JPS61502219A

JPS61502219A - 二層レジスト

Info

Publication number: JPS61502219A
Application number: JP60502023A
Authority: JP
Inventors: レイチマニス，エルサ; ウイルキンズ，クレタス　ウオルター，ジユニヤ
Original assignee: アメリカンテレフオンアンドテレグラフカムパニ−
Priority date: 1984-05-24
Filing date: 1985-04-29
Publication date: 1986-10-02
Also published as: EP0185030B1; EP0185030A1; JPH0584896B2; DE3566051D1; WO1985005470A1; CA1248403A; US4521274A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】二層レジスト本発明はリソグラフ法による電子デバイスの製造方法電子デバイスの製造に、従来三層レジストが用いられており、これは小さなパターン、すなわち、２μｍよシ小さいパターン全リングラフ法によって形成するのに特に適している。こ扛らのレジストは、加工される基体上に一般に直接堆積させられる下引′き層をも含むものでちる。（ここで言う基体は半導体製の物であって、もしあれば種々のレベルの例えば金属被覆、ドーピングを施された半導体材料、および／又は絶縁体等をも含むものである。）典型的には、基体は平坦な表面を持っていないので、通常二の層は、下地の不規則さにかかわりなく、本質的に平坦な上表面を与えるのに十分な厚さに堆積させられる。次に、この平坦化層の上に中間層が形成される。中間層の組成は、下引きレジスト層を除去することが可能なプラズマによって、この平坦化層よシも少なくとも５倍遅い速度でエツチングされるように選ばれる。この中間層の上に、放射線曝露後適当な現像媒体で処理することによって除去することが可能な第３層（上乗せ層）が形成される。

三層レジストは、最初に所望のパターンで上乗せ層を除去することにようバターニングされる。このパターンは次に、例えば、反応性イオンエツチングのような乾式加工法などの常法により中間層に移され、所望のパターンに従った下引き層の露出部分を生じさせる。一般に有機物質から成るこの露出した部分は続いて酸素プラズマによって除去さ扛る。二酸化珪素のような酸素プラズマに本質的に影響されない材料からなる中間層が用いられ、これによシプラズマ加工中のその破壊とそれによる転写されたパターンの劣化を防り。

三層レジストは、半導体素子の製作において、微細パターンの形成のための優れた手段であることが証明されているが、それは数段の別々の工程を含んでいる。

工程数全滅らしこれに係わるコストの低減を実現することが常に望まれておシ、三層系の利点、すなわち平坦化と高解像度が得られる二層系を開発するため絶大な努力がなさｎてきた。典型的には、中間層と上乗せ層の寄与を１つの層に結合する試みがなされている。この結合を行うには、開発される層は除去することが可能で、しかも下引き層の現像に用いられる媒体に対し、下引き層よシ少なくとも５倍大きい抵抗性を持たねばならない。この結合上乗せ材料に用いる候補として数種の物質が報告されている。例えば式（Ｑ？−１メチノ呟フエニル、および／又はビニル）ＣＨ。

