JPH1097739A

JPH1097739A - 光ディスク用原盤およびスタンパならびにそれらの製造方法

Info

Publication number: JPH1097739A
Application number: JP25035496A
Authority: JP
Inventors: Norihiro Ikeda; 典弘池田; Yoshitaka Nishio; 佳高西尾; Kaji Uchihara; 可治内原
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1996-09-20
Filing date: 1996-09-20
Publication date: 1998-04-14

Abstract

(57)【要約】【課題】グルーブまたはランドの表面粗さを小さくし
かつそのテーパ角を大きくすることにより、信号の検出
精度が高くかつ記録密度の高い光磁気ディスクを製造可
能にする。【解決手段】シリコン基板１０上に熱酸化法によりシ
リコン酸化膜１１を形成し、そのシリコン酸化膜１１を
フォトリソグラフィ法により光磁気ディスクのトラック
に対応する同心円状またはスパイラル状にパターニング
し、これにより光磁気ディスク用の原盤を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は光ディスク用原盤
およびスタンパならびにそれらの製造方法に関し、さら
に詳しくは、光磁気ディスクの透明基板を成形するため
の原盤およびスタンパならびにそれらを製造する方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、記録および再生の可能な光磁気デ
ィスクが提供されているが、この光磁気ディスクの透明
基板には同心円状またはスパイラル状のトラックが形成
されている。このトラックは、透明基板の内部において
凹状をなすランドまたは凸状をなすグルーブから構成さ
れている。

【０００３】図１４は、光磁気ディスクの透明基板を製
造する従来の方法を示す工程図である。

【０００４】まず工程Ｓ１において、円形のガラス基板
１４０を作製する。続いて工程Ｓ２において、ガラス基
板１４０上にフォトレジスト１４１を塗布する。続いて
工程Ｓ３において、フォトレジスト１４１のうちグルー
ブとなるべき部分にレーザ光を同心円状またはスパイラ
ル状に照射する。続いて工程Ｓ４において、フォトレジ
スト１４１を現像することにより、フォトレジスト１４
１を所定形状にパターニングする。したがって、ガラス
基板１４０上には所定形状のランド１４３が形成され
る。ガラス基板１４０の主表面のうちパターニングされ
たフォトレジスト１４１で覆われていない部分にはグル
ーブ１４４が形成される。これにより、光磁気ディスク
用の原盤１４２が完成する。

【０００５】続いて工程Ｓ５において、原盤１４２上に
ニッケル膜１４５をメッキする。続いて工程Ｓ６におい
て、原盤１４２をニッケル膜１４５から解離すると、ニ
ッケル膜１４５は光磁気ディスク用のスタンパ１４６と
なる。続いて工程Ｓ７において、スタンパ１４６を金型
として射出成形により光磁気ディスクの透明基板１４７
を作成する。磁性膜は、透明基板１４７の内部において
凹状をなすランド１４３または凸状をなすグルーブ１４
４上に形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、光磁
気ディスク用の従来の原盤１４２はフォトリソグラフィ
法により作製しているため、図１５に示されるように、
ランド１４３の表面粗さが大きく、また、ランド１４３
のテーパ角αが小さくなるという問題があった。より具
体的には、ランド１４３の幅が０．７μｍで、その高さ
が７００Åであり、グルーブ１４４の幅が０．７μｍで
ある場合、ランド１４３の表面粗さは１００Å程度にな
り、また、ランド１４３のテーパ角αは３０°程度にな
る。ランド１４３の表面粗さが大きいと、信号の検出精
度が低下する。また、テーパ角αが小さいと、記録密度
を高くすることは困難である。

【０００７】この発明は上記のような問題を解消するた
めになされたもので、信号の検出精度が高くかつ記録密
度の高い光ディスクを作製できる原盤およびスタンパの
製造方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る光ディス
ク用原盤は、シリコン基板と、シリコン基板上に形成さ
れ、光ディスクのトラックに対応する所定形状にパター
ニングされたシリコン酸化膜とを含む。

【０００９】この発明に係るもう１つの光ディスク用原
盤は、ガラス基板と、ガラス基板上に形成され、光ディ
スクのトラックに対応する所定形状にパターニングされ
た金属膜とを含む。

【００１０】この発明に係る光ディスク用スタンパは、
シリコン基板と、シリコン基板上に形成され、光ディス
クのトラックに対応する所定形状にパターニングされた
シリコン酸化膜とを含む。

【００１１】この発明に係るもう１つの光ディスク用ス
タンパは、ガラス基板と、ガラス基板上に形成され、光
ディスクのトラックに対応する所定形状にパターニング
された金属膜とを含む。

