JPH1032238A - 被加熱型基板支持構造体 - Google Patents

被加熱型基板支持構造体

Info

Publication number
JPH1032238A
JPH1032238A JP10201897A JP10201897A JPH1032238A JP H1032238 A JPH1032238 A JP H1032238A JP 10201897 A JP10201897 A JP 10201897A JP 10201897 A JP10201897 A JP 10201897A JP H1032238 A JPH1032238 A JP H1032238A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating element
substrate
jacket
heater coil
substrate support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10201897A
Other languages
English (en)
Inventor
M White John
エム． ホワイト ジョン
Chan Lally
チャン ラリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AKT Inc
Original Assignee
Applied Komatsu Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Komatsu Technology Inc filed Critical Applied Komatsu Technology Inc
Publication of JPH1032238A publication Critical patent/JPH1032238A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理チャンバ内で使用される被加熱型の基板
支持プレートを改良すること、特に熱特性を向上させる
ことにある。 【解決手段】 本発明の基板支持プレート１３６は、加
熱要素５４，５６を受け入れるための溝９０，１００を
有している。加熱要素５４，５６は、外被２００と、ヒ
ータコイル２０２と、熱伝導充填材料２０４とから構成
されている。この加熱要素５４，５６は溝９０，１００
内に配置された後、圧縮されて熱伝導充填材料がヒータ
コイルの回りで圧密化されるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、真空処理
チャンバに関し、特に、化学気相堆積チャンバ内の基板
を加熱するための被加熱型基板支持プレート（heated s
ubstrate supportplate）に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学気相堆積（ＣＶＤ）法は、シリコン
基板やガラス基板等の基板上に薄膜層を堆積するための
プロセスである。一般的に、基板は、真空堆積処理チャ
ンバ内で支持され、数百℃に加熱される。そして、堆積
ガスがチャンバ内に導入され、化学反応が生じて、基板
上に薄膜層が形成される。この薄膜層は、誘電体層（窒
化ケイ素や酸化ケイ素）、半導体層（アモルフォスシリ
コン）、又は金属層（タングステン）である。この堆積
プロセスは、プラズマにより促進されるもの（ＰＥＣＶ
Ｄ）や、熱により促進されるものがある。
【０００３】サセプタは、真空堆積処理チャンバ内に基
板を保持するための機械的な部品である。典型的には、
サセプタは、ステム上に取り付けられた基板支持プレー
トを含んでおり、これは、真空処理チャンバ内で基板を
上下させるための昇降アセンブリを伴っている。基板支
持プレートは、堆積プロセスを促進するために加熱され
る。加熱は、誘電体堆積プロセスを生じさせるのに十分
なエネルギを提供するために必要とされる。加熱要素は
基板支持プレート内に設けられているのが典型的であ
る。また、加熱要素は、外被（アウタシース）により囲
まれたヒータコイルを含む管アセンブリであってもよ
い。
【０００４】ここで、加熱要素の所定長さにわたる当該
加熱要素により発生される熱の量を熱密度という。ま
た、電力密度は、加熱要素の所定長さにわたり消費され
る電力量（ワット）を意味する関連の概念である。高い
熱密度と電力密度を有する加熱要素は、加熱要素により
占められる支持プレートの面積を最小にすると共に、基
板を十分に加熱するために、真空堆積プロセスにおいて
好適である。
【０００５】加熱要素に対して高い熱密度・電力密度性
能を得るために、加熱要素の外被は、インカロイ（inco
loy）等の種々の硬い耐熱金属から構成されているのが
一般的である。インカロイは、主として鉄、ニッケル及
びクロムからなる合金であり、インターナショナル・ニ
ッケル・カンパニイ・インコーポレイテッドにより製造
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、加熱要
素の外被と、それが取り付けられる基板支持プレートと
の間の適合性において問題がある。典型的には、基板支
持プレートは、アルミニウム又はアルミニウム合金の高
い耐腐食性及び高い熱伝導特性を利用するために、これ
らの材料から構成されている。加熱要素の外被の構成に
用いるために硬い耐熱金属を選定することは、熱密度・
電力密度特性を改善するためには優れた選び方であるこ
とは分っているが、これと同じ材料を基板支持プレート
を構成するのに用いることはできなかった。これは、前
記材料が一般に熱伝導特性及び耐腐食性に乏しく、高価
であるためである。従って、基板支持プレートは、加熱
