JPH0684618A - 厚膜抵抗の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高湿中や高電圧で使用する場合にも安定した
抵抗値を維持可能とし、かつ絶縁抵抗劣化のない信頼性
の高い厚膜抵抗の提供。 【構成】 絶縁基板上に予め印刷された一対の引出電極
１，２間に抵抗膜３を印刷した後、抵抗膜３の一対の引
出電極１，２と接続されない一方の側面３ａから他方の
側面３ｂ方向に、前記一対の引出電極１，２間に幅の広
い状態にトリミングし第１のトリミング溝６を形成し、
しかる後抵抗膜３の抵抗値を観測しながら他方の側面３
ｂ方向に広げる形で第２のトリミング溝７、第３のトリ
ミング溝８を次々に形成し、目的の抵抗値に達した時点
でトリミングを中止し、最終的な第４のトリミング溝９
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に形成した
抵抗膜のトリミング手段を改良した厚膜抵抗の形成方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、混成集積回路においては、回路
を構成する抵抗として、絶縁基板上に形成された厚膜抵
抗が使用されている。この種の厚膜抵抗は、図２に示す
ように、セラミック基板などの図示していない絶縁基板
上に予め印刷された二つの引出電極１，２の間に、目的
とする抵抗値に対応した平面矩形状の抵抗膜３を、マス
クなどを用いてスクリーン印刷又は描画印刷することに
より形成される。

【０００３】このようにしてセラミック基板などの上に
形成された抵抗膜３は、一般的に、目的とする抵抗値よ
り低くなるように形成される。そして、厚膜抵抗単体の
製造工程における抵抗値のバラツキ、又は混成集積回路
に実装される他の回路部品のバラツキなどを補正するた
め、抵抗膜３にトリミングを施して、その抵抗値を調整
している。すなわち、抵抗膜３の抵抗値を観測しなが
ら、抵抗膜３に徐々にトリミングを施してその抵抗値を
徐々に上昇させ、最終的に所要の抵抗値になるまでトリ
ミングを行うことにより、所要の抵抗値を有する抵抗膜
３を得ている。

【０００４】具体的なトリミング方法としては、Ｎｄ、
ＹＡＧ、ＣＯ₂ 、Ｘｅなどのレーザビームにより、所定
の抵抗値になるまで抵抗膜３を蒸発させるレーザトリミ
ング法と、数十μｍの粒径のアルミパウダーを圧縮空気
と共に抵抗膜３に吹き付け、機械的に削り取るサンドブ
ラスト法とがあり、最近では、トリミング速度の速いレ
ーザトリミング法が主流になっている。

【０００５】図３及び図４は、このようなレーザトリミ
ング法において従来採用されている２種類のカット法を
示す図であり、図３は、Ｌ字状のトリミング溝４を形成
するＬカット法を示しており、図４は、直線状のトリミ
ング溝５を形成するストレートカット法を示している。
この場合、図３のＬカット法は、抵抗膜３の一方の側面
３ａから他方の側面３ｂ方向に直線状にカットを開始
し、ある程度目的とする抵抗値に近付いたところで、９
０度方向転換して抵抗膜３の引出電極との接続方向にカ
ットを開始し、微調整を行いＬ字状のトリミング溝４を
形成するものである。また、図４のストレートカット法
は、抵抗膜３の一方の側面３ａから他方の側面３ｂ及び
これとは逆に他方の側面３ｂから一方の側面３ａ幅方向
に直線状にカットを開始して、直線状のトリミング溝５
をそれぞれ形成するものである。

【０００６】しかしながら、以上のような構成になる厚
膜抵抗の形成方法によって形成されるＬ字状のトリミン
グ溝４及び直線状のトリミング溝５の幅を一定幅に形成
することは困難で、広い部分と狭い部分とで構成された
ものとなり、また上記構成になる抵抗膜３の厚さも一様
でなく、図５に示すように周辺部が厚く、中心部が薄い
断面窪み状となっている状態で、かつＬ字状のトリミン
グ溝４及び直線状のトリミング溝５の形成方向が厚い方
向から薄い方向へとなるためＬ字状のトリミング溝４及
び直線状のトリミング溝５の厚さを厚い部分に合わせた
場合、絶縁基板事態をも削ってしまうことから、このよ
うな事態を極力避けるため、抵抗膜３厚さが厚くなって
いる周辺部に位置する部分に残存部のないＬ字状のトリ
ミング溝４及び直線状のトリミング溝５を形成すること
は困難であった。

