JPH10319593A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物

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JPH10319593A
JPH10319593A JP9131948A JP13194897A JPH10319593A JP H10319593 A JPH10319593 A JP H10319593A JP 9131948 A JP9131948 A JP 9131948A JP 13194897 A JP13194897 A JP 13194897A JP H10319593 A JPH10319593 A JP H10319593A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アルカリ性水溶液で現像でき、高解像度、高
感度であり、しかも、耐熱性、耐溶剤性、透明性等の諸
特性とともに、従来これらの特性と同時に実現すること
が困難であった低誘電特性の優れたパターン状薄膜を容
易に形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供
すること。 【解決手段】 （Ａ）、（ａ−１）ヘキサフルオロプロ
ピレン、（ａ−２）不飽和カルボン酸および／または不
飽和カルボン酸無水物および（ａ−３）上記（ａ−１）
成分および（ａ−２）成分と共重合可能な不飽和化合物
との含フッ素共重合、（Ｂ）、放射線の照射を受けて酸
を発生する酸発生化合物、（Ｃ）、架橋性化合物並びに
（Ｄ）、前記（Ａ）成分、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分
を溶解している有機溶媒からなることを特徴とする感放
射線性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関する。さらに詳しくは、半導体集積回路、液晶
ディスプレイ（以下、「ＬＣＤ」という）用薄膜トラン
ジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）回路などの回路製造
用のマスクを作成するためのネガ型レジストとして、さ
らには層間絶縁膜、カラーフィルタ用保護膜などの永久
膜形成材料としても好適な感放射線性樹脂組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路（以下、「ＩＣ」
という）の製造においては、高解像度を有するとともに
高感度を有するレジストとして用いられる感放射線性樹
脂組成物が求められている。
【０００３】すなわち、ＩＣの製造の際には、サブミク
ロン以下の高解像度が得られるレジストが要求されるこ
ともあるが、一般的には数μｍ〜数十μｍオーダーの解
像度が得られ、且つ特に大口径化されたシリコンウェハ
を用いてスループットを上げても高い歩留まりを示す高
感度レジストが強く要望されている。
【０００４】また、例えばＩＣの製造の際のシリコンウ
ェハのエッチング工程では、大量にバッチ処理が可能な
ウェットエッチング方式で行われることが多く、このた
め形成されるレジストパターンには、基板との密着性や
エッチング液に侵されない耐薬品性が必要とされる。ま
たイオンインプラ工程などが加わる場合には、高温加熱
に耐えうる耐熱性が要求される。
【０００５】そして、ネガ型レジストとしては、ポリヒ
ドロキシスチレンやノボラック樹脂をベースに、放射線
を受けることにより酸を発生する酸発生化合物と、メチ
ロールメラミン、アルコキシメラミン等の架橋剤とが添
加されてなる化学増幅型ネガ型レジストが開発されてい
る。しかしながら、これらの化学増幅型ネガ型レジスト
は、例えば工程上の理由により、放射線を照射してか
ら、その後に行われる加熱処理（以下「ＰＥＢ処理」と
もいう。）を行うまでの間の時間を変えたり、あるいは
ＰＥＢ処理の加熱温度を変えることによって、得られる
パターンの寸法が著しく変化するという問題が指摘され
ている。更に、これらの化学増幅型ネガ型レジストは、
加熱処理を行うことにより変色するため、液晶カラーフ
ィルターの保護膜やマイクロレンズ等の光学材料に使用
することができないという欠点がある。
【０００６】一方近年、急速に発展してきたＬＣＤにお
いて、ＬＣＤの中でもとりわけ１画素ごとにＴＦＴを組
み込んだアクティブマトリクス型ＬＣＤ（以下、「ＡＭ
−ＬＣＤ」という）は、その応答速度の早さからブラウ
ン管に代わる次世代表示デバイスの本命とみなされてお
り、表示画面の大面積化が望まれている。このようなＡ
Ｍ−ＬＣＤのＴＦＴ回路の形成にも、ＩＣの場合と同様
にレジストが用いられている。
【０００７】さらにＬＣＤを製造する際には、従来熱硬
化性樹脂組成物を用いて形成されている層間絶縁膜、カ
ラーフィルター用保護膜などの永久膜を、レジストと同
様の組成物で形成しようとする試みが行われている。
【０００８】このようなＬＣＤの永久膜には、高解像
性、耐熱性、耐薬品性、透明性、絶縁性などが要求され
るが、上記のような従来のネガ型レジストでは、耐薬品
性、基板との密着性、耐熱性、透明性、絶縁性などの点
で充分満足のいく永久膜を形成できるものではなかっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、アル
カリ性水溶液で現像でき、高感度であり、しかも、絶縁
性、平坦性、耐熱性、耐溶剤性、透明性等の諸特性とと
もに、従来これらの特性と同時に実現することが困難で
あった低誘電特性の優れたパターン状薄膜を容易に形成
することができる新しい感放射線性樹脂組成物を提供す
ることである。
【００１０】本発明の他の目的は、ＩＣ、ＬＣＤ用ＴＦ
Ｔ回路などの回路製造用や、ＬＣＤの層間絶縁膜、カラ
ーフィルター保護膜、回路保護膜等で例示される永久膜
を形成するためのものであって、耐熱性、基板との密着
性、可視光領域における透明性、耐薬品性、絶縁性など
に優れた永久膜を与え得る感放射線性樹脂組成物を提供
することである。本発明のさらに他の目的および利点
は、以下の説明から明らかになろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、（Ａ）、（ａ−１）ヘキサフ
ルオロプロピレン、（ａ−２）不飽和カルボン酸および
／または不飽和カルボン酸無水物および（ａ−３）上記
（ａ−１）成分および（ａ−２）成分と共重合可能な不
飽和化合物との含フッ素共重合体、（Ｂ）、放射線の照
射を受けて酸を発生する酸発生化合物、（Ｃ）、架橋性
化合物並びに（Ｄ）、前記（Ａ）成分、（Ｂ）成分およ
び（Ｃ）成分を溶解している有機溶媒からなることを特
徴とする感放射線性樹脂組成物によって達成される。
【００１２】以下、本発明の感放射線性樹脂組成物につ
いて具体的に説明する。
【００１３】＜（Ａ）成分＞（Ａ）成分として用いられ
る重合体は、（ａ−１）ヘキサフルオロプロピレンと、
（ａ−２）不飽和カルボン酸および／または不飽和カル
ボン酸無水物と、（ａ−３）上記（ａ−１）成分および
（ａ−２）成分と共重合可能な不飽和化合物との含フッ
素共重合体である。
【００１４】かかる重合体を構成する（ａ−２）成分の
不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸無水
物としては、例えばクロトン酸、マレイン酸、３−ブテ
ン酸、４−ペンテン酸、イタコン酸などの不飽和モノ−
またはジ−カルボン酸；（メタ）アクリロイルオキシ酢
酸、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピオン酸、２
−（メタ）アクリロイルオキシプロピオン酸、４−（メ
タ）アクリロイルオキシブタン酸などのヒドロキシ脂肪
酸の（メタ）アクリレート；４−（メタ）アクリロイル
オキシ安息香酸、３−（メタ）アクリロイルオキシ安息
香酸、２−（メタ）アクリロイルオキシ安息香酸、４−
（メタ）アクリロイルオキシフタル酸、３−（メタ）ア
クリロイルオキシフタル酸、４−（メタ）アクリロイル
オキシイソフタル酸、５−（メタ）アクリロイルオキシ
イソフタル酸、２−（メタ）アクリロイルオキシテレフ
タル酸などの芳香族ヒドロキシカルボン酸の（メタ）ア
クリレート；コハク酸モノ（２−（メタ）アクリロイル
オキシ）エチル、フタル酸モノ（２−（メタ）アクリロ
イルオキシ）エチル、イソフタル酸モノ（２−（メタ）
アクリロイルオキシ）エチル、テレフタル酸モノ（２−
（メタ）アクリロイルオキシ）エチル、テトラヒドロフ
タル酸モノ（２−（メタ）アクリロイルオキシ）エチ
ル、テトラヒドロイソフタル酸モノ（２−（メタ）アク
リロイルオキシ）エチル、テトラヒドロテレフタル酸モ
ノ（２−（メタ）アクリロイルオキシ）エチルなどのジ
カルボン酸のモノ（メタ）アクリロイルオキシエチルエ
ステル；イタコン酸のモノメチル、モノエチル、モノプ
ロピル、モノ−ｉ−プロピル、モノブチル、モノ−ｓｅ
ｃ−ブチル、モノ−ｔｅｒｔ−ブチルなどの不飽和カル
ボン酸の、カルボキシル基を有するモノアルキルエステ
ル；
【００１５】無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シ
トラコン酸、無水ムコン酸、３−ビニルフタル酸無水
物、４−ビニルフタル酸無水物、メチル−５−ノルボル
ネン２,３−ジカルボン酸無水物、５−ノルボルネン−
２,３−ジカルボン酸無水物、３,４,５,６−テトラヒド
ロフタル酸無水物、ｃｉｓ−１,２,３,６−テトラヒド
ロフタル酸無水物、ジメチルテトラヒドロ無水フタル酸
などの不飽和酸カルボン酸の酸無水物；などが挙げられ
る。これらのカルボキシル基含有単量体は単独でも２種
以上の併用してもよい。
【００１６】上記（ａ−１）成分および（ａ−２）成分
と共重合可能な（ａ−３）成分である不飽和化合物とし
ては、例えば２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、３
−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、２-ヒドロキシ
プロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニル
エーテル、３−ヒドロキシブチルビニルエーテル、５−
ヒドロキシペンチルビニルエーテル、６−ヒドロキシヘ
キシルビニルエーテルなどの水酸基含有ビニルエーテ
ル；２−ヒドロキシエチルアリルエーテル、４−ヒドロ
キシブチルアリルエーテル、グリセロールモノアリルエ
ーテルなどの水酸基含有アリルエーテル；アリルアルコ
ール；
【００１７】メチルビニルエーテル、エチルビニルエー
テル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニ
ルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビ
ニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテル、ｎ−
ペンチルビニルエーテル、ｎ−ヘキシルビニルエーテ
ル、ｎ−オクチルビニルエーテル、ｎ−ドデシルビニル
エーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロ
ヘキシルビニルエーテルなどのアルキルビニルエーテル
もしくはシクロアルキルビニルエーテル；
【００１８】パーフルオロ（メチルビニルエーテル）、
パーフルオロ（エチルビニルエーテル）、パーフルオロ
