JPH08512414A - 放射線に敏感なレジスト組成 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 高解像能のレリーフ構造を形成するための放射線に敏感なレジスト組成は以下の成分薄膜を形成するベースポリマー、照射時に酸を遊離する放射線活性成分、放射線に敏感なエステル形成剤及び溶剤を有することを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】 放射線に敏感なレジスト組成 本発明は放射線に敏感なレジスト組成並びに高解像能レリーフ構造の製造方法 に関する。 半導体の製造において高解像能の微細パターンの形成には放射線に敏感なレジ ストが必要である。リソグラフィ工程では基板はこの種のレジストの薄層で覆わ れ、この層中に所望のパターンが、投影露光又は放射線の誘導により、まず潜像 として転写される。場合によっては熱処理及びシリル化のようなその他の処理工 程により更に潜像を現像し、その際レジスト層中にレリーフ構造（レリーフパタ ーン）が生じ、これが後の基板のエッチング工程のマスクとなる。その際基板は シリコンのような半導体物質からなるか或は有機性物質からなるポリマー層であ ってもよく、即ちいわゆる二層レジストが設けられる（これに関しては例えばエ ル．エフ．トンプソン、シー．ジー．ウイルソン、エム．ジェー．ボーデンによ る「マイクロリソグラフィ概論」エーシーエス・シンポジウム・シリーズ ２１ ９、アメリカン・ケミカル・ソサイエティー、ワシントン、１９８３年、第１６ 、２０及び２１頁；ダブリュ．エム．モロウによる「半導体リソグラフィ」プレ ナム出版社、ニューヨーク、１９８８年、第４頁参照）。 薄膜を形成するベースポリマーの他に放射線活性化合物がレジスト又はレジス ト層の主成分を構成する。一般にジアゾ化合物又はいわゆるクリベロ塩であるこ の放射線活性成分は可視光線、近紫外線（ＮＵＶ）、深紫外線（ＤＵＶ）、Ｘ線 、電子線及びイオン線のような衝突する放射線を吸収することによって酸に変換 される。この酸はポジ作用の湿式現像可能なレジストでは、場合によっては熱処 理工程後現像剤の照射された範囲の熔解度を高める作用をする（これに関しては エル．エフ．トンプソンその他による上掲の文献第８８〜９０頁及び第１１３〜 １１５頁参照）。それに対してネガ作用の湿式現像可能なレジスト、例えばいわ ゆる“像反転レジスト”では照射された範囲内で酸の触媒作用による網状化が行 われ、それにより現像剤の溶解度は低減される（これに関しては「Ｐｒｏｃ．Ｓ Ｐ ＩＥ」第１０８６巻（１９８９年）第１１７〜１２８頁参照）。 乾式現像可能のレジスト系では適当なガス状又は液状シリコン含有試薬でレジ スト層の表面のシリル化が、ポジ作用のレジストでは未照射範囲内で選択的にま たネガ作用のレジストでは照射範囲内で選択的に行われる。この場合現像は異方 性の酸素含有プラズマ中で行われ、その際シリル化範囲はレジスト層の表面で抵 抗性のあるエッチングマスクの作用をする（これに関しては「Ｅｎｃｙｃｌ．Ｐ ｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．」第９巻（１９８７年）第１３２頁参照）。湿式現 像可能のレジスト系の場合も乾式現像可能のレジスト系の場合も高い解像能は照 射範囲と未照射範囲とのできるだけ高い酸濃度差によって得られる。 回折現象、レンズ収差その他により変調Ｍ_Object＝１を有する所定の目的物パ ターン（＝マスクパターン）は像面内に変調Ｍ_Bild＜１で結像可能であるに過ぎ ず、即ち光学的変調−転写−機能（ＭＴＦ_Optik＝Ｍ_Bild／Ｍ_Object）に対する 値は、特に微細結像パターンでは明らかに１の最大値以下である（これに関して はエル．