JP2985729B2 - 化学増幅型レジスト用保護膜材料 - Google Patents
化学増幅型レジスト用保護膜材料Info
- Publication number
- JP2985729B2 JP2985729B2 JP7129020A JP12902095A JP2985729B2 JP 2985729 B2 JP2985729 B2 JP 2985729B2 JP 7129020 A JP7129020 A JP 7129020A JP 12902095 A JP12902095 A JP 12902095A JP 2985729 B2 JP2985729 B2 JP 2985729B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- resist
- chemically amplified
- film material
- polyvinyl alcohol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に遠紫外線、電子
線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有
し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成
できる微細加工技術に適した化学増幅型レジスト層の上
層保護膜として有効な保護膜材料に関する。
線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有
し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成
できる微細加工技術に適した化学増幅型レジスト層の上
層保護膜として有効な保護膜材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ
の高集積化と高速度化に伴い、次世代の微細加工技術と
して遠紫外線リソグラフィーが有望視されている。遠紫
外線リソグラフィーは、０．３〜０．４μｍの加工も可
能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた場合、基
板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形成が可能
になる。近年、遠紫外線の光源として高輝度なＫｒＦエ
キシマレーザーを利用する技術が注目されており、これ
が量産技術として用いられるには、光吸収が低く、高感
度なレジスト材料が要望されている。
の高集積化と高速度化に伴い、次世代の微細加工技術と
して遠紫外線リソグラフィーが有望視されている。遠紫
外線リソグラフィーは、０．３〜０．４μｍの加工も可
能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた場合、基
板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形成が可能
になる。近年、遠紫外線の光源として高輝度なＫｒＦエ
キシマレーザーを利用する技術が注目されており、これ
が量産技術として用いられるには、光吸収が低く、高感
度なレジスト材料が要望されている。
【０００３】このような点から、近年開発された酸を触
媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特公平２−２７
６６０号、特開昭６３−２７８２９号公報、米国特許第
４，４９１，６２８号、米国特許第５，３１０，６１９
号等）は、感度、解像性、ドライエッチング耐性が高
く、優れた特徴を有した遠紫外線リソグラフィーに特に
有望なレジスト材料である。
媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特公平２−２７
６６０号、特開昭６３−２７８２９号公報、米国特許第
４，４９１，６２８号、米国特許第５，３１０，６１９
号等）は、感度、解像性、ドライエッチング耐性が高
く、優れた特徴を有した遠紫外線リソグラフィーに特に
有望なレジスト材料である。
【０００４】しかしながら、従来の化学増幅ポジ型レジ
スト材料は、遠紫外線、電子線、Ｘ線リソグラフィーを
行った際、露光からＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅＢａｋｅ）までの放置時間が長くなると、パターン形
成した際にラインパターンがＴ−トップ形状になる、即
ちパターン上部が太くなるという問題［ＰＥＤ（Ｐｏｓ
ｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｄｅｌａｙ）と呼ぶ］があり、
これはレジスト層表面の溶解性が低下するためと考えら
れ、実用に供する場合の大きな欠点となっている。この
ため、リソグラフィー工程での寸法制御を難しくし、ド
ライエッチングを用いた基板加工に際しても寸法制御性
を損ねるものである［参考：Ｗ．Ｈｉｎｓｂｅｒｇ，ｅ
ｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ．，６（４），５３５−５４６（１９９
３）．，Ｔ．Ｋｕｍａｄａ，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ｐｈｏｔ
ｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ．，６
（４），５７１−５７４（１９９３），］。この問題を
解決し、満足できる化学増幅ポジ型レジスト材料は未だ
ない。
スト材料は、遠紫外線、電子線、Ｘ線リソグラフィーを
行った際、露光からＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅＢａｋｅ）までの放置時間が長くなると、パターン形
成した際にラインパターンがＴ−トップ形状になる、即
ちパターン上部が太くなるという問題［ＰＥＤ（Ｐｏｓ
ｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｄｅｌａｙ）と呼ぶ］があり、
これはレジスト層表面の溶解性が低下するためと考えら
れ、実用に供する場合の大きな欠点となっている。この
ため、リソグラフィー工程での寸法制御を難しくし、ド
ライエッチングを用いた基板加工に際しても寸法制御性
を損ねるものである［参考：Ｗ．Ｈｉｎｓｂｅｒｇ，ｅ
ｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ．，６（４），５３５−５４６（１９９
３）．，Ｔ．Ｋｕｍａｄａ，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ｐｈｏｔ
ｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ．，６