（プロピルビニルエーテル）、パーフルオロ（ブチルビ
ニルエーテル）、パーフルオロ（イソブチルビニルエー
テル）、パーフルオロ（プロポキシプロピルビニルエー
テル）などのパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）
もしくはパーフルオロ（アルコキシアルキルビニルエー
テル）；あるいは式ＣＨ2＝ＣＨーＯーＲｆ（Ｒｆはフ
ッ素原子を含むアルキル基もしくはアルコキシアルキル
基を示す）で表される（フルオロアルキル）ビニルエー
テルもしくは（フルオロアルコキシアルキル）ビニルエ
ーテル；
【００１９】フッ化ビニリデン、クロロトリフルオロエ
チレン、３,３,３−トリフルオロプロピレン、テトラフ
ルオロエチレンなどのフルオロオレフィン；
【００２０】酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビ
ニル、ピバリン酸ビニル、カプロン酸ビニル、バーサチ
ック酸ビニル、ステアリン酸ビニルなどのカルボン酸ビ
ニルエステル；
【００２１】エチレン、プロピレン、イソブテンなどの
α-オレフィン；
【００２２】２,２,２−トリフルオロエチル（メタ）ア
クリレート、２,２,３,３,３−ペンタフルオロプロピル
（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロブチル）エ
チル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロヘキシ
ル）エチル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロ
オクチル）エチル（メタ）アクリレート、２−（パーフ
ルオロデシル）エチル（メタ）アクリレートなどのフッ
素含有（メタ）アクリル酸エステル；
【００２３】メチル（メタ）アクリレート、エチル（メ
タ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、
イソブチル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル
（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−（ｎ−プロポキシ）エチル（メタ）ア
クリレートなどの（メタ）アクリル酸エステル；
【００２４】グリシジル（メタ）アクリレート、α−エ
チルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ｎ−プロピ
ルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ｎ−ブチルグ
リシジル（メタ）アクリレート、３,４−エポキシブチ
ル（メタ）アクリレート、３,４−エポキシヘプチル
（メタ）アクリレート、α−エチル−６,７−エポキシ
ヘプチル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メ
タ）アクリレート；アリルグリシジルエーテル、２−ビ
ニルシクロヘキセンオキサイド、３−ビニルシクロヘキ
センオキサイド、４−ビニルシクロヘキセンオキサイド
等のエポキシ基含有不飽和脂肪族化合物；ビニルグリシ
ジルエーテル、２−ビニルベンジルグリシジルエーテ
ル、３−ビニルベンジルグリシジルエーテル、４−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−２−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−３−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−４−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、２,３−ジグリシジル
オキシメチルスチレン、２,４−ジグリシジルオキシメ
チルスチレン、２,５−ジグリシジルオキシメチルスチ
レン、２,６−ジグリシジルオキシメチルスチレン、２,
３,４−トリグリシジルオキシメチルスチレン、２,３,
５−トリグリシジルオキシメチルスチレン、２,３,６−
トリグリシジルオキシメチルスチレン、３,４,５−トリ
グリシジルオキシメチルスチレン、２,４,６−トリグリ
シジルオキシメチルスチレン等のグリシジルエーテルな
どが挙げられる。これらの単量体は単独でも２種以上併
用してもよい。
【００２５】かかる共重合可能な単量体のうち、本発明
における含フッ素共重合体の収率を高める点から、フッ
素原子を含まない単量体としてはアルキルビニルエーテ
ル、シクロアルキルビニルエーテル、カルボン酸ビニル
エステルが好適に使用される。なかでも含フッ素共重合
体のフッ素含量を高める点で、例えばメチルビニルエー
テル、エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエー
テル、イソプロピルビニルエーテル、酢酸ビニル、プロ
ピオン酸ビニル、酪酸ビニル、ピバリン酸ビニルなどの
低分子量単量体が特に好ましい。さらにはヘキサフルオ
ロプロピレンとパーフルオロアルキルパーフルオロビニ
ルエーテル、パーフルオロアルコキシアルキルパーフル
オロビニルエーテルとを併用することも好適である。ま
た、含フッ素共重合体の高硬度化には、例えばイソプロ
ピルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテ
ル、ピバリン酸ビニルなどの分岐状単量体の使用が有効
である。
【００２６】本発明における含フッ素共重合体を構成す
る各単量体の比率としては、ヘキサフルオロプロピレン
２０〜７０重量％、好ましくは２５〜５５重量％、不飽
和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸無水物１
〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％、他の共重
合可能な単量体１０〜７０重量％である。この場合、ヘ
キサフルオロプロピレンが５３重量％未満となる場合に
はフッ素含量を高めるべく、例えば、パーフルオロ（ア
ルキルビニルエーテル）あるいはパーフルオロ（アルコ
キシアルキルビニルエーテル）のようなヘキサフルオロ
プロピレン以外の他の含フッ素単量体を共重合すること
が望ましい。また、含フッ素共重合体における全フッ素
含量は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４
５重量％以上である。不飽和カルボン酸および／または
不飽和カルボン酸無水物の構造単位の割合が１重量％未
満の場合には、重合体のアルカリ溶解度が低下し、しか
も、十分な架橋密度が得難く、感度や残膜率が低下する
場合がある。
【００２７】含フッ素重合体は、通常、前記（ａ−
１）、（ａ−２）および（ａ−３）の特定単量体、また
は特定単量体と共重合性単量体とを、重合溶媒中でラジ
カル重合することにより製造される。また、必要に応じ
て、特定単量体および共重合性単量体の官能基を保護し
た状態でこれらを重合し、その後、脱保護処理を行って
もよい。
【００２８】含フッ素共重合体を製造するために用いら
れる重合溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチ
ルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール
等のアルコール；テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
環状エーテル；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素；Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン等のアミド系非プロトン性極性溶
媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エ
チル等のエステル；３−メトキシプロピオン酸メチル、
２−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピ
オン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、３−
エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン
酸エチル等のアルコキシエステル；エチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリ
コールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメ
チルエーテル等の（ジ）グリコールジアルキルエステ
ル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノエチルエーテル等の（ジ）グリコールモノアル
キルエーテル；プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、カルビトールアセテート、エチルセロソ
ルブアセテート等のグリコールモノアルキルエーテルエ
ステル；シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトンを挙げ
ることができる。これらの重合溶媒は単独でまたは２種
類以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】重合溶媒と反応原料との割合は特に限定さ
れないが、通常、反応原料１００重量部に対して重合溶
媒２０〜１,０００重量部である。
【００３０】ラジカル重合のための重合開始剤として
は、例えば２,２’−アゾビスイソブチロニトリル、２,
２’−アゾビス−（２,４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２,２’−アゾビス（４−メトキシ−２,４−ジメ
チルバレロニトリル）等のアゾ化合物、ベンゾイルパー
オキシド、ラウロイルパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチル
パーオキシピバレート、１,１−ビス−（ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物また
は過酸化水素を挙げることができる。過酸化物を重合開
始剤として使用する場合には、これと還元剤とを組み合
わせてレドックス系重合開始剤として使用してもよい。
【００３１】含フッ素共重合体は、そのポリスチレン換
算数平均分子量が、通常、１,０００〜２００,０００、
好ましくは２,０００〜７０,０００のものである。ポリ
スチレン換算数平均分子量が１,０００未満の含フッ素
共重合体を用いる場合には、得られるパターンの形状が
不良なものとなったり、パターンの残膜率が低下した
り、パターンの耐熱性が低下したりする場合がある。一
方、ポリスチレン換算数平均分子量が２００,０００を
超える含フッ素共重合体を用いる場合には、感放射線性
樹脂組成物の塗布性が不良となったり、現像性が低下し
たり、また、得られるパターンの形状が不良となったり
する場合がある。
【００３２】＜（Ｂ）成分＞（Ｂ）成分である放射線の
照射を受けて酸を発生する酸発生化合物としては、例え
ばトリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、ジアリールヨ
ードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等を用いる
ことができる。
【００３３】上記トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類
としては、例えばトリス（２,４,６−トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−ビス（４,６−
トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−クロ
ロフェニル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ
−トリアジン、２−（３−クロロフェニル）−ビス
（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
（２−クロロフェニル）−ビス（４,６−トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニ
ル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（３−メトキシフェニル）−ビス（４,６−
トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メト
キシフェニル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−ビ
ス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２
−（３−メチルチオフェニル）−ビス（４,６−トリク
ロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メチルチオ
フェニル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−ビス
（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
（３−メトキシナフチル）−ビス（４,６−トリクロロ
メチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシナフチ
ル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−ビス
（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
（３−メトキシ−β−スチリル）−ビス（４,６−トリ
クロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシ
−β−スチリル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）
−ｓ−トリアジン、２−（３,４,５−トリメトキシ−β
−スチリル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ
−トリアジン、２−（４−メチルチオ−β−スチリル）
−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−ビス
（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
（３−メチルチオ−β−スチリル）−ビス（４,６−ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−
ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、
２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−ビス
（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−ビ
ス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２
−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）
エテニル］−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン等が挙げられる。
【００３４】上記ジアリールヨードニウム塩としては、
例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレー
ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネー
ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホ
ナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテー
ト、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナー
ト、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラ
フルオロボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨー
ドニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフ
ェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフ
ルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェ
ニルヨードニウムトリフルオロアセテート、４−メトキ
シフェニルフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホ
ナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセ
テート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウム−ｐ−トルエンスルホナート等が挙げられる。
【００３５】上記トリアリールスルホニウム塩として
は、例えばトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボ
レート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホス
ホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフル
オロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トル
エンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルス
ルホニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェ
ニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネー
ト、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルジフェ
ニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４
−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオ
ロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホ
ニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−フェニルチオ
フェニルジフェニルテトラフルオロボレート、４−フェ
ニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオロホスホネー
ト、４−フェニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオ
ロアルセネート、４−フェニルチオフェニルジフェニル
トリフルオロメタンスルホナート、４−フェニルチオフ
ェニルジフェニルトリフルオロアセテート、４−フェニ
ルチオフェニルジフェニル−ｐ−トルエンスルホナート
等が挙げられる。
【００３６】これらの化合物のうち、トリクロロメチル
−ｓ−トリアジン類としては、２−（３−クロロフェニ
ル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（４−メトキシフェニル）−ビス（４,６−
トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチ
ルチオフェニル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）
−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリ
ル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−ピペロニル−ビス（４,６−トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イ
ル）エテニル］−ビス（４,６−トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−
イル）エテニル］−ビス（４,６−トリクロロメチル）
−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−
２−メチルフェニル）エテニル］−ビス（４,６−トリ
クロロメチル）−ｓ−トリアジンまたは２−（４−メト
キシナフチル）−ビス（４,６−トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン；ジアリールヨードニウム塩としては、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフ
ェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホナートまたは４−メトキシフェニルフェ
ニルヨードニウムトリフルオロアセテート；トリアリー
ルスルホニウム塩としては、トリフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホ
ニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニル
ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナー
ト、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリ
フルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェ
ニルトリフルオロメタンスルホナートまたは４−フェニ
ルチオフェニルジフェニルトリフルオロアセテートをそ
れぞれ好ましいものとして挙げることができる。
【００３７】（Ｂ）成分の使用割合は、（Ａ）成分１０
０重量部に対して、０.００１〜３０重量部、特に、０.
