JP2002342990A - 光ディスク用原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク用原盤の製造方法Info
- Publication number
- JP2002342990A JP2002342990A JP2002075794A JP2002075794A JP2002342990A JP 2002342990 A JP2002342990 A JP 2002342990A JP 2002075794 A JP2002075794 A JP 2002075794A JP 2002075794 A JP2002075794 A JP 2002075794A JP 2002342990 A JP2002342990 A JP 2002342990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical disk
- master
- resist
- electron beam
- land
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 グルーブまたはランドの表面粗さを小さくし
かつそのテーパ角を大きくすることにより、信号の検出
精度が高くかつ記録密度の高い光磁気ディスクを製造可
能にする。 【解決手段】 ガラス基板70上にクロム膜71を形成
する工程(S21)と、光ディスクのトラックに対応す
る所定形状に前記クロム膜71をパターニングする工程
(S22〜S26)により、光ディスク用の原盤73を
製造である。
かつそのテーパ角を大きくすることにより、信号の検出
精度が高くかつ記録密度の高い光磁気ディスクを製造可
能にする。 【解決手段】 ガラス基板70上にクロム膜71を形成
する工程(S21)と、光ディスクのトラックに対応す
る所定形状に前記クロム膜71をパターニングする工程
(S22〜S26)により、光ディスク用の原盤73を
製造である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は光ディスク用原盤
の製造方法に関し、さらに詳しくは、光磁気ディスクの
透明基板を成形するための原盤の製造方法に関する。
の製造方法に関し、さらに詳しくは、光磁気ディスクの
透明基板を成形するための原盤の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、記録および再生の可能な光磁気デ
ィスクが提供されているが、この光磁気ディスクの透明
基板には同心円状またはスパイラル状のトラックが形成
されている。このトラックは、透明基板の内部において
凹状をなすランドまたは凸状をなすグルーブから構成さ
れている。
ィスクが提供されているが、この光磁気ディスクの透明
基板には同心円状またはスパイラル状のトラックが形成
されている。このトラックは、透明基板の内部において
凹状をなすランドまたは凸状をなすグルーブから構成さ
れている。
【0003】図4は、光磁気ディスクの透明基板を製造
する従来の方法を示す工程図である。まず工程S1にお
いて、円形のガラス基板140を作製する。続いて工程
S2において、ガラス基板140上にフォトレジスト1
41を塗布する。続いて工程S3において、フォトレジ
スト141のうちグルーブとなるべき部分にレーザ光を
同心円状またはスパイラル状に照射する。続いて工程S
4において、フォトレジスト141を現像することによ
り、フォトレジスト141を所定形状にパターニングす
る。したがって、ガラス基板140上には所定形状のラ
ンド143が形成される。ガラス基板140の主表面の
うちパターニングされたフォトレジスト141で覆われ
ていない部分にはグルーブ144が形成される。これに
より、光磁気ディスク用の原盤142が完成する。
する従来の方法を示す工程図である。まず工程S1にお
いて、円形のガラス基板140を作製する。続いて工程
S2において、ガラス基板140上にフォトレジスト1
41を塗布する。続いて工程S3において、フォトレジ
スト141のうちグルーブとなるべき部分にレーザ光を
同心円状またはスパイラル状に照射する。続いて工程S
4において、フォトレジスト141を現像することによ
り、フォトレジスト141を所定形状にパターニングす
る。したがって、ガラス基板140上には所定形状のラ
ンド143が形成される。ガラス基板140の主表面の
うちパターニングされたフォトレジスト141で覆われ
ていない部分にはグルーブ144が形成される。これに
より、光磁気ディスク用の原盤142が完成する。
【0004】続いて工程S5において、原盤142上に
ニッケル膜145をメッキする。続いて工程S6におい
て、原盤142をニッケル膜145から解離すると、ニ
ッケル膜145は光磁気ディスク用のスタンパ146と
なる。続いて工程S7において、スタンパ146を金型
として射出成形により光磁気ディスクの透明基板147
を作成する。磁性膜は、透明基板147の内部において
凹状をなすランド143または凸状をなすグルーブ14
4上に形成される。
ニッケル膜145をメッキする。続いて工程S6におい
て、原盤142をニッケル膜145から解離すると、ニ
ッケル膜145は光磁気ディスク用のスタンパ146と
なる。続いて工程S7において、スタンパ146を金型
として射出成形により光磁気ディスクの透明基板147
を作成する。磁性膜は、透明基板147の内部において
凹状をなすランド143または凸状をなすグルーブ14
4上に形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、光磁
