JPH03209802A - 抵抗体形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は抵抗体形成方法に関する。この抵抗体形成方法
は例えばハイブリッドＩＣにおける厚膜抵抗体に適用で
きる。

［従来の技術］ 近年、電子部品ではパワーアップ化が進んでいる。例え
ばハイブリッドＩＣにおける抵抗体、厚膜抵抗体も例外
ではなく、パワーアップ化により耐電力性を確保すべく
、抵抗体、厚膜抵抗体が基板上で占める占有面積も大き
なものとなっている。

そのため第１３図に示すように幅寸法が増大化した厚膜
抵抗体が提供されている。

また従来より、厚膜抵抗体の表出面にレーザビームを照
射してトリミング溝を形成し抵抗値を調整する方法も行
なわれている。しかしレーザビームを照射してトリミン
グ溝を形成する方法では、トリミング溝の長さによって
厚膜抵抗体の抵抗値が指数関数的に大きく変化するので
、トリミング溝の長さが僅かでもずれると、厚膜抵抗体
の抵抗値が大きく変動し、抵抗値の調整精度は必ずしも
充分ではない。そのため近年、特開昭６０−３７７０２
号公報に開示されているように、−層の抵抗体の一部に
固有抵抗の大きな部分と小さな部分とを形成し、固有抵
抗の大きな部分から固有抵抗の小さな部分へとトリミン
グ溝を形成することにより、トリミング溝の長さと抵抗
値との比を一定に近づけ、抵抗値の調整精度を確保した
方法が提供されている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は上記したパワーアップ化に伴い抵抗体の占有面
積が大きくなりつつあるという実情に鑑み開発されたも
のであり、その目的は、抵抗体の占有面積の小形化を図
り得、しかも、特開昭６０−３７７０２号公報に開示さ
れている手段とは異なるトリミング方式で抵抗値の調整
精度を向上させ得る抵抗体形成方法を提供することにお
る。

［課題を解決するためたの手段］ 本発明の抵抗体形成方法は、少なくとも２層積層された
抵抗体層と各抵抗体層との間に介在した絶縁体層とから
なる抵抗体を用い、 トリミング手段により抵抗体層にその表出面側から・絶
縁体層を貫通させないで又は貫通させて凹部を形成する
ことにより、抵抗体層の抵抗値を調整したことを特徴と
するものでおる。

抵抗体層は、印刷等の手段で形成した比較的厚みのある
厚膜、あるいは蒸着等で形成された薄膜とすることがで
きる。抵抗体層の積層数は適宜選択でき、２層、３層、
４層等とすることができる。

但し各抵抗体層の間に絶縁体層を介在させる必要がある
。抵抗体層は通常、基板上に積層される。

基板は従来より用いられていたものを選択でき、例えば
セラミックス基板、ガラス基板、プリント基板等を適宜
選択できる。

抵抗体層を形成する材料は従来より使用されているもの
、例えば酸化ルテニウム系抵抗材料、カホン系抵抗材料
を採用できる。絶縁体層を形成する材料は従来より使用
されているもの、例えばガラス系、セラミックス系を採
用できる。

上記したように絶縁体層を介在させて抵抗体層を積層す
れば、所要の耐電力性を維持しつつ抵抗体の投影面積を
小さくできる。

トリミング手段はレーザビームで抵抗体層の一部を溶融
、蒸散等させるレーザトリミングを採用でき、場合によ
ってはサンドトリミング、電子ビムトリミングも採用で
きる。レーザトリミングの条件は適宜選択でき、レーザ
源としてはＮｄ：ＹＡＧレーザを用いることかで゛き、
レーザビームの径は３０〜５０μｍ１出力は１．５〜３
．５Ｗ、トリミング速度は２０〜２５ｍｍ／ＳｅＣとす
ることができる。サンドトリミングは、アルミナ等の研
磨粉を吹付けて抵抗体層の一部を削り取ることにより行
い得る。

トリミングは絶縁体層を貫通させないで、又は貫通させ
て行ない得る。

［作用］ 抵抗体層の間に絶縁体層が介在しているので、トリミン
グの際、トリミング出力が多少ずれても、抵抗調整は良
好に行なわれる。

［実施例］ 以下、本発明の抵抗体形成方法を厚膜抵抗体に適用した
一実施例について説明する。

ま゛ず、第１図に示すようにアルミナ製の基板１０上の
所定位置にＡｃｔ−Ｐｔ系のペーストを印刷で積層し、
乾燥、焼成を経て導体１２を所定間隔隔して形成する。

導体１２は、厚みが１０〜１２μｍである。

次に、酸化ルテニウム系の抵抗ペーストを用い、そのペ
ーストを基板１０上にスクリーン印刷し、乾燥、焼成を
経て下部抵抗体層２０を形成する。

下部抵抗体層２０は、厚みが１５〜２０μｍであり、導
体１２間を電気的に接続している。

次に、ガラスペーストを第３図に示すように下部抵抗体
層２０の上にその端部２０ａを露出させた状態でスクリ
ーン印刷で積層し、乾燥、焼成を経て絶縁体＠２２を形
成する。絶縁体層２２は、厚みが２０〜２５μｍである
。

次に、下部抵抗体層２０を形成したペーストを用い、第
４図に示すようにそのペーストを絶縁体層２２の上にス
クリーン印刷で積層し、乾燥、焼成を経て上部抵抗体層
２４を形成し、これにより厚膜抵抗体２を形成した。上
部抵抗体層２４は、厚みが１５〜２０μｍである。なお
第４図に示すように上部抵抗体２４の端部２４ａと下部
抵抗体層２０の端部２０ａとは電気的に接続されている
。