要素の外被とは異なる材料から作られていた。基板支持
プレートと加熱要素の外被とが同じ材料から作られない
とすると、非類似材料の熱膨張特性はほぼ同じとしなけ
ればならず、或はまた、設計上、補償されなければなら
ない。そうしなければ、加熱要素が損傷する可能性があ
る。
【０００７】従って、外被が基板支持プレートと同じ材
料から作られ、しかも熱密度・電力密度性能を高くする
ことのできる加熱要素を提供することが望まれている。
【０００８】従って、本発明の目的は、真空処理チャン
バ内で用いられるよう配置された基板支持プレートと同
じ材料から形成された外被を有する加熱要素を提供する
ことにある。
【０００９】また、本発明の別の目的は、高い熱密度・
電力密度の用途のために適正な熱消費を確保すべく圧密
化された熱伝導充填材料（compacted heat conducting
filler material）を有する加熱要素を含んでいる改良
された被加熱型基板支持プレートを提供することにあ
る。
【００１０】本発明の他の目的や利点は、以下の説明に
おいて述べられており、また、以下の説明から明かとな
ろう。また、本発明の目的や利点は、特許請求の範囲に
特に記載した手段及び組合せによって具現化され或は取
得されるものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理チャンバ
内で基板を加熱し支持するための基板支持構造体に関す
る。この基板支持構造体は、加熱要素を受け入れるため
の溝を表面に有する被加熱型基板支持プレートからな
る。加熱要素は、外被と、ヒータコイルと、これらの間
に配置された熱伝導充填材料とを有している。加熱要素
は溝内に配置された後、ヒータコイルの回りで熱伝導充
填材料を圧密化するよう圧縮される。
【００１２】概略的に述べるならば、本発明の一態様に
おいて、溝は所定の深さを有し、加熱要素は前記所定の
深さよりも大きな第１の寸法を有している。加熱要素の
外被は、熱伝導充填材料がヒータコイルの回りで圧密化
される状態で加熱要素が溝内に嵌合されるよう、圧縮に
より変形される。
【００１３】また、本発明の他の態様において、簡単に
述べると、基板支持構造体は、上部プレートと下部プレ
ートとを有している。上部プレートの上面は基板を支持
し、下部プレートは上部プレートに接合される。上部プ
レート又は下部プレートは、第１の深さを有する溝を含
んでいる。加熱要素が前記溝内に配置され、配置前の初
期状態においては、加熱要素は前記第１の深さよりも大
きな第１の寸法を有している。加熱要素の外被は、熱伝
導充填材料がヒータコイルの回りで圧密化される状態で
加熱要素が溝内に嵌合されるよう、圧縮により変形され
る。
【００１４】本発明の更に別の態様において、概略的に
は、基板支持構造体は、内部の基板処理位置で基板を処
理するための真空処理チャンバ内に配置される。基板支
持構造体は、第１の材料から構成されたベースプレート
を含んでおり、このベースプレートは、前記第１の材料
から構成された外被を有する加熱要素を受け入れるため
の溝が配設された上面を有している。
【００１５】更に、本発明の別の態様では、簡単に述べ
ると、基板支持プレートは、回りに内側のループと外側
のループとを形成する複数の溝を有するベースプレート
を備えている。外側のループはベースプレートの周縁の
近傍の経路に沿って延びており、内側のループはベース
プレートの中央部分に近傍の経路に沿って延びている。
加熱要素は前記複数の溝の各々に配置される。各加熱要
素の外被は、当該外被がベースプレートの上面と同一平
面となる状態で溝の対応の一つに嵌合されるよう、圧縮
により変形される。そして、熱伝導充填材料がヒータコ
イルの回りで圧密化される。
【００１６】本発明の利点については次の通りである。
すなわち、基板支持プレートと、当該基板支持プレート
内に配置されこれと同じ材料から作られた加熱要素の外
被とを有する基板支持構造体は、高い熱密度及び電力密
度性能を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明は、真空堆積処理チャンバ
内で用いられる改良された被加熱型の基板支持プレート
であって、加熱要素が内部に配置されたものを提供する
ための装置に関する。
【００１８】図１に示すように、真空堆積処理チャンバ
１３３内の中央に、ステム１３７に取り付けられた被加
熱型基板支持プレート１３６を有するサセプタ１３５が
配置されている。この基板支持プレート１３６の上面１
４５は、ガラスパネルや半導体ウェハのような基板（図
示しない）を、基板処理ないしは反応領域１４１で支持
する。また、サセプタ１３５を上下させるために、リフ
ト機構（図示しない）が設けられている。被加熱型基板
支持プレートは、チャンバ側壁１３４の挿入・取出し口
１４２を通してロボットブレード（図示しない）により
基板をチャンバから出し入れするのを容易化するため
に、基板リフトピン１６２を有している。
【００１９】堆積処理ガス（矢印１２３）が、入口マニ
ホールド１２６、通常の多孔閉塞プレート１２４及び処
理ガス分配面板１２２の穴１２１を通して（図１の基板
処理領域１４１の小さな矢印）、チャンバ１３３内に導
入される。被加熱型基板支持プレート１３６の上面１４
５は、面板１２２に対して平行で、小さな間隔をもって
配置されている。ＲＦ電源（図示しない）がガス分配面
板１２２とサセプタ１３５との間に電力を印加し、処理
ガス混合気を励起して、面板１２２とサセプタ１３５と
の間の領域内に、ＲＥＣＶＤプロセスにおいて、プラズ
マを発生させる。プラズマの成分は、基板支持プレート
１３６上の基板の表面に所望の薄膜を堆積するよう反応
する。
