JP2002342990A - 光ディスク用原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク用原盤の製造方法Info
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- JP2002342990A JP2002342990A JP2002075794A JP2002075794A JP2002342990A JP 2002342990 A JP2002342990 A JP 2002342990A JP 2002075794 A JP2002075794 A JP 2002075794A JP 2002075794 A JP2002075794 A JP 2002075794A JP 2002342990 A JP2002342990 A JP 2002342990A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 グルーブまたはランドの表面粗さを小さくし
かつそのテーパ角を大きくすることにより、信号の検出
精度が高くかつ記録密度の高い光磁気ディスクを製造可
能にする。 【解決手段】 ガラス基板７０上にクロム膜７１を形成
する工程（Ｓ２１）と、光ディスクのトラックに対応す
る所定形状に前記クロム膜７１をパターニングする工程
（Ｓ２２〜Ｓ２６）により、光ディスク用の原盤７３を
製造である。
かつそのテーパ角を大きくすることにより、信号の検出
精度が高くかつ記録密度の高い光磁気ディスクを製造可
能にする。 【解決手段】 ガラス基板７０上にクロム膜７１を形成
する工程（Ｓ２１）と、光ディスクのトラックに対応す
る所定形状に前記クロム膜７１をパターニングする工程
（Ｓ２２〜Ｓ２６）により、光ディスク用の原盤７３を
製造である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光ディスク用原盤
の製造方法に関し、さらに詳しくは、光磁気ディスクの
透明基板を成形するための原盤の製造方法に関する。
の製造方法に関し、さらに詳しくは、光磁気ディスクの
透明基板を成形するための原盤の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、記録および再生の可能な光磁気デ
ィスクが提供されているが、この光磁気ディスクの透明
基板には同心円状またはスパイラル状のトラックが形成
されている。このトラックは、透明基板の内部において
凹状をなすランドまたは凸状をなすグルーブから構成さ
れている。
ィスクが提供されているが、この光磁気ディスクの透明
基板には同心円状またはスパイラル状のトラックが形成
されている。このトラックは、透明基板の内部において
凹状をなすランドまたは凸状をなすグルーブから構成さ
れている。
【０００３】図４は、光磁気ディスクの透明基板を製造
する従来の方法を示す工程図である。まず工程Ｓ１にお
いて、円形のガラス基板１４０を作製する。続いて工程
Ｓ２において、ガラス基板１４０上にフォトレジスト１
４１を塗布する。続いて工程Ｓ３において、フォトレジ
スト１４１のうちグルーブとなるべき部分にレーザ光を
同心円状またはスパイラル状に照射する。続いて工程Ｓ
４において、フォトレジスト１４１を現像することによ
り、フォトレジスト１４１を所定形状にパターニングす
る。したがって、ガラス基板１４０上には所定形状のラ
ンド１４３が形成される。ガラス基板１４０の主表面の
うちパターニングされたフォトレジスト１４１で覆われ
ていない部分にはグルーブ１４４が形成される。これに
より、光磁気ディスク用の原盤１４２が完成する。
する従来の方法を示す工程図である。まず工程Ｓ１にお
いて、円形のガラス基板１４０を作製する。続いて工程
Ｓ２において、ガラス基板１４０上にフォトレジスト１
４１を塗布する。続いて工程Ｓ３において、フォトレジ
スト１４１のうちグルーブとなるべき部分にレーザ光を
同心円状またはスパイラル状に照射する。続いて工程Ｓ
４において、フォトレジスト１４１を現像することによ
り、フォトレジスト１４１を所定形状にパターニングす
る。したがって、ガラス基板１４０上には所定形状のラ
ンド１４３が形成される。ガラス基板１４０の主表面の
うちパターニングされたフォトレジスト１４１で覆われ
ていない部分にはグルーブ１４４が形成される。これに
より、光磁気ディスク用の原盤１４２が完成する。
【０００４】続いて工程Ｓ５において、原盤１４２上に
ニッケル膜１４５をメッキする。続いて工程Ｓ６におい
て、原盤１４２をニッケル膜１４５から解離すると、ニ
ッケル膜１４５は光磁気ディスク用のスタンパ１４６と
なる。続いて工程Ｓ７において、スタンパ１４６を金型
として射出成形により光磁気ディスクの透明基板１４７
を作成する。磁性膜は、透明基板１４７の内部において
凹状をなすランド１４３または凸状をなすグルーブ１４
４上に形成される。
ニッケル膜１４５をメッキする。続いて工程Ｓ６におい
て、原盤１４２をニッケル膜１４５から解離すると、ニ
