JPH10256692A - 膜状抵抗部分の形成方法、並びに膜状抵抗体の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路特性について高い調整精度が得られる、
膜状抵抗部分の形成方法、膜状抵抗体の製造方法、及び
製造装置を提供する。 【解決手段】 電極部間領域１０４をトリミングしたと
きにおける膜状抵抗体の抵抗値の平均変化率に比べて小
さい平均変化率を有する微小変化領域１０５，１０５’
に対してトリミングを施すように制御する制御装置２１
４を備え、目標の抵抗値に到達直前にて上記微小変化領
域をトリミングする。該微小変化領域のトリミングによ
り抵抗値の微小変化を得ることができ、高い精度にて目
標抵抗値に到達することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜状抵抗体におけ
る膜状抵抗部分をトリミングして当該膜状抵抗体の抵抗
値を調整する膜状抵抗体における、上記膜状抵抗部分の
形成方法、並びに上記膜状抵抗体の製造方法及び製造装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子部品の電気特性を所望の
特性に調整するために、レーザビームで上記電子部品の
被トリミング部をトリミングしたり、回路基板の回路特
性を所望の特性に調整するために、上記回路基板に実装
した電子部品の被トリミング部を上記回路基板の回路特
性を計測しながらレーザビームでトリミングするトリミ
ング方法が行われている。レーザビームを使用してトリ
ミングを行うことで抵抗値を変化させる素子としては、
図６に示すような構造の厚膜抵抗のものがよく知られて
いる。セラミックス絶縁基板上に膜状抵抗体を形成する
場合、図６に示すように、絶縁基板５上には、帯状の一
対の電極部２１、２１'が対向して印刷されるととも
に、これらの電極部２１，２１’にそれぞれ接続して電
極部２１，２１’の長さ方向に直交する方向に互いに逆
方向に延在する配線部２２，２２’が印刷される。さら
に、絶縁基板５上には、電極部２１、２１’の一部を覆
うようにして電極部２１，２１’にて挟まれた電極部間
領域に酸化ルテニウム等を主体とする抵抗ペーストを厚
膜印刷法により印刷し、膜状抵抗体１を形成する。レー
ザビームによる従来のトリミング方法を図６を参照して
説明する。従来では、図６に示すように、トリミングす
るトリミングラインを設定しておき、まず、電極部２
１、２１’上の４点I，II，III，IVを頂点とする領域を
認識手段（不図示）にて認識し、レーザビームの照射開
始点３ａと、上記照射開始点３ａからのトリミング方向
とを設定する。この場合、上記照射開始点３ａはトリミ
ングを開始する点であり、上記トリミング方向は厚膜抵
抗体１を電流が流れる方向を横切るように設定される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述のように厚膜抵抗
体１において電流が流れる方向を横切る方向に沿って、
電極部２１，２１’間における膜状抵抗部分１１をトリ
ミングする場合、当該厚膜抵抗体の抵抗値の変化は、膜
状抵抗部分１１への切り込み量が増えるに従い大きくな
る。回路基板上に形成される抵抗体の中には、高精度な
抵抗値の調整を要求されるものがあるが、上述のような
従来のトリミング方法では抵抗値をより精度よく調整す
ることは困難であった。この問題点の原因を調べた結
果、厚膜抵抗体１の電極部２１，２１’に挟まれた被ト
リミング部分である上記膜状抵抗部分１１をトリミング
した場合、切り込み長さが長くなるほど電極部２１，２
１’間における電流通路の断面積が小さくなり、かつ切
り込み位置が膜状抵抗部分１１の中央部１１ａに近づく
ことから、図７に示すように、当該厚膜抵抗体の抵抗値
の変化が大きくなっていく。したがって、上記中央部１
１ａ付近では抵抗値の微調整は困難となり、よって調整
精度が悪くなるという問題点があることが判明した。こ
のように、従来では、トリミングによる切り込み長さに
対する、トリミング前後での抵抗値の変化率によって、
回路特性の調整精度の限界が決定されてしまい、それ以
上の調整精度は望めないという問題点が有る。即ち、従
来のトリミング方法においては、トリミングの進行方向
に沿った厚膜抵抗部分１１の幅寸法に対して上記切り込
み長が短いときには回路特性の変化率は小さい。よって
このような変化率の小さい範囲にて所望の回路特性が得
られる場合には、従来においても良好な調整精度を得る
ことができる。しかしながら、上記切り込み長が長くな
るにつれて回路特性の変化率は大きくなり、このような
変化率の大きな範囲にて所望の回路特性を得ようとする
場合、高い調整精度を得ることは困難である。本発明
は、このような問題点を解決するためになされたもの
で、回路特性について高い調整精度が得られるようにト
リミング可能な膜状抵抗部分の形成方法、並びに該膜状
抵抗部分を形成し、回路特性について高い調整精度が得
られる膜状抵抗体の製造方法、及び製造装置を提供する
ことを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の第１態様である
膜状抵抗部分の形成方法は、対向する一対の電極部と、
該電極部に接続されるそれぞれの配線部と、上記対向す
る一対の電極部、及び少なくとも一方の上記配線部に接
触する膜状抵抗部分と、を上記基板上に形成することを
特徴とする。

