JP3512190B2 - フォトリソグラフィパターン製造方法 - Google Patents
フォトリソグラフィパターン製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、乾式現像可能の一層レジスト系によりサブ
ミクロン範囲のフォトリソグラフィパターンを製造する
方法に関する。
ミクロン範囲のフォトリソグラフィパターンを製造する
方法に関する。
マイクロエレクトロニクス技術分野においては大規模
にいわゆる化学的に補強されたレジスト（“Chemically
amplified resists"）が使用される（これに関して
は「固体テクノロジー」第34巻（1991年）第８号、第53
〜60頁参照）。この化学的補強は湿式現像可能の一層レ
ジストの場合にも完全に又は部分的に乾式現像可能のレ
ジストの場合にも適用される。その際レジストは酸触媒
による開裂の原理に従って作用可能であるが、しかしそ
の際極性は有するがブロックされた化学基、例えばカル
ボキシル基又はフェノール性ヒドロキシル基は光分解に
より形成される酸によりブロックを解かれ、露光された
領域内のレジストはその極性が変化する。この極性の変
化を例えば乾式現像可能のレジストの場合選択的シリル
化に利用することができる。ブロックされる基の例には
ｔ−ブチルエステル及びｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基がある。
にいわゆる化学的に補強されたレジスト（“Chemically
amplified resists"）が使用される（これに関して
は「固体テクノロジー」第34巻（1991年）第８号、第53
〜60頁参照）。この化学的補強は湿式現像可能の一層レ
ジストの場合にも完全に又は部分的に乾式現像可能のレ
ジストの場合にも適用される。その際レジストは酸触媒
による開裂の原理に従って作用可能であるが、しかしそ
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ボキシル基又はフェノール性ヒドロキシル基は光分解に
より形成される酸によりブロックを解かれ、露光された
領域内のレジストはその極性が変化する。この極性の変
化を例えば乾式現像可能のレジストの場合選択的シリル
化に利用することができる。ブロックされる基の例には
ｔ−ブチルエステル及びｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基がある。
欧州特許出願公開第0492256号明細書からフォトリソ
グラフパターンの製造は公知であり、その際乾式現像可
能のレジストは露光後熱処理（Post Exposure Bake＝
PEB）され、次いで液相からシリル化され、引続き酸素
プラズマ中で異方性エッチングされる。その際この種の
シリル化溶液に応じてポジ又はネガ型パターンが形成さ
れる。このレジストは一般に少なくとも２個の固体成
分、即ちベースポリマーと光活性造酸物から成る。ベー
スポリマーは無水カルボン酸−及びｔ−ブチルエステル
部分構造を含み、造酸物は有利にはジフェニルヨードニ
ウム−及びトリフェニルスルホニウム−トリフルオロメ
タンスルホン酸のようなオニウム化合物である。この種
のレジストは極めて峻しい側面を有するサブミクロン及
びサブ半ミクロン範囲の光パターン化に特に適してい
る。
グラフパターンの製造は公知であり、その際乾式現像可
能のレジストは露光後熱処理（Post Exposure Bake＝
PEB）され、次いで液相からシリル化され、引続き酸素
プラズマ中で異方性エッチングされる。その際この種の
シリル化溶液に応じてポジ又はネガ型パターンが形成さ
れる。このレジストは一般に少なくとも２個の固体成
分、即ちベースポリマーと光活性造酸物から成る。ベー
スポリマーは無水カルボン酸−及びｔ−ブチルエステル
部分構造を含み、造酸物は有利にはジフェニルヨードニ
ウム−及びトリフェニルスルホニウム−トリフルオロメ
タンスルホン酸のようなオニウム化合物である。この種
のレジストは極めて峻しい側面を有するサブミクロン及
びサブ半ミクロン範囲の光パターン化に特に適してい
る。
上記のような方法によるパターンの製造の際に−同様
に酸触媒による開裂の原理に従って作用する他の公知の
レジスト系のように−いわゆる有効寿命への影響が確か
められた。即ち露光と熱処理（PEB）との間の期間（遅