【００２０】堆積処理ガスは、チャンバから、反応領域
を囲むスロット状のオリフィス１３１を通して、排気プ
レナム２２２に排出される。オリフィス１３１とプレナ
ム２２２は、チャンバ側壁１３４の上部（側壁１３４上
の上部誘電体蓋２３４を含む）と、チャンバ蓋２２１の
下部（蓋２２１とガス分配面板１２２の周フランジ１２
５との間の誘電絶縁体１２０を含む）とにより画成され
ている。
【００２１】排気プレナム２２２からガスは、排気プレ
ナムの横方向延長部分２４５の下側を流れ、下向きの延
長ガス流路２３９から真空遮断弁２２６へと流通し、外
部の真空ポンプ（図示しない）に接続された排気出口２
４０内に流れる。
【００２２】図２を参照すると、基板支持プレート１３
６の平面図が示されている。図示するように、基板支持
プレート１３６は、真空堆積処理チャンバ内でガラスパ
ネル３０のような基板を支持するための上面１４５を有
している。基板支持プレート１３６の上面１４５の下側
には加熱要素５６が配置されており、その一部が点線で
示されている。加熱される支持プレートの上面の下に２
つの加熱要素が配置されてもよいが、この図では１つの
みが示されている。
【００２３】図３は、サセプタ１３５のステム１３７に
取り付けられた基板支持プレート１３６を示している。
基板支持プレート１３６は、高純度１００．０１グレー
ドの非陽極酸化の鋳造アルミニウムから作られた矩形形
状のボディとすることができる。基板支持プレートは、
ベースプレート（下部プレート）６０と、上部プレート
２０と、両プレート６０，２０間に配置されたろう付け
領域７０とを有している。ベースプレート６０内には１
対の加熱要素５４，５６が配置されている（図５も見
よ）。
【００２４】ステム１３７は、中空コアを有しており、
被加熱型基板支持プレート１３６のベースプレート６０
と適合するように形成されている。中空コアの内側が大
気圧（雰囲気圧力）であるように、真空気密ジョイント
８５が作られている。
【００２５】熱電対管４０と、加熱要素管５５，５７，
５９，６１（加熱要素管５７，５９，６１は図５に示さ
れている）とが、ステム１３７の中空コア内に配置され
ている。各加熱要素管は、加熱要素のヒータコイルの端
部に取り付けるための導電性のリード線５２（図３に１
本のみ示す）を有している。熱電対管４０は、１対の熱
電対リード線４２を有している。熱電対管４０の被加熱
型支持プレート側の端部において、熱電対リード線４２
は、被加熱型基板支持プレート１３６の温度を計測する
ための接点（図示しない）を形成している。熱電対管４
０と加熱要素管５５，５７，５９，６１とはステム１３
７の端部で終端しており、リード線はヒータコントロー
ラ（図示しない）に接続されている。このヒータコント
ローラは、加熱要素を作動させ、また、被加熱支持プレ
ートの温度をモニタする。
【００２６】ステム１３７についての真空シール及びア
ース接続は、その下面１５０でなされる。ヒータコント
ローラにおける導電性のリード線の端部と熱電対リード
線の端部とに対する接続は、雰囲気環境でなされる。
【００２７】加熱要素５４と加熱要素５６とは、構成
上、同一であるが、長さと、基板支持プレートのベース
プレート部分の周囲に配置されていることのみが異なっ
ている。従って、加熱要素の一方のみの構造を説明す
る。
【００２８】図４に示すように、加熱要素５４は、外被
２００と、ヒータコイル２０２と、これらの間に配置さ
れた熱伝導充填材料２０４とを有している。使用時、熱
伝導充填材料は、ヒータコイルと外被との間に良好な熱
伝導経路を提供することにより、ヒータコイルから外被
への短絡を防止する。その後は、外被は、被加熱型支持
プレートと熱的に連通し、その上の被加熱型支持プレー
トを加熱する。加熱要素のヒータコイルと外被との間の
熱経路における如何なる破壊も、ヒータコイルのオーバ
ヒートを起こし、加熱要素を早期に破損（開回路）す
る。
【００２９】外被２００はアルミニウムから構成され、
コイル２０２はニクロム線（ニッケルとクロムからな
る）から構成されるとよい。一実施形態において、熱伝
導充填材料は酸化マグネシウムである。加熱要素は、例
えば約０．３１４インチ（７．９７６ｍｍ）の直径Ｄを
有する。
【００３０】ここで、図５を参照すると、サセプタ１３
５が、ベースプレート６０及び加熱要素５４，５６を示
すために上部プレート２０とろう付け領域７０が省略さ
れた形で表されている。ベースプレート６０は、加熱要
素５４，５６のそれぞれに対する第１及び第２の溝領域
ないしはチャンネル９０，１００を含んでいる。
【００３１】加熱要素５４，５６内のヒータコイル２０
２の各端部は、概ね線１９７の位置で冷接点により、被
加熱型基板支持プレート１３６内で、加熱要素管５５，
５７，５９，６１内の対応の導電性リード線に接続され
ている。より詳細には、各加熱要素のニクロム製ヒータ
コイルは、被加熱型基板支持プレート１３６の中央が直
接加熱されないように、ほぼこの境界線１９７の位置で
各リード線５２に接着されている。同境界線にて、各加
熱要素５４，５６の外被２００はそれぞれ加熱要素管５
５，５７，５９，６１に接着されている。或は、加熱要
素の外被はステム１３７を下方に延ばされ、リード線５
２を囲み、個別の加熱要素管の必要性を無くすようにし
てもよい。
【００３２】図５に示すように、ベースプレート６０に
おける加熱要素の配置は、内側と外側の溝領域９０，１
００に沿うやや平行な二重ループを提供している。この
二重ループパターンは、ベースプレート全面にわたる実
質的に軸対称の温度分布を提供すると共に、その外側表
面でのより大きな熱損失を考慮している。実質的に軸対
称の温度分布は、中心軸線（基板支持プレートの面に直
角であり且つ基板支持プレートの中心を貫通して基板支