【０００５】本発明の第２態様である膜状抵抗体の製造
方法は、基板上に形成された膜状抵抗部分にトリミング
を施して所望の抵抗値を得る膜状抵抗体の製造方法であ
って、一対の電極部と、該電極部に接続されるそれぞれ
の配線部と、一対の上記電極部及び少なくとも一方の上
記配線部に接触する上記膜状抵抗部分とを上記基板上に
形成し、上記膜状抵抗部分における一対の上記電極部に
て挟まれた電極部間領域をトリミングしたときにおける
当該膜状抵抗体の抵抗値の平均変化率に比べて小さい平
均変化率を有する上記膜状抵抗部分における微小変化領
域に対して上記トリミングを施す、ことを特徴とする。

【０００６】本発明の第３態様である膜状抵抗体の製造
装置は、一対の電極部に接続されるそれぞれの配線部、
並びに上記電極部及び少なくとも一方の上記配線部に接
触する膜状抵抗部分が基板上に形成された膜状抵抗体の
上記膜状抵抗部分に対してトリミング装置にてトリミン
グを施し所望の抵抗値を得る膜状抵抗体の製造装置にお
いて、上記膜状抵抗部分における一対の上記電極部にて
挟まれる電極部間領域にて、上記電極部間の電流の流れ
る方向に対して直交方向に沿ってトリミングを施した
後、上記電極部間領域をトリミングしたときにおける当
該膜状抵抗体の抵抗値の平均変化率に比べて小さい平均
変化率を有する上記膜状抵抗部分における微小変化領域
に対して上記トリミングを施す動作制御を上記トリミン
グ装置に対して行う制御装置と、を備えたことを特徴と
する。

【０００７】

【発明の実施の形態及び実施例】本発明の一実施形態の
膜状抵抗部分の形成方法、並びに上記膜状抵抗部分を形
成した膜状抵抗体の製造方法及び製造装置について、図
を参照しながら以下に説明する。尚、各図において同じ
構成部分については同じ符号を付している。又、上記製
造方法は上記製造装置にて実行されるものである。本実
施形態の膜状抵抗体の製造方法にて製造された膜状抵抗
体は図１に示すような構成をなす。即ち、電気的絶縁物
質のセラミックス製の基板１０２上には、従来と同様に
一対の電極部２１，２１’、及び各電極部２１，２１’
に電気的に接続される配線部２２，２２’が形成され、
さらに本実施形態では電極部２１，２１’及び配線部２
２，２２’を覆って、酸化ルテニウム等を主体とする抵
抗ペーストが厚膜印刷法にて膜状抵抗部分１０３として
形成される。このように膜状抵抗部分１０３は、電極部
２１，２１’のみならず配線部２２，２２’をも覆って
いる点が従来とは異なる。尚、本実施形態では、両方の
配線部２２，２２’を覆って膜状抵抗部分１０３を形成
したが、これに限定されるものではなく、膜状抵抗部分
１０３は少なくとも一方の配線部２２又は配線部２２’
を覆えばよい。又、この場合には、膜状抵抗部分１０３
にて覆われない方の配線部２２又は２２’に接続される
電極部２１又は２１’の一部領域又は全領域を膜状抵抗
部分１０３は覆うように形成される。膜状抵抗部分１０
３をこのように形成することで、膜状抵抗部分１０３
は、一対の電極部２１，２１’にて挟まれた領域である
電極部間領域１０４と、電極部間領域１０４以外の領域
に相当する微小変化領域１０５，１０５’とを有する。
尚、膜状抵抗体１０１の一実施例において、図１に示す
V〜Xにおける各寸法は、Vが約２．７ｍｍ、VIが約１ｍ
ｍ、VIIが約０．３ｍｍ、VIIIが約０．５５ｍｍ、IXが
約１．９ｍｍ、Xが約０．８ｍｍである。又、膜状抵抗
部分１０３の厚さは約１０μｍである。又、電極部２
１，２１’の形状は図示する形状に限定されるものでは
ない。又、本実施形態では製造が容易であることから、
上述のように基板１０２上にまず電極部２１，２１’及
び配線部２２，２２’を形成しその上に膜状抵抗部分１
０３を形成したが、膜状抵抗部分１０３上に電極部２
１，２１’及び配線部２２，２２’を形成することもで
きる。又、上述の膜状抵抗体１０１は回路基板上に形成
される場合や、単独のチップとして製造される場合があ
る。又、膜状抵抗部分１０３は、上述の厚膜印刷法によ
り形成される厚膜に限定されるものではなく、例えば真
空蒸着等を使用することで薄膜にて形成されてもよい。

