TWI480164B - Transparent conductive film and transparent conductive laminated body and touch panel - Google Patents

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Description

透明導電膜及透明導電積層體以及觸控面板
本發明係關於一種可用作觸控面板中所用之低電阻型透明電極之透明導電膜，尤其是關於一種適於用作電容式觸控面板之透明導電膜。又，本發明係關於一種由2片上述透明導電膜構成之透明導電積層體、及具備上述透明導電膜或透明導電積層體之觸控面板。
近年來，伴隨觸控面板市場擴大，逐漸推進可用作觸控面板之低電阻型透明電極之透明導電膜之開發。例如，專利文獻1記載有電阻膜型透明觸控面板用電極構件(透明導電膜)，其特徵在於：於透明基體(1)上，由透明導電性金屬氧化物構成之電阻膜層(2)、由二氧化矽構成之薄膜層(3)及由透明導電性金屬氧化物構成之電阻膜層(4)，以(1)、(2)、(3)、(4)之順序積層而成。
又，記載有可使用氧化銦薄膜、於氧化銦摻雜有氧化錫之薄膜(ITO薄膜)等作為上述透明導電性金屬氧化物的內容，且亦記載有較佳為於電阻膜層(2)與電阻膜層(4)使用同種之透明導電性金屬氧化物的內容。
又，作為適於電容式觸控面板之透明導電膜，於專利文獻2中，揭示有一種透明導電性膜，係於透明膜基材之單面或兩面，自該透明膜基材側，依順序形成有第1透明介電質 層、第2透明介電質層及透明導電層，且上述透明導電層經圖案化，令上述第1透明介電質層之折射率為n1，令上述第2透明介電質層之折射率為n2，令上述透明導電層之折射率為n3之情形時，滿足n2<n3<n1之關係，上述第1透明介電質層之厚度為2 nm以上且小於10 nm，上述第2透明介電質層之厚度為20~55 nm，上述透明導電層之厚度為15~30 nm。
進而揭示：上述第1透明介電質層較佳為由至少含有氧化銦及氧化鈰之複合氧化物構成；上述第2透明介電質層較佳為由SiO2 形成；作為透明導電層之構成材料，可較佳地使用含有氧化錫之氧化銦(ITO)等。
記載有：若使用上述專利文獻1之電阻膜型透明觸控面板用電極構件(透明導電膜)，則尤其是透明性與觸控耐久性得到改良，而可提供更高品質且高性能之觸控面板。
上述專利文獻1之透明導電膜於用作表面電阻率為200~250 Ω/□之電阻膜式觸控面板時，電阻膜層(透明導電層)之厚度相對較薄，進而於2片透明導電膜之間存在有空間，故主要因透明導電層引起之黃色感覺不會成為大問題。然而，如電容式觸控面板般利用重疊有2片透明導電膜之透明導電積層體時，存在有黃色感覺變強，而無法耐於實際使用等問題。
尤其是，若如最近般逐漸推進電容式觸控面板之大面 積化，則手指觸碰觸控面板來進行操作時之相應性變差。因此，為了防止相應性變差，於將觸控面板之全光線透過率維持於85%以上狀態，使透明導電層變厚，藉此試圖使表面電阻率降至200 Ω/□以下，較佳為降至150 Ω/□左右，但因透明導電層變厚而產生黃色感覺變得更強等問題。
如圖5A所示，以專利文獻1記載之透明導電膜為代表之先前的透明導電膜係通常於透明膜基材(1')上積層有複數個透明層，且最表層為透明導電層(4')。又，如圖5B所示，電容式觸控面板中使用之透明導電膜係需要藉由局部地去除至少透明導電層(4')，而形成圖案狀電極部(4'P)。此處，所謂圖案狀電極部係指透明導電膜最表層之透明導電層形成為格子狀或棋盤模樣等期望之模樣的部分。再者，除電極部外之部分係未形成有至少透明導電層等包含導電性物質之層的部分(非電極部)。
若使用圖示有本發明之透明導電膜及透明導電積層體之圖1及圖2而更具體地進行說明，則電容式觸控面板係如圖1C所示，以透明黏著劑將具有電性連接於X方向之圖案狀電極部(4Px)之透明導電膜(左側)、與具有電性連接於Y方向之圖案狀電極部(4Py)之透明導電膜(右側)加以貼合，來用作透明導電積層體。再者，於圖1C中，電性連接於X方向之圖案狀電極部(4Px)、與電性連接於Y方向之圖案狀電極部(4Py)係以不同顏色來表示，其係用以於如圖2所示般積層2片透明導電膜而構成透明導電積層體時，用以使電極部彼此位置關係易於掌握之方便的顏 色區分，材料本身係相同。
於圖2中，A係透明導電積層體之俯視圖，B係A中線B-B之剖面圖，C係由A中之圓C包圍部分之放大圖。如圖2所示，電容式觸控面板中使用之透明導電積層體係以如下方式積層：於重疊具有電性連接於X方向之圖案狀電極部之透明導電膜、與具有電性連接於Y方向之圖案狀電極部之透明導電膜時，形成於各個透明導電膜之電極部彼此(即，4Px與4Py)基本上不會重疊。然而，實際上，於透明導電積層體之構造上，形成於上層之透明導電膜與下層之透明導電膜之電極部彼此(4Px與4Py)會稍微產生上下重疊之部分(O)。因此，於自正面目測透明導電積層體之面時，該重疊之部分(O)之黃色感覺會較為顯眼，故成為問題(參照圖2C)。
以下，於本說明書中，所謂電極部彼此重疊之部分係指如上述般於透明導電積層體或者使用有其之電容式觸控面板中，形成於上層之透明導電膜與下層之透明導電膜之電極部彼此(4Px與4Py)上下會重疊部分，於本說明書中，所謂黃色感覺係指該電極部彼此重疊部分之黃色感覺。
觸控面板係覆蓋顯示畫面上者，故被要求無色透明性高，以便可鮮明地辨識顯示畫面。
為了使觸控面板(尤其是，經大面積化之電容式觸控面板)於黃色感覺之方面禁得住實際使用，較理想的是觸控面板中電極部彼此重疊部分之b＊ 為+2.5以下，更理想的是為+2.0以下(b＊ 係於CIE(International Commission on Illumination，國際照明委員會)L＊ a＊ b＊ 色彩空間內，表示黃色與藍色間之位置的值，負值表示偏藍色，正值表示偏黃色)。
為了達成該要求，於構成透明導電膜之各層使用之材料，基本上使用無色透明之物質，但仍然會使特定波長之光被吸收，故存在變為黃色等問題。
