件で得られた導電性フィルム
にレジストを塗布し、プレベーク９０℃×６０分行い、
露光し、アフターベーク９０℃×３０分行い、現像液と
して５％ＮａＯＨを液温２３℃中で６０秒の現像を行
い、エッチング液としてＨＣｌ濃度１５ｖｏｌ％、液温
４０℃中でエッチングし、全面の露光を行い、現像液と
して５％ＮａＯＨを液温２３℃中で１２０秒の全面の現
像を行い、２３０μｍピッチの回路を作製した。ライン
／スペースとしては、１８０／５０μｍである。エッチ
ング時間は４５秒で残査もなく良好なストレートライン
が得られた。
法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アル
ゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条件
下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3
の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．８
７）である厚み１００Åの導電性層３を得て導電性フィ
ルムを作製した。導電性層１、２、３の膜厚は１１００
Åで比抵抗は６．０×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は
８２％であった。以上の条件で得られた導電性フィルム
にレジストを塗布し、プレベーク９０℃×６０分行い、
露光し、アフターベーク９０℃×３０分行い、現像液と
して５％ＮａＯＨを液温２３℃中で６０秒の現像を行
い、エッチング液としてＨＣｌ濃度１５ｖｏｌ％、液温
４０℃中でエッチングし、全面の露光を行い、現像液と
して５％ＮａＯＨを液温２３℃中で１２０秒の全面の現
像を行い、２３０μｍピッチの回路を作製した。ライン
／スペースとしては、１８０／５０μｍである。エッチ
ング時間は４５秒で残査もなく良好なストレートライン
が得られた。
【００３３】このパタンを作製したフィルムを用いて耐
衝撃性試験を行った。装置としてデュポン衝撃試験機
（ＪＩＳ−Ｋ−５４００．６．１３Ｂ）に於いて、重り
荷重１００ｇで落下させた処、落下距離９００ｍｍでよ
うやくクラックが認められ非常に良好であった。又、可
とう性試験として３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０
００倍の金属顕微鏡で観察したが、前述の無機層だけと
同様にクラックは認められず、導電性層１、２、３の比
抵抗も変化しなかった。再度導電性層を全てエッチング
し、酸素バリヤーを確認したところ、０．８ｃｃ／２４
ｈｒ・ｍ2と変化は認められなかった。
衝撃性試験を行った。装置としてデュポン衝撃試験機
（ＪＩＳ−Ｋ−５４００．６．１３Ｂ）に於いて、重り
荷重１００ｇで落下させた処、落下距離９００ｍｍでよ
うやくクラックが認められ非常に良好であった。又、可
とう性試験として３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０
００倍の金属顕微鏡で観察したが、前述の無機層だけと
同様にクラックは認められず、導電性層１、２、３の比
抵抗も変化しなかった。再度導電性層を全てエッチング
し、酸素バリヤーを確認したところ、０．８ｃｃ／２４
ｈｒ・ｍ2と変化は認められなかった。
【００３４】また、基材と導電性層の密着性を評価する
ため、１００μピッチにパタン作成したフィルムを用
い、通常にガラス液晶で使用されているコネクタ接続
（ＯＬＢ：Ｏｕｔ Ｌｅａｄｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の
方法を用いて評価した。ＡＣＦ（異方導電フィルム）と
しては、住友ベークライト製のスミザックＳＺＦ−４０
１０（１５μ厚、２ｍｍ幅）を使用し、ＴＣＰとして
は、１００μピッチのＴＡＢを使用した。仮圧着条件
は、最終到達温度１１０℃、面内圧力１０ｋｇ／ｃ
ｍ2、圧着時間を２秒とし、圧着条件は最終到達温度１
８０℃、面内圧力を１０ｋｇ／ｃｍ2、圧着時間を１５
秒の条件と、一般的にガラス液晶の組立工程で使用され
る条件、部材にて圧着を行い、密着力は圧着直後のもの
と圧着後に８０℃９０％ＲＨの恒温高湿条件下で２４０
ｈｒ処理（ＨＨＴ処理）したものを用い、ＴＡＢ配線方
向と垂直方向に９０度ビール試験を行った。圧着直後の
もの、ＨＨＴ処理のものともに密着力は５００ｇ／ｃｍ
以上と問題ないレベルであり、導電層の基材からの剥離
は、倍率が１００倍の顕微鏡で確認したが認められなか
った。尚、各特性の評価は同一条件で作製したもので行
い、特に無機層、導電性層１、２、３形成は同一装置で
成膜した。
ため、１００μピッチにパタン作成したフィルムを用
い、通常にガラス液晶で使用されているコネクタ接続
（ＯＬＢ：Ｏｕｔ Ｌｅａｄｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の
方法を用いて評価した。ＡＣＦ（異方導電フィルム）と
しては、住友ベークライト製のスミザックＳＺＦ−４０
１０（１５μ厚、２ｍｍ幅）を使用し、ＴＣＰとして
は、１００μピッチのＴＡＢを使用した。仮圧着条件
は、最終到達温度１１０℃、面内圧力１０ｋｇ／ｃ
ｍ2、圧着時間を２秒とし、圧着条件は最終到達温度１
８０℃、面内圧力を１０ｋｇ／ｃｍ2、圧着時間を１５
秒の条件と、一般的にガラス液晶の組立工程で使用され
る条件、部材にて圧着を行い、密着力は圧着直後のもの
と圧着後に８０℃９０％ＲＨの恒温高湿条件下で２４０
ｈｒ処理（ＨＨＴ処理）したものを用い、ＴＡＢ配線方
向と垂直方向に９０度ビール試験を行った。圧着直後の
もの、ＨＨＴ処理のものともに密着力は５００ｇ／ｃｍ
以上と問題ないレベルであり、導電層の基材からの剥離