エフ．トンプソンによる上掲の文献第３６頁、ダブリュ．エム．モロウ による上掲の文献第３５７頁参照）。 この結果パターンの微細化が増すにつれて像面（＝レジスト面）内のマスクパ ターンの結像がますます不鮮明になる。この理由からレジスト層は原理的に本来 露光されずに残されるべき箇所でも常に若干露光される。従ってパターンの微細 化が進むにつれてレジスト層の露光される範囲と本来露光されない範囲との間の 酸濃度差はますます減少する。従ってレジストの解像限度は、濃度差がこれらの 両範囲の異なる溶解度にとって又はシリル化挙動にとっても少な過ぎる場合、即 ち所定のマスクパターンにとってレジストのいわゆる臨界変調−転写−機能ＣＭ ＴＦ_Lack＝（１０^1/η−１）（１０^1/η＋１）（η＝コントラスト）の値が光学 的変調−転写−機能の値を超える（ＭＴＦ_Optic〈ＣＭＴＦ_Lack）場合に達成さ れる。従ってレジストの高解像能にとって高いコントラストは不可欠である（こ れに関してもダブリュ．エム．モロウによる上掲の文献第３６８〜３７１頁参照 ）。 従来のレジスト組成、例えばノボラック−ポリマー及びジアゾナフトキノンを ベースとするか又はｔ−Ｂｏｃ（ブトキシカルボニル）基で保護されたポリマー 及びクリベロ塩をベースとしたレジスト組成では酸が元来露光されずに残される べき範囲に不所望に生じることを回避できないという問題が生じる。このことか ら生じるレジストのコントラストの低下はＣＭＴＦ_Lackの値を高め、そのため微 細パターンの解像能は制限される。 本発明の課題はコントラストの改善、即ち解像能の改善を可能にする高解像能 のレリーフ構造を製造するための放射線に敏感なレジスト組成を提供することに ある。 この課題は本発明により、以下の成分、 薄膜を形成するベースポリマー、 照射時に酸を遊離させる放射線活性成分、 放射線に敏感なエステル形成剤及び 溶剤 を有するレジスト組成により解決される。 本発明によるレジスト組成は、ベースポリマー及び放射線活性化合物（光酸形 成剤）並びに場合によってはその他の成分の外に、主成分として放射線に敏感な エステル形成剤、即ち放射線活性成分から生じる酸でエステルを生成する化合物 を含んでいる。次に記載するエステル形成剤の作用はこの工程の基礎となってい る。 レジスト面（Ｍ_Bild）内の光の変調は放射線活性成分から放射線エネルギーの 吸収により形成される潜像中の酸の濃度分布にほぼ匹敵する。放射線に敏感なエ ステル形成剤はパターンの形成に役立つ放射線を吸収し、その際エステル形成能 力を失う。本発明によるレジスト組成にとって重要なことは、潜像中の放射線に 敏感なエステル形成剤の濃度分布が光酸の濃度分布と相補性であることである。 従って放射線活性成分と放射線に敏感なエステル形成剤を同時に露光する場合 潜像中に酸もエステル形成剤も存在する範囲が生じる。自発的又は後の熱処理工 程により惹起される反応においてこれらの範囲内では酸はエステル化され、中性 化合物に変換される。このことからマスク上のパターンエッジの直下で飛躍的な 即ち急峻な上昇を示す酸濃度分布が生じ、それにより著しく鮮明で従ってコント ラストに富んだ像が生じる。従って本発明によるレジスト組成で従来よりも著し く微細なパターンが解像可能である。 エステル形成剤としては原理的に以下の化合物が使用可能である。即ち自発的 にか又は熱処理により放射線活性成分から露光により生じる酸でエステルに反応 し、露光に使用された放射線を吸収し、その際光化学的にもはやエステル化反応 を起こすことができない生成物に分解される化合物である。更にこれらの生成物 は親水性、即ち現像剤に可溶であるべきである。