JPH06251914A - トリミング抵抗を有する回路基板の製造方法 - Google Patents

トリミング抵抗を有する回路基板の製造方法

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Publication number
JPH06251914A
JPH06251914A JP5063260A JP6326093A JPH06251914A JP H06251914 A JPH06251914 A JP H06251914A JP 5063260 A JP5063260 A JP 5063260A JP 6326093 A JP6326093 A JP 6326093A JP H06251914 A JPH06251914 A JP H06251914A
Authority
JP
Japan
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resistor
trimming
resistance value
film resistor
electrodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP5063260A
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English (en)
Inventor
Noboru Oki
昇 大木
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 膜状抵抗体に大きな電流を流しても、局部的
な電流密度の集中が起こらず、安定した抵抗値を長期に
わたって得る。 【構成】 絶縁基板1上に形成された電極4、4に亙っ
て形成した膜状抵抗体2の表面にその幅以上の径のレー
ザースポットsを照射して、同膜状抵抗体2をその厚さ
方向にトリミングをトリミングし、前記電極4、4間の
抵抗値を調整する。膜状抵抗体2の電流が流れる方向と
直交する方向の断面積が局部的に極端に狭くならず、し
かも、切り溝の先端やコーナー部分等が生じない。この
ため、局部的な電流密度の集中が起こらず、発熱等によ
るマイクロクラック等が発生しにくくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板上に形成した
膜状抵抗体をトリミングして、その電極間の抵抗値を調
整する回路基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】セラミック絶縁基板の上に膜状抵抗体を
形成した回路基板を製造する場合、図4で示すように、
絶縁基板1の上に一対の電極4、4を対向して印刷し、
この電極4、4に亙って酸化ルテニウム等を主体とする
抵抗ペーストを厚膜印刷法により印刷・焼成し、膜状抵
抗体2を形成する。ここでは、電極4、4間で測定され
る抵抗値が目標の抵抗値より予め低くなるよう形成して
おき、形成後、電極4、4間で抵抗値を測定しながら、
レーザートリミング等の手段で、前記膜状抵抗体2にそ
の一方の側辺から切り溝5を入れ、電極4、4間の抵抗
値を補正することが行われている。
【0003】このようなトリミングによる抵抗値の調整
に際して、例えば、図4において右側に示すように、電
極4、4が対向する方向と直交する方向(電極4、4と
平行な方向)に切り溝5を入れる場合、電極4、4間で
測定される抵抗値は、切り溝5の長さにほぼ比例して増
大する。
【0004】このように、回路基板上に形成される抵抗
体の中には、高精度な調整が要求されるものがある。そ
の場合は、切り溝5を形成するトリミング速度を遅くす
ることで、微妙な抵抗値の調整を可能とするか、或は、
図4において左側に示すように、目標の抵抗値近くまで
トリミングしたところでトリミング方向を90°変え
て、L字形に切り溝5を形成する、いわゆるL形トリミ
ングが行なわれていた。
【0005】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、前
記のようにしてトリミングされた膜状抵抗体2は、それ
に電流が流れる方向と直交する方向の断面積が、トリミ
ングされた部分とそれ以外の部分とで大きさが異なる。
このため、対向する電極4、4にわたって同膜状抵抗体
2に中を流れる電流密度が局部的に不均一となる。その
結果、膜状抵抗体2に大きな電流が流れると、トリミン
グされた切り溝5の先端や切り溝5のコーナー部分の電
流密度が増大し、それらの部分が局部的に発熱し、切り
溝5の先端部分やそのコーナーで膜状抵抗体2にいわゆ
るマイクロクラックが生じやすい。このため、トリミン
グ後の抵抗値の経時変化が大きく、不安定であるという
問題があった。
【0006】本発明は、前記従来の欠点を解消すること
を目的とするもので、膜状抵抗体に大きな電流を流して
も、局部的な電流密度の集中が起こらず、安定した抵抗
値が長期にわたって得られる回路基板の製造方法を提供
することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】すなわち、前記目的を達
成するため、本発明において採用した手段の要旨は、絶
縁基板1上に形成された電極4、4に亙って形成した膜
状抵抗体2をトリミングし、前記電極4、4間の抵抗値
を調整する回路基板の製造方法において、前記膜状抵抗
体2の表面にその幅以上の径のレーザースポットsを照
射して、同膜状抵抗体2をその厚さ方向にトリミングす
ることを特徴とするトリミング抵抗を有する回路基板の
製造方法である。
【0008】
【作用】前記本発明による回路基板の製造方法によれ
ば、前記膜状抵抗体2の表面にその幅以上の径のレーザ
ースポットsを照射して、同膜状抵抗体2をその厚さ方
向にトリミングするため、膜状抵抗体2が局部的にトリ
ミングされず、或る程度の面積にわたってトリミングさ
れる。従って、膜状抵抗体2の電流が流れる方向と直交
する方向の断面積が局部的に極端に狭くならない。しか
も、切り溝の先端やコーナー部分等が生じない。このた