延時間）が一定の値を越えると、標準パターンの寸法
（マスク上のパターンの大きさ）と複写されたパターン
（現像後のレジスト中のパターンの大きさ）との間に明
かな偏差が生じる。この期間が長ければ長いほど偏差は
大きくなる。この期間の一定の値（上記形式の無水物基
含有レジストの場合は例えば約30分）からは現像後殆ど
パターンを識別できなくなる。このレジストの場合許容
し得る期間は約５〜10分である。しかしこのような期間
は製造技術上の理由から受容し難いものである。
に酸触媒による開裂の原理に従って作用する他の公知の
レジスト系のように−いわゆる有効寿命への影響が確か
められた。即ち露光と熱処理（PEB）との間の期間（遅
延時間）が一定の値を越えると、標準パターンの寸法
（マスク上のパターンの大きさ）と複写されたパターン
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かな偏差が生じる。この期間が長ければ長いほど偏差は
大きくなる。この期間の一定の値（上記形式の無水物基
含有レジストの場合は例えば約30分）からは現像後殆ど
パターンを識別できなくなる。このレジストの場合許容
し得る期間は約５〜10分である。しかしこのような期間
は製造技術上の理由から受容し難いものである。
上記の問題は一般に公知であり、有効寿命内に光化学
的に形成される強酸を失活する大気中の塩基性汚染に起
因するものである。従ってこの問題は活性炭により大気
を濾過することにより解決することがすでに提案されて
いる（これに関しては「Proc.SPIE」第1466巻（1991
年）第２〜12頁参照）。しかしそれには高い費用を要す
る。
的に形成される強酸を失活する大気中の塩基性汚染に起
因するものである。従ってこの問題は活性炭により大気
を濾過することにより解決することがすでに提案されて
いる（これに関しては「Proc.SPIE」第1466巻（1991
年）第２〜12頁参照）。しかしそれには高い費用を要す
る。
他の措置、例えば付加物の添加によっても有効寿命へ
の影響を決定的に弱めることはできない（これに関して
は「Proc.SPIE」第1466巻（1991年）第３〜25頁参
照）。有効寿命を延長することは付加層の被着により可
能であるが、しかし僅少の程度に過ぎない。更にこの措
置は付加的な処理工程となり、これが歩留りの損失を招
くため製造上好ましいものではない。
の影響を決定的に弱めることはできない（これに関して
は「Proc.SPIE」第1466巻（1991年）第３〜25頁参
照）。有効寿命を延長することは付加層の被着により可
能であるが、しかし僅少の程度に過ぎない。更にこの措
置は付加的な処理工程となり、これが歩留りの損失を招
くため製造上好ましいものではない。
本発明の課題は−酸触媒による開裂の原理に従って行
われる−フォトリソグラフィによるパターンの製造方法
を、冒頭に記載した形式のレジスト系の場合に−有効寿
命の問題を付加的処理工程又は付加的費用をかけること
なく解決することのできる、即ち露光と熱処理との間の
（約10分の値）有効寿命を製造技術上許容可能の水準に
高める方法を提供することにある。
われる−フォトリソグラフィによるパターンの製造方法
を、冒頭に記載した形式のレジスト系の場合に−有効寿
命の問題を付加的処理工程又は付加的費用をかけること
なく解決することのできる、即ち露光と熱処理との間の
（約10分の値）有効寿命を製造技術上許容可能の水準に
高める方法を提供することにある。
この課題は本発明により、
無水カルボン酸基及びｔ−ブチルエステル基又はｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ酸基を含むポリマー、 以下の構造 ［式中基Ｒは−互いに独立して−水素、アルキル、ハロ
ゲンアルキル、アルコキシ、フェニル、ハロゲンフェニ
ル、フェノキシ又はハロゲンを表す］ のナフトキノンジアジド−４−スルホン酸及び芳香族又
は芳香族−脂肪族ヒドロキシ化合物からなるエステルの
形の光活性成分、 及び溶剤 からなるフォトレジスト層を基板上に施し、 このフォトレジスト層を乾燥し、 このフォトレジスト層を像に応じて露光し、 露光されたフォトレジスト層を120〜150℃の温度で100
〜600秒間熱処理し、このように処理されたフォトレジ
スト層を液状シリル化し、 シリル化されたフォトレジスト層を異方性酸素プラズマ
中で乾式現像する ことにより解決される。
トキシカルボニルオキシ酸基を含むポリマー、 以下の構造 ［式中基Ｒは−互いに独立して−水素、アルキル、ハロ
ゲンアルキル、アルコキシ、フェニル、ハロゲンフェニ
ル、フェノキシ又はハロゲンを表す］ のナフトキノンジアジド−４−スルホン酸及び芳香族又
は芳香族−脂肪族ヒドロキシ化合物からなるエステルの
形の光活性成分、 及び溶剤 からなるフォトレジスト層を基板上に施し、 このフォトレジスト層を乾燥し、 このフォトレジスト層を像に応じて露光し、 露光されたフォトレジスト層を120〜150℃の温度で100
〜600秒間熱処理し、このように処理されたフォトレジ
スト層を液状シリル化し、 シリル化されたフォトレジスト層を異方性酸素プラズマ
中で乾式現像する ことにより解決される。
本発明に基づく方法は貯蔵安定な乾式現像可能の一層
レジスト系、即ち無水物基の外にｔ−ブチルエステル又
はｔ−ブトキシカルボニルオキシ基を有するポリマーを
ベースとするネガ型レジストを基礎としている。この種
のレジストは深紫外線（DUV）範囲ばかりでなく、近紫
外線（NUV）範囲にも有効である利点を有する。
レジスト系、即ち無水物基の外にｔ−ブチルエステル又
はｔ−ブトキシカルボニルオキシ基を有するポリマーを
ベースとするネガ型レジストを基礎としている。この種
のレジストは深紫外線（DUV）範囲ばかりでなく、近紫
外線（NUV）範囲にも有効である利点を有する。
このレジストの光活性成分はナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸及びヒドロキシ化合物からなるエステル
である。この種の光活性成分はなるほどそれ自体公知の
ものである（これに関しては「マイクロエレクトロニク
ステクノロジーにおける方法及び材料」プレナムプレス
社、ニューヨーク（1984年）第190〜193頁参照）。しか
し本発明の場合この種の光活性成分を含むレジストの優
れた構造化能には驚くべきものがある。即ちフォトリソ
グラフィによるパターンの形成の際にｔ−ブチルエステ
ル含有ベースポリマーの場合一般には極めて強い造酸物
が必要であるからである。
４−スルホン酸及びヒドロキシ化合物からなるエステル
である。この種の光活性成分はなるほどそれ自体公知の
ものである（これに関しては「マイクロエレクトロニク
ステクノロジーにおける方法及び材料」プレナムプレス
社、ニューヨーク（1984年）第190〜193頁参照）。しか
し本発明の場合この種の光活性成分を含むレジストの優
れた構造化能には驚くべきものがある。即ちフォトリソ
グラフィによるパターンの形成の際にｔ−ブチルエステ
ル含有ベースポリマーの場合一般には極めて強い造酸物
が必要であるからである。
本発明方法の場合熱処理（PEB）時間が比較的長く、
即ち≧100秒、即ち100〜600秒の間継続し、PEB温度が比
較的高く、即ち120〜150℃であることが重要である。こ
の方法の場合16時間まで及びそれ以上の有効寿命の延長
が行われる。その際有効寿命の問題は新たな処理工程又
は新たな材料を必要とせず、また新たな経費を必要とす
ることなく解決される。
即ち≧100秒、即ち100〜600秒の間継続し、PEB温度が比
較的高く、即ち120〜150℃であることが重要である。こ
の方法の場合16時間まで及びそれ以上の有効寿命の延長
が行われる。その際有効寿命の問題は新たな処理工程又
は新たな材料を必要とせず、また新たな経費を必要とす
ることなく解決される。
従来のレジストに比べて本発明の場合光活性成分の分
量は遥かに多い。この分量は乾式フォトレジスト、即ち
溶剤不含のレジスト組成に関して20〜40質量％、特に25
〜35質量％であると有利である。この光活性成分は上記
形式のエステル及びオニウム化合物からなる混合物であ
ってもよい。クリベロ塩ともいわれるこの種の化合物は
例えばジフェニルヨードニウム−トリフルオロメタン−
スルホン酸（DPIT）及びトリフェニルスルホニル−トリ
フルオロメタンスルホン酸（TPST）がある。光活性成分
のエステル中のヒドロキシ化合物としては2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン又はビスフェノールＡを用い
ると有利である。
量は遥かに多い。この分量は乾式フォトレジスト、即ち
溶剤不含のレジスト組成に関して20〜40質量％、特に25
〜35質量％であると有利である。この光活性成分は上記
形式のエステル及びオニウム化合物からなる混合物であ
ってもよい。クリベロ塩ともいわれるこの種の化合物は
例えばジフェニルヨードニウム−トリフルオロメタン−
スルホン酸（DPIT）及びトリフェニルスルホニル−トリ
フルオロメタンスルホン酸（TPST）がある。光活性成分
のエステル中のヒドロキシ化合物としては2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン又はビスフェノールＡを用い
ると有利である。
本発明方法では、その無水カルボン酸基が無水マレイ
ン酸から誘導されるようなポリマーを使用すると有利で
ある。この種の他の化合物には例えば無水イタコン酸が
ある。カルボン酸−ｔ−ブチルエステル基はアクリル酸
−、メタクリル酸−、ビニル安息香酸−、又は桂皮酸−
の各ｔ−ブチルエステル基を基礎とし、ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基はｔ−ブトキシカルボニルオキシスチ
ロール又は−マレインイミドを基礎としていると有利で
ある。
ン酸から誘導されるようなポリマーを使用すると有利で
ある。この種の他の化合物には例えば無水イタコン酸が
ある。カルボン酸−ｔ−ブチルエステル基はアクリル酸
−、メタクリル酸−、ビニル安息香酸−、又は桂皮酸−
の各ｔ−ブチルエステル基を基礎とし、ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基はｔ−ブトキシカルボニルオキシスチ
ロール又は−マレインイミドを基礎としていると有利で
ある。
溶剤としてはそれ自体公知のレジスト溶剤を用いる。
溶剤の選択にとって重要なことは、ポリマー成分も光開
始剤、即ち光活性成分も溶解されなければならないとい
う要件だけである。更に−公知の被覆法では−欠陥のな
いレジスト層を基板上に、例えばシリコンウェハ上又は
ボトムレジストで被覆されたウェハ上に形成しなければ
ならない。溶剤はメトキシプロピルアセテート、シクロ
ヘキサノン又はエチレングリコール−又はジエチレング
リコールエーテル、場合によってはジベンジルエーテル
との混合物が有利である。
溶剤の選択にとって重要なことは、ポリマー成分も光開
始剤、即ち光活性成分も溶解されなければならないとい
う要件だけである。更に−公知の被覆法では−欠陥のな
いレジスト層を基板上に、例えばシリコンウェハ上又は
ボトムレジストで被覆されたウェハ上に形成しなければ
ならない。溶剤はメトキシプロピルアセテート、シクロ
ヘキサノン又はエチレングリコール−又はジエチレング
リコールエーテル、場合によってはジベンジルエーテル
との混合物が有利である。
本発明方法の場合液状シリル化により酸素プラズマ中
での乾式現像に対する腐食耐性が得られる。それにはレ
ジスト層を極性のあるプロトン性シリル化溶液で処理す
る。シリル化試薬としては一般にアミノシラン又はアミ
ノシロキサンの形のケイ素化合物を用いる。これらの化
合物はオリゴマーの性質を持つものであってもよい。極
性プロトン性シリル化溶液はこのシリル化試薬の水性有
機性溶液であると有利である。その際このシリル化試薬
を水及びアルコール、特にエタノール及び／又はイソプ
ロパノールの混合物に溶解すると有利である。その他に
例えば純アルコール溶液を使用することもできる。
での乾式現像に対する腐食耐性が得られる。それにはレ
ジスト層を極性のあるプロトン性シリル化溶液で処理す
る。シリル化試薬としては一般にアミノシラン又はアミ
ノシロキサンの形のケイ素化合物を用いる。これらの化
合物はオリゴマーの性質を持つものであってもよい。極
性プロトン性シリル化溶液はこのシリル化試薬の水性有
機性溶液であると有利である。その際このシリル化試薬
を水及びアルコール、特にエタノール及び／又はイソプ
ロパノールの混合物に溶解すると有利である。その他に
例えば純アルコール溶液を使用することもできる。
本発明を実施例に基づき更に詳述する。その際以下の
出発物質又は試薬を使用する。
出発物質又は試薬を使用する。
ベースポリマーとして
開始剤としてアゾイソ酪酸ニトリルを含むエチルアセテ
ートに入れた３個のモノマーのラジカル重合により製造
される桂皮酸−ｔ−ブチルエステル、無水マレイン酸及
びスチルベンからなるターポリマー。
ートに入れた３個のモノマーのラジカル重合により製造
される桂皮酸−ｔ−ブチルエステル、無水マレイン酸及
びスチルベンからなるターポリマー。
光活性成分（１）として