持プレートのステムに平行に延びている線）から等距離
の全ての点についてほぼ一定である温度パターンにより
特徴付けられる。内側と外側のループは、異なる温度で
作動されてもよく、その場合、外側のループは内側ルー
プよりも高温で作動されるのが一般的となろう。
【００３３】減圧されたガス圧力（真空）作動状態下、
被加熱型支持プレートとその上に載置された基板との間
の熱伝導は、被加熱型支持プレートの温度が均一であっ
ても、均一な基板温度とするには不十分である。これ
は、加熱時、被加熱型支持プレート上に載置された基板
が当該基板の縁部分で大きな熱損失を生ずるからであ
る。従って、全面にわたりほぼ均一の温度分布を有する
被加熱型支持プレートは、基板の不均一な熱損失特性を
補償し得ない。
【００３４】内側ループの加熱要素よりも高温で外側ル
ープの加熱要素を作動させることにより、基板の最外周
部、すなわち縁部分での大きな熱損失を補償することが
できる。このようにして、実質的に均一の温度分布が基
板の全面にわたり得られる。一実施形態において、被加
熱型基板支持プレートは、幅が約２６．２６インチ（６
６７．０ｍｍ）、長さが約３２．２６インチ（８１９．
４ｍｍ）の矩形形状であり、これは最大５７０ｍｍ×７
２０ｍｍのフラットパネルディスプレイのためのガラス
基板を処理することを考慮したものである。加熱要素５
４，５６は、被加熱型基板支持プレート１３６の上面１
４５から約１．５インチ（３８．１ｍｍ）の位置に配置
されるとよい。この実施形態において、外側の加熱要素
は、ベースプレートの外縁から約０．６６インチ（１
６．８ｍｍ）の位置に配置され、内側の加熱要素はベー
スプレートの外縁から約７．７５インチ（１９６．９ｍ
ｍ）の位置に配置される。この形態により、被加熱型基
板支持プレート１３６上に配置された基板を均一に加熱
することができる。
【００３５】上述したように、ベースプレート６０は、
加熱要素５４，５６をそれぞれ受け入れる溝領域９０，
１００を有している。溝領域９０，１００は同一構成で
あるので、一方のみ説明する。図６に示すように、溝領
域は、ベースプレート６０内のほぼ半円形の凹部３００
によって特徴付けられる。凹部は、半径Ｒの半円形の窪
み部分３０２を有しており、これは加熱要素を受け入れ
るよう形成されている。また、凹部３００は、ベースプ
レート６０の上面３１０から窪み部分３０２まで延びる
垂直壁３０４，３０６を有している。
【００３６】一実施形態において、窪み部分３０２は、
約０．１５７インチ（３．９８８ｍｍ）の半径Ｒを有す
る。また、垂直壁３０４，３０６は、約０．１０４イン
チ（２．６４２ｍｍ）の高さを有しており、従って、ベ
ースプレート６０の上面３１０からの凹部の全深さＤ１
は約０．２６１インチ（６．６２９ｍｍ）である。
【００３７】図７の（Ａ）には、ベースプレート６０と
加熱要素５６のサブアセンブリ７００が示されている。
なお、加熱要素５４は同様な方法で製造される。組立工
程中、加熱要素は図示するようにベースプレート６０の
凹部３００内に配置される。この構成では、加熱要素の
最上部分４００はベースプレート６０の上面３１０の上
方に突出する。
【００３８】加熱要素は、その周囲に最小の間隙をもっ
て、窪み領域３０２内に遊嵌される。この構成におい
て、加熱要素の高さの約１／６がベースプレート６０の
上面３１０から突出する。図から分るように、加熱要素
はその最上部分４００で、垂直壁３０４，３０６に対し
て、相対的に述べるならば近接していない。
【００３９】図７の（Ａ）の加熱要素・ベースプレート
サブアセンブリの圧縮後が、図７の（Ｂ）に示されてい
る。この圧縮は、加熱要素とベースプレートの溝領域の
全長にわたり５インチ（１２７ｍｍ）の直線部分毎に３
０〜４０トンの力を加える油圧プレスとアルミニウムブ
ロックとの組合せにより行われる。勿論、凹部３００内
の加熱要素を圧縮する手段は他にもある。例えば、非常
に大きな油圧プレスを用い、１回の圧縮工程で加熱要素
の圧縮を行ってもよい。
【００４０】圧縮された加熱要素は、ベースプレート６
０の上面３１０と実質的に同一平面となる上面４１０を
有している。圧縮された加熱要素内における熱伝導用充
填材料２０４の圧密化（compaction）レベルは、圧縮
後、１ｃｍ3当たり約３．０グラムである。この圧密化
レベルは、外被２００との関連でベースプレート６０の
側壁３０４，３０６及び窪み領域３０２により提供され
る支持によって達成される。
【００４１】油圧プレスは、凹部３００内に加熱要素を
圧入するので、熱伝導充填材料２０４は、加熱要素の内
部でヒータコイル２０２の周囲にて圧密化ないしはコン
パクト化される。通常、熱伝導充填材料の圧密化は、外
被２００のアルミニウム構造のために、１ｃｍ3当たり
２．３グラムを越えない。しかしながら、加熱要素を受
け入れるための溝若しくはチャンネル９０，１００の使
用によって、１ｃｍ3当たり３．０グラム以上の圧密化
レベルが可能となる。１ｃｍ3当たり２．７５グラム〜
３．５グラムの圧密化レベルは、電力密度・熱密度の特
性を改善することができる。１ｃｍ3当たり約３．０グ
ラム以上の圧密化レベルが好ましい。
【００４２】図７の（Ｃ）を参照すると、圧密化プロセ
スが完了した後、アルミニウムろう付け材料がベースプ
レート６０に上部プレート２０をろう付けするために用
いられ、ろう付け領域７０が形成されている。ろう付け
は、上部プレート部分とベースプレート部分を接合し、
両部品間の熱伝導性を可能な限り高めるために、行われ
る。なお、溶接によって両プレートを接合してもよい。
【００４３】実際に使用すると、本発明に従って圧縮さ
れた加熱要素は、１インチ（２５．４ｍｍ）当たり７５
Ｗを越える熱密度を維持することができた。更に、加熱
