JPH1097895A - 電荷輸送層を有する有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
電荷輸送層を有する有機エレクトロルミネセンス素子Info
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Abstract
ンス素子を提供する。 【解決手段】 層配列を有する有機エレクトロルミネセ
ンス素子は、次のa)〜d): a)第一の電極層、 b)電子を伝導する無機層、 c)有機エミッターを含んでなる少なくとも1つの光放
射層を有する1個又は数個の光電子光学的に活性な層、
および d)第二の電極層、 を含んでなる層配列を有する有機エレクトロルミネセン
ス素子であって、電子を伝導する有機層が、酸化ジルコ
ニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、チタン酸バ
リウム、チタン酸バリウム−ストロンチウム、チタン酸
ストロンチウム、チタン酸カルシウム、ジルコニウム酸
カルシウム、タンタル酸カリウムおよびニオブ酸カリウ
ムから成る群から選ばれる遷移金属のN型伝導性酸化物
である。
Description
子、特に第一の電極層、電子を伝導する無機層、有機エ
ミッターを含んでなる少なくとも1つの光放射層を有す
る1個又は数個の光電子光学的に活性な層、および第二
の電極層を含んでなる層配列を有する、発光信号用の光
放射ダイオード(LED)、発光体、固体像強化剤又は
画像スクリーンに関する。
体ダイオードであり、すなわち、エミッター物質がドー
プされた硫化亜鉛、シリコン、ゲルマニウム、又は III
−V半導体、例えば適当なドーパントを有するInP,
GaAs,GaAlAs,GaP,又はGaNであるダ
イオードである。ルミネセンス放射源の開発に数年の研
究がなされてきており、この放射源においてエミッター
物質は無機半導体でないがしかし有機の導電性材料であ
る。
レクトロルミネセンス素子は、多くの面において無機物
質から造られる光源よりも明らかに秀れている。それら
の容易可塑性および高弾性が有利であり、これは発光信
号および画像スクリーンの如き適用に対し新規な可能性
を開くものである。これらの層は、大面積の平らなそし
て非常に薄い層として容易に製造でき、そしてその層は
加えてわずかの物質を必要とするだけである。それらは
低い操作電圧を伴った著しく高い輝度において秀れてい
る。
選択により、約400nmから約650nmまでの広範
囲にわたって変化し得る。これらの色は人目につく発光
である。そのようなエレクトロルミネセンス素子は、多
種の方法で構築できる。それらは全て一般に以下の内容
を有している、すなわち1又は数個の光電子光学的に活
性な有機層、とりわけ光放射層が2つの電極層間に設け
られ、その層に素子を操作するのに必要な電圧が加えら
れている。電極層の少なくとも1つは、可視光に透過性
であり、その結果放射された光は、外部に現れることが
できる。全層の構造は、もしも放射光が基板に面する側
から発せられるべき場合、可視光にも透明である基板に
通常設けられる。
多種の方法で公知である。例えば、有機顔料分子の薄い
層と可能なら導電性有機ポリマーを含んでなる光放射層
は、2つの電極を光放射層1に電荷キャリアーを運ぶ2
つの更に導電性の有機層間に埋封される。光放射層とカ
ソード間の導電性有機層は、電子を導き一方光放射層と
アノード間の対応する層は、ホールを導く。
ャリヤー輸送層の使用は、しかし、問題も含んでいる。
操作中での層上での熱負荷および電極層と輸送層間の物
質の相互作用は、時間の過程において成分の発光能力の
低下を導く。有機導電性の有用な期間は、この場合極め
て短く、特に強還元性物質、例えばカルシウム又はマグ
ネシウシム(これは電子に対し特に低加工機能を有す
る)が、高い発光効率を達成するためにカソード物質と
して用いられる場合、極めて短い。
荷を運びそして製造容易な電極と発光フィルム間に存在
する電荷輸送層に対する有機の又は択一的に無機の半導
体の塑性が、提案されている。該米国特許で提案されて
いる無機半導体は、Ge,Si,Sn,SiC,AlS
b,BN,BP,GaN,GaAs,GaP,InA
s,InP,CdSe,CdTe,ZnO,ZnS又は
ZnSeである。半導体層は、無定形又は結晶質であっ
てよく、そしてそれはN−型ドープ半導体又は真性半導
体であってよい。
を有する素子の欠点は、この層が可視スペクトル領域に
おいて光を吸入することである。従って、本発明の目的
は改良された性質を有する有機エレクトロルミネセンス
素子を提供することである。
的は、第一の電極層、電子を伝導する無機層、有機エミ
ッターを含んでなる少なくとも1つの光放射層を有する
1個又は数個の光電子光学的に活性な層、および第二の
