JPH10301286A - 化学的に増幅されたレジスト - Google Patents

化学的に増幅されたレジスト

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JPH10301286A
JPH10301286A JP10129514A JP12951498A JPH10301286A JP H10301286 A JPH10301286 A JP H10301286A JP 10129514 A JP10129514 A JP 10129514A JP 12951498 A JP12951498 A JP 12951498A JP H10301286 A JPH10301286 A JP H10301286A
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acid
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エリアン クラウス
Rainer Leuschner
ロイシュナー ライナー
Ewald Guenther
ギュンター エワルト
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学的に増幅されたレジストとして、露光又
は電子ビーム照射との熱処理との時間間隔の問題を付加
的処理工程又は経費をかけずに製造技術上受容可能の水
準に高め、しかも高解像を可能としかつ高感度を有する
液相からのシリル化を可能にするレジストを提供する。 【解決手段】 カルボン酸無水物及び第３ブチルエステ
ル基、第３ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒドロ
フラニル基又はテトラヒドロピラニル基を有するポリマ
ー、露光又は電子ビーム照射の際にｐＫa値＞０．５を
有するスルホン酸を遊離する光反応性化合物、スルホン
酸と可逆適に化学反応可能の化合物、及び溶媒を含む化
学的に増幅されたレジストを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学的に増幅された
レジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクス分野において
は広範囲にわたっていわゆる化学的に増幅されたレジス
ト（“ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｒ
ｅｓｉｓｔｓ”）が光学リソグラフィ及び電子ビームに
よる書込みに使用されている（これに関しては“固体テ
クノロジー（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）”第３４巻（１９９１年）、第８号、第５３〜
６０頁参照）。化学的増幅は湿式現像可能の一層レジス
トにも、また完全に又は部分的に乾式現像可能のレジス
トにも使用されている。その際それらのレジストは酸の
触媒作用による分解の原理に基づき加工可能であり、そ
の際極性を有するがブロックされた化学基、例えばカル
ボキシル基又はフェノール性ヒドロキシル基は光の分解
により形成された酸により脱ブロックされ、露光された
範囲のレジストはその極性を変える。この極性の変化は
例えば塩基性現像剤でレジストの現像に、又は乾式現像
可能のレジストでは、選択的シリル化に利用することが
できる。ブロックされる基の例としては第３ブチルエス
テル基及び第３ブトキシカルボニルオキシ基がある。
【０００３】欧州特許出願公開第０４９２２５６号明細
書からフォトリソグラフィによるパターン形成が公知で
あり、その際乾式現像可能のレジストは露光後に熱処理
（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ＝露光後ベー
ク）され、更に液相からシリル化され、引続き酸素プラ
ズマ中で異方性エッチング又は乾式現像される。その際
シリル化溶液の種類によりポジ型又はネガ型パターン
（画像）が形成される。このレジストは一般に少なくと
も２つの固体成分、即ちベースポリマー及び光反応性造