エステル形成剤自体は、エステ ルと同様に疎水性でなければならなず、即ち溶解抑制的に作用するか又は現像剤 に溶けてはならない。レジスト溶剤中ではエステル形成剤はもちろん良好な溶解 度を有しているべきであり、レジストの良好な貯蔵安定性に関してはベースポリ マー、放射線活性成分及び他のレジスト添加物と反応してはならない。 エステル形成剤としては以下の構造、 （式中Ｒ¹は芳香族又は−飽和又は不飽和−脂肪族、環状又は異種環状の炭化水 素を表し、Ｒ²は水素（Ｈ）又はＲ¹を表す）のジアゾケトンを使用すると有利で ある。炭化水素基は置換基、例えばハロゲン並びにＯ−アルキル−及びニトロ基 を有していてもよい。 好適なジアゾケトンは例えば置換されたアルキル−、シクロアルキル及びアリ ール基並びに多環のシクロアルキル−及びアリール基を、更に多重の官能基Ｒ¹ 及びＲ²を有している。特に有利なものとして以下の基Ｒ¹及びＲ²が明らかにな っている。 原理的には基Ｒ¹及びＲ²は自由に選択可能である。もちろんジアゾケトンを化 学的調整法で室温で製造する際に、レジストを基板表面上で乾燥するのに必要な 温度（通常５０〜１３０℃）で大きな破壊を示さない安定した化合物が得られる ことが保証されなければならない。基Ｒ¹及びＲ²についてもジアゾケトンの吸収 は露光に使用される放射線に合わせることができ、更にまた溶解特性及び耐熱安 定性を制御できると有利である。 ジアゾケトンは窒素分解下に放射線活性成分から形成される酸（Ｘ−Ｈ）と反 応して中性エステルとなる。 その際露光時にどの酸が放射線活性成分から形成されるかは原理的には重要で はない。この酸がエステル形成剤と反応してエステルになることの方がむしろ重 要である。 従って基Ｘは有機でも無機又は有機金属基であってもよい。例えばＸとしては 以下のハロゲン基が擧げられる。 （式中Ｒ³＝飽和又は不飽和脂肪族、環状又は異種環状の炭化水素基（場合によ ってはハロゲン化された）、アシル、アルコキシ、アリールオキシ、アルコキシ カルボニル又はアリールオキシカルボニル、 Ｒ⁴＝水素、アシル、アルコキシ、アリールオキシ、アルコキシカルボニ ル、アリールオキシカルボニル又はハロゲン化炭化水素基、 Ｒ⁵＝飽和又は不飽和脂肪族、環状又は異種環状の炭化水素基、場合によ ってはハロゲン化された基を表す） エステル形成剤として使用される上記形式のジアゾケトンは放射線に敏感な化 合物である。露光時にそれらのジアゾケトンは分解され、湿気の存在下に光化学 的に酸を形成する。 この種の化合物は比較的弱い酸であり、即ち放射線活性成分から遊離された酸 のようにエステル形成剤と反応することはできない。従ってジアゾ化合物が同時 にエステル形成剤並びにフォト活性成分として作用することもできない。 レジスト組成中のエステル形成剤の分量は１つには放射線活性成分から遊離さ れる酸に対するその効力に応じて、また１つには使用される放射線活性成分の量 により決定される。一般にレジストには放射線活性成分に関して１〜２００モル ％の放射線に敏感なエステル形成剤が添加される。特に１０〜１００モル％の量 が有利であることが判明している。 放射線活性成分としてはジアゾジカルボニル化合物、ジアゾキノン、クリベロ 塩及びニトロベンジルトシレートが使用される。好適なジアゾジカルボニル化合 物としては特にジアゾケトエステル及びジアゾジエステル並びにジアゾメルドラ ム酸（２，２−ジメチル−５−ジアゾ−１，３−ジオキサン−４，６−ジオン） がある。ジアゾキノンとしてはとりわけジアゾナフトキノンが適している。好適 なクリベロ塩には例えばトリフレート、即ちトリフェニルスルホニウムトリフレ ートのようなトリフルオロメタンスルホン酸の塩がある。放射線活性成分はベー スポリマーに対して１〜１００重量％の量で使用される。 