気ディスク用の従来の原盤142はフォトリソグラフィ
法により作製しているため、図5に示されるように、ラ
ンド143の表面粗さが大きく、また、ランド143の
テーパ角αが小さくなるという問題があった。より具体
的には、ランド143の幅が0.7μmで、その高さが
700Åであり、グルーブ144の幅が0.7μmであ
る場合、ランド143の表面粗さは100Å程度にな
り、また、ランド143のテーパ角αは30°程度にな
る。ランド143の表面粗さが大きいと、信号の検出精
度が低下する。また、テーパ角αが小さいと、記録密度
を高くすることは困難である。
気ディスク用の従来の原盤142はフォトリソグラフィ
法により作製しているため、図5に示されるように、ラ
ンド143の表面粗さが大きく、また、ランド143の
テーパ角αが小さくなるという問題があった。より具体
的には、ランド143の幅が0.7μmで、その高さが
700Åであり、グルーブ144の幅が0.7μmであ
る場合、ランド143の表面粗さは100Å程度にな
り、また、ランド143のテーパ角αは30°程度にな
る。ランド143の表面粗さが大きいと、信号の検出精
度が低下する。また、テーパ角αが小さいと、記録密度
を高くすることは困難である。
【0006】この発明は上記のような問題を解消するた
めになされたもので、信号の検出精度が高くかつ記録密
度の高い光ディスクを作製できる原盤を提供することで
ある。
めになされたもので、信号の検出精度が高くかつ記録密
度の高い光ディスクを作製できる原盤を提供することで
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、光ディスク用
の原盤を製造する方法であって、基板上に金属膜を形成
する工程と、前記光ディスクのトラックに対応する所定
形状に前記金属膜をパターニングする工程とを含む。ま
た、本発明の光ディスク用原盤の製造方法は、前記パタ
ーニングの工程は、前記金属膜上にレジストを塗布する
工程と、前記所定形状に前記レジストをパターニングす
る工程と、前記金属膜のうち前記レジストで覆われてい
ない部分をドライエッチングする工程と、前記パターニ
ングされたレジストを除去する工程とを含む。
の原盤を製造する方法であって、基板上に金属膜を形成
する工程と、前記光ディスクのトラックに対応する所定
形状に前記金属膜をパターニングする工程とを含む。ま
た、本発明の光ディスク用原盤の製造方法は、前記パタ
ーニングの工程は、前記金属膜上にレジストを塗布する
工程と、前記所定形状に前記レジストをパターニングす
る工程と、前記金属膜のうち前記レジストで覆われてい
ない部分をドライエッチングする工程と、前記パターニ
ングされたレジストを除去する工程とを含む。
【0008】また、本発明の光ディスク用原盤の製造方
法において、前記基板はガラス基板であることを特徴と
する。また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法にお
いて、前記金属膜はクロム膜であることを特徴とする。
また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法において、
前記レジストは電子線レジストであることを特徴とす
る。
法において、前記基板はガラス基板であることを特徴と
する。また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法にお
いて、前記金属膜はクロム膜であることを特徴とする。
また、本発明の光ディスク用原盤の製造方法において、
前記レジストは電子線レジストであることを特徴とす
る。
【0009】また、本発明の光ディスク用原盤の製造方
法において、前記ドライエッチングは異方性エッチング
であることを特徴とする。
法において、前記ドライエッチングは異方性エッチング
であることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同
一または相当部分を示す。図1〜図3は、光磁気ディス
クの透明基板を製造する方法を示す工程図である。
面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同
一または相当部分を示す。図1〜図3は、光磁気ディス
クの透明基板を製造する方法を示す工程図である。
【0011】まず工程S21において、研磨、洗浄した
円形のガラス基板70上にスパッタリング、CVD、蒸
着などによりクロム膜71を形成する。次いで工程S2
2〜S26において、電子線リソグラフィ法によりクロ
ム膜71をパターニングする。これにより、原盤73が
完成する。より具体的には工程S22において、スピン
コート法、キャスト法などにより、クロム膜71上に電
子線レジスト72を塗布する。ここでは、ポジ型の電子
線レジスト72を用いている。ポジ型の電子線レジスト
としては、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリ
ヘキサフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロ
エチルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルα−ク
ロロアクリレート、ポリブテンスルホン、ノボラック+
ポリメチルぺンテンスルホン、PMMA+テトラ−n−
ブチルアンモニウムパークロレートなどがある。
円形のガラス基板70上にスパッタリング、CVD、蒸
着などによりクロム膜71を形成する。次いで工程S2