【００１２】この発明に係る光ディスク用原盤の製造方
法は、基板上に酸化膜を形成する工程と、光ディスクの
トラックに対応する所定形状に酸化膜をパターニングす
る工程とを含む。

【００１３】好ましくは、上記パターニングの工程は、
酸化膜上にレジストを塗布する工程と、所定形状にレジ
ストをパターニングする工程と、酸化膜のうちレジスト
で覆われていない部分をドライエッチングする工程と、
パターニングされたレジストを除去する工程とを含む。

【００１４】好ましくは、上記基板はシリコン基板であ
る。好ましくは、上記シリコン基板を加熱することによ
り上記酸化膜としてシリコン酸化膜を形成する。

【００１５】好ましくは、ドライエッチングは異方性エ
ッチングである。この発明に係るもう１つの光ディスク
用原盤の製造方法は、基板上に金属膜を形成する工程
と、光ディスクのトラックに対応する所定形状に金属膜
をパターニングする工程とを含む。

【００１６】好ましくは、上記パターニングの工程は、
金属膜上にレジストを塗布する工程と、所定形状にレジ
ストをパターニングする工程と、金属膜のうちレジスト
で覆われていない部分をドライエッチングする工程と、
パターニングされたレジストを除去する工程とを含む。

【００１７】好ましくは、上記基板はガラス基板であ
る。好ましくは、上記金属膜はクロム膜である。

【００１８】好ましくは、上記レジストは電子線レジス
トである。好ましくは、上記ドライエッチングは異方性
エッチングである。

【００１９】この発明に係る光ディスク用スタンパの製
造方法は、基板上に膜を形成する工程と、膜上に電子線
レジストを塗布する工程と、光ディスクのトラックに対
応する所定形状に電子線レジストをパターニングする工
程と、膜のうち電子線レジストで覆われていない部分を
ドライエッチングする工程と、パターニングされた電子
線レジストを除去する工程とを含む。

【００２０】好ましくは、上記基板はシリコン基板であ
る。好ましくは、上記シリコン基板を加熱することによ
り上記膜としてシリコン酸化膜を形成する。

【００２１】好ましくは、上記基板はガラス基板であ
る。好ましくは、上記膜はクロム膜である。

【００２２】好ましくは、上記ドライエッチングは異方
性エッチングである。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同
一または相当部分を示す。

【００２４】［第１の実施の形態］図１〜図３は、この
発明の第１の実施の形態に従って光磁気ディスクの透明
基板を製造する方法を示す工程図である。

【００２５】工程Ｓ１０において、円形のシリコン基板
１０を作製する。シリコン基板１０の直径はたとえば１
２ｃｍにする。

【００２６】続いて工程Ｓ１１において、シリコン基板
１０を加熱することにより、シリコン基板１０上にＳｉ
Ｏ₂からなるシリコン酸化膜１１を形成する。このよう
な熱酸化は、抵抗加熱型電気炉などを用いて炉中のシリ
コン基板１０を１０００℃にすることにより行なう。混
合比１対１の水素および酸素の混合ガスを用いる場合、
１０００Å厚のシリコン酸化膜１１を形成するのに６０
分を要する。また、毎分５〜３０リッターの流量で酸素
ガスのみを導入する場合、１０００Å厚のシリコン酸化
膜１１を形成するのに１８０分以上を要する。シリコン
酸化膜１１を所望の膜厚で形成するには、上述した膜厚
と時間をもとに比例計算した時間を要することになる。
膜厚は数十〜数千Åの範囲で制御することができる。シ
リコン酸化膜１１は熱酸化法により形成されるため、そ
の表面の平坦性は原子レベルになる。

【００２７】続いて工程Ｓ１２〜Ｓ１６において、フォ
トリソグラフィ法によりシリコン酸化膜１１を光磁気デ
ィスクのトラックに対応する所定形状（たとえば同心円
状、スパイラル状）にパターニングすることにより、光
磁気ディスク用の原盤１４を作製する。

【００２８】より具体的には工程Ｓ１２において、シリ
コン酸化膜１１上にフォトレジスト１２をスピンコート
法などにより均一に塗布する。

【００２９】フォトレジスト１１を乾燥した後、工程Ｓ
１３において、フォトレジスト１２の表面をマスク１３
で覆い、露光を行なう。マスク１３は、光磁気ディスク
のトラックに対応する所定形状を有する。

【００３０】続いて工程Ｓ１４において、フォトレジス
ト１２を現像することにより、フォトレジスト１２を所
定形状にパターニングする。ここでは、ポジ型のフォト
レジスト１２を用いているため、フォトレジスト１２の
うち露光部分１２ａが除去される。