ＣＨ８「ＣＨ８ＣＨ，ＣＨ。

ＣＨ２ＣＨｓ　Ｏ−Ｓｉ　−０ＣＲｓＯＣＲ。

で表わされる物質が文献に報告されている〔リージョナに一テクニカル・コンファレンス（３ｅｇｉｏｎａｌ　’］：’ｅｃｈｎｉｃａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　）　、［フオトポリマーズ・プリンシプルズープロセシズ・アンド・マテリアルズ（ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｓｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ　−ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　）玉　ジｘ　−ｘム・ショーら（，１，ｙｌ、　Ｓｈａｗ　ｅｔ、　ａｌ　）、１９８２年１１月８日、エレンビル、ニューヨーク（化合物１について）　、１９８３インターナシヨナル・シンポジウム・！２・エレクトロ・アンド・フォトン・ビームズ（■ｏｎ　ａｎｄ　ｐｈｏｔｏｎ　１３ｅａｍｓｌニス・ニー・マクドナルド（Ｓ、Ａ、　Ｍａｃｄｏｎａｌｄ）　１　ｇ　Ｂ　３年５月３１日、ロサンジエルス、カリフォルニア（化合物Ｅ、Ｉｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｅｉｅｔｙ　）、１３ｏ１スズキら（Ｓｕｚｕｋｉ　ｅｔ　ａｌ　）、１９６２頁（１９８３）（残りの化合物について）全参照。〕これらの物質は酸素プラズマには耐えるけれども、そｎぞれ他の理由で完全に満足できるものではない。例えば、これらの物質はすべてネガ型レジストである。ネガ型レジストは、本来的に望ましくないというものではないが、レジスト、特に三層レジストの露光に現在用いられているマスクは大部分ポジ型レジスト用として開発されたものである。従ってネガ型レジストの使用は、半導体デバイスの製作に用いられている各式のマスクセットの完全な変更を必要とすることＫなる。

この変更は可能ではあるが、費用が嵩み望ましくけない。

その上、式（１）で戎わされる物質は、寸法安定性に欠け、厚いフィルムでは加工中にクリープを起す傾向があったシ、あるいは薄層で用いられるときは極めて欠陥が生じやすい。従って多層レジスト全周いる目的の１つ、りまシ解像度の向上は失われてしまう。

結果として、三層構造の属性を具えた二層レジスト全開発する強い動機はあっても、各種の提案は未だ完全に満足できるものではない。

発明の要約本発明は、平坦な表面が得られ、安定性に優れ、放射線、例えば紫外線にポジ型露光することにょシ、極めて高い解像度、例えば１μｍ乃至さらに微細な解像度が得られる新規な二層レジストを用いる電子デバイスの製作に関する。本二層レジストは、従来の下引き層、例えば硬く焼付けたＨＰＲ−２０４（ザ・フィリップ・ニー・ハント・ケミカル・カンパニイ（Ｔｈｅ　ｐｈｉｌｉｐ　Ａ、）ｌｕｎｔＣｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｍｐａｎｙ　）の独占的製品で、基本的にはナフトキノンジアジドを増感剤とするノボラック樹脂である）のようなノボラックベースのレジストと、ホルムアルデヒドおよび／又はアセトアルデヒドと、珪素置換されたフェノール、例えばｍ−トリメチルシリルフェノール又はｐ−トリメチルシリルメチルフェノール等を含むモノマーの縮合によシ形成される物質を含有する上層とを含む。好適な材料の例として次式で表わされる化合物があおよび上式中Ｒは水素又はメチルであＪ、Ｘは珪素を含む、例えばＳｉ　（ＣＨｓ　）ｓ又はＣＨ２５ｉ（ＣＨｓ　）ｓである。こｎらの材料は単独で遠紫外線および電子線に感応するが、置換されたナフトキノンジアジドのような溶解度抑制剤と共用すると特に有利である。この場合、これらは波長範囲２５０乃至４５０ｎｍの電磁放射線に感応する。

図面の簡単な説明図面は本発明に包含される構造を例示するものである。

詳細な説明前記のように１本発明の二層レジストは平坦な下引き層５と除去可能で下引き層の現像に用いらｎる媒体に対し抵抗性含有する上乗せ層３を含む。これらの層は基体７の上に形成される。下引き層に用いられる材料は臨界的ではなく、典型的にはノボラックおよびポリイミド樹脂などの有機物質で、例えば１）　ＨＰＲ− ２０４又はＡＺ−１３５０又はＡＺ−１３５０Ｊ　（シブレイ社５ｈｉｐｌｅｙ　Ｃｏ、、　■ｎｃ、　）の独占的製品で、基本的には置換されたナフトキノンジアジド溶解度抑制剤を含むノボラック樹脂である）の２００℃で０．５時間焼付けられたもの、および２）ビラ、リン（ｐｙｒａｌｉｎ　）　（すなわち、イー・アイ・デュポン・ドネムアー・アンド・カンパニー・インニーボレーテッド（Ｅ、　１．　ｄｕｐｏｎｔ　ｄｅＮｅｒｎｏｕｒｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐａｎｙ　、　Ｉｎｃ、　）の独占的製品）のようなポリイミド類が挙げら扛る。