は、倍率が１００倍の顕微鏡で確認したが認められなか
った。尚、各特性の評価は同一条件で作製したもので行
い、特に無機層、導電性層１、２、３形成は同一装置で
成膜した。
【００３５】《実施例３》高分子フィルムとして溶融押
し出し法により作製した厚み２５０μｍ、リタゼーショ
ン５ｎｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友化学
（株）製）を用いた。高分子フィルム上に、分子量１５
４０、融点７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー
（昭和高分子製、ＶＲ−６０）１００重量部、酢酸ブチ
ル４００重量部、セロソルブアセテート１００重量部、
ベンゾインエチルエーテル２重量部を５０℃にて攪拌、
溶解して均一な溶液としたものをグラビアロールコータ
で塗布し、８０℃で１０分間加熱して溶媒を除去し、８
０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により１５ｃｍの距離で３０秒
間照射して樹脂を硬化させ、１．５μｍ厚の有機層１を
形成した。
し出し法により作製した厚み２５０μｍ、リタゼーショ
ン５ｎｍのポリエーテルサルフォンフィルム（住友化学
（株）製）を用いた。高分子フィルム上に、分子量１５
４０、融点７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー
（昭和高分子製、ＶＲ−６０）１００重量部、酢酸ブチ
ル４００重量部、セロソルブアセテート１００重量部、
ベンゾインエチルエーテル２重量部を５０℃にて攪拌、
溶解して均一な溶液としたものをグラビアロールコータ
で塗布し、８０℃で１０分間加熱して溶媒を除去し、８
０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により１５ｃｍの距離で３０秒
間照射して樹脂を硬化させ、１．５μｍ厚の有機層１を
形成した。
【００３６】次にこのフィルム上にＤＣマグネトロン法
により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴ
ンガス９％の混合ガスを導入、３×１０-1Ｐａの条件下
において無機層を成膜し５００Å厚のＳｉＯ2を得た。
この無機膜の酸素バリヤー性はモコン法により測定した
ところ１．０ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2であり、３０Ｈｚの
周波数に於ける表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）を
測定したところ８．１×１０12Ωであった。又、全光線
透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１０５．５．５）は８７％であ
った。更に３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０００倍
の金属顕微鏡で観察したが、クラックは認められず可と
う性に優れたものであった。次に無機層の上に有機層１
と同様にして厚み１．５μｍ厚の有機層２を形成した。
により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴ
ンガス９％の混合ガスを導入、３×１０-1Ｐａの条件下
において無機層を成膜し５００Å厚のＳｉＯ2を得た。
この無機膜の酸素バリヤー性はモコン法により測定した
ところ１．０ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2であり、３０Ｈｚの
周波数に於ける表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ−６９１１）を
測定したところ８．１×１０12Ωであった。又、全光線
透過率（ＪＩＳ−Ｋ−７１０５．５．５）は８７％であ
った。更に３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０００倍
の金属顕微鏡で観察したが、クラックは認められず可と
う性に優れたものであった。次に無機層の上に有機層１
と同様にして厚み１．５μｍ厚の有機層２を形成した。
【００３７】次に、導電性層１として、同じくＤＣマグ
ネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸
素／アルゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐ
ａの条件下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％の
Ｉｎ2Ｏ3の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比
で０．８７）１００Åを得て導電性フィルムを作製し
た。導電性層１の比抵抗は１３．１×１０-4Ω・ｃｍで
あった。
ネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸
素／アルゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐ
ａの条件下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％の
Ｉｎ2Ｏ3の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比
で０．８７）１００Åを得て導電性フィルムを作製し
た。導電性層１の比抵抗は１３．１×１０-4Ω・ｃｍで
あった。
【００３８】導電性層２として、導電性層１と同じくＤ
Ｃマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引
き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×
１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）の原子比が０．２０である導電性層２を得た。導電
性層１、２の膜厚は、測定の結果、９００Å、比抵抗は
６．２×１０-4Ω−ｃｍであった。
Ｃマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引
き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×
１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）の原子比が０．２０である導電性層２を得た。導電
性層１、２の膜厚は、測定の結果、９００Å、比抵抗は
６．２×１０-4Ω−ｃｍであった。
【００３９】次に導電性層２と同じくＤＣマグネトロン
法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アル
ゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条件
下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3
の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．８
７）である厚み３００Åの導電性層３を得て導電性フィ
ルムを作製した。導電性層１、２、３の膜厚は１２００
Åで比抵抗は５．０×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率８
１％であった。以上の条件で得られた導電性フィルムに
レジストを塗布し、プレベーク９０℃×６０分行い、露
光し、アフターベーク９０℃×３０分行い、現像液とし
て５％ＮａＯＨを液温２３℃中で６０秒の現像を行い、
エッチング液としてＨＣｌ濃度１５ｖｏｌ％、液温４０
℃中でエッチングし、全面の露光を行い、現像液として
５％ＮａＯＨを液温２３℃中で１２０秒の全面の現像を
行い、２３０μｍピッチの回路を作製した。ライン／ス
ペースとしては、１８０／５０μｍである。エッチング
時間は４５秒で残査もなく良好なストレートラインが得
られた。
法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アル
ゴンガス３％の混合ガスを導入、１×１０-1Ｐａの条件
下において成膜し、ＳｎＯ2含有率８ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3
の複合酸化物（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の原子比で０．８
７）である厚み３００Åの導電性層３を得て導電性フィ
ルムを作製した。導電性層１、２、３の膜厚は１２００
Åで比抵抗は５．０×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率８
１％であった。以上の条件で得られた導電性フィルムに
レジストを塗布し、プレベーク９０℃×６０分行い、露
光し、アフターベーク９０℃×３０分行い、現像液とし
て５％ＮａＯＨを液温２３℃中で６０秒の現像を行い、
エッチング液としてＨＣｌ濃度１５ｖｏｌ％、液温４０
℃中でエッチングし、全面の露光を行い、現像液として
５％ＮａＯＨを液温２３℃中で１２０秒の全面の現像を
行い、２３０μｍピッチの回路を作製した。ライン／ス
ペースとしては、１８０／５０μｍである。エッチング
時間は４５秒で残査もなく良好なストレートラインが得
られた。
【００４０】このパタンを作製したフィルムを用いて耐
衝撃性試験を行った。装置としてデュポン衝撃試験機
（ＪＩＳ−Ｋ−５４００．６．１３Ｂ）に於いて、重り
荷重１００ｇで落下させた処、落下距離９００ｍｍでよ
うやくクラックが認められ非常に良好であった。又、可
とう性試験として３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０
００倍の金属顕微鏡で観察したが、前述の無機層だけと
同様にクラックは認められず、導電性層１、２、３の比
抵抗も変化しなかった。再度導電性層を全てエッチング
し、酸素バリヤーを確認したところ、０．８ｃｃ／２４
ｈｒ・ｍ2と変化は認められなかった。
衝撃性試験を行った。装置としてデュポン衝撃試験機
（ＪＩＳ−Ｋ−５４００．６．１３Ｂ）に於いて、重り
荷重１００ｇで落下させた処、落下距離９００ｍｍでよ
うやくクラックが認められ非常に良好であった。又、可
とう性試験として３５ｍｍΦのロールに巻き付け、１０
００倍の金属顕微鏡で観察したが、前述の無機層だけと
同様にクラックは認められず、導電性層１、２、３の比
抵抗も変化しなかった。再度導電性層を全てエッチング
し、酸素バリヤーを確認したところ、０．８ｃｃ／２４
ｈｒ・ｍ2と変化は認められなかった。
【００４１】また、基材と導電性層の密着性を評価する
ため、１００μピッチにパタン作成したフィルムを用
い、通常にガラス液晶で使用されているコネクタ接続
（ＯＬＢ：Ｏｕｔ Ｌｅａｄｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の
方法を用いて評価した。ＡＣＦ（異方導電フィルム）と
しては、住友ベークライト製のスミザックＳＺＦ−４０
１０（１５μ厚、２ｍｍ幅）を使用し、ＴＣＰとして
は、１００μピッチのＴＡＢを使用した。仮圧着条件
は、最終到達温度１１０℃、面内圧力１０ｋｇ／ｃ
