JPH0362989A - 厚膜回路基板及びその製造方法 - Google Patents
厚膜回路基板及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［ＩＢ、梁上の利用分野］
本発明は、導電ペーストを用いて導体パターンが形成さ
れた厚膜回路基板及びその製造方法に関する。
れた厚膜回路基板及びその製造方法に関する。
［従来の技術］
アルミナ等の絶縁性セラミックで形成された基板の上に
厚膜法により導体パターンや抵抗膜等を形成して構成さ
れる厚膜回路基板にあっては、比較的低温で焼成される
導電ペーストを用いて導体パターンが形成されたものが
提供されている。例えばこのような導電ペーストとして
は、導体材料として銅を主体としたものが多く使用され
ており、この導電ペーストは、絶縁基板の上にスクリー
ン印刷法で印刷された後、６ｏ ｏ ’ｃ面前後温度で
非酸化雰囲気中で焼付けられる。
厚膜法により導体パターンや抵抗膜等を形成して構成さ
れる厚膜回路基板にあっては、比較的低温で焼成される
導電ペーストを用いて導体パターンが形成されたものが
提供されている。例えばこのような導電ペーストとして
は、導体材料として銅を主体としたものが多く使用され
ており、この導電ペーストは、絶縁基板の上にスクリー
ン印刷法で印刷された後、６ｏ ｏ ’ｃ面前後温度で
非酸化雰囲気中で焼付けられる。
このような厚膜回路基板の例が第３図に示されており、
この構成を絶縁基板１の上に厚膜を形成する工程に従っ
て説明する。すなわち、絶縁基板ｌの上に形成される導
体パターンのうち、゛まず絶縁基板ｌの上で導体パター
ンが交差する部分で下側となる導体パターン、すなわち
クロス導体層２が印刷、焼付けされる。次に、このクロ
ス導体層２の上に絶縁層であるところのクロスガラス層
４．５が順次印刷、焼付けされ、これと前後して酸化ル
テニウム（ＲＬＩ０２）のペーストにより、抵抗膜６が
印刷、焼付けされる。ここで、クロスガラス層４．５や
抵抗ｊ摸６は、空気中で８５０℃前後の温度で焼付けら
れるため、その前に印刷、焼付けされるクロス導体ｒｒ
！Ｊ２は、それらの焼付けの際に影響を受けないように
、それらと同等の条件で焼付けられるＡｇ−Ｐｄペース
トにより形成される。さらに、Ｃｕペーストを用いて半
田付ランド３を含む残りの導体パターン９が印刷、焼付
けされる。最後に、絶縁基板ｌの上に形成された半田付
ランド３の部分を除いて、紫外線硬化樹脂等により、回
路パターンを覆うように半田レジストアが印刷され、硬
化される。
この構成を絶縁基板１の上に厚膜を形成する工程に従っ
て説明する。すなわち、絶縁基板ｌの上に形成される導
体パターンのうち、゛まず絶縁基板ｌの上で導体パター
ンが交差する部分で下側となる導体パターン、すなわち
クロス導体層２が印刷、焼付けされる。次に、このクロ
ス導体層２の上に絶縁層であるところのクロスガラス層
４．５が順次印刷、焼付けされ、これと前後して酸化ル
テニウム（ＲＬＩ０２）のペーストにより、抵抗膜６が
印刷、焼付けされる。ここで、クロスガラス層４．５や
抵抗ｊ摸６は、空気中で８５０℃前後の温度で焼付けら
れるため、その前に印刷、焼付けされるクロス導体ｒｒ
！Ｊ２は、それらの焼付けの際に影響を受けないように
、それらと同等の条件で焼付けられるＡｇ−Ｐｄペース
トにより形成される。さらに、Ｃｕペーストを用いて半
田付ランド３を含む残りの導体パターン９が印刷、焼付
けされる。最後に、絶縁基板ｌの上に形成された半田付
ランド３の部分を除いて、紫外線硬化樹脂等により、回
路パターンを覆うように半田レジストアが印刷され、硬
化される。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、銅ペースト等の低温焼成用の導電ペース
トを用いて形成された導体膜は、多孔質であるため、こ
れを覆うように樹脂を塗布し、硬化させて半田レジスト
７を形成するとき、半田レジストアを形成する樹脂成分
が半田付ランド７の中に浸透し、その表面への半田の付
着性が悪くなる。このため、この半田付ランド７の上に
電子部品を搭載して半田付けするときの半田付性が悪く