ッケル膜１４５は光磁気ディスク用のスタンパ１４６と
なる。続いて工程Ｓ７において、スタンパ１４６を金型
として射出成形により光磁気ディスクの透明基板１４７
を作成する。磁性膜は、透明基板１４７の内部において
凹状をなすランド１４３または凸状をなすグルーブ１４
４上に形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、光磁
気ディスク用の従来の原盤１４２はフォトリソグラフィ
法により作製しているため、図５に示されるように、ラ
ンド１４３の表面粗さが大きく、また、ランド１４３の
テーパ角αが小さくなるという問題があった。より具体
的には、ランド１４３の幅が０．７μｍで、その高さが
７００Åであり、グルーブ１４４の幅が０．７μｍであ
る場合、ランド１４３の表面粗さは１００Å程度にな
り、また、ランド１４３のテーパ角αは３０°程度にな
る。ランド１４３の表面粗さが大きいと、信号の検出精
度が低下する。また、テーパ角αが小さいと、記録密度
を高くすることは困難である。
気ディスク用の従来の原盤１４２はフォトリソグラフィ
法により作製しているため、図５に示されるように、ラ
ンド１４３の表面粗さが大きく、また、ランド１４３の
テーパ角αが小さくなるという問題があった。より具体
的には、ランド１４３の幅が０．７μｍで、その高さが
７００Åであり、グルーブ１４４の幅が０．７μｍであ
る場合、ランド１４３の表面粗さは１００Å程度にな
り、また、ランド１４３のテーパ角αは３０°程度にな
る。ランド１４３の表面粗さが大きいと、信号の検出精
度が低下する。また、テーパ角αが小さいと、記録密度
を高くすることは困難である。
【０００６】この発明は上記のような問題を解消するた
めになされたもので、信号の検出精度が高くかつ記録密
度の高い光ディスクを作製できる原盤を提供することで
ある。
めになされたもので、信号の検出精度が高くかつ記録密
度の高い光ディスクを作製できる原盤を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、光ディスク用
の原盤を製造する方法であって、基板上に金属膜を形成
する工程と、前記光ディスクのトラックに対応する所定
形状に前記金属膜をパターニングする工程とを含む。ま
た、本発明の光ディスク用原盤の製造方法は、前記パタ
ーニングの工程は、前記金属膜上にレジストを塗布する
工程と、前記所定形状に前記レジストをパターニングす
る工程と、前記金属膜のうち前記レジストで覆われてい
ない部分をドライエッチングする工程と、前記パターニ
ングされたレジストを除去する工程とを含む。
の原盤を製造する方法であって、基板上に金属膜を形成
する工程と、前記光ディスクのトラックに対応する所定
形状に前記金属膜をパターニングする工程とを含む。ま
た、本発明の光ディスク用原盤の製造方法は、前記パタ
ーニングの工程は、前記金属膜上にレジストを塗布する
工程と、前記所定形状に前記レジストをパターニングす
る工程と、前記金属膜のうち前記レジストで覆われてい
ない部分をドライエッチングする工程と、前記パターニ
ングされたレジストを除去する工程とを含む。
【０００８】また、本発明の光ディスク用原盤の製造方
法において、前記基板はガラス基板であることを特徴と
する。また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法にお
いて、前記金属膜はクロム膜であることを特徴とする。
また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法において、
前記レジストは電子線レジストであることを特徴とす
る。
法において、前記基板はガラス基板であることを特徴と
する。また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法にお
いて、前記金属膜はクロム膜であることを特徴とする。
また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法において、
前記レジストは電子線レジストであることを特徴とす
る。
【０００９】また、本発明の光ディスク用原盤の製造方
法において、前記ドライエッチングは異方性エッチング
であることを特徴とする。
法において、前記ドライエッチングは異方性エッチング
であることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同
一または相当部分を示す。図１〜図３は、光磁気ディス
クの透明基板を製造する方法を示す工程図である。
面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同
一または相当部分を示す。図１〜図３は、光磁気ディス
クの透明基板を製造する方法を示す工程図である。
【００１１】まず工程Ｓ２１において、研磨、洗浄した
円形のガラス基板７０上にスパッタリング、ＣＶＤ、蒸
着などによりクロム膜７１を形成する。次いで工程Ｓ２