【００３１】続いて工程Ｓ１５において、シリコン酸化
膜１１のうちフォトレジスト１２で覆われていない部分
をドライエッチングする。ドライエッチングとしては、
たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が望まし
い。また、等方性エッチングではランド１５のテーパ角
αが小さくなるため、異方性エッチングが望ましい。

【００３２】反応性イオンエッチングの条件は次の表１
に示される。すなわち、この反応性イオンエッチングに
おいては、ＣＨＦ₃ガスを１５〜２５ｓｃｃｍで導入
し、ＣＦ₄ガスを１５〜２５ｓｃｃｍで導入し、さらに
Ａｒガスを８０〜１２０ｓｃｃｍで導入する。反応性イ
オンエッチング装置内の圧力は１００〜３００ｍＴｏｒ
ｒ、ＲＦパワーは１．５〜２．５Ｗ／ｃｍ²、ステージ
温度は１５〜２５℃が望ましい。

【００３３】

【表１】

【００３４】ランド１５のテーパ角αは、ＣＨＦ₃ガス
の流量を変化させることによって制御することができ
る。図４にテーパ角αとＣＨＦ₃ガスの流量との関係を
示す。なお、ステージ温度を高くしてもテーパ角αを大
きくすることができる。

【００３５】続いて工程Ｓ１６において、パターニング
されたフォトレジスト１２を除去すると、原盤１４が完
成する。シリコン酸化膜１１のうちフォトレジスト１２
で覆われていた部分はランド１５になり、フォトレジス
ト１２で覆われていなかった部分はグルーブ１６にな
る。

【００３６】シリコン酸化膜１１は熱酸化法により形成
されたものであるから、シリコン酸化膜１１からなるラ
ンド１５の表面は原子レベルの平坦性を有する。また、
シリコン酸化膜１１は反応性イオンエッチング法により
パターニングされたものであるから、ランド１５のテー
パ角αは従来よりも大きく、たとえば７０〜９０°程度
になる。

【００３７】続いて工程Ｓ１７において、無電解メッ
キ、スパッタリング、蒸着などによりニッケル膜１７を
原盤１４上に形成する。さらに、電解メッキによりニッ
ケル膜１７上にもう１つのニッケル膜１８を形成する。
ここで、ニッケルに代えて、銀、アルミニウムなどを用
いてもよい。

【００３８】続いて工程Ｓ１８において、原盤１４をニ
ッケル膜１７および１８から解離する。これにより、ニ
ッケル膜１７および１８からなるスタンパ１９が完成す
る。

【００３９】続いて工程Ｓ１９において、スタンパ１９
を金型として用いた射出成形により、光磁気ディスク用
の透明基板２０を作製する。射出成形法に代えて、２Ｐ
法、圧縮成形法または射出圧縮成形法などを用いてもよ
い。

【００４０】以上のように第１の実施の形態によれば、
熱酸化法によりシリコン酸化膜１１を形成するため、ラ
ンド１５の表面粗さは極めて小さくなる。また、異方性
の反応性イオンエッチング法によりシリコン酸化膜１１
をパターニングするため、ランド１５のテーパ角αは従
来よりも大きくなる。その結果、信号の検出精度が高く
かつ記録密度が高い光磁気ディスクの透明基板２０を作
成することができる。

【００４１】上記第１の実施の形態では熱酸化法により
シリコン酸化膜１１を形成しているが、プラズマＣＶＤ
法または反応性スパッタリング法により形成してもよ
い。プラズマＣＶＤ法の場合は、シランガス（Ｓｉ
Ｈ₄）および酸素ガス（Ｏ₂）を材料ガスとして用い
る。反応性スパッタリング法の場合は、シリコンをター
ゲット電極に用い、さらにアルゴンガス（Ａｒ）および
酸素ガスを混合したものを母ガスとして用いる。

【００４２】シリコン酸化膜１１は上述したＳｉＯ₂に
限定されることなく、ＳｉＯｘであってもよい。この場
合も、プラズマＣＶＤ法または反応性スパッタリング法
によりＳｉＯｘからなるシリコン酸化膜１１を形成する
ことができる。

【００４３】プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯｘの形成条
件は次の表２に示される。すなわち、シランガスを１５
〜２５ｓｃｃｍで、酸素ガスを２０〜５０ｓｃｃｍで導
入する。プラズマＣＶＤ装置内の圧力は１００〜３００
ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーは２０〜５０ｍＷ／ｃｍ²、基
板温度は１００〜３００℃にする。