ｍ2、圧着時間を２秒とし、圧着条件は最終到達温度１
８０℃、面内圧力を１０ｋｇ／ｃｍ2、圧着時間を１５
秒の条件と、一般的にガラス液晶の組立工程で使用され
る条件、部材にて圧着を行い、密着力は圧着直後のもの
と圧着後に８０℃９０％ＲＨの恒温高湿条件下で２４０
ｈｒ処理（ＨＨＴ処理）したものを用い、ＴＡＢ配線方
向と垂直方向に９０度ビール試験を行った。圧着直後の
もの、ＨＨＴ処理のものともに密着力は５００ｇ／ｃｍ
以上と問題ないレベルであり、導電層の基材からの剥離
は、倍率が１００倍の顕微鏡で確認したが認められなか
った。尚、各特性の評価は同一条件で作製したもので行
い、特に無機層、導電性層１、２、３形成は同一装置で
成膜した。
ため、１００μピッチにパタン作成したフィルムを用
い、通常にガラス液晶で使用されているコネクタ接続
（ＯＬＢ：Ｏｕｔ Ｌｅａｄｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の
方法を用いて評価した。ＡＣＦ（異方導電フィルム）と
しては、住友ベークライト製のスミザックＳＺＦ−４０
１０（１５μ厚、２ｍｍ幅）を使用し、ＴＣＰとして
は、１００μピッチのＴＡＢを使用した。仮圧着条件
は、最終到達温度１１０℃、面内圧力１０ｋｇ／ｃ
ｍ2、圧着時間を２秒とし、圧着条件は最終到達温度１
８０℃、面内圧力を１０ｋｇ／ｃｍ2、圧着時間を１５
秒の条件と、一般的にガラス液晶の組立工程で使用され
る条件、部材にて圧着を行い、密着力は圧着直後のもの
と圧着後に８０℃９０％ＲＨの恒温高湿条件下で２４０
ｈｒ処理（ＨＨＴ処理）したものを用い、ＴＡＢ配線方
向と垂直方向に９０度ビール試験を行った。圧着直後の
もの、ＨＨＴ処理のものともに密着力は５００ｇ／ｃｍ
以上と問題ないレベルであり、導電層の基材からの剥離
は、倍率が１００倍の顕微鏡で確認したが認められなか
った。尚、各特性の評価は同一条件で作製したもので行
い、特に無機層、導電性層１、２、３形成は同一装置で
成膜した。
【００４２】《比較例１》有機層１以外は実施例１と同
一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。有
機層１は実施例と同様の組成、方法にて膜厚みのみを
３．５μとした。次に実施例１と同様に可とう性試験を
３５ｍｍΦのロールに巻き付け１０００倍の金属顕微鏡
で確認したところ微少なクラックが確認され、可とう性
が無く、導電性フィルムとして使用するには問題が有る
ことが確認された。
一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。有
機層１は実施例と同様の組成、方法にて膜厚みのみを
３．５μとした。次に実施例１と同様に可とう性試験を
３５ｍｍΦのロールに巻き付け１０００倍の金属顕微鏡
で確認したところ微少なクラックが確認され、可とう性
が無く、導電性フィルムとして使用するには問題が有る
ことが確認された。
【００４３】《比較例２》導電性層１以外は実施例１と
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導電性層１は実施例１と同様の組成とし膜厚５００Åを
成膜した。次に実施例１と同一手法によりパタン化した
フィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した処、エッ
チング時間が３倍の１５０秒必要であり、パタン残査も
確認された。また、直線性も得られなかった。
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導電性層１は実施例１と同様の組成とし膜厚５００Åを
成膜した。次に実施例１と同一手法によりパタン化した
フィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した処、エッ
チング時間が３倍の１５０秒必要であり、パタン残査も
確認された。また、直線性も得られなかった。
【００４４】《比較例３》導電性層１以外は実施例１と
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導導電性層１については実施例１と同様の組成で３０Å
の膜厚で成膜した。次に実施例１と同一手法により１８
０／５０μｍにパタン化した処、問題なく、パタン設計
値であるライン／スペースの１８０／５０μｍにパタン
化され、残査も無いストレートラインが得られた。しか
し、密着性については、実施例１と同一手法により評価
したところ、圧着直後では、密着力が５００ｋｇ／ｃｍ
以上で導電層の基材からの剥離は認められず、良好であ
ったがＨＨＴ処理後では、導電層の基材からの剥離が認
められ、基材との密着力に信頼性が無いことが確認され
た。
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導導電性層１については実施例１と同様の組成で３０Å
の膜厚で成膜した。次に実施例１と同一手法により１８
０／５０μｍにパタン化した処、問題なく、パタン設計
値であるライン／スペースの１８０／５０μｍにパタン
化され、残査も無いストレートラインが得られた。しか
し、密着性については、実施例１と同一手法により評価
したところ、圧着直後では、密着力が５００ｋｇ／ｃｍ
以上で導電層の基材からの剥離は認められず、良好であ
ったがＨＨＴ処理後では、導電層の基材からの剥離が認
められ、基材との密着力に信頼性が無いことが確認され
た。
【００４５】《比較例４》導電性層２以外は実施例１と
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導電性層２については原材料であるターゲット材の組成