２〜Ｓ２６において、電子線リソグラフィ法によりクロ
ム膜７１をパターニングする。これにより、原盤７３が
完成する。より具体的には工程Ｓ２２において、スピン
コート法、キャスト法などにより、クロム膜７１上に電
子線レジスト７２を塗布する。ここでは、ポジ型の電子
線レジスト７２を用いている。ポジ型の電子線レジスト
としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリ
ヘキサフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロ
エチルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルα−ク
ロロアクリレート、ポリブテンスルホン、ノボラック＋
ポリメチルぺンテンスルホン、ＰＭＭＡ＋テトラ−ｎ−
ブチルアンモニウムパークロレートなどがある。
円形のガラス基板７０上にスパッタリング、ＣＶＤ、蒸
着などによりクロム膜７１を形成する。次いで工程Ｓ２
２〜Ｓ２６において、電子線リソグラフィ法によりクロ
ム膜７１をパターニングする。これにより、原盤７３が
完成する。より具体的には工程Ｓ２２において、スピン
コート法、キャスト法などにより、クロム膜７１上に電
子線レジスト７２を塗布する。ここでは、ポジ型の電子
線レジスト７２を用いている。ポジ型の電子線レジスト
としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリ
ヘキサフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロ
エチルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルα−ク
ロロアクリレート、ポリブテンスルホン、ノボラック＋
ポリメチルぺンテンスルホン、ＰＭＭＡ＋テトラ−ｎ−
ブチルアンモニウムパークロレートなどがある。
【００１２】電子線レジスト７２を乾燥した後、工程Ｓ
２３において、光磁気ディスクのトラックに対応する所
定形状に電子線レジスト７２を露光する。より具体的に
は、電子線を同心円状またはスパイラル状に照射する。
露光は、たとえば加速電圧を１０ｋＶ、ドーズ量を０．
６μＣ／ｃｍ2にするか、あるいは加速電圧を２０ｋ
Ｖ、ドーズ量を１．２μＣ／ｃｍ2にして行なう。
２３において、光磁気ディスクのトラックに対応する所
定形状に電子線レジスト７２を露光する。より具体的に
は、電子線を同心円状またはスパイラル状に照射する。
露光は、たとえば加速電圧を１０ｋＶ、ドーズ量を０．
６μＣ／ｃｍ2にするか、あるいは加速電圧を２０ｋ
Ｖ、ドーズ量を１．２μＣ／ｃｍ2にして行なう。
【００１３】続いて工程Ｓ２４において、現像およびリ
ンスを行ない、電子線レジスト７２のうち感光部分７２
ａを除去することにより、電子線レジスト７２を所定形
状にパターニングする。現像は、たとえば７２．５／２
７．５の重量比でメチルセロソルブ／イソプロピルアル
コールの混合液で、２２℃、１３分間ディップするか、
９５／５の重量比でエチルセロソルブ／イソプロピルア
ルコールの混合液で、２４℃、６分間スプレーして行な
うか、あるいは９９／１の重量比でエチルセロソルブ／
イソプロピルアルコールの混合液で、２２℃、１３分間
ディップして行なう。メチルセロソルブ／イソプロピル
アルコールの混合液を用いる方法がテーパ角αを大きく
することができる。リンスは、たとえばイソプロピルア
ルコールで１分間デップして行なう。
ンスを行ない、電子線レジスト７２のうち感光部分７２
ａを除去することにより、電子線レジスト７２を所定形
状にパターニングする。現像は、たとえば７２．５／２
７．５の重量比でメチルセロソルブ／イソプロピルアル
コールの混合液で、２２℃、１３分間ディップするか、
９５／５の重量比でエチルセロソルブ／イソプロピルア
ルコールの混合液で、２４℃、６分間スプレーして行な
うか、あるいは９９／１の重量比でエチルセロソルブ／
イソプロピルアルコールの混合液で、２２℃、１３分間
ディップして行なう。メチルセロソルブ／イソプロピル
アルコールの混合液を用いる方法がテーパ角αを大きく
することができる。リンスは、たとえばイソプロピルア
ルコールで１分間デップして行なう。
【００１４】続いて工程Ｓ２５において、クロム膜７１
のうち電子線レジスト７２で覆われていない部分をドラ
イエッチングする。ドライエッチングとしては、異方性
の反応性イオンエッチングが望ましい。反応性イオンエ
ッチングの条件を次の表１に示す。すなわち、ＣＨ2Ｃ
ｌ2を５０〜１００ｓｃｃｍで導入し、反応性イオンエ
ッチング装置内の圧力を０．２〜０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦ
パワーを１．５〜２．５Ｗ／ｃｍ2、エッチング時間を
１００〜１５０秒にする。
のうち電子線レジスト７２で覆われていない部分をドラ
イエッチングする。ドライエッチングとしては、異方性
の反応性イオンエッチングが望ましい。反応性イオンエ