專利文獻2之發明係提供適於電容式觸控面板之透明導電膜，且記載有：於透明導電層經圖案化之透明導電膜中，圖案部(電極部)與圖案開口部(非電極部)之差異得到抑制，而可獲得外觀良好之透明導電膜，故尤其適於如電容式觸控面板般將經圖案化之透明導電層(圖案狀電極部)形成於顯示器之顯示部整面之觸控面板。
然而，即便藉由專利文獻2之透明導電膜，亦未能消除於積層2片膜時，黃色感覺變強等問題。
又，專利文獻1及專利文獻2中揭示之透明導電膜均係於膜基材上形成3層而成者，但根據實施例揭示之構成，於第一層(上述三層中最接近膜基材之層)與第三層(最表層)中均含有ITO，故即便藉由蝕刻僅去除第三層之ITO層而形成圖案狀電極部，亦存在經由含ITO之第一層來通電等問題。因此，為了防止不期望之通電，需要去除所有第一層~第三層，而存在需要特殊之蝕刻技術且花費成本等問題。
專利文獻1：日本專利第4132191號公報
專利文獻2：日本特開2010-23282號公報
因此，本發明之課題在於提供一種不僅於以1片使用時，可維持+2.5以下之b＊ 值，而且於重疊2片使用時，尤其是於如電容式觸控面板般於玻璃上積層2片透明導電膜時，亦可維持+2.5以下之b＊ 值之透明導電膜，且可容易形成圖案狀電極部之透明導電膜。
本發明人等為了解決上述課題而進行努力研究，結果發現藉由在透明膜基材之單面，依序形成鈰氧化物層、透明低折射率層、透明導電層而使獲得之透明導電膜發揮期望之導電性，且於積層2片之情形、或進而於玻璃上積層2片之情形時，亦維持較低之b＊ 值，從而以至完成本發明。
即，本發明之透明導電膜之特徵在於：於透明膜基材之單面，依序形成有鈰氧化物層、折射率為1.4以上且未滿1.7之透明低折射率層、透明導電層。
上述透明低折射率層較佳為由矽氧化物構成之薄膜層，進而，該矽氧化物薄膜層較佳為藉由化學氣相蒸鍍法(CVD法)而形成者。
又，上述透明導電層較佳為由ITO構成之薄膜層。
又，較佳為於上述透明膜基材與上述鈰氧化物層之間，存在聚酯系錨固塗層(anchor coat)。
又，上述鈰氧化物層之厚度較佳為5~200 nm，上述透明低折射率層之厚度較佳為5~200 nm，上述透明導電層之厚度較佳為10~500 nm。
上述透明導電膜亦可為形成有引出配線及/或圖案狀電極部者。形成有引出配線及圖案狀電極部之透明導電膜係重疊2片且藉由透明黏著劑層貼合，而適於用作透明導電積層體。
上述透明導電膜較佳為用於觸控面板，尤其是上述透明導電積層體較佳為用於電容式觸控面板。
本發明之透明導電膜具有作為觸控面板用透明導電膜之適當電特性，並且於重疊2片時，亦不易帶有黃色感覺。因此，本發明之透明導電膜尤其適合用於積層複數片透明導電膜而使用之電容式觸控面板。
如圖1A所示，本發明之透明導電膜(5)具有如下構成：於透明膜基材(1)上，至少依序積層有鈰氧化物層(2)、透明低折射率層(3)、透明導電層(4)。透明膜基材(1)及3層(2~4)係作為一片透明導電膜而具有全光線透過率為80%以上(較佳為85%以上)程度之透明性即可。
再者，於本發明之透明導電膜中，所謂折射率係指相對於波長為550 nm之光的折射率，可藉由分光反射光譜測定來測定。又，各層之厚度係意味著物理性厚度，可藉由螢光X射線分析裝置而測定。
本發明之透明導電膜中使用之透明膜基材(1)可使用聚對酞酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜(polyethylene naphthalate)、聚丙烯膜、丙烯酸膜、聚碳酸酯膜、氟膜等 透明塑膠膜，其中，就耐熱性等方面而言，較佳為聚對酞酸乙二酯膜。
又，如圖4所示，亦可於上述透明塑膠膜(9)之單面或兩面，形成由樹脂構成之透明硬塗層(10)(圖4係表示於透明塑膠膜之兩面形成有硬塗層之例)。如上述，於單面或兩面形成有硬塗層者亦包含於本發明之透明膜基材(1)。
藉由將硬塗層形成於透明塑膠膜表面，可隱藏原先存在於透明塑膠膜之劃痕，並且形成有硬塗層之透明膜基材表面之滑動性或表面強度提高，故於後加工時，可防止於透明膜基材產生劃痕。尤其是，於將硬塗層形成於透明導電層側之透明塑膠膜表面時，除上述方面外，進而亦可使本發明之透明導電膜的導電性穩定。
用於硬塗層之樹脂較佳為使該硬塗層為鉛筆硬度2H以上者，可使用三聚氰胺系樹脂、紫外線硬化型丙烯酸系樹脂、胺酯系樹脂等透明樹脂，且厚度較佳為1~7 μm。
又，於形成硬塗層時，會有產生干涉條紋之情形，但於該情形時，較佳為於上述透明塑膠膜與硬塗層之間，設置由樹脂與高折射率微粒子等構成之干涉防止層(厚度為10~50 nm左右，較佳為20~30 nm左右)。作為上述樹脂，可使用例如丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂等，作為上述高折射率微粒子，可使用由例如氧化鈦、氧化鋯等構成之微粒子。
如上述，於透明塑膠膜與硬塗層之間具有干涉防止層者亦包含於本發明之透明膜基材中。
透明膜基材(1)之厚度較佳為10~300 μm，更佳為50~260 μm，特佳為50 μm~200 μm。
若厚度薄於10 μm，則尤其是用於觸控面板之情形時，在以手指或筆等進行輸入時，塑膠膜之強度不充分，故使透明導電膜之變形過大而於透明導電層(4)上產生龜裂(crack)，其結果為表面電阻率變得不穩定，因此不佳。又，會導致透明導電膜捲曲，其結果會使透明導電膜組裝至觸控面板等後作業中，作業性變差，因此不佳。
另一方面，若厚度大於300 μm，則產生如下問題：於用於電阻膜式觸控面板時，在利用手指或筆等進行輸入時，為了對透明導電膜施加負重而接觸相對之透明導電膜，必需施加所需以上之負重的問題。又，透明導電膜之成本亦上升，故不佳。