【００４４】

【表２】

【００４５】ＳｉＯｘにおける組成ｘは、酸素ガスおよ
びシランガスの流量比を変化させることによって制御す
ることができる。組成ｘとガス流量比（Ｏ₂／Ｓｉ
Ｈ₄）との関係を図５に示す。

【００４６】他方、反応性スパッタリング法によるＳｉ
Ｏｘの形成条件は次の表３に示される。すなわち、アル
ゴンガスを１００〜２００ｓｃｃｍで導入し、さらに酸
素ガスを２０〜１００ｓｃｃｍで導入する。反応性スパ
ッタリング装置内の圧力は１〜１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパ
ワーは３０〜１００ｍＷ／ｃｍ²、基板温度１００〜２
００℃にする。

【００４７】

【表３】

【００４８】反応性スパッタリング法によりＳｉＯｘを
形成する場合、ＳｉＯｘにおける組成ｘは酸素ガスの流
量を変化させることにより制御することができる。組成
ｘと酸素ガスの流量との関係を図６に示す。

【００４９】また、ＳｉＯｘに代えてＳｉ₃Ｎ₄を用い
てもよい。この場合も上記と同様に、プラズマＣＶＤ法
または反応性スパッタリング法によりＳｉ₃Ｎ₄からな
るシリコン窒化膜を形成することができる。

【００５０】次の表４はプラズマＣＶＤ法によりＳｉ₃
Ｎ₄を形成するための条件を示す。すなわち、シランガ
スを１５〜２５２５ｓｃｃｍで導入し、さらに窒素ガス
（Ｎ ₂）を５０〜１００ｓｃｃｍで導入する。プラズマ
ＣＶＤ装置内の圧力は１００〜３００ｍＴｏｒｒ、ＲＦ
パワーは２０〜５０ｍＷ／ｃｍ²、基板温度は２００〜
３００℃とする。

【００５１】

【表４】

【００５２】反応性スパッタリング法によるＳｉ₃Ｎ₄
の形成条件を次の表５に示す。すなわち、アルゴンガス
を１００〜２００ｓｃｃｍで導入し、さらに酸素ガスを
２０〜１００ｓｃｃｍで導入する。反応性スパッタリン
グ装置内の圧力は１〜１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーは３
０〜１００ｍＷ／ｃｍ²、基板温度は１００〜２００℃
にする。

【００５３】

【表５】

【００５４】また、上記第１の実施の形態ではフォトリ
ソグラフィ法によりフォトレジストをパターニングして
いるが、レーザカッティング法によりパターニングして
もよい。また、ポジ型のフォトレジスト１２に代えて、
ネガ型のフォトレジストを用いてもよい。

【００５５】［第２の実施の形態］図７〜図９は、この
発明の第２の実施の形態に従って光磁気ディスクの透明
基板を製造する方法を示す工程図である。

【００５６】まず工程Ｓ２１において、研磨、洗浄した
円形のガラス基板７０上にスパッタリング、ＣＶＤ、蒸
着などによりクロム膜７１を形成する。

【００５７】次いで工程Ｓ２２〜Ｓ２６において、電子
線リソグラフィ法によりクロム膜７１をパターニングす
る。これにより、原盤７３が完成する。

【００５８】より具体的には工程Ｓ２２において、スピ
ンコート法、キャスト法などにより、クロム膜７１上に
電子線レジスト７２を塗布する。ここでは、ポジ型の電
子線レジスト７２を用いている。ポジ型の電子線レジス
トとしては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポ
リヘキサフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロ
ロエチルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルα−
クロロアクリレート、ポリブテンスルホン、ノボラック
＋ポリメチルぺンテンスルホン、ＰＭＭＡ＋テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウムパークロレートなどがある。

【００５９】電子線レジスト７２を乾燥した後、工程Ｓ
２３において、光磁気ディスクのトラックに対応する所
定形状に電子線レジスト７２を露光する。より具体的に
は、電子線を同心円状またはスパイラル状に照射する。
露光は、たとえば加速電圧を１０ｋＶ、ドーズ量を０．
６μＣ／ｃｍ²にするか、あるいは加速電圧を２０ｋ
Ｖ、ドーズ量を１．２μＣ／ｃｍ²にして行なう。