【０００７】したがって、以上のような従来のトリミン
グ方法によって形成した厚膜抵抗では、次のような問題
を生じている。すなわち、通常の雰囲気（常温常湿）中
において低電圧で厚膜抵抗を使用する場合には問題はな
いが、高湿中で厚膜抵抗を使用する場合、あるいは、数
十ボルトもしくは百ボルト以上の高電圧で厚膜抵抗を使
用する場合には、Ｌ字状のトリミング溝４及び直線状の
トリミング溝５の狭い部分で十分に絶縁距離を確保でき
ず、且つカットが不十分でＬ字状のトリミング溝４及び
直線状のトリミング溝５に残存した抵抗膜３の存在によ
って、抵抗値が変化したり絶縁抵抗値が極端に低下する
問題を抱えていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来のト
リミング方法によって形成した厚膜抵抗では、高湿中で
厚膜抵抗を使用する場合、あるいは、数十ボルトもしく
は百ボルト以上の高電圧で厚膜抵抗を使用する場合に
は、トリミング溝の狭い部分で十分に絶縁距離を確保で
きず、かつトリミングできれいに取り除かれることなく
トリミング溝部に残存する抵抗膜を原因として、抵抗値
が変化したり、絶縁抵抗値が極端に低下するなど信頼性
に欠けるものであった。

【０００９】本発明は、上記のような従来技術の課題を
解決するために提案されたものであり、その目的は、ト
リミング方法を改良することにより、高湿中や高電圧で
使用する場合にも安定した抵抗値を維持可能とし、かつ
絶縁抵抗劣化のない信頼性の高い厚膜抵抗を得ることの
できる、優れた厚膜抵抗の形成方法を提供することであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による厚膜抵抗の
形成方法には、絶縁基板上に形成した一対の引出電極間
に抵抗膜を印刷形成し、しかる後、この抵抗膜をトリミ
ング手段を講じ抵抗値を調整する厚膜抵抗の形成方法に
おいて、前記トリミング手段として、前記抵抗膜の前記
一対の引出電極と接続されない一方の側面から他方側面
方向に、前記一対の引出電極間に幅の広いトリミング溝
を形成し、続いてこのトリミング溝を他方側面方向に広
げ目的とする抵抗値を得ることを特徴とするものであ
る。

【００１１】

【作用】以上のような構成によれば、トリミング溝形成
作業として、予め一対の引出電極間に必要とする絶縁距
離を確保した幅の広い形で開始し、その幅をそのままと
して引出電極と接続されない側面方向に広げて目的とす
る抵抗値まで調整していく方法であり、確実に必要とす
るトリミング溝幅が確保できる。

【００１２】また、トリミング溝形成方向が一対の引出
電極間方向、つまり抵抗膜厚さの同じ厚さ方向であり、
抵抗膜の残余のないきれいなトリミング溝形成が可能と
なる。 更に、トリミングされていない抵抗膜の体積当
たりの電流密度を大きくとれるため、同一電力量に対
し、実装面積の小さな抵抗膜が形成できる。

【００１３】

【実施例】以下には、本発明による厚膜抵抗の形成方法
の一実施例に関して、図１を参照して具体的に説明す
る。

【００１４】まず、図１の（ａ）に示すように、セラミ
ック基板などの図示していない絶縁基板上に予め印刷さ
れた二つの引出電極１，２の間に、目的とする抵抗値に
対応した平面矩形状の抵抗膜３を、マスクなどを用いて
スクリーン印刷又は描画印刷することで形成する。

【００１５】この状態で、第１のトリミング工程を行
う。すなわち、抵抗膜３の抵抗値を観測しながら、この
抵抗膜３の一対の引出電極１，２と接続されない一方の
側面３ａから他方の側面３ｂ方向に、前記一対の引出電
極１，２間に幅の広い状態にトリミングを行い、第１の
トリミング溝６を形成する。

【００１６】なお、この場合、第１のトリミング溝６の
一方の側面３ａから他方の側面３ｂ方向に対する長さ
は、最終的な目的とする抵抗値に達しない程度の長さに
設定する。

【００１７】次に、図１の（ｂ）に示すように、第２の
トリミング工程を行う。すなわち、抵抗膜３の第１のト
リミング溝６を形成した後の抵抗値を観測しながら、第
１のトリミング溝６の前記一対の引出電極１，２間方向
の幅をそのままの状態で他方の側面３ｂ方向に広げる形
でトリミングして、前記第１のトリミング溝６に比し、
他方の側面３ｂ方向に広がった第２のトリミング溝７を
形成する。

【００１８】更に、第２のトリミング溝７形成工程にお
いても、目的とする抵抗値に達しない場合には、図１の
（ｃ）に示すように第３のトリミング工程を行う。すな
わち、抵抗膜３の第２のトリミング溝７を形成した後の
抵抗値を観測しながら、前記第２のトリミング溝７の形
成と同様に第２のトリミング溝７の前記一対の引出電極
１，２間方向の幅をそのままの状態で他方の側面３ｂ方
向に広げる形でトリミングして、前記第２のトリミング
溝７に比し、他方の側面３ｂ方向に広がった第３のトリ
ミング溝８を形成する。

