JPH0653018A - 厚膜抵抗の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 トリミング方法を改良することにより、高湿
中や高電圧で使用する場合にも安定した抵抗値を維持可
能な、信頼性の高い厚膜抵抗を形成可能な、優れた厚膜
抵抗の形成方法を提供する。 【構成】 絶縁基板上に抵抗膜３を印刷形成した後、こ
の抵抗膜３をトリミングすることにより抵抗値を調整す
る。トリミング工程として、抵抗膜３の一方の側面３ａ
からカットしてトリミング溝６を形成し、続いて、この
トリミング溝６に隣接する縁部をカットすることによ
り、トリミング溝の幅を広げる形で抵抗値を上昇させ
る。一般的には、抵抗膜３の抵抗値をモニターしながら
トリミング工程を行い、目的とする抵抗値に達するまで
カットを続ける。目的の抵抗値に達した時点でカットを
中止することにより、最終的なトリミング溝９を形成
し、厚膜抵抗を完成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に厚膜抵抗
を形成する方法に関し、特に、そのトリミング方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路においては、回路を
構成する抵抗として、絶縁基板上に形成された厚膜抵抗
が使用されている。この種の厚膜抵抗は、図２に示すよ
うに、セラミック基板などの図示していない絶縁基板上
に予め印刷された２つの引き出し電極１，２の間に、目
的とする抵抗値に対応した平面矩形状の抵抗膜３を、マ
スクなどを用いてスクリーン印刷または描画印刷するこ
とにより形成される。

【０００３】このようにしてセラミック基板などの上に
形成された抵抗膜３は、一般的に、目的とする抵抗値よ
り低くなるように形成される。そして、厚膜抵抗単体の
製造工程における抵抗値のバラツキ、または混成集積回
路に実装される他の回路部品のバラツキなどを補正する
ため、抵抗膜３にトリミングを施して、その抵抗値を調
整している。すなわち、抵抗膜３の抵抗値をモニターし
ながら、抵抗膜３に徐々にトリミングを施してその抵抗
値を徐々に上昇させ、最終的に所要の抵抗値になるまで
トリミングを行うことにより、所要の抵抗値を有する抵
抗膜３を得ている。

【０００４】具体的なトリミング方法としては、Ｎｄ、
ＹＡＧ、ＣＯ₂ 、Ｘｅなどのレーザビームにより、所定
の抵抗値になるまで抵抗膜３を蒸発させるレーザトリミ
ング法と、数十μｍの粒径のアルミパウダーを圧縮空気
と共に抵抗膜３に吹き付け、機械的に削り取るサンドブ
ラスト法とがあり、最近では、トリミング速度の速いレ
ーザトリミング法が主流になっている。

【０００５】図３及び図４は、このようなレーザトリミ
ング法において従来採用されている２種類のカット法を
示す図であり、図３は、Ｌ字状のトリミング溝４を形成
するＬカット法を示しており、図４は、直線状のトリミ
ング溝５を形成するストレートカット法を示している。
この場合、図３のＬカット法は、抵抗膜３の一方の側面
３ａから抵抗膜３の幅方向に直線状にカットを開始し、
ある程度目的とする抵抗値に近付いたところで、９０度
方向転換して抵抗膜３の長さ方向にカットを開始し、微
調整を行うものである。また、図４のストレートカット
法は、抵抗膜３の両方の側面３ａ，３ｂから抵抗膜３の
幅方向に直線状にカットを開始して、直線状のトリミン
グ溝５をそれぞれ形成するものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来のトリミング方法によって形成した厚膜抵抗
では、次のような問題を生じている。すなわち、通常の
雰囲気（常温常湿）中において低電圧で厚膜抵抗を使用
する場合には問題はないが、高湿中で厚膜抵抗を使用す
る場合、あるいは、数十ボルトもしくは百ボルト以上の
高電圧で厚膜抵抗を使用する場合には、トリミング溝部
に残存する抵抗膜の細片や粒子、あるいは、基板表層面
に拡散し、付着した抵抗膜成分の飛散細片や飛散粒子な
どを原因として、抵抗値が変化したり、絶縁抵抗値が極
端に低下するなどという問題を生じている。

【０００７】本発明は、上記のような従来技術の課題を
解決するために提案されたものであり、その目的は、ト
リミング方法を改良することにより、高湿中や高電圧で
使用する場合にも安定した抵抗値を維持可能な、信頼性
の高い厚膜抵抗を形成可能な、優れた厚膜抵抗の形成方
法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による厚膜抵抗の
形成方法は、絶縁基板上に抵抗膜を印刷形成する工程
と、この抵抗膜をトリミングすることにより抵抗値を調
整するトリミング工程とを備えた厚膜抵抗の形成方法に
おいて、前記トリミング工程として、前記抵抗膜の一方
の側面からカットしてトリミング溝を形成し、続いて、
このトリミング溝に隣接する縁部をカットすることによ
り、トリミング溝の幅を広げる形で抵抗値を上昇させる
ことを特徴としている。

【０００９】

【作用】以上のような構成を有する本発明の方法によれ
ば、Ｌカット法やストレートカット法に比べてトリミン
グ溝の幅を広げることができ、また、その分だけトリミ
ング溝に臨む抵抗膜の加工線の長さを短くできるため、
トリミング溝部に残存する抵抗膜の細片や粒子の量を大
幅に低減できる。さらに、抵抗膜の一部にトリミングを
局部的に集中して行うことにより、Ｌカット法やストレ
ートカット法に比べてトリミングの範囲を大幅に限定で
きるため、抵抗膜成分の飛散細片や飛散粒子などの、基
板表層面に対する付着量を大幅に低減することができ
る。