（４），５７１−５７４（１９９３），］。この問題を
解決し、満足できる化学増幅ポジ型レジスト材料は未だ
ない。
【０００５】化学増幅ポジ型レジスト材料においてＰＥ
Ｄの問題の原因は、空気中の塩基性化合物が大きく関与
していると考えられている。露光により発生したレジス
ト層表面の酸は空気中の塩基性化合物と反応・失活し、
ＰＥＢまでの放置時間が長くなればそれだけ失活する酸
の量が増加するため、酸不安定基の分解が起こりにくく
なる。そのため表面に難溶化層が形成され、パターンが
Ｔ−トップ形状となってしまうものである。
Ｄの問題の原因は、空気中の塩基性化合物が大きく関与
していると考えられている。露光により発生したレジス
ト層表面の酸は空気中の塩基性化合物と反応・失活し、
ＰＥＢまでの放置時間が長くなればそれだけ失活する酸
の量が増加するため、酸不安定基の分解が起こりにくく
なる。そのため表面に難溶化層が形成され、パターンが
Ｔ−トップ形状となってしまうものである。
【０００６】しかしながら、化学増幅ポジ型レジスト材
料に微量の塩基性化合物を添加することにより、解像限
界付近でマスクパターンの光コントラストが低下しても
マスクエッジ部の酸濃度分布を急峻にできるので、寸法
制御性を向上させ、更にマスク遮光部に光干渉によって
生成した酸は塩基性化合物によって完全に中和されるの
で、レジストスカムの問題が解消されることが知られて
いる（特開平５−１２７３６９号公報）。
料に微量の塩基性化合物を添加することにより、解像限
界付近でマスクパターンの光コントラストが低下しても
マスクエッジ部の酸濃度分布を急峻にできるので、寸法
制御性を向上させ、更にマスク遮光部に光干渉によって
生成した酸は塩基性化合物によって完全に中和されるの
で、レジストスカムの問題が解消されることが知られて
いる（特開平５−１２７３６９号公報）。
【０００７】また、塩基性化合物を添加することにより
空気中の塩基性化合物の影響を抑えることができるた
め、ＰＥＤにも効果があることが知られているが（特開
平５−２３２７０６号、特開平５−２４９６８３号公
報）、ここで用いられる塩基性化合物は、揮発によりレ
ジスト膜中に取り込まれなかったり、レジスト各成分と
の相溶性が悪く、レジスト膜中での分散が不均一である
ために効果の再現性に問題があり、しかも解像力を落と
してしまうものであった。
空気中の塩基性化合物の影響を抑えることができるた
め、ＰＥＤにも効果があることが知られているが（特開
平５−２３２７０６号、特開平５−２４９６８３号公
報）、ここで用いられる塩基性化合物は、揮発によりレ
ジスト膜中に取り込まれなかったり、レジスト各成分と
の相溶性が悪く、レジスト膜中での分散が不均一である
ために効果の再現性に問題があり、しかも解像力を落と
してしまうものであった。
【０００８】そこで、化学増幅型レジスト膜用の保護膜
としてポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルブチラール、ポリスチレンスルホン酸を用いた方法
（特表平５−５０７１５４号公報）が提案されている
が、ポリビニルブチラール及びポリスチレンスルホン酸
は水に対して不溶若しくは難溶であるため剥離装置の増
設が必要であり、工程上好ましくない。また、ポリスチ
レンスルホン酸は波長２５０ｎｍ付近の紫外線に吸収を
有するため、レジスト膜への光の入射量を減少させてし
まうため好ましくない。
としてポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルブチラール、ポリスチレンスルホン酸を用いた方法
（特表平５−５０７１５４号公報）が提案されている
が、ポリビニルブチラール及びポリスチレンスルホン酸
は水に対して不溶若しくは難溶であるため剥離装置の増
設が必要であり、工程上好ましくない。また、ポリスチ
レンスルホン酸は波長２５０ｎｍ付近の紫外線に吸収を
有するため、レジスト膜への光の入射量を減少させてし
まうため好ましくない。
【０００９】更に、オニウム塩を光酸発生剤として用い
たレジスト材料（米国特許第４，４９１，６２８号、米
国特許第５，３１０，６１９号、特願平６−９５５６０
号公報）にポリアクリル酸を保護膜として用いた場合、
特表平５−５０７１５４号公報で開示されているトリフ
ルオロメチルスルホニルオキシビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド（Ｍ
ＤＴ）を光酸発生剤としたレジスト材料とは異なり、ポ
リアクリル酸がオニウム塩の光分解時の反応阻害を起こ
すことから、Ｔ−トップ形状の原因である表面難溶層を
生ずることが判った。また、ポリビニルアルコールを保
護膜として用いた場合、レジスト層と共にＰＥＢ（Ｐｏ
ｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行うとレジスト
溶剤の種類によってインターミキシングを起こすことが
あり、しかもマイクロゲルの発生によってパーティクル
が増加し水溶液での保存安定性が悪いことが判った。
たレジスト材料（米国特許第４，４９１，６２８号、米
国特許第５，３１０，６１９号、特願平６−９５５６０
号公報）にポリアクリル酸を保護膜として用いた場合、
特表平５−５０７１５４号公報で開示されているトリフ
ルオロメチルスルホニルオキシビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド（Ｍ
ＤＴ）を光酸発生剤としたレジスト材料とは異なり、ポ
リアクリル酸がオニウム塩の光分解時の反応阻害を起こ
すことから、Ｔ−トップ形状の原因である表面難溶層を
生ずることが判った。また、ポリビニルアルコールを保
護膜として用いた場合、レジスト層と共にＰＥＢ（Ｐｏ
ｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行うとレジスト
溶剤の種類によってインターミキシングを起こすことが
あり、しかもマイクロゲルの発生によってパーティクル
が増加し水溶液での保存安定性が悪いことが判った。
【００１０】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、Ｔ−トップ形状の原因である表面難溶層の問題、即
ちＰＥＤの問題を解決する微細加工技術に適した化学増
幅型レジスト層の新規な保護膜材料を提供することを目
的とする。
で、Ｔ−トップ形状の原因である表面難溶層の問題、即
ちＰＥＤの問題を解決する微細加工技術に適した化学増
幅型レジスト層の新規な保護膜材料を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、遠紫外
線、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線、特に遠紫外線
（波長２４５〜２５５ｎｍ）に対して高い感度を有し、