め、局部的な電流密度の集中が起こらず、発熱等による
マイクロクラック等が発生しにくくなる。
【0009】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について詳細に説明する。図1及び図2で示すように、
絶縁基板1の上に対向して一対の電極4、4を形成し、
これら電極4、4の間に膜状抵抗体2を形成する。な
お、これらの図には示してないが、絶縁基板1の他の部
分には、導体膜、絶縁膜、誘電体膜或は抵抗膜等により
回路パターンが形成され、さらにこの回路パターン上に
回路部品が搭載され、所要の電子回路が構成される。
【0010】こうして絶縁基板1上に回路が構成された
後、この回路の特性を測定しながら、前記膜状抵抗体2
がトリミングされる。トリミングに際しては、レーザー
ヘッド6から膜状抵抗体2の表面上に、その幅以上の径
のレーザースポットsを照射し、これにより膜状抵抗体
2の表面をトリミングする。従って、膜状抵抗体2は、
その全幅にわたってその厚さ方向にトリミングされる。
【0011】使用するレーザーとしては、例えばYAG
レーザーやエキシマレーザー等をあげることができる。
レーザースポットsは、絶縁基板1上に形成された回路
の特性を測定しながら、適当な周波数により適当な数の
サイクルだけ照射し、次第にそのトリミング深さを増大
させることにより、目標の抵抗値を得る。図2におい
て、(a)はトリミング前の状態を、同図(b)及び図
1は、トリミング終了後の状態を示しており、膜状抵抗
体2は、そのトリミング部分2bが除去され、トリミン
グ後は、残存部分2aが残される。これらの図では、ト
リミングのためのレーザースポットsの径は、膜状抵抗
体2の幅とほぼ同じである。
【0012】本発明のより具体例を説明すると、酸化ル
テニウム(RuO2 )を主成分とする縦横1.0×1.
0mm、厚さ0.01mmの膜状抵抗体2を有する回路
基板を200個用意した。これら回路基板のうち100
個について、それらの膜状抵抗体2に径1.0mmのレ
ーザースポットsを200Hzの周波数で50サイクル
照射し、また他の100個の回路基板については、80
サイクル照射した。前者では電極4、4間の抵抗値が平
均で初期値の1.51倍となり、後者では1.95倍と
なった。また、何れも発熱によるマイクロクラックは認
めれれず、各々2W/5secの電圧を印加した後に抵
抗値を測定したところ、何れもトリミング直後の抵抗値
に対する変化率は1%未満であった。これに対して、上
記と同等の膜状抵抗体を有する回路基板を100個用意
し、これらに従来の技術によってトリミングを行なった
後、上記と同等の負荷条件で抵抗値の変化率を求めたと
ころ、マイクロクラックが生じたものがあり、平均2%
という値が得られた。
【0013】なお、前述の実施例において、トリミング
のためのレーザースポットsの径は、膜状抵抗体2の幅
とほぼ同じであるが、例えば、図3で示すように、膜状
抵抗体2の表面上に、その幅より充分大きな径のレーザ
ースポットsを照射し、膜状抵抗体2の全表面をトリミ
ングしてもよい。図3において、(a)はトリミング前
の状態を、同図(b)及び図1は、トリミング終了後の
状態を示している。
【0014】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、ト
リミングにより、膜状抵抗体2の電流が流れる方向と直
交する方向の断面積が局部的に極端に狭くならず、しか
も、切り溝の先端やコーナー部分等が生じないため、膜
状抵抗体に大きな電流を流しても、局部的な電流密度の
集中が起こらない。このため、マイクロクラック等が生
じにくくなり、安定した抵抗値が長期にわたって得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す回路基板の膜状抵抗体の
部分の要部斜視図である。
【図2】同実施例を示す膜状抵抗体のトリミング前と後
の縦断面図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す膜状抵抗体のトリミ
ング前と後の縦断面図である。
【図4】従来例を示す回路基板の膜状抵抗体の部分の要
部平面図である。
【符号の説明】
1 回路基板 4 電極 2 膜状抵抗体 s レーザースポット

Claims (1)

    【整理番号】 0040851−01 【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板(1)上に形成された電極
    (4)、(4)に亙って形成した膜状抵抗体(2)をト
    リミングし、前記電極(4)、(4)間の抵抗値を調整
    する回路基板の製造方法において、前記膜状抵抗体
    (2)の表面にその幅以上の径のレーザースポット
    (s)を照射して、同膜状抵抗体(2)をその厚さ方向
    にトリミングすることを特徴とするトリミング抵抗を有
    する回路基板の製造方法。
JP5063260A 1993-02-27 1993-02-27 トリミング抵抗を有する回路基板の製造方法 Pending JPH06251914A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100894025B1 (ko) * 2001-02-01 2009-04-22 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 고체-상태 uv 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100894025B1 (ko) * 2001-02-01 2009-04-22 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 고체-상태 uv 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법

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