上部抵抗体層２４を積層した厚膜抵抗体２を模式的にあ
られした斜視図を第５図に示す。そのＡ−Ａ線に沿う断
面は第４図に示されており、Ｂ−Ｂ線に沿う断面は第６
図に示されている。第６図に示すように下部抵抗体２０
の側辺部２０ｂと上部抵抗体層２４の側辺部２４ｂとは
絶縁体層２２を介して絶縁されている。

次に、レーザ源としてＮｄ：ＹＡＧレーザを用い、第７
図および第９図に示すようにレーザビームを厚膜抵抗体
２の上部抵抗体層２４の表出面２４Ｃに照射して、厚膜
抵抗体２の横断方向ヘレーザトリミングを行ない、上部
抵抗体層２４の照射部分を溶融、蒸発等させ、凹部とし
てのトリミング溝３０を形成する。第９図に示すように
トリミング溝３０は厚膜抵抗体２のほぼ中央部を横断す
る方向で形成されている。この場合、レーザビームの径
は４０μｍ、出力は１．５Ｗ、トリミング速度・は２５
ｍｍ／ｓｅｃである。この場合、レーザ出力が低いため
、絶縁体層２２がレーザビームを遮断する作用を達成し
、レーザビームは下部抵抗体層２０へ達しない。従って
上部抵抗体層２４のトリミングだけで厚膜抵抗体２の抵
抗値は調整される。

また、抵抗値の調整量が大きい場合には、レーザビーム
の出力を増加して第８図に示すようにトリミング溝３０
が絶縁体層２２更には下部抵抗体層２０を溶融、蒸散さ
せ、これらを貫通させる。

この場合、レーザビームの径は４０μｍであり、トリミ
ング速度は２０ｍｍ／ｓｅＣであり、出力は３．５Ｗで
、第７図に示す場合の出力に比較して１．５倍である。

第１１図はトリミング溝３０の長さ（ρ）と厚膜抵抗体
２の抵抗値との関係を模式的に示すグラフである。第１
１図の特性線Ａは上部抵抗体層２４のみにトリミング溝
３０を形成した場合の特性を示し、特性線Ｂは上部抵抗
体層２４、絶縁体層２２、下部抵抗体＠２０を貫通する
トリミング溝３０を形成した場合の特性を示す。本実施
例では特性線Ａと特性線Ｂとの間の領域Ｃで、厚膜抵抗
体２の抵抗値を適宜調整することができる。例えば、当
初は、上部抵抗体層２４、絶縁体層２２、下部抵抗体層
２０を貫通させ、その後、下部抵抗体層２０を貫通させ
ずに上部抵抗体層２４のみを貫通させることができる。

第９図のＣ−Ｃ線に沿う断面を第１０図に示す。

第１０図に矢印で示すように本実施例の厚膜抵抗体２で
は、導体１２間を流れる電流は下部抵抗体層２０、上部
抵抗体層２４にそれぞれ流れる。

以上説明したように本実施例の方法では、上部抵抗体層
２４と下部抵抗体層２０とを積層し、その間に絶縁体＠
２２を介在させる構成でおる。そのため−層の抵抗体に
比較して、所要の耐電力性を維持しつつ、投影面積を小
さくした厚膜抵抗体２を得ることができる。例えば第１
３図に示すように一層の抵抗体では幅寸法がＬ３であっ
たが、本実施例では同じ程度の耐電力性を維持しつつ第
１２図に示すように幅寸法がＬ４となり、はぼ半分程１
度になった。

また本実施例では上部抵抗体層２４と下部抵抗体層２０
との間に絶縁体層２２が介在している構成である。その
ため、当初はレーザ出力を高め、上部抵抗体層２４、絶
縁体層２２、下部抵抗体層２０を貫通させ、その後、レ
ーザ出力を低め、下部抵抗体層２０を貫通させずに上部
抵抗体層２４のみを貫通させる微調整を行うこともでき
る。また絶縁体＠２２を貫通させない程のレーザ出力の
場合には、レーザ出力が多少変動しても、下部抵抗体層
２０までレーザビームは達しないので、抵抗調整を良好
に行ない得る。従ってレーザトリミングによる抵抗調整
の精度を維持できる。

し発明の効果］ 本発明の抵抗体形成方法によれば、抵抗体の占有面積の
小形化を図ることができる。さらに、トリミング手段に
よる抵抗調整の精度を高め得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は導体を形成した状態の断面図であり、第２図は
下部抵抗体層を形成した状態の断面図であり、第３図は
絶縁体層を形成した状態の断面図であり、第４図は上部
抵抗体層を形成した状態の断面図であり、第５図はその
斜視図であり、第６図は第５図のＢ−Ｂ線にそう断面図
であり、第７図は上部抵抗体層をレーザトリミングした
状態の断面図であり、第８図は下部抵抗体層までレーザ
トリミングした状態の断面図であり、第９図は平０ 面図、第１０図は第９図のＣ−Ｃ線にそう断面図、第１
１図は抵抗値とトリミング溝の長さとの関係を示すグラ
フであり、第１２図はトリミング溝を形成した厚膜抵抗
体の平面図、第１３図は従来の一層式の厚膜抵抗体の平
面図である。 図中、２は厚膜抵抗体、２０は下部抵抗体層、２２は絶
縁体層、２４は上部抵抗体層、３０はトリミング溝を示
す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも２層積層された抵抗体層と各該抵抗体
   層との間に介在した絶縁体層とからなる抵抗体を用い、 トリミング手段により該抵抗体層にその表出面側から該
   絶縁体層を貫通させないで又は貫通させて凹部を形成す
   ることにより、該抵抗体層の抵抗値を調整したことを特
   徴とする抵抗体形成方法。