下引き層の材料は典型的レジストと異なり、放射線に曝露したとき化学変化をおこす必要はない。下引きレジスト層の材料は酸素プラズマで除去可能であり、上乗せ層の形成に用いらｎる溶媒に認めらｎ得るほど溶解しなけｎばよい。（プラズマ法による物質の除去についての完全な説明については、ヴイー・エル・ニス・アイ・テクノロジー（ＶＬＳＩ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　）　、第８章、ｘｘ −ｘ。

ム・スゼ（Ｓ、Ｍ　ＳＺｅ　）編、マグロウ−ヒル（ＭＣＧｒ　ａＷ−Ｈｉｌｌ）ニューヨーク（１９８３）″ｆ：参照。）ここにおいて、認めらｎ得るほどの溶解とは、上乗せ層が下引き層の５Ｑｎｍよシも深いところまで相互に混シ合うことを言う。例えば、シクロペンタノン全上層をスピンコーティングするのに用いる場合、ポリ（メチルメタクリレート）は認めら扛得るほどの相互の混合が生ずるので、下層として望ましい選択ではない。下引き層の厚さは、基体の表面の不規則さの大きさに依存する。半導体デバイスの形成に用いられる典型的な構造の場合、１μｍ＝（越える層厚にすれば本質的て平坦な表面が得られる。しかし、４μｍを越える厚さは、除外さｎるわけではないが、一般に不経済であり、加工に余分の時間を要する。

上乗せ層の厚さは所望の解像度に依存する。一般に層が厚いほど解像度は低い。

２μｍ未満の解像度のためには、０．３〜１６０μｍの範囲の層厚が一般に用いられる。層を形成すべき材料を溶媒、例えばシクロペンタノン又は２−メトキシエチルアセテートに溶かし、基体上に最終の層をスピンコーティングするような従来の方法によって、下引き層又は上乗せ層にとって適当な層厚が容易に得られる。（スピンコーティングについては、フォトレジスト・マテリアルズ・アンド・プロセシズ（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉ−ｓｔ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）、ダブリュ・ニス・デフォレスト（Ｗ、　Ｓ、　ＤｅＦｏｒｒｅｓｔ　）、２２３頁、マグロウ・ヒル（ＭＣＧｒａｗ−Ｈｉ　ＩＩ）、ニューヨーク、１９７５に総合的に記載されている。）層厚は、この塗布法で用いられる回転速度ニヨって決まフ、この速度を制御することによって所望の結果が得られる。

上乗せ層の材料には、１）ホルムアルデヒドお↓び／又はアセトアルデヒドと、２）式で表わされる化合物の少なくとも１種〔式中、Ｒは好ましくは水素又はメチルであり、Ｘは珪素を含゛む（Ｃ’ｙＨ２ｙ　）　Ｓ’　Ｒ’Ｒ”Ｒ”などの原子団であり、０≦ｙ≦３であり、Ｒ’、Ｒ “およびＲ″′は個別にメチル、エチル、又はフェニルである。〕および随意に所望であれば（３）フェノール又は置換フェノールとの縮合生成物と想定できるポリマーを含む必要がある。（原子団Ｒ’、Ｒ“、Ｒ“′のすべてがフェニルであってはならない。又ｙ＝ｏの場合、Ｘは好１しくはメタ位にあるべきである。