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸を含む2,3,4−
トリヒドロキシベンゾフェノンのトリエステル。
トリヒドロキシベンゾフェノンのトリエステル。
光活性成分（２）として
ジフェニルヨードニウム−トリフルオロメタン−スルホ
ン酸（DPIT）。
ン酸（DPIT）。
シリル化溶液（１）として
２質量部のジアミノシロキサン、78質量部のイソプロパ
ノール及び20質量部の水からなる水性アルコール溶液、
α，ω−アミノ官能性シロキサン（特に２個のアミノプ
ロピル末端基と２〜20個のケイ素原子の鎖を有する）、
例えば市販のテゴマーＡ−Si2120（ゴールドシュミッド
社製）を使用すると有利である。
ノール及び20質量部の水からなる水性アルコール溶液、
α，ω−アミノ官能性シロキサン（特に２個のアミノプ
ロピル末端基と２〜20個のケイ素原子の鎖を有する）、
例えば市販のテゴマーＡ−Si2120（ゴールドシュミッド
社製）を使用すると有利である。
シリル化溶液（２）として
１質量部のジアミノシロキサン（テゴマーＡ−Si2120）
及び99質量部のエタノールからなるアルコール性溶液。
及び99質量部のエタノールからなるアルコール性溶液。
例 １
シリコンウェハ上に９質量部のベースポリマー、３質
量部の光活性成分（１）、79.2質量部のメトキシプロピ
ルアセテート及び8.8質量部のジベンジルエーテルから
なるレジストを遠心塗布し、ホットプレート上で90℃で
90秒間乾燥する。レジストの層厚は0.52μｍである。こ
のレジストを更にマスクを介して12mJ/cm2で接触露光
（装置:MJB ３、カール・ツァイス社製；λ＝250nm）
し、その後直ちにホットプレート上で135℃で120秒間熱
処理（PEB）する。引続きレジストを室温及び標準圧
力、即ち環境条件で45秒間シリル化溶液（１）で処理
し、更に30秒間イソプロパノールで洗浄し、その後ホッ
トプレート上で90℃で90秒間乾燥する。乾燥後ウェハを
プラズマエッチング装置（MIE720型、マテリアル・リサ
ーチ・コーポレーション社製）に入れ、レジストをまず
酸素（ガス流:80sccm）及びテトラフルオロメタン（ガ
ス流:9sccm）を含むプラズマでエッチングする。全ガス
圧力は8mトル、バイアス電圧は40Vである。引続き純酸
素プラズマ中でエッチングする（ガス圧力2mトル；バイ
アス電圧50V）。垂直な側面及び1:1のウェブ／トレンチ
比を有するネガ型パターンが得られる。
量部の光活性成分（１）、79.2質量部のメトキシプロピ
ルアセテート及び8.8質量部のジベンジルエーテルから
なるレジストを遠心塗布し、ホットプレート上で90℃で
90秒間乾燥する。レジストの層厚は0.52μｍである。こ
のレジストを更にマスクを介して12mJ/cm2で接触露光
（装置:MJB ３、カール・ツァイス社製；λ＝250nm）
し、その後直ちにホットプレート上で135℃で120秒間熱
処理（PEB）する。引続きレジストを室温及び標準圧
力、即ち環境条件で45秒間シリル化溶液（１）で処理
し、更に30秒間イソプロパノールで洗浄し、その後ホッ
トプレート上で90℃で90秒間乾燥する。乾燥後ウェハを
プラズマエッチング装置（MIE720型、マテリアル・リサ
ーチ・コーポレーション社製）に入れ、レジストをまず
酸素（ガス流:80sccm）及びテトラフルオロメタン（ガ
ス流:9sccm）を含むプラズマでエッチングする。全ガス
圧力は8mトル、バイアス電圧は40Vである。引続き純酸
素プラズマ中でエッチングする（ガス圧力2mトル；バイ
アス電圧50V）。垂直な側面及び1:1のウェブ／トレンチ
比を有するネガ型パターンが得られる。
例 ２
例１のようにして行われるが、しかしウェハを露光と
熱処理との間に16時間処理室のウェハ乾燥棚にむき出し
で放置する。エッチング後同様に垂直な側面及び1:1の
ウェブ／トレンチ比を有するネガ型パターンが得られ
る。顕微鏡試験は同じ公称幅のパターンが例１及び例２
によるエッチングウェハ上で同じ幅を有することを示し
ている。
熱処理との間に16時間処理室のウェハ乾燥棚にむき出し
で放置する。エッチング後同様に垂直な側面及び1:1の
ウェブ／トレンチ比を有するネガ型パターンが得られ
る。顕微鏡試験は同じ公称幅のパターンが例１及び例２
によるエッチングウェハ上で同じ幅を有することを示し
ている。
例 ３
シリコンウェハ上に11.1質量部のベースポリマー、0.