【００６０】続いて工程Ｓ２４において、現像およびリ
ンスを行ない、電子線レジスト７２のうち感光部分７２
ａを除去することにより、電子線レジスト７２を所定形
状にパターニングする。現像は、たとえば７２．５／２
７．５の重量比でメチルセロソルブ／イソプロピルアル
コールの混合液で、２２℃、１３分間ディップするか、
９５／５の重量比でエチルセロソルブ／イソプロピルア
ルコールの混合液で、２４℃、６分間スプレーして行な
うか、あるいは９９／１の重量比でエチルセロソルブ／
イソプロピルアルコールの混合液で、２２℃、１３分間
ディップして行なう。メチルセロソルブ／イソプロピル
アルコールの混合液を用いる方法がテーパ角αを大きく
することができる。リンスは、たとえばイソプロピルア
ルコールで１分間デップして行なう。

【００６１】続いて工程Ｓ２５において、クロム膜７１
のうち電子線レジスト７２で覆われていない部分をドラ
イエッチングする。ドライエッチングとしては、上記第
１の実施の形態と同様に異方性の反応性イオンエッチン
グが望ましい。

【００６２】反応性イオンエッチングの条件を次の表６
に示す。すなわち、ＣＨ₂Ｃｌ₂を５０〜１００ｓｃｃ
ｍで導入し、反応性イオンエッチング装置内の圧力を
０．２〜０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーを１．５〜２．５
Ｗ／ｃｍ²、エッチング時間を１００〜１５０秒にす
る。

【００６３】

【表６】

【００６４】反応性イオンエッチングのもう１つの条件
を次の表７に示す。すなわち、ＣＣｌ₄ガスを３０〜７
０ｓｃｃｍで、または酸素ガスを３０〜６０ｓｃｃｍで
導入し、反応性イオンエッチング装置内の圧力を０．２
〜０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーを０．３〜４．０Ｗ／ｃ
ｍ²、エッチング時間を１００〜１５０秒にしてもよ
い。

【００６５】

【表７】

【００６６】続いて工程Ｓ２６において、酸素プラズ
マ、硫酸などを用いて、パターニングされた電子線レジ
スト７２を除去する。電子線レジスト７２を除去する
と、原盤７３が完成する。クロム膜７１のうち電子線レ
ジスト７２で覆われていた部分はランド７７になり、電
子線レジスト７２で覆われていなかった部分はグルーブ
７９になる。

【００６７】クロム膜７１はスパッタリング法などによ
り形成されているため、ランド７７の表面粗さは従来よ
りも小さくなる。また、クロム膜７１はドライエッチン
グによりパターニングされているため、ランド７７のテ
ーパ角αは従来よりも大きくなる。

【００６８】続いて工程Ｓ２７において、まず無電解メ
ッキ、スパッタリング、蒸着などにより原盤７３上にニ
ッケル膜７４を形成し、さらに電解メッキによりニッケ
ル膜７４上にもう１つのニッケル膜７５を形成する。

【００６９】続いて工程Ｓ２８において、原盤７３をニ
ッケル膜７４および７５から解離する。これにより、ニ
ッケル膜７４および７５からなるスタンパ７６が完成す
る。

【００７０】続いて工程Ｓ２９において、スタンパ７６
を金型として用いた射出成形により光磁気ディスクの透
明基板７８を作製する。

【００７１】以上のように第２の実施の形態によれば、
スパッタリング法などによりクロム膜７１を形成するた
め、ランド７７の表面粗さは従来よりも小さくなる。ま
た、クロム膜７１をドライエッチングしているため、ラ
ンド７７のテーパ角αは従来よりも大きくなる。その結
果、信号の検出精度が高くかつ記録密度が高い光磁気デ
ィスクの透明基板を製造することができる。

【００７２】上記第２の実施の形態ではポジ型の電子線
レジスト７２を用いているが、ネガ型の電子線レジスト
を用いてもよい。ネガ型の電子線レジストとしては、た
とえばポリメタクリル酸グリシジル、マレイン酸エステ
ル含有メタクリル系高分子、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エステル共重合体、クロロメチル化ポリスチ
レン、ヨウ素化ポリスチレン、塩素化ポリメチルスチレ
ンなどがある。

【００７３】また、クロム膜７１に代えて、ニッケル膜
またはアルミニウム膜を形成してもよい。

【００７４】［第３の実施の形態］図１０および図１１
は、この発明の第３の実施の形態に従って光磁気ディス
ク用のスタンパを製造する方法を示す工程図である。

【００７５】まず工程Ｓ３１において、円形のシリコン
基板１００を作製する。続いて工程Ｓ３２において、上
記第１の実施の形態と同様に、シリコン基板１００を加
熱することにより、シリコン基板１００上にシリコン酸
化膜１０１を形成する。

【００７６】続いて工程Ｓ３３〜Ｓ３７において、電子
線リソグラフィ法によりシリコン酸化膜１０１を光磁気
ディスクのトラックに対応する所定形状にパターニング
する。これにより、光磁気ディスク用のスタンパ１０３
が完成する。