）上乗せ層としてのポリマーは一般に縮合てよって形成されるが、形成手順に関係なく、実際に縮合が可能であろうとなかろうと、用いらｎる生成物が縮合によって形成されるものと想定できる限シ、他の合成経路が除外されるものではない。このモノマーから作られた生成組成物が３０℃、好ましくは６０℃より高いガラス転移温度（Ｔｇ）を示す限り、珪素を含む部分Ｘの精密な特定は臨界的ではない。

もし極めて長い炭素鎖すなわち炭素数が３よｐ多い鎖を用いると、あるいは珪素に結合している置換基がエチル、メチル、又はフェニル基の有する長さよシ長い鎖長を持つものでちれば、典型的にはそのポリマーのＴｇは過度に低くなる。すなわち、３０℃未満の値となる。同様に、共用するフェノールの量、共用する置換フェノールの量およびいかなる置換フェノールの置換基も又ポリマーのＴｇが３０℃以上であるように選ばれる必要がある。

さらに炭素含有部分（Ｒ，Ｒ’、Ｒ“、Ｒ“′）が過大であること、フェノールあるいは珪素部分を有しない置換フェノールの量が過大であることは、酸素含有プラズマに対する材料の抵抗性を著しく低下させるので好ましくない。

一般には、ポリマー中の珪素の重量パーセントが５％を越えるようにすることが望ましい。５％未満の重量パーセントの場合は、酸素に対する十分な抵抗性は得られない。

開示した珪素を含むポリマーそのものを使用しても差し支えない。七扛らの材料を単独で電子線に曝露すると、ニス・アール・ファーレシホルツ（Ｓ、ＲＪａｈｒｅｎｈｏｌ　ｔｚ）がジャーナル・、ｔ−７−バキューム・サイエンス卆アンドーチクノロシイ（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｖａｃｕｕｍ　５ｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　’ｌ’ｅｃｈｎ。

−Ｉｏｇｙ　）　１且、１１１１頁（１９８１）にノボラック系レジストについて報告しているように、その方法に応じて、これらのポリマーはネガ型としても、ポジ型としても働く。

所望のトーンすなわちポジ型又はネガ型を得るためには、た典型的には比較的ゆつくりと紫外線に曝露される。すなわち、２μｍ以下の寸法の像を形成するためには１ジユール／ｄよシ多くの露光量全必要とし、この場合ネガ型として働く。

従って、紫外線については、例えば比較的速い露出、すなわち０．５ジユール／ｄ以下が可能な水準まで感度全土げることが本質的ではないが望ましい。

１つの態様では、この増感は放射線に敏感な溶解度抑制剤を添加することによって達成される。（好適な抑制剤の説明についてはエル・エフ・トンプソン”（Ｌ、Ｆ、　Ｔｈｏｍｐ−ｓｏｎ　ｅｔ　ａｌ　）編、イントロダクション・ツウ・マイクロリングラフ（（Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　）、ニーシーニス・シンポジウム・シリーズ（ＡＣ８ＳｙｍｐｏｓｉｕｍＳｅｒｉｅｓ　）　１１９、第３章、アメリカン・ケミカル・ソサエティ（Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　）、ワシントン拳ディ・シー（１９８３）を参照すれば材料的に異なるポリマーについて記述されている）典型的には、この抑制剤はポリマーの５〜４０重量％の濃度で用いられる。４０％を越えた濃度においては過大感度ロスが生じ、５％未満の濃度では現像に際して過剰希釈が生ずる。

前記ポリマーはすべて縮合反応のような従来技術によって製造される。こｎについては、プリパラテイブ・メソツズ・オブ・ポリマー・ケミストリ（ＰｒｅｐａｒａｔｉｖｅＭｅｔｈｏｄｓ　ｏｆ　ｐｏｌｙｍｅｒ　（ｂｅｍｉｓｔｒｙ　）　、ダブリュー７−ノい）ソーレンスン（Ｗ、Ｒ，５ｏｒｅｎｓｏｎ　）およびティ・ダブリュ・キャンベル（Ｔ、　Ｗ、　Ｃａｍｐｂｅ　ｌ　ｌン、インターサイエンス（Ｉｉｅｒｓｃｉｅｎｃｅ　）　（１９５１）等の多くの著書に広範な記載がある。生成ポリマーの分子量も又リソグラフィの挙動に影響をおよぼす。典型的には５００〜２０．０００の範囲の分子量が望ましい。２０．　ＯＯＯ ’を越える分子量を得ることはむづかしく、５００未満の分子量では上乗せ層の露光部と非露光部との溶解度の差が小さい。