化学増幅ポジ型レジスト層或いはネガ型レジスト層の上
層保護膜材料として、スルホン酸変性されたポリビニル
アルコールなどの分子内にスルホン酸基を有し、芳香族
基を有さない水若しくはアルカリ性水溶液に可溶な重合
体を保護膜材料の主成分として用いることにより、Ｔ−
トップ形状の原因である表面難溶層の問題、即ちＰＥＤ
の問題を解決する微細加工技術に適した化学増幅型レジ
スト層の新規な保護膜材料に成り得ることを知見した。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、遠紫外
線、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線、特に遠紫外線
（波長２４５〜２５５ｎｍ）に対して高い感度を有し、
化学増幅ポジ型レジスト層或いはネガ型レジスト層の上
層保護膜材料として、スルホン酸変性されたポリビニル
アルコールなどの分子内にスルホン酸基を有し、芳香族
基を有さない水若しくはアルカリ性水溶液に可溶な重合
体を保護膜材料の主成分として用いることにより、Ｔ−
トップ形状の原因である表面難溶層の問題、即ちＰＥＤ
の問題を解決する微細加工技術に適した化学増幅型レジ
スト層の新規な保護膜材料に成り得ることを知見した。
【００１２】即ち、本発明の分子内にスルホン酸基を有
し、芳香族基を有さない水若しくはアルカリ性水溶液に
可溶な重合体を保護膜材料の主成分として用いることに
よって一括現像が可能となり、剥離装置の増設が不必要
なため工程が簡便となり、波長２５０ｎｍ付近の紫外線
に吸収を有さないためレジスト膜への光の入射量を減少
させず、しかも、オニウム塩などを光酸発生剤として用
いた化学増幅型レジスト材料に本発明の重合体を保護膜
として用いた場合、本発明の保護膜材料の主成分である
重合体のスルホン酸がオニウム塩やスルホン酸エステル
系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤等の光分解時の反
応阻害を起こさず、Ｔ−トップ形状の原因である表面難
溶層を生じさせることがないこと、更に環境からのアン
モニアやアミン化合物等のアルカリ性物質に対するバリ
ア性が高いことを知見した。
し、芳香族基を有さない水若しくはアルカリ性水溶液に
可溶な重合体を保護膜材料の主成分として用いることに
よって一括現像が可能となり、剥離装置の増設が不必要
なため工程が簡便となり、波長２５０ｎｍ付近の紫外線
に吸収を有さないためレジスト膜への光の入射量を減少
させず、しかも、オニウム塩などを光酸発生剤として用
いた化学増幅型レジスト材料に本発明の重合体を保護膜
として用いた場合、本発明の保護膜材料の主成分である
重合体のスルホン酸がオニウム塩やスルホン酸エステル
系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤等の光分解時の反
応阻害を起こさず、Ｔ−トップ形状の原因である表面難
溶層を生じさせることがないこと、更に環境からのアン
モニアやアミン化合物等のアルカリ性物質に対するバリ
ア性が高いことを知見した。
【００１３】また、ポリビニルアルコールの保護膜材料
はレジスト層と共にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅ Ｂａｋｅ）を行うとレジスト溶剤の種類によってイ
ンターミキシングを起こすことがあり、しかもマイクロ
ゲルの発生によってパーティクルが増加し、水溶液での
保存安定性が悪いのに対して、本発明の保護膜材料は主
成分の重合体中のスルホン酸の効果によって親水性が高
まり、親油性のレジスト層とインターミキシングしづら
い上に、水に対する溶解性も増加するためにマイクロゲ
ルの発生を抑え、パーティクルの保存安定性が良好なこ
とも知見し、本発明をなすに至った。
はレジスト層と共にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅ Ｂａｋｅ）を行うとレジスト溶剤の種類によってイ
ンターミキシングを起こすことがあり、しかもマイクロ
ゲルの発生によってパーティクルが増加し、水溶液での
保存安定性が悪いのに対して、本発明の保護膜材料は主
成分の重合体中のスルホン酸の効果によって親水性が高
まり、親油性のレジスト層とインターミキシングしづら
い上に、水に対する溶解性も増加するためにマイクロゲ
ルの発生を抑え、パーティクルの保存安定性が良好なこ
とも知見し、本発明をなすに至った。
【００１４】従って、本発明は、ポリビニルアルコール
の水酸基の一部をスルホン酸で変性した水若しくはアル
カリ水溶液に可溶なスルホン酸変性ポリビニルアルコー
ルを主成分とすることを特徴とする化学増幅型レジスト
用保護膜材料を提供する。
の水酸基の一部をスルホン酸で変性した水若しくはアル
カリ水溶液に可溶なスルホン酸変性ポリビニルアルコー
ルを主成分とすることを特徴とする化学増幅型レジスト
用保護膜材料を提供する。
【００１５】以下、本発明を更に詳しく説明すると、本
発明の化学増幅型レジスト用保護膜材料は、上述したよ
うに、分子内にスルホン酸基を有し、しかし芳香族基を
有さない水溶性又はアルカリ水溶液可溶性の重合体を主
成分としたものである。
発明の化学増幅型レジスト用保護膜材料は、上述したよ
うに、分子内にスルホン酸基を有し、しかし芳香族基を
有さない水溶性又はアルカリ水溶液可溶性の重合体を主
成分としたものである。
【００１６】ここで、このような重合体としては、ポリ
ビニルアルコールの水酸基の一部をスルホン酸基で変性
したものが好ましい。このスルホン酸変性ポリビニルア
ルコールとしては、例えば、日本合成化学工業社製：ゴ
ーセランＬ−３２６６、Ｌ−０３０２、クラレ社製：ク
ラレＳＫポリマーＳＫ−５１０２、Ｓ−２２１７等のア
ルキルスルホン酸ナトリウム変性されたポリビニルアル
コールのナトリウムを水素原子置換したものを使用する
ことができる。なお、この水素原子置換は、上記ゴーセ
ラン等のアルキルスルホン酸ナトリウム変性されたポリ
ビニルアルコールを水に溶解したものをイオン交換樹脂
に通すことによって行うことができる。また、上記ポリ
ビニルアルコールの平均鹸化度は５０モル％以上、特に
７５モル％以上であることが好ましい。
ビニルアルコールの水酸基の一部をスルホン酸基で変性
したものが好ましい。このスルホン酸変性ポリビニルア
ルコールとしては、例えば、日本合成化学工業社製：ゴ
ーセランＬ−３２６６、Ｌ−０３０２、クラレ社製：ク
ラレＳＫポリマーＳＫ−５１０２、Ｓ−２２１７等のア
ルキルスルホン酸ナトリウム変性されたポリビニルアル
コールのナトリウムを水素原子置換したものを使用する
ことができる。なお、この水素原子置換は、上記ゴーセ
ラン等のアルキルスルホン酸ナトリウム変性されたポリ
ビニルアルコールを水に溶解したものをイオン交換樹脂
に通すことによって行うことができる。また、上記ポリ
ビニルアルコールの平均鹸化度は５０モル％以上、特に