【０００８】このように形成される膜状抵抗体１０１に
は、所望の抵抗値を得るために膜状抵抗部分１０３にレ
ーザービームにてトリミングが行われる。本実施形態で
は、従来と同様に、上記電極部間領域１０４にて、電極
部２１，２１’間で電流が流れる方向XIに直交する方向
に沿って第１切込み１０６が開始点３ａから終点４ａま
で形成され、さらに、微小変化領域１０５又は微小変化
領域１０５’の少なくともいずれか一方において、少な
くとも一つの第２切込み１０７が上記方向XIに沿って形
成される。尚、一実施例において、第２切込み１０７の
幅寸法XIIは、約５０μｍである。又、トリミングを施
す手法は上述のレーザービームを使用する方法に限定さ
れるものではなく、公知の手法、例えばドリルを使用す
ることができる。

【０００９】電極部間領域１０４における第１切込み１
０６では、従来の場合と同様に、電極部２１，２１’間
に形成され、かつ電極部２１，２１’間の電流の流れに
直交する方向に延在することから、切り込み長さに対す
る、切り込み動作前後における当該膜状抵抗体１０１の
抵抗値の変化率が大きい。よって電極部間領域１０４で
は、トリミングによる上記抵抗値の変化率の平均値（以
下、「平均変化率」という）が大きくなる。これに対し
て、微小変化領域１０５，１０５’に施される第２切込
み１０７は、電極部２１，２１’にて挟まれる電極部間
領域１０４以外の領域に形成されるので、電極部２１，
２１’間を流れる電流に大きく作用しない。よって、切
り込み長さに対する、切り込み動作前後における上記抵
抗値の変化率が小さい。よって微小変化領域１０５，１
０５’における上記抵抗値の平均変化率は、上記電極部
間領域１０４における平均変化率に比べて小さくなる。
このように本実施形態では、電極部２１，２１’のみな
らず配線部２２，２２’をも覆って膜状抵抗部分１０３
を形成したことで、微小変化領域１０５，１０５’を設
けることができ、さらに該微小変化領域１０５，１０
５’に第２切込み１０７を形成することから、当該膜状
抵抗体１０１における抵抗値を従来に比べより微調整す
ることができる。

【００１０】第２切込み１０７による上記抵抗値を調整
する方法としては、第２切込み１０７の長さを調整する
方法の他、第２切込み１０７の形成数や、形成場所や、
トリミングの深さによる方法がある。第２切込み１０７
の形成場所及び形成数としては、図１にて第２切込み１
０７が形成されている領域１０８にさらに１以上の第２
切込み１０７を形成してもよいし、微小変化領域１０
５，１０５’における他の領域１０９，１０９，１０９
に形成してもよい。又、第２切込み１０７は、微小変化
領域１０５，１０５’を越えて膜状抵抗部分１０３へ延
在してもよく、膜状抵抗部分１０３における延在長さが
長くなるほどその延在長さ当たりの上記抵抗値の変化率
が大きくなることが経験上わかっている。但し、上記抵
抗値が大幅に変化してしまうことから、第１切込み１０
６と第２切込み１０７とが交差することは避けねばなら
ない。又、出願人の経験上、例えば電極部２１と第２切
込み１０７との間の距離XIIIを離して第２切込み１０７
を形成するほど、上記抵抗値の変化率は小さくなること
がわかっている。又、上記トリミングの深さによる方法
では、レーザービームの強度を調整することで、上記第
１切込み１０６及び第２切込み１０７について、図５に
示す切り込み１１０のように膜状抵抗部分１０３の厚さ
方向に沿ってすべての抵抗ペーストを取り除いたり、切
り込み１１１のように部分的に取り除いたりすること
で、上記変化率を調整することができる。勿論、上記切
り込み１１０の方が、上記変化率は大きくなる。勿論こ
れらの方法を組合わすことで、より細かに抵抗値を調整
することができる。