０１〜１０重量部であることが好ましい。（Ｂ）成分の
使用割合が（Ａ）成分１００重量部に対して０.００１
重量部未満の場合には、放射線の照射を受けて発生する
酸の量が少ないため、（Ａ）成分の分子の架橋が十分に
進まず、現像処理後における残膜率、得られるパターン
の耐熱性、耐薬品性、基板との密着性等が低下する場合
がある。一方、（Ｂ）成分の使用割合が（Ａ）成分１０
０重量部に対して３０重量部を超える場合には、当該組
成物は、感度の低いものとなりやすい。
【００３８】＜（Ｃ）成分＞（Ｃ）成分である架橋性化
合物は、前記（Ｂ）より発生した酸の作用により架橋さ
れうる基（以下「架橋基」という）を少なくとも１つ有
する化合物である。この架橋基としては、アミノ基、ア
ルコキシアルキル基、エポキシ基が好ましい基として挙
げられ、アルコキシアルキル基としては、アルコキシメ
チル基がさらに好ましい。アミノ基または／およびアル
コキシアルキル基を少なくとも１つ含有する化合物の具
体例としては、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、
グリコールウリル樹脂、尿素樹脂、アルコキシメチル化
メラミン樹脂、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン樹
脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂、アルコ
キシメチル化尿素樹脂等を挙げることができる。
【００３９】上記アルコキシメチル化メラミン樹脂、ア
ルコキシメチル化ベンゾグアナミン樹脂、アルコキシメ
チル化グリコールウリル樹脂およびアルコキシメチル化
尿素樹脂は、それぞれメチロール化メラミン樹脂、メチ
ロール化ベンゾグアナミン樹脂、メチロール化グリコー
ルウリル樹脂およびメチロール化尿素樹脂のメチロール
基をアルコキシメチル基に変換することにより得られ
る。このアルコキシメチル基の種類については特に限定
されるものではなく、例えばメトキシメチル基、エトキ
シメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、
ｔ−ブトキシメチル基等を挙げることができる。
【００４０】これらの樹脂のうち、アルコキシメチル化
メラミン樹脂およびアルコキシメチル化ベンゾグアナミ
ン樹脂が好ましい架橋性化合物として挙げられる。ま
た、市販品としては、サイメル３００、同３０１、同３
０３、同３７０、同３２５、同３２７、同７０１、同２
６６、同２６７、同２３８、同１１４１、同２７２、同
２０２、同１１５６、同１１５８、同１１２３、同１１
７０、同１１７４、同ＵＦＲ６５、同３００（以上、三
井サイアナミッド（株）製）、ニカラックＭｘ−７５
０、同Ｍｘ−０３２、同Ｍｘ−７０６、同Ｍｘ−７０
８、同Ｍｘ−４０、同Ｍｘ−３１、同Ｍｓ−１１、同Ｍ
ｗ−３０（以上、三和ケミカル（株）製）等の商品名で
市販されているものを好ましく使用することができる。
【００４１】エポキシ基を少なくとも１つ含有する化合
物は、エポキシ基を分子内に２個以上含有する化合物が
好ましく、その具体例としては、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族ポリ
グリシジルエーテル等を挙げることができる。
【００４２】これらの市販品を示せば、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂としては、エピコート１００１、同１
００２、同１００３、同１００４、同１００７、同１０
０９、同１０１０、同８２８（以上、油化シェルエポキ
シ（株）製）等を、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂と
しては、エピコート８０７（油化シェルエポキシ（株）
製）等を、フェノールノボラック型エポキシ樹脂として
は、エピコート１５２、同１５４（以上、油化シェルエ
ポキシ（株）製）、ＥＰＰＮ２０１、同２０２（以上、
日本化薬（株）製）等を、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂としては、ＥＯＣＮ−１０２、ＥＯＣＮ−１０
３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯ
ＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（以上、日本化薬
（株）製）、エピコート１８０Ｓ７５（油化シェルエポ
キシ（株）製）等を、環式脂肪族エポキシ樹脂として
は、ＣＹ１７５、ＣＹ１７７、ＣＹ１７９（以上、ＣＩ
ＢＡ−ＧＥＩＧＹ Ａ．Ｇ製）、ＥＲＬ−４２３４、Ｅ
ＲＬ−４２９９、ＥＲＬ−４２２１、ＥＲＬ−４２０６
（以上、Ｕ．Ｃ．Ｃ社製）、ショーダイン５０９（昭和
電工（株）製）、アラルダイトＣＹ−１８２、同ＣＹ−
１９２、同ＣＹ−１８４（以上、ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ
Ａ．Ｇ製）、エピクロン２００、同４００（以上、大
日本インキ工業（株）製）、エピコート８７１、同８７
２（以上、油化シェルエポキシ（株）製）、ＥＤ−５６
６１、ＥＤ−５６６２（以上、セラニーズコーティング
（株）製）等を、脂肪族ポリグリシジルエーテルとして
は、エポライト１００ＭＦ（共栄社油脂化学工業（株）
製）、エピオールＴＭＰ（日本油脂（株）製）等を挙げ
ることができる。
【００４３】これらのうち好ましいものとしては、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂およびクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂が挙げられる。
【００４４】以上例示した化合物の大部分は高分子量体
であるが、この化合物の分子量は、特に制限されるもの
ではなく、例えばビスフェノールＡまたはビスフェノー
ルＦのグリシジルエーテル等の低分子量体等を使用する
こともできる。これらの架橋性化合物は、単独でまたは
２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】（Ｃ）成分の使用割合は、（Ａ）成分１０
０重量部に対して１〜１００重量部、特に５〜５０重量
部であることが好ましい。（Ｃ）成分の使用割合が
（Ａ）成分１００重量部に対して１重量部未満の場合に
は、系の架橋が不十分となるため、パターンを形成する
こと自体が困難となる場合がある。一方、（Ｃ）成分の
使用割合が（Ａ）成分１００重量部に対して１００重量
部を超える場合には、当該組成物全体のアルカリ溶解性
が過大となって、現像処理後における残膜率が低下する
方向となる。
【００４６】＜（Ｄ）成分＞上記組成物溶液を調製する
ための溶剤としては、前述の含フッ素共重合体を製造す
るために用いられる重合溶媒として例示したものと同様
のものを用いることができる。さらに、必要に応じて、
ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプ
ロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノー
ル、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチ
ル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチ
ロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニル
セロソルブアセテタート、カルビトールアセテート等の
高沸点溶剤を添加することもできる。
【００４７】＜その他の成分＞本発明の感放射線性樹脂
組成物には、増感剤が含有されていてもよい。増感剤と
しては、例えば３−位および／または７−位に置換基を
有するクマリン類、フラボン類、ジベンザルアセトン
類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサン
テン類、チオキサンテン類、ポルフィリン類、フタロシ
アニン類、アクリジン類、アントラセン類、ベンゾフェ
ノン類、アセトフェノン類等を用いることができる。増
感剤の使用割合は、（Ａ）成分１００重量部に対して、
３０重量部以下、好ましくは０.１〜２０重量部以下で
ある。
【００４８】また、本発明の感放射線性樹脂組成物にお
いては、塗布性の改善（例えばストリエーションの防
止）や現像性の改良を行うために、界面活性剤を添加す
ることができる。界面活性剤としては、例えばポリオキ
シエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステ
アリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル
等のポリオキシエチレンアルキルエーテル；ポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリ
ールエーテル；ポリエチレングリコールジラウレート、
ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレ
ングリコールジアルキルエステルの如きノニオン系界面
活性剤；エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ
３５２（以上、新秋田化成（株）製）、メガファックＦ
１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３（以上、大日本インキ
工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１
（以上、住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ
７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−
１０２、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、
ＳＣ−１０６（以上、旭硝子（株）製）等の商品名で市
販されている弗素系界面活性剤；オルガノシロキサンポ
リマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、アクリル
酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフローＮ
ｏ．５７、９５（共栄油脂化学工業（株）製）等の商品
名で市販されているその他の界面活性剤を用いることが
できる。
【００４９】これらの界面活性剤の使用割合は、組成物
中における固形分１００重量部に対して、通常、２重量
部以下、好ましくは１重量部以下である。
【００５０】また、本発明の感放射線性樹脂組成物にお
いては、基板との密着性を改良するために、シランカッ
プリング剤等の接着助剤を添加することができ、また耐
熱性を改良することを目的として多価アクリレート等の
不飽和化合物などを添加することもできる。更に、本発
明の感放射線性樹脂組成物においては、必要に応じて、
帯電防止剤、保存安定剤、ハレーション防止剤、消泡
剤、顔料、熱酸発生剤等を添加することもできる。
【００５１】＜パターンの形成＞本発明の感放射線性樹
脂組成物を用いることにより、例えば次のようにしてパ
ターンを形成することができる。先ず、感放射線性樹脂
組成物を、例えばその固形分の濃度が５〜６０重量％と
なるよう溶剤に溶解し、これを孔径０.２〜１０μｍ程
度のフィルターで濾過することにより組成物溶液を調製
する。そして、この組成物溶液をシリコンウェハー等の
基板の表面に塗布し、プリベークを行うことにより溶剤
を除去して感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する。次
いで、形成された塗膜に対して放射線照射処理を行った
後、ＰＥＢ処理を行う。その後、現像処理を行って放射
線未照射部分を除去することによりパターンが形成され
る。
【００５２】組成物溶液を基板に塗布する方法として
は、回転塗布法、流し塗布法、ロール塗布法等の各種の
方法を採用することができる。プリベークの条件は、例
えば加熱温度が５０〜１５０℃、加熱時間が３０秒間〜
６００秒間である。放射線照射処理に使用される放射線
としては、波長３６５ｎｍのｉ線、４３６ｎｍのｇ線等
の紫外線、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、
波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外
線、シンクロトロン放射線等のＸ線あるいは電子線等の
荷電粒子線が挙げられる。
【００５３】現像処理に用いられる現像液としては、例
えば、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリ
ウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピ
ペリジン、１,８−ジアザビシクロ（５.４.０）−７−
ウンデセン、１,５−ジアザビシクロ（４.３.０）−５
−ノナン等が溶解されてなるアルカリ水溶液を用いるこ
とができる。また、このアルカリ水溶液に、水溶性有機
溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類
や、界面活性剤が適量添加されてなるものを使用するこ
ともできる。現像処理時間は、例えば１０〜３００秒間
であり、現像方法としては、液盛り法、ディッピング
法、揺動浸漬法等を利用することができる。
【００５４】現像処理後に、流水洗浄によるリンス処理
を行い、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾し、必要に応
じて例えば紫外線を該薄膜の表面に照射した後、ホット
プレート、オーブン等の加熱装置によりポストベークを
行う。ポストベークの条件は、通常、例えば１５０〜２
５０℃の温度で３分〜２時間でよい。このようにして硬
化したパターン状薄膜が基板の上に形成される。こうし
て得られるパターン状薄膜の比誘電率は３以下、好まし
くは２.８以下である。また、該パターン状薄膜は、高
解像度、低誘電率であって、絶縁性、平坦度、耐熱性、
透明度、硬度等の物性に優れる。したがって、電子部品
の保護膜、平坦化膜、層間絶縁膜等に有用であり、特に
液晶表示素子、集積回路素子および固体撮像素子の層間
絶縁膜に有用である。
【００５５】
【実施例】以下、本発明の感放射線性樹脂組成物の実施
例について説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。また、以下において、重合体のポリスチレ
ン換算数平均分子量は、昭和電工（株）製のＧＰＣクロ
マトグラフＳＹＳＴＥＭ−２１を用い、キャリア溶媒を
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）とし、流速１ｍｌ／ｍｉ
ｎで４０℃条件下にて測定した。
【００５６】〔含フッ素共重合体の合成例〕 合成例１ 内容積０.５Ｌの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル２７０
ｇ、エチルビニルエーテル（ＥＶＥ）３４.２ｇ、クロ
トン酸（ＣＡ）２７.２ｇおよび過酸化ラウロイル５.４
ｇを仕込み、ドライアイス−メタノールで−５０℃まで
冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次
いでヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）１１９ｇを仕
込み、昇温を開始した。オートクレーブ内の温度が７０
℃に達した時点での圧力は７.６ｋｇｆ／ｃｍ2を示し
た。その後、７０℃で１２時間攪拌下に反応を継続し、
圧力が６.３ｋｇｆ／ｃｍ2に低下した時点でオートクレ
ーブを水冷し、反応を停止させた。室温に達した後、未
反応モノマーを放出しオートクレーブを開放、固形分濃
度１９.６重量％のポリマー溶液を得た。得られたポリ
マー溶液を水に投入しポリマーを析出させた後、ｎ−ヘ
キサンにて再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行い８０
ｇの含フッ素共重合体を得た（以下、この樹脂を「樹脂
（１）」と称する）。得られた樹脂（１）を昭和電工
（株）製のＧＰＣクロマトグラフＳＹＳＴＥＭ−２１で
ポリスチレン換算数平均分子量を測定したところ、８,
４００であった。
【００５７】合成例２ 内容積０.５Ｌの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル２７０
ｇ、エチルビニルエーテル（ＥＶＥ）２８.３ｇ、クロ
トン酸（ＣＡ）３３.８ｇおよび過酸化ラウロイル５.４
ｇを仕込み、ドライアイス−メタノールで−５０℃まで
冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次
いでヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）１１８ｇを仕
込み、昇温を開始した。オートクレーブ内の温度が７０
℃に達した時点での圧力は７.８ｋｇｆ／ｃｍ2を示し
た。その後、７０℃で１２時間攪拌下に反応を継続し、
圧力が６.９ｋｇｆ／ｃｍ2に低下した時点でオートクレ
ーブを水冷し、反応を停止させた。 室温に達した後、
未反応モノマーを放出しオートクレーブを開放、固形分
濃度１８.０％のポリマー溶液を得た。得られたポリマ
ー溶液を水に投入しポリマーを析出させた後、ｎ−ヘキ
サンにて再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行い８０ｇ
の含フッ素共重合体を得た（以下、この樹脂を「樹脂
（２）」と称する）。 得られた樹脂（２）を昭和電工
（株）製のＧＰＣクロマトグラフＳＹＳＴＥＭ−２１で
ポリスチレン換算数平均分子量を測定したところ、３,
９００であった。
【００５８】合成例３ 内容積０.５Ｌの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル２７０
ｇ、エチルビニルエーテル（ＥＶＥ）２２.５ｇ、クロ
トン酸（ＣＡ）４０.３ｇおよび過酸化ラウロイル５.４