、半田付不良等のトラブルを生じるといった欠点があっ
た。
トを用いて形成された導体膜は、多孔質であるため、こ
れを覆うように樹脂を塗布し、硬化させて半田レジスト
７を形成するとき、半田レジストアを形成する樹脂成分
が半田付ランド７の中に浸透し、その表面への半田の付
着性が悪くなる。このため、この半田付ランド７の上に
電子部品を搭載して半田付けするときの半田付性が悪く
、半田付不良等のトラブルを生じるといった欠点があっ
た。
本発明は、上記従来の厚膜回路基板とその製造方法にお
ける課題を解消することを目的とする。
ける課題を解消することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段の要旨は、絶縁基板ｌの上に形成された半田
付ランド３を含む回路パターンと、上記半田付ランド３
の部分を除いて回路パターンを覆うように形成された半
田レジスト７とを有するＢ膜回路基板において、上記半
田付ランド３の上の半田レジスト７寄りに樹脂含有金属
８の層が形成された厚膜回路基板である。
用した手段の要旨は、絶縁基板ｌの上に形成された半田
付ランド３を含む回路パターンと、上記半田付ランド３
の部分を除いて回路パターンを覆うように形成された半
田レジスト７とを有するＢ膜回路基板において、上記半
田付ランド３の上の半田レジスト７寄りに樹脂含有金属
８の層が形成された厚膜回路基板である。
さらに、絶縁基板１の上に半田付ランド３を含む回路パ
ターンを形成する工程と、上記半田付ランド３の部分を
除いて回路パターンを覆うように半田レジスト７を形成
する工程とを打する厚膜回路基板の製造方法において、
上記半田付ランド３の上の半田レジスト７が形成される
位置に寄せて樹脂含有金属８を塗布し、硬化させた後、
上記半田レジスト７を形成する厚膜回路基板の製造方法
である。
ターンを形成する工程と、上記半田付ランド３の部分を
除いて回路パターンを覆うように半田レジスト７を形成
する工程とを打する厚膜回路基板の製造方法において、
上記半田付ランド３の上の半田レジスト７が形成される
位置に寄せて樹脂含有金属８を塗布し、硬化させた後、
上記半田レジスト７を形成する厚膜回路基板の製造方法
である。
［作 用コ
上記厚膜回路基板とその製造方法によれば、田付ランド
３の上の半田レジスト７寄りに樹脂含有金属８が塗布さ
れ、硬化されるため、樹脂含有金属８に含まれる樹脂成
分が半田付ランド３の中に浸透し、その細かい気孔を理
める。このため、導体パターン９の上ζこ半田レジス（
・７を形成するための樹脂を塗布したとき、樹脂成分の
半田付ランド３への浸透が既に半田付ランド３の中に浸
透した上記樹脂により阻止され、その先に浸透しない。
３の上の半田レジスト７寄りに樹脂含有金属８が塗布さ
れ、硬化されるため、樹脂含有金属８に含まれる樹脂成
分が半田付ランド３の中に浸透し、その細かい気孔を理
める。このため、導体パターン９の上ζこ半田レジス（
・７を形成するための樹脂を塗布したとき、樹脂成分の
半田付ランド３への浸透が既に半田付ランド３の中に浸
透した上記樹脂により阻止され、その先に浸透しない。
これにより、半田付ランド３の半田付性が維持される。
［実 施 例コ
次に、本発明の実施例についで、具体的に説明する。
第１図と第２図は、アルミナ基板等の絶縁基板ｌの上に
導電ペーストの印刷、焼付により半田付ランド３を含む
導体パターン９を形成した状態を示している。
導電ペーストの印刷、焼付により半田付ランド３を含む
導体パターン９を形成した状態を示している。
ここで本発明では、後で述べる半田レジスト７が形成さ
れる位置に寄せて半田付ランド３の上に、溶解した樹脂
に金属粉末を混合した金属ペーストを塗布し、上記樹脂
成分を硬化させて樹脂含有金属８の層を形成する。この
樹脂含有金属８は、半田レジスト７の縁が導体パターン
９をＱＪる線と概ね平行に少なくともその全長に亙って
細長く少量塗布し、硬化させるのが望ましい。これは、
塗布される樹脂含有金ｆ１８の量が多いと、半田付ラン
ド３に浸透する樹脂の量もそれだけ多くなり、半田付ラ
ンド３の先の方まで樹脂が浸透してしまうおそれがある