７５モル％以上であることが好ましい。
【００１７】また、上記重合体としては、他に２−アク
リルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸／酢
酸ビニル共重合体、２−アクリルアミド−２−メチル−
１−プロパンスルホン酸／ビニルアルコール共重合体、
２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホ
ン酸／アクリル酸共重合体、２−アクリルアミド−２−
メチル−１−プロパンスルホン酸／アクリル酸メチル共
重合体、２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパ
ンスルホン酸／メタクリル酸共重合体、２−アクリルア
ミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸／メタクリ
ル酸メチル共重合体、２−アクリルアミド−２−メチル
−１−プロパンスルホン酸／無水マレイン酸共重合体、
２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホ
ン酸／無水イタコン酸共重合体、ビニルスルホン酸／酢
酸ビニル共重合体、ビニルスルホン酸／ビニルアルコー
ル共重合体、ビニルスルホン酸／アクリル酸共重合体、
ビニルスルホン酸／アクリル酸メチル共重合体、ビニル
スルホン酸／メタクリル酸共重合体、ビニルスルホン酸
／メタクリル酸メチル共重合体、ビニルスルホン酸／無
水マレイン酸共重合体、ビニルスルホン酸／無水イタコ
ン酸共重合体等が挙げられる。これらの水溶性ポリマー
は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせ
て用いてもよい。また、他の水溶性重合体に混合させて
使用してもよい。
リルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸／酢
酸ビニル共重合体、２−アクリルアミド−２−メチル−
１−プロパンスルホン酸／ビニルアルコール共重合体、
２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホ
ン酸／アクリル酸共重合体、２−アクリルアミド−２−
メチル−１−プロパンスルホン酸／アクリル酸メチル共
重合体、２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパ
ンスルホン酸／メタクリル酸共重合体、２−アクリルア
ミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸／メタクリ
ル酸メチル共重合体、２−アクリルアミド−２−メチル
−１−プロパンスルホン酸／無水マレイン酸共重合体、
２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホ
ン酸／無水イタコン酸共重合体、ビニルスルホン酸／酢
酸ビニル共重合体、ビニルスルホン酸／ビニルアルコー
ル共重合体、ビニルスルホン酸／アクリル酸共重合体、
ビニルスルホン酸／アクリル酸メチル共重合体、ビニル
スルホン酸／メタクリル酸共重合体、ビニルスルホン酸
／メタクリル酸メチル共重合体、ビニルスルホン酸／無
水マレイン酸共重合体、ビニルスルホン酸／無水イタコ
ン酸共重合体等が挙げられる。これらの水溶性ポリマー
は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせ
て用いてもよい。また、他の水溶性重合体に混合させて
使用してもよい。
【００１８】この保護膜材料の重合体の重量平均分子量
は、５，０００〜５０，０００、特に５，０００〜１
０，０００であることが好ましい。５，０００に満たな
いと膜厚を３００Å以上にできなくなる場合があり、１
０，０００を越えると粘度が高くなり過ぎて塗りにくく
なり、好ましくない場合がある。
は、５，０００〜５０，０００、特に５，０００〜１
０，０００であることが好ましい。５，０００に満たな
いと膜厚を３００Å以上にできなくなる場合があり、１
０，０００を越えると粘度が高くなり過ぎて塗りにくく
なり、好ましくない場合がある。
【００１９】また、この保護膜材料の重合体のスルホン
酸変性度は、０．１〜２０モル％、特に０．２〜５モル
％であることが好ましい。０．１モル％に満たないと酸
性度が低くなって水に対する溶解度が小さくなり、保存
安定性が悪くなる場合があり、また環境からのアルカリ
性物質に対するバリア性が弱まる場合があり、２０モル
％を越えると酸性度が高くなってレジスト層を溶解して
しまい、好ましくない場合がある。
酸変性度は、０．１〜２０モル％、特に０．２〜５モル
％であることが好ましい。０．１モル％に満たないと酸
性度が低くなって水に対する溶解度が小さくなり、保存
安定性が悪くなる場合があり、また環境からのアルカリ
性物質に対するバリア性が弱まる場合があり、２０モル
％を越えると酸性度が高くなってレジスト層を溶解して
しまい、好ましくない場合がある。
【００２０】本発明の保護膜材料は、上記重合体を水に
溶解した回転注入可能な水溶液として調製できる。この
場合、水溶液中の重合体の濃度は保護層の膜厚を３００
〜３，０００Å（０．０３〜０．３μｍ）に設定するた
めに、１〜３０重量％、特に２〜１５重量％が望まし
く、１重量％に満たないと膜厚が３００Åより薄くなっ
て保護効果、即ち環境からのアルカリ性物質に対するバ
リア性が弱まる場合があり、３０重量％を越えると膜厚
が３，０００Åより厚くなって剥離工程時の負担が大き
くなり、好ましくない場合がある。
溶解した回転注入可能な水溶液として調製できる。この
場合、水溶液中の重合体の濃度は保護層の膜厚を３００
〜３，０００Å（０．０３〜０．３μｍ）に設定するた
めに、１〜３０重量％、特に２〜１５重量％が望まし
く、１重量％に満たないと膜厚が３００Åより薄くなっ
て保護効果、即ち環境からのアルカリ性物質に対するバ
リア性が弱まる場合があり、３０重量％を越えると膜厚
が３，０００Åより厚くなって剥離工程時の負担が大き
くなり、好ましくない場合がある。
【００２１】本発明の保護膜材料を用いたレジストパタ
ーンを形成するには、化学増幅型レジスト材料の公知の
方法を採用し得、例えばポジ型のレジスト材料のリソグ
ラフィー工程により行うことができる。まず、ケイ素ウ
エハー等の基板上にスピンコート等の方法でレジスト層
を形成し、このレジスト層の上に本発明の保護膜材料を
スピンコート等の方法で塗布して保護層を形成し、保護
層に波長１９０〜５００ｎｍの紫外線若しくはエキシマ
レーザーを縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）
を行い、次いで水により保護層を除去し、現像液を用い
て現像する方法によりレジストパターンを形成すること
ができる。なお、現像時にアルカリ現像液を用いて保護