ｇを仕込み、ドライアイス−メタノールで−５０℃まで
冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次
いでヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）１１７ｇを仕
込み、昇温を開始した。オートクレーブ内の温度が７０
℃に達した時点での圧力は８.３ｋｇｆ／ｃｍ2を示し
た。その後、７０℃で１２時間攪拌下に反応を継続し、
圧力が７.ｋｇｆ／ｃｍ2に低下した時点でオートクレー
ブを水冷し、反応を停止させた。室温に達した後、未反
応モノマーを放出しオートクレーブを開放、固形分濃度
１６.８％のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶
液を水に投入しポリマーを析出させた後、ｎ−ヘキサン
にて再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行い８０ｇの含
フッ素共重合体を得た（以下、この樹脂を「樹脂
（３）」と称する）。得られた樹脂（３）を昭和電工
（株）製のＧＰＣクロマトグラフＳＹＳＴＥＭ−２でポ
リスチレン換算数平均分子量を測定したところ、２,８
００であった。
【００５９】合成例４ 内容積０.５Ｌの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル２７０
ｇ、エチルビニルエーテル（ＥＶＥ）１６.３ｇ、クロ
トン酸（ＣＡ）３２.５ｇ、ヒドロキシブチルビニルエ
ーテル（ＨＢＶＥ）１７.６ｇ、および過酸化ラウロイ
ル５.４ｇを仕込み、ドライアイス−メタノールで−５
０℃まで冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去
した。次いでヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）１１
４ｇを仕込み、昇温を開始した。オートクレーブ内の温
度が７０℃に達した時点での圧力は８.２ｋｇｆ／ｃｍ2
を示した。その後、７０℃で１２時間攪拌下に反応を継
続し、圧力が７.３ｋｇｆ／ｃｍ2に低下した時点でオー
トクレーブを水冷し、反応を停止させた。室温に達した
後、未反応モノマーを放出しオートクレーブを開放、固
形分濃度１９.０％のポリマー溶液を得た。得られたポ
リマー溶液を水に投入しポリマーを析出させた後、ｎ−
ヘキサンにて再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行い８
０ｇの含フッ素共重合体を得た（以下、この樹脂を「樹
脂（４）」と称する）。得られた樹脂（４）を昭和電工
（株）製のＧＰＣクロマトグラフＳＹＳＴＥＭ−２１で
ポリスチレン換算数平均分子量を測定したところ、４,
５００であった。
【００６０】合成例５ 内容積０.５Ｌの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、ジエチレングリコ
ールエチルメチルエーテル（ＥＤＭ）２７０ｇ、エチル
ビニルエーテル（ＥＶＥ）２２.３ｇ、クロトン酸（Ｃ
Ａ）２６.６ｇ、グリシジルビニルエーテル（ＧＶＥ）
１５.５ｇ、および過酸化ラウロイル５.４ｇを仕込み、
ドライアイス−メタノールで−５０℃まで冷却した後、
再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次いでヘキサフ
ルオロプロピレン（ＨＦＰ）１１６ｇを仕込み、昇温を
開始した。オートクレーブ内の温度が７０℃に達した時
点での圧力は８.８ｋｇｆ／ｃｍ2を示した。その後、７
０℃で１２時間攪拌下に反応を継続し、圧力が８.３ｋ
ｇｆ／ｃｍ2に低下した時点でオートクレーブを水冷
し、反応を停止させた。室温に達した後、未反応モノマ
ーを放出しオートクレーブを開放、固形分濃度２１.１
％のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液を水に
投入しポリマーを析出させた後、ｎ−ヘキサンにて再沈
精製し、５０℃にて真空乾燥を行い８０ｇの含フッ素共
重合体を得た（以下、この樹脂を「樹脂（５）」と称す
る）。得られた樹脂（５）を昭和電工（株）製のＧＰＣ
クロマトグラフＳＹＳＴＥＭ−２１でポリスチレン換算
数平均分子量を測定したところ、１,８００であった。
【００６１】〔実施例〕 実施例１ （Ａ）成分として、樹脂（１）を１００重量部と、
（Ｂ）成分として２−ピペロニル−ビス（４,６−トリ
クロロメチル）−ｓ−トリアジン５重量部と、（Ｃ）成
分としてヘキサメトキシメチロールメラミン樹脂である
「サイメル３００」２０重量部とを全体の固形分濃度が
４０％になるようにジエチレングリコールエチルメチル
エーテルに溶解させた後、孔径０.２μｍのメンブラン
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
【００６２】＜塗膜の形成＞シリコン基板上にスピンナ
ーを用いて、組成物溶液１を塗布した後、１１０℃て２
分間ホットプレート上でプリベークして膜厚３.０μｍ
の塗膜を形成した。
【００６３】＜放射線照射処理、および現像処理＞得ら
れた塗膜に、ＮＳＲ１５０５ｉ６Ａ縮小投影露光機
（（株）ニコン製、ＮＡ＝０.４５,λ＝３６５ｎｍ）に
より最適焦点深度で放射線照射処理を行った後、ホット
プレート上で１１０℃で２分間ＰＥＢ処理を行った。次
いで、０.５重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液を用い、２５℃で１分間現像処理を行い、水
で洗浄して乾燥することにより、パターンを形成した。
【００６４】＜ポストベーク＞このパターンが形成され
たシリコン基板をホットプレート上で２００℃で１時間
加熱することにより、パターンのポストベークを行い、
パターン状薄膜を形成したシリコン基板を得た。
【００６５】＜誘電率の測定＞室温、１ＭＨｚの条件で
測定した。結果を表１に示す。
【００６６】＜放射線感応性の評価＞紫外線照射時に照
射時間を変えて、ＰＥＢ処理および現像を行い、５.０
μｍ×５.０μｍ以下の大きさの解像度で、しかもその
時の感度が３０ｍＪ／ｃｍ2以下でパターニングが可能
な放射線感応性を○とし、５０ｍＪ／ｃｍ2 以下でパタ
ーニングが可能な放射線感応性を△とし、上記解像度お
よび５０ｍＪ／ｃｍ2以下の感度のいずれか、または両
者がこの基準に達しない放射線感応性を×とした。結果
を表１に示す。
【００６７】＜耐熱寸法安定性の評価＞パターン状薄膜
を形成したシリコン基板を２００℃のオーブンを用いて
１時間加熱した後、パターン状薄膜の膜厚変化を測定し
た。加熱後の膜厚が、加熱前の膜厚の９５％を超える場
合を○、９０〜９５％の範囲にある場合を△、９０％未
満の場合を×とした。結果を表１に示す。
【００６８】＜透明性の評価＞シリコン基板の代わりに
ガラス基板「コーニング７０５９（コーニング社製）」
を用いた以外は上記と同様にしてパターン状薄膜を形成
したガラス基板を得た。次いで、得られたガラス基板の
透過率を分光光度計「１５０−２０型ダブルビーム（日
立製作所製）」を用いて４００〜８００ｎｍの波長で測
定した。このとき最低透過率が９５％を超える場合を
○、９０〜９５％の範囲にある場合を△、９０％未満の
場合を×とした。結果を表１に示す。
【００６９】＜耐溶剤性の評価＞パターン状薄膜を形成
したガラス基板を７０℃のジメチルスルフォキシド中に
１５分間浸せきし、膜厚変化を測定し、１０％以下の膜
厚変化を○、１０％以上の膜厚変化を△、膨潤が大き
く、基板から剥がれてしまう状態を×とした。結果を表
１に示す。
【００７０】実施例２〜５ 表１に記載した樹脂２〜５を用いた以外は実施例１と同
様にして評価を行った。結果については表１にまとめ
た。
【００７１】
【表１】
【００７２】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、アル
カリ性水溶液で現像でき、高解像度、高感度であり、し
かも、耐熱性、耐溶剤性、透明性等の諸特性とともに、
従来これらの特性と同時に実現することが困難であった
低誘電特性の優れたパターン状薄膜を容易に形成するこ
とができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ）、（ａ−１）ヘキサフルオロプロ
    ピレン、（ａ−２）不飽和カルボン酸および／または不
    飽和カルボン酸無水物および（ａ−３）上記（ａ−１）
    成分および（ａ−２）成分と共重合可能な不飽和化合物
    との含フッ素共重合体、（Ｂ）、放射線の照射を受けて
    酸を発生する酸発生化合物、（Ｃ）、架橋性化合物並び
    に（Ｄ）、前記（Ａ）成分、（Ｂ）成分および（Ｃ）成
    分を溶解している有機溶媒からなることを特徴とする感
    放射線性樹脂組成物。
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DE69802038T DE69802038T2 (de) 1997-05-22 1998-05-20 Strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung
US09/082,192 US5958648A (en) 1997-05-22 1998-05-21 Radiation sensitive resin composition
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002006501A (ja) * 1999-11-09 2002-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物
JP2002148790A (ja) * 2000-09-04 2002-05-22 Fuji Photo Film Co Ltd 感熱性組成物、それを用いた平版印刷版原版及びスルホニウム塩化合物
JP2002539473A (ja) * 1999-03-12 2002-11-19 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド １９３ｎｍリソグラフィーのためのヒドロキシ−アミノ熱硬化下塗り
JP2003082042A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Jsr Corp 隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁、および表示素子。
WO2005006077A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Jsr Corporation 感光性含フッ素樹脂組成物、該組成物から得られる硬化膜、およびパターン形成方法
JP2010204672A (ja) * 1999-11-09 2010-09-16 Sumitomo Chemical Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物
JP2017525785A (ja) * 2014-06-03 2017-09-07 ザ ケマーズ カンパニー エフシー リミテッド ライアビリティ カンパニー 光架橋フルオロポリマーを含む保護層

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69941227D1 (de) * 1998-04-06 2009-09-17 Fujifilm Corp Photoempfindliche Harzzusammensetzung
US6849377B2 (en) 1998-09-23 2005-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography
CN1253759C (zh) 1998-09-23 2006-04-26 纳幕尔杜邦公司 微石印用光致抗蚀剂、聚合物和工艺
JP2000347397A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用
KR20010088333A (ko) * 2000-02-16 2001-09-26 카나가와 치히로 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US6468712B1 (en) 2000-02-25 2002-10-22 Massachusetts Institute Of Technology Resist materials for 157-nm lithography
US7122288B2 (en) * 2000-03-28 2006-10-17 Fujitsu Limited Negative resist composition, a method for forming a resist pattern thereof, and a method for fabricating a semiconductor device
WO2001074916A1 (fr) 2000-04-04 2001-10-11 Daikin Industries, Ltd. Fluoropolymere renfermant un groupe qui reagit aux acides et composition photoresist a amplification chimique contenant ledit fluoropolymere
AUPQ700100A0 (en) * 2000-04-18 2000-05-11 Orbital Engine Company (Australia) Proprietary Limited Engine speed control for internal combustion engines
KR20010098809A (ko) 2000-04-25 2001-11-08 마쯔모또 에이찌 Ｅｌ 표시 소자의 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물,격벽 및 ｅｌ 표시 소자
KR100596873B1 (ko) * 2000-07-13 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ용 포토레지스트 조성물
US6828078B2 (en) * 2000-08-29 2004-12-07 Jsr Corporation Composition having refractive index sensitively changeable by radiation and method for forming refractive index pattern
JP4042142B2 (ja) * 2000-09-08 2008-02-06 Ｊｓｒ株式会社 Ｅｌ表示素子の隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁およびｅｌ表示素子
CA2431358A1 (en) * 2000-12-11 2002-06-20 Jsr Corporation Radiation sensitive refractive index changing composition and refractive index changing method
US6548219B2 (en) * 2001-01-26 2003-04-15 International Business Machines Corporation Substituted norbornene fluoroacrylate copolymers and use thereof in lithographic photoresist compositions
US6509134B2 (en) * 2001-01-26 2003-01-21 International Business Machines Corporation Norbornene fluoroacrylate copolymers and process for the use thereof
US6730452B2 (en) * 2001-01-26 2004-05-04 International Business Machines Corporation Lithographic photoresist composition and process for its use
AU2002233644B2 (en) * 2001-02-19 2006-09-28 Jsr Corporation Radiation sensitive refractive index changing composition
US7125647B2 (en) * 2001-03-13 2006-10-24 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition changing in refractive index and utilization thereof
AU2002255865A1 (en) 2001-03-22 2002-10-08 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions for short wavelength imaging
JP2003043682A (ja) 2001-08-01 2003-02-13 Jsr Corp 感放射線性誘電率変化性組成物、誘電率変化法
BR8300869U (pt) * 2003-06-18 2003-11-25 Techinvest Ltda Dispositivo introduzida em demarcador receptor-emissor oculto de pneumáticos e similares
JP4424246B2 (ja) * 2004-10-28 2010-03-03 旭硝子株式会社 含フッ素共重合体及びその用途
KR20070119671A (ko) * 2005-03-11 2007-12-20 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광형상화가능, 열경화가능 불화 레지스트
KR100640643B1 (ko) * 2005-06-04 2006-10-31 삼성전자주식회사 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