2〜S26において、電子線リソグラフィ法によりクロ
ム膜71をパターニングする。これにより、原盤73が
完成する。より具体的には工程S22において、スピン
コート法、キャスト法などにより、クロム膜71上に電
子線レジスト72を塗布する。ここでは、ポジ型の電子
線レジスト72を用いている。ポジ型の電子線レジスト
としては、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリ
ヘキサフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロ
エチルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルα−ク
ロロアクリレート、ポリブテンスルホン、ノボラック+
ポリメチルぺンテンスルホン、PMMA+テトラ−n−
ブチルアンモニウムパークロレートなどがある。
【0012】電子線レジスト72を乾燥した後、工程S
23において、光磁気ディスクのトラックに対応する所
定形状に電子線レジスト72を露光する。より具体的に
は、電子線を同心円状またはスパイラル状に照射する。
露光は、たとえば加速電圧を10kV、ドーズ量を0.
6μC/cm2にするか、あるいは加速電圧を20k
V、ドーズ量を1.2μC/cm2にして行なう。
23において、光磁気ディスクのトラックに対応する所
定形状に電子線レジスト72を露光する。より具体的に
は、電子線を同心円状またはスパイラル状に照射する。
露光は、たとえば加速電圧を10kV、ドーズ量を0.
6μC/cm2にするか、あるいは加速電圧を20k
V、ドーズ量を1.2μC/cm2にして行なう。
【0013】続いて工程S24において、現像およびリ
ンスを行ない、電子線レジスト72のうち感光部分72
aを除去することにより、電子線レジスト72を所定形
状にパターニングする。現像は、たとえば72.5/2
7.5の重量比でメチルセロソルブ/イソプロピルアル
コールの混合液で、22℃、13分間ディップするか、
95/5の重量比でエチルセロソルブ/イソプロピルア
ルコールの混合液で、24℃、6分間スプレーして行な
うか、あるいは99/1の重量比でエチルセロソルブ/
イソプロピルアルコールの混合液で、22℃、13分間
ディップして行なう。メチルセロソルブ/イソプロピル
アルコールの混合液を用いる方法がテーパ角αを大きく
することができる。リンスは、たとえばイソプロピルア
ルコールで1分間デップして行なう。
ンスを行ない、電子線レジスト72のうち感光部分72
aを除去することにより、電子線レジスト72を所定形
状にパターニングする。現像は、たとえば72.5/2
7.5の重量比でメチルセロソルブ/イソプロピルアル
コールの混合液で、22℃、13分間ディップするか、
95/5の重量比でエチルセロソルブ/イソプロピルア
ルコールの混合液で、24℃、6分間スプレーして行な
うか、あるいは99/1の重量比でエチルセロソルブ/
イソプロピルアルコールの混合液で、22℃、13分間
ディップして行なう。メチルセロソルブ/イソプロピル
アルコールの混合液を用いる方法がテーパ角αを大きく
することができる。リンスは、たとえばイソプロピルア
ルコールで1分間デップして行なう。
【0014】続いて工程S25において、クロム膜71
のうち電子線レジスト72で覆われていない部分をドラ
イエッチングする。ドライエッチングとしては、異方性
の反応性イオンエッチングが望ましい。反応性イオンエ
ッチングの条件を次の表1に示す。すなわち、CH2C
l2を50〜100sccmで導入し、反応性イオンエ
ッチング装置内の圧力を0.2〜0.5Torr、RF
パワーを1.5〜2.5W/cm2、エッチング時間を
100〜150秒にする。
のうち電子線レジスト72で覆われていない部分をドラ
イエッチングする。ドライエッチングとしては、異方性
の反応性イオンエッチングが望ましい。反応性イオンエ
ッチングの条件を次の表1に示す。すなわち、CH2C
l2を50〜100sccmで導入し、反応性イオンエ
ッチング装置内の圧力を0.2〜0.5Torr、RF
パワーを1.5〜2.5W/cm2、エッチング時間を
100〜150秒にする。
【0015】
【表1】
【0016】反応性イオンエッチングのもう1つの条件
を次の表2に示す。すなわち、CCl4ガスを30〜7
0sccmで、または酸素ガスを30〜60sccmで
導入し、反応性イオンエッチング装置内の圧力を0.2
〜0.5Torr、RFパワーを0.3〜4.0W/c
m2、エッチング時間を100〜150秒にしてもよ
い。
を次の表2に示す。すなわち、CCl4ガスを30〜7
0sccmで、または酸素ガスを30〜60sccmで
導入し、反応性イオンエッチング装置内の圧力を0.2
〜0.5Torr、RFパワーを0.3〜4.0W/c
m2、エッチング時間を100〜150秒にしてもよ
い。
【0017】
【表2】
【0018】続いて工程S26において、酸素プラズ
マ、硫酸などを用いて、パターニングされた電子線レジ
スト72を除去する。電子線レジスト72を除去する
と、原盤73が完成する。クロム膜71のうち電子線レ
ジスト72で覆われていた部分はランド77になり、電
子線レジスト72で覆われていなかった部分はグルーブ
79になる。
マ、硫酸などを用いて、パターニングされた電子線レジ
スト72を除去する。電子線レジスト72を除去する
と、原盤73が完成する。クロム膜71のうち電子線レ
ジスト72で覆われていた部分はランド77になり、電
子線レジスト72で覆われていなかった部分はグルーブ
79になる。