層の除去と現像を同時に行うことも可能である。
ーンを形成するには、化学増幅型レジスト材料の公知の
方法を採用し得、例えばポジ型のレジスト材料のリソグ
ラフィー工程により行うことができる。まず、ケイ素ウ
エハー等の基板上にスピンコート等の方法でレジスト層
を形成し、このレジスト層の上に本発明の保護膜材料を
スピンコート等の方法で塗布して保護層を形成し、保護
層に波長１９０〜５００ｎｍの紫外線若しくはエキシマ
レーザーを縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）
を行い、次いで水により保護層を除去し、現像液を用い
て現像する方法によりレジストパターンを形成すること
ができる。なお、現像時にアルカリ現像液を用いて保護
層の除去と現像を同時に行うことも可能である。
【００２２】この場合、レジスト材料は上記のようなポ
ジ型に限られず、化学増幅型レジスト材料としては所定
波長の光に対して所定レベルのコントラスト閾値を示す
ものであればポジ型、ネガ型のいずれも使用することが
できるが、特に、本発明の保護膜材料は波長２４５〜２
５５ｎｍの遠紫外線及び波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザーによる微細パターニングに最適である。
ジ型に限られず、化学増幅型レジスト材料としては所定
波長の光に対して所定レベルのコントラスト閾値を示す
ものであればポジ型、ネガ型のいずれも使用することが
できるが、特に、本発明の保護膜材料は波長２４５〜２
５５ｎｍの遠紫外線及び波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザーによる微細パターニングに最適である。
【００２３】
【発明の効果】本発明の保護膜材料は、化学増幅型レジ
スト材料の上層保護膜としての機能を有し、成膜性が良
く、簡便で生産性が高く、再現性良くレジストパターン
の形成を可能にし得るものである。従って、本発明材料
を用いることにより、半導体集積回路を製造する際のフ
ォトリソグラフィーのパターン形成時に安定して高精度
の微細加工を行うことができる。
スト材料の上層保護膜としての機能を有し、成膜性が良
く、簡便で生産性が高く、再現性良くレジストパターン
の形成を可能にし得るものである。従って、本発明材料
を用いることにより、半導体集積回路を製造する際のフ
ォトリソグラフィーのパターン形成時に安定して高精度
の微細加工を行うことができる。
【００２４】
【実施例】以下、実施例と比較例を示して本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるも
のではない。
【００２５】〔実施例１〕ポジ型の化学増幅型レジスト
材料としては、下記の組成のものを使用した。 部分的に水酸基をｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護したポリヒドロキシ スチレン ７５重量部 トリフルオロメタンスルホン酸（ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルス ルホニウム ５重量部 ２，２’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパ ン ２０重量部 乳酸エチル／酢酸ブチル（８５重量％／１５重量％） ５００重量部 保護膜材料としては、下記の組成のものを使用した。 Ｌ−３２６６（日本合成化学工業製：平均鹸化度約８８％：重量平均分子量約 １６，０００：スルホン酸変性度約０．４モル％） ６．５重量部 超純水 ９３．５重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、スルホン酸ナトリウム変性されたポリビニルアルコ
ールのナトリウムを水素原子置換したものを使用した。
材料としては、下記の組成のものを使用した。 部分的に水酸基をｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基で保護したポリヒドロキシ スチレン ７５重量部 トリフルオロメタンスルホン酸（ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルス ルホニウム ５重量部 ２，２’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパ ン ２０重量部 乳酸エチル／酢酸ブチル（８５重量％／１５重量％） ５００重量部 保護膜材料としては、下記の組成のものを使用した。 Ｌ−３２６６（日本合成化学工業製：平均鹸化度約８８％：重量平均分子量約 １６，０００：スルホン酸変性度約０．４モル％） ６．５重量部 超純水 ９３．５重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、スルホン酸ナトリウム変性されたポリビニルアルコ
ールのナトリウムを水素原子置換したものを使用した。
【００２６】上記材料を用い、通常のリソグラフィー工
程に従ってレジストパターンを形成した。
程に従ってレジストパターンを形成した。
【００２７】まず、基板上に上記ポジ型の化学増幅型レ
ジスト材料をスピンコートし、１００℃で９０秒間プリ
ベークすることにより０．７５μｍの膜厚でレジスト層
を形成した。
ジスト材料をスピンコートし、１００℃で９０秒間プリ
ベークすることにより０．７５μｍの膜厚でレジスト層
を形成した。
【００２８】次いで、レジスト層上に上記保護膜材料を
スピンコートすることにより１．０μｍの保護層を形成
した。
スピンコートすることにより１．０μｍの保護層を形成
した。
【００２９】そして、エキシマレーザーステッパー（ニ
コン社、ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ，ＮＡ＝０．５）を
用いて露光し、超純水により保護層を剥離後、９０℃で
６０秒間ＰＥＢを施し、２．３８％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型
の０．２６μｍのラインアンドスペースのレジストパタ
ーンを表面難溶層を形成することなく矩形で得ることが
できた。なお、露光からＰＥＢまでの放置時間を２時間
とした場合も同様に解像させることができた。
コン社、ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ，ＮＡ＝０．５）を
用いて露光し、超純水により保護層を剥離後、９０℃で
６０秒間ＰＥＢを施し、２．３８％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型
の０．２６μｍのラインアンドスペースのレジストパタ
ーンを表面難溶層を形成することなく矩形で得ることが
できた。なお、露光からＰＥＢまでの放置時間を２時間