【００７７】より具体的には工程Ｓ３３において、シリ
コン酸化膜１０１上に電子線レジスト１０２を塗布す
る。

【００７８】続いて工程Ｓ３４において、光磁気ディス
クのトラックに対応する所定形状に電子線を照射するこ
とにより、電子線フォトレジスト１０２を露光する。こ
こでは、電子線レジスト１０２のうちスタンパ１０３の
ランドに対応する部分１０２ａに電子線を照射する。

【００７９】続いて工程Ｓ３５において、現像およびリ
ンスを行なうことにより、電子線レジスト１０２を光磁
気ディスクのトラックに対応する所定形状にパターニン
グする。

【００８０】続いて工程Ｓ３６において、シリコン酸化
膜１０１のうち電子線レジスト１０２で覆われていない
部分をドライエッチングする。ドライエッチングとして
は、上記実施の形態と同様に異方性の反応性イオンエッ
チングが望ましい。

【００８１】続いて工程Ｓ３７において、パターニング
された電子線レジスト１０２を除去する。これにより、
シリコン基板１００およびパターニングされたシリコン
酸化膜１０１からなるスタンパ１０３が完成する。スタ
ンパ１０３においては、シリコン酸化膜１０１のうち電
子線レジスト１０２で覆われていた部分がグルーブ１０
４になり、電子線レジスト１０２で覆われていなかった
部分がランド１０５になる。

【００８２】第３の実施の形態における工程Ｓ３１〜Ｓ
３７は第１の実施の形態における工程Ｓ１０〜Ｓ１６に
概ね対応する。ただし、第３の実施の形態では電子線リ
ソグラフィ法を用いているのに対し、第１の実施の形態
ではフォトリソグラフィ法を用いている点で相違する。
また、第３の実施の形態ではランド１０５に対応する部
分１０２ａを露光しているのに対し、第１の実施の形態
ではグルーブ１６に対応する部分１２ａを露光している
点で相違する。したがって、第３の実施の形態では原盤
を作製することなくスタンパ１０３を直接作製している
のに対し、第１の実施の形態では原盤１４を作製した後
にスタンパ１９を作製している点で相違する。

【００８３】以上のように第３の実施の形態によれば、
熱酸化法によりシリコン酸化膜１０１を形成するため、
グルーブ１０４の表面粗さは従来よりも小さくなる。ま
た、シリコン酸化膜１０１をドライエッチングするた
め、グルーブ１０４のテーパ角αは従来よりも大きくな
る。その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高
い光磁気ディスクの透明基板を製造することができる。

【００８４】［第４の実施の形態］図１２および図１３
は、この発明の第４の実施の形態に従って光磁気ディス
ク用のスタンパを製造する方法を示す工程図である。

【００８５】まず工程Ｓ４１において、研磨、洗浄した
円形のガラス基板１２０を作製する。

【００８６】続いて工程Ｓ４２において、上記第２の実
施の形態と同様に、スパッタリング法などによりガラス
基板１２０上にクロム膜１２１を形成する。

【００８７】続いて工程Ｓ４３〜Ｓ４７において、上記
第２の実施の形態と同様に、電子線リソグラフィ法によ
りクロム膜１２１を光磁気ディスクのトラックに対応す
る所定形状にパターニングする。

【００８８】より具体的には工程Ｓ４３において、クロ
ム膜１２１上に電子線レジスト１２２を塗布する。

【００８９】電子線レジスト１２２を乾燥した後、工程
Ｓ４４において、光磁気ディスクのトラックに対応する
所定形状に電子線を照射する。ここでは、電子線レジス
ト１２２のうちランドに対応する部分１２２ａを露光す
る。

【００９０】続いて工程Ｓ４５において、現像およびリ
ンスを行なうことにより、電子線レジスト１２２をパタ
ーニングする。

【００９１】続いて工程Ｓ４６において、クロム膜１２
１のうち電子線レジスト１２２で覆われていない部分を
ドライエッチングする。これにより、クロム膜１２１も
同様にパターニングする。

【００９２】続いて工程Ｓ４７において、パターニング
された電子線レジスト１３２を除去する。これにより、
ガラス基板およびクロム膜１２１からなるスタンパ１２
３が完成する。スタンパ１２３においては、クロム膜１
２１のうち電子線レジスト１２２で覆われていた部分が
グルーブ１２４になり、覆われていなかった部分がラン
ド１２５になる。