KR101290855B1 (ko) * 2005-07-27 2013-07-29 제이에스알 가부시끼가이샤 측쇄 불포화 중합체, 감방사선성 수지 조성물 및 액정 표시소자용 스페이서
JP4566861B2 (ja) * 2005-08-23 2010-10-20 富士通株式会社 レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
JP4677871B2 (ja) * 2005-10-03 2011-04-27 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成
KR100718108B1 (ko) * 2005-10-07 2007-05-14 삼성에스디아이 주식회사 고분자 전해질막, 그 제조방법 및 이를 이용한 연료전지
JP5117002B2 (ja) * 2006-07-10 2013-01-09 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US9733519B2 (en) * 2009-06-23 2017-08-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming thermoset film having photo alignment properties
JP6368558B2 (ja) * 2014-06-25 2018-08-01 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
EP3683854B1 (en) * 2017-09-29 2024-11-27 LG Chem, Ltd. Method for encapsulating organic electronic element

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03103410A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Dainippon Ink & Chem Inc 水酸基含有含ふっ素共重合体の製造方法
JPH04279612A (ja) * 1990-06-29 1992-10-05 Daikin Ind Ltd 含フッ素共重合体およびそれを用いた塗料用組成物
JPH04345609A (ja) * 1991-05-23 1992-12-01 Nippon Kayaku Co Ltd カラ−フイルタ−保護膜用紫外線硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JPH0954432A (ja) * 1995-08-18 1997-02-25 Dainippon Ink & Chem Inc フォトレジスト組成物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6083032A (ja) * 1983-10-13 1985-05-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ−
JPH01241557A (ja) * 1988-03-22 1989-09-26 Bando Chem Ind Ltd ペリクル膜
US4963471A (en) * 1989-07-14 1990-10-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Holographic photopolymer compositions and elements for refractive index imaging
CA2033821A1 (en) * 1990-01-12 1991-07-13 Evan D. Laganis Photopolymerizable compositions sensitive to longer wavelength visible actinic radiation
JP2893875B2 (ja) * 1990-06-20 1999-05-24 ジェイエスアール株式会社 保護膜形成用材料
US5362597A (en) * 1991-05-30 1994-11-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition comprising an epoxy-containing alkali-soluble resin and a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester
DE4207264B4 (de) * 1992-03-07 2005-07-28 Clariant Gmbh Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
US5399604A (en) * 1992-07-24 1995-03-21 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Epoxy group-containing resin compositions
JP3114166B2 (ja) * 1992-10-22 2000-12-04 ジェイエスアール株式会社 マイクロレンズ用感放射線性樹脂組成物
KR940010594A (ko) * 1992-10-29 1994-05-26 백중영 키폰전화기의 착신링신호 음량자동조정장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03103410A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Dainippon Ink & Chem Inc 水酸基含有含ふっ素共重合体の製造方法
JPH04279612A (ja) * 1990-06-29 1992-10-05 Daikin Ind Ltd 含フッ素共重合体およびそれを用いた塗料用組成物
JPH04345609A (ja) * 1991-05-23 1992-12-01 Nippon Kayaku Co Ltd カラ−フイルタ−保護膜用紫外線硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JPH0954432A (ja) * 1995-08-18 1997-02-25 Dainippon Ink & Chem Inc フォトレジスト組成物

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002539473A (ja) * 1999-03-12 2002-11-19 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド １９３ｎｍリソグラフィーのためのヒドロキシ−アミノ熱硬化下塗り
US7217497B2 (en) 1999-03-12 2007-05-15 Arch Specialty Chemicals, Inc. Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 nm lithography
JP2002006501A (ja) * 1999-11-09 2002-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物
JP2010204672A (ja) * 1999-11-09 2010-09-16 Sumitomo Chemical Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物
JP2002148790A (ja) * 2000-09-04 2002-05-22 Fuji Photo Film Co Ltd 感熱性組成物、それを用いた平版印刷版原版及びスルホニウム塩化合物
JP2003082042A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Jsr Corp 隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁、および表示素子。
WO2005006077A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Jsr Corporation 感光性含フッ素樹脂組成物、該組成物から得られる硬化膜、およびパターン形成方法
JP2017525785A (ja) * 2014-06-03 2017-09-07 ザ ケマーズ カンパニー エフシー リミテッド ライアビリティ カンパニー 光架橋フルオロポリマーを含む保護層
KR20180044790A (ko) * 2014-06-03 2018-05-03 더 케무어스 컴퍼니 에프씨, 엘엘씨 광가교결합된 플루오로중합체를 포함하는 패시베이션 층

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