形成於本發明之透明導電膜的鈰氧化物層(2)係3層(2~4)中最接近透明膜基材(1)之層。鈰氧化物層(2)為透明高折射率層，其折射率為1.7以上且未滿2.5左右(更佳為2.0~2.2)，且折射率高於鄰接之透明低折射率層(3)。如上述，可認為藉由積層光之折射率不同的2層(2及3)而使透明性提高。尤其是，鈰氧化物層(2)與透明低折射率層(3)之折射率之差較佳為0.2以上。進而，藉由使用該鈰氧化物層，與使用有除鈰氧化物層外之透明高折射率層之情形相比，重疊2片透明導電膜時黃色感覺之增強會得到抑制。
鈰氧化物層(2)之厚度較佳為5 nm~200 nm。於厚度 小於5 nm時，無法充分發揮透明高折射率層之特性，且與透明低折射率層(3)之折射率之差會變小，而無法充分發揮透明高折射率層之作用(藉由與透明低折射率層之併用而提高透明性)，故不佳。另一方面，若超過200 nm，則因膜應力而容易產生龜裂，因此不佳。
更佳之鈰氧化物層(2)之厚度為10 nm~50 nm。
再者，鈰氧化物(氧化鈰)，其理論上之組成式係表示為CeO2 ，於本發明中，Ce與O之元素比較佳亦為1：2。然而，Ce與O之元素比無需一定為1：2，而Ce與O之元素比稍微變大或變小(具體而言，於組成式CeOx中，x處於1.6~2.1之範圍內)亦包含於本發明之透明導電膜中使用之鈰氧化物。再者，本說明書中，代表上述CeOx(1.6≦x≦2.1)而表記為CeO2 。
形成於本發明之透明導電膜的透明低折射率層(3)係如下者：形成於鈰氧化物層(2)與透明導電層(4)之間，發揮提高本發明之透明導電膜的透明性作用。
為了發揮上述作用，折射率較佳為1.4以上且未滿1.7(更佳為1.4~1.5)，又，厚度較佳為5~200 nm。
於厚度小於5 nm時，無法充分發揮透明低折射率層之特性，且與鈰氧化物層(2)之折射率之差會變小，而無法充分發揮透明低折射率層之作用(藉由與透明高折射率層之併用而提高透明度)，故不佳。
另一方面，若超過200 nm，則因膜應力而容易產生龜裂，因此不佳。更佳之透明低折射率層之厚度為10 nm~50 nm。
透明低折射率層(3)只要為滿足上述折射率與厚度範圍之透明層，則無特別限制，可使用矽氧化物(SiO2 )薄膜層等無機氧化物薄膜層、氟化鎂(MgF2 )薄膜層等無機化合物薄膜層、由氟系樹脂或聚矽氧系樹脂等樹脂構成之樹脂薄膜層等。
尤其是，就耐熱性、耐濕熱性之方面而言，較佳為將透明低折射率層(3)設為矽氧化物薄膜層。
再者，矽氧化物(氧化矽)，其理論上之組成式係表示為SiO2 ，但Si與O之元素比無需一定嚴格地為1：2，於滿足上述折射率之範圍使Si與O之元素比稍微變大或變小者(具體而言，於組成式SiOx中，x處於1.6~2.1之範圍內者)亦包含於本發明之透明導電膜中使用之矽氧化物。再者，本說明書中，代表上述SiOx(1.6≦x≦2.1)而表記為SiO2 。
再者，若將透明低折射率層(3)設為由具有電氣絕緣性之物質(上述無機氧化物薄膜層、無機化合物薄膜層、樹脂薄膜層等)構成之層，則於形成圖案狀電極部時，必需蝕刻來去除之層只有透明導電層，故可削減蝕刻所需之時間及成本。即，本發明之透明導電膜，最接近透明膜基材(1)之層為具有電氣絕緣性之鈰氧化物層(2)，故若透明低折射率層(3)亦由具有電氣絕緣性之物質構成，則需要圖案狀電極部之形成之層只有透明導電層(4)。然而，本發明使用之透明低折射率層並不限定於具有電氣絕緣性 者，而只要處於滿足上述折射率之範圍，則亦可為聚噻吩系、聚乙炔系、聚苯胺系、聚吡咯系等導電性聚合物、或向樹脂混入ITO或氧化錫等透明導電性微粒子之導電性樹脂薄膜層。於透明低折射率層具有導電性之情形時，在形成圖案狀電極部時，亦需要蝕刻來去除該層。
形成於本發明之透明導電膜之透明導電層(4)係形成於透明導電膜的最表層之層，且係由透明導電性金屬氧化物之薄膜構成，且發揮對本發明之透明導電膜賦予導電性之作用者。
用於透明導電層(4)之透明導電性金屬氧化物薄膜，可使用氧化銦薄膜、氧化錫薄膜、氧化鋅薄膜、氧化鎘薄膜、於氧化銦摻雜有氧化錫之薄膜(ITO薄膜)等先前用作透明導電膜之透明導電層的導電性金屬氧化物薄膜。
其中，特佳為導電性優異之ITO薄膜。
透明導電層(4)係發揮決定本發明之透明導電膜具有之表面電阻率之大部分者，其表面電阻率大致較佳為5~1000 Ω/□，更佳為200 Ω/□以下。
又，透明導電層(4)之厚度只要為具有上述表面電阻率程度之厚度即可，雖亦根據使用之金屬氧化物薄膜層之種類，但大致較佳為10 nm~500 nm。
若厚度小於10 nm，則發現表面電阻率有難以穩定之傾向，而無法穩定獲得所期望之導電性，因此不佳。
另一方面，若厚度大於500 nm，則由於膜應力而會有於透明導電層(4)上產生龜裂且導電性變差之情形，因此 不佳。
更佳之透明導電層(4)之厚度為15 nm~100 nm。
鈰氧化物層(2)、透明低折射率層(3)、透明導電層(4)之形成方法可使用先前公知之形成方法，可使用真空蒸鍍法、濺鍍蒸鍍法、電子束蒸鍍法、CVD法等蒸鍍法、或溶膠-凝膠法等塗佈法等。
尤其是，於透明低折射率層(3)為矽氧化物層之情形時，利用CVD法形成，藉此於觸控面板中，可更減少電極部彼此重疊之部分之b＊ 值。
可認為其原因在於：利用CVD法形成矽氧化物層時，藉由矽氧化物層側之鈰氧化物層(2)氧化，而使鈰氧化物層(2)之氧化程度為矽氧化物層側會高於透明膜基材側，結果鈰氧化物層(2)之全光線透過率變高。
又，為了將本發明之透明導電膜使用於電容式觸控面板，亦可形成引出配線。引出配線係於圖1C表示為記號8之細線，由金屬構成，通常僅設置於透明導電膜之外周部分。先前，如下情形為主流，即，引出配線係藉由將透明導電層圖案化後，印刷(網版印刷等)銀膏而形成，但最近採取如下方法：為了使邊框(存在於圖1C左側之透明導電膜兩端之引出配線(8)束)之寬度變窄，將銅或者銅合金之薄膜形成於透明導電層上後，藉由蝕刻形成更微細之引出配線的方法。
例如，作為藉由蝕刻形成由銅構成之引出配線的方法，可列舉如下之方法：藉由濺鍍蒸鍍法，於透明導電層 之整面上積層銅層，於其上將抗蝕劑材料塗佈成引出配線之形狀，藉由蝕刻處理去除未塗佈有抗蝕劑材料之部分的銅層，於僅殘留塗佈有抗蝕劑材料之部分的銅層後，去除抗蝕劑材料，藉此於透明導電層上，形成由銅構成之引出配線的方法。通常，對引出配線要求0.4 Ω/□以下程度之表面電阻值。為了於銅之引出配線達成0.4 Ω/□以下之表面電阻值，較佳為將銅厚度設為100 nm以上。
又，為了將本發明之透明導電膜用於電容式觸控面板，亦可至少將透明導電層(4)形成為電性連接於X方向或Y方向之圖案狀電極部。
又，為了不僅可用於觸控面板，而且亦可用於太陽電池或有機EL(Electro Luminescence、電致發光)等透明電極用，而形成至少將透明導電層(4)設為電路狀之電路亦可。
形成圖案狀電極部或電路之方法，可列舉利用有化學品或雷射之蝕刻、或利用水溶性樹脂層之方法。
例如，藉由蝕刻形成圖案狀電極部之方法係於透明膜基材上之整面上，依序形成鈰氧化物層(2)、透明低折射率層(3)、及透明導電層(4)後，於透明導電層(4)上，將抗蝕劑材料塗佈成圖案狀電極部之形狀，藉由蝕刻溶液(氯化鐵水溶液、碘酸水溶液、鹽酸、王水、草酸水溶液等溶液)進行處理，對未塗佈有抗蝕劑材料之部分(成為非電極部之部分)僅去除透明導電層(4)(即，殘留鈰氧化物層(2)與透明低折射率層(3))，且對塗佈有抗蝕劑 材料之部分(成為電極部之部分)，殘留上述三層(2~4)。此後，可製造如下本發明之透明導電膜：藉由去除抗蝕劑材料而於透明膜基材之整面上，形成有鈰氧化物層(2)及透明低折射率層(3)，並於其上形成有由透明導電層(4)構成之圖案狀電極部。
再者，本發明之透明導電膜於透明膜基材上具有3層之方面，與專利文獻1及專利文獻2中記載之透明導電膜共通，但專利文獻1及專利文獻2之實施例中記載之透明導電膜係於最接近膜基材之層(第一層)包含作為導電性物質之ITO，故僅蝕刻透明導電膜之最表層(第三層：導電層)會通過第一層而通電(參照圖5B)。因此，需要全部去除第一層至第三層(參照圖5C)，但去除至第一層會存在需要特殊之蝕刻技術且花費成本等之問題。與此相對，本發明之透明導電膜係第一層由不具有導電性之鈰氧化物構成，故無需藉由蝕刻去除整個層，能夠以短時間、低成本進行利用蝕刻的圖案狀電極部之形成。尤其是，若由如SiO2 之具有電氣絕緣性之物質構成第二層之透明低折射率層(3)，則僅蝕刻去除第三層之透明導電層(4)即可，故能夠以短時間、低成本進行利用蝕刻的圖案狀電極部之形成。
又，作為利用水溶性樹脂層來形成圖案狀電極部之方法，例如可列舉如下方法：於透明膜基材之單面，除形成電極部外之部分(為非電極部之部分)形成水溶性樹脂層，並自其之整面依序形成鈰氧化物層(2)、透明低折射率層(3)及透明導電層(4)後，浸漬至水中等而去除水溶性 樹脂層與該水溶性樹脂層上之上述三層(2~4)，並且殘留未形成有水溶性樹脂層之部分(為電極部之部分)的上述三層(2~4)。藉由該方法，亦可製造於透明膜基材之單面，形成有鈰氧化物層(2)、透明低折射率層(3)、及由透明導電層(4)構成之圖案狀電極部之本發明的透明導電膜。
再者，本發明之透明導電膜中，不僅包含於透明膜基材之單面整面上，積層有上述三層(2~4)之膜，而且亦包含如上述般形成有圖案狀電極部、或形成有引出配線。
形成有引出配線及圖案狀電極部之本發明之透明導電膜係於2片重疊用作透明導電積層體時特佳。此種透明導電積層體係可藉由如下方式製造：上層之透明導電膜之非導電處理面(即，透明膜基材(1)側之面)、與下層之透明導電膜之導電處理面(即，透明導電層(4)側之面)以對向之方式積層，而藉由透明黏著劑層來貼合。
用於透明黏著劑層之透明黏著劑，可使用於該領域內用來貼合透明導電膜而使用之通常的透明黏著劑。例如為丙烯酸系黏著劑、聚醚系黏著劑等透明黏著劑。透明黏著劑層較佳為以成為介於2片透明導電膜之間均勻之層的方式形成。為成為均勻之層，較佳為使用2片塑膠薄片間形成有均勻之透明黏著劑層之市售光學用高透明性黏著劑(OCA，Optical Clear Adhesive)轉印薄片，而向透明導電膜轉印該透明黏著劑層。
作為本發明之觸控面板，特佳為利用上述透明導電積層體之電容式觸控面板，此種電容式觸控面板可藉由如下 方式構成：例如，藉由上述透明黏著劑層貼合玻璃基板與上述透明導電積層體，連接上述引出配線與端子，經由可撓性印刷配線而與觸控面板控制驅動器(半導體等)連接。
本發明之透明導電膜係不僅於2片重疊而作為透明導電積層體之情形時，可達成+2.5以下之b＊ 值(下限並無尤其限定，但通常為-3.0左右)，而且如實際之電容式觸控面板般設為於玻璃基板上配置有透明導電積層體之構成時，亦可達成+2.5以下之b＊ 值(下限並無尤其限定，但通常為-3.0左右)。再者，b＊ 值係可利用色差計測定。
如上述，於將本發明之透明導電膜用於電容式觸控面板時，需要藉由透明黏著劑層而與其他透明導電膜、或者玻璃基板貼合，但於如上述般與其他構件接著時，存在如下問題：若構成透明導電膜之透明膜基材/鈰氧化物層/透明低折射率層/透明導電層之間的密合性(附著性)低，則會有變得易於產生剝離的問題。
尤其是，引出配線由銅構成之情形時，與透明黏著劑之接著性高，故其結果為透明導電膜會有力的接著於其他構件，而變得容易在透明導電膜內產生剝離(尤其是，透明膜基材與鈰氧化物層之間剝離)。
為了解決該問題，需要提高透明膜基材與鈰氧化物層之間的密合性，但於本發明中，如圖4所示，可藉由在透明膜基材(1)與鈰氧化物層(2)之間設置聚酯系錨固塗層(11)，而將全光線透過率及b＊ 值維持於所期望之範圍內，並且提高透明膜基材與鈰氧化物層間之密合性。
於設置聚酯系錨固塗層之情形時，上述透明膜基材更佳為至少於形成有鈰氧化物層側之面具有硬塗層。換言之，更佳為於硬塗層上形成聚酯系錨固塗層。
聚酯系錨固塗層係例如可利用會與羥基反應之硬化劑來使含有羥基之聚酯系樹脂硬化而形成。上述含有羥基之聚酯系樹脂可列舉聚酯多元醇，上述硬化劑可列舉聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物。
推測為透明膜基材與鈰氧化物層之密合性係因水分而下降，但使上述聚酯多元醇、與上述聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物硬化而形成之聚酯系錨固塗層係耐水密合性優異，故可無經時變化而達成穩定之密合性。又，由於耐熱性優異，故難以受到於形成聚酯系錨固塗層後進行之各成膜步驟(鈰氧化物層、透明低折射率層、透明導電層之形成步驟)中產生之熱影響(難以產生因熱引起之白化或龜裂等)。
又，作為較佳之聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物之例，可列舉IPDI系、XDI系、HDI系之聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物。藉由使用該等，可形成難以黃化之聚酯系錨固塗層。此處，所謂IPDI系係指異佛爾酮二異氰酸酯(isophorone diisocyanate)及其改質形態，所謂XDI系係指苯二甲基二異氰酸酯(xylene diisocyanate)及其改質形態，所謂HDI系係指六亞甲基二異氰酸酯(hexamethylene diisocyanate)及其改質形態。改質形態之例可列舉三羥甲基丙烷(TMP，trimethylol propane)加成物體、異氰尿酸 酯(isocyanurate)體、縮二脲體、脲基甲酸酯體等。
聚酯系錨固塗層之厚度較佳為5~100 nm。若厚度超過100 nm，則存在無法將透明導電膜(或透明導電積層體、或者觸控面板)之b＊ 值維持於所期望之範圍內之虞。另一方面，於小於5 nm時，無法充分提高透明膜基材與鈰氧化物層之密合性。
又，本發明之透明導電膜亦可用於除電容式外之觸控面板，例如於設為電阻膜式觸控面板之情形時，可藉由如下方式構成：使點狀間隔物介於在形成於玻璃表面之透明導電層與本發明之透明導電膜之透明導電層對向者之間、或者使點狀間隔物介於以透明導電層面彼此對向之方式配置有2片本發明之透明導電膜者之間，且於端部形成引出配線。此時使用之透明導電膜可為形成有圖案狀電極部者，亦可為未形成有圖案狀電極部者。
以下，使用實施例而更詳細地對本發明進行說明，但本發明並不限定於實施例。
[實施例1]透明導電膜(透明膜基材/CeO2 層/SiO2 層(CVD)/ITO層)之製造
藉由反向塗佈法(reverse coat method)，於厚度為125 μm之聚對酞酸乙二酯膜(透明塑膠膜)之兩面，形成由丙烯酸系樹脂構成厚度為2 μm之透明硬塗層，以製造兩面硬塗膜(透明膜基材)。
接著，對原料藉由使用Ce之真空蒸鍍法，於上述兩面硬塗膜之單面，形成厚度為17 nm之作為鈰氧化物層之CeO2 薄膜層(透明高折射率層折射率：2.1)。
接著，使用六甲基二矽氧，於反應氣體中使用氧氣，藉由化學氣相蒸鍍法(CVD法)於原料形成厚度為40 nm之SiO2 薄膜層(透明低折射率層折射率：1.5)。
接著，使用ITO而藉由濺鍍蒸鍍法，於原料形成厚度為30 nm之ITO薄膜層(透明導電層)，而製造本發明之透明導電膜。
再者，上述各層係形成於透明膜基材(兩面硬塗膜)之單面上的整面。
[實施例2]透明導電膜(透明膜基材/CeO2 層/SiO2 層(濺鍍)/ITO層)之製造
除使用Si，於製程氣體中使用氬氣，於反應氣體中使用氧氣，藉由濺鍍蒸鍍法來取代實施例1之CVD法而於原料形成厚度為40 nm之SiO2 薄膜層外，與實施例1相同，製造於透明膜基材(兩面硬塗膜)之單面，依序形成有CeO2 層(透明高折射率層折射率：2.1)、SiO2 薄膜層(透明低折射率層折射率：1.5)、ITO層(透明導電層)之本發明的透明導電膜。
再者，所謂製程氣體係指用以製作濺鍍(噴濺原料)所用之電漿氣體，所謂反應氣體係指用以與經濺鍍之原料反應的氣體。
[比較例1]透明導電膜(透明膜基材/ITO層/SiO2 層(濺鍍)/ITO層)之製造
製造具有與專利文獻1揭示之透明導電膜相同構成之 透明導電膜(第一層為ITO層)。具體而言，對原料使用ITO且藉由濺鍍蒸鍍法，在與實施例1相同地製造之兩面硬塗膜的單面，形成厚度為17 nm之ITO薄膜層(透明高折射率層折射率：2.1)。
接著，利用與實施例2相同之方法，形成厚度為40 nm之SiO2 薄膜層(透明低折射率層折射率：1.5)，接著，利用與實施例1相同之方法，形成厚度為13 nm之ITO薄膜層(透明導電層)，以製造比較例1之透明導電膜。
[比較例2]透明導電膜(透明膜基材/SiOx層/SiO2 層(濺鍍)/ITO層)之製造
除使用Si，於製程氣體中使用氬氣，於反應氣體中使用氧氣且藉由濺鍍蒸鍍法，於原料形成厚度為25 nm之SiOx薄膜層(透明高折射率層折射率：1.75)來取代實施例2之CeO2 層外，利用與實施例2相同之方法獲得比較例2之透明導電膜。
[比較例3]透明導電膜(透明膜基材/ZnS層/SiO2 層(濺鍍)/ITO層)之製造
除使用ZnS且藉由真空蒸鍍法，於原料形成厚度為36 nm之ZnS薄膜層(透明高折射率層折射率：2.1)來取代實施例2之CeO2 層外，利用與實施例2相同之方法獲得比較例3之透明導電膜。
[物性之測定]
對在實施例1及2、以及比較例1~3獲得之透明導電膜的表面電阻率、全光線透過率、b＊ 值進行測定。表面電 阻率係使用三菱化學公司製造之Loresta-GP MCP-T600來測定，全光線透過率係使用日本電色工業公司製造之Haze Meter NDH 2000來測定，b＊ 值係使用日本電色工業公司製造之SpeCtro Color Meter SQ2000來測定。
進而，為了調查形成於透明導電膜之各層間的密合性是否於實際使用上無問題，藉由以下之方法調查膠帶密合性。首先，於使透明膠帶(sellotape)密合至透明導電層(ITO層)上後，剝離透明膠帶來進行確認，將透明高折射率層、透明低折射率層、透明導電層中之任一層均未自透明導電膜剝離之情形評估為○，將透明高折射率層、透明低折射率層、透明導電層中之任一層自透明導電膜剝離之情形評估×。
又，於實際使用在實施例1及2、以及比較例1~3所得之透明導電膜來製造透明導電積層體、及觸控面板之情形時，為了掌握電極部彼此重疊部分之b＊ 值與全光線透過率之值，製造電極部彼此於整面重疊之積層體(即，積層2片未形成有圖案狀電極部之透明導電膜者)、及具有該積層體之面板，而對b＊ 值與全光線透過率進行測定。
首先，對於在實施例1及2、以及比較例1~3所得之透明導電膜各者，藉由透明黏著劑層貼合2片透明導電膜而製造積層體。上述透明黏著劑層係藉由如下方式形成：使用2片塑膠薄片間形成有均勻之丙烯酸系透明黏著劑層之高透明性黏著劑轉印膠帶(住友3M公司製造製品編號：8146-4)，轉印至一透明導電膜。再者，該積層體上層之透 明導電膜的非導電處理面(透明膜基材側之面)與下層之透明導電膜的導電處理面(ITO層側之面)以面對之方式貼合。
對於以此方式獲得之由2片透明導電膜構成之積層體，與上述相同地測定全光線透過率、b＊ 值。
又，形成具有如下構造之面板：於厚度為2 mm之無色透明之板狀玻璃上，積層上述積層體。玻璃與上述積層體係使用上述丙烯酸系透明黏著劑層而貼合。對於以此方式獲得的由上述積層體與玻璃構成之面板，與上述相同地測定全光線透過率、b＊ 值。將測定結果示於表1。
再者，上述積層體與面板除未形成有由透明導電層構成之圖案狀電極部外(透明導電層形成於整面)，具有與圖2B所示之透明導電積層體及圖3所示之觸控面板相同之構成。
如自表1可知，實施例1及2、以及比較例1~3之透明導電膜之b＊ 值分別為+2.5以下。
然而，於2片重疊而構成積層體之情形時，比較例1及比較例2之透明導電膜之b＊ 值超過+2.5。比較例3之透明導電膜可達成+2.5以下之b＊ 值，但為膠帶密合性較差而不會耐於實際使用者。
進而，於構成在玻璃上積層2片透明導電膜之面板之情形時，使用有比較例1~3之透明導電膜之面板的b＊ 值大幅超過+2.5而強烈地帶有黃色感覺。
與此相對，實施例1及實施例2之本發明之透明導電膜無論於2片重疊而構成積層體之情形時，或是於在玻璃上積層2片透明導電膜而構成面板之情形時，均可維持b＊ 值為+2.5以下，可實現所期望之無色透明性。
又，透明導電膜於設為觸控面板之形態時，較佳為可達成85%以上之全光線透過率者，但使用有實施例1及實施例2之透明導電膜的面板均滿足該基準。與此相對，使用有比較例3之透明導電膜的面板，其全光線透過率未達到85%。
又，若對藉由CVD法形成作為第2層(透明低折射率層)之SiO2 層的實施例1之透明導電膜、與藉由濺鍍蒸鍍法形成作為第2層(透明低折射率層)之SiO2 層的實施例2之透明導電膜進行比較，則如表1所示般觀察到如下等反轉現象：於透明導電膜或積層體之情形時，實施例2之b＊ 值較小，但於面板之情形時，實施例1之b＊ 值變小的反轉 現象。又，全光線透過率於透明導電膜、積層體、及面板中之任一情形時，均成為實施例1高於實施例2之結果。對此進行幾次追加試驗，對藉由CVD法而形成之SiO2 層與藉由濺鍍蒸鍍法而形成之SiO2 層進行比較，但與上述實施例相同，藉由CVD法形成SiO2 層於構成面板時，結果為全光線透過率高且b＊ 值低。根據該等情形，可知藉由CVD法形成SiO2 層(透明低折射率層)之透明導電膜適於電容式觸控面板。
針對不同SiO2 層形成方法對全光線透過率及b＊ 值造成影響之原因進行研究，則可認為藉由CVD法形成SiO2 層，其CeO2 層之SiO2 層側表面受到氧化而氧化程度會高於濺鍍蒸鍍法，其結果於CeO2 氧化物層中，產生氧化程度傾斜之(CeO2 層之氧化程度係SiO2 層側變得高於透明膜基材側)結果，該結果有助於全光線透過率及b＊ 值之提高。
[利用蝕刻之圖案狀電極部之形成]
對於在實施例1及比較例1製造之透明導電膜，藉由蝕刻法形成電性連接於X或Y方向之圖案狀電極部。
[實施例3]
首先，在實施例1製造之本發明之透明導電膜(透明膜基材/CeO2 層/SiO2 層(CVD)/ITO層)上，將抗蝕劑材料(關西塗料(Kansai Paint)公司製造ALESSSPR)塗佈成圖案狀電極部之形狀，使用2%鹽酸水溶液作為蝕刻液以40℃進行70秒鐘之濕式蝕刻處理，對於未塗佈有抗蝕劑材料之部分，僅去除ITO層而殘留CeO2 層/SiO2 層，對於塗 佈有抗蝕劑材料之部分，殘留CeO2 層/SiO2 層/ITO層。此後，製造如下之本發明之透明導電膜：藉由以2%氫氧化鈉水溶液去除抗蝕劑材料，而於透明膜基材之整面上形成有CeO2 層/SiO2 層，且於其上形成有電性連接於X方向之由ITO層構成之圖案狀電極部。
再者，除圖案狀電極部外之部分係由CeO2 層/SiO2 層構成之非電極部。
實施例1之透明導電膜中，CeO2 層、SiO2 層均為絕緣性，故可僅藉由蝕刻去除作為第三層(最表層)之ITO層，而獲得具有所期望之特性的形成有圖案狀電極部的透明導電膜。
進而，與上述相同，亦製造形成有電性連接於Y方向之圖案狀電極部的本發明之透明導電膜。
[比較例4]
除使用於比較例1製造之透明導電膜(透明膜基材/ITO層/SiO2 層/ITO層)來取代於實施例1中所製造之本發明之透明導電膜外，與實施例3相同地製造形成有電性連接於X方向之由ITO層/SiO2 層/ITO層構成之圖案狀電極部的比較例4之透明導電膜。
再者，除圖案狀電極部外之部分係未殘留有ITO層/SiO2 層/ITO層中之任一者之非電極部(參照圖5C)。
進而，與上述相同，亦製造形成有電性連接於Y方向之圖案狀電極部之比較例4的透明導電膜。
再者，對比較例1中製造之透明導電膜進行蝕刻時， 僅蝕刻去除作為第三層(最表層)之ITO層，結果產生通過第一層之ITO層而通電之問題(參照圖5B之部分放大圖中之箭頭)。因此，為了獲得具有所期望之特性的形成有圖案狀電極部的透明導電膜，需要蝕刻去除第一層至第三層全部之層。然而，第二層之SiO2 層難以藉由蝕刻去除，故為了去除至第一層為止，需要使用雷射蝕刻等特殊蝕刻法，與僅藉由蝕刻去除第三層之情形相比，需要更多之成本與時間。