を換え、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）の原子比が０．５で厚み
８００Åとした。次に実施例１と同一手法によりパタン
化したフィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン残差は無く良好であったが、パタン設計値で
あるライン／スペースの１８０／５０μｍに対し、１４
０／９０μｍと大幅にずれたオーバーエッチングの仕上
がりとなった。又、場所による変動が大きくコントロー
ルは困難な状況であった。又導電性層１、２、３の比抵
抗は３．２×１０-3Ω−ｃｍと高く導電膜としては満足
出来るレベルではなかった。
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導電性層２については原材料であるターゲット材の組成
を換え、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）の原子比が０．５で厚み
８００Åとした。次に実施例１と同一手法によりパタン
化したフィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン残差は無く良好であったが、パタン設計値で
あるライン／スペースの１８０／５０μｍに対し、１４
０／９０μｍと大幅にずれたオーバーエッチングの仕上
がりとなった。又、場所による変動が大きくコントロー
ルは困難な状況であった。又導電性層１、２、３の比抵
抗は３．２×１０-3Ω−ｃｍと高く導電膜としては満足
出来るレベルではなかった。
【００４６】《比較例５》導電性層２以外は実施例１と
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導電性層２については原材料であるターゲット材の組成
を換えＺｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）の原子比が０．０８で厚み
８００Åとした。実施例１と同一手法によりパタン化し
たところエッチング時間が４倍の１２０秒必要であり、
また、フィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン残査が認められた。
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導電性層２については原材料であるターゲット材の組成
を換えＺｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）の原子比が０．０８で厚み
８００Åとした。実施例１と同一手法によりパタン化し
たところエッチング時間が４倍の１２０秒必要であり、
また、フィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン残査が認められた。
【００４７】《比較例６》導電性層３以外は実施例１と
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導導電性層３については実施例１と同様の組成で３０Å
の膜厚で成膜した。次に実施例１と同一手法によりパタ
ン化したフィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン設計値であるライン／スペースの１８０／５
０μｍに対し、大幅にずれたオーバーエッチングの仕上
がりとなり、場所によっては断線する箇所があるなどコ
ントロールは全く困難な状況であった。また、パタン後
の表面抵抗値はバラツキが大きくなり、絶対値も理論値
の２倍以上となり、実用不可能なレベルであった。
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導導電性層３については実施例１と同様の組成で３０Å
の膜厚で成膜した。次に実施例１と同一手法によりパタ
ン化したフィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン設計値であるライン／スペースの１８０／５
０μｍに対し、大幅にずれたオーバーエッチングの仕上
がりとなり、場所によっては断線する箇所があるなどコ
ントロールは全く困難な状況であった。また、パタン後
の表面抵抗値はバラツキが大きくなり、絶対値も理論値
の２倍以上となり、実用不可能なレベルであった。
【００４８】《比較例７》導電性層３以外は実施例１と
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導導電性層３については実施例１と同様の組成で５００
Åの膜厚で成膜した。次に実施例１と同一手法によりパ
タン化したところエッチング時間が３倍の１５０秒必要
であり、フィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン残査が確認され、パタンラインもエッジ部が
ストレートラインではなくギザギザとなっており、コン
トロールが全く困難な状況であった。
同一フィルム、同一材料を用い、同一構成で形成した。
導導電性層３については実施例１と同様の組成で５００
Åの膜厚で成膜した。次に実施例１と同一手法によりパ
タン化したところエッチング時間が３倍の１５０秒必要
であり、フィルムを１０００倍の金属顕微鏡で観察した
処、パタン残査が確認され、パタンラインもエッジ部が
ストレートラインではなくギザギザとなっており、コン
トロールが全く困難な状況であった。
【００４９】《比較例８》実施例１と同一フィルム、同
一材料を用い、有機層２まで同一構成で形成した。導電
性層として導電性層２を一層のみとし、厚みを１２００
Åに変更した以外は実施例１と同様にして形成した。次
に実施例１と同一手法によりパタン化したフィルムを１
０００倍の金属顕微鏡で観察した処、パタン設計値であ