9質量部の光活性成分（２）、79.2質量部のメトキシプ
ロピルアセテート及び8.8質量部のジベンジルエーテル
からなるレジストを遠心塗布し、ホットプレート上で90
℃で90秒間乾燥する。レジストの層厚は0.58μｍであ
る。このレジストを更にマスクを介して12mJ/cm2で接触
露光（装置:MJB ３、カール・ツァイス社製；λ＝250n
m）し、その後直ちにホットプレート上で100℃で60秒間
熱処理（PEB）する。引続きレジストを室温及び標準圧
力、即ち環境条件で20秒間シリル化溶液（２）で処理
し、更に20秒間イソプロパノールで洗浄し、その後ホッ
トプレート上で90℃で90秒間乾燥する。乾燥後レジスト
を例１のようにプラズマエッチング装置に入れエッチン
グする。垂直な側面及び1:1のウェブ／トレンチ比を有
するネガ型パターンが得られる。
9質量部の光活性成分（２）、79.2質量部のメトキシプ
ロピルアセテート及び8.8質量部のジベンジルエーテル
からなるレジストを遠心塗布し、ホットプレート上で90
℃で90秒間乾燥する。レジストの層厚は0.58μｍであ
る。このレジストを更にマスクを介して12mJ/cm2で接触
露光（装置:MJB ３、カール・ツァイス社製；λ＝250n
m）し、その後直ちにホットプレート上で100℃で60秒間
熱処理（PEB）する。引続きレジストを室温及び標準圧
力、即ち環境条件で20秒間シリル化溶液（２）で処理
し、更に20秒間イソプロパノールで洗浄し、その後ホッ
トプレート上で90℃で90秒間乾燥する。乾燥後レジスト
を例１のようにプラズマエッチング装置に入れエッチン
グする。垂直な側面及び1:1のウェブ／トレンチ比を有
するネガ型パターンが得られる。
例 ４（比較実験）
例３のようにして行われるが、しかしウェハを露光と
熱処理との間に１時間処理室ののウェハ乾燥棚にむき出
しで放置する。エッチング後鮮明なパターンを確認する
ことはできず、即ちこの場合有効寿命の問題が生じる。
熱処理との間に１時間処理室ののウェハ乾燥棚にむき出
しで放置する。エッチング後鮮明なパターンを確認する
ことはできず、即ちこの場合有効寿命の問題が生じる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 シユミツト、エルヴイン
ドイツ連邦共和国 デー−91058 エル
ランゲン エリーゼ−シユペート−シユ
トラーセ 23
(56)参考文献 特開 平４−347857（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−11457（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/004 - 7/18
Claims (10)
- 【請求項１】無水カルボン酸基及びｔ−ブチルエステル
基又はｔ−ブトキシカルボニルオキシ酸基を含むポリマ
ー、 以下の構造 ［式中基Ｒは−互いに独立して−水素、アルキル、ハロ
ゲンアルキル、アルコキシ、フェニル、ハロゲンフェニ
ル、フェノキシ又はハロゲンを表す］ のナフトキノンジアジド−４−スルホン酸及び芳香族又
は芳香族−脂肪族ヒドロキシ化合物からなるエステルの
形の光活性成分、 及び溶剤 からなるフォトレジスト層を基板上に施し、 このフォトレジスト層を乾燥し、 このフォトレジスト層を像に応じて露光し、 露光されたフォトレジスト層を120〜150℃の温度で100
〜600秒間熱処理し、このように処理されたフォトレジ
スト層を液状シリル化し、 シリル化されたフォトレジスト層を異方性酸素プラズマ
中で乾式現像する ことを特徴とするサブミクロン範囲のフォトリソグラフ
ィパターン製造方法。 - 【請求項２】ヒドロキシ化合物が2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノン又はビスフェノールＡであることを特
徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】フォトレジスト中の光活性成分の分量が溶
剤不含のレジスト組成に関して20〜40質量％であること
を特徴とする請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】光活性成分にオニウム化合物を添加するこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の方
法。 - 【請求項５】液状シリル化を極性のあるプロトン性シリ
ル化溶液で行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か１つに記載の方法。 - 【請求項６】シリル化溶液として水及びアルコールの混
合物に入れたアミノシロキサンの溶液を使用することを
特徴とする請求項５記載の方法。 - 【請求項７】無水カルボン酸基が無水マレイン酸を基礎
としているポリマーを使用することを特徴とする請求項
１〜６のいずれか１つに記載の方法。 - 【請求項８】ｔ−ブチルエステル基が、アクリル酸−、
メタクリル酸−、ビニル安息香酸−、又は桂皮酸−ｔ−
ブチルエステルを基礎としているポリマーを使用するこ
とを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の方
法。 - 【請求項９】無水マレイン酸と桂皮酸−ｔ−ブチルエス
テルとスチルベンとからなるターポリマーを使用するこ
とを特徴とする請求項７又は８記載の方法。 - 【請求項１０】ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基がｔ−
ブトキシカルボニルオキシスチロール又は−マレインイ
ミドを基礎としているポリマーを使用することを特徴と
する請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4432446.4 | 1994-09-12 | ||
| DE4432446 | 1994-09-12 | ||
| PCT/DE1995/001184 WO1996008750A1 (de) | 1994-09-12 | 1995-09-01 | Photolithographische strukturerzeugung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10505172A JPH10505172A (ja) | 1998-05-19 |
| JP3512190B2 true JP3512190B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=6528021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50979996A Expired - Fee Related JP3512190B2 (ja) | 1994-09-12 | 1995-09-01 | フォトリソグラフィパターン製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5851733A (ja) |
| EP (1) | EP0797792B1 (ja) |
| JP (1) | JP3512190B2 (ja) |
| KR (1) | KR100357327B1 (ja) |
| DE (1) | DE59504291D1 (ja) |
| TW (1) | TW426815B (ja) |
| WO (1) | WO1996008750A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874281B1 (de) * | 1997-04-23 | 2002-12-04 | Infineon Technologies AG | Chemisch verstärkter Resist |
| DE19752926A1 (de) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Aufbringen eines Schutzlacks auf einen Wafer |
| JP3711198B2 (ja) * | 1998-04-23 | 2005-10-26 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| EP1228528B1 (en) | 1999-09-10 | 2014-08-13 | Oerlikon USA Inc. | Magnetic pole fabrication process and device |
| US6547975B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-04-15 | Unaxis Usa Inc. | Magnetic pole fabrication process and device |
| DE19958966A1 (de) * | 1999-12-07 | 2001-06-13 | Infineon Technologies Ag | Erzeugung von Resiststrukturen |
| DE10200897B4 (de) * | 2002-01-11 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Resist zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls und Verfahren zur Bildung der Struktur |
| JP6209307B2 (ja) | 2011-09-30 | 2017-10-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
| JP6213132B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2017-10-18 | 東ソー株式会社 | ｔｒａｎｓ−スチルベン−無水マレイン酸共重合体及びそれを用いた位相差フィルム |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2636348B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1997-07-30 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト用組成物 |
| DE3837500A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-23 | Hoechst Ag | Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial |
| ES2090218T3 (es) * | 1990-12-20 | 1996-10-16 | Siemens Ag | Generacion estructural fotolitografica. |
| JP3026462B2 (ja) * | 1991-05-27 | 2000-03-27 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
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