JPH0256962A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPH0256962A JPH0256962A JP20922188A JP20922188A JPH0256962A JP H0256962 A JPH0256962 A JP H0256962A JP 20922188 A JP20922188 A JP 20922188A JP 20922188 A JP20922188 A JP 20922188A JP H0256962 A JPH0256962 A JP H0256962A
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- JP
- Japan
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- laser
- trimming
- silicon wafer
- travelling
- film resistor
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- Pending
Links
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- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 16
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路に関する。
従来から混成集積回路には、シリコンウェーハ上にタン
タル等の薄膜抵抗体を形成した後、レーザービームを照
射して抵抗体の一部を切削して抵抗値のトリミングを行
っていた。
タル等の薄膜抵抗体を形成した後、レーザービームを照
射して抵抗体の一部を切削して抵抗値のトリミングを行
っていた。
第２図は従来の混成集積回路の一例の平面図である。
シリコンウェーハ１の表面に形成されたタンタルの薄膜
抵抗体２が、両側のアルミニウムの電極６Ａ及び６Ｂに
接続されて構成されている。
抵抗体２が、両側のアルミニウムの電極６Ａ及び６Ｂに
接続されて構成されている。
画電極６Ａ及び６Ｂに表われる薄膜抵抗体２の抵抗値は
、レーザートリミングで切削された）・リミング切削帯
４Ａによって調整される抵抗パターで決定される。
、レーザートリミングで切削された）・リミング切削帯
４Ａによって調整される抵抗パターで決定される。
トリミングのためのレーザービームの走行は、シリコン
ウェーハ１のレーザー走行帯４Ｂの綱線に示す走行始端
３Ａから開始されて、抵抗体２上のトリミング終端３ｃ
でトリミングは終了される。
ウェーハ１のレーザー走行帯４Ｂの綱線に示す走行始端
３Ａから開始されて、抵抗体２上のトリミング終端３ｃ
でトリミングは終了される。
第３図は第２図のトリミング動作を説明するためのトリ
ミング速度とトリミング密度との特性図である。
ミング速度とトリミング密度との特性図である。
全レーザービームの走行帯はシリコンウェーハ上のレー
ザー走行帯４Ｂと薄膜抵抗体２をトリミングしているト
リミング切削帯４Ａとがらなっている。
ザー走行帯４Ｂと薄膜抵抗体２をトリミングしているト
リミング切削帯４Ａとがらなっている。
レーザー走行帯４Ｂは、走行始端３Ａと走行均一始端３
Ｂとを含んでいる。
Ｂとを含んでいる。
レーザービームの走行速度は、曲線Ｓに示すように走行
始端３Ａから上昇して走行均一始端３Ｂで一定のとなり
、電極間６Ａ 、６ａ間のモニタ抵抗値が所定の値にな
るトリミング終端３ｃから低下して停止点３Ｄで零とな
る。
始端３Ａから上昇して走行均一始端３Ｂで一定のとなり
、電極間６Ａ 、６ａ間のモニタ抵抗値が所定の値にな
るトリミング終端３ｃから低下して停止点３Ｄで零とな
る。
一方、レーザービームの照射密度は曲線りに示すように
走行始端３Ａで高密度Ｐであり、走行均一始端３Ｂ以後
は低い所定の値Ｑとなる。
走行始端３Ａで高密度Ｐであり、走行均一始端３Ｂ以後
は低い所定の値Ｑとなる。
上述した従来の混成集積回路は、シリコンウェーハ上で
もレーザトリミングを行なうので、レーザービームの照
射条件によってはシリコンウェーハの絶縁破壊をおこす
ため、それを防止する必要があった。
もレーザトリミングを行なうので、レーザービームの照
射条件によってはシリコンウェーハの絶縁破壊をおこす
ため、それを防止する必要があった。
すなわち、トリミング開始時の走行速度が指定スピード
に対して遅く、走行始端のレーザー照射パルス層が多く
なるので、シリコンウェーハに穴を明は絶縁破壊を発生
してしまうという欠点があった。
に対して遅く、走行始端のレーザー照射パルス層が多く
なるので、シリコンウェーハに穴を明は絶縁破壊を発生
してしまうという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の混成集積回路は、半導体ウェーハの一主面上に
形成された薄膜抵抗体と、レーザー切削により前記薄膜
抵抗体の一部に設けられたトリミング切削帯とを含む混
成集積回路において、前記半導体ウェーハ上のレーザー
走行帯の走行始端がトリミングマスクを有して構成され
ている。
形成された薄膜抵抗体と、レーザー切削により前記薄膜
抵抗体の一部に設けられたトリミング切削帯とを含む混
成集積回路において、前記半導体ウェーハ上のレーザー
走行帯の走行始端がトリミングマスクを有して構成され
ている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
混成集積回路は、シリコンウェーハ２のレーザー走行帯