るライン／スペースの１８０／５０μｍに対し、大幅に
ずれたオーバーエッチングの仕上がりとなり、場所によ
っては断線する箇所があるなどコントロールは全く困難
な状況であった。密着性に関しても、実施例１と同一手
法により評価したがＨＨＴ処理後に導電層の基材からの
剥離が観察された。
一材料を用い、有機層２まで同一構成で形成した。導電
性層として導電性層２を一層のみとし、厚みを１２００
Åに変更した以外は実施例１と同様にして形成した。次
に実施例１と同一手法によりパタン化したフィルムを１
０００倍の金属顕微鏡で観察した処、パタン設計値であ
るライン／スペースの１８０／５０μｍに対し、大幅に
ずれたオーバーエッチングの仕上がりとなり、場所によ
っては断線する箇所があるなどコントロールは全く困難
な状況であった。密着性に関しても、実施例１と同一手
法により評価したがＨＨＴ処理後に導電層の基材からの
剥離が観察された。
【００５０】
【発明の効果】本発明により、エッチング性が良好で耐
衝撃性に優れ、透明性、ガスバリヤー性、可とう性、基
板との密着性を満足する透明導電性フィルムを提供する
ことが可能となった。
衝撃性に優れ、透明性、ガスバリヤー性、可とう性、基
板との密着性を満足する透明導電性フィルムを提供する
ことが可能となった。
【図１】本発明の導電性フィルムの一実施例の一部断面
図を示す。
図を示す。
【図２】本発明の導電性フィルムの他の実施例の一部断
面図で、無機層を導電性層と反対側に形成した例を示
す。
面図で、無機層を導電性層と反対側に形成した例を示
す。
１：高分子フィルム ２：有機層１ ３：無機層 ４：有機層２ ５：導電性層１ ６：導電性層２ ７：導電性層３
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343
Claims (4)
- 【請求項１】 高分子フィルムあるいはシートの少なく
とも片側に有機層１、バリヤ性を有する無機層、有機層
２を順次に設けた高分子フィルムあるいはシート基板
に、ＩｎとＳｎの酸化物からなり、酸化物の組成Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｓｎ）が０．８〜０．９３の原子比であり且つ
膜厚が５０〜３００Åである導電性層１、希酸に対し容
易に溶け、ＩｎとＺｎの酸化物から成り、酸化物の組成
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．１〜０．４の原子比の範囲
である導電性層２、耐溶剤性が高く、ＩｎとＳｎの酸化
物から成り、酸化物の組成Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が０．
８５〜０．９３の原子比であり、且つ膜厚が５０〜３０
０Åである導電性層３を順次積層したことを特徴とする
導電性フィルム。 - 【請求項２】 有機層１及び有機層２が、融点５０℃以
上のエポキシアクリレートプレポリマーあるいは融点５
０℃以上のウレタンアクリレートプレポリマーの紫外線
硬化膜であり、０．３〜１．５μｍの厚みである請求項
１記載の導電性フィルム。 - 【請求項３】 無機層の全光線透過率が８５％以上、３
０Ｈｚの駆動周波数に於ける表面抵抗率が１×１０12Ω
以上、酸素バリヤー性が２ｃｃ／２４ｈｒ・ｍ2以下で
ある請求項１または２記載の導電性フィルム。 - 【請求項４】 ３５ｍｍΦのロールに巻き付けてもクラ
ックが生じない可とう性を有する請求項１、２または３
記載の導電性フィルム。
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003089164A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Toppan Printing Co Ltd | 透明ガスバリア材及びその製造方法 |
| JP2010016388A (ja) * | 2009-07-13 | 2010-01-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続方法 |
| JP2010058516A (ja) * | 2000-04-20 | 2010-03-18 | Battelle Memorial Inst | Ｔｇ基体上の平滑層及びバリア層 |
| WO2011004845A1 (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、電子機器およびタッチパネル |
| JP2011051220A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよびデバイス |
| US8133577B2 (en) | 2007-10-30 | 2012-03-13 | Fujifilm Corporation | Silicon-nitrogen compound film, and gas-barrier film and thin-film device using the silicon-nitrogen compound film |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8904819B2 (en) | 2009-12-31 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
| US8955217B2 (en) | 1999-10-25 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for edge sealing barrier films |