からである。また、半田レジスト７の縁が導体パターン
９を切る線と平行にその全長に亙って樹脂含有金属８の
層が形成されることにより、半田レジスト７に含まれる
樹脂の浸透を効果的に阻止できる。
れる位置に寄せて半田付ランド３の上に、溶解した樹脂
に金属粉末を混合した金属ペーストを塗布し、上記樹脂
成分を硬化させて樹脂含有金属８の層を形成する。この
樹脂含有金属８は、半田レジスト７の縁が導体パターン
９をＱＪる線と概ね平行に少なくともその全長に亙って
細長く少量塗布し、硬化させるのが望ましい。これは、
塗布される樹脂含有金ｆ１８の量が多いと、半田付ラン
ド３に浸透する樹脂の量もそれだけ多くなり、半田付ラ
ンド３の先の方まで樹脂が浸透してしまうおそれがある
からである。また、半田レジスト７の縁が導体パターン
９を切る線と平行にその全長に亙って樹脂含有金属８の
層が形成されることにより、半田レジスト７に含まれる
樹脂の浸透を効果的に阻止できる。
次に、上記半田付ランド３を除いて導体パターン９を覆
うように樹脂を塗布し、これを硬化させて半田レジスト
７を形成する。図示の実施例の場合、半田レジスト７は
、その縁が導体パターン９の先端をその幅方向に切るよ
う形成されており、樹脂含有金Ｂ８の層は、上記半田レ
ジスト７の縁と平行に半田付ランド３の半田レジスト７
寄りの縁に沿ってそのほぼ全幅に形成されている。
うように樹脂を塗布し、これを硬化させて半田レジスト
７を形成する。図示の実施例の場合、半田レジスト７は
、その縁が導体パターン９の先端をその幅方向に切るよ
う形成されており、樹脂含有金Ｂ８の層は、上記半田レ
ジスト７の縁と平行に半田付ランド３の半田レジスト７
寄りの縁に沿ってそのほぼ全幅に形成されている。
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
アルミナ基板ｌの上に銅ペーストを印刷し、焼付けて、
１．５Ｘ１．５ｍｍの半田付ランド３と、この−辺の中
央に一体に連続する幅０゜５ｍｍのライン状の導体パタ
ーン９を有する導体膜を形成した。これら導体パターン
の膜厚は１５μｍであった。次に、上記半田付ランド３
の導体パターン９が連続した一辺に沿って銅ペーストを
塗布し、これを１５０°Ｃの温度で１０分間加熱し、幅
約０． １ｍｍｔ 膜厚１５μｍの樹脂含有銅８の層
を形成した。
１．５Ｘ１．５ｍｍの半田付ランド３と、この−辺の中
央に一体に連続する幅０゜５ｍｍのライン状の導体パタ
ーン９を有する導体膜を形成した。これら導体パターン
の膜厚は１５μｍであった。次に、上記半田付ランド３
の導体パターン９が連続した一辺に沿って銅ペーストを
塗布し、これを１５０°Ｃの温度で１０分間加熱し、幅
約０． １ｍｍｔ 膜厚１５μｍの樹脂含有銅８の層
を形成した。
次に、上記半田付ランド３を除いて導体パターン９を覆
うように紫外線硬化性樹脂ペーストを塗布し、これに紫
外線を照射させることにより硬化させ、Ｖ厚２０μｍの
半田レジスト７を形成した。
うように紫外線硬化性樹脂ペーストを塗布し、これに紫
外線を照射させることにより硬化させ、Ｖ厚２０μｍの
半田レジスト７を形成した。
そして、上記半田付ランド３の上にロジン系フラックス
を塗布し、Ｓｎ、！−Ｐｂが６：４の半田を２３０ ’
Ｃで溶廂させた半田槽に浸漬し、半田濡性を調べた。そ
の結果、半田付ランド３の全面積に対する半田濡部の面
積が９０％に達しないものは、半田付ランド５００個所
中３個所であった。
を塗布し、Ｓｎ、！−Ｐｂが６：４の半田を２３０ ’
Ｃで溶廂させた半田槽に浸漬し、半田濡性を調べた。そ
の結果、半田付ランド３の全面積に対する半田濡部の面
積が９０％に達しないものは、半田付ランド５００個所
中３個所であった。
また、これと比較するため、樹脂含有銅８を形成しない
こと以外は、上記と同様に厚膜回路基板を作り、これに
ついても上記と同様に半田濡試験を行なった。その結果
、半田付ランド３の全面ｆｉ′ｔに対する半田濡部の面
積が９０％に達しないものは、半田付ランド５００個所
中５５個所あった。
こと以外は、上記と同様に厚膜回路基板を作り、これに
ついても上記と同様に半田濡試験を行なった。その結果