【００１１】尚、本実施形態では、第１切込み１０６と
第２切込み１０７の両方を形成したが、第２切込み１０
７のみを形成してもよい。又、第１切込み１０６も複数
本形成してもよい。

【００１２】このような膜状抵抗体１０１は、図４に示
すように、認識装置２１１、トリミング装置２１２、抵
抗測定装置２１３、制御装置２１４を備えた、膜状抵抗
体の製造装置２０１にて製造される。尚、該製造装置２
０１には、電極部２１，２１’、配線部２２，２２’、
及び膜状抵抗部分１０３を基板１０２に形成する形成装
置をさらに備えてもよい。認識装置２１１は、従来の製
造装置の場合と同様に、トリミングが施される膜状抵抗
部分１０３を認識する装置である。トリミング装置２１
２は、少なくとも上述の第２切込み１０７を膜状抵抗部
分１０３に形成する装置であり本実施形態では上述のよ
うにレーザービームにて上記第２切込み１０７等を形成
する。抵抗測定装置２１３は、上記トリミング装置２１
２によって膜状抵抗体１０１に対して少なくとも第２切
込み１０７を形成するとき、当該膜状抵抗体１０１の抵
抗値を測定する装置であり、本実施形態では、トリミン
グ動作と抵抗値の測定動作とを時間的にずらせて行う。
尚、状況に応じては、上記トリミング動作を行いながら
上記抵抗値の測定も平行して行うこともできる。制御装
置２１４は、膜状抵抗体１０１に対してトリミングを施
すことで当該膜状抵抗体１０１に予め設定されている所
望の抵抗値となるように、上記抵抗測定装置２１３が送
出する上記抵抗値の情報に基づき、上記トリミング装置
２１２に対して、少なくとも第２切込み１０７に対して
その延在長さの制御や、レーザービームの強度制御等を
行わしめる。

【００１３】このように構成される膜状抵抗体の製造装
置２０１の動作である、膜状抵抗体の製造方法につい
て、図２及び図３を参照して以下に説明する。尚、本実
施形態では、電極部２１，２１’及び配線部２２，２
２’を覆って膜状抵抗部分１０３が基板１０２に形成さ
れた予め製造済の膜状抵抗体１０１が供給されるものと
する。そして、膜状抵抗体１０１における電極部間領域
１０４に一本の第１切込み１０６を形成した後、微小変
化領域１０５に一本の第２切込み１０７を形成すること
で、当該膜状抵抗体１０１における所望の抵抗値を得る
ものである。又、膜状抵抗体１０１における抵抗値が上
記所望の抵抗値の９５％に到達するまで第１切込み１０
６の形成を行い、到達時点で第１切込み１０６の形成を
中止し第２切込み１０７の形成を開始する。

【００１４】図２のステップ（図内では「Ｓ」にて示
す）１では、まず、これから製造を始める膜状抵抗体１
０１における回路特性値の測定を行う。本実施形態にお
いて上記回路特性値とは膜状抵抗体１０１の抵抗値であ
り、上記測定は上記抵抗測定装置２１３にて行われる。
上述のように当該膜状抵抗体１０１において設定される
べき所望の抵抗値が予め制御装置２１４に入力されてお
り、ステップ２では、制御装置２１４は、ステップ１に
て測定され抵抗測定装置２１３から供給された抵抗値と
上記所望の抵抗値との差を計算する。ステップ３では、
トリミング装置２１２によって開始点３ａから電極部間
領域１０４内の終点４ａに向かって第１切込み１０６が
方向XIに対して直交方向に一定の延在長さにて形成され
る。ステップ４では、ステップ３によって第１切込み１
０６が形成された膜状抵抗体１０１における抵抗値を抵
抗測定装置２１３にて測定する。ステップ５では、ステ
ップ４にて測定された抵抗値が切替え値に到達したか否
かを制御装置２１４にて判断する。ここで上記切替え値
とは、上述の所望の抵抗値の９５％が相当し、この値は
制御装置２１４に対して任意に設定可能である。尚、実
際には製造効率等の観点から、上記切替え値は、所望の
特性値の約９割前後の値に設定するのが好ましい。ステ
ップ５の判断により、膜状抵抗体１０１の抵抗値が未だ
上記切替え値に到達していない場合には、再度ステップ
２からステップ５を繰り返す。一方、ステップ５にて、
膜状抵抗体１０１の抵抗値が上記切替え値に到達したと
判断されたときには、ステップ６へ移行する。