ポリマーはエポキシ−、ｔｅｒｔ−ブチルエステル−及びｔｅｒｔ−ブトキシ カルボニル基（ｔ−Ｂｏｃ基）のような酸に不安定な基を含むと有利である。従 ってｔｐｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミドをベースとするモノマー単位 を有するコポリマー又はターポリマーが有利である。他の使用可能のポリマーに はノボラック又はクレゾールノボラック、ポリビニルフェノール及びアクリル酸 又はメタクリル酸をベースとするものがある。更にスチロール−マレインイミド −コポリマー、無水物含有ポリマー及びシリコン含有ポリマーが適している。 溶剤としては特に次の化合物、即ちエチレングリコールモノエチルエーテルア セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルラクテ ート（乳酸エチルエステル）、エチルピルベート（ピルビン酸エチルエステル） 、メチル−３−メトキシポロピオネート及びシクロヘキサノンを使用することが できる。 本発明によるレジスト組成は一定のレジスト系に限定されるものではない。コ ントラストの改善にはむしろ乾式及び湿式現像可能のレジスト、熱的に現像可能 のレジスト、着色レジスト（染色レジスト）、像反転レジスト、多層レジスト及 びフォトレジスト、Ｘ線レジスト、電子線又はイオン線レジストのような種々の 形式のレジスト系が使用可能である。個々の例としては、ポジ又はネガ作用の湿 式現像可能の一層レジスト並びに相応する乾式現像可能のレジスト及び湿式又は 乾式現像可能のポジ又はネガ作用の二層レジストがある。 照射時に後の熱処理工程でベースポリマーから例えばｔ−ブトキシカルボニル 基のような保護基を分解する強酸が遊離されるいわゆる酸触媒作用によるレジス トの場合、本発明によるレジスト組成は、コントラストの改善の他に、レジスト 層の照射された範囲から未照射の範囲内への酸の拡散を照射と熱処理との時間間 隔（＝有効寿命）内で阻止する利点を提供する。こうして線幅の安定化が、即ち 有効寿命に関係なく達成される（後照射遅延時間の安定化）。 本発明による放射線に敏感なレジスト組成はリソグラフィ法で高解像能のレリ ーフパターンの製造のために使用される。それにはこのレジスト組成をまず、放 射線に敏感なレジスト層を形成するため、有機又は無機の基板上に施し、引続き 乾燥する。潜像をレジスト層内に形成するためこの層を更に像に応じて即ち光線 、Ｘ線、電子線又はイオン線により照射する。最後に潜像をレリーフパターン内 に転写するために照射されたレジスト層をガス状又は液状現像剤で処理し、乾燥 する。 エステルの生成を促進するためレジスト層を像に応じて照射後熱処理工程（“ 後照射焼付け”）を行うと有利である。更にレジスト層を像に応じて照射した後 又は熱処理後シリル化試薬で処理する（“上面イメージング”）。或はレジスト 層を現像剤で処理した後、即ち乾燥後シリル化試薬で処理するようにしてレジス ト構造のシリル化を行ってもよい。更にレジスト層を像反転（“イメージ反転” ）のため熱処理工程後更にフラド露光し、即ち全面的に照射する。現像剤で処理 する際にレジスト層の照射された範囲を（ポジ型レジストで）除去するか又は未 照射範囲を（ネガ型レジストで）除去してもよい。 本発明の有利な実施態様は、レジスト層を像に応じて照射した後又は熱処理工 程後に（但し場合によってはシリル化を行う前に）像に応じた照射の際よりも短 い波長のフラド露光が行われることにある。この措置法はフォトレジストを使用 してＮＵＶ（近紫外線）で像に応じた照射が行われると有利であるが、しかしエ ステル形成剤はＤＵＶ（深紫外線）に吸収される。つまりエステルは投光露光で は破壊される。フラド露光は像に応じた露光が（ＮＵＶで）３６５ｎｍ（ｉ線） 又は４３６ｎｍ（ｇ線）で行われた場合例えば波長２５０ｎｍの放射線で行われ る。 