要素の外被と基板支持プレートは共にアルミニウムから
構成されているので、これらの部品の熱膨張特性は同一
である。従って、基板支持プレート及び加熱要素外被の
構成材料として用いられるアルミニウム又はアルミニウ
ム合金の融点に近い動作温度であっても、熱膨張を補償
する必要はない。
【００４４】別の実施形態において、加熱要素５４，５
６は上部プレート２０に設けられた溝内に圧縮されても
よい。上記方法と異なっている点は、ベースプレートに
対向するように加熱要素を上部プレートに配置している
点だけである。
【００４５】また、被加熱型基板支持プレート１３６
を、加熱要素５４，５６を内蔵ないしは埋設した単一の
プレート構造から構成してもよい。内蔵型構造の一実施
形態において、加熱要素５４，５６は、被加熱型基板支
持プレート１３６内に内蔵される前に圧密化される。よ
り詳細には、上述したようにして、加熱要素５４，５６
は支持ブロックの溝領域内に圧入される。支持ブロック
は、加熱要素を受け入れるように上面に溝が切られたア
ルミニウム製の実質的にむくの矩形管である。支持ブロ
ックは、加熱要素の一般的形状（例えば、加熱要素５
４，５６に関連して上述したループパターン）に合うよ
うに形作られている。一つの加熱要素が支持ブロック内
に圧入され、次いで、その組合せ体が基板支持プレート
内に内包される。組合せ体は、金型内に支持ブロックを
配置してその回りに支持プレートを形成することによ
り、内包される。
【００４６】簡単に述べるならば、圧縮可能な加熱要素
を含む基板支持プレートからなる、真空堆積処理チャン
バ内の基板を加熱するための装置は、上述したものであ
る。
【００４７】以上、本発明について特定の実施形態を参
照して説明したが、上記説明は本発明の例示であり、制
限的に解釈すべきものではない。当業者ならば、特許請
求の範囲により特定される本発明の精神及び範囲を逸脱
することなく、種々の変更を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるＰＥＣＶＤ処理チャ
ンバの断面図である。
【図２】基板が載置される被加熱型基板支持プレートの
平面図である。
【図３】被加熱型基板支持プレートとステムとを有する
サセプタを一部切り欠いて示す側面図である。
【図４】被加熱型基板支持プレートのベースプレート内
に配置する前における本発明による加熱要素の断面図で
ある。
【図５】ベースプレートの平面図である。
【図６】図４の６−６線に沿っての断面図であり、加熱
要素を組み付ける前におけるベースプレートの凹部領域
を示す図である。
【図７】（Ａ）は、ベースプレートの凹部領域内に加熱
要素を配置した後におけるベースプレート・サブアセン
ブリを示す図、（Ｂ）は、圧縮後における（Ａ）のサブ
アセンブリを示す図、（Ｃ）は、ベースプレートに上部
プレートをろう付けした後における（Ｂ）のサブアセン
ブリを示す図である。
【符号の説明】
２０…上部プレート、５４，５６…加熱要素、６０…ベ
ースプレート（下部プレート）、６０，１００…溝領
域、１３３…真空処理チャンバ、１３５…サセプタ、１
３６…被加熱型基板支持プレート、１３７…ステム、１
４５…基板支持プレートの上面、２００…外被、２０２
…ヒータコイル、２０４…熱伝導充填材料。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理チャンバ内で基板を加熱し支持する
    ための基板支持構造体であって、 所定の深さを有する溝を表面に含むプレートと、 外被と、ヒータコイルと、前記外被及び前記ヒータコイ
    ルの間に配置された熱伝導充填材料とを有する加熱要素
    と、を備えており、 前記加熱要素は前記溝内に配置され、配置前の初期状態
    においては前記深さよりも大きな第１の寸法を有してお
    り、前記外被は、前記熱伝導充填材料が前記ヒータコイ
    ルの回りで圧密化される状態で前記加熱要素が前記溝内
    に嵌合されるよう、圧縮により変形されることを特徴と
    する、基板支持構造体。
  2. 【請求項２】 前記プレートと前記外被とがアルミニウ
    ムから構成されていることを特徴とする請求項１に記載
    の基板支持構造体。
  3. 【請求項３】 前記熱伝導充填材料が酸化マグネシウム
    であることを特徴とする請求項１に記載の基板支持構造
    体。
  4. 【請求項４】 前記熱伝導充填材料が１ｃｍ3当たり約
    ２．７５グラム〜約３．５グラムに圧密化されることを
    特徴とする請求項３に記載の基板支持構造体。
  5. 【請求項５】 前記熱伝導充填材料が１ｃｍ3当たり約
    ３．０グラム〜約３．５グラムに圧密化されることを特
    徴とする請求項３に記載の基板支持構造体。
  6. 【請求項６】 処理チャンバ内で基板を加熱し支持する
    ための基板支持構造体であって、 第１の深さを有すると共に互いに交差しないように形成
    された第１及び第２の溝を、表面に含むプレートと、 外被と、ヒータコイルと、前記外被及び前記ヒータコイ
    ルの間に配置された熱伝導充填材料とを有する第１及び
    第２の加熱要素と、を備えており、 前記第１及び第２の加熱要素はそれぞれ前記第１及び第
    ２の溝の対応のものに配置され、配置前の初期状態にお
    いては前記第１の深さよりも大きな第１の寸法を有して
    おり、前記外被は、前記熱伝導充填材料が前記ヒータコ
    イルの回りで圧密化される状態で前記第１及び第２の加
    熱要素が前記第１及び第２の溝の対応のものに嵌合され
    るよう、圧縮により変形されることを特徴とする、基板
    支持構造体。