酸物から成る。ベースポリマーはカルボン酸無水物及び
第３ブチルエステルの部分構造を含んでおり、造酸物は
有利にはジフェニルヨードニウム−及びトリフェニルス
ルホニウム−トリフルオルメタンスルホネートのような
オニウム化合物である。この種のレジストは特に極めて
急峻な側面を有するサブミクロン及びサブ半ミクロン範
囲のフォトパターニングに適している。
【０００４】上記の方法でパターンを形成する場合、酸
触媒作用による分解の原理に基づき作動する他の公知の
レジスト系の場合と同様に、いわゆる耐用時間の作用
（遅延時間作用）が認められている。即ち露光と熱処理
との間の時間間隔（“遅延時間”）が一定の値を越える
と、通常のパターン寸法（マスク上のパターンの大き
さ）と結像されたパターン（現像後のレジスト中のパタ
ーンの大きさ）との間に明らかな偏倚が生じる。この時
間間隔が長くなればなるほど偏倚は大きくなる。時間間
隔に対する一定の値（先に挙げた形式の無水物基含有レ
ジストの場合約３０分）から現像後殆どパターンが認め
られなくなる。このレジストの場合許容時間間隔は約５
〜１０分である。しかしこのような短かい時間間隔は製
造技術上の理由から受容し難いものである。
【０００５】上記の問題は一般に公知であり、耐用時間
中に光化学的に形成された強酸を失活する空気中の塩基
性の汚染に起因するものである。従ってこの問題を活性
炭素による空気の濾過により解決することが既に提案さ
れている（「ＳＰＩＥ会報（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ＳＰＩＥ）」第１４６６巻（１９９１年）、第２〜１２
頁参照）。しかしそれには高い経費が必要である。
【０００６】例えば付加物の添加による他の措置でも耐
用時間の作用を著しく軽減することはできない（「ＳＰ
ＩＥ会報」第１４６６巻（１９９１年）、第１３〜２５
頁参照）。確かに補助的な層の被着により耐用時間を延
長することは可能であるが、極く僅かな程度であるに過
ぎない。更にこの措置は付加的な処理工程を意味し、収
量の損失を招くため製造上望ましくない。
【０００７】益々重要になって来ている０．２５μｍ以
下のパターニング寸法にとっては、露光により形成され
る光酸の露光とＰＥＢとの間の時間間隔中に生じる拡散
は障害となる。即ちこの酸は露光された部分から未露光
部分に拡散し、その結果この部分も可溶性となるが、こ
れは望ましくない。更に塩基性不純物が露光部分に拡散
侵入し、そこで光酸を失活することがある。この２つの
作用は拡散長の範囲にあるパターン寸法をもはや確実に
形成することを不可能なものとする。
【０００８】横方向の拡散作用は先に記載した措置によ
っては低減することができない。この拡散の低減は、レ
ジスト溶液から溶媒を蒸発させる際の高温により緻密な
ポリマー組織の形成により可能である（「フォトポリマ
ーの科学及び技術ジャーナル（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」第８巻（１９５５年）第４号、
６４３〜６５２頁参照）が、この措置はガラス遷移温度
の低い特殊なポリマーを必要とし、従って一般に使用す
ることはできない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、化学
的に増幅された無水物基含有レジストにおいて液相から
のシリル化を可能にし、耐用時間の問題を付加的な処理
工程又は経費をかけずに解決することのできる、即ち露
光又は電子ビーム照射と熱処理との間の（約１０分程度
の）耐用時間を製造技術上受容可能のレベル、即ち８時
間以上に高め、しかも同時に高解像を可能としかつ高感
度（できるだけ僅かな露光又は照射線量及びできるだけ
低いＰＥＢ温度）を有するレジストを提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、レジストが以下の成分、即ちカルボン酸無水物基及
び第３ブチルエステル基、第３ブトキシカルボニルオキ
シ基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロピラニ
ル基を有するポリマー、露光又は電子ビーム照射の際に