本発明の二層レジスト全加工するには、上乗せ層全紫外線などの適当な放射線に露光する。置換されたナフトキノンジアジド抑制剤の場合には、一般に２５０〜４５０ｎｍの波長範囲にある放射線が用いらｎる。典型的には、入射露光量は０．１〜１ジユール／Ｈの範囲が採用される。

個々に採用さｎる露光量は、露光した領域の異面から、その露光異面領域の下部にある体積を通し下引きレジスト材料までに亘って化学反応を起こすのに十分なものでなければならない。゛このように露光は、現像に２９露光領域の下引きレジスト材料が現われるのに十分な量でなければならない。

現像は溶媒、例えば水酸化ナトリウム又は水酸化テトラメチルアンモニウムなどの塩基水浴液を用いて行われる。典型的には溶媒は、非露光領域の上乗せ層全２５体積％より多く除去することなく、露光領域の上乗せ層を除去するものでなければならない。上乗せ層の現像を行ツタ後、ソノパターンを下引き層に転写する。このパターン転写は基体を酸素プラズマ中に置くことによって達成される。この酸素プラズマ法については、イントロダクション　とλ　マイクロリソグラフィー（工ｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　）、第６章、エル・エフ・トムフラン（Ｌ、　Ｆ、　Ｔｈｏｍｐｓｏｎ　）、シー・シー・ウィルソ：／　（Ｃ，Ｇ、Ｗｉｌｌ−ｓｏｎ　）およびエム９ジエ−ボウデ：／　（Ｋ　Ｊ、　Ｂｏｗｄｅｎ　）編、アメリカン・ケミカル・ソサエティ、シンポジウム・シリーズ２１９、ワシントン・ディ・シー（１９８３）に広範に述べられている。下引き層の除去速度が０．１〜Ｏ−３μｍ／分の範囲となるようにプラズマ全保持するために、出力密度０．００１５〜０．１５ワット／ −の範囲が用いられる。

（これらの条件下で、上乗せ層は０．０１〜０５０５μｍ／分でエツチングされる。）一般にこのプラズマは酸素を含むガス中で発生させる。ガスの全圧は一般に１．３３〜２．６７　Ｐａ　（０，０１〜０．２　Ｔｏｒｒ　）が採用される。

パターンを下引き層に転写した後、この描かれた二層レジストは図中７で示す基体のメタリゼーション、ドーパント拡散、あるいはエツチングのようなプロセス工程に用いられる。次にレジストは除去され、基体の加工は完収して所望の電子デバイスが形放さｎる。

以下の例は本発明を例示するものである。

ｍ−ブロモフェノール約８６．５　ｒ　（０，５モル）を５００ｍ１の丸底フラスコに入ｎる。この材料に５０’ｃＫ加熱し、ヘキサメチルジシラザン４４．８　Ｐ　（２，８モル）金、ガスの発生が激しく起こらないよう、１時間に亘って滴下した。ヘキサメチルジシラザンの添加後、温度を５０℃に２時間保った。得らｎた組成物を圧力フ９９．９ｐａ　（６ａｕｇ　）および温度１００℃で真空蒸留した。生じた留出液を集め、核磁気共鳴スペクトル法により、そｊ、がｍ− ブロモフェノキシトリメチルシランであること全確認した。