  7. 【請求項７】 処理チャンバ内で基板を加熱し支持する
    ための基板支持構造体であって、 前記基板を支持するための上面及び下面を有する上部プ
    レートを備え、 前記上部プレートの前記下面に接合される上面を有する
    下部プレートを備え、 前記上部プレートと前記下部プレートの一方が第１の深
    さを有する溝を含んでおり、 外被と、ヒータコイルと、前記外被及び前記ヒータコイ
    ルの間に配置された熱伝導充填材料とを有する加熱要素
    を備え、 前記加熱要素は前記溝内に配置され、配置前の初期状態
    においては前記第１の深さよりも大きな第１の寸法を有
    しており、前記外被は、前記熱伝導充填材料が前記ヒー
    タコイルの回りで圧密化される状態で前記加熱要素が前
    記溝内に嵌合されるよう、圧縮により変形されることを
    特徴とする、基板支持構造体。
  8. 【請求項８】 内部の基板処理位置で基板を処理するた
    めの真空処理チャンバと、 前記基板処理位置で前記基板を支持するための被加熱型
    の基板支持構造体と、を備える装置において、 前記基板支持構造体が、（ｉ）第１の材料から構成さ
    れ、第１の深さを有する溝を含んでいるベースプレート
    と、（ii）前記第１の材料から構成された外被と、ヒー
    タコイルと、前記外被及び前記ヒータコイルの間に配置
    された熱伝導充填材料とを有する加熱要素と、を備え、
    前記加熱要素は前記溝内に配置され、配置前の初期状態
    においては前記第１の深さよりも大きな直径を有してお
    り、前記外被は、前記熱伝導充填材料が前記ヒータコイ
    ルの回りで圧密化される状態で前記加熱要素が前記溝内
    に嵌合されるよう、圧縮により変形される、ことを特徴
    とする装置。
  9. 【請求項９】 前記第１の材料がアルミニウムであるこ
    とを特徴とする請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前記熱伝導充填材料が酸化マグネシウ
    ムであることを特徴とする請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記熱伝導充填材料が１ｃｍ3当たり
    約２．７５グラム〜約３．５グラムに圧密化されること
    を特徴とする請求項１０に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 前記熱伝導充填材料が１ｃｍ3当たり
    約３．０グラム〜約３．５グラムに圧密化されることを
    特徴とする請求項１０に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記溝が第１及び第２のチャンネルか
    らなり、前記第１及び第２のチャンネルは、互いに交差
    しないように形成されており、前記第１及び前記第２の
    チャンネルのそれぞれに前記加熱要素の一つが配置され
    ていることを特徴とする請求項８に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 処理チャンバ内で基板を支持するため
    の支持プレートと、 加熱要素とを具備する装置であって、 前記支持プレートは、第１の材料から構成され、表面に
    複数の溝を含んでいるベースプレートを備えており、前
    記溝が所定の深さを有すると共に、前記ベースプレート
    の回りに内側のループと外側のループとを形成してお
    り、前記外側のループは前記ベースプレートの周縁の近
    傍の経路に沿って延びており、前記内側のループは前記
    ベースプレートの中央部分に近傍の経路に沿って延びて
    おり、 前記加熱要素は前記溝の各々に配置され、前記加熱要素
    の各々は、前記第１の材料から構成され且つ初期状態に
    おいて前記深さよりも大きな直径を有する外被と、ヒー
    タコイルと、前記外被及び前記ヒータコイルの間に配置
    された熱伝導充填材料とを含んでおり、 前記加熱要素の各々の前記外被は、当該外被が前記ベー
    スプレートの前記表面と同一平面となり且つ前記熱伝導
    充填材料が前記ヒータコイルの回りで圧密化される状態
    で前記加熱要素が前記溝内に嵌合されるよう、圧縮によ
    り変形される、ことを特徴とする装置。
  15. 【請求項１５】 前記第１の材料がアルミニウムである
    ことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記熱伝導充填材料が酸化マグネシウ
    ムであることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記熱伝導充填材料が１ｃｍ3当たり
    約２．７５グラム〜約３．５グラムに圧密化されること
    を特徴とする請求項１６に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記熱伝導充填材料が１ｃｍ3当たり
    約３．０グラム〜約３．５グラムに圧密化されることを
    特徴とする請求項１７に記載の装置。
JP10201897A 1996-04-19 1997-04-18 被加熱型基板支持構造体 Pending JPH1032238A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/635270 1996-04-19
US08/635,270 US5844205A (en) 1996-04-19 1996-04-19 Heated substrate support structure