とした場合も同様に解像させることができた。
【００３０】また、ＰＥＢ前に超純水による保護層の剥
離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、ＰＥＢ前及
びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わず、２．
３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶
液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合も、同様
な結果を得ることができた。
離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、ＰＥＢ前及
びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わず、２．
３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶
液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合も、同様
な結果を得ることができた。
【００３１】なお、この保護膜材料の保存安定性は室温
で３〜６ケ月であった（リオン製の液中パーティクルカ
ウンターを用いて、０．３μｍ以上のパーティクルが１
００個／ｍｌ以下の場合を安定とした）。
で３〜６ケ月であった（リオン製の液中パーティクルカ
ウンターを用いて、０．３μｍ以上のパーティクルが１
００個／ｍｌ以下の場合を安定とした）。
【００３２】〔実施例２〕保護膜材料としては、下記の
組成のものを使用した。 ＳＫ−５１０２（クラレ製：平均鹸化度約９７％：重量平均分子量約２２，０ ００：スルホン酸変性度約３モル％） ６．５重量部 超純水 ９３．５重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、スルホン酸ナトリウム変性されたポリビニルアルコ
ールのナトリウムを水素原子置換したものを使用した。
組成のものを使用した。 ＳＫ−５１０２（クラレ製：平均鹸化度約９７％：重量平均分子量約２２，０ ００：スルホン酸変性度約３モル％） ６．５重量部 超純水 ９３．５重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、スルホン酸ナトリウム変性されたポリビニルアルコ
ールのナトリウムを水素原子置換したものを使用した。
【００３３】実施例１と同様にしてレジストパターンの
形成を行ったところ、ポジ型の０．２８μｍのラインア
ンドスペースのレジストパターンを表面難溶層を形成す
ることなく矩形で得ることができた。なお、露光からＰ
ＥＢまでの放置時間を２時間とした場合も同様に解像さ
せることができた。
形成を行ったところ、ポジ型の０．２８μｍのラインア
ンドスペースのレジストパターンを表面難溶層を形成す
ることなく矩形で得ることができた。なお、露光からＰ
ＥＢまでの放置時間を２時間とした場合も同様に解像さ
せることができた。
【００３４】また、ＰＥＢ前に超純水による保護層の剥
離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、ＰＥＢ前及
びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わず、２．
３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶
液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合も、同様
な結果を得ることができた。なお、この保護膜材料の保
存安定性は室温で３〜６ケ月であった。
離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、ＰＥＢ前及
びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わず、２．
３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶
液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合も、同様
な結果を得ることができた。なお、この保護膜材料の保
存安定性は室温で３〜６ケ月であった。
【００３５】〔比較例１〕保護膜材料としては、下記の
組成のものを使用した。 ＰＡ−０３（信越化学工業製ポリビニルアルコール：平均鹸化度約８８％：重 量平均分子量約２０，０００） ６．５重量部 超純水 ９３．５重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、不純物として存在する酢酸ナトリウムを除去した。
組成のものを使用した。 ＰＡ−０３（信越化学工業製ポリビニルアルコール：平均鹸化度約８８％：重 量平均分子量約２０，０００） ６．５重量部 超純水 ９３．５重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、不純物として存在する酢酸ナトリウムを除去した。
【００３６】上記と同様のリソグラフィー工程に従って
レジストパターンを形成した。
レジストパターンを形成した。
【００３７】まず、基板上に上記ポジ型の化学増幅型レ
ジスト材料をスピンコートし、１００℃で９０秒間プリ
ベークすることにより０．７５μｍの膜厚でレジスト層
を形成した。
ジスト材料をスピンコートし、１００℃で９０秒間プリ
ベークすることにより０．７５μｍの膜厚でレジスト層
を形成した。
【００３８】次いで、レジスト層上に上記保護膜材料を
スピンコートすることにより２．０μｍの保護層を形成
した。
スピンコートすることにより２．０μｍの保護層を形成
した。
【００３９】そして、エキシマレーザーステッパー（ニ
コン社、ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ，ＮＡ＝０．５）を
用いて露光し、超純水により保護層を剥離後、９０℃で
６０秒間ＰＥＢを施し、２．３８％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型
の０．２８μｍのラインアンドスペースのレジストパタ
ーンを表面難溶層を形成することなく矩形で得ることが
できた。なお、露光からＰＥＢまでの放置時間を２時間
とした場合も同様に解像させることができた。
コン社、ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ，ＮＡ＝０．５）を
用いて露光し、超純水により保護層を剥離後、９０℃で
６０秒間ＰＥＢを施し、２．３８％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型