根據上述結果，證明本發明之透明導電膜具有能夠以短時間且低成本進行利用蝕刻之圖案狀電極部的形成等優點。
[透明導電積層體之製造] [實施例4]
藉由使用上述高透明性黏著劑轉印膠帶而轉印形成之透明黏著劑層，使實施例3製造之形成有電性連接於X方向之圖案狀電極部的本發明之透明導電膜、與形成有電性連接於Y方向之圖案狀電極部的本發明之透明導電膜貼合，藉此製造本發明之透明導電積層體(參照圖2)。雖然形成於各透明導電膜之電極部彼此係以儘可能不重疊之方式積層，但透明導電積層體之構造上，會使電極部彼此稍微重疊之部分產生。再者，如圖2B所示，該透明導電積層體，上層之透明導電膜之非導電處理面(透明膜基材(1)側之面)與下層之透明導電膜之導電處理面(ITO層(4)側之面)係以面對之方式貼合。
[比較例5]
除使用比較例4中製造之形成有圖案狀電極部之透明導電膜來取代實施例3中製造的形成有圖案狀電極部的本發明之透明導電膜外，與實施例4相同地製造比較例5之透明導電積層體。
利用目測對實施例4中製造之本發明之透明導電積層體、與比較例5中製造之透明導電積層體進行比較，結果可明確地確認比較例5中製造之透明導電積層體，其電極部彼此重疊之部分帶有黃色感覺。
另一方面，實施例4中製造的本發明之透明導電積層體中，幾乎不會由目測感覺到電極部彼此重疊部分之黃色感覺，且完全不察覺其存在。
[電容式觸控面板之製造] [實施例5]
藉由使用上述高透明性黏著劑轉印膠帶而轉印形成之透明黏著劑層，使上述厚度為2 mm之無色透明之板狀玻璃、與本發明之透明導電積層體之透明導電層面(導電處理面)貼合，並且連接引出配線與端子，經由可撓性印刷配線而連接觸控面板控制驅動器，以製造本發明之電容式觸控面板。上述透明導電積層體除於各透明導電膜上形成有引出配線外，具有與實施例4中製造之透明導電積層體相同之構成。
上述引出配線係由Ag或Cu形成。
於形成由Ag構成之引出配線時，在進行與實施例3相 同之處理而製造形成有由ITO層構成之圖案狀電極部的透明導電膜後，使用Ag膏且藉由網版印刷法形成。
於形成由Cu構成之引出配線時，藉由濺鍍蒸鍍法於ITO層之整面，積層厚度為120 nm之Cu層，並於其上將抗蝕劑材料(關西塗料公司製造ALESSSPR)塗佈成引出配線之形狀，使用5%氯化銅水溶液作為Cu用蝕刻液以40℃進行60秒鐘之濕式蝕刻處理，藉此僅去除未塗佈有抗蝕劑材料之部分之Cu層，對於塗佈有抗蝕劑材料之部分，殘留Cu層。此後，藉由利用2%氫氧化鈉水溶液去除抗蝕劑材料，而於ITO層上製作由Cu構成之引出配線。於形成引出配線後，進行與實施例3相同之處理，從而製造形成有由ITO層構成之圖案狀電極部之透明導電膜。
[比較例6]
除使用比較例之透明導電積層體(除形成有上述引出配線外，具有與比較例5中製造之透明導電積層體相同之構成)來取代本發明之透明導電積層體外，與實施例5相同地製造比較例6之電容式觸控面板。
以目測對實施例5中製造的本發明之電容式觸控面板、與比較例6中製造的電容式觸控面板進行比較，結果可明確地確認出比較例6中製造之電容式觸控面板，電極部彼此重疊之部分帶有黃色感覺。
另一方面，實施例5中製造之本發明之電容式觸控面板，幾乎不會由目測感覺到電極部彼此重疊部分之黃色感覺，且完全不察覺其存在。
[關於透明膜基材/CeO2 層之密合性之研究]
於製造電容式觸控面板時，當引出配線由Ag構成之情形時，未於透明導電膜觀察到於實際使用上成為問題之層間剝離(於透明膜基材/CeO2 層/透明低折射率層/透明導電層中之任一者之間產生剝離)，但當引出配線由Cu構成之情形時，觀察到於透明膜基材與CeO2 層之間，變得容易產生剝離之傾向。可認為其原因在於，由Cu構成之引出配線與透明黏著劑之接著性高於由Ag構成之引出配線，故透明導電膜之表面與其他構件(其他透明導電膜或者玻璃)牢固地接著，其結果，變得易於在透明導電膜中最低密合性(附著性)之透明膜基材與CeO2 層之間產生剝離。
為了提高透明膜基材與CeO2 層之密合性，首先研究藉由電暈放電、離子束照射、電漿處理而對透明膜基材表面進行改質(導入羥基)，但無論使用哪種表面加工法之情形時，與未進行表面加工之情形相比，結果均會使透明膜基材與CeO2 層之密合性下降。
根據如下情形可認為因水分而使透明膜基材與CeO2 層之密合性下降：因羥基導入反而會使透明膜基材與CeO2 層之密合性變差的情形；及若對透明導電膜進行加熱處理(140℃、10分鐘)，則觀察到密合性提高之傾向。
接著，研究於透明膜基材上設置錨固塗層而提高透明膜基材與CeO2 層之密合性。將結果示於表2。
實施例6-1及實施例6-2中使用之透明膜基材係如下者：藉由反向塗佈法，於厚度為125 μm之聚對酞酸乙二 酯膜之兩面，形成由丙烯酸系樹脂構成之厚度為2 μm的透明硬塗層。此後，藉由凹版法(gravure method)而僅於實施例6-2之透明膜基材形成厚度為20 nm之聚酯系錨固塗層(僅單面)。
實施例6-3及實施例6-4中使用之透明膜基材係如下者：藉由反向塗佈法，於厚度為125 μm之聚對酞酸乙二酯膜之兩面，形成由胺基甲酸乙酯系樹脂構成之厚度為2 μm的透明硬塗層。此後，藉由凹版法而僅於實施例6~4之透明膜基材形成厚度為20 nm之聚酯系錨固塗層(僅單面)。
再者，上述聚酯系錨固塗層係藉由如下方式形成：使用東洋油墨(Toyoink)股份有限公司之VMANCHORP331S(於溶劑中，以1：1之重量比包含聚酯多元醇與硝化纖維素)作為主劑，使用三井化學股份有限公司之TAKENATED-140N(於溶劑中，包含IPDI系聚異氰酸酯預聚物[IPDI與TMP之加成物體])作為硬化劑，以主劑與硬化劑之固形成分比成為1：1.33重量比之方式混合而使混合物硬化。
對於實施例6-1~6-4之各透明膜基材，利用與實施例1相同之方法形成CeO2 薄膜層、SiO2 薄膜層、ITO薄膜層，以形成本發明之透明導電膜。