【００９３】この第４の実施の形態は、上記第３の実施
の形態におけるシリコン基板１００をガラス基板１２０
に置換え、さらにシリコン酸化膜１０１をクロム膜１２
１に置換えたものである。

【００９４】また、この第４の実施の形態における工程
Ｓ４２〜Ｓ４７は上記第２の実施の形態における工程Ｓ
２１〜Ｓ２６に概ね対応する。ただし、第４の実施の形
態では電子線レジスト１２２のうちランド１２５に対応
する部分１２２ａを露光しているのに対し、第２の実施
の形態では電子線レジスト７２のうちグルーブ７９に対
応する部分７２ａを露光している点で相違する。したが
って、第４の実施の形態では原盤を作製することなくス
タンパ１２３を直接作製しているのに対し、第２の実施
の形態では原盤７３を作製した後にスタンパ７６を作製
する点で相違する。

【００９５】以上のように第４の実施の形態によれば、
スパッタリング法などによりクロム膜１２１を形成する
ため、グルーブ１２４の表面粗さは従来よりも小さくな
る。また、クロム膜１２１をドライエッチングするた
め、グルーブ１２４のテーパ角αは従来よりも大きくな
る。その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高
い光磁気ディスクを製造することができる。

【００９６】上記第１〜第４の実施の形態におけるシリ
コン基板またはガラス基板に代えて、銅、石英、ニッケ
ルなどの基板を用いてもよい。

【００９７】

【発明の効果】この発明に係る光ディスク用原盤によれ
ば、酸化膜がランドを構成しているため、ランドの表面
粗さが小さくなり、ランドのテーパ角が大きくなる。そ
の結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高い光デ
ィスクを製造することができる。

【００９８】この発明に係る光ディスク用原盤によれ
ば、金属膜がランドを構成しているため、ランドの表面
粗さが小さくなり、ランドのテーパ角が大きくなる。そ
の結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高い光デ
ィスクを製造することができる。

【００９９】この発明に係る光ディスク用スタンパによ
れば、酸化膜がグルーブを構成しているため、グルーブ
の表面粗さが小さくなり、グルーブのテーパ角が大きく
なる。その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の
高い光ディスクを製造することができる。

【０１００】この発明に係る光ディスク用スタンパによ
れば、金属膜がグルーブを構成しているため、グルーブ
の表面粗さが小さくなり、グルーブのテーパ角が大きく
なる。その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の
高い光ディスクを製造することができる。

【０１０１】この発明に係る光ディスク用原盤の製造方
法によれば、酸化膜を形成し、その酸化膜をパターニン
グしているため、ランドの表面粗さが小さくなり、ラン
ドのテーパ角が大きくなる。その結果、信号の検出精度
が高くかつ記録密度の高い光ディスクを製造することが
できる。

【０１０２】この発明に係るもう１つの光ディスク用原
盤の製造方法によれば、金属膜を形成し、その金属膜を
パターニングするため、ランドの表面粗さが小さくな
り、ランドのテーパ角が大きくなる。その結果、信号の
検出精度が高くかつ記録密度の高い光ディスクを製造す
ることができる。

【０１０３】この発明に係る光ディスク用スタンパの製
造方法によれば、膜を形成し、その膜を電子線レジスト
法によりパターニングするため、グルーブの表面粗さが
小さくなり、グルーブのテーパ角が大きくなる。その結
果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高い光ディス
クを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態に従って光ディス
ク用の透明基板を製造する方法を示す工程図である。