| US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| US9839940B2 (en) | 2002-04-15 | 2017-12-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| WO2017213043A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| JP2017224269A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-21 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| WO2018062041A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 半導体ナノ粒子含有分散液、及び、フィルム |
| CN109313962A (zh) * | 2016-06-10 | 2019-02-05 | 日东电工株式会社 | 透明导电性薄膜及触摸面板 |
| US10950821B2 (en) | 2007-01-26 | 2021-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4537093B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 画像表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP1958981B1 (en) | 2007-02-15 | 2018-04-25 | FUJIFILM Corporation | Barrier laminate, barrier film substrate, methods for producing them, and device |
| JP4995137B2 (ja) | 2007-06-11 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機デバイス |
| JP2009028949A (ja) | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | バリア性フィルム基板とその製造方法、および有機デバイス |
| JP2010006039A (ja) | 2007-09-05 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムを用いて表示素子を封止する方法。 |
| US8067085B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-11-29 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, and display device comprising the same |
| US8033882B2 (en) | 2007-09-19 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device or display device, and method for producing them |
| US8586189B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-11-19 | Fujifilm Corporation | Gas-barrier film and organic device comprising same |
| JP2009076232A (ja) | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 環境感受性デバイス、環境感受性素子の封止方法 |
| US20090075034A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Nobuhiro Nishita | Patterning method and display device |
| JP4912344B2 (ja) | 2008-03-21 | 2012-04-11 | 富士フイルム株式会社 | バリア性積層体とその製造方法、バリア性フィルム基板、デバイスおよび光学部材 |
| JP2010087339A (ja) | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 有機太陽電池素子 |
| JP2010093172A (ja) | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Fujifilm Corp | 封止デバイス |
| JP2011202129A (ja) | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Fujifilm Corp | ポリエステル樹脂、並びに、これを用いた光学材料、フィルムおよび画像表示装置 |
| WO2013089046A1 (ja) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルム |
| WO2017183428A1 (ja) | 2016-04-21 | 2017-10-26 | 富士フイルム株式会社 | 画像表示機能付きミラーおよびハーフミラー |
-
1997