此後，對於各透明膜，以目測進行外觀評估，將因白化、龜裂之產生而無法耐於實際使用者設為×，將其他設為○。
進而，利用與第23頁第4段相同之方法，對各透明膜測定表面電阻率、膠帶密合性、全光線透過率、b值。
又，利用與第24頁第1段及第24頁第2段相同之方法，製造由2片透明導電膜構成之積層體、及由上述積層體與玻璃構成之面板，從而測定全光線透過率、b＊ 值。
進而，為了研究形成由Cu構成之引出配線時透明導電膜內之層間剝離的程度，藉由濺鍍蒸鍍法而於各透明導電膜ITO層側之整面，積層厚度為120 nm之Cu層，且藉由依據JIS K5600-5-6(ISO2409)之橫切法(cross cut)，對密合性(附著性)進行評估。再者，JIS K5600-5-6係以25方格進行試驗，但於本試驗中，為了更詳細地研究密合性，以100方格進行試驗，將Cu層、ITO層、SiO2 層、CeO2 層均未剝離之部位於100個中為90個以上評估為◎，將60個以上評估為○，將30個以上評估為△，將小於30個評估為×。評估為○以上係於實際使用上無問題之等級。
將結果示於表2。
如表2所示，於設置有聚酯系錨固塗層之情形時(實施例6-2及6-4)，與未設置有錨固塗層之情形(實施例6-1及6-3)相比，橫切密合性提高。又，透明導電膜、積層體、面板之全光線透過率均為85%以上，b＊ 值均為+2.5以下。
與此相對，於設置有由環氧系樹脂構成之錨固塗層之情形時，與未設置有錨固塗層之情形相比，不僅可發現全光線透過率、b＊ 值惡化之傾向，而且亦可發現膠帶密合性、橫切密合性惡化之傾向。
[產業上之可利用性]
本發明之透明導電膜即便於2片重疊而使用之情形時，亦難以帶有黃色感覺，故於如電容式觸控面板般積層2片透明導電膜而使用之情形時，亦可鮮明地視認顯示畫面，從而非常有用。
又，利用蝕刻之圖案狀電極部的形成較為容易，故能夠以低成本、短時間形成圖案狀電極部。
1、1'‧‧‧透明膜基材
2‧‧‧鈰氧化物層
2'‧‧‧包含導電物質之透明高折射率層
3、3'‧‧‧透明低折射率層
4、4'‧‧‧透明導電層
4P、4'P‧‧‧由透明導電層構成之圖案狀電極部
4Px‧‧‧由透明導電層構成之電性連接於X方向之圖案狀電極部
4Py‧‧‧由透明導電層構成之電性連接於Y方向之圖案狀電極部
5、5'‧‧‧透明導電膜
6‧‧‧透明黏著劑層
7‧‧‧玻璃
8‧‧‧引出配線
9‧‧‧透明塑膠膜
10‧‧‧硬塗層
11‧‧‧聚酯系錨固塗層
C‧‧‧圓
O‧‧‧上下重疊之部分
圖1係示意性地表示本發明之透明導電膜之一例，A係透明導電膜之剖面圖，B係形成有圖案狀電極部之透明導電膜的剖面圖，C係具有電性連接於X方向之圖案狀電極部之透明導電膜(左側)、與電性連接於Y方向之圖案狀電極部之透明導電膜(右側)的俯視圖。
圖2係示意性地表示藉由透明黏著劑層來貼合二片圖1之透明導電膜而構成之本發明之透明導電積層體，A係俯視 圖，B係A中之線B-B剖面圖，C係由A中圓C包圍之部分放大圖。
圖3係表示藉由透明黏著劑層來貼合圖2之透明導電積層體與玻璃而構成之本發明之觸控面板(其中引出配線並未圖示)。
圖4係示意性地表示本發明之透明導電膜之另一例，A係透明導電膜之剖面圖，B係由A中圓B包圍之部分放大圖。
圖5係示意性地表示先前技術之透明導電膜(於第一層與第三層含有導電性物質之透明導電膜)，A係表示該透明導電膜之剖面圖。B係藉由蝕刻僅局部去除第三層(最表層)之圖、與由圓包圍之部分放大圖，放大圖中之箭頭表示電之流動。C係表示藉由蝕刻局部去除所有第一層至第三層而形成圖案狀電極部之狀態。
1‧‧‧透明膜基材
2‧‧‧鈰氧化物層
3‧‧‧透明低折射率層
4‧‧‧透明導電層
4P‧‧‧由透明導電層構成之圖案狀電極部
4Px‧‧‧由透明導電層構成之電性連接於X方向之圖案狀電極部
4Py‧‧‧由透明導電層構成之電性連接於Y方向之圖案狀電極部
5‧‧‧透明導電膜
8‧‧‧引出配線

Claims (11)

  1. 一種透明導電膜，係於透明膜基材之單面，依序形成有鈰氧化物層、折射率為1.4以上且未滿1.7之透明低折射率層、透明導電層。
  2. 如申請專利範圍第1項之透明導電膜，其中，該透明低折射率層為由矽氧化物構成之薄膜層。
  3. 如申請專利範圍第1項之透明導電膜，其中，於該透明膜基材與該鈰氧化物層之間，存在聚酯系錨固塗層。
  4. 如申請專利範圍第2項之透明導電膜，其中，於該透明膜基材與該鈰氧化物層之間，存在聚酯系錨固塗層。
  5. 如申請專利範圍第2或4項之透明導電膜，其中，由該矽氧化物構成之薄膜層係藉由化學氣相蒸鍍法(CVD法)而形成者。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電膜，其中，該透明導電層為由ITO構成之薄膜層。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電膜，其中，該鈰氧化物層之厚度為5~200nm，該透明低折射率層之厚度為5~200nm，該透明導電層之厚度為10~500nm。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電膜，其形成有引出配線及/或圖案狀電極部。
  9. 一種透明導電積層體，係將形成有引出配線及圖案狀電極部之申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電膜積層2片，且藉由透明黏著劑層貼合而成。
  10. 一種觸控面板，係具備申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電膜。
  11. 一種電容式觸控面板，係具備申請專利範圍第9項之透明導電積層體。
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