【００１９】この第３のトリミング工程後においても目
的とする抵抗値に達しなかった場合には、目的とする抵
抗値に達するまで前述したトリミング工程を繰り返し行
うようにする。

【００２０】なお、図１の（ｄ）は、前述した第３のト
リミング工程後においても目的とする抵抗値に達せずト
リミングを続行する場合で、抵抗膜３の第３のトリミン
グ溝８を形成した後の抵抗値を観測しながら、前記第３
のトリミング溝８の形成と同様に第３のトリミング溝８
の前記一対の引出電極１，２間方向の幅をそのままの状
態で他方の側面３ｂ方向に広げる形でトリミングする工
程の途中において、目的の抵抗値に達した時点でトリミ
ングを中止することにより、途中に段部を有し、他方の
側面３ｂ方向に長さの異なる部分からなる第４のトリミ
ング溝９を形成した例を示すものである。

【００２１】以上のように構成してなる厚膜抵抗の形成
方法によれば、トリミング溝形成作業として、予め一対
の引出電極１，２間に必要とする絶縁距離を確保した幅
の広い形で開始して第１のトリミング溝６を形成し、次
いで、この第１のトリミング溝６の一対の引出電極１，
２間方向の幅をそのままの状態で他方の側面３ｂ方向に
広げる形でトリミングを行い、第２のトリミング溝７、
第３のトリミング溝８、更に目的とする抵抗値となる第
４のトリミング溝８まで調整していく方法であり、最終
的なトリミング溝として、従来のＬカット法やストレー
トカット法によって得られたトリミング溝と比較して、
一対の引出電極間で絶縁距離を確実に確保した形で形成
でき、且つ、第１のトリミング溝６から第４のトリミン
グ溝９までのトリミング溝形成方向が一対の引出電極
１，２間方向、つまり抵抗膜厚さの同じ厚さ方向であ
り、抵抗膜の残存のないきれいなトリミング溝形成が可
能となるため、高湿中で厚膜抵抗を使用する場合、ある
いは、数十ボルトもしくは百ボルト以上の高電圧で厚膜
抵抗を使用する場合においても安定した抵抗値を有し、
且つ絶縁抵抗劣化のない、従来技術に比べて格段に信頼
性を向上できる利点を有する。

【００２２】また、本発明によれば、トリミングされて
いない抵抗膜３の体積当たりの電流密度を大きくとれる
ため、同一電力量に対し、実装面積の小さな抵抗膜３が
形成できる利点をも有する。

【００２３】なお、本発明の具体的な細部は適宜設定可
能であり、例えば抵抗膜の一対の引出電極方向となるト
リミング溝の幅に対するトリミング溝の一対の引出電極
と接続されない一方の側面から他方側面方向への長さの
比率は、前記幅＞前記長さの関係の範囲内で適宜選択可
能である。また抵抗膜を印刷する方法として、公知の各
種の方法を適宜選択可能であることは勿論である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
抵抗膜の残存をなくし、かつ絶縁距離を確実に確保でき
るトリミング溝形成が可能となり、高湿中や高電圧で使
用する場合にも安定した抵抗値が維持可能で、絶縁抵抗
劣化のない信頼性の高い厚膜抵抗の提供に有効な厚膜抵
抗の形成方法が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による厚膜抵抗の形成方法の一実施例に
おいて、抵抗膜のトリミング状態を段階的に示す平面
図。

【図２】絶縁基板上に印刷形成したトリミング前の抵抗
膜を示す平面図。

【図３】従来の厚膜抵抗の形成方法の一例を示す図であ
り、特に、Ｌカット法のトリミング法を採用した場合の
抵抗膜のトリミング状態を示す平面図。

【図４】従来の厚膜抵抗の形成方法の一例を示す図であ
り、特に、ストレートカット法のトリミング法を採用し
た場合の抵抗膜のトリミング状態を示す平面図。

【図５】厚膜抵抗の抵抗膜部を示す拡大側断面図。

【符号の説明】

１ 引出電極 ２ 引出電極 ３ 抵抗膜 ３ａ 一方の側面 ３ｂ 他方の側面 ６ 第１のトリミング溝 ７ 第２のトリミング溝 ８ 第３のトリミング溝 ９ 第４のトリミング溝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に形成した一対の引出電極間
   に抵抗膜を印刷形成し、しかる後この抵抗膜をトリミン
   グ手段を講じ抵抗値を調整する厚膜抵抗の形成方法にお
   いて、前記トリミング手段として、前記抵抗膜の前記一
   対の引出電極と接続されない一方の側面から他方側面方
   向に、前記一対の引出電極間に幅の広いトリミング溝を
   形成し、続いてこのトリミング溝を他方側面方向に広げ
   目的とする抵抗値を得ることを特徴とする厚膜抵抗の形
   成方法。