- 1997-11-17 JP JP31413197A patent/JP3400324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8955217B2 (en) | 1999-10-25 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for edge sealing barrier films |
| JP2013056546A (ja) * | 2000-04-20 | 2013-03-28 | Samsung Display Co Ltd | Ｔｇ基体上の平滑層及びバリア層 |
| JP2010058516A (ja) * | 2000-04-20 | 2010-03-18 | Battelle Memorial Inst | Ｔｇ基体上の平滑層及びバリア層 |
| JP4701570B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2011-06-15 | 凸版印刷株式会社 | 透明ガスバリア材及びその製造方法 |
| JP2003089164A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Toppan Printing Co Ltd | 透明ガスバリア材及びその製造方法 |
| US9839940B2 (en) | 2002-04-15 | 2017-12-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US10950821B2 (en) | 2007-01-26 | 2021-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US8133577B2 (en) | 2007-10-30 | 2012-03-13 | Fujifilm Corporation | Silicon-nitrogen compound film, and gas-barrier film and thin-film device using the silicon-nitrogen compound film |
| US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US9362530B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| WO2011004845A1 (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、電子機器およびタッチパネル |
| US9005750B2 (en) | 2009-07-08 | 2015-04-14 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, electronic device, and touch panel |
| CN102473480A (zh) * | 2009-07-08 | 2012-05-23 | 日东电工株式会社 | 透明导电性膜、电子设备及触摸面板 |
| KR101388275B1 (ko) * | 2009-07-08 | 2014-04-22 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 투명 도전성 필름, 전자 기기 및 터치 패널 |
| JP2010016388A (ja) * | 2009-07-13 | 2010-01-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続方法 |
| JP2011051220A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよびデバイス |
| US8904819B2 (en) | 2009-12-31 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
| WO2017213046A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| JP2017224269A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-21 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| CN109313962A (zh) * | 2016-06-10 | 2019-02-05 | 日东电工株式会社 | 透明导电性薄膜及触摸面板 |
| WO2017213043A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| WO2018062041A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 半導体ナノ粒子含有分散液、及び、フィルム |
| CN109790029A (zh) * | 2016-09-29 | 2019-05-21 | 富士胶片株式会社 | 含有半导体纳米粒子的分散液及薄膜 |
| US11015117B2 (en) | 2016-09-29 | 2021-05-25 | Fujifilm Corporation | Semiconductor nanoparticle-containing dispersion liquid and film |
| CN109790029B (zh) * | 2016-09-29 | 2022-04-29 | 富士胶片株式会社 | 含有半导体纳米粒子的分散液及薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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