電極層を含んでなる層配列を有する有機エレクトロルミ
ネセンス素子によって達成され、これは電子を伝導する
無機層が、酸化ジルチニウム、酸化ハフニウム、酸化バ
ナジウム、チタン酸バリウム、チタン酸バリウム−スト
ロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシ
ウム、ジルコニウム酸カルシウム、タンタル酸カリウム
およびニオブ酸カリウムから成る群から選ばれる遷移金
属のN型伝導酸化物である、ことを特徴とする。
は、高い熱安定性かつ化学安定性を有し、そしてエミッ
ター分子に対する非常に良好な電子の接触を達成する。
それらは、形成された荒さを有するセラミック表面をも
って製造され、その荒れの故により多くのエミッター分
子の収納を可能にしそして活性表面領域を増加せしめ
る。酸化物は可視領域内の光を吸収せず、そして薄い層
内で透明である。
ム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、チタン酸バリウ
ム、チタン酸バリウム−ストロンチウム、チタン酸スト
ロンチウム、チタン酸カルシウム、ジルコニウム酸カル
シウム、タンタル酸カリウムおよびニオブ酸カリウムか
ら成る選ばれるN型伝導性酸化物が好ましい。遷移金属
の酸化物は、ニオブをドープしたチタン酸ストロンチウ
ムSrTiO 3 であるのが好ましい。ニオブをドープし
たチタン酸ストロンチウムS2 TiO 3 は、特に光活性
である。
ホスホネート基を含んでなる配位子を有する希土類錯体
であることも又好ましい。光放射錯体は、これらの配位
子により酸化物表面にグラフトされている。組み合わさ
れた基 (interlocking group) が、希土類金属イオンと
電荷輸送層間においてそれにより形成され、これは2つ
の間で接近した電気的カップリングを達成する。
ー分子の接着は加えて、エミッター分子の励起状態の寿
命そして従って、フルオレセンス減衰時間を減少する。
これはディスプレー分野に対し好都合である。何故な
ら、画像における移動物体の有害な残光(コメットティ
ル効果)が排除されるからである。本発明を、図面およ
び態様を参照しつつ更に詳しく説明する。
機エレクトロルミネセンス素子の構造原理を示し、そし
て図2は、二層配置を有する本発明の別の態様である。
本発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子は、第一
の電極層(カソード)、電子を伝導する無機層1、有機
エミッター4を含んでなる少なくとも1つの光放射層を
有する1又は数個の光電子光学的に活性な層、および第
二の層(アノード)を有する層構造を含んでいる。
し、図1に従った三層配置は、また可能であり、ここに
おいて層配置は更に電荷輸送層3を含んでなりそしてこ
の層は光電子光学的に活性な層2とアノード間にホール
を有する。カソードは、容易に製造できる金属又は合
金、例えばMg,MgAg,Li,Al,Na,K,C
a,Rb,Sr,Ce,希土類、並びにアンモン又はイ
ンジウムを含んでなるそれらの合金から通常製造され
る。
ムZrO2 、酸化ハフニウムHfO 2 、酸化バナジウム
V2 O5 、チタン酸バリウムBaTiO3 、チタン酸バ
リウム−ストロンチウム(Ba,Sr)TiO3 、チタ
ン酸ストロンチウムSrTiO3 、チタン酸カルシウム
CaTiO3 、ジルコニウム酸カルシウムCaZr
O 3 、タンタル酸カリウムKTaO3 、およびニオブ酸
カリウムKNbO3 から成る群から選ばれる遷移金属の
酸化物を含んでなる。酸化物中のN型伝導性の生成は、
例えば適当なドーパントにより、不活性又は還元性雰囲
気中熱的後処理により、又はこれらの方法の組合せによ
り達成できる。
プの層、すなわち粒末粒子から製造された層であってよ
く、これは引き続き焼結される。それは粒径1〜100
nmを有し、そして多孔質の網状構造を形成している極
めて小さい粒末粒子から製造されるナノ結晶型の層であ
ってより、ナノ結晶層は、例えばゾル−ゲル法により製
造できる。択一的に層は、不定形のコロイド状の、又は
微晶質であってよく、そして蒸発、PCVD、MOCV
D等の如き真空蒸着法により製造できる。100nm未
満から上限約5mmの上限値までの層の厚さが、製造技
術および酸化物金属の伝導度に応じて可能である。
に対し可能である。例えば、それはわずか唯一の有機相
を含んでいてもよい。これはそれ自信光放射が可能であ
る伝導性有機ポリマーによって形成され得る。それは択
一的に、1又は数個の伝導性有機ポリマーおよび1又は
数個の有機顔料化合物を含むことができ、一方相中のポ
リマーおよび顔料化合物は物理的に混合され又は化合的
に結合される。
ーとして有機酸素、イオウ、又は窒素配位子と希土類金
属の1又は数個の有機錯体を含むことができる。有機金
属錯体は、該有機配位子を有する錯体であると理解され