本発明を実施例に基づき以下に詳述する（ＭＴ＝質量部）。 例 １（比較実験） シリコンウェハ上に２，６−ジニトロベンジルトシレート１．７４ＭＴ（放射 線活性成分として）、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド、無水 マレイン酸及びスチロール（製法については欧州特許出願公開第０４９２２５３ 号明細書参照）からなるターポリマー８．６６ＭＴ及びプロピレングリコールモ ノメチルエーテルアセテート８９．６ＭＴからなるレジスト溶液を遠心塗布する 。熱板上で乾燥（９０℃／６０秒）後、厚さ３５２ｎｍのレジスト層が得られる 。この層をグレーウェッジマスクにより接触法で（装置：ＭＪＢ３、カール・ジ ュス社製、水銀キセノンランプで）ポリクロメータ（分光器）で露光する。引続 きレジスト層を１１０℃／６０秒で熱板上で熱処理し、１２０秒間市販の現像剤 ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（東京オーカ工業株式会社）中で現像し、水で洗浄し、熱 板上で６０秒間９０℃で乾燥する。グレーウェッジ曲線の評価は２２．８ｍＪ／ ｃｍ₂の感度で１．９のコントラストを示す。 例 ２ シリコンウェハ上に２，６−ジニトロベンジルトシレート１．６１ＭＴ、Ｎ− ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド、無水マレイン酸及びスチロール からなるターポリマー８．０６ＭＴ、（ジアゾメチル−２−ナフチル）−ケトン （放射線に敏感なエステル形成剤として）０．８１ＭＴ及びプロピレングリコー ルモノメチルエーテルアセテート８９．６ＭＴからなるレジスト溶液を遠心塗布 する。熱板上で乾燥（９０℃／６０秒）後、厚さ３４４ｎｍのレジスト層が得ら れる。この層をグレーウェッジマスクにより接触法で（装置：ＭＪＢ３、カール ・ジュス社製、水銀キセノンランプで）ポリクロメータで露光する。引続きレジ スト層を１１０℃／６０秒で熱板上で熱処理し、１２０秒間市販の現像剤ＮＭＤ −Ｗ２．３８％（東京オーカ工業株式会社）中で現像し、水で洗浄し、熱板上で ６０秒間９０℃で乾燥する。グレーウェッジ曲線の評価では３１．７ｍＪ／ｃｍ₂ の感度で−１４．５のコントラストを示す。 例 ３ シリコンウェハ上に２，６−ジニトロベンジルトシレート１．８１ＭＴ、Ｎ− ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド、無水マレイン酸及びスチロール からなるターポリマー８．０６ＭＴ、ω−ジアゾアセトフェノン（放射線に敏感 なエステル形成剤として）０．６１ＭＴ及びプロピレングリコールモノメチルエ ーテルアセテート８９．６ＭＴからなるレジスト溶液を遠心塗布する。熱板上で 乾燥（７０℃／６０秒）後、厚さ３６１ｎｍのレジスト層が得られる。この層を グレーウェッジマスクにより接触法で（装置：ＭＪＢ３、カール・ジェス社製、 水銀キセノンランプで）ポリクロメータで露光する。引続きレジスト層を１１０ ℃／６０秒で熱板上で熱処理し、１２０秒間市販の現像剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％ （東京オーカ工業株式会社）中で現像し、水で洗浄し、熱板上で６０秒間９０℃ で乾燥する。グレーウェッジ曲線の評価では２８．６ｍＪ／ｃｍ₂の感度で−１ １．７のコントラストを示す。 例 ４（比較実験） シリコンウェハ上にジフェニルイオドニウムトリフラート２．