、半田付ランド３の全面ｆｉ′ｔに対する半田濡部の面
積が９０％に達しないものは、半田付ランド５００個所
中５５個所あった。
［発明の効果コ
以上説明した通り、本発明によれば、絶縁基板上に形成
された半田付ランド３．３の半田付性の良い厚膜回路基
板が捉供することができ、半田付不良の低減が図れると
いう効果が得られる。
された半田付ランド３．３の半田付性の良い厚膜回路基
板が捉供することができ、半田付不良の低減が図れると
いう効果が得られる。
第１図は、本発明の実施例を示す厚膜回路基板の要部斜
視図、第２図は同厚膜回路基板の要部断面図、第３図は
、厚膜回路基板の従来例を示す要部斜視図である。 ■・・・絶縁基板 ３・・・半田付ランド ７・・・半
田レジスト ８・・・樹脂含有金属
視図、第２図は同厚膜回路基板の要部断面図、第３図は
、厚膜回路基板の従来例を示す要部斜視図である。 ■・・・絶縁基板 ３・・・半田付ランド ７・・・半
田レジスト ８・・・樹脂含有金属
Claims (2)
- （１）絶縁基板１の上に形成された半田付ランド３を含
む回路パターンと、上記半田付ランド３の部分を除いて
回路パターンを覆うように形成された半田レジスト７と
を有する厚膜回路基板において、上記半田付ランド３の
上の半田レジスト７寄りに樹脂含有金属８の層が形成さ
れたことを特徴とする厚膜回路基板。 - （２）絶縁基板１の上に半田付ランド３を含む回路パタ
ーンを形成する工程と、上記半田付ランド３の部分を除
いて回路パターンを覆うように半田レジスト７を形成す
る工程とを有する厚膜回路基板の製造方法において、上
記半田付ランド３の上の半田レジスト７が形成される位
置に寄せて樹脂含有金属８を塗布し、硬化させた後、上
記半田レジスト７を形成することを特徴とする厚膜回路
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884389A JPH0362989A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884389A JPH0362989A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362989A true JPH0362989A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16397841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19884389A Pending JPH0362989A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362989A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124324A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | プリント配線板、電子回路装置および電子回路装置の製造方法 |
| JP2019080063A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | 啓耀光電股▲分▼有限公司 | 電子装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19884389A patent/JPH0362989A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124324A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | プリント配線板、電子回路装置および電子回路装置の製造方法 |
| JP2019080063A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | 啓耀光電股▲分▼有限公司 | 電子装置及びその製造方法 |
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