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008282281A Division JP5004927B2 (ja) 1996-04-19 2008-10-31 被加熱型基板支持構造体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1032238A true JPH1032238A (ja) 1998-02-03

Family

ID=24547118

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10201897A Pending JPH1032238A (ja) 1996-04-19 1997-04-18 被加熱型基板支持構造体
JP2008282281A Expired - Lifetime JP5004927B2 (ja) 1996-04-19 2008-10-31 被加熱型基板支持構造体

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008282281A Expired - Lifetime JP5004927B2 (ja) 1996-04-19 2008-10-31 被加熱型基板支持構造体

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5844205A (ja)
JP (2) JPH1032238A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003500827A (ja) * 1999-05-19 2003-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチゾーン抵抗ヒータ
JP2006111973A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Applied Materials Inc 加熱基板支持体及びその製造方法
CN100345033C (zh) * 2003-10-31 2007-10-24 Lg.菲利浦Lcd株式会社 淀积工艺设备用基座以及制造该基座内的加热器的方法
JP2010500760A (ja) * 2006-08-08 2010-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板支持体の加熱及び冷却

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6376815B1 (en) * 1998-01-12 2002-04-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Highly gas tight substrate holder and method of manufacturing the same
US6087632A (en) * 1999-01-11 2000-07-11 Tokyo Electron Limited Heat processing device with hot plate and associated reflector
KR20010101716A (ko) * 1999-01-29 2001-11-14 히가시 데쓰로 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US6617553B2 (en) 1999-05-19 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6477980B1 (en) * 2000-01-20 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6772827B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6500356B2 (en) * 2000-03-27 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Selectively etching silicon using fluorine without plasma
US20030010354A1 (en) 2000-03-27 2003-01-16 Applied Materials, Inc. Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber
US6962732B2 (en) 2001-08-23 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby
US6897411B2 (en) * 2002-02-11 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Heated substrate support
US7341673B2 (en) * 2003-08-12 2008-03-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for in situ substrate temperature monitoring by electromagnetic radiation emission
US8372205B2 (en) * 2003-05-09 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
US20040221959A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Anodized substrate support
US20040226513A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform heating of large area substrates
JP4698251B2 (ja) * 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
US20050194374A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Applied Materials, Inc. Heated ceramic substrate support with protective coating
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
WO2005103874A2 (en) * 2004-04-16 2005-11-03 Cascade Basic Research Corp. Modelling relationships within an on-line connectivity universe
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US20060011139A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Applied Materials, Inc. Heated substrate support for chemical vapor deposition
US20060054090A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US20060075970A1 (en) * 2004-10-13 2006-04-13 Guenther Rolf A Heated substrate support and method of fabricating same
TWI375295B (en) * 2005-07-15 2012-10-21 Applied Materials Inc Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
US7429718B2 (en) * 2005-08-02 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Heating and cooling of substrate support
US8709162B2 (en) * 2005-08-16 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Active cooling substrate support
US20070044714A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing
US7641762B2 (en) * 2005-09-02 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber
US8173228B2 (en) * 2006-01-27 2012-05-08 Applied Materials, Inc. Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus
CN101627474A (zh) * 2006-04-20 2010-01-13 Nxp股份有限公司 用于led照明应用的、热沉中的电子器件的热隔离
US8075952B2 (en) 2006-06-29 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Power loading substrates to reduce particle contamination
US7776178B2 (en) * 2006-10-25 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Suspension for showerhead in process chamber
US20080131622A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 White John M Plasma reactor substrate mounting surface texturing
US7942969B2 (en) * 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US20080317973A1 (en) 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
DE102007053348A1 (de) * 2007-10-30 2009-05-07 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Träger für eine elektrische Heizeinrichtung und elektrische Heizeinrichtung sowie Herstellungsverfahren
US8097082B2 (en) * 2008-04-28 2012-01-17 Applied Materials, Inc. Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber
KR101074458B1 (ko) * 2009-06-11 2011-10-18 세메스 주식회사 기판 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2012015036A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Sukegawa Electric Co Ltd プレートヒータ
US9089007B2 (en) * 2012-04-27 2015-07-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate support with multi-zone heating
KR200488076Y1 (ko) * 2013-03-14 2018-12-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 히터를 구비한 기판 지지 페디스털
USD784276S1 (en) * 2013-08-06 2017-04-18 Applied Materials, Inc. Susceptor assembly
US10126790B2 (en) * 2016-05-05 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Dual loop susceptor temperature control system
JP6902382B2 (ja) * 2017-04-12 2021-07-14 日本発條株式会社 ヒータユニット
JP2018181586A (ja) 2017-04-12 2018-11-15 日本発條株式会社 シースヒータ
EP3866565B1 (en) * 2018-10-11 2024-04-17 NHK Spring Co., Ltd. Stage, film forming device, and film processing device
JP2020064841A (ja) * 2018-10-11 2020-04-23 日本発條株式会社 ステージ、成膜装置、および膜加工装置
JP7272777B2 (ja) 2018-10-17 2023-05-12 日本発條株式会社 ヒータ
USD864134S1 (en) * 2018-10-24 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Susceptor
JP6788079B1 (ja) 2019-08-02 2020-11-18 日本発條株式会社 ヒータ、およびステージ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3110795A (en) * 1959-09-17 1963-11-12 Gen Motors Corp Domestic electric appliance
JPS5746488A (en) * 1980-09-01 1982-03-16 Kawai Electric Heater Method of producing heater
JPS58188082A (ja) * 1982-04-28 1983-11-02 株式会社日立ホームテック シ−ズヒ−タ
US5180000A (en) * 1989-05-08 1993-01-19 Balzers Aktiengesellschaft Workpiece carrier with suction slot for a disk-shaped workpiece
DE3915039A1 (de) * 1989-05-08 1990-11-15 Balzers Hochvakuum Hubtisch
US5059770A (en) * 1989-09-19 1991-10-22 Watkins-Johnson Company Multi-zone planar heater assembly and method of operation
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
JP3068914B2 (ja) * 1991-09-30 2000-07-24 株式会社東芝 気相成長装置
JPH05304085A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Fujitsu Ltd 半導体ウェハベーキング装置
JP2542146B2 (ja) * 1992-05-25 1996-10-09 株式会社河合電器製作所 シ―ズヒ―タ
JP2690664B2 (ja) * 1992-08-14 1997-12-10 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター
JPH06189852A (ja) * 1992-12-24 1994-07-12 Toshiba Home Technol Corp 加熱装置の加熱体
JP3267371B2 (ja) * 1993-03-04 2002-03-18 東芝機械株式会社 ウエハの加熱方法及び装置
US5695568A (en) * 1993-04-05 1997-12-09 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
JP3488724B2 (ja) * 1993-04-28 2004-01-19 京セラ株式会社 半導体ウェハ加熱装置
JPH06326081A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Fuji Electric Co Ltd 乾式薄膜加工装置用加熱装置
JPH07153706A (ja) * 1993-05-27 1995-06-16 Applied Materials Inc サセプタ装置
US5595241A (en) * 1994-10-07 1997-01-21 Sony Corporation Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member
US5511608A (en) * 1995-01-04 1996-04-30 Boyd; Trace L. Clampless vacuum heat transfer station