２１ＭＴ（放射 線活性成分として）、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド及びス チロール（欧州特許出願公開第０４９２２５３号明細書により製造、また欧州特 許出願公開第０４９２２５４号並びに同第０２３４３２７号明細書参照）からな るコポリマー１６．３ＭＴ及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー ト８１．５ＭＴからなるレジスト溶液を遠心塗布する。熱板上で乾燥（９０℃／ ６０秒）後、厚さ１．２μｍのレジスト層が得られる。この層をグレーウェッジ マスクにより接触法で（装置：ＭＪＢ３、カール・ジュス社製、水銀キセノンラ ンプで）２５０ｎｍのフィルタを通してモノクロメータにより露光する。引続き レジスト層を１１０℃／６０秒で熱板上で熱処理し、１８０秒間市販の現像剤Ｎ ＭＤ−Ｗ２．３８％（東京オーカ工業株式会社）中で現像し、水で洗浄し、熱板 上で６０秒間９０℃で乾燥する。グレーウェッジ曲線の評価は５．７ｍＪ／ｃｍ₂ の感度で−１．６のコントラストを示す。 例 ５ シリコンウェハ上にジフェニルイオドニウムトリフレート２．１９ＭＴ、Ｎ− ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド及びスチロールからなるコポリマ ー１６．２ＭＴ、（ジアゾメチル−１−ナフチル）−ケトン０．４９ＭＴ（放射 線に敏感なエステル形成剤として）及びエチレングリコールモノエチルエーテル アセテート８１．１ＭＴからなるレジスト溶液を遠心塗布する。熱板上で乾燥（ ９０℃／６０秒）後、厚さ１．２μｍのレジスト層が得られる。この層をグレー ウェッジマスクにより接触法で（装置：ＭＪＢ３、カール・ジュス社、水銀キセ ノンランプで）２５０ｎｍのフィルタを通してモノクロメータにより露光する。 引続きレジスト層を１１０℃／６０秒で熱板上で熱処理し、１８０秒間市版の現 像剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（東京オーカ工業株式会社）中で現像し、水で洗浄し 、熱板上で６０秒間９０℃で乾燥する。グレーウェッジ曲線の評価は７．６ｍＪ ／ｃｍ₂の感度で−１０．３のコントラストを示す。 例５は例４に比べて本発明によるレジスト組成で厚いフォトレジスト層でもコ ントラストのかなりの改善を達成できることを明瞭に示す。 例 ６（比較実験） シリコンウェハ上にジフェニルイオドニウムトリフレート２．２１ＭＴ、Ｎ− ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド、無水マレイン酸及びスチロール からなるターポリマー１６．３ＭＴ及びプロピレングリコールモノメチルエーテ ルアセテート８１．５ＭＴからなるレジスト溶液を遠心塗布する。熱板上で乾燥 （９０℃／６０秒）後、厚さ１．０μｍのレジスト層が得られる。この層をＫｒ Ｆ−エキシマレーザ投影露光装置（λ＝２４８ｎｍ、開口数＝０．３７）上で２ ．０〜０．２５μｍのパターンを有するマスクを通して２８．５ｍＪ／ｃｍ²の 線量で露光する。引続きレジスト層を１１０℃／６０秒で熱板上で熱処理し、１ ８０秒間市販の現像剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（東京オーカ工業株式会社）中で現 像し、水で洗浄し、熱板上で６０秒間９０℃で乾燥する。走査電子顕微鏡のパタ ーンの評価は８０°（２．０μｍのパターン）と３０°（０．７μｍのパターン ）の側縁角を有する２．０μｍ〜０．７μｍのパターンの解像能を示す。０．７ μｍのパターンでは元の層厚の５０％がなお存在している。 例 ７ シリコンウェハ上にジフェニルイオドニウムトリフレート２．１９ＭＴ、Ｎ− ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド、無水マレイン酸及びスチロール からなるターポリマー１６．