ｐＫa値＞０．５を有するスルホン酸を遊離する光反応
性化合物（造酸物）、スルホン酸と可逆化学反応可能の
化合物（バッファ化合物）、及び溶媒を含んでいること
により解決される。
【００１１】更にレジストが特に露光用に光又は電子ビ
ームの収率を高めさせる増感剤を含んでいると有利であ
る。
【００１２】本発明は耐用時間の問題を以下に記載する
相互に密接に関連する措置により解決する。
【００１３】１．上記形式のポリマーをベースとするレ
ジストに、造酸剤として比較的弱いスルホン酸（ｐＫa
＞０．５〜４）を遊離する光反応性化合物、例えばベン
ゾールスルホン酸（ｐＫa＝０．７０）及びトルオール
スルホン酸（ｐＫa＝１．５５）を用いること。その際
ｐＫaとはいわゆる酸の指数（酸の定数Ｋaの負の常用対
数）を表す。この種の酸は、塩基性不純物に対して比較
的反応せず、蒸気圧及び移動度が一般によく使用される
トリフルオルメタン−スルホン酸（ｐＫa＝−５．９）
よりも明らかに僅かである利点を有する。
【００１４】２．このレジストがいわゆるバッファ化合
物を含んでいること。これは露光又は電子ビーム照射の
際に形成されるスルホン酸で可逆的化学反応、即ち酸−
塩基−平衡反応を生じる化合物である。その際バッファ
化合物は酸の一部を捕捉し、塩基が拡散侵入する際にこ
の化合物が再びプロトンを放出する。
【００１５】３．更に有利にはレジストが増感剤を含ん
でいること。これにより比較的弱い酸により及び酸補捉
剤としてのバッファ化合物の作用によりレジストの感度
が少なくなり過ぎることが阻止される。即ち増感剤は光
の収率又は電子ビームとの相互作用を高める。二層レジ
スト又はいわゆるＴＳＩレジスト（ＴＳＩ＝ＴｏｐＳｕ
ｒｆａｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ）の場合極めて薄い層のみ
を露光すれば良いので一般に光の吸収は通常の一層レジ
ストの場合よりも高くなる。
【００１６】特殊な造酸物、バッファ化合物及び場合に
よっては増感剤などの上記の措置によりポジ型レジスト
である本発明によるレジストは良好な感度で（１００℃
以上のＰＥＢ温度で１０ｍＪ／ｃｍ2以上）耐用時間の
作用の主因である大気からの塩基性不純物に対して極め
て耐性である。従って耐用時間は２４時間以上に高めら
れる。
【００１７】国際特許出願公開第９６／０８７５１号明
細書からとりわけ二層レジスト法により行われるフォト
リソグラフィによるパターン形成方法が公知である。こ
こではカルボン酸無水物基及び第３ブチルエステル又は
第３ブトキシカルボニルオキシ基を有するポリマーをベ
ースとする湿式現像可能のトップレジストが使用されて
いる。ポリマーの他にこのレジストは光活性成分を特殊
な構造の芳香族ヒドロキシ化合物を有するナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸のエステルの形で含んでい
る。このレジストに比べて本発明によるレジストはより
高い感度を示し、即ち露光に必要なエネルギーは僅かで
あり、ＰＥＢ工程は比較的低温（１４０℃で１９ｍＪ／
ｃｍ2であるのに対して１００℃で８ｍＪ／ｃｍ2であ
る）で行われるものである。更に耐用時間はかなり延長
（１６時間から２４時間に）され、これは特に小さなパ
ターン（＜０．４μｍ）にも適用される。
【００１８】無水物基の他に第３ブチルエステル基、第
３ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒドロフラニル
基又はテトラヒドロピラニル基を有するポリマーが本発
明によるレジストのベースになっている。その際そのカ
ルボン酸無水物がマレイン酸無水物から誘導されるよう
なポリマーが有利である。もう１つのこのような化合物
は例えばイタコン酸無水物である。アクリル酸−、メタ
クリル酸−、ビニル安息香酸−又は桂皮酸−第３ブチル
エステルが第３ブチルエステル基のベースになってお
り、また第３ブトキシカルボニルオキシ−スチロール又
は−マレインイミドが第３ブトキシカルボニルオキシ基
のベースになっていると有利である。コポリマーの他に
このレジストにはターポリマー、例えばマレイン酸無水