【００１５】ステップ６では、開始点５ａから微小変化
領域１０５内の終点６ａに向けて、電極部２１の端面２
１ａから寸法XIIIにて離れた位置にて、方向XIに沿っ
て、トリミング装置２１２によって第２切込み１０７を
形成していく。尚、本実施形態では、上記寸法XIIIは、
０．５ｍｍである。ステップ７では、ステップ６によっ
てさらに第２切込み１０７が形成された膜状抵抗体１０
１における抵抗値を抵抗測定装置２１３にて測定する。
ステップ８では、ステップ７にて測定された抵抗値が当
該膜状抵抗体１０１の上記所望抵抗値に到達したか否か
を制御装置２１４にて判断する。ステップ８の判断によ
り、膜状抵抗体１０１の抵抗値が未だ上記所望抵抗値に
到達していない場合には、再度ステップ６からステップ
８を繰り返す。一方、ステップ８にて、膜状抵抗体１０
１の抵抗値が上記所望抵抗値に到達したと判断されたと
きには当該製造動作を終了する。

【００１６】このように本実施形態によれば、微小変化
領域１０５，１０５’に第２切込み１０７を形成するよ
うにしたことで、従来に比べて膜状抵抗体１０１の抵抗
値を所望の抵抗値に容易に設定することができる。又、
上述のように第１切込み１０６と第２切込み１０７とを
組み合わせることで、容易かつ迅速に上記所望の抵抗値
に膜状抵抗体１０１を設定することができる。即ち、図
３に示すように、膜状抵抗体１０１の抵抗値が上記所望
抵抗値の例えば９５％に到達するまでは、膜状抵抗体１
０１の抵抗値を大きく変化させることができる第１切込
み１０６を電極部間領域１０４に形成し、その後、上記
所望抵抗値に到達するまでは、上記電極部間領域１０４
をトリミングしたときにおける当該膜状抵抗体の抵抗値
の平均変化率に比べて小さい平均変化率を有する微小変
化領域１０５，１０５’に第２切込み１０７を形成する
ようにしたことから、容易かつ迅速に上記所望の抵抗値
に膜状抵抗体１０１を設定することができる。

【００１７】尚、上記抵抗値の微調整の方法としては、
本実施形態の方法に限定されず、上述したように第２切
込み１０７の形成場所等の種々の方法がある。一つの具
体例としては、レーザービームの強度を弱めて図５に示
す切り込み１１１のように第２切込み１０７を形成した
場合であって、電極部２１の端面２１ａからの上記寸法
XIIIを０．５ｍｍとし、開始点５ａから終点６ａまでの
第２切込み１０７の長さを０．４ｍｍとしたとき、該第
２切込み１０７の形成前後における膜状抵抗体１０１の
抵抗値の変化率として０．００４０％を得ることができ
た。

【００１８】

【発明の効果】以上詳述したように本発明の第１態様の
膜状抵抗部分の形成方法によれば、少なくとも一方の配
線部に接触して膜状抵抗部分を形成したことから、上記
配線部に接触する膜状抵抗部分にトリミングを行うこと
が可能となる。上記配線部に接触する膜状抵抗部分にト
リミングを施した場合、当該膜状抵抗部分を備えた膜状
抵抗体の抵抗値の平均変化率は、膜状抵抗部分における
電極部間の領域にトリミングを施したときの上記抵抗値
の平均変化率よりも小さい。よって本発明の第１態様の
膜状抵抗部分の形成方法によって膜状抵抗部分を使用し
て膜状抵抗体を作製したとき、所望の抵抗値を高い精度
にて達成することができる。

【００１９】本発明の第２態様の膜状抵抗体の製造方
法、及び第３態様の製造装置によれば、制御装置を備
え、該制御装置による制御により微小変化領域に対して
トリミングを行うようにしたことから、該トリミングに
て得られる抵抗値の平均変化率を、電極部間領域をトリ
ミングした場合に比べて小さくすることができる。よっ
て、所望の抵抗値を高い精度にて達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態である、膜状抵抗体の製
造方法及び製造装置にて製造された膜状抵抗体の平面図
である。