ッチングの条件を次の表１に示す。すなわち、ＣＨ2Ｃ
ｌ2を５０〜１００ｓｃｃｍで導入し、反応性イオンエ
ッチング装置内の圧力を０．２〜０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦ
パワーを１．５〜２．５Ｗ／ｃｍ2、エッチング時間を
１００〜１５０秒にする。
【００１５】
【表１】
【００１６】反応性イオンエッチングのもう１つの条件
を次の表２に示す。すなわち、ＣＣｌ4ガスを３０〜７
０ｓｃｃｍで、または酸素ガスを３０〜６０ｓｃｃｍで
導入し、反応性イオンエッチング装置内の圧力を０．２
〜０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーを０．３〜４．０Ｗ／ｃ
ｍ2、エッチング時間を１００〜１５０秒にしてもよ
い。
を次の表２に示す。すなわち、ＣＣｌ4ガスを３０〜７
０ｓｃｃｍで、または酸素ガスを３０〜６０ｓｃｃｍで
導入し、反応性イオンエッチング装置内の圧力を０．２
〜０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーを０．３〜４．０Ｗ／ｃ
ｍ2、エッチング時間を１００〜１５０秒にしてもよ
い。
【００１７】
【表２】
【００１８】続いて工程Ｓ２６において、酸素プラズ
マ、硫酸などを用いて、パターニングされた電子線レジ
スト７２を除去する。電子線レジスト７２を除去する
と、原盤７３が完成する。クロム膜７１のうち電子線レ
ジスト７２で覆われていた部分はランド７７になり、電
子線レジスト７２で覆われていなかった部分はグルーブ
７９になる。
マ、硫酸などを用いて、パターニングされた電子線レジ
スト７２を除去する。電子線レジスト７２を除去する
と、原盤７３が完成する。クロム膜７１のうち電子線レ
ジスト７２で覆われていた部分はランド７７になり、電
子線レジスト７２で覆われていなかった部分はグルーブ
７９になる。
【００１９】クロム膜７１はスパッタリング法などによ
り形成されているため、ランド７７の表面粗さは従来よ
りも小さくなる。また、クロム膜７１はドライエッチン
グによりパターニングされているため、ランド７７のテ
ーパ角αは従来よりも大きくなる。続いて工程Ｓ２７に
おいて、まず無電解メッキ、スパッタリング、蒸着など
により原盤７３上にニッケル膜７４を形成し、さらに電
解メッキによりニッケル膜７４上にもう１つのニッケル
膜７５を形成する。
り形成されているため、ランド７７の表面粗さは従来よ
りも小さくなる。また、クロム膜７１はドライエッチン
グによりパターニングされているため、ランド７７のテ
ーパ角αは従来よりも大きくなる。続いて工程Ｓ２７に
おいて、まず無電解メッキ、スパッタリング、蒸着など
により原盤７３上にニッケル膜７４を形成し、さらに電
解メッキによりニッケル膜７４上にもう１つのニッケル
膜７５を形成する。
【００２０】続いて工程Ｓ２８において、原盤７３をニ
ッケル膜７４および７５から解離する。これにより、ニ
ッケル膜７４および７５からなるスタンパ７６が完成す
る。続いて工程Ｓ２９において、スタンパ７６を金型と
して用いた射出成形により光磁気ディスクの透明基板７
８を作製する。上記によれば、スパッタリング法などに
よりクロム膜７１を形成するため、ランド７７の表面粗
さは従来よりも小さくなる。また、クロム膜７１をドラ
イエッチングしているため、ランド７７のテーパ角αは
従来よりも大きくなる。その結果、信号の検出精度が高
くかつ記録密度が高い光磁気ディスクの透明基板を製造
することができる。
ッケル膜７４および７５から解離する。これにより、ニ
ッケル膜７４および７５からなるスタンパ７６が完成す
る。続いて工程Ｓ２９において、スタンパ７６を金型と
して用いた射出成形により光磁気ディスクの透明基板７
８を作製する。上記によれば、スパッタリング法などに
よりクロム膜７１を形成するため、ランド７７の表面粗
さは従来よりも小さくなる。また、クロム膜７１をドラ
イエッチングしているため、ランド７７のテーパ角αは
従来よりも大きくなる。その結果、信号の検出精度が高
くかつ記録密度が高い光磁気ディスクの透明基板を製造
することができる。
【００２１】上記の説明ではポジ型の電子線レジスト７
２を用いているが、ネガ型の電子線レジストを用いても
よい。ネガ型の電子線レジストとしては、たとえばポリ
メタクリル酸グリシジル、マレイン酸エステル含有メタ
クリル系高分子、メタクリル酸グリシジル−アクリル酸
エステル共重合体、クロロメチル化ポリスチレン、ヨウ
素化ポリスチレン、塩素化ポリメチルスチレンなどがあ
る。
２を用いているが、ネガ型の電子線レジストを用いても
よい。ネガ型の電子線レジストとしては、たとえばポリ
メタクリル酸グリシジル、マレイン酸エステル含有メタ
クリル系高分子、メタクリル酸グリシジル−アクリル酸
エステル共重合体、クロロメチル化ポリスチレン、ヨウ
素化ポリスチレン、塩素化ポリメチルスチレンなどがあ
る。
【００２２】
【発明の効果】この発明に係る光ディスク用原盤によれ
ば、クロム膜がランドを構成しているため、ランドの表
面粗さが小さくなり、ランドのテーパ角が大きくなる。
その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高い光
ディスクを製造することができる。
ば、クロム膜がランドを構成しているため、ランドの表
面粗さが小さくなり、ランドのテーパ角が大きくなる。
その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高い光
ディスクを製造することができる。
【図１】本発明の光ディスク用原盤の製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図２】図１に続く工程図である。
【図３】図２に続く工程図である。
【図４】光ディスクの透明基板を製造する従来の方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図５】図４の工程に従って製造された光ディスク用原
盤の問題点を説明するための図である。
盤の問題点を説明するための図である。
７０ ガラス基板 ７１ クロム膜 ７２ 電子線レジスト ７３ 原盤 ７４ ニッケル膜 ７５ ニッケル膜 ７６ スタンパ ７７ ランド ７９ グルーブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内原 可治 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 AB06 AB10 LA20 5D121 BA01 BA03 BA05 BA10 BB05 BB33 BB34 GG04
Claims (6)
- 【請求項１】 光ディスク用の原盤を製造する方法であ
って、 基板上に金属膜を形成する工程と、 前記光ディスクのトラックに対応する所定形状に前記金
属膜をパターニングする工程とを含む、光ディスク用原
盤の製造方法。 - 【請求項２】 前記パターニングの工程は、 前記金属膜上にレジストを塗布する工程と、 前記所定形状に前記レジストをパターニングする工程
と、 前記金属膜のうち前記レジストで覆われていない部分を
ドライエッチングする工程と、 前記パターニングされたレジストを除去する工程とを含
むことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク用原盤
の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板はガラス基板であることを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の光ディスク用原
盤の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属膜はクロム膜であることを特徴
とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の光
ディスク用原盤の製造方法。 - 【請求項５】 前記レジストは電子線レジストであるこ
とを特徴とする請求項２に記載の光ディスク用原盤の製
造方法。 - 【請求項６】 前記ドライエッチングは異方性エッチン
グであることを特徴とする請求項２に記載の光ディスク
用原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002075794A JP2002342990A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002075794A JP2002342990A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25035496A Division JPH1097739A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 光ディスク用原盤およびスタンパならびにそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002342990A true JP2002342990A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=19193274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002075794A Pending JP2002342990A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002342990A (ja) |
-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002075794A patent/JP2002342990A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040914 |