マグネシウム約５．３５　ｆ　（２，２モル）ヲ、乾燥し蒸留したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）　Ｉ　ＱｍＡ’および沃化メチル０．３ゴと乾燥チッ素雰囲気を有するフラスコ中で会わせた。乾燥し蒸留したＴＨＦ約５ＱｍＡ！ｉｍ−ブロモフェノール４９ｆ（０，２０モル）と会わせ、得られた混合物を上記のマグネシウムを含む組成物に室温で１．５時間に亘って滴下した。溶液の添加後、得られた混合物全還流温度で１時間加熱し、次いで室温に冷却した。この反応混合物に、クロロトリメチルシラン２２．８　Ｆ　（０，２１モル）を約３０分に亘って滴下した。得られた混合物を還流温度で１時間加熱した後、室温に冷却した。

蒸留水約１００１１１１ｆｉ：、この反応混合物に加え、生じた水性部分全分離し廃棄した。残シの液’ｉｌ−４０ｍｌの蒸留水で２回、さらに飽和塩化ナトリウム水溶液５０ｍ１で洗浄した。その材料を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を除去した。次にこの組成物１１１０１：および５９９．９５　Ｐａ（４，５ｆｉＨｇ）で蒸留した。この手順でトリメチルシリルフェノキシトリメチルシラン（ｍ−ＴＳＰＴＳ）　３０　ｆｔ得た。

ｍ　−ＴＳＰＴＳ約３０ｔｆ９５％エタノール９ゴに溶がした。この溶液に塩酸１滴と蒸留水４ゴを加えた。得られた混合物を５分間攪拌し、１５分間放置し、蒸留水各３０ゴで２回洗浄した。水性部分を廃棄し、残りの部分を乾燥し集めてｍ−トリメチルシリルフェノール約２２１を得た。

機械的攪拌機と凝縮器とを取付けた５ＱＱｍ／フラスコに、フェノール２０１（０，２１モル）、ｍ−トリメチルシリルフェノール２０５’（０，１２モル）、３７％ホルムアルデヒド水溶液２６ｍ１．および蓚酸１．２６　Ｙ　（０，１モル）を仕込んだ。この混合物を攪拌し還流温度で１時間加熱した後、室温まで放冷した。得られた混合物を蒸留水５Ｑｍｌで洗浄した。水性部分を廃棄し、残りの部分を１２０℃および１９９９．８　Ｐａ　（１５ＩＩＩＩＩＨｇ　）の圧力で３０分間加熱した。加熱操作後、得られた生成物を核磁気共鳴スペクトル法を用いて分析したところ、そのトリメチルシリル基の約１０％が合成中に失われたポリマーであることを示した。このポリマーは元素分析による測定では珪素ｆｊｃ７重量％含んでいた。珪素を９％含むポリマーを、ｍ−１−リメチルシリルフェノール２５ｆ（０，１５モル）′（＋−フェノールおよびホルムアルデヒドとの反応に用いた以外は同じ操作によって曾放した。

Ｂ。二層レジストの製造モ分な量のＨＰＲ−２０４（フィリップ・ニー・ハント・ケミカル・カンパニーの独占的製品であって、基本的にはキノンジアジド抑制剤を含む゛ノボラック系レジストである）全シリコン基体（直径７゜６２信）上にスピンして約１声の厚さのレジスト層を得た。これ全空気オーブン中で２００℃にて１時間焼付けた。

Ａ項で合成したポリマー約５ｆｆＯ−キノジシアシト１．２５５’と共にシクロペンタノン２Ｃ）ｍＡ！に溶解した。得られた溶液全１．０μｍテフロン（Ｔｅｆｌｏｎ）　（イー・アイ・デュポン・ドネムア−・アンド・カンパニー・インコーホレーテッドの登録商標）フィルターを用い濾過し友。十分な量のこの溶液を焼付けたノボラックレジスト上に置き、２０００ｒｐｍでスピンさせたとき、厚さ約４００　ｎｍの層を形成するようにした。得られた構造物を空気中で９０ ℃で３０分間焼付は処理した。