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003500827A (ja) * 1999-05-19 2003-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチゾーン抵抗ヒータ
CN100345033C (zh) * 2003-10-31 2007-10-24 Lg.菲利浦Lcd株式会社 淀积工艺设备用基座以及制造该基座内的加热器的方法
US7411161B2 (en) 2003-10-31 2008-08-12 Lg. Display Co., Ltd Susceptor for deposition process equipment and method of fabricating a heater therein
JP2006111973A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Applied Materials Inc 加熱基板支持体及びその製造方法
KR20060052233A (ko) * 2004-10-13 2006-05-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가열식 기판 지지부 및 상기 기판 지지부의 제조 방법
JP2010500760A (ja) * 2006-08-08 2010-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板支持体の加熱及び冷却
KR200465330Y1 (ko) * 2006-08-08 2013-02-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 지지체의 가열 및 냉각

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009091660A (ja) 2009-04-30
US5844205A (en) 1998-12-01
JP5004927B2 (ja) 2012-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5004927B2 (ja) 被加熱型基板支持構造体
JP5019726B2 (ja) 化学気相成長用の加熱基板支持
KR100974130B1 (ko) 용접된 판과 저항식 히터를 갖는 기판 지지대
US5977519A (en) Heating element with a diamond sealing material
US6818096B2 (en) Plasma reactor electrode
CN102105253B (zh) 高温静电卡盘和使用方法
JP4820137B2 (ja) 発熱体の保持構造体
JP2987085B2 (ja) 半導体ウエハー保持装置、その製造方法およびその使用方法
JP4328009B2 (ja) 加熱装置
JP4490106B2 (ja) 加熱基板支持体
JP4633264B2 (ja) セラミック箔にギザギザをつけたプレートとガスアシストとを有する複合型ヒータ
US8065789B2 (en) Method of fabricating a heated substrate support
JP7290687B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法と基板処理装置
TWI259535B (en) Molding heater for heating semiconductor wafer and fabrication method thereof
JP2006147782A (ja) 半導体基板用マイクロ波加熱セラミックスヒータ
US6825448B2 (en) Low residual-stress brazed terminal for heater
JP4671262B2 (ja) 半導体加熱装置
JP4165745B2 (ja) 半導体ウェハ保持装置
KR100532142B1 (ko) 화학 기상 증착용 석영몰드 히터 어셈블리
JP3497969B2 (ja) 複層セラミックスヒータ
KR20230067495A (ko) 웨이퍼 배치대
KR20230060695A (ko) 서셉터
TW202303828A (zh) 晶圓支持台以及射頻桿
JP5426618B2 (ja) 絶縁構造体、加熱装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法
JPS6026438Y2 (ja) 電子管用陰極構体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040405

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080603

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080804

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080804

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080902