るべきであり、ここにおいて結合は本発明の範囲内にお
いてヘテロ原子により達成される。放射光の所定の色に
応じて、幾つかの希土類金属錯体も又使用できる。希土
類錯体も又使用でき、そしてこれは昇華できないか又は
電気的に伝導性ではない。
3+, Tb3+, Tm3+, Dy3+, Sm 3+又はPr3+であっ
てよい。赤フルオレセンスは、ユウロピウムおよびサマ
リウム錯体を用いて発生し、緑フルオレセンスはテリビ
ウム錯体を用いて発生し、そして青色フルオレセンスは
ツリウムおよびジスプロシウム錯体を用いて発生でき
る。
SE[L1 ]3 [L2 ]n を有する。ここでSEは三価
の希土類金属カチオンであり、L1 は一座又は二座であ
ってよいアニオン配位子である。nは値0,1,2,3
を推測する。L1 およびL2は常に2つの異なる配位子
である。Eu2+に対する対応式はEu[L1 ]
3 [L 2 ]n である。
ァートR1 C(OH)CHCOR2が特に適当である。
残基R1 およびR2 は、F3 C−,テノイルC4 H3 S
−,フラノイルC4 H3 O−,t−ブチルおよびパーフ
ルオロ−n−プロピルC3 F 7 −である。もしもR1 と
R2 がCF3 −残基であると、ベータージケトネートヘ
キサフルオロアセチルアセトネート(hfa)が得られ
る。もしもR1 とR 2 がt−ブチル残基であると、ベー
タージケトン2,2,6,6−テトラメチル−3,5−
ヘプタンジオン(thd)が得られる。もしもR1 がテ
ノイル残基であり、そしてR2 がCF3 −残基である
と、ベータージケトンテノイルトリフルオロアセチルア
セトン(ttfa)が得られる。もしもR1 がフラノイ
ル残基であり、そしてR2 がCF3 −残基であると、ベ
ータージケトン フラノイルトリフルフロアセチルアセ
トン(ftfa)が得られる。もしもR1 がt−ブチル
基であり、そしてR2 がパーフルオロ−n−プロピル残
基であると、ベータージケトン7,7−ジメチル−1,
1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−4、6−オ
クタンジオン(FOD)が得られる。配位子として適当
である更にベータージケトンは、3−(トリフルオロメ
チルヒドロキシメチレン)−1−ショウノウである。
息香酸、ジメチルピリジン酸およびメチルピリジン酸の
アニオンを有する希土類キレート錯体は特に有効であ
る。配位置子L2 は一座又は多座であってよい中性配位
子である。一座又は多座であってよい中性配位子であ
る。一座配位子は、ピリジンおよびその誘導体、トリア
ルキルホスフィノオキシド(trialkylphosphinoxide) 、
アルキルフェニルホスフィノオキシドおよびジフェニル
スルオキシド、フルオルアミン、アルキルフェニルアミ
ン、およびフェニルアミン、並びにアルキルホスフェー
ト、アルキルフェニルホスフェートおよびフェニルホス
フェートであってよい。
2′,6,2″でタルピリジン、1−10−フェナント
ロリンおよびN,N,N′,N′−テトラメチルエチレ
ンジアミンおよびその誘導体である。特に適当な配位子
L2 は、ホスホネート又はカルボキシレート基を有する
配位子、例えばホスホネート化 (phosphonated) 又はカ
ルボキシル化(carboxylated)ポリピリジル配位子例えば
2,2′:6′,2″−ターピリジン−4′−ホスホネ
ート(4′−PO3 H2 −terpy)又は2,2′−ビピリ
ジル−4,4′−ジカルボキシレートである。これらの
配位子は、同時に希土類金属イオンを有する光放射キレ
ート錯体を形成し、一方それらはホスホネート又はカル
ボキシレート基を介して電子を伝導する層の酸化物に吸
着される。希土類金属錯体は、この方法で電子を伝導す
る層の表面に結合する。吸着される錯体は電荷移動増感
剤として作用し、そして酸化物の伝導帯から有機エミッ
ターの励起状態への電子遷移は、最も早くかつ高い量子
効果をもって生起する。
ルからアノードに対する適当な物質は、金属、金属酸化
物および電子に対する高い仕事関数(work function) を
有する電気的に伝導性の有機ポリマーである。その例
は、スズ、インジウムドープ酸化スズ(ITO)の透明
層、金およびポリアニリンである。
可視光に透明であり、その結果放射光は外部に放射され
る。金属構造は、基板上に設けられ、この基板はもしも
放射光が基板に面する側から放出される場合、可視光に
透明であるべきである。エレクトロルミセンス有機素子
のそのような構成が与えられ、電子を伝導しそしてカソ
ードと光電子工学的に活性な層との間に設置されたホー
ルを伝導しない物質の層を用いる場合、カソードからく
る電子は光電子光学的に活性な層にのみ達するが、しか
しアノードには達しない。逆に、アノードからのホール
は光電子光学的に活性な層にのみ達するがカソードには