物、メタクリル酸−第３ブチルエステル及びメタクリル
酸から成るターポリマーも（第３の成分として）使用し
てもよい。
【００１９】造酸物としては弱いスルホン酸を遊離する
光反応性化合物を用いる。これには以下の化合物が有利
である。即ちジフェニルヨードニウム−又はトリフェニ
ルスルホニウムカチオンを有する特に芳香族スルホン酸
のスルホンネート、ジスルホン及びジアゾジスルホン、
並びにスルホン酸エステル、特にヒドロキシイミドを有
するトルオールスルホン酸のような芳香族スルホン酸の
エステル、即ちＮ−スルホニルオキシ−マレインイミ
ド、−フタルイミド及び−ナフタルイミドのような化合
物。Ｎ−スルホニルオキシ−マレインイミドのような化
合物はこのポリマーに組込むこともでき、それによりポ
リマー及び造酸物に起こり得る解離が予防される。造酸
物は共有結合されたヨードを含むこともできる。
【００２０】バッファ化合物としては有利にはスルホネ
ートアニオン（Ｒ−ＳＯ3）を有する第４級アンモニウ
ム化合物が適している。第４級アンモニウム化合物、即
ち第４級窒素原子を有する有機性アンモニウム化合物は
第３アミンをベースとする。それらはこの場合例えばト
リメチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン及びピリジンである。スルホン酸アニオンはベンゾー
ル酸、トルオール酸、ナフタリン酸、シクロヘキサン酸
又はショウノウスルホン酸から誘導されると有利であ
る。この種のバッファ化合物は例えばテトラメチルアン
モニウム−及びテトラエチルアンモニウム−トシラート
のような第３アミンを有するトルオールスルホン酸の塩
である。
【００２１】有利な増感剤としては、露光にはカルボン
酸又は多環式芳香族炭化水素のエステル、即ち縮合され
た環状構造物を有する芳香族化合物又はフェノール性Ｏ
Ｈ基を有する保護基を有する化合物が、電子ビーム照射
にはヨードのような高い原子番号の原子と共有結合され
た芳香族化合物がある。有利には増感剤は露光又は照射
された範囲内で酸触媒作用により分離される塩基に可溶
の基を有し、これによりこの増感剤は塩基性現像剤に可
溶となる。この増感剤はポリマー中にも組込み可能であ
る。その場合塩に可溶性の基は不要となる。
【００２２】光学的露光用には有利には以下に記載する
芳香族化合物が増感剤として適している。即ちフルオレ
ン−９−カルボン酸、フルオレン−９−カルボン酸−第
３ブチルエステル、メトキシナフチルプロピオン酸−第
３ブチルエステル及びキサンテン−９−カルボン酸−第
３ブチルエステル並びにテトラヒドロピラニル−又は第
３ブトキシカルボニルオキシ保護基を有するビスフェノ
ールＡ又はジヒドロキシナフタリン。電子ビームによる
書込み用には増感剤として有利には共有結合されたヨー
ドを有する芳香族化合物が適している。これには例えば
ヨードアニゾール及びトリヨードフェノールのような低
分子化合物がある。
【００２３】溶媒としてはそれ自体公知のレジスト溶媒
を用いる。この溶媒としてはメトキシプロピルアセテー
ト又は特に容量比が約１：２のγ−ブチロラクトン及び
シクロヘキサノンから成る混合物が有利である。他の適
した溶媒には例えばシクロペンタノン及びシクロヘキサ
ノン又はエチレングリコール−又はジエチレングリコー
ルエーテル、場合によってはジベンジルエーテルとの混
合物がある。
【００２４】本発明によるレジストは一般に以下に記載
する組成を有する。その際個々の分量は合せて１００％
とする。５〜９質量％のポリマー、０．２〜１質量％の
造酸物、０．１〜０．５質量％のバッファ化合物及び８
５〜９４質量％の溶媒並びに場合によっては０．２〜１
質量％の増感剤。その際造酸物の増感剤に対する質量比
が約１：１であると有利である。
【００２５】このレジストは一層レジスト法にも二層レ
ジスト法にも使用可能である。しかし分解能を改善し、
基板の反射を低減するには二層レジスト法が有利であ
る。レジストは３００ｎｍ（深紫外線）以上の波長のＵ
Ｖ線で露光するか又は約５〜５０ｋＶの範囲の加速電圧
により電子ビームで照射してもよい。
【００２６】
【実施例】本発明を実施例に基づき以下に詳述する。