【図２】図１に続く工程図である。

【図３】図２に続く工程図である。

【図４】図１〜図４の製造方法において、ランドのテー
パ角とＣＨＦ₃ガスの流量との関係を示す図である。

【図５】図１〜図３の製造方法において、シリコン酸化
膜がＳｉＯｘからなる場合にその組成ｘと熱酸化におけ
るＯ₂／ＳｉＨ₄の混合比との関係を示す図である。

【図６】図１〜図３の製造方法において、シリコン酸化
膜がＳｉＯｘからなる場合にその組成ｘと熱酸化におけ
る酸素の流量との関係を示す図である。

【図７】この発明の第２の実施の形態に従って光ディス
クの透明基板を製造する方法を示す工程図である。

【図８】図７に続く工程図である。

【図９】図８に続く工程図である。

【図１０】この発明の第３の実施の形態による光ディス
ク用スタンパの製造方法を示す工程図である。

【図１１】図１０に続く工程図である。

【図１２】この発明の第４の実施の形態による光ディス
ク用スタンパの製造方法を示す工程図である。

【図１３】図１２に続く工程図である。

【図１４】光ディスクの透明基板を製造する従来の方法
を示す工程図である。

【図１５】図１４の工程に従って製造された光ディスク
用原盤の問題点を説明するための図である。

【符号の説明】

１０，１００シリコン基板１１，１０１シリコン酸化膜１２フォトレジスト１４，７３原盤１５，７７，１０５，１２５ランド１６，７９，１０４，１２４グルーブ１７，１８，７４，７５ニッケル膜１９，７６，１０３，１２３スタンパ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ディスク用の原盤であって、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記光ディスクのトラ
ックに対応する所定形状にパターニングされたシリコン
酸化膜とを含む、光ディスク用原盤。
【請求項２】光ディスク用の原盤であって、ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成され、前記光ディスクのトラッ
クに対応する所定形状にパターニングされた金属膜とを
含む、光ディスク用原盤。
【請求項３】光ディスク用のスタンパであって、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記光ディスクのトラ
ックに対応する所定形状にパターニングされたシリコン
酸化膜とを含む、光ディスク用スタンパ。
【請求項４】光ディスク用のスタンパであって、ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成され、前記光ディスクのトラッ
クに対応する所定形状にパターニングされた金属膜とを
含む、光ディスク用スタンパ。
【請求項５】光ディスク用の原盤を製造する方法であ
って、基板上に酸化膜を形成する工程と、前記光ディスクのトラックに対応する所定形状に前記酸
化膜をパターニングする工程とを含む、光ディスク用原
盤の製造方法。
【請求項６】前記パターニングの工程は、前記酸化膜上にレジストを塗布する工程と、前記所定形状に前記レジストをパターニングする工程
と、前記酸化膜のうち前記レジストで覆われていない部分を
ドライエッチングする工程と、前記パターニングされたレジストを除去する工程とを含
むことを特徴とする請求項５に記載の光ディスク用原盤
の製造方法。
【請求項７】前記基板はシリコン基板であることを特
徴とする請求項５または請求項６に記載の光ディスク用
原盤の製造方法。
【請求項８】前記シリコン基板を加熱することにより
前記酸化膜としてシリコン酸化膜を形成することを特徴
とする請求項７に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項９】前記ドライエッチングは異方性エッチン
グであることを特徴とする請求項６に記載の光ディスク
用原盤の製造方法。
【請求項１０】光ディスク用の原盤を製造する方法で
あって、基板上に金属膜を形成する工程と、前記光ディスクのトラックに対応する所定形状に前記金
属膜をパターニングする工程とを含む、光ディスク用原
盤の製造方法。
【請求項１１】前記パターニングの工程は、前記金属膜上にレジストを塗布する工程と、前記所定形状に前記レジストをパターニングする工程
と、前記金属膜のうち前記レジストで覆われていない部分を
ドライエッチングする工程と、前記パターニングされたレジストを除去する工程とを含
むことを特徴とする請求項１０に記載の光ディスク用原
盤の製造方法。
【請求項１２】前記基板はガラス基板であることを特
徴とする請求項１０または請求項１１に記載の光ディス
ク用原盤の製造方法。
【請求項１３】前記金属膜はクロム膜であることを特
徴とする請求項１０から請求項１２までのいずれかに記
載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項１４】前記レジストは電子線レジストである
ことを特徴とする請求項１１に記載の光ディスク用原盤
の製造方法。
【請求項１５】前記ドライエッチングは異方性エッチ
ングであることを特徴とする請求項１１に記載の光ディ
スク用原盤の製造方法。
【請求項１６】光ディスク用のスタンパを製造する方
法であって、基板上に膜を形成する工程と、前記膜上に電子線レジストを塗布する工程と、前記光ディスクのトラックに対応する所定形状に前記電
子線レジストをパターニングする工程と、前記膜のうち前記電子線レジストで覆われていない部分
をドライエッチングする工程と、前記パターニングされた電子線レジストを除去する工程
とを含む、光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１７】前記基板はシリコン基板であることを
特徴とする請求項１６に記載の光ディスク用スタンパの
製造方法。
【請求項１８】前記シリコン基板を加熱することによ
り前記膜としてシリコン酸化膜を形成することを特徴と
する請求項１７に記載の光ディスク用スタンパの製造方
法。
【請求項１９】前記基板はガラス基板であることを特
徴とする請求項１６に記載の光ディスク用スタンパの製
造方法。
【請求項２０】前記膜はクロム膜であることを特徴と
する請求項１６または請求項１９に記載の光ディスク用
スタンパの製造方法。
【請求項２１】前記ドライエッチングは異方性エッチ
ングであることを特徴とする請求項１６に記載の光ディ
スク用スタンパの製造方法。