４Ｂの走行始端３Ａから走行均一始端３Ｂまでのレーザ
ービーム照射部分にアルミニウムのトリミングマスク５
を設けたことが異る点以外は第２図の従来の混成集積回
路と同一である。
４Ｂの走行始端３Ａから走行均一始端３Ｂまでのレーザ
ービーム照射部分にアルミニウムのトリミングマスク５
を設けたことが異る点以外は第２図の従来の混成集積回
路と同一である。
従って、第３図で説明した高密度Ｐの照射はシリコンウ
ェーハ１よりもレーザービームに強いアルミニウムのト
リミングマスク５に当なるので、レーザートリミング工
程での走行始端でのレーザーパルスをマスクしシリコン
ウェーハの絶縁破壊を防止する効果がある。
ェーハ１よりもレーザービームに強いアルミニウムのト
リミングマスク５に当なるので、レーザートリミング工
程での走行始端でのレーザーパルスをマスクしシリコン
ウェーハの絶縁破壊を防止する効果がある。
以上説明したように本発明は、レーザービームに対する
トリミングマスクを形成することにより、シリコンウェ
ーハ上の薄膜抵抗体のレーザートリミングが絶縁性基板
と同条件にて絶縁破壊を発生することなく実行出来ると
いう効果がある。
トリミングマスクを形成することにより、シリコンウェ
ーハ上の薄膜抵抗体のレーザートリミングが絶縁性基板
と同条件にて絶縁破壊を発生することなく実行出来ると
いう効果がある。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は従来の混
成集積回路の一例の平面図、第３図は第２図のトリミン
グ動作を説明するためのトリミング速度とトリミング密
度との特性図である。 １・・・シリコンウェーハ、２・・・薄膜抵抗体、３Ａ
・・・走行始端、３Ｂ・・・走行均一始端、３゜・・・
トリミング終端、４Ａ・・・トリミング切削帯、４Ｂ・
・・レーザー走行帯、５・・・トリミングマスク。
成集積回路の一例の平面図、第３図は第２図のトリミン
グ動作を説明するためのトリミング速度とトリミング密
度との特性図である。 １・・・シリコンウェーハ、２・・・薄膜抵抗体、３Ａ
・・・走行始端、３Ｂ・・・走行均一始端、３゜・・・
トリミング終端、４Ａ・・・トリミング切削帯、４Ｂ・
・・レーザー走行帯、５・・・トリミングマスク。
Claims (1)
- 半導体ウェーハの一主面上に形成された薄膜抵抗体と、
レーザー切削により前記薄膜抵抗体の一部に設けられた
トリミング切削帯とを含む混成集積回路において、前記
半導体ウェーハ上のレーザー走行帯の走行始端がトリミ
ングマスクを有することを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922188A JPH0256962A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922188A JPH0256962A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256962A true JPH0256962A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16569355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20922188A Pending JPH0256962A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256962A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007011250A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-01-18 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US7978297B2 (en) | 2005-05-30 | 2011-07-12 | Sony Corporation | Electro-optical device having resistor with adjustable resistance value connected to IC and wiring lines |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20922188A patent/JPH0256962A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007011250A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-01-18 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP4662354B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-03-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7978297B2 (en) | 2005-05-30 | 2011-07-12 | Sony Corporation | Electro-optical device having resistor with adjustable resistance value connected to IC and wiring lines |
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