Ｃ０露光および現像得られたレジスト全０．５〜１０μｍの範囲のパターンサイズを有するクロム・オン・グラス（Ｃｈｒｏｍｅ−ｏｎ−ｇｌ　ａｓｓ）密着解像度型（ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　）マスクを通して、水銀アークランプを用いて露光した。（この露光はクリップ・アンド−ソファ−７ライナー（Ｋｕｌｉｃｋｅ　ａｎｄ　Ｓｏｆｆａａｌｉｇｎｅｒ　）上で行った。）露光したレジスト金、蒸留水でに８の割合で稀釈し７ｔＡｚ現像液（シブレイ社の独占的製品で、基本的には水酸化カリウムの水溶液である）に６０秒間浸漬した。

得らＡ７’Ｃ構造物を続いて蒸留水で１５秒間洗浄し比。

Ｄ。反応性イオンエツチングタック−１＜キューム・プロダクト社（Ｃｏｏｋ　ｖａｃｕｕｍｐｒｏｄｕｃｔ、　Ｉｎｃ、　）から購入しｆｃＣ７１型高周波直流（Ｍｏｄｅ１７１　ｒ、ｆ、／ｄ、ｃ、　）スパッタリング装置を用いて、上層のパターンを下層に転写した。酸素の流量２１５＋＋＋Ｊ／分とし、エツチング室内の圧力を約２．６７Ｐａ（２０μｍＨｇ）とした。２２５ボルトのバイアスで約１５ワツトの高周波出力？用いて、得られた雰囲気中に高周波放電を発生させた。エツチングは約１０分間継続した。次に、得られた構造物全走査電子顕微鏡を用い、ケンブリッジ・ステレオスキャン（Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ　５ｔｅｒｅｏｓｃａｏ　）　１００　ＳＣＭによシ検査したところ、１μｍの良好な解像度を示した。

国際調査報告

Claims

【特許請求の範囲】１基体上に、放射線感受性組成物のフイルムを含むパターン形成可能な少なくとも１つの領域を形成する工程、該領域の少なくとも一部にパターンを形成する工程、さらに該基体を加工する工程からなるデバイスを作成する方法において、該フイルムが式▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＺはＣＨ２又は▲数式，化学式，表等があります▼であり、Ｒは水素又はメチルであり、Ｘは珪素を含み該組成物のＴｇが３０℃より高いように選ばれ、該組成物の珪素の重量バーントは少なくとも５である。）で表わされるポリマーを含むことを特徴とする方法。２Ｘが（ＣｙＨ２ｙ）ＳｉＲ′Ｒ′′Ｒ′′′（ここで、０≦ｙ≦３であり、Ｒ ′、Ｒ′′およびＲ′′′は個別にメチル、エチル、又はフエニルである）であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の方法。３該領域が、該放射線感受性フイルムと該基体との間に挿入される、選択的除去が可能なさらに一枚のフイルムを含むことを特徴とする請求の範囲第２項に記載の方法。４該選択的除去が、該領域の該パターン形成の間に、酸素プラズマを用いて行われることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の方法。５該放射線感受性組成物が溶解度抑制剤を含むことを特徴とする請求の範囲第２項に記載の方法。６該溶解度抑制剤がナフトキノンジアジドを含むことを特徴とする請求の範囲第５項に記載の方法。７該パターン形成が、該放射線感受性組成物を紫外線に曝露し、次いで該組成物を溶解を用いて現像することを含むことを特徴とする請求の範囲第３項に記載の方法。８選択的除去が可能なフイルムが該放射線感受性領域と該基体との間に挿入されることを特徴とする請求の範囲第７項に記載の方法。９該選択的除去が、該組成物のパターン形成の間に酸素プラズマを用いて行なわれることを特徴とする請求の範囲第８項に記載の方法。０該パターン形成が、該放射線感受性フイルムを露光し、該フイルムを現像し、得られたパターンを酸素プラズマを用いて該挿入フイルムに転写することによって行われることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の方法。