【0019】クロム膜71はスパッタリング法などによ
り形成されているため、ランド77の表面粗さは従来よ
りも小さくなる。また、クロム膜71はドライエッチン
グによりパターニングされているため、ランド77のテ
ーパ角αは従来よりも大きくなる。続いて工程S27に
おいて、まず無電解メッキ、スパッタリング、蒸着など
により原盤73上にニッケル膜74を形成し、さらに電
解メッキによりニッケル膜74上にもう1つのニッケル
膜75を形成する。
り形成されているため、ランド77の表面粗さは従来よ
りも小さくなる。また、クロム膜71はドライエッチン
グによりパターニングされているため、ランド77のテ
ーパ角αは従来よりも大きくなる。続いて工程S27に
おいて、まず無電解メッキ、スパッタリング、蒸着など
により原盤73上にニッケル膜74を形成し、さらに電
解メッキによりニッケル膜74上にもう1つのニッケル
膜75を形成する。
【0020】続いて工程S28において、原盤73をニ
ッケル膜74および75から解離する。これにより、ニ
ッケル膜74および75からなるスタンパ76が完成す
る。続いて工程S29において、スタンパ76を金型と
して用いた射出成形により光磁気ディスクの透明基板7
8を作製する。上記によれば、スパッタリング法などに
よりクロム膜71を形成するため、ランド77の表面粗
さは従来よりも小さくなる。また、クロム膜71をドラ
イエッチングしているため、ランド77のテーパ角αは
従来よりも大きくなる。その結果、信号の検出精度が高
くかつ記録密度が高い光磁気ディスクの透明基板を製造
することができる。
ッケル膜74および75から解離する。これにより、ニ
ッケル膜74および75からなるスタンパ76が完成す
る。続いて工程S29において、スタンパ76を金型と
して用いた射出成形により光磁気ディスクの透明基板7
8を作製する。上記によれば、スパッタリング法などに
よりクロム膜71を形成するため、ランド77の表面粗
さは従来よりも小さくなる。また、クロム膜71をドラ
イエッチングしているため、ランド77のテーパ角αは
従来よりも大きくなる。その結果、信号の検出精度が高
くかつ記録密度が高い光磁気ディスクの透明基板を製造
することができる。
【0021】上記の説明ではポジ型の電子線レジスト7
2を用いているが、ネガ型の電子線レジストを用いても
よい。ネガ型の電子線レジストとしては、たとえばポリ
メタクリル酸グリシジル、マレイン酸エステル含有メタ
クリル系高分子、メタクリル酸グリシジル−アクリル酸
エステル共重合体、クロロメチル化ポリスチレン、ヨウ
素化ポリスチレン、塩素化ポリメチルスチレンなどがあ
る。
2を用いているが、ネガ型の電子線レジストを用いても
よい。ネガ型の電子線レジストとしては、たとえばポリ
メタクリル酸グリシジル、マレイン酸エステル含有メタ
クリル系高分子、メタクリル酸グリシジル−アクリル酸
エステル共重合体、クロロメチル化ポリスチレン、ヨウ
素化ポリスチレン、塩素化ポリメチルスチレンなどがあ
る。
【0022】
【発明の効果】この発明に係る光ディスク用原盤によれ
ば、クロム膜がランドを構成しているため、ランドの表
面粗さが小さくなり、ランドのテーパ角が大きくなる。
その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高い光
ディスクを製造することができる。
ば、クロム膜がランドを構成しているため、ランドの表
面粗さが小さくなり、ランドのテーパ角が大きくなる。
その結果、信号の検出精度が高くかつ記録密度の高い光
ディスクを製造することができる。
【図1】本発明の光ディスク用原盤の製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図2】図1に続く工程図である。
【図3】図2に続く工程図である。
【図4】光ディスクの透明基板を製造する従来の方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図5】図4の工程に従って製造された光ディスク用原
盤の問題点を説明するための図である。
盤の問題点を説明するための図である。
70 ガラス基板 71 クロム膜 72 電子線レジスト 73 原盤 74 ニッケル膜 75 ニッケル膜 76 スタンパ 77 ランド 79 グルーブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内原 可治 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 Fターム(参考) 2H097 AA03 AB06 AB10 LA20 5D121 BA01 BA03 BA05 BA10 BB05 BB33 BB34 GG04
Claims (6)
- 【請求項1】 光ディスク用の原盤を製造する方法であ
って、 基板上に金属膜を形成する工程と、 前記光ディスクのトラックに対応する所定形状に前記金
属膜をパターニングする工程とを含む、光ディスク用原
盤の製造方法。 - 【請求項2】 前記パターニングの工程は、 前記金属膜上にレジストを塗布する工程と、 前記所定形状に前記レジストをパターニングする工程
と、 前記金属膜のうち前記レジストで覆われていない部分を
ドライエッチングする工程と、 前記パターニングされたレジストを除去する工程とを含
むことを特徴とする請求項1に記載の光ディスク用原盤
の製造方法。 - 【請求項3】 前記基板はガラス基板であることを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の光ディスク用原