２ＭＴ、（ジアゾメチル−１−ナフチル）−ケトン ０．４９ＭＴ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８１．１ ＭＴからなるレジスト溶液を遠心塗布する。熱板上で乾燥（９０℃／６０秒）後 、厚さ１．０μｍのレジスト層が得られる。この層をＫｒＦ−エキシマレーザ投 影露光装置（λ−２４８ｎｍ；開口数＝０．３７）上で２．０〜０．２５μｍの パターンを有するマスクを通して４５．２ｍＪ／ｃｍ²の線量で露光する。引続 き レジスト層を１１０℃／６０秒で熱板上で熱処理し、１８０秒間市販の現像剤Ｎ ＭＤ−Ｗ２．３８％（東京オーカ工業株式会社）中で現像し、水で洗浄し、熱板 上で６０秒間９０℃で乾燥する。走査電子顕微鏡のパターンの評価は８９°（２ ．０μｍのパターン）と８５°（０．６μｍのパターン）との間の側縁角を有す る２．０μｍ〜０．６μｍのパターンの解像能を示す。 例７は例６に比べて本発明によるレジスト組成で解像能もパターン品質も明ら かに改善可能であることを明瞭に示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 プライスナー、カリン ドイツ連邦共和国 デー‐91207 ラウフ レントゲンシユトラーセ 20 (72)発明者 ベストマン、ハンス‐ユルゲン ドイツ連邦共和国 デー‐91056 エルラ ンゲン シユピツツヴエークシユトラーセ 31

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．以下の成分 薄膜を形成するベースポリマー、 照射時に酸を遊離する放射線活性成分、 放射線に敏感なエステル形成剤及び 溶剤 を有することを特徴とする高解像度のレリーフ構造を製造するための放射線に敏 感なレジスト組成。 ２．エステル形成剤が以下の構造 （式中Ｒ¹は脂肪族、芳香族、環状又は異種環状の炭化水素基であり、Ｒ²は水素 又はＲ¹を表す）のジアゾケトンであることを特徴とする請求項１記載のレジス ト組成。 ３．放射線に敏感なエステル形成剤の分量が放射線活性成分に関して１〜２００ モル％であることを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト組成。 ４．放射線活性成分がジアゾジカルボニル化合物、ジアゾキノン、クリベロ塩又 はニトロベンジルトシレートであることを特徴とする請求項１ないし３の１つに 記載のレジスト組成。 ５．ベースポリマーが酸に不安定な基を含んでおり、特にテルト．−ブトキシカ ルボニルマレインイミドにより誘導される構造単位を有するコポリマー又はター ポリマーであることを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載のレジスト組成 。 ６．請求項１ないし５の１つに記載の放射線に敏感なレジスト組成を基板上に施 し、乾燥し、その際放射線に敏感なレジスト層が生じ、このレジスト層が像に応 じて照射され、レジスト層内に潜像を作り、照射されたレジスト層を現像剤で処 理し、引続き乾燥し、その際潜像がレリーフ構造に転写されることを特徴とする 高解像能レリーフ構造の製造方法。 ７．レジスト層を像に応じて照射した後熱処理することを特徴とする請求項６記 載の方法。 ８．レジスト層を像に応じて照射又は熱処理した後シリル化試薬で処理すること を特徴とする請求項６又は７記載の方法。 ９．レジスト層を乾燥後シリル化試薬で処理することを特徴とする請求項６又は ７記載の方法。 １０．像に応じて照射又は熱処理した後比較的波長の短い放射線でフラド露光す ることを特徴とする請求項６ないし９の１つに記載の方法。