【図２】 本発明の一実施形態である、膜状抵抗体の製
造方法における工程を示すフローチャートである。

【図３】 図２の製造方法にて膜状抵抗体を製造したと
きの、膜状抵抗体における抵抗値の変化を示すグラフで
ある。

【図４】 本発明の一実施形態である、膜状抵抗体の製
造装置の構成を示すブロック図である。

【図５】 本発明の一実施形態である、膜状抵抗体の製
造方法及び製造装置にて実行されるレーザービームによ
るトリミングの深さの態様を示す図である。

【図６】 従来の膜状抵抗体の平面図である。

【図７】 従来の膜状抵抗体における抵抗値の変化を示
すグラフである。

【符号の説明】

２１，２１’…電極部、２２，２２’…配線部、１０１
…膜状抵抗体、１０３…膜状抵抗部分、１０４…電極部
間領域、１０５，１０５’…微小変化領域、１０６…第
１切込み １０７…第２切込み、２０１…製造装置、２１２…トリ
ミング装置、２１４…制御装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中尾 佳史 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向する一対の電極部（２１，２１’）
   と、該電極部に接続されるそれぞれの配線部（２２，２
   ２’）と、上記対向する一対の電極部、及び少なくとも
   一方の上記配線部に接触する膜状抵抗部分と、を上記基
   板上に形成することを特徴とする膜状抵抗部分の形成方
   法。
2. 【請求項２】 基板上に形成された膜状抵抗部分（１０
   ３）にトリミングを施して所望の抵抗値を得る膜状抵抗
   体の製造方法であって、 一対の電極部（２１，２１’）と、該電極部に接続され
   るそれぞれの配線部（２２，２２’）と、一対の上記電
   極部及び少なくとも一方の上記配線部に接触する上記膜
   状抵抗部分とを上記基板上に形成し、 上記膜状抵抗部分における一対の上記電極部にて挟まれ
   た電極部間領域（１０４）をトリミングしたときにおけ
   る当該膜状抵抗体の抵抗値の平均変化率に比べて小さい
   平均変化率を有する上記膜状抵抗部分における微小変化
   領域（１０５，１０５’）に対して上記トリミングを施
   す、ことを特徴とする膜状抵抗体の製造方法。
3. 【請求項３】 上記微小変化領域は、上記膜状抵抗部分
   における上記電極部間領域以外の領域に対応する、請求
   項２記載の膜状抵抗体の製造方法。
4. 【請求項４】 上記膜状抵抗部分の形成後における上記
   膜状抵抗部分への上記トリミングは、上記電極部間領域
   にて、上記電極部間の電流の流れる方向に対して直交方
   向に沿って施された後、上記微小変化領域に施される、
   請求項２又は３記載の膜状抵抗体の製造方法。
5. 【請求項５】 上記電極部間領域に施す上記トリミング
   は、当該膜状抵抗体における上記所望の抵抗値のほぼ９
   割を達成するまで施される、請求項４記載の膜状抵抗体
   の製造方法。
6. 【請求項６】 上記トリミングによる上記抵抗値の調整
   は、上記膜状抵抗部分の厚さ方向における切り込み深さ
   量にて行う、請求項２ないし５のいずれかに記載の膜状
   抵抗体の製造方法。
7. 【請求項７】 上記膜状抵抗部分は厚膜印刷法にて形成
   される、請求項２ないし６のいずれかに記載の膜状抵抗
   体の製造方法。
8. 【請求項８】 一対の電極部（２１，２１’）に接続さ
   れるそれぞれの配線部（２２，２２’）、並びに上記電
   極部及び少なくとも一方の上記配線部に接触する膜状抵
   抗部分が基板上に形成された膜状抵抗体の上記膜状抵抗
   部分に対してトリミング装置（２１２）にてトリミング
   を施し所望の抵抗値を得る膜状抵抗体の製造装置におい
   て、 上記膜状抵抗部分における一対の上記電極部にて挟まれ
   る電極部間領域（１０４）にて、上記電極部間の電流の
   流れる方向に対して直交方向に沿ってトリミングを施し
   た後、上記電極部間領域をトリミングしたときにおける
   当該膜状抵抗体の抵抗値の平均変化率に比べて小さい平
   均変化率を有する上記膜状抵抗部分における微小変化領
   域（１０５，１０５’）に対して上記トリミングを施す
   動作制御を上記トリミング装置に対して行う制御装置
   （２１４）と、を備えたことを特徴とする膜状抵抗体の
   製造装置。