【００２７】例 １（深紫外線範囲での露光） 以下の組成のレジスト溶液、即ちラジカル重合により製
造された）約３０００ｇ／モルの分子量を有するマレイ
ン酸無水物及びメタクリル酸−第３ブチルエステル（モ
ル比５０：５０）から成るコポリマー７．５質量部、ト
ルオールスルホン酸とＮ−ヒドロキシフタルイミドのエ
ステル１質量部（造酸物として）、テトラエチルアンモ
ニウム−トシラート０．５質量部（バッファ化合物とし
て）、フルオレン−９−カルボン酸１質量部（増感剤と
して）及び１−メトキシ−２−プロピル−アセテート９
０質量部（溶媒として）を使用する。このレジスト溶液
をシリコンウェハ上に遠心塗布（回転数３０００／ｍｉ
ｎ-1）し、これに厚さ１．５μｍの加熱（空気循環炉内
で２２０℃／３０分）したノボラック層をボトムレジス
トとして備える。次いでホットプレート上で予備乾燥す
る（１２０℃／６０秒）。その際得られるトップレジス
トの層厚は２５０ｎｍである。引続きトップレジストを
マスク合わせ上のグレイコッタマスク（多密度分解能タ
ーゲット物質／ディトリック・オプティックス（Ｄｉｔ
ｒｉｃ Ｏｐｔｉｃｓ）社製）を通して真空密着露光
（ショット（Ｓｃｈｏｔｔ）社製のＵＶ−Ｍ干渉フィル
タを有するジュス・カーゲー（Ｓｕｅｓｓ Ｋ．Ｇ．）
社製のＭＪＢ３）により２４９ｎｍの紫外線で露光し、
（耐用時間Ｔの後）ホットプレート上で１００℃／１２
０秒で乾燥する（ＰＥＢ）。その際光分解により形成さ
れた酸による触媒作用で第３ブチルエステル基が分解さ
れる。水性アルカリ性現像剤（ＮＭＤ−Ｗ２．３８％／
トーキョウ・オーカ社製）での現像（パドリング装置で
９０秒間／ハマテッヒ（Ｈａｍａｔｅｃｈ）社製）によ
りマスクのポジ型画像が得られる。
【００２８】このマスクが異なる透過度の範囲を有する
ので、レジストを完全に現像する、即ち残層厚がもはや
測定されないような光の線量（Ｄｐ（０）線量）を求め
ることができる。こうして求められたＤｐ（０）線量
（８ｍＪ／ｃｍ2）は２４時間の耐用時間Ｔに関係ない
ことが測定精度の範囲内（±１ｍＪ／ｃｍ2）で実証さ
れている。Ｄｐ（０）線量は所定の露光線量で投影露光
（ウェハステッパ）した場合現像後のレジスト中で測定
される線幅又はトレンチ幅（ＣＤ）と反比例の相関関係
にある。その際２０％の線量の変化は線及びトレンチで
は最大０．１μｍの変化を生じる。このことから誤差限
度の範囲内で生じ得る最大１１％のＤｐ（０）線量の変
動はしばしば記載されているような重大な線幅の変化を
起こさないことが判明している。
【００２９】湿式現像後トップレジストをエタノール及
び２−プロパノール（容量比１：２）から成る混合物に
入れたジアミノプロピル−ジメチルシロキサンオリゴマ
ーの２％溶液（テゴマ（Ｔｅｇｏｍｅｒ）Ａ−Ｓｉ１０
２０／ゴールドシュミッド（Ｇｏｌｄｓｃｈｍｉｄｔ）
社製）の形のシリル化溶液で１２０秒間処理する。その
際レジストの層厚は９５ｎｍ増加した。引続き２０秒間
純粋な２−プロパノールで洗浄し、更にこのシリコンウ
ェハをプラズマエッチング装置（ＭＩＥ７２０／マテリ
アル・リサーチ・コーポレーション社製）に入れる。。
９００Ｗの高周波電力（バイアス電圧４５Ｖ）及び３０
ｓｃｃｍの酸素流量（圧力３ｍバール）でパターンをボ
トムレジストに転写する。エッチング時間は４５秒であ
る（３５％のオーバエッチング）。
【００３０】例 ２（電子ビームによる書込み） 以下の組成のレジスト溶液、即ちラジカル重合により製
造された約３０００ｇ／モルの分子量を有するマレイン
酸無水物、メタクリル酸−第３ブチルエステル及びメタ
クリル酸（モル比５０：４０：１０）から成るターポリ
マー８．９質量部、ｐ−ヨードベンゾールスルホン酸と
のＮ−ヒドロキシフタルイミドのエステル１質量部（造
酸剤として）、テトラエチルアンモニウム−トシラート
０．１質量部（バッファ化合物として）、フルオレン−
９−カルボン酸１質量部（増感剤として）及び１−メト
キシ−２−プロピル−アセテート９０質量部（溶媒とし
て）を使用する。このレジスト溶液をシリコンウェハ上
に遠心塗布（回転数３０００／ｍｉｎ-1）し、これに厚
さ０．５μｍの加熱（空気循環炉内で２２０℃／４５
分）したノボラック層をボトムレジストとして備える。
次いでホットプレート上で予備乾燥する（１２０℃／６
０秒）。その際得られるトップレジストの層厚は２５０
ｎｍである。引続きこのレジストに電子ビーム書込み機
（ＨＬ７００／日立製作所製）により３０ｋＶの加速電
圧で電子ビームを照射し、耐用時間Ｔの経過後ホットプ
レート上で１３０℃／１２０秒で乾燥する（ＰＥＢ）。
その際光分解により形成された酸による触媒作用で第３
ブチルエステル基が分解される。水性アルカリ性現像剤
（１％のメチルベンジルアミンを添加したＮＭＤ−Ｗ
１．１９％／トーキョウ・オーカ社製）での現像（パド
リング装置で９０秒間／ハマテッヒ（Ｈａｍａｔｅｃ
ｈ）社製）により記載のパターンが得られる。
【００３１】電子ビーム書込み機により種々の範囲を直
接種々の線量で照射することができるので、Ｄｐ（０）
線量を求めることができる。こうして求められたＤｐ
（０）線量（７μＣ／ｃｍ2）は測定精度の範囲内（±
１μＣ／ｃｍ2）で２４時間の耐用時間に関係ないこと
が判明している。Ｄｐ（０）線量は、所定の露光線量で
電子ビーム露光した場合現像後レジストに測定される線
幅又は溝幅（ＣＤ）と反比例の相関関係にある。その際
２０％の線量の変化は線及びトレンチでは最大０．１μ
ｍの変化を生じる。このことから誤差限度の範囲内で起
こり得る最大１１％のＤｐ（０）線量の変動は、しばし
ば記載されているような重大な線幅の変化を生じないこ
とが判明している。
【００３２】湿式現像後の処理は例１に準ずる。
【００３３】上記レジストの代わりに例１に述べたレジ
ストも使用可能である。その際バッファ効果は同様に認
められる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エワルト ギュンター ドイツ連邦共和国 91074 ヘルツォーゲ ンアウラッハ アンデアアウラッハ 17 アー

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 カルボン酸無水物基及び第３ブチルエス
    テル基、第３ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒド
    ロフラニル基又はテトラヒドロピラニル基を有するポリ
    マー、 露光又は電子ビーム照射の際にｐＫa値＞０．５を有す
    るスルホン酸を遊離する光反応性化合物（造酸物）、 スルホン酸と可逆的に化学反応可能の化合物（バッファ
    化合物）及び溶媒を含む化学的に増幅されたレジスト。
  2. 【請求項２】 補助的に光又は電子ビームの収率を高め
    る増感剤を含んでいることを特徴とする請求項１記載の
    レジスト。
  3. 【請求項３】 増感剤の造酸物に対する質量比がほぼ
    １：１であることを特徴とする請求項２記載のレジス
    ト。
  4. 【請求項４】 造酸物がスルホネート、ジスルホン、ジ
    アゾジスルホン又はスルホン酸エステルであることを特
    徴とする請求項１乃至３の１つに記載のレジスト。
  5. 【請求項５】 バッファ化合物が１個のスルホン酸アニ
    オンを有する第４級アンモニウム化合物であることを特
    徴とする請求項１乃至４の１つに記載のレジスト。
  6. 【請求項６】 溶媒がメトキシプロピルアセテート又は
    γ−ブチロラクトン及びシクロヘキサノンから成る混合
    物であることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載
    のレジスト。
  7. 【請求項７】 増感剤がカルボン酸又は多環式の芳香族
    炭化水素のエステル又はフェノール性水酸基を有する保
    護基を有する化合物であることを特徴とする請求項２乃
    至６の１つに記載のレジスト。
  8. 【請求項８】 増感剤が共有結合されたヨードを有する
    芳香族化合物であることを特徴とする請求項１乃至６の
    １つに記載のレジスト。
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