の０．２８μｍのラインアンドスペースのレジストパタ
ーンを表面難溶層を形成することなく矩形で得ることが
できた。なお、露光からＰＥＢまでの放置時間を２時間
とした場合も同様に解像させることができた。
【００４０】しかしながら、ＰＥＢ前に超純水による保
護層の剥離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、Ｐ
ＥＢ前及びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わ
ず、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドの水溶液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合
は、インターミキシングのために解像性が低下してしま
い、０．３０μｍまでしか解像しなかった。また、この
保護膜材料は、イオン性の酢酸ナトリウムを除去したた
めにマイクロゲルの発生が起こり、保存安定性は室温で
２週間であった。
護層の剥離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、Ｐ
ＥＢ前及びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わ
ず、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドの水溶液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合
は、インターミキシングのために解像性が低下してしま
い、０．３０μｍまでしか解像しなかった。また、この
保護膜材料は、イオン性の酢酸ナトリウムを除去したた
めにマイクロゲルの発生が起こり、保存安定性は室温で
２週間であった。
【００４１】〔比較例２〕保護膜材料としては、下記の
組成のものを使用した。 ＡＣ−１０Ｐ（日本純薬製ポリアクリル酸：重量平均分子量約７，０００） ６．０重量部 超純水 ９４．０重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、完全に水素原子化されていないカルボン酸ナトリウ
ム部分のナトリウムをほぼ完全に水素原子置換したもの
を使用した。
組成のものを使用した。 ＡＣ−１０Ｐ（日本純薬製ポリアクリル酸：重量平均分子量約７，０００） ６．０重量部 超純水 ９４．０重量部 この場合、上記水溶液をイオン交換樹脂ＥＧ−２９０Ｈ
Ｇ（オルガノ製）を充填したカラムに通して脱金属を行
い、完全に水素原子化されていないカルボン酸ナトリウ
ム部分のナトリウムをほぼ完全に水素原子置換したもの
を使用した。
【００４２】上記と同様のリソグラフィー工程に従って
レジストパターンを形成した。
レジストパターンを形成した。
【００４３】まず、基板上に上記ポジ型の化学増幅型レ
ジスト材料をスピンコートし、１００℃で９０秒間プリ
ベークすることにより０．７５μｍの膜厚でレジスト層
を形成した。
ジスト材料をスピンコートし、１００℃で９０秒間プリ
ベークすることにより０．７５μｍの膜厚でレジスト層
を形成した。
【００４４】次いで、レジスト層上に上記保護膜材料を
スピンコートすることにより１．０μｍの保護層を形成
した。
スピンコートすることにより１．０μｍの保護層を形成
した。
【００４５】そして、エキシマレーザーステッパー（ニ
コン社、ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ，ＮＡ＝０．５）を
用いて露光し、超純水により保護層を剥離後、９０℃で
６０秒間ＰＥＢを施し、２．３８％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型
の０．３０μｍのラインアンドスペースのレジストパタ
ーンを得ることができたが、表面難溶層が形成されＴ−
トップ形状であった。なお、露光からＰＥＢまでの放置
時間を１時間とした場合はレジストパターンを得ること
ができなかった。
コン社、ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ，ＮＡ＝０．５）を
用いて露光し、超純水により保護層を剥離後、９０℃で
６０秒間ＰＥＢを施し、２．３８％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型
の０．３０μｍのラインアンドスペースのレジストパタ
ーンを得ることができたが、表面難溶層が形成されＴ−
トップ形状であった。なお、露光からＰＥＢまでの放置
時間を１時間とした場合はレジストパターンを得ること
ができなかった。
【００４６】また、ＰＥＢ前に超純水による保護層の剥
離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、ＰＥＢ前及
びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わず、２．
３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶
液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合は、カル
ボン酸のために解像性が低下してしまい、０．４０μｍ
までしか解像しなかった。なお、この保護膜材料の保存
安定性は室温で３〜６ケ月であった。
離を行わず、ＰＥＢ後に剥離を行った場合、ＰＥＢ前及
びＰＥＢ後に超純水による保護層の剥離を行わず、２．
３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶
液で水溶性層の剥離と現像を一括に行った場合は、カル
ボン酸のために解像性が低下してしまい、０．４０μｍ
までしか解像しなかった。なお、この保護膜材料の保存
安定性は室温で３〜６ケ月であった。
フロントページの続き (72)発明者 石原 俊信 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社 合成技術研究 所内 (56)参考文献 特開 平８−254834（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/11 H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 ポリビニルアルコールの水酸基の一部を
スルホン酸で変性した水若しくはアルカリ水溶液に可溶
なスルホン酸変性ポリビニルアルコールを主成分とする
ことを特徴とする化学増幅型レジスト用保護膜材料。 - 【請求項２】 ポリビニルアルコールの重量平均分子量
が５，０００〜５０，０００である請求項１記載の材
料。 - 【請求項３】 ポリビニルアルコールの平均鹸化度が５
０モル％以上である請求項１又は２記載の材料。 - 【請求項４】 ポリビニルアルコールのスルホン酸変性