【００１０】

【実施例】以下には、本発明による厚膜抵抗の形成方法
の一実施例に関して、図１を参照して具体的に説明す
る。

【００１１】まず、図１の（Ａ）に示すように、セラミ
ック基板などの図示していない絶縁基板上に予め印刷さ
れた２つの引き出し電極１，２の間に、目的とする抵抗
値に対応した平面矩形状の抵抗膜３を、マスクなどを用
いてスクリーン印刷または描画印刷することで形成す
る。この状態で、図１の（Ａ）に示すように、第１のト
リミング工程を行う。すなわち、抵抗膜３の抵抗値をモ
ニターしながら、図１の（Ａ）に示すように、抵抗膜３
の一方の側面３ａにおける第１の引き出し電極１に近い
部分を始点として、反対側の側面３ｂに向かって抵抗膜
３の幅方向に直線状にカットを開始し、所定の長さの第
１のトリミング溝６を形成する。なお、この場合、第１
のトリミング溝６の長さは、目的とする抵抗値に達しな
い程度の短い長さに設定する。

【００１２】次に、図１の（Ｂ）に示すように、第２の
トリミング工程を行う。すなわち、抵抗膜３の抵抗値を
モニターしながら、図１の（Ｂ）に示すように、第１の
トリミング溝６における第２の引き出し電極２側の縁部
の端部（抵抗膜３の側面３ａ）から、第１のトリミング
溝６に沿ってこの第１のトリミング溝６を広げる形で直
線状にカットを開始し、第１のトリミング溝６の長さを
最大限として、目的とする抵抗値に達するまでカットを
続ける。

【００１３】この第２のトリミング工程で、目的とする
抵抗値に達しない場合には、図１の（Ｂ）に示すよう
に、第１のトリミング溝６と同じ長さでこの第１のトリ
ミング溝６よりも幅の広い第２のトリミング溝７が形成
されることになる。そして、この場合には、続いて、図
１の（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、同様のトリミング
工程を繰り返すことになる。

【００１４】図面の例では、図１の（Ｃ）に示すよう
に、第３のトリミング工程においては、第２のトリミン
グ溝７よりも幅の広い第３のトリミング溝８が形成さ
れ、図１の（Ｄ）に示すように、続く、第４のトリミン
グ工程の途中において、ようやく目的の抵抗値に達して
いる。すなわち、図１の（Ｄ）に示すように、第４のト
リミング工程の途中において、目的の抵抗値に達した時
点でカットを中止することにより、途中に段部を有し、
幅の異なる２つの部分からなる形の第４のトリミング溝
９が形成される。そして、この時点でトリミング工程全
体を完了する。

【００１５】以上のようにして形成された本実施例の厚
膜抵抗においては、図１の（Ｄ）と図３、図４を比較す
れば明らかなように、従来のＬカット法やストレートカ
ット法に比べてトリミング溝９の幅が広くなっており、
その分だけ、トリミング溝９に臨む抵抗膜の加工線の長
さが短くなっているため、トリミング溝９部に残存する
抵抗膜３の細片や粒子の量を大幅に低減できる。さら
に、抵抗膜３の一部にトリミングを局部的に集中して行
っており、Ｌカット法やストレートカット法に比べてト
リミングの範囲が大幅に限定されているため、抵抗膜成
分の飛散細片や飛散粒子などの、基板表層面に対する付
着量を大幅に低減することができる。従って、数十ボル
トもしくは百ボルト以上の高電圧で厚膜抵抗を使用する
場合においても、安定した抵抗値を維持可能であり、従
来に比べて格段に信頼性を向上できる。

【００１６】なお、本発明における具体的な細部は適宜
選択可能であり、例えば、抵抗膜の幅に対するトリミン
グ溝の長さの比率などは場合に応じて適宜選択可能であ
る。また、抵抗膜を印刷形成する方法としては、公知の
各種の方法を適宜選択可能である。

【００１７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法にお
いては、トリミング工程として、抵抗膜の一方の側面か
らカットしてトリミング溝を形成し、続いて、このトリ
ミング溝に隣接する縁部をカットすることにより、高湿
中や高電圧で使用する場合にも安定した抵抗値を維持可
能な、信頼性の高い厚膜抵抗を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による厚膜抵抗の形成方法の一実施例に
おいて、抵抗膜のトリミング状態を段階的に示す平面
図。

【図２】絶縁基板上に印刷形成したトリミング前の抵抗
膜を示す平面図。

【図３】従来の厚膜抵抗の形成方法の一例を示す図であ
り、特に、Ｌカット法のトリミング法を採用した場合の
抵抗膜のトリミング状態を示す平面図。

【図４】従来の厚膜抵抗の形成方法の一例を示す図であ
り、特に、ストレートカット法のトリミング法を採用し
た場合の抵抗膜のトリミング状態を示す平面図。

【符号の説明】

１，２…引き出し電極 ３…抵抗膜 ３ａ，３ｂ…抵抗膜の側面 ４〜９…トリミング溝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に抵抗膜を印刷形成する工程
   と、この抵抗膜をトリミングすることにより抵抗値を調
   整するトリミング工程とを備えた厚膜抵抗の形成方法に
   おいて、 前記トリミング工程として、前記抵抗膜の一方の側面か
   らカットしてトリミング溝を形成し、続いて、このトリ
   ミング溝に隣接する縁部をカットすることにより、トリ
   ミング溝の幅を広げる形で抵抗値を上昇させることを特
   徴とする厚膜抵抗の形成方法。