達しない。この電荷担体の閉じこめは、次の内容を達成
する;すなわち素子を通過する漏れ電流は小さく、そし
て素子の光電子光学的効果は増加する;何故なら多くの
電荷担体は光電子光学的活性の層の付近内に強制的に留
まり、そして従ってそれらのエネルギーをエミッターに
伝達する。
電荷担体バランスを持っている。カソードからの電子お
よびアノードからホールの注入は、強く異なった効率を
有しているので、光電子工学的に活性な相内でホールに
対する電子の割合は、一方不浸透性の透明な層なしで素
子において理想値1から相当に異なっていてよい。光電
子工学的に活性な層内の発光中心へのエネルギー伝達
は、電子とホールの対の結合に基づいているので、これ
は素子の有効性を減少させる。本発明に係る素子におい
て、過剰の電荷担体は、光機能相の対応する境界相内に
閉じこめられたままであり、そして対応する電荷の少数
電荷担体の注入を強化するそれらの電荷に応じて空間電
荷帯を発生させる。本発明に係る素子内の電荷担体の割
合は、従って良好にバランスされており、そして素子の
有効性が高められている。
0.2mgのNb2 O 5 を蒸留水と共に混合し次いで2
4時間湿式状態で粉砕する。次いで得られた懸濁液を乾
燥し次いで生成粉末を1100℃で4時間か焼する。次
いでか焼粉末を5トンの圧力下で直径10mmの2〜3
mm厚のスライスに加圧する。次いで焼結スライスを1
200℃で2時間空気中で焼結し次いで1350℃で4
時間焼結する。3対1の割合の窒素/水素を、最後の加
熱工程後冷却相中においてスライスに通過させる。この
期間中、冷却速度を毎分7℃に保持する。最後に各スラ
イスの片面を真空下インジウム金属蒸気でコートする
(接触層)(サンダラム,S.K.Mater Sci.Mater.
Electrons. 5(1994)344−346)。
ニルカルバゾール)および0.1重量%のEu(Ttf
a)3 Phen(Eu=ユウロピウム;Ttfa=1−
(2−チェニル)−4,4,4−トリフルオロ−1,3
−ブタジオン、phen=1,10フェナントロリン)
を、スピンニングプロセスにより溶液から非接触スライ
ス側上に塗布する。薄い透明な金のフィルムがアノード
として蒸留する。ルミネセンスダイオードは赤色フルオ
レセンスを示す。
溶解した2.5重量%のポリビニルカルバゾールと0.
01重量%のクマリン−6(レーザーピグメント、Lamb
ada Physics)の溶液を、実施例1に従い、覆っていな
い、接触したチタン酸n−ストロンチウムを基板上に塗
布する。薄い透明な金のフィルムがアノードとして蒸着
する。発光ダイオードは緑色のフルオレセンスを示す。
ルミネセンス素子の構造原理を示す説明図である。
図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 次のa)〜d): a)第一の電極層、 b)電子を伝導する無機層、 c)有機エミッターを含んでなる少なくとも1つの光放
射層を有する1個又は数個の光電子光学的に活性な層、
および d)第二の電極層、 を含んでなる層配列を有する有機エレクトロルミネセン
ス素子であって、電子を伝導する有機層が、酸化ジルコ
ニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、チタン酸バ
リウム、チタン酸バリウム−ストロンチウム、チタン酸
ストロンチウム、チタン酸カルシウム、ジルコニウム酸
カルシウム、タンタル酸カリウムおよびニオブ酸カリウ
ムから成る群から選ばれる遷移金属のN型伝導性酸化物
である、層配列を有する有機エレクトロルミネセンス素
子。 - 【請求項2】 酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸
化バナジウム、チタン酸バリウム、チタン酸バリウム−
ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カ
ルシウム、ジルコニウム酸カルシウム、タンタル酸カリ
ウム、およびニオブ酸カリウムから成る群から選ばれる
N型伝導酸化物が、ドープされた酸化物である、請求項
1記載の有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項3】 遷移金属の酸化物が、ニオブをドープし
たチタン酸ストロンチウムSrTiO3 である請求項1
記載の有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項4】 有機エミッターが、カルキシレート又は
ホスホネート基を含んでなる配位子を有する希土類金属
錯体であることを特徴とする請求項1記載の有機エレク
トロルミネセンス素子。
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