度が０．１〜２０モル％である請求項１乃至３のいずれ
か１項記載の材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7129020A JP2985729B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 化学増幅型レジスト用保護膜材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7129020A JP2985729B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 化学増幅型レジスト用保護膜材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08305031A JPH08305031A (ja) | 1996-11-22 |
| JP2985729B2 true JP2985729B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=14999176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7129020A Expired - Fee Related JP2985729B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 化学増幅型レジスト用保護膜材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985729B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4386359B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-12-16 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 保護膜形成装置、基板処理システム、および除去方法 |
| US20070117040A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | International Business Machines Corporation | Water castable-water strippable top coats for 193 nm immersion lithography |
| WO2009004948A1 (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 感光性平版印刷版材料 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP7129020A patent/JP2985729B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08305031A (ja) | 1996-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6319655B1 (en) | Modification of 193 nm sensitive photoresist materials by electron beam exposure | |
| US6365322B1 (en) | Photoresist composition for deep UV radiation | |
| US6171755B1 (en) | Chemically amplified resist | |
| US20030008237A1 (en) | Antireflective coating compositions | |
| US6900001B2 (en) | Method for modifying resist images by electron beam exposure | |
| JPH06194834A (ja) | パターン形成用材料 | |
| US5529888A (en) | Water-soluble film forming composition | |
| JP3125678B2 (ja) | 化学増幅ポジ型レジスト材料 | |
| US6699645B2 (en) | Method for the formation of resist patterns | |
| JPH06242606A (ja) | ポジ型放射感応性混合物 | |
| US6340556B1 (en) | Tailoring of linewidth through electron beam post exposure | |
| JPH06242605A (ja) | ポジ型放射感応性混合物 | |
| JP3761322B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型ホトレジスト | |
| JP2944857B2 (ja) | オーバーコート材料 | |
| JP2002156764A (ja) | 微細レジストホールパターン形成方法 | |
| JPH08262702A (ja) | ２００ｎｍ未満の波長をもつ紫外放射線のための湿式化学現像可能な、エッチ安定なフォトレジスト | |
| JP3441167B2 (ja) | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH10301286A (ja) | 化学的に増幅されたレジスト | |
| JP2985729B2 (ja) | 化学増幅型レジスト用保護膜材料 | |
| US6641971B2 (en) | Resist compositions comprising silyl ketals and methods of use thereof | |
| US6866986B2 (en) | Method of 193 NM photoresist stabilization by the use of ion implantation | |
| JP2005157352A (ja) | 有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法 | |
| KR100273108B1 (ko) | 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 | |
| WO2005073810A1 (ja) | ネガ型レジスト組成物、および、レジストパターン形成方法 | |
| JP2000330284A (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |