TW426815B - Production of photolithographic structure - Google Patents

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photoresist
acid
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Recai Sezi
Rainer Leuschner
Erwin Schmidt
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Siemens Ag
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Description

426815 A7 87_^ ( 〇 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製
五、發明説明（1 ) 1 1 本 發 明 是 有 m 一 項 藉 由 乾 式 顯 像 的 光 阻 劑 系 铳 以 光 1 1 I 蝕 刻 法 在 次 微 米 範 圍 内 產 生 结 構 的 方 法 〇 1 1 在 微 電 子 學 中 我 們 大 量 地 使 用 所 m 的 化 學 性 增 強 之 光 請 .1 1 先 1 姐 劑 i c h e m ] c a 11 y an pl if i e d re si s t s ) ( 諳 參 閱 "S ο 1 id 閲 讀 1 脅 1 St at e Te c h no I 0 ε y ， 第 34冊（1991 ), 第8 號， 53 至 60 之 1 頁 ) ο 化 學 性 增 強 的 作 用 不 僅 可 在 濕 式 顯 像 光 阻 劑 系 统 注 意 1 事 1 中 使 用 * 也 可 在 乾 式 顯 像 的 光 姐 劑 統 中 部 份 或 全 盤 地 項 再 ! | 加 以 運 用 0 其 中 光 P且 劑 可 依 照 酸 類 u 化 分 離 的 原 理 來 作 填 寫 I 本 I 用 此 時 極 性 受 封 阻 的 化 學 基 如 羧 基 或 酚 類 羥 經 由 頁 Ν^ 1 I 光 解 所 產 生 的 酸 類 而 去 封 阻 * 而 感 光 部 位 内 的 光 阻 劑 則 1 I 改 變 其 極 性 〇 此 種 搔 性 改 變 的 現 象 可 以 在 乾 式 顯 像 的 1 1 光 阻 劑 中 使 用 以 便 能 選 擇 性 作 矽 化 處 理 。封阻用終端基 1 ΤΓ 的 例 子 有 三 级 丁 m 基 與 二 级 丁 氧 基 羰 氧 基 〇 1 由 ΕΡ -0S 0 492 256 中 可 得 知 一 項 照 相 平 版印刷结構 ! 1 的 製 程 f 在 此 程 序 中 乾 式 顯 像 的 光 姐 劑 在 感 光 後 被 置 1 1 於 溫 度 處 理 中 ( P 〇 s t E X P 0 S U Γ e B a k e = PEB後期曝曬 ) 9 1 1 然 後 由 液 態 階 段 予 以 矽 化 9 再 在 氧 氣 電桀 中 Μ 各 商 異 | 性 的 方 式 被 蝕 刻 〇 依 照 矽 化 溶 液 的 不 同 而 會 產 生 正 像 1 | 或 負 像 的 结 構 〇 基 本 上 光 阻 劑 至 少 由 兩 種 固 定 成 分 所 组 1 i 成 由 基 礎 聚 合 物 與 光 活 性 的 酸 類 成 份 所 姐 成 〇 基 礎 聚 1 | 合 物 包 含 羧 酸 酐 與 三 级 丁 酯 的 局 部 结 構 酸 類 成 份 最 好 1 | 是 m 類 化 合 物 如 二 笨 基 m -與三苯基筘- 三 氟 甲 磺 酸 1 I 鹽 0 這 類 的 光 m 劑 特 別 適 合次+微 米 與 次 半 微 米 範 圍 内 側 1 I .面 明 晰 的 光 學 结 構 0 1 1 1 -3 - 1 1 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公嫠} 4 268 1 5 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 2 ) 1 1 在 Μ 上 所 述 方 式 中 產 生 结 構 的 方 法 # 如 同 其 他 知 名 的 1 1 I 光 阻 m 系 铳 ( 根 據 酸 類 催 化 分 離 的 原 理 來 運 作 ) % 可 確 1 1 定 出 所 諝 的 可 容 忍 時 間 之 效 果 〇 當 介 於 感 光 與 溫 度 縻 理 請 I 先 1 (PEB) 之 時 間 時 間 間 隔 (d e 1 a y t i m e )， 超 過 個 特 定 的 閲 1 | 數 值 後 額 定 的 结 構 量 度 ( 光 革 上 的 结 構 大 小 ) 與 顯 影 V 背 Sr 之 1 1 的 結 構 ( 顯 像 後 光 阻 劑 内 的 结 構 大 小 ) 之 間 就 會 顯 示 出 注 意 1 1 事 1 明 顯 的 偏 差 〇 如 果 時 間 間 隔 愈 長 偏 差 就 愈 大 〇 時 間 間 項 再 t 1 隔 超 過 — 俚 特 定 數 值 後 t 在 上 述 含 酐 類 基 團 的 光 阻 劑 中 填 寫 本 1 約 30分 鐘 後 > 顯 像 後 幾 乎 無 法 再 辨 識 出 任 何 的 結 構 來 〇 頁 1 1 在 上 述 的 光 姐 劑 中 t 可 Μ 忍 受 的 時 間 間 隔 為 約 5 至 1 0分 1 1 1 Ο 然 而 由 於 生 產 技 術 的 緣 故 * 我 們 無 法 接 受 5 至 10分 鐘 1 1 的 時 間 間 隔 〇 1 訂 1 至 今 我 們 已 普 遍 認 知 到 上 所 描 述 的 困 難 ψ 這 些 問 題 可 歸 因 於 空 氣 中 鹼 性 污 染 的 緣 故 r 此 鹼 性 污 染 任 何 可 1 1 容 忍 時 間 內 * 鈍 化 光 化 學 所 產 生 的 強 酸 〇 因 此 早 已 有 人 1 f 建 議 活 性 庚 在 空 氣 中 過 m 的 作 用 t 來 解 決 上 述 的 問 題 1 f 請 參 閲 "P r 〇 c . S P I E " » 第 1466 冊 (1 99)， 2 至12頁} 〇 V· 1 然 而 這 樣 一 來 投 資 未 免 太 高 了 0 1 I 即 使 其 他 的 方 式 如 加 入 添 加 劑 也 無 法 完 全 地 排 1 1 除 可 容 忍 峙 間 的 效 果 ( 請 參 閲 ” P Γ 0 C . S Ρ ϊ E ” t 第 1 466 冊 1 | (1 99 1 ) 13 至 25頁 ) 〇 雖 然 額 外 加 上 —- 層 的 話 可 以 延 1 1 長 可 容 忍 時 間 的 長 短 然 而 這 樣 的 效 果 卻 很 微 小 〇 此 外 1 ! t 這 樣 做 的 話 等 於 多 了 一 道 步驟 1 對 生 產 過 程 來 說 不 利 1 I t 因 為 瑄 樣 會 導 致 產 量 的 減 少 〇 1 1 I -4 - ί 1 1 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) A4規格（210X25»7公釐） 4268 1 5 A7 B7五、發明説明（3 ) 本發明的目的在於指出根據酸類催化分離的原理埋作 *製造照相平版印刷结構的方法* Μ這樣的方法在上述 光姐劑系統下，不必經由額外的步驟或投資躭可解決可 容忍時間上的問題*也就是說，延長感光與溫度處理之 間的可容忍時間（約為10分鐘），Μ配合生產技術的水 準。 根據本遽明，這一項目的是以下列的方式而得Μ解決 的： -在感光膠層上塗上一層光阻劑，光姐劑由一種羧酸酐 基與包含三级丁醮基或三級丁氣基羰氧基的聚合物， 以及具萘醇二叠氮-4-磺酸結構、形式為ft類的一種光 活性成分： R Ο —I. ^^^1 ^^^1 ^^^1 nn . ^^^1 1^1 ml In \OJ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局ΐ®：工消費合作社印製 其附有芳香或脂昉族芳番的羥基化合物，其中諸R各 自獨立，代表氫、烷基、鹵烷基、烷氧基、苯基、鹵 苯基、笨氧基或鹵素，Μ及一種合適的溶劑所組成 -烘乾光阻劑 -光胆劑根據影像需要加Μ感光 -將感光的光阻劑予Μ溫度處理，溫度介於120C與150 之間，過程共1 0 〇至6 0 0秒、 -將經過上述處理的光胆劑予Μ液態矽化 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4^格（2丨0X297公釐） 426815 A7 B7 五、發明説明（4 ) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 -在各向異性的氧氣等離子中，將矽化的光阻削予Μ乾 式顧像 依照上述的程序，本發明是Μ穩定的乾式顧像光阻劑 為基礎，也就是基礎聚合物上的負像光阻劑，此聚合物 除了酐類基團外，遇包含三级丁酯基或三级丁氧基羰氧 基。這一類光阻劑的優點是它的作用不僅在逭UV範圍内 (DUV)、也在近UV範圍内（NUV)有效。 光阻劑内的光活性成分為酯類，由萦屏二叠氮-4-磺酸 與羥基化合物所組成。這類的光活性成分雖然已為人所 知（請參閲"Methods and Materials in Microelectronic Technology”， PlenuB Press出版，New Yorfc(1984), 190至193頁）。然而在本發明中，含有瑄類光活性成分 的光姐劑形成结構的效果卻出乎意科的好。K照相平版 印刷來產生结構時，含有三级丁酯的基礎聚合物通常餺 要很強的酸類成份。 根撺本發明中的程序，基本上溫度處理法（PEB)需時 甚久，通常三〗〇〇秒，即介於1〇〇至6 0 0秒之間，而PEB的 溫度則相當高，介於12〇υ至150C之間。在此程序中， 可容忍時間可延長至16小時或更長。這樣一來即可解決 可容忍時間的問題，而不需採用額外的步驟或物質，不 必有額外的投資。 與一般通用的光阻劑相比，本發明中光阻劑佔光活性 成分的比例明顯地高。乾的光阻劑，也就是說不含溶劑 的光阻.劑成分之比例，應佔質量的20%至40¾，最好的情 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----------麥-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 4 268 1 5 A7 B7五、發明説明（5 ) 況是介於25X與35S：之間。光活性成分也可K由上述的酯 類、與銪類化合物所組成。這類的琨合物又稱為Crivello 鹽，如二笨基縝-三氟甲烷磺酸»(DPIT)與三苯基筘-三 氟甲烷磺酸鹽（TPST)。光活性成分的酯類中，最好M2, 3, 4-三羥基二苯甲萌或雙酚A來作為羥基化合物。 根據本發明中的程序，最好使用由馬來酸酐所衍生的 羧酸酐基聚合物。另一種這類的聚合物如衣康酸酐。羧 酸-三级丁酯基最好Μ丙烯酸-I甲基丙烯酸-、苯乙烯酸 -或肉桂酸•三级丁酷為基礎，而三鈒-丁氧基羰氧基最 好是三级-丁氧基羰氧基苯乙烯或-馬來釀亞胺。 有闞溶劑方面，有許多已知的溶劑都可Μ採用。選擇 溶劑時舞重要的是要注意溶劑既要可溶解作為光引發劑 ，亦即光活性成分的聚合物成分。此外在光罩系铳中， 感光髎層上必須形成無誤的光姐劑層，相片膠層可Μ是 矽晶片或塗上一層底層光Ρ且劑的晶片。溶劑最好是甲氧 基丙基乙酸酯、環己酮、乙二醇或二乙二酵醚，在一些 情況下可與二苄基醚裩合。 在本發明的程序中，經由液態矽化會產生一種抵抗氧 氣電漿中乾式顯像的蝕刻胆力〇為了達成這個目的， 我們把光睹劑層Μ極性、質子性的矽化溶麵加以處理。 一般而言，我們使甩形式為胺基矽烷或胺基矽氣烷的矽 化物作為矽化劑；此種矽化物可以有寡聚物的性質。搔 性、質子性的砂化溶劑最好是、矽化劑的一種水性有機溶 液。矽化劑最好在水和醇的混合物中溶解，特別是乙酵 -7- ---------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2!〇Χ297公釐） 4268 1 5 A7 B7 五、發明説明（6 ) 或異丙醇；此外也可Μ使用纯的酵溶液來溶解矽化劑。 我們將藉由Μ下的範例，Μ進一步閘釋本發明。其中 我們使用了下列的試劑（ΜΤ=質董成分）： -基礎聚合物 由肉桂酸-三级丁酷、馬來酸酐與1.2 -二笨乙烯所組 成的三聚物，經由在乙酸乙»中的三種單髖，與作為 引發劑的偶氪異丁醢腈的游離棊聚合作用而產生； -光活性成分ω 由2,3,4-三羥基二苯甲醑與萦_二叠氮-4-®酸所形 成的三酯： -光活性成分⑵ 二笨基碘-三氟甲烷磺酸鹽（DP IT);
-矽化溶液W 水性酵溶液，由2HT的二胺基矽氧烷、78MT的異丙醇 、以及20HT的水所組成；最好是一種α ,ω-胺基官能 性的矽氧烷，尤其指兩種終端之胺丙基，鐽中有2至 20矽原子，如一般市售的Tegomer A-Si 2120 (Goldschmidt公苛出產）； 經濟部中央標準局舅工消費合作社印裂 nn v^i^— ^^^1 nf^i mu PI ^^^1 ^ J W3. 、T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -矽化溶液⑵ 酒精溶液，由1MT的二胺基矽氧烷（Tegomer A-Si 2120)、99MT的乙醇所組成。 實例1 矽晶Η上的光姐劑，由9MT.基礎聚合物、3MT光活性 成分⑴Λ 79.2ΜΤ甲氧基丙基乙酸酷（Methoxypropy丨acetat) -8 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 426815 A7 _B7_ 五、發明説明（7 ) 以及8.8M二苄基醚所組成，將其加Μ離心脫水，並在90 它下，在加熱板上使其烘乾90秒。光姐劑層的厚度為 0.52撤米。然後將光阻劑經由一層光罩施Μ12毫焦耳/ 厘米2的接I®感光（Ka「I Suess公司所出產的儀器MJB 3;感光波長λ=250奈米 > ，然後直接在加熱板上135 〇下烘乾120秒（ΡΕΒ)。接著光姐劑會在室溫、一般壓力 下，也就是室内一般吠況下，以矽化溶液⑴處理45秒， 用異丙酵沖洗3 0秒，然後在9 0 t加熱板上晾乾9 0秒。晾 乾後的晶Η會被放人電漿蝕刻儀器（Material Research Corporation公司出産，型號MIE 7 2 0)， 光阻劑首先 以電漿加以蝕刻，電漿中含有氧氣（氣流童：80標準立 方厘米）與四氟甲烷（氣流量：9標準立方厘米）；整 體氣壓為8毫托，偏壓為40伏特。然後光阻劑才在純氧 等電漿中蝕刻（氣壓：2毫托；偏壓：50伏待）。而可 得到側面垂直的負像結構，其線條/槽紋比例為1 : 1 。 實例2 程序如實例1 ,然而矽晶片在感光輿溫度處理之間， 經濟部中央棹準局員工消費合作社印聚 --- I— I- - I !1— - I - · - ..... n 丁 ,¾-s (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有16小時直接放在實驗室的晶Η架上。蝕刻後同樣可得 到側面垂直的負像结構，其媒條/槽紋比例為1:1 。顯 微觀察的研究顯示，實例1與實例2中蝕刻晶片上同樣 額定寬度的结構，有相同的寬度。 實例3 ί對照實驗） 矽晶Η上的光胆劑，由11.1ΜΤ基礎聚合物、0.9ΜΤ光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2tOX297公釐） 4 268 1 5 A7 B7 五、發明説明（8 ) 活性成分⑵、79.2MT甲氣基丙基乙酸酯K及8.8HT二苄 基醚所組成，將其加以離心脫水，並在90C下，.在加熱 板上任其烘乾90秒。光姐繭層的厚度為0.58微米。然後 將光姐劑經由一層光罩豳以12毫焦耳/厘米2的接觸感 光（Karl Suess公司所出產的儀器MJB 3 ;感光波長λ =2 5 0奈米） > 然後直接在加熱板上1 0 0 t；下烘乾6 0秒 (PEB)。接著光阻劑會在室溫、一般壓力下，也躭是室 内一般狀況下，K矽化溶液⑵處理20秒，用異丙酵沖洗 20秒，然後在901：加熱板上晾乾90秒。晾乾後的晶Η會 被放入如實例1的電漿蝕刻儀器中。可得到側面垂直 的負像结構，其線條/槽紋比例為1:1 。 實例4 (對照寶驗） 程序如實例3 ,然而矽晶片在感光與溫度處理之間， 有1小時直接放在實驗室的晶片架上。蝕刻後無法確認 是杏有明確的结構形成，也就是說，在此實驗中出琨了 可容忍時間的問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

  1. 426815 A8 B8 CS D8 六、申請專利範圍 Μ W 第8 4 1 09354號「照相平版印刷結構之構造㈠」專利案 (87年7月修正） 杰申請專利範圍 1. 一種製造在次微米範圍内照相平販印刷結構的方法， 其特擻為： -於基板上施加一層光阻層及一適當溶劑，該光阻層 包含一種具有羧酸酐及三级丁酯基或三级丁氣-羰 氣基之聚合物，一種光活性成份其為如下結構之萘 醞重氮-4-磺酸 ·ί·.ιί原實質内F 經濟部中央標车局貝工消費合作社印装 R 0
    Ν2 (該R基画彼此獨立，偽指氫.、烷基、_烷基、烷 氣基、苯基、鹵苯基、苯氧基或_素） 與一種芳香族或脂族-芳香族羥基化合物之酯形式； -烘乾光阻層 -光阻層根據影像加以感光 -將感光的光阻層予以溫度處理，溫度介於1201與 1501之間，過程共100至6 00秒 -將經過上述處理的光阻層予以液態矽化 -1 - ---------^------訂------線 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 268 1 5 經濟部中央梯準局工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 -在各向異性的氣氣電漿中，將矽化的光阻層予以乾 式顯像。 2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中羥基化合物為2, 3,4-三羥基二苯甲酮或雙酚A 。 3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中就光活性成分而 言光光阻劑的比例為2 0丨至4 0 S； ^ 4. 如申請專利範圍第1項的方法，其中一種鎗類化合物 被加至光活性成分中。 5 .如申請專利範圍第1項的方法，其中液態矽化傜以極 性、質子性的矽化溶液來進行。 6. 如申請專利範圍第5項的方法，其中使用胺基矽氧烷 於水和醇的混合物之溶掖來作為矽化溶液。 7. 如申請專利範圍第1項的方法，其中使用一種聚合物 ，其羧酸酐基是以馬來酸酐為基礎者。 8. 如申請專利範圍第1項的方法，其中使用一種聚合物 ，其三级丁酯基是以丙烯酸、甲基丙烯酸、苯乙烯酸 或肉桂酸-三级丁酯為基礎者。 9. 如申請專利範圍第7項的方法，其中偽使用一種馬來 酸酐、肉桂酸-三级丁酯與1,2-二苯乙烯之三聚物。 10 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中使用一種聚合物， 其三級丁氧基羰氣基是以三级丁氧基羰氧基苯乙烯或 -馬來醛亞胺為基礎者。 -2- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) * ίί if Ρ * )ίϊ «1 ( ΓΜ<： \ < 710 V\
    申請日期 ---- .—* 1 ή, 7 案 號 lint*- Ci^ 1 」 一類 別 ^ ///W. Yc\3 (以上各攔由本局填註） A4 C4 426815 || I專利説明6月修正 發明 新型 名稱 ^、發明 創作 人 中 文 英 文 姓 名 國 籍 住、居所 姓 名 (名稱） 照相平版印刷结構之製造（-） Production of photolithographic structure (1) 1. 瑞凱希兹（Recai Sezi) 2. 瑞那路雇納（Rainer Leuschner) 3 .尼成屈密特（E r w i n S c h n i d t) 1-3皆靨德國 1. 德國羅坦貝屈D-91341威納街14號 2. 德國尼蘭根D-91056道弗路144號 3. 德國厄蘭根D-91058伊利斯佩路23號 西門斯股份有限公司 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAPT 裝 訂 經濟部中央榡隼局Λ工消費合作社印製 線 國 籍 德國 申請人 住、居所 (事務所） 代表人 姓 名 德國慕尼.黑80333威田巴契廣場2號 1. 納特布斯克（Natebusch) 2. 歐姆克（Ohmke) -1· 本紙張尺度適用中國國家橾隼{ CNS ) Α4規格（2!0Χ297公釐） 426815 A7 87_^ ( 〇 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 1 1 本 發 明 是 有 m 一 項 藉 由 乾 式 顯 像 的 光 阻 劑 系 铳 以 光 1 1 I 蝕 刻 法 在 次 微 米 範 圍 内 產 生 结 構 的 方 法 〇 1 1 在 微 電 子 學 中 我 們 大 量 地 使 用 所 m 的 化 學 性 增 強 之 光 請 .1 1 先 1 姐 劑 i c h e m ] c a 11 y an pl if i e d re si s t s ) ( 諳 參 閱 "S ο 1 id 閲 讀 1 脅 1 St at e Te c h no I 0 ε y ， 第 34冊（1991 ), 第8 號， 53 至 60 之 1 頁 ) ο 化 學 性 增 強 的 作 用 不 僅 可 在 濕 式 顯 像 光 阻 劑 系 统 注 意 1 事 1 中 使 用 * 也 可 在 乾 式 顯 像 的 光 姐 劑 統 中 部 份 或 全 盤 地 項 再 ! | 加 以 運 用 0 其 中 光 P且 劑 可 依 照 酸 類 u 化 分 離 的 原 理 來 作 填 寫 I 本 I 用 此 時 極 性 受 封 阻 的 化 學 基 如 羧 基 或 酚 類 羥 經 由 頁 Ν^ 1 I 光 解 所 產 生 的 酸 類 而 去 封 阻 * 而 感 光 部 位 内 的 光 阻 劑 則 1 I 改 變 其 極 性 〇 此 種 搔 性 改 變 的 現 象 可 以 在 乾 式 顯 像 的 1 1 光 阻 劑 中 使 用 以 便 能 選 擇 性 作 矽 化 處 理 。封阻用終端基 1 ΤΓ 的 例 子 有 三 级 丁 m 基 與 二 级 丁 氧 基 羰 氧 基 〇 1 由 ΕΡ -0S 0 492 256 中 可 得 知 一 項 照 相 平 版印刷结構 ! 1 的 製 程 f 在 此 程 序 中 乾 式 顯 像 的 光 姐 劑 在 感 光 後 被 置 1 1 於 溫 度 處 理 中 ( P 〇 s t E X P 0 S U Γ e B a k e = PEB後期曝曬 ) 9 1 1 然 後 由 液 態 階 段 予 以 矽 化 9 再 在 氧 氣 電桀 中 Μ 各 商 異 | 性 的 方 式 被 蝕 刻 〇 依 照 矽 化 溶 液 的 不 同 而 會 產 生 正 像 1 | 或 負 像 的 结 構 〇 基 本 上 光 阻 劑 至 少 由 兩 種 固 定 成 分 所 组 1 i 成 由 基 礎 聚 合 物 與 光 活 性 的 酸 類 成 份 所 姐 成 〇 基 礎 聚 1 | 合 物 包 含 羧 酸 酐 與 三 级 丁 酯 的 局 部 结 構 酸 類 成 份 最 好 1 | 是 m 類 化 合 物 如 二 笨 基 m -與三苯基筘- 三 氟 甲 磺 酸 1 I 鹽 0 這 類 的 光 m 劑 特 別 適 合次+微 米 與 次 半 微 米 範 圍 内 側 1 I .面 明 晰 的 光 學 结 構 0 1 1 1 -3 - 1 1 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公嫠} 4 268 1 5 A5 B5 四' 中文發明摘要（發明^名稱：照相平版印刷结構之製造（一） 在以照相平版印刷在次微米«SB5内產生结構的方& + ，基質上塗上一層光阻劑層，光阻劑由包含袋酸折基，及 三级丁醏-或三级丁氧基玻氣基的聚合物，與包含一種 含芳香或脂肪族芳香的羥基化合物、具桊酲二叠氮—4一 磺酸结構、形式為酷類的光活性成分，^及—種適當的 溶劑所姐成；光阻劑層係被烘乾，依照影像需要加以® 光，並予以溫度處理，溫度介於120 t：與150 之間遇 程共100至600秒•然後將光阻劑予K液態砂化.並在各 向異性的氣氣電漿中，予以乾式顯像。 ----------_崔— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁各櫊) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 英文發明摘要（發明之名稱：Production of photolithographic structure ( 1 ) In the production of photolithographic structure in the submicron rang e, a sub s t pa t e is brought on a photoresist layer, which consists of polymer containing carboxyl and anhydride groups, and tert-butylester-or tert^butoxycarbonyloxy - groups , a photoactive component - in form of an ester of a naphthoquinone di azide-4-sulfonic acid naphthoquino rnediazide-4-sulfonic acid with an aromatic or aliphatic-aromatic hydroxycompound - and a suitable solvent . The photoresist layer is to be dried, exposed according to the image, and is placed for 100 to 600 seconds in a temperature treatment be tween 12 0 and 150*C. Afterwards t the photoresist layer is under a liquid silvation and is dry-developed with an anisotropic oxygen plasma. -2- 本紙張尺度適用中國國家榡牟（CNS > MAt格（21 〇 X 297公釐） 訂 426815 A8 B8 CS D8 六、申請專利範圍 Μ W 第8 4 1 09354號「照相平版印刷結構之構造㈠」專利案 (87年7月修正） 杰申請專利範圍 1. 一種製造在次微米範圍内照相平販印刷結構的方法， 其特擻為： -於基板上施加一層光阻層及一適當溶劑，該光阻層 包含一種具有羧酸酐及三级丁酯基或三级丁氣-羰 氣基之聚合物，一種光活性成份其為如下結構之萘 醞重氮-4-磺酸 ·ί·.ιί原實質内F 經濟部中央標车局貝工消費合作社印装 R 0
    Ν2 (該R基画彼此獨立，偽指氫.、烷基、_烷基、烷 氣基、苯基、鹵苯基、苯氧基或_素） 與一種芳香族或脂族-芳香族羥基化合物之酯形式； -烘乾光阻層 -光阻層根據影像加以感光 -將感光的光阻層予以溫度處理，溫度介於1201與 1501之間，過程共100至6 00秒 -將經過上述處理的光阻層予以液態矽化 -1 - ---------^------訂------線 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁)
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