盤の製造方法。 - 【請求項4】 前記金属膜はクロム膜であることを特徴
とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載の光
ディスク用原盤の製造方法。 - 【請求項5】 前記レジストは電子線レジストであるこ
とを特徴とする請求項2に記載の光ディスク用原盤の製
造方法。 - 【請求項6】 前記ドライエッチングは異方性エッチン
グであることを特徴とする請求項2に記載の光ディスク
用原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002075794A JP2002342990A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002075794A JP2002342990A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25035496A Division JPH1097739A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 光ディスク用原盤およびスタンパならびにそれらの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002342990A true JP2002342990A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=19193274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002075794A Pending JP2002342990A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002342990A (ja) |
-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002075794A patent/JP2002342990A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4863557A (en) | Pattern forming process and thin-film magnetic head formed by said process | |
JPS6126952A (ja) | 情報記録担体の製造法 | |
JP3058062B2 (ja) | 光ディスク用記録原盤の製造方 | |
JP5798466B2 (ja) | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 | |
JPS6339892B2 (ja) | ||
JP2002342990A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
JP2002334485A (ja) | 光ディスク用原盤 | |
JPH1097739A (ja) | 光ディスク用原盤およびスタンパならびにそれらの製造方法 | |
JPH03100942A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
JP5837811B2 (ja) | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 | |
JP5837812B2 (ja) | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 | |
JPS60256947A (ja) | スタンパ作製方法 | |
JPH03252936A (ja) | 光ディスク用スタンパ | |
JPS58155550A (ja) | 異なる深さを持つ溝を同時に形成する方法 | |
JP2012150441A (ja) | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 | |
JP2004110882A (ja) | 情報記録媒体用スタンパ及び基板の製造方法並びに情報記録媒体 | |
JP2011215242A (ja) | レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 | |
JPH02204023A (ja) | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 | |
JPH01235044A (ja) | 光ディスク基板およびその製造方法 | |
JPH07235016A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH01307035A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
JP2012150442A (ja) | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 | |
JPH03269533A (ja) | フォトマスクの製造方法およびそれに使用する基板 | |
JPH03198237A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造法 | |
JPH06260403A (ja) | ステンシルマスク形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040914 |